TWI827384B - 光學裝置、曝光裝置及曝光方法 - Google Patents

光學裝置、曝光裝置及曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI827384B
TWI827384B TW111145388A TW111145388A TWI827384B TW I827384 B TWI827384 B TW I827384B TW 111145388 A TW111145388 A TW 111145388A TW 111145388 A TW111145388 A TW 111145388A TW I827384 B TWI827384 B TW I827384B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wedge
light
correction
aforementioned
optical
Prior art date
Application number
TW111145388A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202338925A (zh
Inventor
西村辰彦
藤澤泰充
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202338925A publication Critical patent/TW202338925A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI827384B publication Critical patent/TWI827384B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0875—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more refracting elements
    • G02B26/0883—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more refracting elements the refracting element being a prism
    • G02B26/0891—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more refracting elements the refracting element being a prism forming an optical wedge
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/64—Imaging systems using optical elements for stabilisation of the lateral and angular position of the image
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/04—Prisms
    • G02B5/045—Prism arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

本發明在使光行進路線位移之技術中，可以簡單的構成，並且可在抑制像散差增大的同時進行位移量之調整。 本發明係使輸入光之行進路線位移，輸出沿著與輸入光之光路平行且非相同之光路的輸出光之光學裝置及使用其之曝光裝置以及曝光方法；其具備有：第一楔形稜鏡，其將輸入光之入射角設定為使出射光之偏角成為最小之角度；第二楔形稜鏡，其頂角與第一楔形稜鏡大致相同，且反向地與第一楔形稜鏡相對向配置；位移量調整機構，其支撐第一楔形稜鏡與第二楔形稜鏡，使其等間之距離變化而調整位移量；及修正光學元件，其配置於輸入光之光路或輸出光之光路，修正出現於輸出光之像散差。

Description

光學裝置、曝光裝置及曝光方法
本發明係關於一種光學裝置，其可適用於例如用以將圖案描繪於印刷配線基板或玻璃基板等之基板而對基板進行曝光之技術。
於半導體基板、印刷配線基板、玻璃基板等各種基板形成配線圖案等圖案之技術，其有將根據描繪資料進行調製後之光束入射至形成於基板表面之感光層而使感光層曝光之方法。在此種技術中，為了一面配合基板之彎曲或變形等而一面在適宜之位置進行描繪，其於光路上設置有使光束相對於基板之入射位置位移(shift)的手段。
例如，於日本特開2009-244446號公報(專利文獻1)所記載之技術中，於光路上配置有一對相互反向地對向配置之楔形稜鏡(wedge prism)。並且，光束於像面形成之像的位置之位移係藉由使楔形稜鏡間之距離變化而實現。於該技術中，以稜鏡間之距離為基準值時而像散差(astigmatic difference)大致為零之方式，設定光對稜鏡之入射角。此時，其有像散差伴隨稜鏡間之距離變化而增大之問題。對於該問題，被提出有一種使楔形稜鏡對轉動而使光的入射角變化之解決方法。
(發明所欲解決之問題)
於前述先前技術中，為了不使像散差增大而變更位移量，則需要根據稜鏡間之距離變化使稜鏡對轉動。尤其，當在需要實現轉動運動之點，其為了支撐楔形稜鏡對而使其移動之機構則變得複雜。此外，為追求位移量變更處理之高速化，亦希望將用以支撐及調整之機構簡化。例如，若可僅以稜鏡間之距離變更來完成位移量之變更則更佳。於其等之點上，則前述先前技術尚有改善之餘地。 (解決問題之技術手段)
本發明係鑑於前述問題所完成者，其目的在於提供一種技術，可在使光的行進路線位移之技術中，以簡單構成，並可抑制像散差之增大的同時進行位移量之調整者。
於本發明之一態樣中，其係一種光學裝置，係使輸入光之行進路線位移，而輸出沿著與前述輸入光之光路平行且不相同之光路的輸出光；其具備有：第一楔形稜鏡，其將前述輸入光之入射角設定為使出射光之偏角成為最小之角度；第二楔形稜鏡，其頂角與前述第一楔形稜鏡大致相同，且反向地與前述第一楔形稜鏡相對向配置，自與前述第一楔形稜鏡相對向之面為相反側之面出射前述輸出光；位移量調整機構，其支撐前述第一楔形稜鏡與前述第二楔形稜鏡，使其等間之距離變化而調整位移量；及修正光學元件，其配置於前述輸入光之光路或前述輸出光之光路，以修正出現於前述輸出光之像散差。
於此一構成之發明中，其與專利文獻1記載之技術同樣地，藉由將2個楔形稜鏡組合而成之楔形稜鏡對而實現光路之位移，且藉由使楔形稜鏡間之距離變化而調整位移量。但是，在輸入光入射之第一楔形稜鏡中，本發明之入射角並非如專利文獻1記載之像散差成為最小之值，而是設定為偏角成為最小之值。此時，亦如於專利文獻1所記載，無論楔形稜鏡間之距離如何，像散差之大小皆大致固定。另一方面，其此時殘留有無法忽視之大小的像散差。
因此，於本發明中，在光路上另外設置有用以修正像散差之修正光學元件。具體而言，例如，藉由於光路上配置用以將楔形稜鏡對所產生之像散(astigmatism，散光)抵消之產生像散的光學元件，而可進行像散差之修正。
若以此一方式實現修正，即使為了變更位移量而使楔形稜鏡間之距離變化，其亦可維持修正像散差後之狀態。也就是說，其無需根據位移量使像散差之修正量變化。藉此，對於支撐楔形稜鏡對之機構，只要可實現使楔形稜鏡間之距離變化之直線運動即可滿足。因此，其可採用較簡單之構成。此外，由於其無需根據位移量之變化使楔形稜鏡對轉動，因此可實現用以調整位移量之處理的高速化。
此外，於本發明之另一態樣中，其係一種曝光裝置，其具備有：平台，其支撐處理對象之基板；曝光部，其根據既定之曝光資料對光束進行調製，且使調製後之前述光束經由前述光學裝置入射至前述基板的表面；及移動機構，其使前述平台與前述曝光部相對移動。
於此一構成之發明中，當以調製後之光束對基板表面進行曝光時，於光束之光路設置有前述光學裝置。因此，當例如有需要對應於基板之變形或平台上之位置偏移等而對光束之入射位置進行調整時，其可利用由光學裝置進行之光的位移。本發明之光學裝置由於與位移量無關且像散差小，尤其適合於此種用途。
此外，本發明之另一態樣中，其係一種曝光方法，係使根據既定之曝光資料進行調製後之光束入射至基板的表面而對前述基板進行曝光之方法。在本發明中，於前述光束之光路上配置具有修正量調整機構之前述光學裝置，且預先使前述修正量調整機構動作，以出現於前述輸出光之像散差成為最小之方式將前述修正量最佳化。如此，當使前述位移量調整機構動作而使前述位移量變化時，則無需使前述修正量調整機構之前述修正量變化。
於此一構成之發明中，藉由於光路上配置本發明之光學裝置，其可調整光束相對於基板之入射位置。並且，若預先以像散差成為最小(理想上為零)之方式進行調整，則即使於其後變更位移量時，像散差也不會增大。此外，位移量之變更係藉由僅變更楔形稜鏡間之距離即可實現，從而可進行高速之調整處理。 (對照先前技術之功效)
如上述，於本發明中，當藉由2個楔形稜鏡使光位移時，以偏角成為最小之條件設定光之入射角，且藉由修正光學元件對殘留之像散差進行修正。因此，其可藉由較簡單之構成而實現一種光學裝置，其可於不使像散差增大之情況下進行位移量之變更。
以下，對於本發明之光學裝置之具體態樣，例示複數個實施形態以進行說明。在此，對將本發明之光學裝置適用於曝光裝置時之實施形態進行說明，該曝光裝置係藉由調製光束而對基板進行曝光描繪。該曝光裝置藉由對形成有抗蝕劑等感光材料層之基板照射既定圖案之雷射光，而將圖案描繪於感光材料。作為曝光對象之基板，例如，可適當使用印刷配線基板、各種顯示裝置用之玻璃基板、半導體基板等之各種基板。
首先，對可適用本發明之光學裝置的曝光裝置以2個構成例進行說明，然後，對適用於其等曝光裝置之光學裝置的詳細構成進行說明。
＜第一構成例之曝光裝置＞ 圖1為示意表示包含有本發明之光學裝置的曝光裝置之第一構成例的圖。該曝光裝置2之基本構成係與專利文獻1中作為「光學裝置2」所記載之構成相同。因此，對於藉由參照專利文獻1而可理解之原理或基本構成等則省略其說明，且儘可能將符號共通化，在此對裝置構成之概要進行簡單說明。
為了進行以下說明，如圖1所示定義XYZ正交坐標系。並且將水平且垂直於圖1紙面之方向設為X方向，將與其正交之水平且沿圖1紙面之方向設為Y方向。此外，將鉛垂朝下方向設為Z方向。即，圖1為表示曝光裝置2側視時的圖。
曝光裝置2具備有可動平台20、曝光頭21及控制部22。可動平台20係將曝光對象之基板9保持為水平姿勢。曝光頭21藉由使調製光束入射於該基板9，而將微細之圖案描繪於基板9。控制部22藉由執行預先準備之控制程式控制裝置各部，而實現既定之動作。
於可動平台20連結有平台驅動機構201。平台驅動機構201包含有使可動平台20沿Y方向移動之主掃描驅動機構、使沿X方向移動之副掃描驅動機構、及使沿Z方向移動之升降機構。作為此種機構之驅動源，例如可使用線性馬達。藉此，曝光裝置2可使自曝光頭21出射之曝光光束入射至基板9之任意位置而進行描繪。
曝光頭21具備有光源23、照明光學系統24、空間光調製元件25及成像光學系統26。光源23例如為照射作為曝光光束之光的燈。照明光學系統24係將自光源23出射之光朝空間光調製元件25導引。空間光調製元件25根據既定之描繪資料對藉由照明光學系統24導引之光進行調製，以生成調製光束。
照明光學系統24具備有反射鏡240、透鏡241、光學濾波器242、桿積算器(rod integrator)243、透鏡244及反射鏡245、246等光學元件。藉由其等光學元件之作用，來自光源23之光被成形為束狀且以既定之入射角朝空間光調製元件25導引。
作為空間光調製元件25，可使用例如DMD(Digital Micromirror Device，數位微反射鏡元件)、繞射光柵型空間光調製元件等。空間光調製元件25根據描繪資料對入射之光束進行調製。藉此，根據待描繪圖案之形狀對光束進行調製。調製光束經由成像光學系統26入射至基板9的表面。
成像光學系統26具備有第一成像透鏡260、反射鏡261、像位置調整裝置1及第二成像透鏡262等光學元件，而構成縮小光學系統。藉由其等光學元件之作用，將與待描繪圖案之形狀相對應之光學像，成像於基板9的表面。具體而言，調製光束藉由第一成像透鏡260形成一次像(中間像)，然後一次像藉由第二成像透鏡262於作為像面之基板9表面進行成像而成為最終像。
此外，於成像光學系統26結合有焦點驅動機構(省略圖示)，該焦點驅動機構係使第二成像透鏡262於Z方向移動。控制部22藉由使該焦點驅動機構動作，如虛線箭頭所示，使第二成像透鏡262朝接近基板9及離開基板9之方向移動。藉此，以自第二成像透鏡262出射之光束收斂於基板9表面之方式進行成像光學系統26之焦點調整。
像位置調整裝置1係相當於本發明之「光學裝置」之一實施形態，具有使入射之光於X軸方向位移任意距離之功能。當將本發明之光學裝置適用於曝光裝置2時，具有使成像於像面之像的位置位移之功能，於此意義上具有作為像位置調整裝置之功能。於本實施形態中，像位置調整裝置1係配置於第一成像透鏡260製作之一次像與第二成像透鏡262之間。關於其構造及動作，容待後述。
＜第二構成例之曝光裝置＞ 圖2為示意表示包含有本發明之光學裝置的曝光裝置之第二構成例的圖。於圖2中，亦根據圖1定義XYZ正交坐標系。即，圖2為表示曝光裝置4側視時的圖，且將水平且垂直於圖2紙面之方向設為X方向，將與其正交之水平且沿圖2紙面之方向設為Y方向。此外，將垂直朝下方向設為Z方向。
如圖2所示，曝光裝置4具備有可動平台40、曝光頭41、控制部42及光源單元43。可動平台40將曝光對象之基板9保持為水平姿勢，且藉由平台驅動機構401於X方向、Y方向及Z方向移動。曝光頭41藉由使調製光束入射於該基板9，將微細之圖案描繪於基板9。控制部42藉由執行預先準備之控制程式控制裝置各部，而實現既定之動作。
光源單元43具備有作為雷射光源之例如雷射二極體431、及照明光學系統432，且使作為曝光光束之雷射光束入射至曝光頭41，其中，該照明光學系統432包含有將雷射二極體431之出射光成形為平行光之準直透鏡。
於曝光頭41設置具有繞射光學元件411之空間光調製器410。具體而言，空間光調製器410安裝於曝光頭41之沿上下方向(Z方向)延伸設置之支柱400的上部，且該空間光調製器410於使繞射光學元件411之反射面朝向下方之狀態下，經由可動台412被支撐於支柱400。
於曝光頭41中，繞射光學元件411係將其反射面之法線相對於入射光束之光軸傾斜配置。自光源單元43射出之光通過支柱400之開口入射至反射鏡413，且藉由反射鏡413反射後照射至繞射光學元件411。然後，藉由控制部42根據曝光資料切換繞射光學元件411之各通道之狀態，對入射至繞射光學元件411之雷射光束進行調製。
並且，作為0次繞射光自繞射光學元件411反射之雷射光，係朝成像光學系統414之透鏡入射，另一方面，作為1次以上之繞射光自繞射光學元件411反射之雷射光，則不朝成像光學系統414之透鏡入射。也就是說，其基本上被構成為，僅由繞射光學元件411反射之0次繞射光朝成像光學系統414入射。
通過成像光學系統414之透鏡後的光係藉由聚焦透鏡415收斂且作為曝光光束以既定之倍率被朝基板9上導引。成像光學系統414係構成縮小光學系統。聚焦透鏡415被安裝於焦點驅動機構416。並且，焦點驅動機構416根據來自控制部42之控制指令，使聚焦透鏡415沿鉛垂方向(Z軸方向)升降，藉此，將自聚焦透鏡415射出之曝光光束的收斂位置調整至基板9的上表面。
如此，根據待描繪圖案之形狀對光束進行調製，且經由成像光學系統414將調製光束入射至基板9的表面，藉此，於基板9的表面描繪既定之圖案。
在自繞射光學元件411朝向成像光學系統414之光路上，配置有像位置調整裝置1。像位置調整裝置1之構成及功能係與設於第一構成例之曝光裝置2之構成及功能相同。
圖3為表示像位置調整裝置之構成的圖。該像位置調整裝置1係藉由形成一對之2個楔形稜鏡、即第一楔形稜鏡13及第二楔形稜鏡14之組合，使光束於X方向位移。關於其基本原理及具體之設計方法，已於專利文獻1中具有記載，於本實施形態中亦可採用同樣之設計思想。因此，此處僅對楔形稜鏡對10之光位移的原理及構成之主要部分進行簡單說明。
構成楔形稜鏡對10之第一楔形稜鏡13與第二楔形稜鏡14，具有大致相同之構造(例如，頂角α、折射率n皆相同)，且以相互逆向且相對向之面相互平行之方式隔開既定之間隔而配置。如後述，間隔係可變者，以用於位移量之調整。
第一楔形稜鏡13藉由支撐部130被固定支撐於適宜之筐體。另一方面，第二楔形稜鏡14經由具有直動機構141之支撐部140而被支撐。作為直動機構141，例如，可使用藉由控制部42控制之將旋轉馬達與滾珠螺桿機構進行組合所成者、或者可使用線性馬達等。
直動機構141根據來自控制部42之控制指令使第二楔形稜鏡14於上下方向(Z方向)移動。藉此，如虛線箭頭所示，第二楔形稜鏡14可於既定之可動範圍內相對於第一楔形稜鏡13朝接近方向及離開方向移動。其結果，兩者之相對距離D1變化。
朝(+Z)方向行進之輸入光Li入射至楔形稜鏡對10。具體而言，輸入光Li入射至2個楔形稜鏡中上側即位於(-Z)側之第一楔形稜鏡13的上表面(與第二楔形稜鏡14相對向之對向面13b為相反側的非對向面13a)。以符號 i表示此時朝第一楔形稜鏡13之入射角。
入射至第一楔形稜鏡13的光係分別於第一楔形稜鏡13之非對向面13a及對向面13b折射，相對於以虛線表示之光的直行前進方向，以偏角θ自對向面13b出射。光係於第二楔形稜鏡14之對向面14a及非對向面14b進一步折射，作為輸出光Lo朝下方出射。
該輸出光Lo之行進方向係與輸入光Li相同之(+Z)方向。因此，輸入光Li不折射而照直線前進時與所輸出之虛擬的光Loa平行，且該光路相對於光Loa之光路朝(-X)方向偏移距離D2。也就是說，該楔形稜鏡對10具有如下功能：輸出使輸入光Li朝(-X)方向位移之輸出光Lo。藉此，最終使投影於基板9之像的位置於X方向變化。
再者，於楔形稜鏡對10中，光分別對2個楔形稜鏡進行入射出射。因此，於本說明書中，為了避免混亂，將最初自外部對楔形稜鏡對10入射之光稱為「輸入光」，將最終自楔形稜鏡對10出射之光稱為「輸出光」。
由圖3明顯可知，第一楔形稜鏡13與第二楔形稜鏡14之距離D1越大，則位移量D2亦越大。也就是說，藉由使第二楔形稜鏡14移動而使距離D1變化，可使位移量D2變化。藉由控制部42控制由直動機構141所產生之第二楔形稜鏡14的移動量，可實現任意之位移量。
在此，通過楔形稜鏡對10之光，藉由折射而於X方向曲折，另一方面，行進方向於Y方向上不變。由於起因如此之異向性，而於輸出光Lo出現像散差。因此，如以下所說明，當將光束最終收斂於基板9的表面時，相對於像面之焦點位置在X方向與Y方向產生差異，而可能使描繪品質降低。
圖4A及圖4B為表示位移量與像散差之關係的圖。更具體而言，圖4A為示意表示使位移量變化時像散差之變化的曲線圖。亦如專利文獻1所記載，並且如圖4A中以複數條虛線所描繪，變更楔形稜鏡間之距離D1而使位移量D2變化時像散差之表現係因入射角 i而不同。
於專利文獻1記載之技術中，採用了以位移量之可變範圍之中心作為基準值(位移量為零)而將位移量設定於基準值時像散差為零之描繪線Pb。此時，位移量越偏離基準值，則像散差越大，為了避免這種情況，作為使入射角 i根據位移量而變化之方法，被提案一種使楔形稜鏡對轉動之技術。
另一方面，於本實施形態中，採用即便使位移量變化而像散差也不變之描繪線Pa。於入射角 i與偏角θ之關係中，已知當以偏角θ為最小之方式設定入射角時，不會產生此一像散差之變動。但是，此時其與位移量D2之設定無關，未必殘留小的像散差Da。於本實施形態中，藉由以下設計思想，以追求實現無論位移量D2如何皆可使像散差成為零。
圖4B為示意表示使楔形稜鏡間之距離D1變化時成像光學系統之焦點位置之變化的圖。當楔形稜鏡間之距離D1變化則實效之光路長度變化，因此，成像光學系統(第一構成例中之成像光學系統26、第二構成例中之成像光學系統414)相對於像面之焦點位置變動。此外，當存在像散差時，焦點位置係於 X方向與Y方向之間不同。
但是，當以偏角θ為最小之方式設定入射角 i時，X方向之焦點位置與Y方向之焦點位置之距離即像散差，無論楔形稜鏡間之距離D1如何皆為固定值Da。因此，可考慮與楔形稜鏡對10作區別，而另外於光路上配置用以消除該像散差之光學元件作為「修正光學元件」，藉以實現像散差之消除。
具體而言，例如，對於X方向上之焦點位置較Y方向之焦點位置更遠之像散差，只要與此相反，於光路上配置產生Y方向上之焦點位置較X方向之焦點位置更遠之像散的光學元件的話，即可藉由抵消相互之像散差而作修正。藉由如此之光學元件所產生之像散差只要與藉由楔形稜鏡對10所產生之像散差在符號上相反且絕對值相同，即可最終使像面上之像散差成為零。
作為此種之修正光學元件，例如，可使用焦點距離於X方向與Y方向不同之非對稱透鏡。例如，將軸向配置為X方向或Y方向之柱面透鏡(cylindrical lens)係僅於與軸向正交之方向具有放大倍率，而可適合上述目的。
於本實施形態中，如圖3所示，以如此像散差之修正為目的之作為修正光學元件的修正透鏡15，係設於第一楔形稜鏡13之上方。於本例中，修正透鏡15係將Y方向設為軸向之柱面透鏡。根據如此之構成，可將成像光學系統相對於像面之焦點位置，一面於Y方向維持一面於X方向接近成像光學系統側。
為了可使像散差趨近於零，修正透鏡15可上下移動地被支撐。具體而言，修正透鏡15係藉由具有直動機構151之支撐部150而被支撐。直動機構151可藉由例如旋轉馬達與滾珠螺桿機構之組合、或線性馬達而實現。直動機構151係根據來自控制部42之控制指令進行動作，其使修正透鏡15於上下方向(Z方向)移動。藉此，可調整對於像散差之修正量，而實現將起因於楔形稜鏡對10之像散差完全消除之條件。
本實施形態之像散差之修正效果，可依如下方式獲得。首先，於裝置之設計階段，決定第一楔形稜鏡13及第二楔形稜鏡14之規格，且相應地決定輸入光Li相對於楔形稜鏡對10之入射角 i。具體而言，根據專利文獻1記載之方法，使用頂角α、折射率n、於像面上所需之最大實際位移量S、第二楔形稜鏡14之可動範圍寬度d、及在像位置調整裝置1以後的透鏡之倍率M，以滿足下述數式1關係之方式決定第一楔形稜鏡13、第二楔形稜鏡14及支撐部140之規格。 (數式1) 接著，輸入光Li相對於以上述方式決定規格之楔形稜鏡對10之入射角 i係以滿足表示偏角θ為最小之條件的下述數式2關係之方式決定。 (數式2)
如此，於本實施形態中，若決定了楔形稜鏡對10之規格，則輸入光相對於其的入射角 i亦於設計階段決定。因此，若於裝置之組裝時或初始調整時等以充分之精度設定入射角 i，則此後基本上不會產生對其進行變更之必要。
另一方面，為了將像散差之修正效果最大化(理想上使像散差為零)，則需要適當地設定作為修正透鏡15之柱面透鏡的曲率半徑及光路上之配設位置。更簡單而言，藉由如下方式進行修正透鏡15之位置調整，則可將像散差之修正量最佳化。再者，在此雖然對於使用第一構成例之曝光裝置2之調整處理進行說明，但對於第二曝光裝置4亦可適用同樣之設計思想。
圖5為表示用以調整像散差之修正量之裝置構成的圖。此外，圖6為表示用以該調整之處理的流程圖。藉由柱面透鏡15將像散差之修正量最佳化之處理係依如下方式進行。如圖5所示，於與像面相對應之位置，配置虛擬(dummy)基板52，以取代基板9。然後，藉由觀察用相機51對投影於虛擬基板52之像進行攝像。觀察用相機51及虛擬基板52，既可為了此目的所設，亦可為了例如曝光頭中自動對焦機構之校準等目的而預先設置。
為了與可動平台20選擇性地定位於曝光頭21之正下方位置，觀察用相機51及虛擬基板52被要求於水平方向移動。此外，為了搜尋後述之焦點位置，被要求朝Z方向移動。例如，可於具備有朝其等方向之移動機構的可動平台20側部安裝此一機構。
其具體處理如下。首先，於曝光光束之照射於像面之位置，取代可動平台20而配置虛擬基板52及觀察用相機51(步驟S101)。此外，將修正透鏡15暫時設定在適當之基準位置(步驟S102)。此時之第二楔形稜鏡14之位置為任意者，例如可將其設為基準位置。
於該狀態下，藉由曝光頭21將既定之基準圖案投影至作為像面之虛擬基板52的表面(步驟S103)。該基準圖案係用以個別測定X方向及Y方向之焦點位置，例如，可使用將X方向之線與Y方向之線組合所成者。基準圖案之投影可藉由空間光調製元件25對曝光光束進行調製而實現，亦可藉由於光路上配置調整用之遮罩而實現。
如此，使用投影於虛擬基板52表面的基準圖案而求出像散差。具體而言，觀察用相機51對基準圖案進行攝像，將圖像資料供給至控制部22。控制部22一面使觀察用相機51及虛擬基板52一體地於Z方向移動，一面取得X方向之基準圖案最清晰地被投影至像面即聚焦於像面時之位置、及Y方向之基準圖案聚焦至像面時之位置(步驟S104)，且計算出其等之差作為像散差(步驟S105)。
若求得之像散差為預先設定之容許值以下時(於步驟S106中為「YES」)，由於像散差之修正有效地發揮作用，因此可結束調整處理。另一方面，當像散差超過預先設定之容許值時(步驟S106中為「NO」)，則根據其大小及符號計算出修正透鏡15之移動量，且對應於移動量使修正透鏡15於Z方向移動(步驟S107)。作為修正透鏡15之移動量，例如，可使用將於像面上所計算出之像散差的值除以位於像位置調整裝置1與像面之間之光學系統的倍率之平方所得到的值。
於此基礎上，再次執行步驟S104〜S106之像散差的評價。藉由重複進行該動作，可將為了使像散差成為最小(理想上為零)之修正透鏡15之位置驅動至最佳位置。
以如此方式所最佳化之像散差的修正，即使於第二楔形稜鏡14之位置變更時亦可有效地發揮作用。換言之，為了實現該目的，輸入光Li相對於楔形稜鏡對10之入射角 i係被選擇偏角θ為最小之值。因此，即使於其後之曝光動作中為了變更位移量而將第二楔形稜鏡14之位置變更，亦無需變更修正透鏡15之位置。
該調整處理只要於裝置啟動時、定期維護時、裝置之運轉時間或基板之處理片數達到既定值時等之時間點執行即可。此外，當例如裝置處於溫度變化少之穩定環境時，極端而言亦可僅於設置時進行調整。無論如何，執行頻率並不會太高，尤其無需於以下說明之曝光動作的執行期間進行。
圖7為表示曝光動作的流程圖。當已執行前述調整處理之狀態時，將作為曝光處理之對象的基板9搬入裝置，且載置於可動平台20(步驟S201)。接著，執行對準調整(步驟S202)，其把握可動平台20上的基板9與曝光頭21之位置關係，而根據需要進行位置調整。對準調整可適用公知之技術，因此省略其說明。
然後，將可動平台20移動定位於既定之曝光位置(步驟S203)，計算出所需之像的位移量(步驟S204)，該所需之像的位移量用以與在對準調整中所把握之基板9的位置偏移相對應。根據於像面上所需之位移量，求出第二楔形稜鏡14所需之移動量(步驟S205)。具體而言，根據於像面上所需之位移量及成像光學系統之倍率，求出第二楔形稜鏡14之移動量。根據該結果，將第二楔形稜鏡14朝新的位置移動定位(步驟S206)。此時，則不會產生伴隨第二楔形稜鏡14之移動的像散差變動。因此，其無需使修正透鏡15移動。
根據圖4B所示之關係，楔形稜鏡對10中距離D1之變更會導致成像光學系統26之焦點位置變動。因此，因應於新的第二楔形稜鏡14之位置，成像透鏡、具體而言第二成像透鏡262之Z方向位置被藉由焦點驅動機構而變更(步驟S207)。
於該狀態下，藉由自曝光頭21照射根據描繪資料調製之曝光光束，對基板9的表面進行曝光(步驟S208)，以描繪既定圖案。於對該基板9之描繪結束之前(步驟S209)，繼續執行步驟S203〜S208之處理。藉此，則結束對一片基板9之曝光動作。
如上所述，被設於曝光裝置2、4之本實施形態的像位置調整裝置1，藉由楔形稜鏡對10而實現像位置朝X方向之位移。有關藉由楔形稜鏡對10所產生之像散差，其可藉由設置放大倍率於X方向與Y方向不同之修正透鏡15進行修正。因為光朝楔形稜鏡對10之入射角 i係以偏角θ成為最小之方式所設定，因此即使變更楔形稜鏡間之距離，像散差也不變動。因此，修正透鏡15對像散差之修正效果，無論楔形稜鏡之間的距離如何皆為有效。其結果，僅藉由楔形稜鏡之直線運動即可進行位移量之變更，且也不會產生像散差之增加。
＜變形例＞ 圖8A及圖8B為表示修正光學元件之變形例的圖。圖8A表示使用平行平面平板16(一對平行平面平板16a、16b)以取代柱面透鏡之修正光學元件的變形例。已知，如將平行平面平板相對於光路傾斜配置，則會產生像散。利用此點，則可修正起因於楔形稜鏡對10之像散差。此時，根據X方向、Y方向中任一個的焦點位置較遠，決定使平行平面平板16a繞X軸傾斜或是繞Y軸傾斜。另一方面，平行平面平板16b係與平行平面平板16a同軸且朝反向傾斜。因此，平行平面平板16a、16b係成為自平行狀態朝相互為相反方向傾斜相同量之所謂八字形姿勢，從而平行平面平板16b抵消藉由平行平面平板16a產生之輸入光Li之平行位移。此處，所謂繞X軸傾斜係意指以平行平面平板16a之主面之法線向量具有Y方向成分而不具有X方向成分之方式傾斜。此外，所謂繞Y軸傾斜，與此相反的，係意指以平行平面平板16a之主面之法線向量具有X方向成分而不具有Y方向成分之方式傾斜。此外，藉由設置用以變更該傾斜之大小的驅動機構161，則可調整對於像散差之修正量。
此外，圖8B表示使用曲率可變反射鏡17以取代柱面透鏡之修正光學元件的變形例。此外，為了使輸入光之光路折回，也可適當設置折回反射鏡171。即使為此一態樣，藉由使用不移動位置而可使曲率(放大倍率)變化之曲率可變反射鏡17，亦可進行起因於楔形稜鏡對10之像散差的修正。
在此意義上，將圖1之曝光裝置2中反射鏡246設為如前述之曲率可變反射鏡，亦可發揮修正光學元件之功能。此時，亦可不於像位置調整裝置1內設置修正光學元件。換言之，構成像位置調整裝置1之修正光學元件係設於照明光學系統24之內部。
圖9為表示圖1之曝光裝置之變形例的圖。該變形例之曝光裝置2A，具有將圖1之曝光裝置2中反射鏡246置換為平面反射鏡247，並且於平面反射鏡247與空間光調製元件25之間的光路設置作為修正光學元件之修正透鏡15a的構造。如此，修正光學元件則無需設於楔形稜鏡對10之正前方，而可配置於光路上之適當位置。
此時，修正透鏡15a還具有作為相對於空間光調製元件25之聚焦透鏡的功能。因此，圖6之調整處理中，步驟S102之「基準位置」則成為將來自修正透鏡15a之出射光聚焦於空間光調製元件25之位置。
如以上所說明，於前述實施形態中，像位置調整裝置1係作為本發明之「光學裝置」而發揮功能，修正透鏡15、平行平面平板16、曲率可變反射鏡17等係作為本發明之「修正光學元件」而發揮功能。此外，支撐部130、140係形成一體，作為本發明之「位移量調整機構」而發揮功能。另一方面，支撐部150、驅動機構161係作為本發明之「修正量調整機構」而發揮功能。
此外，於前述實施形態之曝光裝置2、4中，可動平台20、40係作為本發明之「平台」而發揮功能，平台驅動機構201、401係作為本發明之「移動機構」而發揮功能。此外，曝光頭21、41係作為本發明之「曝光部」而發揮功能。
此外，於前述實施形態中，光的位移方向即X方向相當於本發明之「第一方向」，與其垂直之Y方向相當於本發明之「第二方向」。此處，於前述說明中，由於將最終之曝光光束之出射方向設為鉛垂方向即Z方向，將像的位移方向設為X方向，因此，於動作說明中以XYZ坐標系作論述。然而，本質上其並無與鉛垂方向建立關聯之必然性，而仍應以輸入光(或輸出光)之行進方向作為基準來進行論述。於該情況下，可將與輸入光之入射方向垂直之方向中，與輸出光之位移方向平行之方向、及與其垂直之方向分別視作為本發明之「第一方向」、「第二方向」。
再者，本發明不受限於前述實施形態，只要不脫離其主旨之範圍內，除了前述實施形態外，還可進行各種變更。例如，於前述實施形態中，於光的行進方向上較楔形稜鏡對10更前側即輸入光Li之光路上配置作為修正光學元件之修正透鏡15等。然而，亦可於較楔形稜鏡對10更後方即於輸出光Lo之光路上配置修正光學元件。惟，如本實施形態所示，藉由於像的位移進行之前的光路上被配置修正光學元件，光的入射範圍被限定，因此光學元件之設計變得容易。
此外，於前述實施形態中，作為修正光學元件之修正透鏡15係單體之柱面透鏡。然而，例如，亦可將以X方向作為軸向之柱面透鏡、及焦點距離與其不同且以Y方向作為軸向之柱面透鏡進行組合，而構成修正光學元件。此外，修正光學元件亦可為兼具設於照明光學系統或成像光學系統之透鏡等中任一個功能的元件。此外，例如，作為修正光學元件亦可使用凹透鏡、凸面鏡等。
此外，於前述實施形態之調整處理中，修正光學元件之像散差的修正係以像散差成為既定之容許值以下作為目標。然而，亦可以修正後之像散差為零作為目標，當然，像散差為零且無變動之狀態最為理想。
此外，於前述實施形態中，輸入光Li相對於楔形稜鏡對10之入射角 i係固定者。然而，入射角 i亦可為可變者。但是，於本發明中，由於不會有使入射角於動作中變化之需要，因此無需用以變更入射角之驅動機構。例如，亦可使用藉由手動作業進行調整之機構。
此外，於前述實施形態中，本發明之光學裝置適用於對基板曝光而進行圖案描繪之曝光裝置。然而，本發明之光學裝置之適用對象不限於此。本發明亦可適用於例如投影機等之投影裝置。
以上，如具體之實施形態所例示說明，於本發明之光學裝置中，當將與輸入光之入射方向垂直且與輸出光相對於輸入光之位移方向平行之方向設為第一方向、且將與入射方向及第一方向垂直之方向設為第二方向時，修正光學元件係於第一方向與第二方向之間使之產生像散之光學元件亦可。藉由利用以此一方式在正交之2個方向上特性之不對稱、即具有異向性之光學元件，則可進行將起因於楔形稜鏡而於第一方向與第二方向之間產生之像散差消除之修正。
此處，作為修正光學元件，例如可使用於第一方向與第二方向上焦點距離不同之透鏡。或者，作為修正光學元件，亦可使用使曲率於包含第一方向之截面與包含第二方向之截面可產生變化之曲率可變反射鏡。此外，亦可使用以主面之法線向量具有第一方向及第二方向中任一者成分之方式相對於光路傾斜的平行平面平板。無論是其等中之任何一者，藉由選用具有適當光學特性之光學元件，則可進行像散差之修正。
此外，亦可進一步設置修正量調整機構，其藉由使作為修正光學元件之透鏡於沿光路之方向移動以調整像散差之修正量。如此，因為修正量可調整，其可緩和對修正光學元件之光學規格所要求之條件。
此外，例如，作為修正光學元件亦可以主面之法線向量具有第一方向及第二方向中任一者成分之方式相對於光路傾斜的平行平面平板。根據此一構成，藉由適當地設定其厚度、折射率、傾斜之大小等，亦可進行像散差之修正。於此情況下，亦可進一步設置藉由使修正光學元件之傾斜變化而調整像散差之修正量的修正量調整機構。 (產業上之可利用性)
本發明可利用於使光束或藉由光束形成之像的位置朝既定方向位移既定量之用途。例如，可適用於用以於印刷配線基板或玻璃基板等各種基板上形成圖案而對基板進行曝光之技術領域。
1:像位置調整裝置(光學裝置) 2、4:曝光裝置 2A:曝光裝置 9:基板 10:楔形稜鏡對 13:第一楔形稜鏡 13a:非對向面 13b:對向面 14:第二楔形稜鏡 14a:對向面 14b:非對向面 15、15a:修正透鏡(修正光學元件) 16(16a、16b):平行平面平板(修正光學元件) 17:曲率可變反射鏡(修正光學元件) 20、40:可動平台(平台) 21、41:曝光頭(曝光部) 22、42:控制部 23:光源 24:照明光學系統 25:空間光調製元件 26、414:成像光學系統 43:光源單元 51:觀察用相機 52:虛擬基板 130:支撐部(位移量調整機構) 140:支撐部(位移量調整機構) 141:直動機構 150:支撐部(修正量調整機構) 151:直動機構 161:驅動機構(修正量調整機構) 171:折回反射鏡 201、401:平台驅動機構(移動機構) 240:反射鏡 241:透鏡 242:光學濾波器 243:桿積算器 244:透鏡 245、246:反射鏡 247:平面反射鏡 260:第一成像透鏡 261:反射鏡 262:第二成像透鏡 400:支柱 410:空間光調製器 411:繞射光學元件 412:可動台 413:反射鏡 415:聚焦透鏡 416:焦點驅動機構 431:雷射二極體 432:照明光學系統 Li:輸入光 Lo:輸出光 Loa: 虛擬的光 X:第一方向 Y:第二方向 Z:鉛垂朝下方向 α:頂角 θ:偏角 i:入射角
圖1為示意表示曝光裝置之第一構成例的圖。 圖2為示意表示曝光裝置之第二構成例的圖。 圖3為表示像位置調整裝置之構成的圖。 圖4A為表示位移量與像散差之關係的圖。 圖4B為表示位移量與像散差之關係的圖。 圖5為表示用以調整像散差之修正量之裝置構成的圖。 圖6為表示用以調整修正量之處理的流程圖。 圖7為表示曝光動作的流程圖。 圖8A為表示修正光學元件之變形例的圖。 圖8B為表示修正光學元件之變形例的圖。 圖9為表示圖1之曝光裝置之變形例的圖。
1:像位置調整裝置(光學裝置) 10:楔形稜鏡對 13:第一楔形稜鏡 13a:非對向面 13b:對向面 14:第二楔形稜鏡 14a:對向面 14b:非對向面 15:修正透鏡(修正光學元件) 130:支撐部(位移量調整機構) 140:支撐部(位移量調整機構) 141:直動機構 150:支撐部(修正量調整機構) 151:直動機構 D1:距離 D2:位移量(距離) Li:輸入光 Lo:輸出光 Loa: 虛擬的光 X:第一方向 Y:第二方向 Z:鉛垂朝下方向 α:頂角 θ:偏角 i:入射角

Claims (9)

  1. 一種光學裝置，係使輸入光之行進路線位移，而輸出沿著與前述輸入光之光路平行且不相同之光路的輸出光；其具備有： 第一楔形稜鏡，其將前述輸入光之入射角設定為使出射光之偏角成為最小之角度； 第二楔形稜鏡，其頂角與前述第一楔形稜鏡大致相同，且反向地與前述第一楔形稜鏡相對向配置，自與前述第一楔形稜鏡相對向之面為相反側之面出射前述輸出光； 位移量調整機構，其支撐前述第一楔形稜鏡與前述第二楔形稜鏡，使其等間之距離變化而調整位移量；及 修正光學元件，其配置於前述輸入光之光路或前述輸出光之光路，以修正出現於前述輸出光之像散差。
  2. 如請求項1之光學裝置，其中， 當將與前述輸入光之入射方向垂直且與前述輸出光相對於前述輸入光之位移方向平行之方向設為第一方向、且將與前述入射方向及前述第一方向垂直之方向設為第二方向時， 前述修正光學元件係於前述第一方向與前述第二方向之間產生像散之光學元件。
  3. 如請求項2之光學裝置，其中， 前述修正光學元件係於前述第一方向與前述第二方向上焦點距離不同之透鏡。
  4. 如請求項3之光學裝置，其具備有： 修正量調整機構，其藉由使前述修正光學元件於沿著前述光路之方向移動，而調整前述像散差之修正量。
  5. 如請求項2之光學裝置，其中， 前述修正光學元件係使曲率於包含前述第一方向之截面與包含前述第二方向之截面產生變化之曲率可變反射鏡。
  6. 如請求項2之光學裝置，其中， 前述修正光學元件係以主面之法線向量具有前述第一方向及前述第二方向中任一者成分之方式，相對於前述光路傾斜之平行平面平板。
  7. 如請求項6之光學裝置，其具備有： 修正量調整機構，其藉由使前述修正光學元件之傾斜變化，而調整前述像散差之修正量。
  8. 一種曝光裝置，其具備有： 平台，其支撐處理對象之基板； 曝光部，其根據既定之曝光資料對光束進行調製，且使調製後之前述光束經由請求項1至7中任一項之光學裝置入射至前述基板的表面；及 移動機構，其使前述平台與前述曝光部相對移動。
  9. 一種曝光方法，係使根據既定之曝光資料進行調製後之光束入射至基板的表面而對前述基板進行曝光之方法，其中 於前述光束之光路上配置請求項4或7之光學裝置，且 預先使前述修正量調整機構動作，以出現於前述輸出光之像散差成為最小之方式將前述修正量最佳化， 於使前述位移量調整機構動作而使前述位移量變化時，使前述修正量調整機構之前述修正量不變化。
TW111145388A 2022-03-24 2022-11-28 光學裝置、曝光裝置及曝光方法 TWI827384B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-048979 2022-03-24
JP2022048979A JP2023142214A (ja) 2022-03-24 2022-03-24 光学装置、露光装置および露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202338925A TW202338925A (zh) 2023-10-01
TWI827384B true TWI827384B (zh) 2023-12-21

Family

ID=88078609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111145388A TWI827384B (zh) 2022-03-24 2022-11-28 光學裝置、曝光裝置及曝光方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023142214A (zh)
KR (1) KR20230138871A (zh)
CN (1) CN116804797A (zh)
TW (1) TWI827384B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319899A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US20080192216A1 (en) * 1993-06-30 2008-08-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
TW200925794A (en) * 2007-10-25 2009-06-16 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2009244446A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 像位置調整装置および光学装置
TW202028874A (zh) * 2018-09-19 2020-08-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於度量衡定位之度量衡感測器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080192216A1 (en) * 1993-06-30 2008-08-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP2004319899A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
TW200925794A (en) * 2007-10-25 2009-06-16 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2009244446A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 像位置調整装置および光学装置
TW202028874A (zh) * 2018-09-19 2020-08-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於度量衡定位之度量衡感測器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230138871A (ko) 2023-10-05
CN116804797A (zh) 2023-09-26
TW202338925A (zh) 2023-10-01
JP2023142214A (ja) 2023-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5230236B2 (ja) 露光装置
KR102290482B1 (ko) 광학계에서의 배율 보상 및 빔 조향 방법 및 장치
JP5301955B2 (ja) 欠陥修正装置
WO2018088550A1 (ja) ダイレクトイメージング露光装置及びダイレクトイメージング露光方法
WO2013147122A1 (ja) マスクレス露光装置
CN111103765B (zh) 曝光装置以及物品制造方法
TWI827384B (zh) 光學裝置、曝光裝置及曝光方法
JP6806509B2 (ja) 露光装置及び物品の製造方法
JP2009210726A (ja) マスクレス露光装置
JP2012169357A (ja) 描画装置、光学ユニット及び描画装置の調整方法
JP6771997B2 (ja) 露光装置、露光方法、および物品製造方法
JP5360379B2 (ja) 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP6139870B2 (ja) 露光方法、露光装置および物品の製造方法
WO2024057622A1 (ja) 光学装置、露光装置および露光方法
JP2005183736A (ja) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2021096300A (ja) 露光装置
KR100946247B1 (ko) 빔 이동에 의해 다중 노광을 수행하는 다중 노광시스템
WO2024053194A1 (ja) 光照射装置および露光装置
WO2023282205A1 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
KR101012579B1 (ko) 이미지 위치 조정 장치 및 광학 장치
JP6761281B2 (ja) 走査露光装置および物品製造方法
JP2007292993A (ja) 投影装置
JP2023042482A (ja) 直描式露光装置
JP2024041379A (ja) 描画装置
JP2012004558A (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法