TWI823205B - 顯示裝置 - Google Patents

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金垣來
李昇凡
金永勳
楊允植
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南韓商樂金顯示科技股份有限公司
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Abstract

一種顯示裝置，包含供多個子像素設置的基板、設置於基板上的第一反射層、於第一反射層上設置於各個子像素中的多個發光二極體、設置於第一反射層以及這些發光二極體之間的多個光轉換層，以及遮蔽至少部分的發光二極體的第二反射層。從這些發光二極體發出的光被這些第二反射層反射，且波長比從這些發光二極體發出的光還長的光從這些發光二極體朝上發送。

Description

顯示裝置
本發明關於一種顯示裝置，特別係一種具有經改善的發光效率(luminous efficiency)之顯示裝置。
於電腦螢幕、電視及行動電話中使用的顯示裝置包含自發光的有機發光顯示器(organic light emitting display，OLED)以及需要獨立光源的液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)。
這種顯示裝置被應用於越來越多樣的領域，不僅包含電腦螢幕及電視也包含個人行動裝置，因此正在對具有較小的體積以及重量同時具有寬廣的顯示區域之顯示裝置進行研究。
近年，包含發光二極體的顯示裝置已作為下一世代的顯示裝置而受到關注。因為發光二極體是由無機材料而不是有機材料形成，所以發光二極體具有優異的可靠度且相較於液晶顯示器或是有機發光顯示器來說具有較長的壽命。此外，發光二極體因高的衝擊抗力(impact resistance)而具有高的燈光速度(lighting speed)、高的發光效率以及優異的穩定度且能顯示高亮度影像。
因此，本發明的實施例關於實質上解決因習知技術的缺陷以及缺點導致的一或多個問題之一種顯示裝置。
本發明的一態樣再於提供一種顯示裝置，而使被帶出到顯示器外部的光能增加。
本發明的另一態樣在於提供一種顯示裝置，而藉由提升外部量子效率來使多個光轉換層的厚度能減小。
本發明再另一態樣在於提供一種顯示裝置，能將來自多個發光二極體的光中被導向這些發光二極體的側面之光發送到這些發光二極體的頂面。
本發明的另一目的在於提供一種顯示裝置，而使得於多個光轉換層中轉換的光之全反射在此顯示裝置中被最小化。
額外的特徵及態樣將於以下的描述中闡述，且部分將基於這些敘述而變得顯而易見，或可藉由實施於此提供的發明概念而習得。可藉由於以下敘述、請求項以及相關圖式中具體指出或是從其推導出的結構來實現及獲得本發明概念的其他特徵及態樣。
為了達成發明概念的這些及其他態樣，如於此實施及廣泛地描述，顯示裝置包含一基板、一第一反射層、多個發光二極體、多個光轉換層以及多個第二反射層。多個子像素設置於基板上。第一反射層設置於基板上。這些發光二極體於第一反射層上設置於各個子像素中。這些光轉換層設置於第一反射層及這些發光二極體之間。這些第二反射層遮蔽至少部分的發光二極體。從發光二極體發出的光被第二反射層反射，且波長較從發光二極體發出的光還長的光從發光二極體朝上發送。因此，能在從這些發光二極體發出的光在位於這些發光二極體之下的光轉換層中被轉換成具有較長波長的光之過程中，藉由鄰近的第一反射層最小化產生全反射的情形，且朝這些發光二極體的上方發送的光能減少。
在另一態樣中，顯示裝置包含一基板、一第一反射層、多個光轉換層、多個藍色發光二極體以及多個第二反射層。第一反射層設置於基板上。光轉換層設置於第一反射層上。藍色發光二極體設置於光轉換層上。第二反射層被設置以遮蔽至少部分的藍色發光二極體。第二反射層朝光轉換層反射從藍色發光二極體發出的光，並透射來自光轉換層的光。因此，在頂發光類型的顯示裝置中，光轉換層以及第一反射層設置於發光二極體的底部而不是頂部上，而能減緩產生全反射的情形並能增加顯示裝置的外部量子效率。
示例性實施例的其他細部事項包含於實施方式以及圖式中。
根據本發明，能藉由增加發送到顯示器外部的光而提升顯示裝置的亮度。
根據本發明，可將顯示裝置內部的光之全反射最小化。
根據本發明，能藉由在不同的基板上形成光轉換層以及發光二極體而提升光反射層的穩定度。
根據本發明，可藉由增加顯示裝置的外部量子效率而降低顯示裝置的功耗。
應理解的是，以上的概略描述以及以下的詳細描述僅為示例及示意性的，且旨在提供所請發明概念進一步的解釋。
藉由參照以下與圖式一起詳細描述的示例性實施例，本發明的優點以及特性以及達成這些優點以及特性的方法將變得清楚。然，本發明並不以於此揭露的示例性實施例為限，而將能以各種形式實施。示例性實施例僅為示例性的，並使本領域具通常知識者能完全理解本發明的揭露以及本發明的範圍。因此，本發明將僅由所附請求項的範圍所界定。
相關圖式中用於描述本發明示例性實施例的外形、尺寸、比例、角度、數量等僅為示例，本發明並不以此為限。通篇說明書中，相似的標號大致上表示相似的元件。此外，在本發明的以下描述中，可為了避免不必要地模糊本發明的主旨而省略習知相關技術的詳細解釋。除非有與用語「僅」一起使用，否則於此使用的如「包含」、「具有」及「組成」等之用語大致上旨在允許其他元件之添加。除非另有說明，否則單數的形式可包含多數的形式。
即使沒有詳細描述，元件仍應被解釋成包含原始誤差範圍。
當使用如「上」、「之上」、「之下」及「旁邊」等之用語描述兩個部件之間的位置關係時，除非有與用語「緊鄰」或「直接」一起使用，否則可以有一或多個部件位於這兩個部件之間。
當元件或層體設置於另一個元件或層體「上」時，此另一個層體或另一個元件可直接插設於直接插設於另一個元件或它們之間。
雖然用語「第一」、「第二」等用於描述各種元件，但這些元件並不以這些用語為限。這些用語僅用於辨認元件。因此，在本發明的技術概念中，以下提到的第一元件可為第二元件。
通篇說明書中，相似的標號大致上表示相似的元件。
圖式中繪示的各個元件之尺寸以及厚度僅係為了方便描述，本發明並不以所繪示的元件之尺寸以及厚度為限。
本發明的各種實施例之特徵能部分或整個地彼此接合或接合，且能技術性地用各種方式互鎖(interlocked)及運作，且實施例能以彼此獨立或彼此相關的方式實施。
以下，將參照相關圖式詳細描述根據本發明示例性實施例的顯示裝置。
圖1為根據本發明示例性實施例的顯示裝置的平面示意圖。於圖1中，為了方便說明，僅繪示顯示裝置100的各種元件中的第一基板110及子像素SP。
第一基板110為用於支撐包含於顯示裝置100中的各種元件之元件，且可由絕緣材料形成。舉例來說，第一基板110可由玻璃或樹脂形成。此外，第一基板110可包含聚合物或塑膠，或可由具有可撓性的材料形成。舉例來說，第一基板110可為矽(Si)基板。
第一基板110包含顯示區域AA及非顯示區域NA。
顯示區域AA為供構成多個像素的多個子像素SP設置以顯示影像的區域。發光元件以及用於驅動發光元件的驅動電路可設置於顯示區域AA的各個子像素SP中。舉例來說，發光二極體以及用於驅動發光二極體的半導體元件可設置於各個子像素SP中。
非顯示區域NA為沒有顯示影像的區域，且為供用於驅動設置在顯示區域AA中的子像素SP之各種線路、驅動積體電路等設置的區域。舉例來說，如閘極驅動器積體電路以及資料驅動器積體電路之各種積體電路以及驅動電路可設置於非顯示區域NA中。同時，非顯示區域NA可位於第一基板110的背面上，即位於沒有存在子像素SP的表面上，或可被省略，但並不以此為限。
這些子像素SP界定於第一基板110的顯示區域AA中。各個子像素SP為發光的個別單元，且如發光二極體的發光之發光元件可形成於各個子像素SP中。舉例來說，這些子像素SP可包含紅色子像素、綠色子像素以及藍色子像素，但並不以此為限。
以下，將一起參照圖2及圖3進一步詳細說明這些子像素SP。
圖2為沿圖1中的割面線II-II'繪示之剖面示意圖。圖3為根據本發明示例性實施例的顯示裝置的局部放大平面示意圖。於圖3中，為了方便說明，僅繪示發光二極體130的第二電極135、第一電極134及第二半導體層133。請參閱圖2，根據本發明示例性實施例的顯示裝置100包含第一基板110、第一反射層121、第二反射層122、多個光轉換層CCM、這些發光二極體130、多個絕緣層111、多個透明樹脂層112、黏著層AD及第二基板140。
請參閱圖2，第一反射層121設置於第一基板110上。第一反射層121朝第二基板140反射從這些發光二極體130發出的光中被朝第一基板110導引的光，藉以提升顯示裝置100的發光效率。第一反射層121可由具有高反射效率的材料形成。舉例來說，第一反射層121可由不透明的金屬材料形成，如鋁(Al)或銀(Ag)，但並不以此為限。
這些發光二極體130設置於第一反射層121上。這些發光二極體130分別設置於這些子像素SP中的第一反射層121、這些光轉換層CCM及這些絕緣層111上。這些發光二極體130為藉由電流發光的發光元件。這些發光二極體130可包含發出紅光、綠光、白光或紫外光區域中的光的發光二極體，且這些發光二極體的結合或是這些發光二極體130及光轉換層CCM的結合可實施包含白色的各種顏色之光。
這些發光二極體130可形成為各種結構，如水平結構、垂直結構及倒裝晶片(flip-chip)結構。具有水平結構的發光二極體包含發光層132以及水平設置於發光層132的兩側之N型電極與P型電極。具有水平結構的發光二極體可藉由將透過N型電極供應至發光層132的電子以及透過P型電極供應至發光層132的電洞結合而發光。具有垂直結構的發光二極體包含發光層132以及設置於發光層132之上及之下的N型電極與P型電極。類似於具有水平結構的發光二極體，具有垂直結構的發光二極體也能藉由從電極供應的電子及電洞之結合而發光。具有倒裝晶片結構的發光二極體與具有水平結構的發光二極體具有實質上相同的結構。然，倒裝晶片結構的發光二極體可直接附接至印刷電路板等而無須使用如金屬線路之媒介。以下，為了方便說明，將以假設這些發光二極體130具有垂直結構的方式進行描述，但本發明並不以此為限。
同時，這些發光二極體130可發出不同顏色的光或可發出相同顏色的光。舉例來說，當這些發光二極體130發出不同顏色的光時，設置於這些子像素SP中的紅色子像素SPR中之發光二極體130為發出紅光的發光二極體，設置於綠色子像素SPG中的發光二極體130可為發出綠光的發光二極體，且設置於藍色子像素SPB中的發光二極體130可為發出藍光的發光二極體。
另一方面，當這些發光二極體130發出相同顏色的光時，分別從這些發光二極體130發出的光之顏色可藉由一起使用光轉換層CCM而被轉換成各種顏色。以下，將以假設所有的發光二極體130為發出藍光的發光二極體之方式進行描述，但本發明並不以此為限。
這些發光二極體130包含第一半導體層131、發光層132、第二半導體層133、第一電極134及第二電極135。
首先，發光層132設置於第一半導體層131上，且第二半導體層133設置於發光層132上。第一半導體層131及第二半導體層133可為藉由將n型雜質或p型雜質植入到氮化鎵(gallium nitride，GaN)中而形成的層體。舉例來說，第一半導體層131及第二半導體層133其中一者可為藉由將p型雜質植入到氮化鎵中而形成的層體，且第一半導體層131及第二半導體層133中的另一者可為藉由將n型雜質植入到氮化鎵中而形成的層體。p型雜質可為鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈹(Be)等，且n型雜質可為矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)等，但並不以此為限。
發光層132設置於第一半導體層131及第二半導體層133之間。發光層132可從第一半導體層131及第二半導體層133接收電洞及電子以發光。於此情況中，因為這些發光二極體130為藍色發光二極體，所以發光層132可為發出藍光的藍光發光層。發光層132可具有單一層體或多量子井(multi-quantum well，MQW)結構，舉例來說，發光層132可由氮化銦鎵(indium gallium nitride，InGaN)或氮化鎵等形成，但並不以此為限。
請一起參閱圖2及圖3，多個第一電極134設置於第一半導體層131之下。這些第一電極134可電性連接於第一半導體層131。各個第一電極134可沿第一方向電性連接於與其相鄰的第一電極134。沿第一方向彼此相鄰的第一電極134可為一體成形且彼此電性連接。舉例來說，這些發光二極體130中設置於相同行的某些發光二極體130可電性連接於一個第一電極134。也就是說，設置在沿第一方向延伸的相同行中之這些發光二極體130可共用一個第一電極134。
這些第一電極134可由銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、銦錫鋅氧化物(indium tin zinc oxide，ITZO)、氧化鋅(zinc oxide，ZnO)及錫氧化物(tin oxide，TO)基透明導體氧化物形成，而使得從發光層132發出的光朝光轉換層CCM被導引，但本發明並不以此為限。
多個第二電極135設置於第二半導體層133上。這些第二電極135可電性連接於第二半導體層133。各個第二電極135可沿相異於第一方向的第二方向電性連接於與其相鄰的第二電極135。沿第二方向彼此相鄰的第二電極135可為一體成形且彼此電性連接。這些第二電極135可沿第二方向延伸且與這些第一電極134相交。舉例來說，這些發光二極體130中設置於相同行的某些發光二極體130可電性連接於一個第二電極135。也就是說，設置於沿第二方向延伸的相同行中的這些發光二極體130可共用一個第二電極135。
這些第二電極135可由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鋅及錫氧化物(tin oxide，TO)基透明導體氧化物形成，而使得從發光層132發出的光以及在光轉換層CCM中轉換的光朝第二基板140傳遞，但本發明並不以此為限。
雖然未呈現於圖式中，但這些第一電極134及這些第二電極135可從驅動器積體電路接收電壓。舉例來說，這些第一電極134及這些第二電極135可延伸至非顯示區域NA且連接於非顯示區域NA的驅動器積體電路。此外，這些第一電極134及這些第二電極135可延伸至非顯示區域NA且可連接於被供應有來自驅動器積體電路之電壓等的半導體元件等並接收共用電壓。
同時，於圖2中，雖然是以假設這些發光二極體130為垂直結構的方式來描述，但這些發光二極體130可用其他結構構成。舉例來說，當這些發光二極體130為水平結構時，第一半導體層131之部分會從發光層132凸出且這些第一電極134可設置於從發光層132凸出的第一半導體層131之頂面上。此外，這些第二電極135可與垂直結構用相同的方式設置於這些第二半導體層133的頂面上。此外，當這些發光二極體130為倒裝晶片結構時，第一電極134可設置於第一半導體層131的底面上。並且，第二半導體層133的一部分可從發光層132凸出，且第二電極135可接觸於從發光層132凸出的第二半導體層133之底面。
同時，可用被動矩陣或主動矩陣方法驅動顯示裝置100。如圖3所示，可用被動矩陣方法驅動共用彼此交錯的第一電極134及第二電極135之這些發光二極體130。在被動矩陣方法中，在將第一電極134及第二電極135設置成彼此交錯之後施加訊號時，會在第一電極134及第二電極135彼此交錯的部分產生光。
相較於被動矩陣方法，主動矩陣方法可更包含作為開關的電晶體，以個別地分別將這些發光二極體130開啟或關閉。以下，是以假設根據本發明的示例性實施例之顯示裝置100是使用被動矩陣方法之方式來描述，但本發明並不以此為限。
同時，顯示裝置100可根據從這些發光二極體130發出的光之發光方向而構造為頂發光類型或底發光類型。
在頂發光類型中，從這些發光二極體130發出的光會從這些發光二極體130朝上，例如朝第二基板140發送。在使用頂發光類型的情況中，如第一反射層121之反射層可形成於這些發光二極體130之下而使得從這些發光二極體130發出的光朝上傳遞到第二基板140。
在底發光類型中，從這些發光二極體130發出的光從這些發光二極體130朝下，例如朝第一基板110發送。在使用底發光類型的情況中，反射層可形成於這些發光二極體130之上而使得從這些發光二極體130發出的光朝下傳遞到第一基板110。以下，是以假設根據本發明示例性實施例的顯示裝置100為頂發光類型顯示裝置之方式來描述。
這些光轉換層CCM設置於第一反射層121及這些發光二極體130之間。這些光轉換層CCM可將從這些發光二極體130發出的光轉換成各種顏色的光。各個光轉換層CCM可包含吸收從這些發光二極體130發出的光且將光轉換成不同顏色的光之光轉換材料。光轉換材料例如可由奈米磷光體(nano-phosphor)、有機磷光體(organic phosphor)、量子點(quantum dot)或螢光染料(fluorescent dye)形成，但並不以此為限。此外，光轉換層CCM可更包含散射材料以增加從這些發光二極體130發出的光被吸收到光轉換材料中的機率。
這些光轉換層CCM包含紅光轉換層CCMR以及綠光轉換層CCMG。紅光轉換層CCMR可設置於紅色子像素SPR中並將來自這些發光二極體130的藍光轉換成紅光。綠光轉換層CCMG可設置於綠色子像素SPG中並將來自這些發光二極體130的藍光轉換成綠光。
於此情況中，獨立的光轉換層CCM可不設置於這些子像素SP中的藍色子像素SPB中。如上所述，因為從這些發光二極體130發出的光為藍光，所以無需將從這些發光二極體130發出的藍光轉換成不同顏色的光，且從這些發光二極體130發出的藍光可照原本的方式朝上發送到第二基板140。
這些絕緣層111設置於這些光轉換層CCM以及這些發光二極體130之間。各個絕緣層111可被設置以環繞各個光轉換層CCM的頂面以及側面。各個絕緣層111可被設置以遮蔽且保護各個光轉換層CCM。並且，這些絕緣層111可將第一基板110中設有這些光轉換層CCM的頂部平坦化。舉例來說，這些絕緣層111可由聚醯亞胺(polyimide)或壓克力基有機材料(acryl-based organic material)形成，但並不以此為限。
這些絕緣層111可被設置以彼此間隔。環繞這些光轉換層CCM的各個絕緣層111可彼此間隔，且這些絕緣層111之間可形成空的空間(empty space)。藉由使這些絕緣層111彼此間隔，可減緩這些子像素SP的色彩混合之情形。若絕緣層111一體成形地形成於第一基板110的整個表面上，在各個光轉換層CCM中轉換的光可透過絕緣層111被傳送到鄰近其之子像素SP。不一樣的是，當這些絕緣層111被圖案化且彼此間隔，在這些光轉換層CCM中轉換的光可僅在這些絕緣層111中發送，且可能難以發送到與其間隔的其他絕緣層。因為相較這些絕緣層111具有較低的折射率之空氣設置於這些絕緣層111之間，所以來自一個絕緣層111的光可能會難以傳送到另一個鄰近的絕緣層111。因此，可藉由使這些絕緣層111彼此間隔來減緩這些子像素SP之間的色彩混合情形。
同時，雖然未呈現於圖式中，這些絕緣層111之間可更設置有堤部。堤部設置於這些子像素SP之間的邊界，而能減緩色彩混合之情形。堤部可由有機絕緣材料形成，且可由壓克力基樹脂、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)基樹脂或聚醯亞胺形成，但本發明並不以此為限。此外，堤部可用以更包含黑色材料以減緩色彩混合之情形。
多個第二反射層122設置於這些發光二極體130上。這些第二反射層122可設置於某些子像素SP中，且可反射朝第二基板140導引的光之一部分並透射上述光的其餘部分。具體來說，這些第二反射層122可朝第一基板110反射從這些發光二極體130發出的光中朝第二基板140被導引的光。此外，這些第二反射層122可透射在這些光轉換層CCM中轉換的光中朝第二基板140被導引的光。也就是說，這些第二反射層122可反射從這些發光二極體130發出的光且透射波長比從這些發光二極體130發出的光之波長還長的光。這些第二反射層122可為藉由堆疊具有不同折射率之介電層而形成的分布式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector，DBR)。舉例來說，可藉由交替堆疊高折射率材料以及低折射率材料來實施第二反射層122。於此情況中，可藉由控制所堆疊的介電層之厚度以及數量，來選擇性地透射及反射特定波長範圍中的光。
這些第二反射層122包含第二紅色透射反射層122a以及第二綠色透射反射層122b。第二紅色透射反射層122a設置於紅色子像素SPR中，且可朝紅光轉換層CCMR反射從這些發光二極體130發出的藍光。第二紅色透射反射層122a可透射於紅光轉換層CCMR中轉換的紅光。第二綠色透射反射層122b設置於綠色子像素SPG中且可朝綠光轉換層CCMG反射從這些發光二極體130發出的藍光。第二綠色透射反射層122b可透射於綠光轉換層CCMG中轉換的綠光。
第二反射層122可不設置於這些子像素SP中的藍色子像素SPB中。因為從這些發光二極體130發出的光為藍光，所以無需在光轉換層CCM中將上述光轉換成不同顏色的光，且從這些發光二極體130發出的藍光能朝上發送至第二基板140。透明樹脂層112反而可設置於藍色子像素SPB中的這些發光二極體130上。藉由將透明樹脂層112設置於這些發光二極體130上，從這些發光二極體130發出的藍光可朝上發送至第二基板140。
同時，在本發明中，已描述第二紅色透射反射層122a形成於紅色子像素SPR中且第二綠色透射反射層122b形成於綠色子像素SPG中，但一個第二反射層122可形成於紅色子像素SPR及綠色子像素SPG中。舉例來說，反射藍光且透射綠光及紅光的第二反射層122可在紅色子像素SPR及綠色子像素SPG中一體地形成，但本發明並不以此為限。
黏著層AD設置於這些第二反射層122以及透明樹脂層112上。黏著層AD可由具有黏著特性的透明材料形成，且可為熱固化(heat-curable)或自然固化(natural-curable)黏著劑或黏著膜(adhesive film)。舉例來說，黏著層AD可由光學膠(optical clear adhesive，OCA)、感壓膠(pressure sensitive adhesive，PSA)等形成，但並不以此為限。
第二基板140設置於黏著層AD上。第二基板140可保護位於第二基板140之下的元件免於受到外部衝擊、水氣、熱等之影響。第二基板140可由具有衝擊抗力及透光度(light transmittance)之材料形成。舉例來說，第二基板140可由玻璃形成或可為由塑膠材料形成的薄膜，塑膠材料例如為聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚醯亞胺或聚對酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)。
以下，將參照圖4A至圖4H描述根據本發明示例性實施例的顯示裝置100之製造方法。
圖4A至圖4H為用於解釋根據本發明示例性實施例的顯示裝置之製造方法的製程圖式。圖4A至圖4D為用於說明在第二基板140上形成這些發光二極體130的製程之製程圖式。圖4E及圖4F為用於說明在第一基板110上形成這些光轉換層CCM的製程之製程圖式。圖4G及圖4H為用於說明將第一基板110及第二基板140接合在一起的製程之製程圖式。
請參閱圖4A，在晶片WF上形成這些發光二極體130的第一半導體層131、發光層132及第二半導體層133之後，會形成這些第二電極135。
首先，為了形成第一半導體層131、發光層132及第二半導體層133，可在晶片WF上形成磊晶層(epitaxial layer)。
晶片WF為供用於形成這些發光二極體130的磊晶層增長的基板。晶片WF可由藍寶石(sapphire)、碳化矽(silicon carbide，SiC)、氮化鎵、氧化鋅等形成，但並不以此為限。
磊晶層用於形成這些發光二極體130，且可具有供構成形成這些發光二極體130的層體的材料依序堆疊之結構。舉例來說，可藉由於晶片WF上依序使形成第一半導體層131的材料、形成發光層132的材料以及形成第二半導體層133的材料增長而形成磊晶層。
隨後，磊晶層可被處理以形成這些發光二極體130的第一半導體層131、發光層132及第二半導體層133。具體來說，多個磊晶層可被圖案化以分別形成這些發光二極體130的第一半導體層131、發光層132及第二半導體層133。
接著，這些第二電極135形成於這些第二半導體層133上。這些第二電極135可被形成以沿第二方向延伸且接觸於這些第二半導體層133。
接著，請參閱圖4b，這些第二反射層122及這些透明樹脂層112形成於這些發光二極體130上。具體來說，第二紅色透射反射層122a可形成於紅色子像素SPR中的第二電極135上，且第二綠色透射反射層122b可形成於綠色子像素SPG中的第二電極135上。此外，透明樹脂層112可形成於藍色子像素SPB中的第二電極135上。
請參閱圖4c，黏著層AD及第二基板140被附接至這些第二反射層122及透明樹脂層112上。第二基板140可透過黏著層AD被附接至這些發光二極體130上。
接著，請參閱圖4d，這些發光二極體130及晶片WF被分開。在這些發光二極體130被附接至第二基板140的狀態中，晶片WF可分離於這些發光二極體130。舉例來說，可使用雷射剝離(laser lift-off，LLO)技術來分離晶片WF。在使用雷射剝離的情況中，當雷射被照射到晶片WF時，這些發光二極體130及晶片WF之間的介面會發生雷射吸收的情形，而可使得這些發光二極體130及晶片WF分離。然，可藉由除了雷射剝離之外的其他方法來分離晶片WF，本發明並不以此為限。
接著，請參閱圖4e，第一反射層121及這些光轉換層CCM形成於第一基板110上。具體來說，在第一反射層121形成於第一基板110的整個表面上之後，這些光轉換層CCM可形成於對應這些子像素SP中的紅色子像素SPR及綠色子像素SPG的區域中。在此情況中，因為這些發光二極體130為藍色發光二極體，所以可無須在對應藍色子像素SPB的區域中形成獨立的光轉換層CCM。
接著，請參閱圖4f，這些絕緣層111及第一電極134形成於這些光轉換層CCM及第一反射層121上。
首先，這些絕緣層111可被形成以分別對應這些子像素SP。具體來說，形成絕緣層111的材料可形成於供這些光轉換層CCM及第一反射層121形成的第一基板110之整個表面上。此外，可藉由在重疊於這些子像素SP的邊界之區域中圖案化形成絕緣層111之材料，而形成分別對應這些子像素SP之這些絕緣層111。於此情況中，這些絕緣層111可被設置以分別環繞紅色子像素SPR及綠色子像素SPG中的這些光轉換層CCM之頂面以及側面。此外，在這些藍色子像素SPB中，這些絕緣層111可被設置以遮蔽第一反射層121的頂面。
同時，當這些絕緣層111及堤部一起形成時，這些絕緣層111可在形成重疊於這些子像素SP的邊界之多個堤部之後形成於這些堤部之間。
隨後，這些第一電極134可形成於這些絕緣層111上。沿第一方向延伸且彼此相見隔的這些第一電極134可形成於這些絕緣層111上。
接著，請參閱圖4G及圖4H，供第一反射層121及這些光轉換層CCM形成的第一基板110以及供這些發光二極體130及這些第二反射層122形成的第二基板140可被接合以完全形成顯示裝置100。具體來說，第二基板140上的這些發光二極體130之第一半導體層131可被附接至第一基板110上的這些第一電極134，以完全形成這些發光二極體130及顯示裝置100。
在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，光轉換層CCM及第一反射層121係沿相反於發光方向的方向形成，而可減少沿水平方向全反射且沒有被帶出至顯示裝置100外部的光。具體來說，根據本發明示例性實施例的顯示裝置100為從這些發光二極體130發出的光朝上發送到第二基板140(即朝第二基板140發送)的頂發光類型的顯示裝置100。然，當發生全反射時，從這些發光二極體130發出的光不會沿垂直方向傳遞而會沿水平方向傳遞，而使得前述之光可能難以被帶出至顯示裝置100外部。然，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，藉由第二反射層122傳遞到第一基板110的藍光可在光轉換層CCM中被轉換成不同顏色的光。經轉換的光可被第一反射層121反射回到發光二極體130的頂部。此時，光轉換層CCM及第一反射層121彼此鄰設且可將在光轉換層CCM中轉換的光之路徑改變成到發光二極體130的頂部且減緩發生全反射之情形。
以下，將參照圖5A至圖7描述根據本發明示例性實施例的顯示裝置100之光萃取效應(light extraction effect)。
圖5A為繪示從根據比較實施例的顯示裝置的多個發光二極體發出的藍光之剖面示意圖。圖5B為繪示在根據比例實施例的顯示裝置之多個光轉換層中轉換的光之剖面示意圖。圖6A為繪示從根據示例性實施例的顯示裝置的多個發光二極體發出的藍光之剖面示意圖。圖6B為繪示在根據示例性實施例的顯示裝置之多個光轉換層中轉換的光之剖面示意圖。圖7為基於根據比較實施例以及示例性實施例的顯示裝置中的光轉換層之厚度的外部量子效率之曲線圖。
根據比較實施例的顯示裝置10具有包含第一反射層21、多個黑色堤部BB、發光二極體30、光轉換層CCM、第二反射層22以及絕緣層11的結構。黑色堤部BB設置於第一反射層21上。發光二極體30設置於這些黑色堤部BB之間。光轉換層CCM位於發光二極體30上。第二反射層22位於光轉換層CCM上。絕緣層11位於第二反射層22上。根據示例性實施例的顯示裝置100具有包含第一反射層121、多個黑色堤部BB、光轉換層CCM、發光二極體130、第二反射層122以及絕緣層111的結構。黑色堤部BB設置於第一反射層121上。光轉換層CCM設置於這些黑色堤部BB之間。發光二極體130位於光轉換層CCM上。第二反射層122位於發光二極體130上。絕緣層111位於第二反射層122上。也就是說，根據比較實施例的顯示裝置10具有光轉換層CCM及第二反射層22設置於發光二極體30上的結構，且根據示例性實施例的顯示裝置100具有光轉換層CCM設置於發光二極體130的底部上且第二反射層122設置於發光二極體130的頂部上之結構。
請參閱圖5A，在根據比較實施例的顯示裝置10中，能看到從發光二極體30發出的藍光沒有通過第二反射層22且朝第一反射層21被反射。具體來說，第二反射層22可反射藍光且透射紅光與綠光。因此，從發光二極體30發出的藍光可被第二反射層22反射。
請參閱圖5B，能看到被第一反射層21反射的藍光以及從發光二極體30發出的藍光傳遞至光轉換層CCM且被轉換成不同顏色的光，並接著朝上傳遞到第二反射層22。具體來說，沿朝向發光二極體30的頂部之方向(從第一反射層21的發光方向)反射的藍光以及從發光二極體30發出的藍光可傳遞至光轉換層CCM。此外，藍光可在於光轉換層CCM中被轉換成不同顏色的光之過程中擴散並傳遞至光轉換層CCM的整個表面。也就是說，沿作為發光方向的垂直方向傳遞的光之部分從第一反射層21及發光二極體30的路徑可於光轉換層CCM中被改變。
在此情況中，路徑在光轉換層CCM中已經改變的光之部分可傳遞至發光二極體30的多個側上的黑色堤部BB且被黑色堤部BB吸收。具體來說，光轉換層CCM可包含散射材料以提升光轉換效率。因此，可增加從發光二極體30發出的藍光可能於光轉換層CCM中散射並被吸收到光轉換材料上的機率，且可提升光轉換層CCM的光轉換效率。
然，已經在光轉換層CCM中散射以及轉換的光之部分的路徑相對發光二極體30被改變，且可相對發光二極體30以傾斜的方式傳遞。舉例來說，沿正交於發光二極體30的方向傳遞的藍光之部分的入射角會在光於光轉換層CCM中被轉換成不同顏色的光的過程中被改變，且光的路徑可被改變。若光的入射角大於臨界角度，則會發生全反射且會減少帶出至外部的光，且可能會增加傳遞到發光二極體30的一側且被黑色堤部BB吸收的光。因此，在相似於根據比較實施例的顯示裝置10之頂發光類型的顯示裝置中，當光轉換層CCM設置於發光二極體30的頂部上時，在光於光轉換層CCM中被轉換的製程中，光的路徑會被轉換，而可能會增加產生全反射的機率且可能會降低光萃取效率。
接著，請參閱圖6A，在根據示例性實施例的顯示裝置100中，能看到從發光二極體130發出的藍光沒有通過第二反射層122且朝第一反射層121及光轉換層CCM被反射。
請參閱圖6B，從第二反射層122反射的藍光以及從發光二極體130發出的藍光可於光轉換層CCM中被轉換成不同顏色的光。能看到在光轉換層CCM中被轉換的光大部分會朝發光二極體130的頂部傳遞而不是被導引成朝發光二極體130的多個側。因此，在根據示例性實施例的顯示裝置100中，相較於根據比較示例的顯示裝置10，能看到於光轉換層CCM中轉換且傳遞到黑色堤部BB之光有減少的情形。
具體來說，從第二反射層122反射的藍光可朝光轉換層CCM及第一反射層121傳遞。此時，在光轉換層CCM中轉換的光朝與光轉換層CCM接觸的第一反射層121傳遞，且接著從第一反射層121朝發光二極體130的頂部反射。在此情況中，從第一反射層121反射的光可盡可能地沿正交於發光二極體130之方向傳遞。因此，從第一反射層121反射的光之入射角可接近為垂直角度，且可減緩產生全反射之情形。因此，在根據示例性實施例的顯示裝置100中，因為光轉換層CCM及第一反射層121設置於發光二極體130之下，所以在光轉換層CCM中轉換的光之路徑可沿正交於發光二極體130的方向發送以減緩產生全反射之情形且可提升光萃取效率。
接著，請參閱圖7，在根據比較實施例及示例性實施例的顯示裝置10、100中，能看到外部量子效率隨著光轉換層CCM的厚度增加而增加。具體來說，隨著光轉換層CCM的厚度增加，光於光轉換層CCM中被吸收到光轉換材料中的機率可能會增加。也就是說，光轉換層CCM的厚度可正比於光轉換效率。
外部量子效率係根據內部量子效率以及將光子萃取至外部的光萃取效率所決定的比例，其中內部量子效率為注入的電荷被轉換成光子的比例。當外部量子效率增加時，被帶出至外部的光可增加且亮度可增加。
在此情況中，當光轉換層CCM的厚度為相同時，根據示例性實施例的顯示裝置100可相較根據比較實施例的顯示裝置10具有較高的外部量子效率。具體來說，如以上參照圖5A至圖6B進行之描述，在根據比較實施例的顯示裝置10中，在光轉換層CCM中轉換的光之中發生全反射的光會增加，因此被帶出到顯示裝置10的外部之光可能會減少。另一方面，在根據示例性實施例的顯示裝置100中，在光轉換層CCM中轉換的光之中發生全反射的光會減少，因此被帶出到顯示裝置100的外部之光可能會增加。因此，即使在有一樣多的光在光轉換層CCM被轉換時，被帶出至外部的光會因根據比較實施例的顯示裝置10中之全反射而減少，同時在根據示例性實施例的顯示裝置100中，發生全反射的情形被減緩且被帶出到顯示裝置100的外部之光可增加。因此，在根據示例性實施例的顯示裝置100中，即使光轉換層CCM比根據比較實施例的顯示裝置10所使用的光轉換層還薄，根據示例性實施例的顯示裝置100之外部量子效率仍為高的，因此顯示裝置100的亮度可被保持在相同的位準。
在根據本發明的示例性實施例的顯示裝置100中，光轉換層CCM及第一反射層121以頂發光方法設置於這些發光二極體130之下，而可增加被帶出到顯示裝置100外部的光。具體來說，從這些發光二極體130發出的藍光可藉由第二反射層122朝位於這些發光二極體130之下的第一反射層121。朝這些發光二極體130的下方傳遞的光可於光轉換層CCM中被轉換成不同顏色的光。此外，在光轉換層CCM中轉換的光之傳遞方向可藉由第一反射層121被改變成朝向這些發光二極體130的上方之方向，且可減少傳遞方向被光轉換層CCM改變成朝向這些發光二極體130的多個側而不是朝向這些發光二極體130的上方之光。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，可藉由將光轉換層CCM及第一反射層121設置成彼此相鄰，而使在光轉換層CCM中轉換的光從這些發光二極體130朝上傳遞，進而減緩發生全反射的情形並提升顯示裝置100的亮度。
根據本發明示例性實施例的顯示裝置100可藉由減小光轉換層CCM的厚度而降低成本及功耗。隨著光轉換層CCM的厚度增加，在光轉換層CCM中轉換的光可能也會增加。然，在某些情況中，為了增加光轉換層CCM的厚度，需要進行形成光轉換層CCM的製程好幾次。舉例來說，在藉由旋轉塗布含有磷光體的光阻劑形成光轉換層CCM的方法中，能僅使用一個製程形成的光轉換層CCM的厚度有限，所以會進行此製程好幾次以得到厚的光轉換層CCM。此外，當進行製程的次數增加時，製造成本會增加。然，相較於像是根據比較實施例的顯示裝置10中將光轉換層CCM沿發光方向設置的情況，根據本發明示例性實施例的顯示裝置100具有較高的外部量子效率。因此，即使在光轉換層CCM的厚度被減小的時候，在光轉換層CCM中轉換的光仍可盡可能地被發送到顯示裝置100的外部。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，即使在光轉換層CCM的厚度被減小的情況中仍能實現足夠的亮度，進而降低形成光轉換層CCM所需的時間以及製造成本。此外，即使光轉換層CCM的厚度被形成為相等於現有的光轉換層之厚度，仍能用較低的功耗實現相同位準的亮度，所以能降低功耗。
根據本發明示例性實施例的顯示裝置100可藉由在不同於這些發光二極體130的基板之基板上形成光轉換層CCM而確保這些光轉換層CCM的穩定度。若光轉換層CCM及這些發光二極體130在相同的基板上形成，則光轉換層CCM可能會在製程中被影響。舉例來說，當光轉換層CCM包含有機材料時，光轉換層CCM的特性可能會在因施加其他製程而進行高溫加熱的時候被改變。舉例來說，當在基板上形成光轉換層CCM時，可能會因在基板上形成的各種元件而難以用均勻的厚度形成光轉換層CCM，且在光轉換層CCM中轉換的光之效率也可能變成不均勻的。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，在於形成有第一反射層121的第一基板110上形成這些光轉換層CCM，且這些發光二極體130形成於第二基板141上之後，可藉由將第一基板110及第二基板140接合在一起而製造顯示裝置100。此時，因為這些光轉換層CCM及這些發光二極體130形成在不同的基板上，所以能最小化在形成這些發光二極體130的製程中對這些光轉換層CCM施加的影響。此外，因為這些光轉換層CCM形成於在第一基板110的整個表面上形成的第一反射層121上，所以可以移除因多個線路或驅動元件造成的段差(step)，且能用均勻的厚度形成光轉換層CCM。因此，藉由獨立地形成這些光轉換層CCM及這些發光二極體130，可最小化這些光轉換層CCM的特性之改變或最小化光轉換效率被降低的情形。
圖8為根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置的剖面示意圖。相較於圖1至圖3中的顯示裝置100，圖8中的顯示裝置800更包含電晶體TR，且除了這些發光二極體830的電極不同之外，顯示裝置800的其他構造實質上相同於圖1至圖3中的顯示裝置100之構造，故不再贅述。
請參閱圖8，這些發光二極體830包含多個第一電極834以及第二電極835。第二電極835形成於這些發光二極體830各自的第一半導體層131之下。第一電極834可被形成以用一對一的方式對應於這些發光二極體830的第一半導體層131。這些發光二極體830可電性連接於彼此不同的第一電極834。
第二電極835可形成於第二基板140的整個表面上且可電性連接於這些發光二極體830的第二半導體層133。也就是說，這些發光二極體830可共用一個第二電極835。
電晶體TR設置於各個子像素SP中。這些電晶體TR為用於分別驅動這些發光二極體830的驅動元件。這些電晶體TR例如可為薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)、N通道金屬氧化物半導體(N-channel metal oxide semiconductor，NMOS)、P通道金屬氧化物半導體(P-channel metal oxide semiconductor，PMOS)、補償金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)、場效電晶體(field effect transistor，FET)等，但並不以此為限。
這些電晶體TR可電性連接於這些發光二極體830的這些第一電極834。舉例來說，這些電晶體TR的源極電極與汲極電極可電性連接於這些第一電極834，並控制發送到這些發光二極體830的電壓。
在此情況中，這些電晶體TR可與這些發光二極體830一起形成於第二基板140上。舉例來說，這些電晶體TR及這些發光二極體830可一起形成於晶片WF上，且這些電晶體TR可藉由將第二基板140及第一基板110接合在一起而電性連接於多個第二電極835。因此，可用各種方式實施形成這些電晶體TR的製程，並不以此為限。
同時，於圖8中，已描述這些發光二極體830包含這些第一電極834及一個第二電極835，且這些電晶體TR分別電性連接於這些第一電極834。然，本發明並不以此為限。舉例來說，這些發光二極體830可包含一或多個第一電極834以及這些第二電極835，且電晶體TR可電性連接於這些第二電極835。
此外，雖然在圖8中這些電晶體TR被繪示為設置於這些第一電極834及第二電極835之間，但這些電晶體TR可形成於這些發光二極體830及第一基板110之間。於此情況中，這些電晶體TR可形成於第一基板110上，且可將形成有這些電晶體TR的第一基板110以及形成有這些發光二極體830的第二基板140接合在一起，而電性連接這些電晶體TR及這些發光二極體830。
在根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置800中，可藉由形成這些電晶體TR來實施使用主動矩陣方法的顯示裝置800。具體來說，主動矩陣方法可更包含作為開關的電晶體TR以個別地驅動各個發光二極體830。這些發光二極體830可包含形成於第二基板140的整個表面上的第二電極835以及彼此分離的多個第一電極834。此外，這些電晶體TR可電性連接於這些第一電極834。於此情況中，可藉由發送至這些第一電極834的電壓以及透過這些電晶體TR發送至第二電極835的電壓來驅動這些發光二極體830。舉例來說，在施加恆定電壓至第二電極835的情況中，可調整從這些電晶體TR分別發送至這些第一電極834的電壓以驅動這些發光二極體830。因此，根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置800可包含這些電晶體TR，因此可用主動矩陣方法驅動顯示裝置800。
本發明的示例性實施例也能用以下方式來描述：
根據本發明一態樣，提供有一種顯示裝置。顯示裝置包含一基板、一第一反射層、多個發光二極體、多個光轉換層以及多個第二反射層。多個子像素設置於基板上。第一反射層設置於基板上。這些發光二極體於第一反射層上設置於各個子像素中。這些光轉換層設置於第一反射層及這些發光二極體之間。這些第二反射層遮蔽至少部分的發光二極體。從發光二極體發出的光被第二反射層反射，且波長較從發光二極體發出的光還長的光從發光二極體朝上發送。
這些子像素可包含顯示紅光的紅色子像素、顯示綠光的綠色子像素以及顯示藍光的藍色子像素。這些發光二極體可為藍色發光二極體。
這些光轉換層可包含設置於紅色子像素中的紅光轉換層以及設置於綠光子像素中的綠光轉換層。
這些光轉換層可設置於紅色子像素以及綠色子像素中。這些第二反射層可設置於紅色子像素以及綠色子像素中。
第一反射層可朝這些光轉換層反射來自這些發光二極體的光。在這些光轉換層中轉換的光可通過這些第二反射層。這些第二反射層可朝第一反射層反射從這些發光二極體發出的光。
顯示裝置可更包含在這些發光二極體及這些光轉換層之間分別遮蔽這些光轉換層的多個絕緣層。這些絕緣層可彼此相間隔。
這些絕緣層的折射率可高於這些絕緣層之間的區域之折射率。
各個發光二極體可包含第一半導體層、設置於第一半導體層上的發光層以及設置於發光層上的第二半導體層。
這些發光二極體可更包含電性連接於這些發光二極體的第一半導體層的多個第一電極，以及電性連接於這些發光二極體的第二半導體層的多個第二電極。各個第一電極可沿一第一方向電性連接於與其相鄰的一個第一電極，且各個第二電極可沿相異於第一方向的一第二方向電性連接於與其相鄰的一個第二電極。
顯示裝置可更包含分別電性連接於這些發光二極體的多個電晶體。
根據本發明另一態樣，提供有一種顯示裝置。顯示裝置包含一基板、一第一反射層、多個光轉換層、多個藍色發光二極體以及多個第二反射層。第一反射層設置於基板上。光轉換層設置於第一反射層上。藍色發光二極體設置於光轉換層上。第二反射層被設置以遮蔽至少部分的藍色發光二極體。第二反射層朝光轉換層反射從藍色發光二極體發出的光，並透射來自光轉換層的光。
這些光轉換層包含可包含重疊於一部分的藍光發光二極體的紅光轉換層，以及重疊於另一部分的藍光發光二極體的綠光轉換層。
這些第二反射層可重疊於紅光轉換層以及綠光轉換層。
這些光轉換層及這些第二反射層可不重疊於其餘部 分的藍光發光二極體。
第一反射層可由不透明金屬材料形成。第二反射層可為分布式布拉格反射鏡。
顯示裝置可更包含在這些光轉換層以及這些藍色發光二極體之間分別環繞這些光轉換層的多個頂面以及多個側面之多個絕緣層。這些絕緣層可使這些光轉換層的多個頂部平坦化。
對本領域具通常知識者來說顯而易見的是，在不脫離本發明的技術思想以及範圍的前提下，當可對本發明的顯示裝置進行各種修改以及改變。因此，本發明應涵蓋由所附請求項的範圍及其均等範圍中推導出的本發明之修改與變化。
100:顯示裝置
110:第一基板
111:絕緣層
112:透明樹脂層
121:第一反射層
122:第二反射層
122a:第二紅色透射反射層
122b:第二綠色透射反射層
130:發光二極體
131:第一半導體層
132:發光層 133:第二半導體層 134:第一電極 135:第二電極 140:第二基板 141:第二基板 SP:子像素 SPR:紅色子像素 SPG:綠色子像素 SPB:藍色子像素 AA:顯示區域 NA:非顯示區域 CCM:光轉換層 CCMR:紅光轉換層 CCMG:綠光轉換層 AD:黏著層 WF:晶片 800:顯示裝置 830:發光二極體 834:第一電極 835:第二電極 TR:電晶體 10:顯示裝置 11:絕緣層 21:第一反射層 22:第二反射層 BB:黑色堤部 30:發光二極體
被包含以提供本發明進一步的理解之相關圖式併入且構成本申請的一部分，且繪示本發明的實施例且與文字描述一起用於解釋各種原理。 圖1為根據本發明示例性實施例的顯示裝置的平面示意圖。 圖2為沿圖1中的割面線II-II'繪示之剖面示意圖。 圖3為根據本發明示例性實施例的顯示裝置的局部放大平面示意圖。 圖4A至圖4H為用於解釋根據本發明示例性實施例的顯示裝置之製造方法的製程圖式。 圖5A為繪示從根據比較實施例的顯示裝置的多個發光二極體發出的藍光之剖面示意圖。 圖5B為繪示在根據比例實施例的顯示裝置之多個光轉換層中轉換的光之剖面示意圖。 圖6A為繪示從根據示例性實施例的顯示裝置的多個發光二極體發出的藍光之剖面示意圖。 圖6B為繪示在根據示例性實施例的顯示裝置之多個光轉換層中轉換的光之剖面示意圖。 圖7為基於根據比較實施例以及示例性實施例的顯示裝置中的光轉換層之厚度的外部量子效率之曲線圖。 圖8為根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
110:第一基板
111:絕緣層
112:透明樹脂層
121:第一反射層
122:第二反射層
122a:第二紅色透射反射層
122b:第二綠色透射反射層
130:發光二極體
131:第一半導體層
132:發光層
133:第二半導體層
134:第一電極
135:第二電極
140:第二基板
SP:子像素
SPR:紅色子像素
SPG:綠色子像素
SPB:藍色子像素
CCM:光轉換層
CCMR:紅光轉換層
CCMG:綠光轉換層
AD:黏著層

Claims (13)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板，多個子像素設置於該基板上；一第一反射層，設置於該基板上；多個發光二極體，於該第一反射層上設置於各該子像素中；多個光轉換層，設置於該第一反射層及該些發光二極體之間；以及多個第二反射層，設置於該些發光二極體其中至少一者上，其中，該些子像素包含顯示紅光的一紅色子像素、顯示綠光的一綠色子像素以及顯示藍光的一藍色子像素；其中，該些發光二極體為藍色發光二極體；其中，該些光轉換層包含設置於該紅色子像素中的一紅光轉換層以及設置於該綠光子像素中的一綠光轉換層；其中，從該些發光二極體發出的光被該些第二反射層反射，且波長較從該些發光二極體發出之光的波長還長的光來自該些光轉換層且從該些第二反射層朝上透射。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該些第二反射層設置於該紅色子像素以及該綠色子像素中。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一反射層朝該些光轉換層反射來自該些發光二極體的光，其中在該些光轉換層中轉換的光通過該些第二反射層，並且 其中該些第二反射層朝該第一反射層反射從該些發光二極體發出的光。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：多個絕緣層，在該些發光二極體及該些光轉換層之間分別遮蔽該些光轉換層，其中該些絕緣層彼此相間隔。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該些絕緣層的折射率高於該些絕緣層之間的區域之折射率。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中各該發光二極體包含：一第一半導體層；一發光層，設置於該第一半導體層上；以及一第二半導體層，設置於該發光層上。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置，其中該些發光二極體更包含：多個第一電極，電性連接於該些發光二極體的該些第一半導體層；以及多個第二電極，電性連接於該些發光二極體的該些第二半導體層，其中各該第一電極沿一第一方向電性連接於與其相鄰的一個該第一電極， 其中各該第二電極沿相異於該第一方向的一第二方向電性連接於與其相鄰的一個該第二電極。
  8. 如請求項6所述之顯示裝置，更包含：多個電晶體，分別電性連接於該些發光二極體。
  9. 一種顯示裝置，包含：一基板：一第一反射層，設置於該基板上；多個光轉換層，設置於該第一反射層上；多個藍色發光二極體，設置於該些光轉換層上；以及多個第二反射層，設置於該些藍色發光二極體其中至少一者上，其中該些光轉換層包含重疊於一部分的該些藍光發光二極體的一紅光轉換層以及重疊於另一部分的該些藍光發光二極體的一綠光轉換層；其中，該些第二反射層朝該些光轉換層反射從該些藍色發光二極體發出的光，並透射來自該些光轉換層的光。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該些第二反射層重疊於該紅光轉換層以及該綠光轉換層。
  11. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該些光轉換層及該些第二反射層沒有重疊於其餘部分的該些藍光發光二極體。
  12. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該第一反射層由不透明金屬材料形成， 其中該些第二反射層為分布式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector，DBR)。
  13. 如請求項9所述之顯示裝置，更包含：多個絕緣層，在該些光轉換層以及該些藍色發光二極體之間分別環繞該些光轉換層的多個頂面以及多個側面，其中該些絕緣層使該些光轉換層的多個頂部平坦化。
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