TWI822297B - 黑色消光之聚醯亞胺膜 - Google Patents
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Abstract
本發明為一種黑色消光之聚醯亞胺膜，其含括有；聚醯亞胺，其占該膜之87~97wt%，該聚醯亞胺係由芳香族二酸酐與芳香族二胺聚合後形成聚醯亞胺前驅物，該聚醯亞胺前驅物再經由化學環化而得到聚醯亞胺，其中，該芳香族二酸酐至少包括一3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐，其含量佔總芳香族二酸酐20mol%以上；該芳香族二胺至少包括一對苯二胺，其含量佔總芳香族二胺5~40mol%；碳黑，其占該膜之2~8wt%；二氧化矽粉末，其粒徑介於1~10μm，密度小於1g/cm3，其占該該膜之1~5wt%；及該膜具有60度光澤度小於60，介電損耗因數在10GHz下小於0.045，其具有熱膨脹係數小於35ppm/℃。
Description
一種黑色消光之聚醯亞胺膜，特別係指一種添加密度小於之1g/cm3二氧化矽粉末，使該黑色消光之聚醯亞胺膜具有小於60之光澤度以及在10GHz下小於0.045之介電損耗因數。
聚醯亞胺膜常用於軟性電路板的覆蓋層，其中黑色消光聚醯亞胺膜由於具有特殊的光學特性，因此常用於特殊的軟板應用。
近年來，隨著電子設備的高性能、高功能化，尤其是在高頻下亦能夠維持電氣絕緣特性的覆蓋層仍有需求，同時亦保有可接受的結構與光學特性，以提供電子組件的保護，避免不必要的目視檢查與破壞。
然而，習知的黑色消光聚醯亞胺膜，主要使用碳黑作為顏料、染色劑等用途使其透光度下降，達到覆蓋、保護的作用；另外有色聚醯亞胺薄膜，因薄膜呈色，會使其表面所產生的大量反射光，因此添加了消光劑，來降低薄膜反光所造成的視覺不適感。
但由於碳黑本身的電氣特性容易使薄膜的介電損耗因數(Df)數值上升，會造成電子通訊傳輸上的雜訊或延遲，增加了實現低介電之黑色消光聚醯亞胺膜的難度。
US840315B2提出了一種使用二氧化矽作為消光劑之黑色消光聚醯亞胺膜。由於二氧化矽為無機化合物，其介電係數(Dk)、介電損耗因數(Df)較高，且密度較大，在相同重量添加比例下所擁有的體積較
因數(Df)較高，且密度較大，在相同重量添加比例下所擁有的體積較小，因此需添加到一定的量才能達到低光澤度的效果，在薄膜上可能會造成破洞等缺陷，也會影響薄膜的機械性能。
US10336045B2提出了一種使用均苯四甲酸二酐、4,4'-二氨基二苯醚與對苯二胺之基底配方，該基底配方擁有較低的熱膨脹係數，但均苯四甲酸二酐的比例偏高時，容易吸收空氣中的水氣，導致電氣特性受到影響，無法在高頻通訊上應用。
為改善上述問題，本發明提出一種黑色消光之聚醯亞胺膜，擁有優良的電氣特性且維持較低光澤度。
本發明為一種黑色消光之聚醯亞胺膜，其包括有聚醯亞胺，其占該膜之87~97wt%，該聚醯亞胺係由芳香族二酸酐與芳香族二胺聚合後形成聚醯亞胺前驅物，該聚醯亞胺前驅物再經由化學環化而得到聚醯亞胺，其中，該芳香族二酸酐至少包括一3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐，其含量佔總芳香族二酸酐20mol%以上；該芳香族二胺至少包括一對苯二胺，其含量佔總芳香族二胺5~40mol%；碳黑，其占該膜之2~8wt%；二氧化矽粉末，其粒徑介於1~10μm，密度小於1g/cm3、其占該該膜之1~5wt%；及該膜具有60度光澤度小於60，介電損耗因數在10GHz下小於0.045，其熱膨脹係數小於35ppm/℃。
黑色消光之聚醯亞胺膜製作需用到聚醯亞胺前驅物(聚醯胺酸)、二氧化矽粉末以及碳黑。其中將二氧化矽粉末與碳黑各自配置成消光漿料與碳黑漿料，再與聚醯亞胺前驅物相互混合，經由化學環化過程將聚醯亞胺前驅物環化變成聚醯亞胺而得。
聚醯亞胺前驅物之製作
聚醯亞胺前驅物係由芳香族二酸酐與芳香族二胺所組成。
前述芳香族二酸酐至少一種為3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)，且3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐的添加量對二酸酐總莫爾數至少20mol%。
前述芳香族二胺至少一種為對苯二胺(PDA)，且對苯二胺的添加量為二胺總莫爾數為5~40mol%。
作為溶劑，聚醯亞胺前驅物之製作可使用二甲基乙醯胺(DMAc)，N-甲基吡咯烷酮(NMP)，N-乙基-2-吡咯烷酮(NEP)，γ-丁內酯(GBL)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)本發明使用二甲基乙醯胺作為溶劑。
黑色漿料之製作
將碳黑與二甲基乙醯胺以重量比1：7的比例配置成溶液，攪拌均勻後以超音波震盪機震盪1小時，完成黑色漿料。
前述黑色漿料之碳黑為絕緣碳黑。
前述黑色漿料中的碳黑與二甲基乙醯胺之重量比例，可視需求進行調整，其中碳黑的重量比例與穿透度、介電損耗因數有關，若碳黑的比例過多，會使介電損耗因數增加，本發明之碳黑添加量範圍佔黑色聚醯亞胺膜的2~8wt%
消光漿料之製作
將二氧化矽粉末、分散劑與二甲基乙醯胺以重量比1：0.05：19的比例配置成溶液，攪拌均勻後以超音波震盪機震盪2小時，完成消光漿料。
前述消光漿料之二氧化矽粉末為中空狀，其密度小於1g/cm3。
前述消光漿料之二氧化矽粉末，其粒徑介於1~10um。
前述消光漿料之二氧化矽粉末、分散劑與二甲基乙醯胺之重量比例，可視需求調整，其中二氧化矽粉末的重量比例與光澤度、介電損耗因數有關，若二氧化矽粉末的比例過少，會使該黑色消光聚醯亞胺膜之光澤度、介電損耗因數增加，造成成品目視檢查不易、傳輸損耗增加等難度。
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將前述之黑色漿料、消光漿料與聚醯亞胺前驅物混合，攪拌均勻後加入催化劑與脫水劑進行化學環化，其中脫水劑可以為醋酸酐或苯甲酸酐，在本發明中選用醋酸酐作為脫水劑；其中催化劑可以為吡啶、3-甲基吡啶，2-甲基吡啶，4-甲基吡啶，異喹啉，喹啉，三乙胺，其中較佳的選擇為吡啶、3-甲基吡啶，2-甲基吡啶，4-甲基吡啶，在本發明中選擇3-甲基吡啶作為催化劑。
上述催化劑與脫水劑可單獨使用，也可以與溶劑混合進行稀釋後添加至混合液中，將混入脫水劑與催化劑的混合液在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃基板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，升溫至170℃烘烤20分鐘後，再升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理，烘烤完成後將玻璃置放於水中，將薄膜取下即可得到黑色消光聚醯亞胺膜。
上述製膜過程之基板，除了玻璃之外，亦可使用金屬板，使用金屬板製作該黑色消光聚醯亞胺膜時，於80℃烘箱烘烤乾燥後需從金屬板上取下，將取下後的半乾燥膜固定於金屬框架上，後續升溫至170℃烘烤20分鐘後，再升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理，即可得到黑色消光聚醯亞胺膜。
上述之黑色消光聚醯亞胺膜，其膜厚可以為5μm至100μm。
上述之黑色消光聚醯亞胺膜可以做為覆蓋膜使用，該覆蓋膜具有膠層與基層膜。
實施例
於以下，依據實施例而具體說明本發明，但本發明並不限訂於此。再者，於以下呈現各實施例中以簡寫所表示之原料的細節。
聚醯亞胺的原料
PMDA：均苯四甲酸二酐
BPDA：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐
PDA：對苯二胺
ODA：4,4'-二氨基二苯醚
消光漿料的原料
高密度二氧化矽粉末：SFP-30MHE，密度為2.2g/cm3，Denka公司製造
低密度二氧化矽粉末：Cell Spheres-NF，密度為0.63g/cm3，太平洋水泥公司製造
碳黑漿料的原料
碳黑：SPECIAL BLACK 4A(SB4A)，Evonik公司製造
分散劑
分散劑：BYK-180，畢克化學公司製造
溶劑
DMAc：二甲基乙醯胺
AA：醋酸酐
AP：3-甲基吡啶
<檢測方法>
下列實施例中所得到的複合膜的各項性質使用以下方法量測。
熱膨脹係數(100℃~200℃)：依照ASTM D696規範，使用TA Instruments公司出的型號Q400 TMA儀器量測。量測聚醯亞胺膜在100℃~200℃時的熱膨脹係數，升溫速率設定為10℃/min。為了除去因熱處理所造成的應力，藉由第一次量測除去殘餘應力後，以第二次量測結果做為實際值。
光學穿透度：依照ISO 14782規範 使用Nippon Denshoku公司出品型號為NDH-2000N儀器量測。
光澤度：使用BYK廠牌，型號micro-TRI-gloss之光澤度計量測60度下之光澤度。
介電損耗正切Df(10GHz)：使用Keysight Technologies公司出品型號為E5071C ENA Network Analyzer儀器量測。本發明之量測方式為：將高分子薄膜於120℃烘箱烘烤30分鐘後取出，靜置於濕度65%之環境中，放置48小時後進行量測。
【實施例1】
碳黑漿料之製作
將1克的碳黑與7克的DMAc配置成溶液，攪拌均勻後以超音波震盪機震盪1小時，完成黑色漿料。
低密度消光漿料之製作
將0.5克的低密度二氧化矽粉末、0.025克的分散劑與9.5克的DMAc配置成溶液，攪拌均勻後以超音波震盪機震盪2小時，完成消光漿料。
聚醯亞胺前驅物之製作
將8.909克PDA加入467.5克的DMAc中攪拌混合，待PDA溶解完成後添加15.15克的BPDA，攪拌反應60分鐘後添加24.746克的ODA，待其溶解完成後緩慢的添加32.021克的PMDA，並將溫度控
制於25℃，攪拌反應兩小時後使用微量的PMDA進行黏度調整，最終得到固體含量15%，且黏度255,600cps之聚醯胺酸溶液。
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、2.2857克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的DMAc，攪拌均勻後將AA與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將AP與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加5.21毫升的AA稀釋液與3.54毫升的AP稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液倒在玻璃基板上使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄膜，該薄膜厚度為25μm。
【實施例2】
碳黑漿料之製作同實施例1。
低密度消光漿料之製作同實施例1。
聚醯亞胺膜前驅物之製作同實施例1
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.918克的碳黑漿料、4.7948克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的DMAc，攪拌均勻後將AA與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將AP與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加5.21毫升的AA稀釋液與3.54毫升的AP稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液倒在玻璃基板上使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0
℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄膜，該薄膜厚度為25μm。
【實施例3】
碳黑漿料之製作同實施例1。
低密度消光漿料之製作同實施例1。
聚醯亞胺前驅物之製作
將6.532克PDA加入467.5克的DMAc中攪拌混合，待PDA溶解完成後添加14.810克的BPDA，攪拌反應60分鐘後添加28.221克的ODA，待其溶解完成後緩慢的添加32.278克的PMDA，並將溫度控制於25℃，攪拌反應兩小時後使用微量的PMDA進行黏度調整，最終得到固體含量15%，且黏度223,400cps之聚醯胺酸溶液。
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、2.2857克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的DMAc，攪拌均勻後將AA與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將AP與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加5.10毫升的AA稀釋液與3.46毫升的AP稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液倒在玻璃基板上使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄
膜，該薄膜厚度為25μm。
【實施例4】
碳黑漿料之製作同實施例1。
低密度消光漿料之製作同實施例1。
聚醯亞胺前驅物之製作
將8.067克PDA加入467.5克的DMAc中攪拌混合，待PDA溶解完成後添加43.894克的BPDA，攪拌反應60分鐘後添加22.405克的ODA，待其溶解完成後緩慢的添加7.525克的PMDA，並將溫度控制於25℃，攪拌反應兩小時後使用微量的PMDA進行黏度調整，最終得到固體含量15%，且黏度233,000cps之聚醯胺酸溶液。
黑色消光之聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、2.2857克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的DMAc，攪拌均勻後將AA與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將AP與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加4.72毫升的AA稀釋液與3.20毫升的AP稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液倒在玻璃基板上使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄膜，該薄膜厚度為25μm。
【實施例5】
碳黑漿料之製作同實施例1。
低密度消光漿料之製作同實施例1。
聚醯亞胺前驅物之製作
將3.748克PDA加入467.5克的DMAc中攪拌混合，待PDA溶解完成後添加6.374克的BPDA，攪拌反應60分鐘後添加27.762克的ODA，待其溶解完成後緩慢的添加43.851克的BPDA，並將溫度控制於25℃，攪拌反應兩小時後使用微量的BPDA進行黏度調整，最終得到固體含量15%，且黏度242,000cps之聚醯胺酸溶液。
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、2.2857克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的DMAc，攪拌均勻後將AA與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將AP與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加4.39毫升的AA稀釋液與2.97毫升的AP稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液倒在玻璃基板上使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄膜，該薄膜厚度為25μm。
【比較例1】
碳黑漿料之製作同實施例1。
低密度消光漿料之製作同實施例1。
聚醯亞胺前驅物之製作
將39.487克ODA加入467.5克的DMAc中攪拌混合，待ODA溶解完成後添加42.368克的PMDA，並將溫度控制於25℃，攪拌反應兩小時後使用微量的PMDA進行黏度調整，最終得到固體含量15%，且黏度246,000cps之聚醯胺酸溶液。
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、2.2857克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的二甲基乙醯胺，攪拌均勻後將醋酸酐與二甲基乙醯胺以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與二甲基乙醯胺以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加4.99毫升的醋酸酐稀釋液與3.38毫升的3-甲基吡啶稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃基板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄膜，該薄膜厚度為25μm。
【比較例2】
碳黑漿料之製作同實施例1。
低密度消光漿料之製作同實施例1。
聚醯亞胺前驅物之製作。
將8.087克PDA加入467.5克的DMAc中攪拌混合，待PDA溶解完成後添加13.049克的PMDA，攪拌反應60分鐘後添加27.809克的ODA，待其溶解完成後緩慢的添加32.856克的PMDA，並將溫度
控制於25℃，攪拌反應兩小時後使用微量的PMDA進行黏度調整，最終得到固體含量15%，且黏度240,000cps之聚醯胺酸溶液。
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、2.2857克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的二甲基乙醯胺，攪拌均勻後將醋酸酐與二甲基乙醯胺以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與二甲基乙醯胺以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加5.41毫升的醋酸酐稀釋液與3.67毫升的3-甲基吡啶稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃基板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄膜，該薄膜厚度為25μm。
【比較例3】
碳黑漿料之製作同實施例1。
高密度消光漿料之製作
將3克的高密度二氧化矽粉末、0.5克的分散劑及27克的DMAc配置成溶液，攪拌均勻後以0.5mm的鋯珠與體積佔比14%的鋯珠填充率將該溶液進行研磨，研磨時間為2小時，完成高密度消光漿料。
聚醯亞胺前驅物之製作同實施例1
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、1.1429克的高密度消光漿料、40克的
聚醯胺酸溶液與20克之二甲基乙醯胺，攪拌均勻後將醋酸酐與二甲基乙醯胺以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與二甲基乙醯胺以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加5.21毫升的醋酸酐稀釋液與3.54毫升的3-甲基吡啶稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃基板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄膜，該薄膜厚度為25μm。
【比較例4】
碳黑漿料之製作同實施例1。
低密度消光漿料之製作同實施例1。
聚醯亞胺前驅物之製作。
將9.171克PDA加入467.5克的DMAc中，攪拌混合，待PDA溶解完成後添加6.238克的BPDA，攪拌反應60分鐘後添加25.472克的ODA，待其溶解完成後緩慢的添加40.926克的PMDA，並將溫度控制於25℃，攪拌反應兩小時後使用微量的PMDA進行黏度調整，最終得到固體含量15%，且黏度287,200cps之聚醯胺酸溶液。
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、2.2857克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的DMAc，攪拌均勻後將AA與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將AP與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加5.37毫升的AA稀釋液與3.64毫升的AP稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液倒在玻璃基板上使用
900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄膜，該薄膜厚度為25μm。
【比較例5】
碳黑漿料之製作同實施例1。
低密度消光漿料之製作同實施例1。
聚醯亞胺前驅物之製作。
將23.404克PDA加入467.5克的DMAc中，攪拌混合，待PDA溶解完成後添加7.075克的BPDA，攪拌反應60分鐘後添加4.815克的ODA，待其溶解完成後緩慢的添加46.419克的PMDA，並將溫度控制於25℃，攪拌反應兩小時後使用微量的PMDA進行黏度調整，最終得到固體含量15%，且黏度263,000cps之聚醯胺酸溶液。
黑色消光聚醯亞胺膜之製作
將1.879克的碳黑漿料、2.2857克的低密度消光漿料、40克的聚醯胺酸溶液與20克的DMAc，攪拌均勻後將AA與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將AP與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後分別添加6.09毫升的AA稀釋液與4.13毫升的AP稀釋液。在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液倒在玻璃基板上使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
將玻璃基板浸漬於水中，從玻璃基板剝離黑色消光聚醯亞胺薄
膜，該薄膜厚度為25μm。
實施例與比較例表格比較如下：
如表1所示，可確認根據本發明實施例製造的黑色消光聚醯亞胺薄膜，不但維持了原先的光學特性，更是表現出更低的介電損耗因數。
實施例能展現更低的介電損耗因數之關鍵在於其二氧化矽粉末
的密度較小。當密度較小時代表該粉末顆粒中存在的空氣比例較高，因此能夠降低該黑色消光聚醯亞胺薄膜的介電特性。
此外，該低密度二氧化矽粉末也會影響薄膜的光澤度，除了消光顆粒的大小、添加比例以外，該薄膜表面存在的顆粒數量也相當重要。
實施例中之低密度二氧化矽粉末由於擁有較低的密度，在相同的重量添加量下，該粉末的體積佔該薄膜的總體積比例較高，因此展現出與比較例更低的光澤度。
上述特定實施例之內容係為了詳細說明本發明，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本發明。熟習本領域之技藝者可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本發明。所進行之各種變化或修改係落入本發明之一部分。
Claims (4)
- 一種黑色消光之聚醯亞胺膜，其含括有；聚醯亞胺，其占該膜之87~97wt%，該聚醯亞胺係由芳香族二酸酐與芳香族二胺聚合後形成聚醯亞胺前驅物，該聚醯亞胺前驅物再經由化學環化而得到聚醯亞胺，其中，該芳香族二酸酐至少包括一3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐，其含量佔總芳香族二酸酐20mol%以上；該芳香族二胺至少包括一對苯二胺，其含量佔總芳香族二胺5~40mol%；碳黑，其占該膜之2~8wt%；二氧化矽粉末，其粒徑介於1~10μm，密度小於1g/cm3，其占該膜之1~5wt%；及該聚醯亞胺膜具有60度光澤度小於60，介電損耗因數在10GHz下小於0.045。
- 如申請專利範圍第1項所述之黑色消光之聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺膜具有熱膨脹係數小於35ppm/℃。
- 如申請專利範圍第1項所述之黑色消光之聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺膜厚度介於5~100μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之黑色消光之聚醯亞胺膜，其中，該二氧化矽粉末為中空狀，其密度小於1g/cm3。
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2023
- 2023-08-29 US US18/457,370 patent/US20240076451A1/en active Pending
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