TWI822179B - 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法 - Google Patents
一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI822179B TWI822179B TW111126202A TW111126202A TWI822179B TW I822179 B TWI822179 B TW I822179B TW 111126202 A TW111126202 A TW 111126202A TW 111126202 A TW111126202 A TW 111126202A TW I822179 B TWI822179 B TW I822179B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- ridge width
- ridge
- width
- preset
- light
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 106
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：形成一第一型半導體層；形成一發光複合層於該第一型半導體層上，該發光複合層具有一主動層及一光柵層；以及，形成複數第二型半導體層於該發光複合層上，該第二型半導體層相對該發光複合層為脊狀，預計形成該些複數第二型半導體層具有一目標脊部寬度，實際形成該些複數第二型半導體層具有一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度。
Description
一種半導體雷射之製造方法，特別是指一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法。
半導體雷射(semiconductor laser)為現今科技實際應用的重要光電元件，像是在光纖通信、條碼掃瞄、雷射列印及高密度光儲存等皆需要應用到半導體雷射，還有其它包含顯示、照明及醫學等方面也是需要用到半導體雷射，因此半導體雷射的發展成為現今最重要的光電元件之一。目前半導體雷射發光波長包含了藍紫外光、可見光、近紅外光和遠紅外光等範圍。
如上述提到的光纖通信領域中，波長分波多工(Wavelength Division Multiplexing,WDM)技術，是在單一光纖內同步傳輸多個不同波長的光波，數據傳輸速度和容量獲得倍增並採用多工器，於發送端將不同波長的光載波進行合併，然後傳入單模光纖內，於接收端再由解多工器將不同波長的光載波分開，由於不同波長的載波是相互獨立的，所以可以雙向傳輸。依據多工器及解多工器規格之不同，可以選用所需傳送波長數量的產品。WDM技術的特點決定了它可以幾倍幾十倍地提升頻寬，由於分波多工系統的出現，使一條光纖由傳遞一個頻道粗波訊號升級成傳遞多個頻道細波訊號。
半導體雷射或稱雷射二極體(laser diode)具有體積小、消耗功率低等優點，被廣泛地應用於光電系統產品中，例如光波通信、家用電器、精密測量及光纖通信等產品。其中分散式回饋雷射(Distributed Feedback Laser,DFB laser)因具有製程簡易、單模輸出與適合長距傳輸等特性，由分散式回饋雷射產生的雷射光訊號在經過長距離傳輸後仍可維持良好的訊號雜訊比，故為現今光波通信及光纖通信系統中廣泛使用的光源。
其中DFB雷射內置了布拉格光柵(Bragg grating)，屬於側面發射的半導體雷射。DFB雷射主要以半導體材料為介質，包括銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。另一方面，電致發光亦稱電場發光(Electroluminescence,EL)，通常指電流通過物質時或物質處於強電場下發光的現象，在消費品生產中有時被稱為冷光。DFB雷射的最大特點是具有非常好的單色性(即光譜純度)，然而受磊晶以及晶圓製程穩定性與均勻性影響，電致發光之中心波長控制不易。
半導體製程中的蝕刻方式可分為溼式蝕刻和乾式蝕刻，溼式蝕刻的方式是在晶圓上曝上一層光阻，然後將化學蝕刻劑噴灑在晶圓上或將晶圓浸泡在化學溶液中蝕刻未覆蓋光阻區域，最後再將光阻洗除。但是由於溼式蝕刻屬於等向性蝕刻會連同側邊一同蝕刻，因此當線寬低於一定範圍例如3μm後，圖型的轉移會越來越不精確，所以逐漸被乾式蝕刻所取代。
蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域，以沉積其它材料。乾式蝕刻是半導體製造中最常用的製程之一。於開始蝕刻前，會先使用光微影製程於晶圓上製作圖案化之蝕刻遮罩，一般是光阻劑或硬罩(通常是氧化物或氮化物)。在晶圓製程中，圖案化和蝕刻的流程會重複地進行多次。蝕刻製程一直不斷在
進步，然而還是有其極限，不論如何改善仍會存有一定的誤差，也因此包含蝕刻製程之光電二極體經由後續加工製作後仍存在效能及品質上的差異。
本發明之一態樣提供了一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：形成一第一型半導體層；形成一發光複合層於該第一型半導體層上，該發光複合層具有一主動層及一光柵層；以及，形成複數第二型半導體層於該發光複合層上，該第二型半導體層相對該發光複合層為脊狀，預計形成該些複數第二型半導體層具有一目標脊部寬度，對應該目標脊部寬度預計形成一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度，而於成品中具有一第一實際脊部寬度及一第二實際脊部寬度。
本發明之另一態樣，為一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：形成一第一型半導體層；形成複數發光複合層於該第一型半導體層上，該發光複合層具有一主動層及一光柵層；以及，形成複數第二型半導體層於該發光複合層上，該發光複合層及該第二型半導體層相對該第一型半導體層為脊狀而定義為一脊部單元，預計形成該些脊部單元具有一目標脊部寬度，對應該目標脊部寬度預計形成一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度，而於成品中具有一第一實際脊部寬度及一第二實際脊部寬度；其中，該預設第一脊部寬度小於該目標脊部寬度，該預設第二脊部寬度大於該目標脊部寬度。
本發明提供了一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，藉由目標脊部寬度以及一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度，本發明提供了一
種改善蝕刻誤差之新製程。對於WDM應用，即波長分波多工技術，由於波長分布易超出規格，致使晶粒生產的產量相應降低，本發明提供了一種創新之解決方案。
另一方面，本發明於一實施例中在單一晶粒中設計一個以上不同寬度的脊狀波導，增加波長選擇性，可提高生產良率。本發明在原有的產品設計下，可不需另外修改磊晶以及光柵設計，僅需變更製程光罩的圖案設計，不影響製程流程數。換言之，本發明提供了一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，可提升良率並且使用彈性，不會增加製程難度並且應用廣泛。
11:第一型半導體層
12:發光複合層
13:主動層
14:光柵層
15:第二型半導體層
16:溝槽
21:第一型半導體層
22:發光複合層
23:主動層
24:光柵層
25:第二型半導體層
26:脊部單元
27:絕緣層
第1圖係本發明一實例之側視圖。
第2圖係本發明另一實施例之側視圖。
第3圖係本發明利用DFB波長隨等效折射率產生線性變化之示意圖。
第4圖係本發明利用波長隨脊寬改變之示意圖。
第5圖係本發明又一實施例之側視圖。
第6圖係本發明再一實施例之側視圖。
在半導體雷射中，輸出光束是一窄的並且呈楕圓形的光線，DFB(Distributed Feedback)波長由光柵的等效折射率和光柵週期所決定。當光柵週期固定時，DFB波長會受等效折射率影響。脊寬改變時，光柵的等效折射率會產生變化，DFB波長也會因此而改變。
本發明如下述各實施例，係提供一種分散式回饋雷射發光結構及其製造方法。於本發明一實施例，請參照第1圖及第2圖，一種分散式回饋雷射發光結構，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：一第一型半導體層11；一發光複合層12，設置於該第一型半導體層11上，該發光複合層12具有一主動層13及一光柵層14；複數第二型半導體層15，設置於該發光複合層12上，該第二型半導體層15相對該發光複合層12為脊狀且具有一脊部寬度；以及，複數溝槽16形成於該發光複合層12上，各該毗鄰溝槽16之間具有至少一該第二型半導體層15，且定義各該毗鄰溝槽16之間的該第一型半導體11、該發光複合層12及該第二型半導層15為一發光單元；其中該些發光單元之該脊部寬度包含有至少一預設第一脊部寬度及至少一預設第二脊部寬度，而於成品中具有一第一實際脊部寬度及一第二實際脊部寬度。以下接著說明如何形成此結構之製造方法。
於本發明其中一實施例，一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：形成一第一型半導體層11；形成一發光複合層12於該第一型半導體層11上，該發光複合層12具有一主動層13及一光柵層14，主動層13即發光層，形成該發光複合層12時可以先形成該光柵層14再形成該主動層13，亦可以先形成該主動層13再形成該光柵層14；以及，形成複數第二型半導體層15於該發光複合層12上，其中第一型半導體層11和第二型半導體層15分別是N型和P型半導體；該第二型半導體層15相對該發光複合層12為脊狀，亦即該些第二型半導體層15相較於該發光複合層12，該些第二型半導體層15之間存在間距並毗鄰地形成於該發光複合層12上，另外，在這些間距中，於發光複合層12上可設置溝槽16，或者溝槽16可以
更深，形成於發光複合層12及部份的第一型半導體11上，如此，可以達成電性分佈更集中，亦即發光結構中電子及電洞的結合效率更佳；在製程設計中，預計形成該些複數第二型半導體層15具有一目標脊部寬度，對應該目標脊部寬度設計有一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度，實際形成該些脊部單元具有一第一實際脊部寬度及一第二實際脊部寬度。
換言之，在製程設計時會先預計產品完成時會有一目標脊部寬度的第二型半導層，並且會再加入二個寬度，亦即預設第一脊部寬度及預設第二脊部寬度，此二個寬度會分別落在目標脊部寬度的附近；更詳細地說明，該預設第一脊部寬度與該預設第二脊部寬度分別小於和大於該目標脊部寬度，或者分別大於和小於該目標脊部寬度；更進一步而言，該預設第一脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第一落點差距，該預設第二脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第二落點差距，該第一落點差距小於該第二落點差距，亦或者該第一落點差距大於該第二落點差距，此部分可以依實際生產製程時之狀況而因應調整，使得生產成品之第二型半導體其脊部寬度利用預設第一脊部寬度和預設第二脊部寬度，且預設第一脊部寬度和預設第二脊部寬度相互對應地分別小於和大於或者大於或小於目標脊部寬度，而可以作雙邊調整，即同時往下及往上作脊部寬度減小及增大調整，而更接近原先之預計脊部寬度。
請參照第3圖及第4圖，在實際製程當中，使用者可以依據機台運作情形，即半導體製程設備之運作狀況，調整預設第一脊部寬度及預設第二脊部寬度並對應目標脊部寬度，例如於本發明一實施例中，目標脊部寬度A為1.6μm，利用預設第一脊部寬度B和預設第二脊部寬度C分別為1.4μm和1.8μm，預設第一脊部寬度B和預設第二脊部寬度C相互對應地分別小於和大於目標脊部
寬度A，並且於完成半導體製程後，在半導體製程設備存在不準確的情況下，形成產品之脊部寬度為1.52μm及1.92μm分別為實際第一脊部寬度w1及實際第二脊部寬度w2，如此實際第一脊部寬度1.52μm很接近於目標脊部寬度1.6μm，相同條件下之傳統製程，所形成單一的脊部寬度則會落在1.72μm，相較傳統製程本發明可因應機台運作狀況而可製作出更為接近目標脊部寬度之第二型半導體。於其它實施例中，預設第一脊部寬度和預設第二脊部寬度亦可相互對應地分別大於和小於該目標脊部寬度。
另一方面，預設第一脊部寬度及第二脊部寬度亦可設計為其中之一較接近目標脊部寬度，於本發明另一實施例中，目標脊部寬度為1.6μm，因應半導體製程設備狀況，利用預設第一脊部寬度和預設第二脊部寬度分別為1.5μm和1.75μm，如同上述及的，預設第一脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第一落點差距，該預設第二脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第二落點差距，於此實施例中，該第一落點差距0.1μm小於該第二落點差距0.15μm，並且於完成半導體製程後，形成產品之脊部寬度為1.38μm及1.63μm分別為實際第一脊部寬度w1及實際第二脊部寬度w2，如此實際第二脊部寬度1.63μm很接近於目標脊部寬度1.6μm，相同條件下之傳統製程，所形成單一的脊部寬度則會落在1.48μm，相較傳統製程本發明可因應機台運作狀況而可製作出更為接近目標脊部寬度之第二型半導體。脊部寬度可能因應該第二型半導體之形狀而位置不同，例如當第二型半導體是方形，該脊部寬度可以是第二型半導體的寬度，當第二型半導體是梯形，該脊部寬度可以是第二型半導體的下底之寬度，當第二型半導體是倒梯形，該脊部寬度可以是第二型半導體下底或上底的寬度。
請參照第3圖及第4圖，於本發明之結構，從該發光複合層12所發出之一光線，藉由該些第二型半導體層15得到具有一第一波長及一第二波長之光線分別對應該預設第一脊部寬度及該預設第二脊部寬度，也因此藉由本發明所發出的光線波長會更為接近原本預計之波長範圍；另一方面，該預設第一脊部寬度或第二脊部寬度與該目標脊部寬度之差異小於±0.2μm，換言之，第一預設脊部寬度和第二預設脊部寬度相較於目標脊部寬度，第一預設脊部寬度和第二預設脊部寬度相互對應地分別小於及大於，或大於及小於目標脊部寬度0.2μm的範圍內；並且於其中一實施例中，該預設第一脊部寬度及該預設第二脊部寬度在1.3~2.0μm之間，以對應預計之發光波長分佈在1306nm至1318nm範圍內；相對應地，晶片藉由該分散式回饋雷射發光結構，其發光波長分佈為λcenter±1.5~2nm範圍，詳而言之，於本發明一實施例中，光線波長隨著脊部寬度改變的變化率約為1nm/0.2μm，預設第一脊部寬度與該目標脊部寬度之差異小於0.2μm，預設第二脊部寬度與該目標脊部寬度之差異小於0.2μm，如此，其發光波長變化會在±1nm範圍。
本發明於另一實施例中，請參閱第5圖及第6圖，係提供了一種分散式回饋雷射發光結構，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：一第一型半導體層21；複數發光複合層22，設置於該第一型半導體層21上，該發光複合層22具有一主動層23及一光柵層24；複數第二型半導體層25，設置於該發光複合層22上，該發光複合層22及該第二型半導體層25相對該第一型半導體層21為脊狀而定義為一脊部單元26且具有一脊部寬度，而於成品中具有一第一實際脊部寬度及一第二實際脊部寬度；其中該些脊部單元26之該脊部寬度包含有至少一預設第一脊部寬度及至少一預設第二脊部寬度；
以及，複數絕緣層27，設置於該些發光複合層22之間。以下接著說明如何形成此結構之製造方法。
本發明於一實施例中，提供一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：形成一第一型半導體層21；形成複數發光複合層22於該第一型半導體層21上，該發光複合層22具有一主動層23及一光柵層24，主動層23即發光層，形成該發光複合層22時可以先形成該光柵層24再形成該主動層23，亦可以先形成該主動層23再形成該光柵層24；以及，形成複數第二型半導體層25於該發光複合層22上，其中第一型半導體層21和第二型半導體層25分別是N型和P型半導體，該發光複合層22及該第二型半導體層25相對該第一型半導體層21為脊狀而定義為一脊部單元26，亦即該些脊部單元26相較於該第一型半導體，該些脊部單元26之間存在間距並毗鄰地形成於該第一型半導體層21上。預計形成該些脊部單元26具有一目標脊部寬度，並對應該目標脊部寬度預計形成一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度，而於成品中具有一第一實際脊部寬度及一第二實際脊部寬度；其中，該預設第一脊部寬度小於該目標脊部寬度，該預設第二脊部寬度大於該目標脊部寬度；以及，形成複數絕緣層27於該些脊部單元26之間；在製程設計中，預計形成該些脊部單元26具有一目標脊部寬度，並且對應該目標脊部寬度有設計一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度。
換言之，在製程設計時會先預計產品完成時會有一目標脊部寬度的脊部單元26，並且會再加入二個寬度，亦即預設第一脊部寬度及預設第二脊部寬度，此二個寬度會分別落在目標脊部寬度的附近；更詳細地說明，該預設第一脊部寬度與該預設第二脊部寬度分別小於和大於該目標脊部寬度，或者分
別大於和小於該目標脊部寬度；更進一步而言，該預設第一脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第一落點差距，該預設第二脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第二落點差距，該第一落點差距小於該第二落點差距，亦或者該第一落點差距大於該第二落點差距，此部份可以依實際生產製程時之狀況而因應調整，使得生產成品之第二型半導體其脊部寬度藉由設計預設第一脊部寬度和預設第二脊部寬度，且預設第一脊部寬度和預設第二脊部寬度相互對應地分別小於和大於或者大於或小於目標脊部寬度。
本發明於一實施例中，可設計具有多個脊狀結構於半導體磊晶晶圓，而脊寬用於設計DFB波長。藉由每個脊的寬度不同，可用於作波長之選擇，好處在於，在產品製程設計階段時，可以毋需再次修改磊晶以及光柵設計。換言之，只要將光罩設計稍作調整，本發明提供了一種新的製程方法，不影響製程流程數。
本發明如以上實施例之說明，該脊狀結構可以是平台式或者埋入式。另一方面，基於光特性與可靠性考量，脊寬可形成在1.3~2.0μm的範圍內。而光源區，即發光複合層中的主動層，可以是AlInGaAs-base、InGaAsP-base或者InGaAlN-base，並且其應用涵蓋DML(Directly modulated laser)和EML(Electro-absorption modulated laser)。
11:第一型半導體層
12:發光複合層
13:主動層
14:光柵層
15:第二型半導體層
16:溝槽
Claims (14)
- 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：形成一第一型半導體層；形成一發光複合層於該第一型半導體層上，該發光複合層具有一主動層及一光柵層；以及，形成複數第二型半導體層於該發光複合層上，該第二型半導體層相對該發光複合層為脊狀，預計形成該些複數第二型半導體層具有一目標脊部寬度，對應該目標脊部寬度預計形成一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度，而於成品中具有一第一實際脊部寬度及一第二實際脊部寬度。
- 如請求項1所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中從該發光複合層所發出之一光線，藉由該些第二型半導體層得到具有一第一波長及一第二波長之光線分別對應該預設第一脊部寬度及該預設第二脊部寬度。
- 如請求項2所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中該預設第一脊部寬度與該預設第二脊部寬度相互對應地分別小於和大於該目標脊部寬度。
- 如請求項2所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中該預設第一脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第一落點差距，該預設第二脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第二落點差距，該第一落點差距小於該第二落點差距。
- 如請求項3所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中該預設第一脊部寬度與該目標脊部寬度相減小於±0.2μm，該預設第二脊部寬度與該目標脊部寬度相減小於±0.2μm。
- 如請求項3所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中該預設第一脊部寬度及該預設第二脊部寬度在1.3~2.0μm之間。
- 如請求項6所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中，一晶片藉由該分散式回饋雷射發光結構，其發光波長變化會在±1.5~2nm範圍。
- 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法，該分散式回饋雷射發光結構製成於一半導體磊晶晶圓上，包含：形成一第一型半導體層；形成複數發光複合層於該第一型半導體層上，該發光複合層具有一主動層及一光柵層；以及，形成複數第二型半導體層於該發光複合層上，該發光複合層及該第二型半導體層相對該第一型半導體層為脊狀而定義為一脊部單元，預計形成該些脊部單元具有一目標脊部寬度，對應該目標脊部寬度預計形成一預設第一脊部寬度及一預設第二脊部寬度，而於成品中具有一第一實際脊部寬度及一第二實際脊部寬度；其中，該預設第一脊部寬度小於該目標脊部寬度，該預設第二脊部寬度大於該目標脊部寬度；以及，形成複數絕緣層於該些脊部單元之間。
- 如請求項8所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中從該發光複合層所發出之一光線，藉由該些第二型半導體層得到具有一第一波長及一第二波長之光線分別對應該預設第一脊部寬度及該預設第二脊部寬度。
- 如請求項9所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中該預設第一脊部寬度與該預設第二脊部寬度相互對應地分別小於和大於該目標脊部寬度。
- 如請求項9所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中該預設第一脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第一落點差距，該預設第二脊部寬度和該目標脊部寬度相減為一第二落點差距，該第一落點差距小於該第二落點差距。
- 如請求項10所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中該預設第一脊部寬度與該目標脊部寬度相減小於±0.2μm，該預設第二脊部寬度與該目標脊部寬度相減小於±0.2μm。
- 如請求項10所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中該預設第一脊部寬度及該預設第二脊部寬度在1.3~2.0μm之間。
- 如請求項13所述之該分散式回饋雷射發光結構之製造方法，其中，一晶片藉由該分散式回饋雷射發光結構，其發光波長變化會在±1.5~2nm範圍。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111126202A TWI822179B (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111126202A TWI822179B (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI822179B true TWI822179B (zh) | 2023-11-11 |
| TW202404216A TW202404216A (zh) | 2024-01-16 |
Family
ID=89722381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111126202A TWI822179B (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI822179B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107230931A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-10-03 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块 |
| CN111342341A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-26 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种激光器结构及其制备方法和应用 |
| CN112924416A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-06-08 | 华中科技大学 | 测量分布反馈激光器纵向光场分布的装置及其测量方法 |
| CN113169521A (zh) * | 2018-11-19 | 2021-07-23 | 三菱电机株式会社 | 光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 |
-
2022
- 2022-07-13 TW TW111126202A patent/TWI822179B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107230931A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-10-03 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块 |
| CN113169521A (zh) * | 2018-11-19 | 2021-07-23 | 三菱电机株式会社 | 光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 |
| CN111342341A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-26 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种激光器结构及其制备方法和应用 |
| CN112924416A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-06-08 | 华中科技大学 | 测量分布反馈激光器纵向光场分布的装置及其测量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202404216A (zh) | 2024-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11271370B2 (en) | Tensile strained semiconductor photon emission and detection devices and integrated photonics system | |
| JP5758359B2 (ja) | 光配線デバイスおよびその製造方法 | |
| US11860410B2 (en) | Photonic integrated circuit platform and optical phase array device using the same | |
| CN1547791A (zh) | 非对称波导电吸收调制激光器 | |
| US9435949B2 (en) | Optical integrated circuit and manufacturing method thereof | |
| CN108649427B (zh) | 高效激射输出dfb半导体激光器装置及光子集成发射芯片 | |
| CN104779520A (zh) | 基于重构—等效啁啾的快速可调谐半导体激光器及制备方法 | |
| JP2003014963A (ja) | 半導体光集積素子とその製造方法並びに光通信用モジュール | |
| JP2014165292A (ja) | 発光素子及びその製造方法並びに光送受信器 | |
| JP2005333144A (ja) | 逆メサ構造を用いた光集積素子及びその製造方法 | |
| CN112290385A (zh) | 多波长硅基iii-v族混合集成激光器阵列单元及制作方法 | |
| CN102820616A (zh) | 利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 | |
| TWI822179B (zh) | 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法 | |
| US11769988B2 (en) | Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) tuned through application of mechanical stress via a piezoelectric material | |
| TWI822178B (zh) | 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法 | |
| CN107275925A (zh) | 激光芯片及其制备方法、光模块 | |
| JP2012002929A (ja) | 半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、光伝送装置 | |
| CN117438884A (zh) | 一种分散式回馈激光发光结构的制造方法 | |
| EP4033618A1 (en) | Mach zehnder-modulated lasers | |
| CN110687694A (zh) | 电吸收调制器及半导体器件 | |
| US20240019722A1 (en) | Wavelength division multiplexing receiver | |
| CN114899697B (zh) | 一种双波长级联半导体激光器及制备方法 | |
| US20230341624A1 (en) | Integrated optical devices and methods of forming the same | |
| TWI646742B (zh) | 可應用於移動前端的雷射晶片及雷射二極體 | |
| WO2020155029A1 (zh) | 一种半导体激光装置及其制造方法和设备 |