JP5758359B2 - 光配線デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
光配線デバイスおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5758359B2 JP5758359B2 JP2012177604A JP2012177604A JP5758359B2 JP 5758359 B2 JP5758359 B2 JP 5758359B2 JP 2012177604 A JP2012177604 A JP 2012177604A JP 2012177604 A JP2012177604 A JP 2012177604A JP 5758359 B2 JP5758359 B2 JP 5758359B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- layer
- waveguide
- light receiving
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 360
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 74
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 50
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 176
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 41
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 37
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 27
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 27
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 14
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 13
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N oxosilicon;silicon Chemical compound [Si].[Si]=O RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003811 SiGeC Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008694 Humulus lupulus Nutrition 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiN Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/131—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using epitaxial growth
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1071—Ring-lasers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12002—Three-dimensional structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
このようなLSIの高集積化に伴う配線遅延の問題を解決する技術として、光配線技術が注目されている。光配線技術は、光導波路を用いて光信号を伝送する方式であり、上記のような微細化に伴う配線抵抗や配線間容量の増大が発生せず、更なる動作速度の高速化が期待できる。このような光配線を用いて信号伝送を行うLSIとして、光電気混載LSIが提案されている。
電気信号を光信号に変換する素子としては、端面発光レーザや面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)、マイクロリングレーザなどの半導体レーザが用いられており、GHz帯での動作の報告例もある。
上述の発光素子、受光素子、光伝送路を同一の基板上に形成する光配線デバイスにおいて、Si基板上にレーザ構造と受光素子とを集積化する構造として、Si基板上に化合物半導体を選択的に成長することで発光および受光素子を形成し、両者を光配線で光学的に結合する構造が考えられる。この構造においては、選択性成長後に光素子を形成するので、個別に素子を集積するのとは異なり、この点においては、一定の量産性が期待できる。しかしながら、一般にSi基板上へのヘテロエピタキシャル成長においては結晶性に問題があり、これを克服するためには相当の厚さの結晶成長が必要となる。実際、この技術においては、素子膜厚以外に4μmもの厚さの結晶成長を行っており、量産化を考えた場合、製造コストや時間の点で改善が望まれる。さらに、この技術においては、高屈折率導波路を斜めに研磨することで光の向きを横方向に変換し、光配線を形成している。しかしながら通常光配線に用いられるSi光導波路の典型的な幅は約500nmと非常に微細である。発光素子からはある広がり角をもって光は出射されるため、効率よく光配線層に結合させるにはスポットサイズ変換機構が必要である。
一般に、光導波路は、コアと呼ばれる屈折率(n)の高い部分とクラッドと呼ばれる屈折率の低い部分で構成されているが、この屈折率の差(Δn)が大きくなればなるほど小さい曲げ半径を実現できることが知られている。これは、Δnが大きくなればなるほど光を強くコアの部分に閉じ込めることができるためで、急峻な曲げでも光が外部に漏れにくくなるためである。この型の光導波路は、一般に屈折率導波型(Index Guiding Waveguide)と呼ばれ、内部全反射機構(Total
Internal Reflection)で光が導波していく。理論上は、曲げ半径を数μmまで小型化できるのみならず、導波ロスを限りなく小さくすることが可能であるが、実験で得られる導波損失はきわめて高く、数10dB/cm乃至それ以上に及ぶことが報告されている。これは、光導波路加工時に形成される側面の面荒れによるものであることが知られている。
さらにまた、この実施の形態が解決しようとするもう一つの課題は、低コストで容易に製造することができ、曲げ半径が小さく導波損失の少ない低導波損失の光導波路を持つ光配線デバイスおよびその製造方法を提供することにある。
また、本実施の形態の他の効果として、光導波路の側面に存在する微小な面荒れが改善され、導波損失の小さい低導波損失の光導波路が得られ、これを用いることにより小型の光配線デバイス、ユニット、モジュールの製作が可能となる。
[第1の実施例]
図1及び図2は、本実施例を示す図であり、同図(a)はレーザ、受光素子および光導波路の上面図および同図(b)はA−A’に沿う断面図、図2は、図1(a)のレーザ領域226であるB−B’に沿う断面図である。
図2に示すように、本実施例の光配線デバイスを構成するレーザ領域210は、リング状に形成されたものであり、このレーザ領域210は、Si基板101上に下から順にp−GaAsコンタクト層111、AlxGa1−xAsクラッド層110、GaAs光閉じ込め層109、AlGaAs/GaAs多重量子井戸層108、GaAs光閉じ込め層107、AlyGa1−yAsクラッド層106、n−GaAsコンタクト層105からなる化合物半導体リングレーザによって構成され、これらを埋め込む形でSiO2からなる絶縁体層228が形成されている。このリングレーザにはp型およびn型オーミック電極224,226が形成されている。SiO2絶縁体層228の上にはアモルファスSiからなる光導波路230が形成されている。そして、この光配線デバイス全体を被覆するように絶縁被覆層232が形成されている。
まず、図3に示すように、n−GaAs基板102上に、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により、厚さ0.5μmのn−GaAsバッファ層103、厚さ0.1μmのn−AlGaAsエッチングストップ層104を形成する。
続いて、厚さ0.01μmのn―GaAsコンタクト層105、n−Al0.92Ga0.08Asクラッド層106、n―GaAs光閉じ込め層107、アンドープ多重量子井戸活性層108、p―GaAs光閉じ込め層109、p−Al0.92Ga0.08Asクラッド層110、厚さ0.01μmのp−GaAsコンタクト層111をこの順に形成する。
GaAsコンタクト層105とクラッド層106の間、クラッド層106とアンドープ多重量子井戸活性層108の間に、AlGaAsグレーデッド層を挿入しても構わない。AlGaAsグレーデッド層は、Al組成を0.1から0.92まで徐々に変化させる。
図5に示すように、化合物半導体層上にSiO2層211を成膜し、さらにその上に図示しないフォトレジストをパターニングする。このフォトレジストをマスクとしてSiO2層をドライエッチングで加工し、さらにこのフォトレジスト/SiO2層をマスクとして、コンタクト部を含めた素子の外周を形成する(図5)。引き続き、コンタクト層111を残してリング形状のレーザ領域210を同様にドライエッチングにより形成する(図6)。このリングの外径aおよび内径bはそれぞれ20μm、15μmである。次にリングの内周部を残してSiO2からなる保護膜215を形成した後、水蒸気酸化炉を用いてAlGaAsクラッド層106,110の内周部に接する部分216を選択的に酸化する(図7)。
次に、露出したリング構造を覆うSiO2217の一部を除去し、さらに残ったSiO2をエッチングマスクとしてコンタクト層105の一部をエッチングする。さらにこのエッチングされた部分に、AuGe合金および金を順次真空蒸着し、リフトオフを行なう。この後、アニールすることでn型コンタクト224を形成する(図12)。
次に、全体をSiO2228で覆い(図14)、これをCMPにより平坦化する。ただし、リングレーザ構造が形成されているため、1μm以上の凹凸が存在し、単純にCMP処理を行なったのでは平坦化することは困難である。このため、あらかじめ凹凸をできるだけ低減しておくことが望ましい。本実施例においては次のようにして段差を低減する。
図20に本実施例による受光素子の構造を示す。化合物半導体からなる円板状の受光素子構造240の上に渦巻状に光導波路242が設けられている。光導波路242を伝播してきた光信号はその下部に形成された受光素子の光吸収層に染み出して吸収され電気信号に変換される。受光素子を円板形状にすることで、素子サイズを小さいまま、光導波路と受光素子との結合長を長くとることができる。
上記第1の実施例では、ウェハー接合方法については、直接接合、あるいはアモルファスシリコンまたは多結晶シリコンをエピタキシャル成長層表面に成膜してこれをSiと接合する方法を例示したが、金属を用いて接合することも可能である。
このようにエピタキシャル成長層とSi基板とを接合して素子を作製する場合、素子分離が必要となることがある。金属層を介して接合した場合には電気的には短絡状態と等しくなる。また、アモルファスシリコンや多結晶シリコンも結晶Siに比べて高抵抗化が困難である。このような場合には、以下に説明する方法で素子間を電気的に分離することができる。
上記実施例においては、発光素子および受光素子としてリング型を実施例として説明したが、発光素子及び受光素子を、ディスク型、あるいは、直線状とすることもできる。図21に、直線形状の発光素子としてDFB型レーザを用いた場合の実施例を示す。図21(a)は、本実施例の光配線デバイスの上面図であり、図21(b)は、このデバイスの共振器方向(Si光導波路に沿った長手方向)に切断した断面図であり、図21(c)は、図21(a)のA−A’に沿って切断した断面構造図である。
回路が形成された基板上に光配線デバイスを形成することもできる。図24に回路が形成されたSi基板上への光配線デバイスの断面構造を示す。FETなどが形成されたSi基板上にメタル配線層があり、その上部に発光素子、受光素子、導波路などの光配線用デバイスが形成されている。電子回路は発光素子を駆動させるための回路であったり、受光素子からの光電流を電圧信号に変換して増幅するための回路であったりする。発光素子、受光素子と電子回路はメタル配線を介して接続される。この構造において、光素子において発生した熱を逃がすために、光素子とSi基板をメタル配線で接続した放熱用のメタル構造(以下、サーマルビアと呼ぶ)を設ける。光素子の放熱性を確保することで、高温、高出力動作時の安定性を維持することが可能となる。なお、サーマルビアは通常の電気信号を光素子に伝えるメタル配線と共用にしても、別に敷設しても構わない。また、図ではメタル配線層を複数本配置しているが、本数はこれに限らない。サーマルビアの寸法、本数は電子回路形成プロセスにおけるデザインルールで決定される。
以下にアモルファスシリコンと窒素酸化シリコン導波路を集積した光配線デバイスの実施例を詳細に説明する。
図25において入力側の導波路252、出力側の導波路254は、いずれも幅450〜600nm、高さ200〜300nmのアモルファスシリコンからなり、これらの先端部分はいずれも先端幅100〜200nmのテーパ状に加工されており、テーパ長は200〜300μmであった。導波路253(酸化シリコンとの屈折率差2%の窒素酸化シリコン)は幅3〜4μm、高さ1.5〜2μmであり、その前面、後面、側面および下面は厚い酸化シリコンで覆われている。これらの導波路構造は、図25の光導波路デバイスの要部断面図である図26に示すように、シリコン基板251上に形成された凹みを厚い酸化シリコン261で埋め込み平坦化した上面に、窒素酸化シリコン層253を熱CVDにより堆積して平坦化して、その後に、薄いアモルファスシリコン層252、254を成長して、さらにドライエッチングにより導波路構造を加工して形成した。
図27は、本実施例に係る光導波路デバイスの概略を示す上面図であり、図28は、発光デバイスと導波路の配置関係を示す概略図であり、図29は、導波路と受光器の配置関係を示す概略図である。
まず、図28(a)のように、4つの直径の異なるリングLD(レーザダイオード)光源281が、4本の出力用シリコン導波路285の一端に結合しており、4つの異なる波長の光(λ1、λ2、λ3、λ4)を発振して、各々直接変調を行なうことにより4チャンネル分の光信号を乗せて送信する。各シリコン導波路285に出力する。各シリコン導波路の他端252は、図27に示すようにSiON導波路253(数十cm長)の一端に接続しており、その先端がテーパ状に細くなっており、スポットサイズ変換を行なう。4本のシリコン導波路252によりSiON導波路253の入口まで伝送された光信号は、ここでSiON導波路253に結合し、4波長の波長多重信号としてSiON導波路253によって数十cmの距離を伝送される。SiON導波路253の他端(出口)は、一本のシリコン導波路254に接続しており、接続部のシリコン導波路は先端が細いテーパ状に形成されている(図27(a))。シリコン導波路254の他端は図29のように、4つの直径の異なるリング型波長フィルタ291により4つの波長(λ1、λ2、λ3、λ4)の光信号に分離され、各々、4本のシリコン導波路293の各々の一端に結合して伝送される。その後、各シリコン導波路の他端において、それぞれ受光素子(例えばスパイラルPD)によって受信されて、電気信号に変換される。
以下に、本実施例による導波路の詳細を図示の実施形態によって説明する。
(1)導波路作製プロセス、
(2)埋め込み平坦化プロセス
(3)ウェハ接合、基板除去プロセス
(4)素子作製プロセス
前記第8の実施例と同様に、Si基板上の(発光素子、受光素子、導波路からなる)光配線ユニット作製を用いて、本実施例を説明する。本実施例の工程は、図32に示した第8の実施例の工程と同様、以下の4つの工程から構成される。
(1)導波路作製プロセス、
(2)埋め込み平坦化プロセス
(3)ウェハ接合、基板除去プロセス
(4)素子作製プロセス
前記第8及び9の実施例と同様に、Si基板上の(発光素子、受光素子、導波路からなる)光配線ユニット作製を用いて、本実施例を説明する。本実施例は、図32に示した第8の実施例の工程と同様、以下の4つの工程から構成される。
(1)導波路作製プロセス、
(2)埋め込み平坦化プロセス
(3)ウェハ接合、基板除去プロセス
(4)素子作製プロセス
102…GaAs基板
103…n−GaAsバッファ層
104…n−AlGaAsエッチストップ層
105…n−GaAsコンタクト層
106…n−AlGaAsクラッド層
107…n−GaAl光閉じ込め層
108…多重量子井戸活性層
109…n−GaAl光閉じ込め層
110…n−AlGaAsクラッド層
111…n−GaAsコンタクト層
210…レーザ領域
211…SiO2
215…保護膜
216…AlGaAs内周部領域
217…保護膜
218…AlGaAs外周部領域
220…SiO2
222…ポリイミド
224…n型コンタクト
226…p電極
228…SiO2
230…導波路
232…絶縁被覆層
234…引き出し配線
236…引き出し配線
240…受光素子
242…光導波路
251…シリコン基板
252…入力側導波路
253…導波路
254…出力側導波路
261…酸化シリコン
275…補助導波路
281…レーザ光源
285…出力用シリコン導波路
291…リング型波長フィルタ
292、293…シリコン導波路
300…BOX層(シリコン酸化物層)
301…シリコン導波路
302…シリコン導波路
303…窒素酸化シリコン(SiON)導波路
310…シリコン基板
341…シリコン基板
342…BOX層(シリコン酸化物層)
343…単結晶シリコン層
344…SiO2パッド層
345…SiN(Si3N4)層
346…シリコン酸化物層
347…SiO2埋め込み層
348…GaAs基板
351…SOIウェハ
352…埋め込み酸化膜層
353…単結晶シリコン層(トップSi層)
354…SiO2パッド層
355…シリコン窒化膜
356…シリコン導波路
Claims (11)
- シリコン基板上に、同一の層構造からなるリング状発光素子と円板状受光素子が形成されており、これら発光素子および受光素子の少なくとも一部は絶縁体で埋め込まれており、この絶縁体の上部に前記発光素子および受光素子と分布結合的に光学結合しているアモルファスシリコンからなる光導波路であって、少なくとも前記受光素子に光学結合している光導波路が渦巻状である光導波路が形成されていることを特徴とする光配線デバイス。
- シリコン基板と上記発光素子および受光素子との間に、金属、または、アモルファスシリコン、または多結晶シリコンの少なくとも一種類からなる層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の光配線デバイス。
- 上記発光素子および受光素子は化合物半導体であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の光配線デバイス。
- 上記シリコン基板には、上記発光素子と受光素子を駆動するための電子回路が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の光配線デバイス。
- 上記発光素子および受光素子と結合する光導波路の少なくとも一部が誘電体または有機物からなる光導波路と結合していることを特徴とする請求項1記載の光配線デバイス。
- シリコン基板上に、電子回路および金属配線層が形成され、この金属配線層の一部はこの電子回路とは電気的な接続をすることなくシリコン基板と接触しており、この金属配線層の上部には同一の層構造からなる発光素子と受光素子が形成されており、これら発光素子および受光素子の少なくとも一部は絶縁体で埋め込まれており、この絶縁体の上部に前記発光素子および受光素子と分布結合的に光学結合している光導波路が形成されていることを特徴とする光配線デバイス。
- 半導体基板上に形成された、リング状発光素子と円板状受光素子受光素子を構成する層を有するエピタキシャル成長層を、シリコン基板上に接合させる工程と、前記半導体基板を除去する工程と、前記リング状発光素子と円板状受光素子を形成する工程と、全体を絶縁体層で覆う工程と、この絶縁体層を研磨して平坦化する工程と、この研磨された絶縁体層の上にアモルファスシリコンからなる渦巻状光導波路を形成する工程と、この光導波路を第二の絶縁体層で覆う工程と、前記発光素子および受光素子に電気配線を形成する工程、とを有する光配線デバイスの製造方法。
- エピタキシャル成長層上にアモルファスシリコンまたは多結晶シリコンを堆積する工程と、これを研磨して平坦化する工程と、この平坦化面をシリコン基板に接合させる工程、とを有することを特徴とする請求項7記載の光配線デバイスの製造方法。
- エピタキシャル成長層およびシリコン基板上に金属膜を形成する工程と、これら金属面を介して接合させる工程とを有することを特徴とする請求項7記載の光配線デバイスの製造方法。
- エピタキシャル成長層上にアモルファスシリコンまたは多結晶シリコンを堆積する工程と、これを研磨して平坦化する工程と、この平坦化面上に金属膜を形成する工程と、シリコン基板上に金属膜を形成する工程と、これら金属面を介して接合させる工程、とを有することを特徴とする請求項7記載の光配線デバイスの製造方法。
- シリコン基板に電子回路を形成する工程と、この電子回路層の上面からシリコン基板に通じる金属を設ける工程と、このシリコン基板の上面に金属膜を形成する工程と、エピタキシャル成長層上に金属膜を形成する工程と、これら金属面を介して接合させる工程とを有することを特徴とする請求項7記載の光配線デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012177604A JP5758359B2 (ja) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | 光配線デバイスおよびその製造方法 |
US13/960,388 US9341776B2 (en) | 2012-08-09 | 2013-08-06 | Optical interconnection device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012177604A JP5758359B2 (ja) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | 光配線デバイスおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014157434A Division JP5818952B2 (ja) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | 光配線デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014035498A JP2014035498A (ja) | 2014-02-24 |
JP5758359B2 true JP5758359B2 (ja) | 2015-08-05 |
Family
ID=50066241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012177604A Active JP5758359B2 (ja) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | 光配線デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9341776B2 (ja) |
JP (1) | JP5758359B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6089897B2 (ja) * | 2013-04-08 | 2017-03-08 | 富士通株式会社 | スポットサイズ変換器、光導波路及びスポットサイズ変換器の製造方法 |
US9772461B2 (en) * | 2013-10-02 | 2017-09-26 | Photonics Electronics Technology Research Association | Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same |
FR3024910A1 (fr) | 2014-08-18 | 2016-02-19 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de fabrication d'un circuit integre photonique couple optiquement a un laser en un materian iii-v |
US9372316B2 (en) * | 2014-09-11 | 2016-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Silicon interface for dielectric slab waveguide |
US10126512B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Differential silicon interface for dielectric slab waveguide |
US10162198B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multiband QAM interface for slab waveguide |
JP5914605B2 (ja) | 2014-09-19 | 2016-05-11 | 株式会社東芝 | 半導体受光素子 |
JP6394285B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-09-26 | 富士通株式会社 | 光導波路、スポットサイズ変換器及び光装置 |
US9461441B2 (en) * | 2015-02-09 | 2016-10-04 | Stmicroelectronics Sa | Integrated hybrid laser source compatible with a silicon technology platform, and fabrication process |
JP2016178234A (ja) | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 株式会社東芝 | 半導体受光デバイス |
US20160360978A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Omnisensing Photonics LLC | Interferometric focusing beam optical cardiovascular sensor |
TWI707168B (zh) * | 2016-01-29 | 2020-10-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 整合式晶片及形成整合式介電質波導的方法 |
US11239634B2 (en) * | 2016-02-29 | 2022-02-01 | Unm Rainforest Innovations | Ring laser integrated with silicon-on-insulator waveguide |
JP2017174838A (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 株式会社東芝 | 半導体受光デバイス |
US10872950B2 (en) * | 2016-10-04 | 2020-12-22 | Nanohenry Inc. | Method for growing very thick thermal local silicon oxide structures and silicon oxide embedded spiral inductors |
US11175454B2 (en) | 2017-04-21 | 2021-11-16 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Light escalators in optical circuits between thick and thin waveguides |
FR3067866B1 (fr) * | 2017-06-19 | 2022-01-14 | Commissariat Energie Atomique | Composant laser semiconducteur hybride et procede de fabrication d'un tel composant |
US10976489B2 (en) * | 2018-07-16 | 2021-04-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Optical device and method of manufacturing the same |
US10651110B1 (en) * | 2018-12-31 | 2020-05-12 | Juniper Networks, Inc. | Efficient heat-sinking in PIN diode |
JP7189036B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-12-13 | 京セラ株式会社 | 受発光装置 |
US11079544B2 (en) * | 2019-08-05 | 2021-08-03 | Globalfoundries U.S. Inc. | Waveguide absorbers |
KR20210143609A (ko) | 2020-05-20 | 2021-11-29 | 삼성전자주식회사 | 광집적회로용 플랫폼 및 이를 이용한 광학 위상 어레이 소자 |
US11490177B1 (en) | 2020-06-05 | 2022-11-01 | Luminous Computing, Inc. | Optical link system and method for computation |
US11353654B2 (en) | 2020-09-24 | 2022-06-07 | Globalfoundries U.S. Inc. | Waveguide absorbers |
US11609375B2 (en) * | 2021-02-22 | 2023-03-21 | Luminous Computing, Inc. | Photonic integrated circuit system and method of fabrication |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4470143A (en) * | 1981-08-18 | 1984-09-04 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser having an etched mirror and a narrow stripe width, with an integrated photodetector |
US4675518A (en) * | 1982-03-05 | 1987-06-23 | Omron Tateisi Electronics Co. | Optical bistable device |
EP0410067B1 (en) * | 1989-07-27 | 1993-09-22 | International Business Machines Corporation | Integrated semiconductor diode laser and photodiode structure |
US4989214A (en) * | 1990-05-11 | 1991-01-29 | Northern Telecom Limited | Laser diode, method for making device and method for monitoring performance of laser diode |
US5239189A (en) * | 1991-06-07 | 1993-08-24 | Eastman Kodak Company | Integrated light emitting and light detecting device |
US5398256A (en) * | 1993-05-10 | 1995-03-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Interferometric ring lasers and optical devices |
KR100463911B1 (ko) * | 1997-10-01 | 2004-12-30 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 광정보처리장치 |
JP3100584B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2000-10-16 | 日本電信電話株式会社 | 光電子集積回路およびその作製方法 |
JP2001124565A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Canon Inc | 光ジャイロ及びこれを用いる回転方向の検知方法 |
JP3543121B2 (ja) | 2000-10-18 | 2004-07-14 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路接続構造 |
JP3652252B2 (ja) * | 2001-01-17 | 2005-05-25 | キヤノン株式会社 | 半導体光装置 |
DE10201126A1 (de) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Infineon Technologies Ag | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP4671672B2 (ja) * | 2004-12-01 | 2011-04-20 | 株式会社リコー | 受発光装置、光送受信モジュール、光送信モジュールおよび光通信システム |
JP2007052328A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Ricoh Co Ltd | 複合光導波路 |
US20090078963A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-03-26 | Salah Khodja | Nano-optoelectronic chip structure and method |
JP4886627B2 (ja) | 2007-07-31 | 2012-02-29 | 株式会社東芝 | 光結合デバイス |
JP2010152274A (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 光集積デバイス及びその製造方法 |
EP2214042B1 (en) * | 2009-02-02 | 2015-03-11 | Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives | Method of producing a photonic device and corresponding photonic device |
JP5259829B2 (ja) | 2009-09-28 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 光結合装置及び光合分波装置 |
JP5093527B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2012-12-12 | 日本電気株式会社 | 複合光導波路、波長可変フィルタ、波長可変レーザ、および光集積回路 |
US8848760B2 (en) * | 2012-06-06 | 2014-09-30 | California Institute Of Technology | On-chip optical reference cavity exhibiting reduced resonance center frequency fluctuations |
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012177604A patent/JP5758359B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-06 US US13/960,388 patent/US9341776B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140044391A1 (en) | 2014-02-13 |
JP2014035498A (ja) | 2014-02-24 |
US9341776B2 (en) | 2016-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5758359B2 (ja) | 光配線デバイスおよびその製造方法 | |
US10877211B2 (en) | Methods of fabricating integrated circuit devices with components on both sides of a semiconductor layer | |
US11585977B2 (en) | Broadband back mirror for a photonic chip | |
JP6300240B2 (ja) | 半導体デバイス | |
JP5897414B2 (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
US9136672B2 (en) | Optical light source | |
US10511147B2 (en) | Laser device and process for fabricating such a laser device | |
US10192857B2 (en) | Direct bandgap semiconductor bonded to silicon photonics | |
JP6295762B2 (ja) | 光集積回路とその製造方法 | |
TW201333561A (zh) | 電子/光子積體電路架構及其製造方法 | |
US20190123231A1 (en) | Optoelectronic integrated semiconductor module and method for manufacturing same | |
US8885685B2 (en) | Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting apparatus, and method for manufacturing semiconductor light emitting | |
CN113396486A (zh) | 具有电介质dbr的磷化铟vcsel | |
US10811844B2 (en) | External cavity laser using vertical-cavity surface-emitting laser and silicon optical element | |
US11695254B2 (en) | Quantum dot slab-coupled optical waveguide emitters | |
JP5818952B2 (ja) | 光配線デバイス | |
US11888290B2 (en) | Supermode filtering waveguide emitters | |
WO2012002045A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、集積基板、光モジュール、光通信装置 | |
JP2017054859A (ja) | 半導体発光デバイス | |
US20240213382A1 (en) | Optoelectronic system comprising a transducer and a waveguide | |
JP2015184375A (ja) | 光配線デバイスおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140801 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141126 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150603 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5758359 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |