TWI821731B - 底部發光型發光二極體顯示器 - Google Patents
底部發光型發光二極體顯示器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI821731B TWI821731B TW110131025A TW110131025A TWI821731B TW I821731 B TWI821731 B TW I821731B TW 110131025 A TW110131025 A TW 110131025A TW 110131025 A TW110131025 A TW 110131025A TW I821731 B TWI821731 B TW I821731B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- emitting
- display
- diode display
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種底部發光型發光二極體顯示器,包含透明基板;複數發光二極體,接合於基板;封裝層,形成於基板上以覆蓋發光二極體;及反射層,形成於封裝層上,以反射發光二極體所發射光線。其中反射層具有非平滑形狀或者封裝層具有不同折射率。
Description
本發明係有關一種底部發光型(bottom-emission)發光二極體顯示器(LED display),特別是關於一種具高發光效能(luminous efficiency)的底部發光型發光二極體顯示器。
微發光二極體(microLED、mLED或μLED)顯示面板為平板顯示器(flat panel display)的一種,其係由尺寸等級為1~10微米之個別精微(microscopic)發光二極體所組成。相較於傳統液晶顯示面板,微發光二極體顯示面板具較大對比度及較快反應時間,且消耗較少功率。微發光二極體與有機發光二極體(OLED)雖然同樣具有低功耗的特性,但是,微發光二極體因為使用三-五族二極體技術(例如氮化鎵),因此相較於有機發光二極體具有較高的亮度(brightness)、較高的發光效能及較長的壽命。
底部發光型發光二極體顯示器為發光二極體顯示器的一種,其發光二極體向下發光。於底部發光型發光二極體顯示器中,發光二極體所發射光線首先被反射,接著向下行進,但是可能被發光二極體的接合墊(bonding pad)或基板的相應接觸區(例如電極走線)阻擋,因而降低發光效能。此外,反射的光線可能被發光二極體吸收,因而更降低發光效能。
因此亟需提出一種新穎的底部發光型發光二極體顯示器,用以克服傳統底部發光型發光二極體顯示器的缺失。
鑑於上述,本發明實施例的目的之一在於提出一種底部發光型發光二極體顯示器,具非平滑(non-smooth)反射/封裝層或具不同折射率(refractivity)的封裝層,可增進發功效能。
根據本發明實施例,底部發光型發光二極體顯示器包含透明基板、複數發光二極體、封裝層及反射層。發光二極體接合於基板。封裝層形成於基板上以覆蓋發光二極體。反射層形成於封裝層上,以反射發光二極體所發射光線。在一實施例中,反射層具有非平滑形狀。在另一實施例中,封裝層具有不同折射率。
第一圖顯示本發明第一實施例的底部發光型(bottom-emission)發光二極體(LED)顯示器100的剖面圖。
在本實施例中,底部發光型發光二極體顯示器(以下簡稱顯示器)100可包含透明基板11,例如玻璃。發光二極體12可藉由接合墊(bonding pad)13,例如焊接凸塊(solder bump),而(翻轉)接合至基板11。本實施例的顯示器100可包含封裝層(packaging layer)14,形成於基板11上,以覆蓋發光二極體12。
在本實施例中,顯示器100可包含反射層15,形成於封裝層14上,以反射發光二極體12所發射光線。根據本實施例的特徵之一,反射層15或/且封裝層14具有非平滑(外部)形狀或表面。在本實施例中,反射層15具有凹陷151,向發光二極體12彎曲,且對齊於發光二極體12(在本實施例中為紅色發光二極體、綠色發光二極體及藍色發光二極體)。
相較於傳統具平滑反射層的底部發光型發光二極體顯示器,根據第一圖所示顯示器100,受反射層15所反射光線具有更多的方向(如箭號所示)。藉此,反射光線較可能避開發光二極體12的接合墊13與基板11的相應接觸區(未顯示)。此外,反射的光線較可能避免被發光二極體12吸收。因此,顯示器100的發光效能可大量的增進。
在本實施例中,封裝層14可包含具高透光度(transmittance)的透明材質,例如光阻、環氧樹脂(epoxy resin)、矽基膠(silicon-based glue)、壓克力(acrylic)或高分子聚合物(polymer)。反射層15可包含反射材質(例如反射率大於70%),例如金屬塗層、反射薄膜或反射膠。
在一實施例中,顯示器100的(封裝層14的)非平滑形狀可使用半導體製程來形成。例如,可使用具不同透光度的區域的光罩(例如半色調光罩(half-tone mask)或狹縫光罩(slit mask))以形成特定結構,例如凹陷151。在另一實施例中,可對某一區域進行多次微影曝光(photolithographic exposure)以形成特定結構,例如凹陷151。
在另一實施例中,顯示器100的非平滑形狀可使用塗佈(coating)製程來形成。例如,可使用塗佈技術(例如噴墨印刷(inkjet printing)、網版印刷(screen printing)、噴霧(spray)或點膠(dispensing))以形成特定結構(例如凹陷151),可配合模製(molding)。在另一實施例中,可使用壓模技術(compress molding)且調整塗佈材質的黏度(viscosity)以形成特定結構,例如凹陷151。
在又一實施例中,顯示器100的非平滑形狀可使用黏著技術(adhesion)來形成。例如,可使用具預製結構的薄膜以形成特定結構,例如凹陷151。
第二圖顯示本發明第二實施例的底部發光型發光二極體顯示器200的剖面圖。底部發光型發光二極體顯示器(以下簡稱顯示器)200類似於第一圖的顯示器100,其差異說明如下。
本實施例的反射層15或/且封裝層14具有非平滑(外部)形狀或表面。在本實施例中,反射層15具有複數凹陷151,分別向發光二極體12(例如紅色發光二極體、綠色發光二極體及藍色發光二極體)彎曲,且分別對齊於發光二極體12。
第三圖顯示本發明第三實施例的底部發光型發光二極體顯示器300的剖面圖。底部發光型發光二極體顯示器(以下簡稱顯示器)300類似於第一圖的顯示器100,其差異說明如下。
本實施例的反射層15具有非平滑(外部)形狀或表面。在本實施例中,反射層15具有複數凸塊(convex bump)152,背離發光二極體12向外突出。
第四顯示本發明第四實施例的底部發光型發光二極體顯示器400的剖面圖。底部發光型發光二極體顯示器(以下簡稱顯示器)400類似於第一圖的顯示器100,其差異說明如下。
本實施例的反射層15具有非平滑(外部)形狀或表面。在本實施例中,反射層15具有複數凹腔(concave cavity)153,面向發光二極體12向內凹入。
第五顯示本發明第五實施例的底部發光型發光二極體顯示器500的剖面圖。底部發光型發光二極體顯示器(以下簡稱顯示器)500類似於第一圖的顯示器100,其差異說明如下。
本實施例的反射層15具有非平滑(外部)形狀或表面。在本實施例中,反射層15具有(凸狀)多面體(polyhedron)形狀,其具有複數多邊(polygonal)表面154。
第六顯示本發明第六實施例的底部發光型發光二極體顯示器600的剖面圖。底部發光型發光二極體顯示器(以下簡稱顯示器)600類似於第一圖的顯示器100,其差異說明如下。
本實施例的反射層15具有非平滑(外部)形狀或表面。在本實施例中,反射層15的表面具有不規則(irregular)形狀。在一實施例中,奈米粒子(nanoparticle)155覆蓋封裝層14,再形成反射層15於奈米粒子155上,因而於反射層15的外表面形成不規則形狀。
第七顯示本發明第七實施例的底部發光型發光二極體顯示器700的剖面圖。
在本實施例中,底部發光型發光二極體顯示器(以下簡稱顯示器)700可包含透明基板11,例如玻璃。發光二極體12可藉由接合墊(或焊接凸塊)13而(翻轉)接合至基板11。本實施例的顯示器700可包含封裝層14,形成於基板11上,以覆蓋發光二極體12;且可包含反射層15,形成於封裝層14上,以反射發光二極體12所發射光線。
根據本實施例的特徵之一,封裝層14可包含複數封裝次層(例如14a~14d),從發光二極體12往反射層15,依序覆蓋發光二極體12。特別的是,在本實施例中,下層(或內層)的封裝次層的折射率高於上層(或外層)的封裝次層的折射率。
根據第七圖所示的顯示器700,發光二極體12所發射光線可能以異於原始發射方向的方向而被反射回來。如第七圖所示,由於封裝次層14a的高折射率,發光二極體12發射的一些光線會被全反射(total reflection)(如箭號141所示)。發光二極體12發射的另一些光線被封裝次層14a~14d依序折射(如箭號142所示),最後被反射層15反射。發光二極體12發射的另一些光線被封裝次層14a~14c依序折射,接著由於封裝次層14d的低折射率,光線會被全反射(如箭號143所示)。
第八顯示本發明第八實施例的底部發光型發光二極體顯示器800的剖面圖。
在本實施例中,底部發光型發光二極體顯示器(以下簡稱顯示器)800可包含透明基板11,例如玻璃。發光二極體12可藉由接合墊(或焊接凸塊)13而(翻轉)接合至基板11。本實施例的顯示器800可包含封裝層14,形成於基板11上,以覆蓋發光二極體12;且可包含反射層15,形成於封裝層14上,以反射發光二極體12所發射光線。
根據本實施例的特徵之一,於封裝層14加入具不同折射率的粒子144或粉末,使得發光二極體12所發射光線的行進方向受到粒子144或粉末的改變(如箭號所示)。在本實施例中,粒子144或粉末可為具高折射率的粉末,例如量子點(quantum dot)粉末或金屬球。
以上所述僅為本發明之較佳實施例而已,並非用以限定本發明之申請專利範圍;凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾,均應包含在下述之申請專利範圍內。
100:底部發光型發光二極體顯示器
200:底部發光型發光二極體顯示器
300:底部發光型發光二極體顯示器
400:底部發光型發光二極體顯示器
500:底部發光型發光二極體顯示器
600:底部發光型發光二極體顯示器
700:底部發光型發光二極體顯示器
800:底部發光型發光二極體顯示器
11:基板
12:發光二極體
13:接合墊
14:封裝層
14a~14d:封裝次層
141~143:光線行進方向
144:粒子
15:反射層
151:凹陷
152:凸塊
153:凹腔
154:多邊表面
155:奈米粒子
第一圖顯示本發明第一實施例的底部發光型發光二極體顯示器的剖面圖。
第二圖顯示本發明第二實施例的底部發光型發光二極體顯示器的剖面圖。
第三圖顯示本發明第三實施例的底部發光型發光二極體顯示器的剖面圖。
第四圖顯示本發明第四實施例的底部發光型發光二極體顯示器的剖面圖。
第五圖顯示本發明第五實施例的底部發光型發光二極體顯示器的剖面圖。
第六圖顯示本發明第六實施例的底部發光型發光二極體顯示器的剖面圖。
第七圖顯示本發明第七實施例的底部發光型發光二極體顯示器的剖面圖。
第八圖顯示本發明第八實施例的底部發光型發光二極體顯示器的剖面圖。
200:底部發光型發光二極體顯示器
11:基板
12:發光二極體
13:接合墊
14:封裝層
15:反射層
151:凹陷
Claims (5)
- 一種底部發光型發光二極體顯示器,包含:一透明基板;複數發光二極體,接合於該基板;一封裝層,形成於該基板上以覆蓋該發光二極體;及一反射層,形成於該封裝層上,以反射該發光二極體所發射光線;其中該反射層具有非平滑形狀;其中每一個發光二極體之正上方的該反射層對應具有一凹陷,其具圓滑曲面且向對應之該發光二極體彎曲,且對齊於對應之該發光二極體。
- 如請求項1之底部發光型發光二極體顯示器,其中該基板包含玻璃。
- 如請求項1之底部發光型發光二極體顯示器,更包含:接合墊,藉以讓該發光二極體接合至該基板。
- 如請求項1之底部發光型發光二極體顯示器,其中該封裝層包含透明材質。
- 如請求項1之底部發光型發光二極體顯示器,其中該反射層包含具反射率高於70%的反射材質。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110131025A TWI821731B (zh) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | 底部發光型發光二極體顯示器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110131025A TWI821731B (zh) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | 底部發光型發光二極體顯示器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202310385A TW202310385A (zh) | 2023-03-01 |
TWI821731B true TWI821731B (zh) | 2023-11-11 |
Family
ID=86690810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110131025A TWI821731B (zh) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | 底部發光型發光二極體顯示器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI821731B (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2922136Y (zh) * | 2006-04-28 | 2007-07-11 | 亿光电子工业股份有限公司 | Led封装结构 |
TW201304217A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-16 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
TW201344957A (zh) * | 2012-04-20 | 2013-11-01 | Genesis Photonics Inc | 半導體發光元件及覆晶式封裝元件 |
TW201346010A (zh) * | 2006-08-22 | 2013-11-16 | Mitsubishi Chem Corp | 半導體組件用構件及半導體發光組件 |
TW201513406A (zh) * | 2013-08-29 | 2015-04-01 | Nichia Corp | 發光裝置 |
CN111883009A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-11-03 | 季华实验室 | 一种玻璃基板微小间距led显示模组和显示器 |
-
2021
- 2021-08-23 TW TW110131025A patent/TWI821731B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2922136Y (zh) * | 2006-04-28 | 2007-07-11 | 亿光电子工业股份有限公司 | Led封装结构 |
TW201346010A (zh) * | 2006-08-22 | 2013-11-16 | Mitsubishi Chem Corp | 半導體組件用構件及半導體發光組件 |
TW201304217A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-16 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
TW201344957A (zh) * | 2012-04-20 | 2013-11-01 | Genesis Photonics Inc | 半導體發光元件及覆晶式封裝元件 |
TW201513406A (zh) * | 2013-08-29 | 2015-04-01 | Nichia Corp | 發光裝置 |
CN111883009A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-11-03 | 季华实验室 | 一种玻璃基板微小间距led显示模组和显示器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202310385A (zh) | 2023-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2515353A2 (en) | Light emitting diode package and lighting device with the same | |
TW201017940A (en) | Light emitting unit | |
US20140151740A1 (en) | Micro-Structure Phosphor Coating | |
TWI504009B (zh) | 具有覆晶式安裝固態輻射傳感器之固態輻射傳感器裝置及其關聯的系統及方法 | |
TWI531091B (zh) | 發光二極體封裝結構及其封裝方法 | |
JP2004235337A (ja) | 発光ダイオード | |
WO2021166772A1 (ja) | 発光デバイス、および発光デバイスの製造方法 | |
TWM453969U (zh) | 發光裝置 | |
TWM549964U (zh) | 具面光源之發光二極體封裝結構 | |
CN113725346A (zh) | Mini LED背光源、背光模组及其制作方法 | |
TWI732434B (zh) | 顯示裝置之光源模組及其製造方法 | |
JP6596410B2 (ja) | チップスケールパッケージ発光素子およびその製造方法 | |
WO2013157310A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
TW201533931A (zh) | 一種強光led光源模組及其生產工藝 | |
TWI821731B (zh) | 底部發光型發光二極體顯示器 | |
CN210349833U (zh) | 一种超高光转化率彩色膜和显示面板 | |
US11967601B2 (en) | Bottom-emission light-emitting diode display | |
CN115732528A (zh) | 底部发光型发光二极管显示器 | |
TWI352419B (en) | Light emitting unit | |
TWI398968B (zh) | 發光二極體結構以及其製作方法 | |
CN216597633U (zh) | Mini LED背光源、背光模组 | |
CN113394320A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
CN114023867B (zh) | 一种全彩化Micro-LED显示面板及其制造方法 | |
TW201525044A (zh) | 發光裝置及波長轉換層的製作方法 | |
TWI794769B (zh) | 發光裝置及其製造方法 |