TWI794769B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

發光裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI794769B
TWI794769B TW110109208A TW110109208A TWI794769B TW I794769 B TWI794769 B TW I794769B TW 110109208 A TW110109208 A TW 110109208A TW 110109208 A TW110109208 A TW 110109208A TW I794769 B TWI794769 B TW I794769B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
layer
light conversion
adhesive layer
emitting device
Prior art date
Application number
TW110109208A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202238034A (zh
Inventor
陳英杰
Original Assignee
台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣愛司帝科技股份有限公司 filed Critical 台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority to TW110109208A priority Critical patent/TWI794769B/zh
Priority to CN202111334635.1A priority patent/CN115084106A/zh
Priority to US17/523,931 priority patent/US20220293827A1/en
Publication of TW202238034A publication Critical patent/TW202238034A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI794769B publication Critical patent/TWI794769B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種發光裝置，其包括電路基板、至少一發光元件、光轉換層以及透光層。發光元件配置於電路基板上且電性連接於電路基板。光轉換層覆蓋於發光元件上。透光層位於發光元件與光轉換層之間。

Description

發光裝置及其製造方法
本發明是有關於一種電子裝置及其製造方法，且特別是有關於一種發光裝置及其製造方法。
一般而言，量子點膜或螢光膜常藉由真空濺鍍、真空蒸鍍或水鍍法的方式形成。但是，若用在電子裝置的製造方法之中，可能會花費較多的時間，且/或受到被鍍物的限制。以真空濺鍍或真空蒸鍍為例，需要將被鍍物至於腔體中，然後再將置有被鍍物的腔體抽真空。以水鍍法為例，需要將被鍍物放入水中，這可能會造成一些信賴性的問題，而且很多的被鍍物不可以碰水。
本發明提供一種發光裝置及其製造方法。
本發明的發光裝置的製造方法包括以下步驟：提供電路基板，其中電路基板的表面上配置有至少一發光元件；形成第一黏著層於發光元件上；施用第一光轉換粒子於第一黏著層上，形 成第一光轉換層；以及固化第一黏著層。
本發明的發光裝置包括電路基板、至少一發光元件、光轉換層以及透光層。發光元件配置於電路基板上且電性連接於電路基板。光轉換層覆蓋於發光元件上。透光層位於發光元件與光轉換層之間。
基於上述，在本發明的發光裝置的製造方法中，可以在常溫及/或常壓下藉由光轉換粒子形成光轉換層。因此，發光裝置的製造方法可以較為簡單且發光裝置可以較快速地被生產。
100、200、500、600:發光裝置
110:電路基板
111:連接墊
110a:表面
120、121、122、123:發光元件
120a、120b、120c:面
131、231、531、532、533:黏著層
132、232、636:透光層
132a、132b:區
140、141、141a、141b、141c、147、150:光轉換粒子
149、249、159、559、569、659、669:光轉換層
180:保護層
191:容器
392:噴灑器
493:壓模
594:遮罩
R1、R2、R3:區域
圖1A至圖1I是本發明的一種發光裝置的部分製造方法的部分剖視示意圖。
圖2A至圖2B是本發明的一種發光裝置的部分製造方法的部分剖視示意圖。
圖3是本發明的一種發光裝置的部分剖視示意圖。
圖4是本發明的一種發光裝置的部分剖視示意圖。
圖5A至圖5B是本發明的一種發光裝置的部分製造方法的部分剖視示意圖。
圖6是本發明的一種發光裝置的部分剖視示意圖。
以下實施例的內容是為了說明而非限制。並且，可省略對熟知裝置、方法及材料之描述以免模糊對本發明之各種原理之描述。本文所使用之方向術語(例如，上、下、頂部、底部)僅參看所繪圖式使用或對應之習慣用語，且不意欲暗示絕對定向。在附圖中，為了清楚起見，可能放大或縮小了部分的元件或膜層的尺寸。類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或形成方式，並省略描述。本發明所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易見的是，藉由實施例的內容及對應的圖示說明，可以在脫離本文所揭示特定細節的其他實施例中實踐本發明。
圖1A至圖1I是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的部分製造方法的部分剖視示意圖。圖1E可以是圖1D中區域R1的放大圖。圖1G可以是圖1F中區域R2的放大圖。圖1I可以是圖1H中區域R3的放大圖。
請參照圖1A，提供電路基板110。電路基板110的表面110a上配置有至少一發光元件120。在圖1A中，僅示例性地繪示了三個發光元件120，但本發明對於其數量並不加以限制。
在本實施例中，電路基板110可以包括對應的元件(如：對應的主動元件及/或對應的驅動元件；未繪示)、對應的線路(未繪示)及/或對應的連接墊111，但本發明不限於此。另外，本發明對於電路基板110中的佈線設計(layout design)並不加以限制。
在一實施例中，電路基板110可以包括硬板(如：玻璃板、玻璃纖維板(如：FR4板)；但不限)及/或軟板(如：聚醯亞 胺膜(polyimide film)或其他適宜的軟質基材，但不限)。
在本實施例中，發光元件120可以藉由覆晶接合(flip-chip bonding)的方式配置於電路基板110的連接墊111上，但本發明不限於此。
請繼續參照圖1A，形成第一黏著層131於發光元件120上。舉例而言，可以在電路基板110的表面110a上塗佈半固化的黏著材料，以形成第一黏著層131，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一黏著層131可以為未圖案化(non-patterned)的膜或層，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一黏著層131至少覆蓋發光元件120的頂面120a及側面120c。在一實施例中，發光元件120的頂面120a可以是最遠離電路基板110的表面；發光元件120的底面120b可以是最接近電路基板110的表面；且發光元件120的側面120c可以是連接頂面120a及底面120b的表面。
請參照圖1A至圖1G，施用第一光轉換粒子140(標示於圖1B或圖1C)於第一黏著層131上，以形成第一光轉換層149(標示於圖1F或圖1G)。前述的步驟舉例如下。
請參照圖1A至圖1B，可以將多個第一光轉換粒子140載於容器191中。第一光轉換粒子140可以包括量子點(quantum dot；QD)粒子、螢光粉粒子或其他適宜的上轉換(up conversion)粒子或下轉換(down conversion)粒子，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一光轉換粒子140的粒徑(particle size) 可以介於500奈米(nanometer；nm)至50微米(micrometer；μm)。在一實施例中，相較於藉由高能量離子(通常來自電漿體，但不限)撞擊靶材(target)所濺射出粒子，第一光轉換粒子140的粒徑可以較大。
請參照圖1B至圖1C，在將多個第一光轉換粒子140載於容器191中之後，可以將覆蓋第一黏著層131的發光元件120與載有多個第一光轉換粒子140的容器191相接近，以使多個第一光轉換粒子140被形成於第一黏著層131上。
舉例而言，可以將如圖1A所繪示的結構上下翻轉(flip upside down)，且使發光元件120的頂面120a面向容器191中的多個第一光轉換粒子140。然後，可以藉由移動電路基板110及/或容器191的方式，使覆蓋於發光元件120上的第一黏著層131與容器191中的多個第一光轉換粒子140相接近且進一步地接觸，而使多個第一光轉換粒子140可以藉由沾附而被黏著於第一黏著層131上。
請參照圖1C至圖1D及圖1E，在使多個第一光轉換粒子140被黏著於第一黏著層131上之後，可以藉由移動電路基板110及/或容器191的方式，以使其彼此相遠離。
請參照圖1D，在使電路基板110與容器191相遠離之後，一部分的第一光轉換粒子147(第一光轉換粒子140的一部分)可以仍被留置於容器191內，且另一部分的第一光轉換粒子141可以隨著電路基板110遠離而未於容器191內。
請參照圖1E，在未於容器191內的多個第一光轉換粒子141中，部分的第一光轉換粒子141a(第一光轉換粒子141的一部分)可以被第一黏著層131部分地黏著，且部分的第一光轉換粒子141b(第一光轉換粒子141的一部分)可以嵌入於第一黏著層131內以被第一黏著層131完全地黏著。
在本實施例中，在未於容器191內的多個第一光轉換粒子141中，部分的第一光轉換粒子141c(第一光轉換粒子141的一部分)可能未與第一黏著層131直接接觸。舉例而言，一第一光轉換粒子141c可以藉由靜電力、凡得瓦力(Van der Waals force)或其他可能的方式，而與其他的第一光轉換粒子141直接地或間接地接觸。
請參照圖1D及圖1E至圖1F及圖1G，在本實施例中，可以移除未與第一黏著層131直接接觸的第一光轉換粒子141c。舉例而言，可以藉由抖動、振動、吹撫(如：風吹)或其他適宜的方式，以至少移除部分的第一光轉換粒子141c。在一實施例中，被移除的第一光轉換粒子141c可以藉由適宜的裝置進行收集而加以再利用，而可以提升材料的使用率。本發明並未排除仍有些許的第一光轉換粒子141c沾附於第一光轉換粒子141a上的可能。
請參照圖1F及圖1G，在本實施例中，至少覆蓋於發光元件120上的多個第一光轉換粒子141a及/或多個第一光轉換粒子141b可以被稱為或構成第一光轉換層149。也就是說，第一光轉換層149可以包括多個第一光轉換粒子141a及/或多個第一光轉換 粒子141b。前述的多個第一光轉換粒子141a及/或多個第一光轉換粒子141b中相鄰的其中兩個可以彼此相接觸也可以彼此不接觸。也就是說，第一光轉換層149並不限定為一連續的膜或層。
請參照圖1F及圖1G，在本實施例中，可以依據第一黏著層131的材質，而藉由光固化、熱固化或其他適宜的方式(如：靜置)固化第一黏著層131，以形成第一透光層132。
值得注意的是，本發明僅需在使多個第一光轉換粒子140中的至少一部分與第一黏著層131相接觸(如：圖1C所繪示的步驟)之後固化第一黏著層131即可。
在一實施例中，如圖1F所繪示的結構已可被稱為發光裝置，但本發明不限於此。
在本實施例中，可以在常溫及/或常壓下藉由上述的方式形成第一光轉換層149。因此，可以使發光裝置的製造方法較為簡單且可以較快速地生產。
請參照圖1F及圖1G至圖1H及圖1I，在本實施例中，可以形成保護層180於第一光轉換層149上。保護層180可以包括光學級的絕緣膜、無機或有機的光學膜、絕緣膜、硬化(Hard Coat)膜、具有低氧氣透過率(Oxygen Transmission Rate；OTR)的阻氧膜、具有低水氣透過率(Water Vapor Transmission Rate；WVTR)的阻水氣膜或前述膜層的堆疊或組合，但本發明不限於此。
經過上述製造方法即可大致上完成發光裝置100的製作。
請參照圖1H及圖1I，發光裝置100包括電路基板110、 至少一發光元件120、第一透光層132以及第一光轉換層149。發光元件120配置於電路基板110上且電性連接於電路基板110。第一光轉換層149覆蓋於發光元件120上。第一透光層132於發光元件120與第一光轉換層149之間。
在本實施例中，相同或相似於發光裝置100的發光裝置可以為一種顯示器(如：發光二極體顯示器(LED display))。
在一實施例中，發光元件120所放出的光可以穿透第一透光層132。並且，第一光轉換層149可吸收發光元件120所放出的光，且放出其他波長的光。
在本實施例中，第一光轉換層149可以包括多個第一光轉換粒子141a及/或多個第一光轉換粒子141b。部分的第一光轉換粒子141a可以與第一透光層132部分地直接接觸，且部分的第一光轉換粒子141b可以嵌入於第一透光層132內以與第一透光層132完全地直接接觸。
在本實施例中，第一透光層132可以包括第一區132a及第二區132b。相較於第一區132a，第二區132b較接近發光元件120。第一透光層132的第一區132a可以直接覆蓋多個第一光轉換粒子141a及/或多個第一光轉換粒子141b。第一透光層132的第二區132b可以未覆蓋多個第一光轉換粒子141a及多個第一光轉換粒子141b。
在本實施例中，發光裝置100可以更包括保護層180。部分的第一光轉換粒子141a可以與保護層180部分地直接接觸，且 部分的第一光轉換粒子141b可以未與保護層180直接接觸。
圖2A至圖2B是依照本發明的第二實施例的一種發光裝置的部分製造方法的部分剖視示意圖。本實施例的發光裝置200的製造方法與第一實施例的發光裝置100的製造方法相似。
請參照圖2A，形成第一黏著層231於發光元件120上。
在本實施例中，第一黏著層231可以為圖案化(patterned)的膜或層。舉例而言，可以藉由遮罩進行噴塗、點膠或噴墨印刷(ink-jet printing；IJP)的方式，使第一黏著層231至少覆蓋發光元件120的頂面120a及側面120c。
之後，可以藉由相同或相似於圖1B至圖1F及圖1G所繪示/描述的方式，且固化第一黏著層231以形成第一透光層232，以形成如圖2B所繪示的發光裝置100。
請參照圖2B，發光裝置100包括電路基板110、至少一發光元件120、第一光轉換層249以及第一透光層132。第一透光層132位於發光元件120與第一光轉換層249之間。第一光轉換層249覆蓋於發光元件120的頂面120a及側面120c上。
在本實施例中，部分的第一光轉換層249可以位於相鄰的兩個發光元件120之間。
圖3是依照本發明的第三實施例的一種發光裝置的部分剖視示意圖。本實施例的發光裝置(未直接標示)的製造方法與第一實施例的發光裝置100的製造方法相似。舉例而言，圖3繪示接續圖1A的步驟的發光裝置的製造方法的部分剖視示意圖。
請參照圖3，在本實施例中，例如可以藉由噴灑器(如：粉末噴灑器(powder sprayer)，但不限)392，而將多個第一光轉換粒子141以鋪灑的方式被形成於第一黏著層131上。
藉由上述的方式所形成的發光裝置(未直接標示)可以相同或相似於第一實施例的發光裝置100，故於此不加以贅述。
圖4是依照本發明的第四實施例的一種發光裝置的部分剖視示意圖。本實施例的發光裝置(未直接標示)的製造方法與第一實施例的發光裝置100的製造方法相似。舉例而言，圖4繪示接續圖1A的步驟的發光裝置的製造方法的部分剖視示意圖。
請參照圖4，在本實施例中，例如可以藉由壓模(如：粉末壓模(powder stamper)，但不限)493，而將多個第一光轉換粒子141以按壓的方式被形成於第一黏著層131上。
藉由上述的方式所形成的發光裝置(未直接標示)可以相同或相似於第一實施例的發光裝置100，故於此不加以贅述。
圖5A至圖5B是依照本發明的第五實施例的一種發光裝置的部分製造方法的部分剖視示意圖。本實施例的發光裝置500的製造方法與第二實施例的發光裝置200的製造方法或第三實施例的發光裝置(未直接標示)的製造方法相似。舉例而言，圖5A繪示接續圖2A的步驟的發光裝置的製造方法的部分剖視示意圖。
請參照圖5A至圖5B，在本實施例中，例如可以藉由噴灑器392及對應的遮罩594，而將多個第一光轉換粒子141以鋪灑的方式被形成於一發光元件121(即，發光元件120的至少其中一 個)所對應的第一黏著層531(即，第一黏著層231的一部分)上，以形成第一光轉換層249。
在本實施例中，可以藉由相同或相似的方式，於又一發光元件122(即，發光元件120的至少其中又一個)所對應的第一黏著層532(即，第一黏著層231的又一部分)上形成第二光轉換層559；且/或於另一發光元件123(即，發光元件120的至少其中另一個)所對應的第一黏著層533(即，第一黏著層231的另一部分)上形成第三光轉換層569。
在本實施例中，發光元件121、發光元件122及/或發光元件123的發光顏色可以相同；且/或第一光轉換層249、第二光轉換層559及/或第三光轉換層569的材質或組成可以相同或不同，但本發明不限於此。
在一實施例中，可以藉由多個具有不同材質或組成的光轉換層而使發光裝置500在不同的區域可以具有不同的發光顏色。
在一未繪示實施例中，第一光轉換層249、第二光轉換層559及/或第三光轉換層569可以藉由壓模的方式形成。
圖6是依照本發明的第六實施例的一種發光裝置的部分剖視示意圖。本實施例的發光裝置600的製造方法與第二實施例的發光裝置200的製造方法或第五實施例的發光裝置500的製造方法相似。
請參照圖6，在本實施例中，發光裝置600包括電路基板110、發光元件120、第一透光層232、第一光轉換層249、第二透 光層636及第二光轉換層659。第二光轉換層659覆蓋於第一光轉換層249上。第二透光層636位於第一光轉換層249與第二光轉換層659之間。
在一實施例中，第二透光層636的材質、組成或形成方式可以相同或相似於第一透光層232。舉例而言，可以於對應的第一光轉換層249上形成第二黏著層(未繪示)。並且，可以固化第二黏著層以形成第二透光層636。
在一實施例中，第二光轉換層659的形成方式可以相同或相似於第一光轉換層249。舉例而言，可以施用第二光轉換粒子(未繪示)於對應的第二黏著層(未繪示)上。直接接觸第二黏著層的第二光轉換粒子可以被稱為或構成第二光轉換層159。
在本實施例中，第一光轉換層249及第二光轉換層659的材質或組成可以相同或不同，但本發明不限於此。
在本實施例中，發光裝置600可以更包括第三光轉換層669。第三光轉換層669覆蓋於第一光轉換層249上。第二透光層636位於第一光轉換層249與第三光轉換層669之間。
在本實施例中，第二光轉換層659及第三光轉換層669的材質、組成或形成方式可以相同或不同，但本發明不限於此。
在本實施例中，第二光轉換層659可以對應於一發光元件121，且第三光轉換層669可以對應於另一發光元件122，但本發明不限於此。
綜上所述，在本發明發光裝置的製造方法中，可以在常 溫及/或常壓下藉由光轉換粒子形成光轉換層。因此，發光裝置的製造方法可以較為簡單且發光裝置可以較快速地被生產。
100:發光裝置
110:電路基板
111:連接墊
110a:表面
120:發光元件
120a、120b、120c:面
132:透光層
149:光轉換層
180:保護層
R3:區域

Claims (12)

  1. 一種發光裝置的製造方法，包括：提供一電路基板，其中所述電路基板的表面上配置有至少一發光元件；形成第一黏著層於所述發光元件上；施用第一光轉換粒子於所述第一黏著層上，形成第一光轉換層；以及固化所述第一黏著層，其中形成所述多個第一光轉換粒子於所述第一黏著層上的步驟包括：藉由鋪灑或按壓的方式，以使所述多個第一光轉換粒子被形成於所述第一黏著層上。
  2. 一種發光裝置的製造方法，包括：提供一電路基板，其中所述電路基板的表面上配置有至少一發光元件；形成第一黏著層於所述發光元件上；施用第一光轉換粒子於所述第一黏著層上，形成第一光轉換層；以及固化所述第一黏著層，其中施用所述第一光轉換粒子於所述第一黏著層上的步驟包括：將覆蓋所述第一黏著層的所述發光元件與載有所述多個 第一光轉換粒子的容器相接近，以使所述多個第一光轉換粒子被形成於所述第一黏著層上。
  3. 一種發光裝置的製造方法，包括：提供一電路基板，其中所述電路基板的表面上配置有至少一發光元件；形成第一黏著層於所述發光元件上；施用第一光轉換粒子於所述第一黏著層上，形成第一光轉換層；於施用所述第一光轉換粒子於所述第一黏著層上之後，移除所述第一光轉換粒子中未與所述第一黏著層直接接觸之部分；以及固化所述第一黏著層。
  4. 如請求項1至3中任一項所述的發光裝置的製造方法，其中所述多個第一光轉換粒子的粒徑介於500nm至50μm。
  5. 如請求項1至3中任一項所述的發光裝置的製造方法，更包括：形成一保護層於所述第一光轉換層上。
  6. 如請求項1至3中任一項所述的發光裝置的製造方法，更包括：形成第二黏著層於所述第一光轉換層上；施用第二光轉換粒子於所述第二黏著層上；以及固化所述第二黏著層。
  7. 一種發光裝置，包括：一電路基板；至少一發光元件，配置於所述電路基板上且電性連接於所述電路基板；一光轉換層，其係覆蓋於所述發光元件上；以及一透光層，其係位於所述至少一發光元件與所述光轉換層之間，其中所述光轉換層包括多個光轉換粒子，所述多個光轉換粒子中的一部分與所述透光層部分地直接接觸，所述多個光轉換粒子中的另一部分嵌入於所述透光層內以與所述透光層完全地直接接觸。
  8. 如請求項7所述的發光裝置，其中所述光轉換層係由量子點粒子所組成。
  9. 如請求項7所述的發光裝置，其中所述光轉換層係由螢光粉粒子所組成。
  10. 如請求項7所述的發光裝置，其中所述透光層係由一黏著材料固化而得者。
  11. 如請求項10所述的發光裝置，其中所述光轉換層係藉所述黏著材料附著並覆蓋於所述至少一發光元件上。
  12. 如請求項7所述的發光裝置，其係為一種顯示器。
TW110109208A 2021-03-15 2021-03-15 發光裝置及其製造方法 TWI794769B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110109208A TWI794769B (zh) 2021-03-15 2021-03-15 發光裝置及其製造方法
CN202111334635.1A CN115084106A (zh) 2021-03-15 2021-11-11 发光装置及其制造方法
US17/523,931 US20220293827A1 (en) 2021-03-15 2021-11-11 Light emitting apparatus and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110109208A TWI794769B (zh) 2021-03-15 2021-03-15 發光裝置及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202238034A TW202238034A (zh) 2022-10-01
TWI794769B true TWI794769B (zh) 2023-03-01

Family

ID=83195148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110109208A TWI794769B (zh) 2021-03-15 2021-03-15 發光裝置及其製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220293827A1 (zh)
CN (1) CN115084106A (zh)
TW (1) TWI794769B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201116609A (en) * 2009-06-25 2011-05-16 Bridgelux Inc Multiple layer phosphor bearing film

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6863803B2 (ja) * 2016-04-07 2021-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201116609A (en) * 2009-06-25 2011-05-16 Bridgelux Inc Multiple layer phosphor bearing film

Also Published As

Publication number Publication date
US20220293827A1 (en) 2022-09-15
TW202238034A (zh) 2022-10-01
CN115084106A (zh) 2022-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7414886B2 (ja) 発光素子及びその製造方法
US8179029B2 (en) Light emitting device including multiple OLEDs
TWI637481B (zh) 半導體結構、發光裝置及其製造方法
WO2016074378A1 (zh) 顶发射白光oled器件及其制备方法、显示装置
JP2004363049A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置
JP2013197068A (ja) 有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法
WO2015145533A1 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
TWI719823B (zh) 板上封裝顯示元件及其製造方法
KR20120053318A (ko) 유기발광 디스플레이 및 이의 제조 방법
JP2010123606A5 (zh)
TWI578015B (zh) 可撓性基板及其製作方法與環境敏感電子元件之封裝體的製作方法
TWI794769B (zh) 發光裝置及其製造方法
US20220190193A1 (en) Display transfer structure and method of manufacturing the same
KR20120001997A (ko) 발광 소자
Lee et al. Printed microlens arrays for enhancing light extraction from organic light-emitting devices
CN105789259B (zh) 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
KR101677174B1 (ko) 발광 소자
WO2020042652A1 (zh) Led显示器件及其制造方法、led显示面板
KR100979422B1 (ko) 평판표시장치 및 그의 제조방법
US20200035657A1 (en) Electroluminescent device and method of manufacturing the same
TWI792460B (zh) 顯示面板及其製造方法
JP2008166311A5 (zh)
KR20230057739A (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US11967601B2 (en) Bottom-emission light-emitting diode display
TWI821731B (zh) 底部發光型發光二極體顯示器