TWI818566B - 粗化處理銅箔、銅箔積層板及印刷佈線板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種於用於銅箔積層板或印刷佈線板之情形時，能兼具優異之傳輸特性與較高之剝離強度之粗化處理銅箔。該粗化處理銅箔於至少一側具有粗化處理面。粗化處理面之基於突出峰部實體體積Vmp、核心部實體體積Vmc及峰頂點密度Spd，利用(Vmp＋Vmc)/Spd之式所算出的微小前端粒子體積為1.300 μm
3/個以下，且切斷程度差Rdc為0.95 μm以上。Vmp、Vmc及Spd係依據ISO25178所測得之值，Rdc係依據JIS B0601-2013，作為負載長度率20%及80%之高度方向之切斷程度c之差所獲得之值。
Description
本發明係關於一種粗化處理銅箔、銅箔積層板及印刷佈線板。
於印刷佈線板之製造步驟中，銅箔以與絕緣樹脂基材貼合而成之銅箔積層板之形態被廣泛使用。關於該方面，為了防止於製造印刷佈線板時產生佈線之剝離，理想的是使銅箔與絕緣樹脂基材具有較高之密接力。因此，於通常之印刷佈線板製造用銅箔中，藉由對銅箔之貼合面實施粗化處理而形成包含微細之銅粒子之凹凸，利用衝壓加工使該凹凸沒入絕緣樹脂基材之內部從而發揮投錨效應，藉此提高密接性。
作為進行此種粗化處理之銅箔，例如於專利文獻1(日本專利特開2018-172785號公報)中揭示有一種表面處理銅箔，該表面處理銅箔具有銅箔、及銅箔之至少一表面上之粗化處理層，粗化處理層側表面之算術平均粗糙度Ra為0.08 μm以上0.20 μm以下，粗化處理層側表面之TD(寬度方向)之光澤度為70%以下。根據此種表面處理銅箔，設置於銅箔表面之粗化粒子之脫落得到良好地抑制，且與絕緣基板貼合時之皺褶及條紋之產生得到良好地抑制。
然，伴隨近年來攜帶用電子機器等之高功能化，為了進行大容量資料之高速處理，不論是數位信號還是類比信號，均推行高頻化，從而要求適於高頻用途之印刷佈線板。對於此種高頻用印刷佈線板，為了能傳輸高頻信號而不使其劣化，期望降低傳輸損耗。印刷佈線板係具備加工成佈線圖案之銅箔及絕緣基材者，但作為傳輸損耗中之主要損耗，可例舉銅箔所引起之導體損耗、及絕緣基材所引起之介電損失。
關於該方面，提出了一種降低了傳輸損耗之粗化處理銅箔。例如，於專利文獻2(日本專利特開2015-148011號公報)中揭示了如下等記載：以提供信號之傳輸損耗較小之表面處理銅箔及使用其之積層板等為目的，藉由表面處理而將銅箔表面之基於JIS B0601-2001之偏斜度Rsk控制在-0.35以上0.53以下之特定範圍。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-172785號公報
[專利文獻2]日本專利特開2015-148011號公報
如上所述，近年來，要求提高印刷佈線板之傳輸特性(高頻特性)。為了應對此種要求，嘗試了對銅箔之與絕緣樹脂基材之接合面施加更微細之粗化處理。即，為了減少成為使傳輸損耗增大之要因之銅箔表面之凹凸，可考慮對起伏較小之銅箔表面(例如雙面平滑箔之表面或電解銅箔之電極面)進行微細粗化處理。然而，於使用此種粗化處理銅箔進行銅箔積層板之加工或印刷佈線板之製造之情形時，一般來說會產生銅箔-基材間之剝離強度較低，密接可靠性較差之問題。
本發明人等此番獲得了如下見解：藉由在粗化處理銅箔之表面，將基於突出峰部實體體積Vmp、核心部實體體積Vmc及峰頂點密度Spd所算出之微小前端粒子體積、以及切斷程度(level)差Rdc控制在特定之範圍內，能令使用其所製造之銅箔積層板或印刷佈線板兼具優異之傳輸特性與較高之剝離強度。
因此，本發明之目的在於提供一種於用於銅箔積層板或印刷佈線板之情形時，能兼具優異之傳輸特性與較高之剝離強度之粗化處理銅箔。
根據本發明，提供以下態樣。
[態樣1]
一種粗化處理銅箔，其係於至少一側具有粗化處理面者，且
關於上述粗化處理面，基於每單位面積之突出峰部實體體積Vmp(μm
3/μm
2)、每單位面積之核心部實體體積Vmc(μm
3/μm
2)、及每單位面積之峰頂點密度Spd(個/μm
2)，利用(Vmp＋Vmc)/Spd之式所算出的微小前端粒子體積為1.300 μm
3/個以下，且切斷程度差Rdc為0.95 μm以上，
上述Vmp、Vmc及Spd係依據ISO25178，於倍率200倍、S-濾波器(S-filter，低通濾波器)之截止波長為0.3 μm且L-濾波器(L-filter，高通濾波器)之截止波長為5 μm之條件下所測得之值，
上述Rdc係於依據JIS B0601-2013，在倍率20倍、不進行截止值λs之截止且截止值λc之截止波長為320 μm之條件下所測得之粗糙度曲線中，作為負載長度率(Rmr1)20%及負載長度率(Rmr2)80%之高度方向之切斷程度c之差(c(Rmr1)－c(Rmr2))所獲得之值。
[態樣2]
如態樣1所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之上述切斷程度差Rdc為1.10 μm以上20.00 μm以下。
[態樣3]
如態樣1或2所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之每單位面積之上述核心部實體體積Vmc為0.360 μm
3/μm
2以下。
[態樣4]
如態樣1至3中任一項所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之上述突出峰部實體體積Vmp與上述核心部實體體積Vmc之和即Vmp＋Vmc為0.380 μm
3/μm
2以下。
[態樣5]
如態樣1至4中任一項所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之界面展開面積比Sdr為70%以下，上述Sdr係依據ISO25178，於倍率200倍、S-濾波器之截止波長為0.3 μm且L-濾波器之截止波長為5 μm之條件下所測得之值。
[態樣6]
如態樣1至5中任一項所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之核心部程度差Sk為1.50 μm以上，上述Sk係依據ISO25178，於倍率20倍、不進行S-濾波器之截止且L-濾波器之截止波長為320 μm之條件下所測得之值。
[態樣7]
如態樣1至6中任一項所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之極點高度Sxp為1.10 μm以上，上述Sxp係依據ISO25178，於倍率20倍、不進行S-濾波器之截止且L-濾波器之截止波長為320 μm之條件下所測得之值。
[態樣8]
如態樣1至7中任一項所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之每單位面積之上述峰頂點密度Spd為0.12個/μm
2以上0.46個/μm
2以下。
[態樣9]
如態樣1至8中任一項所記載之粗化處理銅箔，其中於上述粗化處理面上進而具備防銹處理層及/或矽烷偶合劑處理層。
[態樣10]
如態樣1至9中任一項所記載之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理銅箔為電解銅箔，上述粗化處理面存在於電解銅箔之析出面側。
[態樣11]
一種銅箔積層板，其具備如態樣1至10中任一項所記載之粗化處理銅箔。
[態樣12]
一種印刷佈線板，其具備如態樣1至10中任一項所記載之粗化處理銅箔。
定義用以特定本發明之用語或參數之定義如下所述。
本說明書中之所謂「粗糙度曲線之負載曲線」，如圖1所示，係指依據JIS B0601-2013所決定之，將以切斷程度c切斷粗糙度曲線時所顯示出之實體部之比率表示為c之函數所得之曲線。即，粗糙度曲線之負載曲線亦可謂表示負載長度率Rmr(c)成為0%至100%之高度之曲線。所謂負載長度率Rmr(c)，如圖2所示，係指依據JIS B0601-2013所決定之，表示切斷程度c處之粗糙度曲線要素之負載長度相對於評價長度之比率的參數。
本說明書中之所謂「切斷程度差Rdc」或「Rdc」，如圖3所示，係指依據JIS B0601-2013所測得之，表示粗糙度曲線之負載曲線中2個負載長度率Rmr1及Rmr2(其中，Rmr1＜Rmr2)之高度方向之切斷程度c之差(c(Rmr1)－c(Rmr2))的參數。本說明書中，將Rmr1指定為20%且將Rmr2指定為80%來計算Rdc。
本說明書中之所謂「面之負載曲線」係指依據ISO25178所決定之表示負載面積率成為0%至100%之高度之曲線。所謂負載面積率，如圖4所示，係指表示某一高度c以上之區域之面積的參數。高度c之負載面積率相當於圖4中之Smr(c)。如圖5所示，自負載面積率為0%起，沿著負載曲線取負載面積率之差成為40%之點，畫出負載曲線之割線，使該負載曲線之割線自負載面積率0%起開始移動，將割線之傾斜最為平緩之位置稱為面之負載曲線之中央部分。相對於該中央部分，縱軸方向之偏差平方和變為最小之直線稱為等效直線。包含於等效直線之負載面積率0%至100%之高度之範圍內之部分稱為核心部。較核心部高之部分稱為突出峰部，較核心部低之部分稱為突出谷部。
本說明書中之所謂「分離突出峰部與核心部之負載面積率Smr1」，如圖5所示，係指依據ISO25178所決定之表示核心部之上部之高度與面之負載曲線的交點處之負載面積率(即區分核心部與突出峰部之負載面積率)之參數。本說明書中之所謂「分離突出谷部與核心部之負載面積率Smr2」，如圖5所示，係指依據ISO25178所決定之表示核心部之下部之高度與負載曲線之交點處之負載面積率(即區分核心部與突出谷部之負載面積率)的參數。
本說明書中之所謂「核心部程度差Sk」或「Sk」係指依據ISO25178所測得之核心部之最大高度減最小高度所得之值，如圖5所示，係指根據等效直線之負載面積率0%與100%之高度差而算出之參數。
本說明書中之所謂「突出峰部實體體積Vmp」或「Vmp」，如圖6所示，係指依據ISO25178所測得之表示突出峰部之體積之參數。又，本說明書中之所謂「核心部實體體積Vmc」或「Vmc」，如圖6所示，係指依據ISO25178所測得之表示核心部之體積之參數。本說明書中，將分離核心部與突出峰部之負載面積率Smr1指定為10%，且將分離核心部與突出谷部之負載面積率Smr2指定為80%來計算Vmp及Vmc。
本說明書中之所謂「峰頂點密度Spd」或「Spd」，係指依據ISO25178所測得之表示每單位面積之峰頂之數量的參數。Spd可藉由使輪廓曲面所包含之峰頂之數量除以輪廓曲面之投影面積而算出。本說明書中，僅對輪廓曲面中之大於最大振幅之5%之峰頂進行計數而算出Spd。
本說明書中之所謂「微小前端粒子體積」，係指基於每單位面積之突出峰部實體體積Vmp(μm
3/μm
2)、每單位面積之核心部實體體積Vmc(μm
3/μm
2)、及每單位面積之峰頂點密度Spd(個/μm
2)，利用(Vmp＋Vmc)/Spd之式所算出之參數。又，本說明書中之所謂「Vmp＋Vmc」係指藉由每單位面積之突出峰部實體體積Vmp(μm
3/μm
2)及每單位面積之核心部實體體積Vmc(μm
3/μm
2)之和所算出之參數。
本說明書中之所謂「極點高度Sxp」或「Sxp」，如圖7所示，係指依據ISO25178所測得之表示負載面積率p%與負載面積率q%之高度之差量的參數。Sxp表示去除表面中特別高之峰後之表面之平均面與表面之高度之差量。本說明書中，將負載面積率p指定為2.5%，將負載面積率q指定為50%而算出Sxp。
本說明書中之所謂「界面展開面積比Sdr」或「Sdr」，係指依據ISO25178所測得之以百分率表示定義區域之展開面積(表面積)較定義區域之面積增大了何種程度的參數。該值越小，則表示表面形狀越接***坦，完全平坦之表面之Sdr成為0%。另一方面，該值越大，則表示表面形狀之凹凸越多。
Rdc可藉由利用市售之雷射顯微鏡測定粗化處理面中之特定之測定長度之表面分佈來計算。又，Vmp、Vmc、Spd、Sdr、Sk及Sxp可分別藉由利用市售之雷射顯微鏡測定粗化處理面中之特定之測定面積之表面分佈來計算。本說明書中，Vmp、Vmc、Spd及Sdr設為於倍率200倍、S-濾波器之截止波長為0.3 μm且L-濾波器之截止波長為5 μm之條件下所測得者。另一方面，Rdc設為於倍率20倍、不進行截止值λs之截止且截止值λc之截止波長為320 μm之條件下所測得者，Sk及Sxp設為於倍率20倍、不進行S-濾波器之截止且L-濾波器之截止波長為320 μm之條件下所測得者。再者，於在利用雷射顯微鏡進行之測定中，使用物鏡及光學變焦兩者之情形時，上述倍率相當於使物鏡之倍率乘以光學變焦之倍率所得之值。例如，於物鏡倍率為100倍，光學變焦倍率為2倍之情形時，倍率成為200倍(＝100×2)。此外，關於雷射顯微鏡之對表面分佈之較佳之測定條件及解析條件，示於下述實施例中。
本說明書中，電解銅箔之「電極面」係指製造電解銅箔時與陰極相接之側之面。
本說明書中，電解銅箔之「析出面」係指製造電解銅箔時電解銅析出之側之面，即不與陰極相接之側之面。
粗化處理銅箔本發明之銅箔係粗化處理銅箔。該粗化處理銅箔於至少一側具有粗化處理面。該粗化處理面之基於每單位面積之突出峰部實體體積Vmp(μm
3/μm
2)、每單位面積之核心部實體體積Vmc(μm
3/μm
2)、及每單位面積之峰頂點密度Spd(個/μm
2)，利用(Vmp＋Vmc)/Spd之式所算出之微小前端粒子體積為1.300 μm
3/個以下。又，粗化處理面之切斷程度差Rdc為0.95 μm以上。藉由以此方式於粗化處理銅箔之表面，將微小前端粒子體積及切斷程度差Rdc控制在特定之範圍內，而能令使用其製造之銅箔積層板或印刷佈線板兼具優異之傳輸特性(高頻特性)與較高之剝離強度(例如常態剝離強度及耐濕剝離強度)。
優異之傳輸特性與較高之剝離強度原本難以兼顧。其原因在於，為了獲得優異之傳輸特性，要求減小銅箔表面之凹凸，另一方面，為了獲得較高之剝離強度，要求增大銅箔表面之凹凸，兩者處於取捨關係。此處，如圖8所示，粗化處理銅箔表面之凹凸包含「粗化粒子分量」與週期較粗化粒子分量長之「起伏分量」。一般而言，為了獲得優異之傳輸特性，可考慮對起伏較小之銅箔表面(例如雙面平滑箔之表面或電解銅箔之電極面)進行微細粗化處理而形成較小之粗化粒子，但於使用此種粗化處理銅箔製造銅箔積層板或印刷佈線板之情形時，總體而言銅箔-基材間之剝離強度變低。
針對該問題，本發明人等研究了銅箔表面之凹凸之粗化粒子及起伏對傳輸特性及剝離強度產生之影響。結果判明了，銅箔之起伏分量與預想相反，不易對傳輸特性產生影響，主要是粗化粒子之大小會對傳輸特性產生影響。而且，本發明人等查明藉由為了使傳輸特性良好而將凸起(粗化粒子)微細化，並且對於因此而不足之密接性利用對傳輸特性影響較小之銅箔之起伏來彌補，能兼具優異之傳輸特性與較高之剝離強度所帶來之密接可靠性。具體而言，發現了藉由將會對傳輸特性產生影響之微小凸起(粗化粒子)之體積相關的微小前端粒子體積設為1.300 μm
3/個以下，能實現優異之傳輸特性。進而，還發現了藉由將反映出較廣範圍之粗化處理面之高度的測定條件下之切斷程度差Rdc設為0.95 μm以上，而即便為原本難以確保剝離強度之較小之粗化粒子，亦可利用銅箔之起伏實現銅箔-基板間之較高之剝離強度。
藉由控制微小前端粒子體積而能提高傳輸特性之機制雖然未必明確，但可認為如下所述。此處，將已區分出核心部與突出谷部之交界之凸起(粗化粒子)之模式剖視圖示於圖9中。如圖9所示，使每單位面積之凸起之核心部與突出峰部一致之部分(自凸起整體去除相當於突出谷部之凸起下部後之部分)之體積相當於Vmp＋Vmc。而且，峰頂點密度Spd表示每單位面積之凸起之個數，因此如圖9所示，Vmp＋Vmc除以Spd所得者(＝(Vmp＋Vmc)/Spd)，相當於每1個凸起之微小前端粒子體積。關於該方面，於假定Spd相同(即每單位面積之凸起之數量相同)且Vmp＋Vmc不同之2種粗化處理面之情形時，Vmp＋Vmc較小之粗化處理面之凸起之尺寸變小，因此成為傳輸特性優異者。另一方面，於假定Vmp＋Vmc相同(即每單位面積之凸起之體積相同)且Spd不同之2種粗化處理面之情形時，Spd較大之粗化處理面將相同之體積分散給多個凸起，即每1個凸起之尺寸變小，因此成為傳輸特性優異者。因此，藉由將微小前端粒子體積控制在較小之值，能提高傳輸特性。
對於會對傳輸特性或剝離強度產生影響之銅箔表面之粗化粒子分量及起伏分量，可藉由適當地使用雷射顯微鏡之測定倍率、以及S-濾波器及L-濾波器或截止值λs及λc來區分。具體而言，藉由於倍率200倍之高倍率下測定粗化處理面，能準確地評價會對傳輸特性產生影響之粗化處理面之細小凹凸。而且，藉由於S-濾波器之截止波長為0.3 μm且L-濾波器之截止波長為5 μm之條件下進行測定，能獲得起伏分量之影響得以消除之粗化粒子分量之參數。因此，本發明中之微小前端粒子體積、Vmp、Vmc、Vmp＋Vmc、Spd及Sdr可謂確實地反映出銅箔表面之粗化粒子之參數者，藉由使用該等指標，能準確地評價傳輸特性。與此相對地，藉由於倍率20倍之低倍率下測定粗化處理面，能於較廣範圍內評價會對密接可靠性產生影響之粗化處理面整體之高度(起伏)。而且，藉由於不進行截止值λs或S-濾波器之截止且截止值λc或L-濾波器之截止波長為320 μm之條件下測定粗化處理面，能獲得反映出粗化粒子分量及起伏分量兩者之影響之粗化處理面整體之參數。因此，本發明中之Rdc、Sk及Sxp為不僅反映出銅箔表面之粗化粒子分量，亦反映處起伏分量之參數，藉由使用該等指標，能準確地評價剝離強度。
粗化處理銅箔之粗化處理面之切斷程度差Rdc為0.95 μm以上，較佳為1.10 μm以上20.00 μm以下，更佳為1.15 μm以上12.00 μm以下，進而較佳為1.20 μm以上6.00 μm以下，尤佳為1.25 μm以上4.00 μm以下。若為上述範圍內之Rdc，則能確保優異之傳輸特性，並且有效地發揮投錨效應而實現較高之剝離強度。
粗化處理銅箔之粗化處理面之微小前端粒子體積為1.300 μm
3/個以下，較佳為0.300 μm
3/個以上1.300 μm
3/個以下，更佳為0.400 μm
3/個以上1.300 μm
3/個以下，進而較佳為0.500 μm
3/個以上1.300 μm
3/個以下，尤佳為0.500 μm
3/個以上1.200 μm
3/個以下。若為上述範圍內之微小前端粒子體積，則剝離強度較高，並且能實現優異之傳輸特性。
粗化處理銅箔之粗化處理面之每單位面積之核心部實體體積Vmc較佳為0.360 μm
3/μm
2以下，更佳為0.040 μm
3/μm
2以上0.320 μm
3/μm
2以下，進而較佳為0.070 μm
3/μm
2以上0.290 μm
3/μm
2以下，尤佳為0.100 μm
3/μm
2以上0.260 μm
3/μm
2以下，最佳為0.130 μm
3/μm
2以上0.230 μm
3/μm
2以下。若為上述範圍內之Vmc，則易於將微小前端粒子體積控制在上述範圍內，並且剝離強度較高，且能實現更優異之傳輸特性。
粗化處理銅箔之粗化處理面之突出峰部實體體積Vmp及核心部實體體積Vmc之和即Vmp＋Vmc較佳為0.380 μm
3/μm
2以下，更佳為0.050 μm
3/μm
2以上0.340 μm
3/μm
2以下，進而較佳為0.090 μm
3/μm
2以上0.310 μm
3/μm
2以下，尤佳為0.130 μm
3/μm
2以上0.280 μm
3/μm
2以下，最佳為0.140 μm
3/μm
2以上0.250 μm
3/μm
2以下。若為上述範圍內之Vmp＋Vmc，則易於將微小前端粒子體積控制在上述範圍內，剝離強度較高，並且能實現更優異之傳輸特性。
粗化處理銅箔之粗化處理面之每單位面積之峰頂點密度Spd較佳為0.12個/μm
2以上0.46個/μm
2以下，更佳為0.13個/μm
2以上0.44個/μm
2以下，進而較佳為0.14個/μm
2以上0.37個/μm
2以下，尤佳為0.15個/μm
2以上0.31個/μm
2以下，最佳為0.16個/μm
2以上0.28個/μm
2以下。若為上述範圍內之Spd，則易於將微小前端粒子體積控制在上述範圍內，剝離強度較高，並且能實現更優異之傳輸特性。
粗化處理銅箔之粗化處理面之界面展開面積比Sdr較佳為70%以下，更佳為5%以上65%以下，進而較佳為10%以上60%以下，尤佳為15%以上55%以下，最佳為20%以上50%以下。若為上述範圍內之Sdr，則成為便於確保較高之剝離強度並且實現更優異之傳輸特性之凹凸較多之形狀。
粗化處理銅箔之粗化處理面之核心部程度差Sk較佳為1.50 μm以上，更佳為1.58 μm以上20.00 μm以下，進而較佳為1.65 μm以上12.00 μm以下，尤佳為1.70 μm以上8.00 μm以下，最佳為2.00 μm以上6.00 μm以下。若為上述範圍內之Sk，則傳輸特性優異，並且能有效地發揮投錨效應而實現較高之剝離強度。
粗化處理銅箔之粗化處理面之極點高度Sxp較佳為1.10 μm以上，更佳為1.20 μm以上20.00 μm以下，進而較佳為1.30 μm以上12.00 μm以下，尤佳為1.40 μm以上8.00 μm以下，最佳為1.70 μm以上6.00 μm以下。若為上述範圍內之極點高度Sxp，則傳輸特性優異，並且能有效地發揮投錨效應而實現較高之剝離強度。
粗化處理銅箔之厚度並無特別限定，較佳為0.1 μm以上210 μm以下，更佳為0.3 μm以上105 μm以下。再者，本發明之粗化處理銅箔並不限於對通常之銅箔之表面進行粗化處理所得者，亦可為對附載子之銅箔之銅箔表面進行粗化處理或微細粗化處理所得者。
將本發明之粗化處理銅箔之一例示於圖10中。如圖10所示，本發明之粗化處理銅箔可藉由對具有特定之起伏之銅箔表面(例如電解銅箔之析出面)於所期望之低粗化條件下進行粗化處理而形成微細之粗化粒子，從而較佳地製造。因此，根據本發明之較佳之態樣，粗化處理銅箔為電解銅箔，粗化處理面存在於電解銅箔之析出面側。再者，粗化處理銅箔可為於兩側具有粗化處理面者，亦可為僅於一側具有粗化處理面者。粗化處理面典型而言具備複數個粗化粒子，該等複數個粗化粒子較佳為分別包含銅粒子。銅粒子可為包含金屬銅者，亦可為包含銅合金者。
用以形成粗化處理面之粗化處理可藉由於銅箔之上以銅或銅合金形成粗化粒子而較佳地進行。進行粗化處理之前之銅箔可為未粗化之銅箔，亦可為已實施預粗化者。關於進行粗化處理之銅箔之表面，依據JIS B0601-1994所測得之十點平均粗糙度Rz較佳為1.50 μm以上20.00 μm以下，更佳為2.00 μm以上10.00 μm以下。若為上述範圍內，則易於將本發明之粗化處理銅箔所要求之表面分佈賦予至粗化處理面。
粗化處理例如較佳為於銅濃度為7 g/L以上17 g/L以下且硫酸濃度為50 g/L以上200 g/L以下之硫酸銅溶液中，在20℃以上40℃以下之溫度下，以10 A/dm
2以上50 A/dm
2以下進行電解析出。該電解析出較佳為於0.5秒以上30秒以下進行，更佳為於1秒以上30秒以下進行，進而較佳為於1秒以上3秒以下進行。但本發明之粗化處理銅箔並不限於上述方法，可為藉由任意方法所製造者。
上述電解析出時，較佳為使下述式：
R
L＝L/D
C(式中，R
L為溶液電阻指數(mm·L/mol)，L為極間(陽極-陰極間)距離(mm)，D
C為電荷載體密度(mol/L))
所定義之溶液電阻指數R
L為9.0 mm・L/mol以上20.0 mm・L/mol以下，更佳為11.0 mm・L/mol以上17.0 mm・L/mol以下。藉由以此方式增大溶液電阻指數R
L，而系統整體之電壓變大，凸起形成反應時之電壓亦變大。從而對凸起形狀產生影響，結果能較佳地形成適於賦予本發明之粗化處理銅箔所要求之表面分佈的形狀之凸起。再者，電荷載體密度D
C可藉由對存在於鍍覆液中之所有離子，合計出各離子濃度及價數之積而算出。例如，於使用硫酸銅溶液作為鍍覆液之情形時，電荷載體密度D
C可根據下述式而算出，即：
Dc＝[H
+]×1＋[Cu
2+]×2＋[SO
4 2-]×2
(式中，[H
+]為溶液中之氫離子濃度(mol/L)，[Cu
2+]為溶液中之銅離子濃度(mol/L)，[SO
4 2-]為溶液中之硫酸離子濃度(mol/L))。
溶液電阻指數R
L與電壓之關係係如以下所說明。首先，根據歐姆定律導出下述式：
V＝ρ×L×I/S
(式中，V為電壓，ρ為比電阻，L為極間距離，I為電流，S為極間之截面面積)。
即，電壓V與比電阻ρ、極間距離L及電流密度(＝I/S)成正比。而且，比電阻ρ與上述電荷載體密度D
C成反比。因此，於電流密度固定之情形時，藉由使(與極間距離L成正比，與電荷載體密度D
C成反比之)溶液電阻指數變大，而電壓亦變大。因此，溶液電阻指數可謂與溶液之電阻存在關聯之指標。
視需要，粗化處理銅箔亦可為實施了防銹處理而形成有防銹處理層者。防銹處理較佳為包含使用鋅之鍍覆處理。使用鋅之鍍覆處理可為鍍鋅處理及鍍鋅合金處理中之任一者，鍍鋅合金處理尤佳為鋅-鎳合金處理。鋅-鎳合金處理只要為至少包含Ni及Zn之鍍覆處理即可，亦可進而包含Sn、Cr、Co、Mo等其他元素。例如，藉由防銹處理層除了Ni及Zn以外還包含Mo，而粗化處理銅箔之處理表面成為與樹脂之密接性、耐化學品性及耐熱性更優異，且蝕刻殘渣不易殘留者。鋅-鎳合金鍍覆中之Ni/Zn附著比率以質量比計較佳為1.2以上10以下，更佳為2以上7以下，進而較佳為2.7以上4以下。又，防銹處理較佳為進而包含鉻酸鹽處理，該鉻酸鹽處理更佳為於使用鋅之鍍覆處理之後，於包含鋅之鍍覆之表面進行。藉此，能進一步提高防銹性。尤佳之防銹處理係鋅-鎳合金鍍覆處理與其後之鉻酸鹽處理之組合。
視需要，粗化處理銅箔亦可為於表面實施矽烷偶合劑處理而形成有矽烷偶合劑處理層者。藉此，能提高耐濕性、耐化學品性及與接著劑等之密接性等。矽烷偶合劑處理層可藉由將矽烷偶合劑適當稀釋後塗佈，並使其乾燥而形成。作為矽烷偶合劑之例，可例舉：4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷等環氧基官能性矽烷偶合劑；3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基官能性矽烷偶合劑；3-巰基丙基三甲氧基矽烷等巰基官能性矽烷偶合劑；乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷等烯烴官能性矽烷偶合劑；3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等丙烯酸官能性矽烷偶合劑；咪唑矽烷等咪唑官能性矽烷偶合劑；或三𠯤矽烷等三𠯤官能性矽烷偶合劑等。
基於上述理由，粗化處理銅箔較佳為於粗化處理面上進而具備防銹處理層及/或矽烷偶合劑處理層，更佳為具備防銹處理層及矽烷偶合劑處理層兩者。防銹處理層及矽烷偶合劑處理層可不僅形成於粗化處理銅箔之粗化處理面側，亦形成於未形成粗化處理面之側。
銅箔積層板本發明之粗化處理銅箔較佳為用於製造印刷佈線板用銅箔積層板。即，根據本發明之較佳之態樣，提供一種具備上述粗化處理銅箔之銅箔積層板。藉由使用本發明之粗化處理銅箔，可令銅箔積層板兼具優異之傳輸特性與較高之剝離強度。該銅箔積層板構成為具備本發明之粗化處理銅箔及與該粗化處理銅箔之粗化處理面密接地設置之樹脂層。粗化處理銅箔可設置於樹脂層之單面，亦可設置於雙面。樹脂層構成為包含樹脂，較佳為絕緣性樹脂。樹脂層較佳為預浸體及/或樹脂片材。所謂預浸體，係指使合成樹脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃不織布、紙等基材含浸合成樹脂而成之複合材料之總稱。作為絕緣性樹脂之較佳之例，可例舉：環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺三𠯤樹脂(BT樹脂)、聚苯醚樹脂、酚系樹脂等。又，作為構成樹脂片材之絕緣性樹脂之例，可例舉：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂等絕緣樹脂。又，就提高絕緣性等之觀點而言，樹脂層中亦可含有包含氧化矽、氧化鋁等各種無機粒子之填料粒子等。樹脂層之厚度並無特別限定，較佳為1 μm以上1000 μm以下，更佳為2 μm以上400 μm以下，進而較佳為3 μm以上200 μm以下。樹脂層可包含複數個層。預浸體及/或樹脂片材等樹脂層亦可隔著預先塗佈於銅箔表面之底塗樹脂層設置於粗化處理銅箔。
印刷佈線板本發明之粗化處理銅箔較佳為用於製造印刷佈線板。即，根據本發明之較佳之態樣，提供一種具備上述粗化處理銅箔之印刷佈線板。藉由使用本發明之粗化處理銅箔，可令印刷佈線板兼具優異之傳輸特性與較高之剝離強度。本態樣之印刷佈線板構成為包含樹脂層與銅層積層而成之層構成。銅層係源自本發明之粗化處理銅箔之層。又，樹脂層係如上文中關於銅箔積層板所述。總之，印刷佈線板可採用公知之層構成。作為關於印刷佈線板之具體例，可例舉：於預浸體之單面或雙面接著本發明之粗化處理銅箔並使其硬化而製成積層體，然後形成電路所得之單面或雙面印刷佈線板；或將其等多層化而成之多層印刷佈線板等。又，作為其他之具體例，亦可例舉：於樹脂膜上形成本發明之粗化處理銅箔而形成電路之撓性印刷佈線板、COF(Chip On Film，薄膜覆晶)、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)帶等。作為另外之具體例，可例舉：於本發明之粗化處理銅箔上塗佈上述樹脂層而形成附樹脂之銅箔(RCC)，將樹脂層作為絕緣接著材層積層於上述印刷基板，然後將粗化處理銅箔作為佈線層之全部或一部分，利用改良型半加成法(MSAP)、減成法等方法形成電路所得之增層佈線板；去除粗化處理銅箔後利用半加成法(SAP)形成電路所得之增層佈線板；及於半導體積體電路上交替地反覆進行附樹脂之銅箔之積層與電路形成之晶圓上直接增層(direct buildup on wafer)等。
[實施例]
藉由以下示例對本發明進行更具體之說明。
例 1 ～ 15以如下方式進行本發明之粗化處理銅箔之製造。
(1)電解銅箔之製造
關於例1～9及11～15，使用如下所示之組成之硫酸酸性硫酸銅溶液作為銅電解液，陰極使用鈦製之電極，陽極使用DSA(尺寸穩定性陽極)，於溶液溫度45℃、電流密度55 A/dm
2下進行電解，獲得表1所示之厚度之電解銅箔A。此時，使用經#1000之拋光輪研磨表面而調整表面粗糙度後之電極作為陰極。
＜硫酸酸性硫酸銅溶液之組成＞
- 銅濃度：80 g/L
- 硫酸濃度：300 g/L
- 動物膠(glue)濃度：5 mg/L
- 氯濃度：30 mg/L
另一方面，關於例10，使用如下所示之組成之硫酸酸性硫酸銅溶液作為銅電解液，獲得表1所示之厚度之電解銅箔B。此時，除硫酸酸性硫酸銅溶液之組成以外之條件與電解銅箔A相同。
＜硫酸酸性硫酸銅溶液之組成＞
- 銅濃度：80 g/L
- 硫酸濃度：260 g/L
- 雙(3-磺丙基)二硫化物濃度：30 mg/L
- 二烯丙基二甲基氯化銨聚合物濃度：50 mg/L
- 氯濃度：40 mg/L
(2)粗化處理
於上述電解銅箔所具備之電極面及析出面中，關於例1～6、10及12～15，對析出面側進行粗化處理，關於例7～9及11，對電極面側進行粗化處理。再者，例1～6、10及12～15中所使用之電解銅箔之析出面、以及例7～9及11中所使用之電解銅箔之電極面之使用接觸式表面粗糙度計依據JIS B0601-1994所測得之十點平均粗糙度Rz如表1所示。
關於例1～8，進行如下所示之粗化處理(第一粗化處理)。該粗化處理係藉由於粗化處理用銅電解溶液(銅濃度：7 g/L以上17 g/L以下，硫酸濃度：50 g/L以上200 g/L以下，液溫：30℃)中，按表1中針對各例分別示出之溶液電阻指數、電流密度及時間之條件進行電解、水洗來進行。
關於例9～15，依序進行如下所示之第一粗化處理、第二粗化處理及第三粗化處理。
- 第一粗化處理係藉由於粗化處理用銅電解溶液(銅濃度：7 g/L以上17 g/L以下，硫酸濃度：50 g/L以上200 g/L以下，液溫：30℃)中，按表1所示之溶液電阻指數、電流密度及時間之條件進行電解、水洗來進行。
- 第二粗化處理係藉由於組成與第一粗化處理相同之粗化處理用銅電解溶液中，按表1所示之溶液電阻指數、電流密度及時間之條件進行電解、水洗來進行。
- 第三粗化處理係藉由於粗化處理用銅電解溶液(銅濃度：65 g/L以上80 g/L以下，硫酸濃度：50 g/L以上200 g/L以下，液溫：45℃)中，按表1所示之溶液電阻指數、電流密度及時間之條件進行電解、水洗來進行。
(3)防銹處理
對粗化處理後之電解銅箔進行表1所示之防銹處理。作為該防銹處理，關於例1～5、7及8，對電解銅箔之已進行粗化處理之面，使用焦磷酸浴，於焦磷酸鉀濃度100 g/L、鋅濃度1 g/L、鎳濃度2 g/L、鉬濃度1 g/L、液溫40℃、電流密度0.5 A/dm
2下進行鋅-鎳-鉬系防銹處理。又，對電解銅箔之未進行粗化處理之面，使用焦磷酸浴，設為焦磷酸鉀濃度80 g/L、鋅濃度0.2 g/L、鎳濃度2 g/L、液溫40℃、電流密度0.5 A/dm
2而進行鋅-鎳系防銹處理。另一方面，關於例6及9～15，對電解銅箔之雙面，於與例1～5、7及8中之電解銅箔之未進行粗化處理之面相同之條件下進行鋅-鎳系防銹處理。
(4)鉻酸鹽處理
對已進行上述防銹處理之電解銅箔之雙面，進行鉻酸鹽處理，於防銹處理層之上形成鉻酸鹽層。該鉻酸鹽處理係於鉻酸濃度1 g/L、pH值11、液溫25℃及電流密度1 A/dm
2之條件下進行。
(5)矽烷偶合劑處理
對已實施上述鉻酸鹽處理之銅箔進行水洗，其後立即進行矽烷偶合劑處理，使粗化處理面之鉻酸鹽層上吸附矽烷偶合劑。該矽烷偶合劑處理係藉由利用環狀淋浴裝置(shower ring)向粗化處理面吹送以純水為溶劑之矽烷偶合劑之溶液而進行吸附處理來進行。作為矽烷偶合劑，於例1及3～8中使用3-胺基丙基三甲氧基矽烷，於例2及9～15中使用3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷。矽烷偶合劑之濃度均設為3 g/L。於矽烷偶合劑之吸附後，最終利用電熱器使水分蒸發，獲得特定厚度之粗化處理銅箔。
[表1]
| 表1 | |||||||||||||||
| 電解銅箔 | 粗化處理 | 防銹處理 | Si處理 | ||||||||||||
| 處理面 | 第一粗化處理 | 第二粗化處理 | 第三粗化處理 | ||||||||||||
| 種類 | 厚度 (μm) | Rz (μm) | 溶液電阻指數(mm·L/mol) | 電流密度 (A/dm 2) | 時間 (s) | 溶液電阻指數 (mm·L/mol) | 電流密度 (A/dm 2) | 時間 (s) | 溶液電阻指數 (mm·L/mol) | 電流密度 (A/dm 2) | 時間 (s) | 種類 | 種類 | ||
| 例1 | A | 12 | 2.24 | 析出面 | 14.2 | 24.0 | 1.6 | - | - | - | - | - | - | Zn-Ni-Mo | 胺基 |
| 例2 | A | 12 | 2.24 | 析出面 | 14.2 | 24.0 | 1.6 | - | - | - | - | - | - | Zn-Ni-Mo | 環氧基 |
| 例3 | A | 18 | 2.85 | 析出面 | 14.2 | 24.0 | 1.6 | - | - | - | - | - | - | Zn-Ni-Mo | 胺基 |
| 例4 | A | 35 | 4.92 | 析出面 | 14.2 | 24.0 | 1.6 | - | - | - | - | - | - | Zn-Ni-Mo | 胺基 |
| 例5 | A | 70 | 8.56 | 析出面 | 14.2 | 16.0 | 2.0 | - | - | - | - | - | - | Zn-Ni-Mo | 胺基 |
| 例6 | A | 70 | 8.56 | 析出面 | 14.2 | 16.0 | 2.0 | - | - | - | - | - | - | Zn-Ni | 胺基 |
| 例7* | A | 18 | 1.09 | 電極面 | 14.2 | 88.9 | 1.0 | - | - | - | - | - | - | Zn-Ni-Mo | 胺基 |
| 例8* | A | 18 | 1.24 | 電極面 | 14.2 | 32.0 | 1.9 | - | - | - | - | - | - | Zn-Ni-Mo | 胺基 |
| 例9* | A | 18 | 1.13 | 電極面 | 8.1 | 34.0 | 2.7 | 7.7 | 31.2 | 2.7 | 6.2 | 31.0 | 9.1 | Zn-Ni | 環氧基 |
| 例10* | B | 18 | 0.56 | 析出面 | 7.6 | 23.0 | 6.2 | 7.7 | 14.2 | 6.2 | 6.7 | 8.6 | 25.0 | Zn-Ni | 環氧基 |
| 例11* | A | 18 | 1.32 | 電極面 | 8.1 | 34.0 | 2.7 | 7.3 | 28.5 | 2.7 | 6.2 | 23.1 | 9.1 | Zn-Ni | 環氧基 |
| 例12* | A | 12 | 2.14 | 析出面 | 7.6 | 31.8 | 2.3 | 7.3 | 30.1 | 2.3 | 6.7 | 26.7 | 9.3 | Zn-Ni | 環氧基 |
| 例13* | A | 18 | 3.02 | 析出面 | 7.6 | 31.8 | 2.3 | 7.3 | 30.1 | 2.3 | 6.7 | 26.7 | 9.3 | Zn-Ni | 環氧基 |
| 例14* | A | 35 | 4.53 | 析出面 | 7.6 | 31.8 | 2.3 | 7.3 | 30.1 | 2.3 | 6.7 | 26.7 | 9.3 | Zn-Ni | 環氧基 |
| 例15* | A | 70 | 7.76 | 析出面 | 7.6 | 31.8 | 2.3 | 7.3 | 30.1 | 2.3 | 6.7 | 26.7 | 9.3 | Zn-Ni | 環氧基 |
| *表示比較例。 |
評價對所製造之粗化處理銅箔，進行如下所示之各種評價。
(a)粗化處理面之表面性狀參數
藉由使用雷射顯微鏡(奧林巴斯股份有限公司製造之OLS-5000)之表面粗糙度解析，依據ISO25178或JIS B0601-2013進行粗化處理銅箔之粗化處理面之測定。此時，關於Spd、Vmp、Vmc及Sdr，如表2所示，將測定倍率設為200倍(物鏡倍率100倍×光學變焦2倍)來進行測定，關於Rdc、Sk及Sxp，如表3所示，將測定倍率設為20倍(物鏡倍率20倍)來進行測定。其他具體之測定條件係如表2及3所示。按照表2及3所示之條件對所獲得之粗化處理面之表面分佈進行解析，計算Spd、Vmp、Vmc、Sdr、Rdc、Sk及Sxp。又，基於所獲得之Spd、Vmp及Vmc之值，計算Vmp＋Vmc及微小前端粒子體積(＝(Vmp＋Vmc)/Spd)。結果如表4所示。
[表2]
| 表2 | |||
| 測定條件 | 雷射顯微鏡型號 | 奧林巴斯股份有限公司製造之OLS-5000 | |
| 物鏡倍率 | 100倍 | ||
| 光學變焦 | 2倍 | ||
| 觀察方向 | 銅箔之處理方向與視野垂直的方向 | ||
| 測定方法 | 指定複數區域模式，於格子登錄模式下，對「列行」指定X＝2、Y＝2，對「間距」指定X＝64 μm、Y＝64 μm，測定相互鄰接之2×2處區域(每1處為64 μm×64 μm) | ||
| 解析條件 | 對象面積 | 表面分佈 擷取時 | 縱64.419 μm×橫64.397 μm(像素數1024×1024) |
| Spd 計算時 | 上述表面分佈擷取時之區域中， 中央之500像素×500像素之區域 | ||
| Vmp、Vmc、Sdr 計算時 | 上述表面分佈擷取時之區域整體 (1024像素×1024像素之區域) | ||
| 規格 | ISO25178 | ||
| 面傾斜修正 | 藉由「自動」來實施 | ||
| F運算 | 將形狀去除方法設為「多維曲面」，將維度設為「一維」。 | ||
| S-濾波器 | 0.3 μm | ||
| L-濾波器 | 5 μm | ||
| 平均方法 | 將同時測得之2×2處之測定值平均 |
[表3]
| 表3 | |||
| 測定方法 | 雷射顯微鏡型號 | 奧林巴斯股份有限公司製造之OLS-5000 | |
| 物鏡倍率 | 20倍 | ||
| 光學變焦 | 無 | ||
| 觀察方向 | 銅箔之處理方向與視野垂直的方向 | ||
| 測定方法 | 指定單獨區域模式，測定互不相同之3個部位 | ||
| 解析方法 | 共通條件 | 表面分佈擷取區域 | 縱643.973 μm×橫643.393 μm (於區域指定畫面上，指定1024像素×1024像素之區域) |
| 面傾斜修正 | 藉由「自動」來實施 | ||
| Rdc | 對象區域 | 與處理方向垂直地畫出3條長度為643.973 μm之線，與處理方向平行地畫出3條長度為643.393 μm之線，計算各線上之分佈並加以平均 | |
| 規格 | JIS B0601-2013 | ||
| 截止值λs | 無 | ||
| 截止值λc | 320 μm | ||
| Sk Sxp | 對象區域 | 於表面分佈擷取時所指定之整個區域 (1024像素×1024像素之區域) | |
| 規格 | ISO25178 | ||
| F運算 | 將形狀去除方法設為「多維曲面」，將維度設為「一維」。 | ||
| S-濾波器 | 無 | ||
| L-濾波器 | 320 μm |
(b)銅箔-基材間之剝離強度
為了對常溫及多濕環境下之粗化處理銅箔，評價與絕緣基材之密接性，以如下方式進行常態剝離強度及耐濕剝離強度之測定。
(b-1)常態剝離強度
作為絕緣基材，準備2片以聚苯醚、異氰尿酸三烯丙酯及雙馬來醯亞胺樹脂為主成分之預浸體(厚度為100 μm)，進行堆積。將所製造之表面處理銅箔以其粗化處理面與預浸體抵接之方式積層於該堆積之預浸體上，於32 kgf/cm
2、205℃下進行120分鐘之加壓，而製造銅箔積層板。其次，於該銅箔積層板上藉由蝕刻法進行電路形成，製造具備寬3 mm之直線電路之試驗基板。再者，關於例1、2及12，於電路形成前，對銅箔積層板之銅箔側表面進行鍍銅直至銅箔之厚度變為18 μm為止。又，關於例4～6、14及15，於電路形成前，對銅箔積層板之銅箔側表面進行蝕刻直至銅箔之厚度變為18 μm為止。將以此方式獲得之直線電路，依據JIS C 5016-1994之A法(90°剝離)自絕緣基材剝離而測定常態剝離強度(kgf/cm)。按照以下基準評價所獲得之常態剝離強度是否良好。結果如表4所示。
＜常態剝離強度評價基準＞
- 良好：常態剝離強度為0.40 kgf/cm以上
- 不良：常態剝離強度未達0.40 kgf/cm
(b-2)耐濕剝離強度
除了於測定剝離強度之前，將具備直線電路之試驗基板浸漬於沸水中2小時以外，按照與上述常態剝離強度相同之順序，測定耐濕剝離強度(kgf/cm)。按照以下基準評價所獲得之耐濕剝離強度是否良好。結果如表4所示。
＜耐濕剝離強度評價基準＞
- 良好：耐濕剝離強度為0.40 kgf/cm以上
- 不良：耐濕剝離強度未達0.40 kgf/cm
(c)傳輸特性
準備高頻用基材(Panasonic製造之MEGTRON6N)作為絕緣樹脂基材。將粗化處理銅箔以其粗化處理面與絕緣樹脂基材抵接之方式積層於該絕緣樹脂基材之雙面，使用真空加壓機，於溫度190℃、加壓時間120分鐘之條件下積層，獲得絕緣厚度為136 μm之銅箔積層板。其後，對該銅箔積層板實施蝕刻加工，以特性阻抗成為50 Ω之方式形成微帶線(microstrip line)，獲得傳輸損耗測定用基板。對所獲得之傳輸損耗測定用基板，使用網路分析儀(Keysight Technologie製造之N5225B)，測定28 GHz時之傳輸損耗(dB/cm)。按照以下基準評價所獲得之傳輸損耗是否良好。結果如表4所示。
＜傳輸損耗評價基準＞
- 良好：傳輸損耗為-0.33 dB/cm以上
- 不良：傳輸損耗未達-0.33 dB/cm
[表4]
| 表4 | ||||||||||||
| 評價 | ||||||||||||
| 粗化處理面之表面性狀參數 | 銅箔-基材間之剝離強度 | 傳輸特性 | ||||||||||
| 微小前端粒子體積 (Vmp＋Vmc)/Spd (μm 3/個) | Vmp (μm 3/μm 2) | Vmc (μm 3/μm 2) | Vmp＋Vmc (μm 3/μm 2) | Spd (個/μm 2) | Sdr (%) | Rdc (μm) | Sk (μm) | Sxp (μm) | 常態剝離強度 (kgf/cm) | 耐濕剝離強度 (kgf/cm) | 28 GHz時之傳輸損耗 (dB/cm) | |
| 例1 | 0.551 | 0.014 | 0.131 | 0.145 | 0.26 | 20 | 1.05 | 1.67 | 1.32 | 0.44 | 0.44 | -0.30 |
| 例2 | 0.528 | 0.015 | 0.131 | 0.146 | 0.28 | 21 | 0.96 | 1.67 | 1.32 | 0.45 | 0.44 | -0.30 |
| 例3 | 0.869 | 0.018 | 0.148 | 0.165 | 0.19 | 24 | 1.29 | 2.06 | 1.79 | 0.46 | 0.46 | -0.31 |
| 例4 | 1.218 | 0.022 | 0.188 | 0.209 | 0.17 | 36 | 1.88 | 2.95 | 2.51 | 0.45 | 0.45 | -0.31 |
| 例5 | 1.172 | 0.021 | 0.224 | 0.244 | 0.21 | 47 | 3.26 | 5.22 | 4.54 | 0.46 | 0.46 | -0.32 |
| 例6 | 1.259 | 0.020 | 0.225 | 0.245 | 0.19 | 48 | 3.80 | 5.24 | 4.62 | 0.47 | 0.46 | -0.32 |
| 例7* | 0.982 | 0.017 | 0.226 | 0.242 | 0.25 | 40 | 0.90 | 1.42 | 1.01 | 0.37 | 0.37 | -0.31 |
| 例8* | 0.443 | 0.008 | 0.129 | 0.138 | 0.31 | 17 | 0.49 | 0.81 | 0.62 | 0.36 | 0.35 | -0.30 |
| 例9* | 5.131 | 0.063 | 0.553 | 0.616 | 0.21 | 111 | 1.23 | 2.03 | 2.06 | 0.56 | 0.56 | -0.45 |
| 例10* | 1.316 | 0.020 | 0.367 | 0.387 | 0.29 | 79 | 0.98 | 1.57 | 1.35 | 0.55 | 0.53 | -0.40 |
| 例11* | 1.733 | 0.025 | 0.372 | 0.397 | 0.23 | 77 | 1.23 | 1.91 | 1.68 | 0.56 | 0.56 | -0.39 |
| 例12* | 3.736 | 0.037 | 0.621 | 0.658 | 0.18 | 134 | 2.45 | 3.65 | 2.65 | 0.60 | 0.60 | -0.45 |
| 例13* | 5.999 | 0.039 | 0.583 | 0.622 | 0.10 | 118 | 2.43 | 3.42 | 2.88 | 0.62 | 0.61 | -0.45 |
| 例14* | 6.122 | 0.090 | 0.493 | 0.583 | 0.10 | 143 | 4.37 | 5.02 | 4.50 | 0.64 | 0.63 | -0.44 |
| 例15* | 2.525 | 0.031 | 0.510 | 0.541 | 0.21 | 109 | 5.82 | 7.53 | 7.39 | 0.67 | 0.65 | -0.46 |
| *表示比較例。 |
圖1係用以說明依據JIS B0601-2013所決定之粗糙度曲線之負載曲線之圖。
圖2係用以說明依據JIS B0601-2013所決定之負載長度率Rmr(c)之圖。
圖3係用以說明依據JIS B0601-2013所決定之切斷程度差Rdc之圖。
圖4係用以說明依據ISO25178所決定之面之負載曲線及負載面積率Smr(c)之圖。
圖5係用以說明依據ISO25178所決定之，分離突出峰部與核心部之負載面積率Smr1、分離突出谷部與核心部之負載面積率Smr2、及核心部程度差Sk之圖。
圖6係用以說明依據ISO25178所決定之突出峰部實體體積Vmp及核心部實體體積Vmc之圖。
圖7係用以說明依據ISO25178所決定之極點高度Sxp之圖。
圖8係用以說明粗化處理銅箔之表面凹凸包含粗化粒子分量及起伏分量之圖。
圖9係粗化粒子之模式剖視圖，且為用以說明微小前端粒子體積之圖。
圖10係表示本發明之粗化處理銅箔之一例之模式圖。
Claims (12)
- 一種粗化處理銅箔，其係於至少一側具有粗化處理面者，且 關於上述粗化處理面，基於每單位面積之突出峰部實體體積Vmp(μm 3/μm 2)、每單位面積之核心部實體體積Vmc(μm 3/μm 2)、及每單位面積之峰頂點密度Spd(個/μm 2)，利用(Vmp＋Vmc)/Spd之式所算出的微小前端粒子體積為1.300 μm 3/個以下，且切斷程度差Rdc為0.95 μm以上， 上述Vmp、Vmc及Spd係依據ISO25178，於倍率200倍、S-濾波器之截止波長為0.3 μm及L-濾波器之截止波長為5 μm之條件下所測得之值， 上述Rdc係依據JIS B0601-2013，於倍率20倍、不進行截止值λs之截止且截止值λc之截止波長為320 μm之條件下所測得之粗糙度曲線中之作為負載長度率(Rmr1)20%及負載長度率(Rmr2)80%之高度方向之切斷程度c之差(c(Rmr1)－c(Rmr2))所獲得之值。
- 如請求項1之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之上述切斷程度差Rdc為1.10 μm以上20.00 μm以下。
- 如請求項1或2之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之每單位面積之上述核心部實體體積Vmc為0.360 μm 3/μm 2以下。
- 如請求項1或2之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之上述突出峰部實體體積Vmp與上述核心部實體體積Vmc之和即Vmp＋Vmc為0.380 μm 3/μm 2以下。
- 如請求項1或2之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之界面展開面積比Sdr為70%以下，上述Sdr係依據ISO25178，於倍率200倍、S-濾波器之截止波長為0.3 μm且L-濾波器之截止波長為5 μm之條件下所測得之值。
- 如請求項1或2之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之核心部程度差Sk為1.50 μm以上，上述Sk係依據ISO25178，於倍率20倍、不進行S-濾波器之截止且L-濾波器之截止波長為320 μm之條件下所測得之值。
- 如請求項1或2之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之極點高度Sxp為1.10 μm以上，上述Sxp係依據ISO25178，於倍率20倍、不進行S-濾波器之截止且L-濾波器之截止波長為320 μm之條件下所測得之值。
- 如請求項1或2之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理面之每單位面積之上述峰頂點密度Spd為0.12個/μm 2以上0.46個/μm 2以下。
- 如請求項1或2之粗化處理銅箔，其中於上述粗化處理面上進而具備防銹處理層及/或矽烷偶合劑處理層。
- 如請求項1或2之粗化處理銅箔，其中上述粗化處理銅箔為電解銅箔，上述粗化處理面存在於電解銅箔之析出面側。
- 一種銅箔積層板，其具備如請求項1或2之粗化處理銅箔。
- 一種印刷佈線板，其具備如請求項1或2之粗化處理銅箔。
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