TWI817020B - SnZn焊料及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於SnZn焊料及SnZn焊料的製造方法,目的在於提供一種廉價的焊料,對於太陽能電池基板等的電極極為強固,可多次承受高溫、低溫反覆測試,且即便混入其他成分,熔融溫度亦大致相同或更低。本發明之SnZn焊料係於Sn與Zn的合金之母材混入合計1至1.5wt%以下之包含P、In、Bi、Sb之中一種以上之主材,並且予以熔融、合金化而成。
Description
本發明係關於使用於太陽能電池基板、液晶基板等之SnZn焊料及其製造方法。
以往,由於錫鉛焊料強度較強且廉價等理由,而大量運用於對於太陽能電池基板及液晶基板等的電極之導線的焊接。
再者,電極為鋁等的情況時,由於無法獲得充分的焊接強度,故塗覆銀膏並進行燒結,而於其上以錫鉛焊料來焊接導線。
另外,最近由於公害等觀點,無鉛焊料的需求逐漸提高。
習知的無鉛焊料相較於錫鉛焊料,存在有強度相對於需求強度稍有不足,或價格較高而無法替代使用等之問題點。
本案發明人係針對屬於無鉛焊料的一種之由Sn與Zn的合金構成之SnZn焊料,發現混入合計1至1.5wt%以下之微量的P、In、Bi、Sb等主材並且予以熔融、合金化,且依據需求而混入微量的Al、Si、Ag、Cu、Ni等副材並且予以熔融、合金化而成之SnZn焊料,對於太陽能電池基板等的電極極為強固,能夠多次承受高溫、低溫反覆測試,且即便混入其他成分,SnZn焊料的熔融溫度亦大致相同或更低。
因此,本發明係一種SnZn焊料,係由Sn與Zn的合金構成,其中,於屬於Sn及Zn的合金之母材混入合計1至1.5wt%以下之包含P、In、Bi、Sb之中一種以上之主材,並且予以熔融、合金化而成。
此時,熔融、合金化後之SnZn焊料的熔融溫度係與母材的熔融溫度相同或更低。
再者,主材係在Sn與Zn的合金的骨架內合金化。
再者,依據需求,於母材混入5wt%以下之Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上或含有Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上之玻璃之副材,並且予以熔融、合金化而成。
再者,就主材及副材而言,將主材與副材的合金混入母材,並且予以熔融、合金化。
再者,就主材與副材的合金而言,採用Cu與P的合金。
再者,將母材、主材、副材同時或分複數次混合,並且予以熔融、合金化。
再者,SnZn焊料係用於對太陽能電池基板、液晶基板的電極焊接導線。
再者,於製作出之SnZn焊料中,混入3wt%以下0.05wt%以上之氯化銨水合物之粉末或含有氯化銨水合物之粉末,以在焊接加熱時分解而改善對於被焊接對象物之焊接密接度。
如上所述,本發明係於屬於Sn及Zn的合金之母材混入合計1至1.5wt%以下微量之包含P、In、Bi、Sb等之中一種以上之主材,並且依據需求,混入微量之Al、Si、Cu、Ag、Ni等之中一種以上或含有Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上之玻璃之副材,並且予以熔融、合金化,藉此成為對於太陽能電池基板等的電極極為強固且能夠多次承受高溫、低溫反覆測試之焊料,並且,即便混入其他成分,SnZn焊料的熔融溫度亦大致相同或更低,更能夠低價地製造。
再者,熔融、合金化後之SnZn焊料的熔融溫度係與母材的熔融溫度相同或更低,而可消除因混入造成之熔融溫度的上升。
再者,主材係在Sn與Zn的合金的骨架內合金化,而可消除非期望地析出之缺陷。
再者,藉由混入Al、Si、Cu、Ag、Ni等之中一種以上或含有Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上之玻璃,並且予以熔融、合金化而製造SnZn焊料,可改善對於焊接對象之接觸電位等電氣特性。
再者,藉由混入主材與副材的合金並且予以熔融、合金化來製造SnZn焊料,可謀求主材的穩定化,成為能夠多次承受高溫、低溫反覆測試之焊料。
再者,於所製作出之SnZn焊料混入3wt%以下0.05wt%以上之氯化銨水合物之粉末或含有氯化銨水合物之粉末,可在焊接加熱時分解而改善對於被焊接對象物之焊接密接度。
1:焊料材料
2:焊料材料投入皿
3:熔融爐
4:加熱器
11:矽基板
12:鋁燒結膜
13:超音波烙鐵前端
13-1:烙鐵前端
14:焊料
15:帶片、金屬線
S1,S2,S3,S4,S11,S12:步驟
圖1係本發明之焊料製造說明圖。
圖2係本發明之焊料材料製造裝置之說明圖。
圖3係本發明之導線的焊接說明圖。
圖4係本發明之焊接說明圖。
圖5係本發明之焊料之組成例(ABS-S)。
圖6係本發明之焊料之試作例。
圖7係本發明之焊料的TC測試說明圖。
圖8係本發明之焊料(A-14)的TC測試例。
圖9係本發明之超音波(刮擦)/膏狀物例。
圖1係本發明之焊料製造說明圖。
圖1(a)係顯示流程圖,圖1(b)係顯示材料例。
圖1(a)中,步驟S1係製備母材、主材、副材。此係製備圖1(b)之材料例所示之下述材料。
˙母材:Sn91 Zn9
˙主材:P、In、Bi、Sb
˙副材:Al、Si、Cu、Ag、Ni
於此,母材為形成本發明之SnZn焊料之SnZn合金的基本材料(母材),在此採用Sn為91wt%,Zn為9wt%作為試作料。Sn、Zn的重量比在可製作合金的範圍內可任意設定,例如Zn可為1至15wt%,而其餘的為Sn(可依照熔融溫度等進行實驗而適當地選擇設定比例)。
再者,主材係在進行焊接時對於被焊接對象的表面的氧化膜去除、密接性、濕潤性、流動性、黏性等焊接的性質造成影響之材料,本發明中,將主材的總量設為1至1.5wt%以下。於此,主材係混合P(被焊接對象之氧化膜去除、密接性)、In(濕潤性、流動性)、Bi(密接性)、Sb(密接性)之一種以上並予以熔融、合金化之對象材料。再者,因主材為總量1至1.5wt%以下之微量,故相較於母材的熔融溫度,將主材混合於母材並予以熔融、合金化後之SnZn焊料的熔融溫度係相同或略低(例如降低1至5℃左右)。此係推測主材的總量相對於母材為1至1.5wt%以下之微量而進入母材的骨架內並重新建構骨架所致。
再者,副材係更進一步添加於母材與主材之材料,用以使被焊接對象(太陽能電池基板、液晶基板等半導體基板、燒製鋁膜、銅電極等)的電氣特性(接觸電位差、接觸電阻、太陽能電池的I-V特性等)、密接性等變得良好,於此為Al(相對於燒製鋁膜之材料)、Si(相對於矽基板之材料)、Cu(相對於銅電極之材料)、Ag(相對於全部情形之材料)、Ni(相對於在矽基板鍍覆有微量Ni時之材料)等材料。就副材而言,除了金屬以外,亦可藉由將含有金屬之玻璃混合、熔融、合金化來進行添加(玻璃中所含有的氧等氣體成分係於熔融、合金化時放出外部等)。
步驟S2係對母材混合主材、副材。此係於步驟S1製備之母材中混合主材、副材。
步驟S3係使母材、主材、副材熔融而合金化。此係將步驟S2中於母材混合主材、副材者加熱熔融,且充分攪拌而使其合金化。此時,主材、副材因空氣中的氧而氧化導致難以合金化等情形時,可依需求將非活性氣體(例如氮氣)吹入坩堝內,或進一步使用充滿非活性氣體之熔融爐、真空熔爐等。
步驟S4係完成焊料材料(ABS-S)。
如以上所述,製備母材、主材、副材且將該等混合並予以熔融、合金化,藉此可製造本發明之SnZn焊料(ABS-S)。以下依序詳細說明。
圖2係顯示本發明之材料製造裝置之說明圖。
圖2中,焊料材料1係已說明之圖1的步驟S1所製備之母材、主材、副材,於此係金屬、玻璃等的破片(粗略粉碎而成者)。
焊料材料投入皿2係盛裝焊料材料以投入熔融爐3者。
熔融爐3係藉由加熱器4進行加熱,將焊料材料1投入於內部時,用以將母材、主材、副材熔融,並進行攪拌而使其合金化。熔融爐3通常係在大氣中將投入於內部之母材、主材、副材熔融並進行攪拌而使其合金化。此時,依據需求而吹進非活性氣體(氮氣等)而減低因空氣中的氧導致之氧化,再者,依據需求而密封並充滿非活性氣體(或真空排氣)。
如以上所述,將圖1之步驟S1中備製之母材、主材、副材混合,以熔融爐3熔融並進行攪拌而使其合金化,可製造本發明之SnZn焊料。
圖3係顯示本發明之導線的焊接說明圖。
圖3(a)係顯示流程圖,圖3(b)係顯示基板/導線例。
圖3(a)中,步驟S11係以超音波將焊料對基板圖案進行預焊接。此係例如於太陽能電池基板的電極,對於要開始進行焊接之部分(圖案),將本發明之SnZn焊料(圖1之步驟S4所製造之SnZn焊料)供給至超音波烙鐵的烙鐵前端並使其熔融且施加超音波,對於基板上的該圖案部分預先進行焊接(稱為超音波預焊接)。
步驟S12係對導線等進行超音波焊接或無超音波焊接。此係使導線靠接於步驟S11中例如對太陽能電池基板的電極上進行過超音波預焊接之部分(圖案),並從其上施加超音波或不施加超音波,同時使本發明之SnZn焊料熔融而焊接導線。另外,若將SnZn焊料預焊於導線時,則無需供給焊料。
如上所述,由於難以對於焊接對象之部分(例如太陽能電池基板的電池部分)進行通常的焊接,故使用超音波進行本發明之SnZn焊料的預焊接(步驟S11),並於進行過預焊接之部分(圖案)之上使用本發明之SnZn焊料對導線進行超音波焊接或進行無超音波焊接(步驟S12),藉此,對以往無法進行焊接之太陽能電池基板的電極部分,可進行超音波預焊接,並在其上對導線進行超音波焊接或無超音波焊接。
另外,超音波焊接係以10W以下,通常係進行2至3W的超音波焊接。若過強則會損壞形成於太陽能電池基板上之膜(例如氮化膜)、基板表面的結晶等,故不進行過強的超音波焊接。
圖3(b)係顯示基板/導線例。
圖3(b)中,基板係Al、Si基板、玻璃基板等,且為通常的焊接極難以進行焊接之基板之例。對於成為該等基板的電極的部分(圖案),將本發明之
SnZn焊料超音波預焊接。然後,對此進行過預焊接之部分(圖案),將導線超音波焊接或無超音波焊接,藉此,可將導線焊接於基板。
再者,導線係使用本發明之SnZn焊料而焊接於基板上的電極的部分(圖案)之導線,且為金屬線(於圓形的銅線鍍覆本發明之SnZn焊料而成之金屬線,稍微壓成橢圓則容易進行焊接)、帶片(對於將銅之薄板切成1mm左右之寬度而成之帶片預先鍍覆本發明之SnZn焊料者)等。
圖4係本發明之焊接說明圖。
圖4(a)係顯示預焊接例,圖4(b)係顯示帶片或金屬線的焊接例。
圖4(a)中,矽基板11係本例中為太陽能電池基板之例,且為於該矽基板11的例如背面的整面形成鋁燒結膜12者。
鋁燒結膜12係於屬於太陽能電池基板之圖示的矽基板11的背面的整面塗覆鋁膏(或者,以網版印刷成預定的圖案)並進行燒結而形成的電極(鋁燒結膜)。
超音波烙鐵前端13係從未圖示之超音波產生器施加超音波並同時加熱。
焊料(ABS-S)14係本發明之SnZn焊料(圖1之步驟S4所製造之SnZn焊料)。
接著,說明焊接動作。
(1)將矽基板11搬送至預加熱台上並真空吸附固定,進行預加熱(例如預加熱至180℃左右)。
(2)對於要形成在鋁燒結膜12上之電極的圖案(長條狀之圖案),從起點朝向終點,將焊料14自動供給至圖示的超音波烙鐵前端13並使其熔融且同
時施加超音波,並在不會刮擦該鋁燒結膜12上之程度而接近之狀態下,以一定速度移動,從而在鋁燒結膜12上形成長條狀的預焊接圖案。
如上所述,可將本發明之SnZn焊料14在鋁燒結膜12上焊接成預定圖案之預焊接圖案。
圖4(b)係顯示帶片或金屬線的焊接例。
圖4(b)中,可施加超音波之烙鐵前端13-1係從未圖示之超音波產生器施加超音波並同時加熱,或不施加超音波而加熱。
附焊料之帶片或金屬線15係於帶片或金屬線預焊本發明之SnZn焊料而成者。另外,若使金屬線15稍變形成橢圓,則焊接性較良好。
接著,說明帶片或金屬線對於預焊接圖案部分之焊接動作。
(1)與圖4(a)同樣地,對矽基板11預加熱。
(2)對於沿著形成於矽基板11上(背面)的鋁燒結膜12的部分之預焊接圖案部分配置之附焊料之帶片或金屬線15,從上方以可施加超音波或無超音波之烙鐵前端13-1輕輕按壓並同時使其往圖示之右方以一定速度移動,將附焊料之帶片或金屬線15的焊料熔融而焊接於預焊接圖案部分。
如以上所述,可將預焊接有本發明之SnZn焊料之帶片或金屬線15焊接於鋁燒結膜12上的預焊接圖案的部分。
另外,本發明之超音波焊接、無超音波焊接之優劣的判定,係將帶片或金屬線對焊接對象部分進行超音波焊接或無超音波焊接之後,以比基板等會裂開之力稍弱之力拉扯帶片或金屬線,不會從基板剝落時判定為優良,會從基板剝落時判定為不良。
圖5係顯示本發明之焊料之組成例(ABS-S)。
圖5中,母材、主材、副材係圖1所說明之母材、主材、副材之區別。
組成例係母材、主材、副材之組成例。
wt%例係母材、主材、副材之組成的wt%之例。
wt%範圍為母材、主材、副材之組成的wt%的範圍例。
組成、wt%例、wt%範圍係成為如圖5所圖示之下述內容。
於此,就組成例而言,試作中,母材係使用圖示之Sn 91wt%、Zn 9wt%。再者,組成範圍係若為能夠製作SnZn之範圍且穩定者即可,例如可為Zn 1至15wt%,而其餘為Sn,所製作出之SnZn母材的熔融溫度等,經實測以實驗決定即可。
就主材而言,雖有P、In、Bi、Sb等,惟P在試作中係使用P(紅磷)與CuP8合金(P為8wt%,其餘為Cu之合金,P的wt%為CuP8的8%之磷化銅)。另外,添加約0.1wt%的P(P飽和狀態)之情形以及以CuP8中的P為主材而添加之情形時,需較多地添加為約0.16wt%(P飽和狀態)。P係在約0.1wt%(或CuP8之情形為約P=0.16wt%)時飽和,若更進一步添加則成為過飽和,會使SnZn焊料的黏性非期望地大幅增加。因此,為了通常使用之流動性、濕潤性的確保,較佳為P之飽和以下之添加。P亦可為非常微量(約0.001wt%左右之微量)。再者,P之飽和、過飽
和亦可依據用途而適當使用。同樣地,其他的主材也有此種傾向,因此,可因應需求而在實驗中決定最佳的添加量。
再者,主材的總量較佳為1至1.5wt%以下。將該主材的總量1至1.5wt%以下混合至母材(Sn 91wt%、Zn 9wt%)並予以熔融、合金化而成之本發明之SnZn焊料,實際測量出的熔融溫度相較於母材的熔融溫度為相同或降低1至5℃。此係推測主材之總量1至1.5wt%以下進入母材(SnZn合金)的骨架內部而重新建構骨架,結果致使熔融溫度相同或降低。另外,在坩堝內混合、熔融、合金化時顯現出網目狀之骨架,並觀察到將其攪拌而使整體熔解使其熔融時會成為一致之合金,據此亦可推測其原因。
再者,由於太陽能電池基板、液晶基板等為矽,且在矽上存在有鋁燒結膜等,故副材係考慮Si、Al以及Cu(銅線、銅圖案等)、Ag(燒結電極)、Ni(對於矽的表面的鎳鍍覆)等而添加者,且為用以改善電氣特性(接觸電位差、接觸電阻、太陽能電池的I-V特性等)、接合強度等。
圖6係顯示本發明之焊料之試作例。圖中顯示多數試作之焊料中能夠用於已說明之圖4之焊接之例。無法使用者係省略圖示。
圖6中,本發明之SnZn焊料(圖1之步驟S4所製造之SnZn焊料)的母材係使用Sn 91wt%、Zn 9wt%。
副材係使用Al、Si(其他省略)。
主材之In、Bi、P(紅磷)係使用金屬材料。CuP8係使用P為8wt%其餘為Cu之磷化銅。另外,如上所述,使用CuP8時,其中的P的添加量未相當於0.16wt%就不會飽和(P(紅磷)則於0.1wt%時飽和)。
試樣No係試作出之試樣的編號。
關於以上之試樣No,進行已說明之圖5之超音波焊接及無超音波焊接,並僅記載良好焊料。無法進行焊接之焊料則省略記載。
圖7係顯示本發明之焊料的TC測試說明圖。於此,TC測試係使用已說明之圖6的試樣No「A-14」。
圖7(a)係示意顯示ABS-S焊料(A-14)的TC測試例。至目前為止TC測試已超過1000小時(並持續進行中)。
圖7(b)係顯示試樣照片之例。如圖所示,使用A-14將銅線焊接至鋁板、矽面、鋁面(超音波焊接,或施加刮痕並焊接)。
圖7(c)係顯示TC測試之溫度條件。於此,如圖所示,以下述條件實施TC測試。
˙最大溫度為87.5℃
˙最小溫度為-24.4℃
˙最大濕度98.3%
˙最小濕度1.6%
圖7(d)係顯示測試環境與結果之例。於此,如圖所示,
(1)試驗期間為2019年5月1日至6月12日(1000小時)
(2)以焊料A-14將銅線接合於鋁板、矽板、鋁面
(3)高溫條件係於高溫爐80℃時放入。於試樣放入後再升溫。
(4)低溫條件係於冷凍庫-20℃時放入。
(5)交換係不將試樣置於常溫而立即替換。
測試結果係焊料未崩毀而無問題。
由以上測試條件實施1000小時之TC測試之結果,關於試樣No「A-14」,獲得測試合格之結果。
圖8係顯示本發明之焊料(A-14)的TC測試例。
圖8中,橫軸表示經過時間(h)。縱軸表示溫度(℃)/濕度(%),圖中上部的曲線表示濕度,下部的曲線表示溫度。
圖8中,圖中下部的溫度曲線係
˙高溫(最大溫度)為圖7(c)所載的87.6℃
˙低溫(最小溫度)為圖7(c)所載的-24.4℃
,且顯示經過1000小時之記錄。
圖8中,圖中上部的濕度曲線係
˙最大濕度為圖7(c)所載的98.3%
˙最小濕度為圖7(c)所載的1.6%
,且顯示經過1000小時之記錄。
圖9係顯示本發明之超音波(刮擦)/膏狀物例。於此,圖9中:
˙「膏狀物/超音波(刮擦)」係使用本發明之SnZn焊料焊接至焊接對象物時,區別「超音波焊接」,「無超音波並以烙鐵刮擦焊接對象物」,「使用膏狀物之氯化銨(NH4Cl)水合物(3wt%以下,0.05wt%以上)」,「使用膏狀物之氯化銨無水合物(3wt%以下,0.05wt%以上)」,以及「使用膏狀物之樹脂(松脂)(3wt%以下,0.05wt%以上)」。
˙焊接對象物係使用本發明之SnZn焊料進行焊接之對象之材料,區別為Si(晶圓,約0.2mm厚)、燒結於晶圓上之Al燒結膜、Cu(0.1mm厚板)、Al(0.1mm厚板)、不鏽鋼(0.1mm厚板)。
˙╳係表示本發明之SnZn焊料對於焊接對象密接不良。
依據上述圖9之實驗可知,「超音波焊接」及「無超音波並以烙鐵刮擦焊接對象物」之情形時,對於Si晶圓、Al燒結膜、Cu、Al、不鏽鋼可得到充分的焊接強度。
再者,使用氯化銨水合物(3wt%以下,0.05wt%以上)時,對於Cu、Al可得到充分的焊接強度。
再者,使用樹脂(松脂)(3wt%以下,0.05wt%以上)時,對於Cu可得到充分的焊接強度。
另外,用於實驗之混入粉末之本發明之SnZn焊料係於粗棒狀之焊料的中心開孔(約1-3mm左右),或切出缺口等,於此孔的內部或缺口的內部等填入預定量的粉末(例如氯化銨水合物或樹脂等粉末),藉由軋壓(付溝)輥反覆複數次依序拉伸成細棒狀,最後加工成約1mm 左右或一邊為1mm左右之角柱形之線狀焊料。該線狀焊料的剖面的中心附近可觀察到前述填入(混入)之粉末。然後,使烙鐵接觸於焊接對象(例如Cu板等,依需求載置於預加熱台(例如180℃))並進行加熱而使該線狀焊料熔融,將混入該線狀焊料之粉末(例如氯化銨水合物之粉
末)分解而嘗試大幅改善對於焊接對象的部分之密接性(例如,為Cu板之情形係大幅改善了密接性。參閱圖9)。
S1,S2,S3,S4:步驟
Claims (20)
- 一種SnZn焊料,係由Sn與Zn的合金構成,其中,於屬於Zn為1至15wt%且其餘為Sn的合金之母材混入合計1wt%以下之包含對於氧化物去除與密接性會造成影響之P、對於流動性會造成影響之In及對於密接性會造成影響之Bi之主材,且P為0.001wt%以上0.1wt%以下,In為0.1wt%以上1.0wt%以下,Bi為0.001wt%以上0.5wt%以下,並且予以熔融、合金化而成,其中該主材係在進行焊接時對於被焊接對象的表面的氧化膜去除、密接性、流動性會造成影響之材料;該熔融、合金化後之SnZn焊料在進行焊接時,因前述混入而造成之對於氧化膜去除、密接性、流動性之影響不會消失,並且前述熔融、合金化後之SnZn焊料的熔融溫度係成為與前述母材的熔融溫度相同或更低而消除因前述混入而造成之熔融溫度的上升。
- 如請求項1所述之SnZn焊料,其中,前述主材係在Sn與Zn的合金的骨架內合金化。
- 如請求項1所述之SnZn焊料,其中,依據需求,於前述母材混入5wt%以下之Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上或含有Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上之玻璃之副材,並且予以熔融、合金化而成。
- 如請求項2所述之SnZn焊料,其中,依據需求,於前述母材混入5wt%以下之Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上或含有Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上之玻璃之副材,並且予以熔融、合金化而成。
- 如請求項3所述之SnZn焊料,其中,就前述主材及前述副材而言,將該主材與該副材的合金混入前述母材,並且予以熔融、合金化。
- 如請求項4所述之SnZn焊料,其中,就前述主材及前述副材而言,將該主材與該副材的合金混入前述母材,並且予以熔融、合金化。
- 如請求項5所述之SnZn焊料,其中,就前述主材與前述副材的合金而言,採用Cu與P的合金。
- 如請求項6所述之SnZn焊料,其中,就前述主材與前述副材的合金而言,採用Cu與P的合金。
- 如請求項1至8中任一項所述之SnZn焊料,其中,將前述母材、主材、副材同時或分複數次混合,並且予以熔融、合金化。
- 如請求項1至8中任一項所述之SnZn焊料,係用於對太陽能電池基板、液晶基板的電極焊接導線。
- 一種SnZn焊料,係於請求項1至8中任一項所述之SnZn焊料中,混入3wt%以下0.05wt%以上之氯化銨水合物之粉末或含有氯化銨水合物之粉末,以在焊接加熱時分解而改善對於被焊接對象物之焊接密接度。
- 一種SnZn焊料的製造方法,係製造由Sn與Zn的合金構成之SnZn焊料,該製造方法係於屬於Zn為1至15wt%且其餘為Sn的合金之母材混入合計1wt%以下之包含對於氧化物去除與密接性會造成影響之P、對於流動性會造成影響之In及對於密接性會造成影響之Bi之主材,且P為0.001wt%以上0.1wt%以下,In為0.1wt%以上1.0wt%以下,Bi為0.001wt%以上0.5wt%以下,並且予以熔融、合金化,其中該主材係在進行焊接時對於被焊接對象的表面的氧化膜去除、密接性、流動性會造成影響之材料;該熔融、合金化後之SnZn焊料在進行焊接時,因前述混入而造成之對於氧化膜去除、密接性、流動性之影響不會消失,並且使前 述熔融、合金化後之SnZn焊料的熔融溫度成為與前述母材的熔融溫度相同或更低而消除因前述混入而造成之熔融溫度的上升,而進行製造。
- 如請求項12所述之SnZn焊料的製造方法,其中,前述主材係在Sn與Zn的合金的骨架內合金化。
- 如請求項12所述之SnZn焊料的製造方法,其中,依據需求,於前述母材混入5wt%以下之Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上或含有Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上之玻璃之副材,並且予以熔融、合金化。
- 如請求項13所述之SnZn焊料的製造方法,其中,依據需求,於前述母材混入5wt%以下之Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上或含有Al、Si、Cu、Ag、Ni之中一種以上之玻璃之副材,並且予以熔融、合金化。
- 如請求項14所述之SnZn焊料的製造方法,其中,就前述主材及前述副材而言,將該主材與該副材的合金混入前述母材,並且予以熔融、合金化。
- 如請求項15所述之SnZn焊料的製造方法,其中,就前述主材及前述副材而言,將該主材與該副材的合金混入前述母材,並且予以熔融、合金化。
- 如請求項16所述之SnZn焊料的製造方法,其中,就前述主材與前述副材的合金而言,採用Cu與P的合金。
- 如請求項14至18中任一項所述之SnZn焊料的製造方法,其中,將前述母材、主材、副材同時或分複數次混合,並且予以熔融、合金化。
- 如請求項12至18中任一項所述之SnZn焊料的製造方法,其中,係於SnZn焊料中混入3wt%以下0.05wt%以上之氯化銨水合物之粉末或含有氯化銨水合物之粉末,以在焊接加熱時分解而改善對於被焊接對象物之焊接密接度。
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