TWI816669B - 雷射加工方法 - Google Patents

雷射加工方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI816669B
TWI816669B TW107113465A TW107113465A TWI816669B TW I816669 B TWI816669 B TW I816669B TW 107113465 A TW107113465 A TW 107113465A TW 107113465 A TW107113465 A TW 107113465A TW I816669 B TWI816669 B TW I816669B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
height
wafer
return path
chuck table
processing
Prior art date
Application number
TW107113465A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201839842A (zh
Inventor
中村勝
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201839842A publication Critical patent/TW201839842A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI816669B publication Critical patent/TWI816669B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/046—Automatically focusing the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

[課題] 本發明應解決的課題是基於測量到的高度資訊，來提供一種高精確度的雷射加工方法。[解決手段] 一種雷射加工方法，包含：前往路徑高度記憶步驟，將高度檢測單元定位於晶圓的應加工區域，一邊使卡盤台和高度檢測單元在前往路徑的X軸方向上相對地移動，一邊檢測晶圓的高度並對應X座標將高度資訊記憶在記憶體中；返回路徑高度記憶步驟，一邊使卡盤台和高度檢測單元在返回路徑的X軸方向上相對地移動，一邊檢測晶圓的下一個應加工區域的高度並對應X座標將高度資訊記憶在記憶體中；前往路徑加工步驟，基於在前往路徑高度記憶步驟中所記憶的高度資訊，一邊使聚光器上下移動一邊使聚光器和卡盤台在前往路徑的X軸方向上相對地移動，並將雷射光線的聚光點定位於晶圓的內部以施予加工；以及返回路徑加工步驟，基於在返回路徑高度記憶步驟中所記憶的高度資訊，一邊使聚光器上下移動一邊聚光器和卡盤台在返回路徑的X軸方向上相對地移動，並將雷射光線的聚光點定位於晶圓的內部以施予加工。

Description

雷射加工方法
本發明關於一種雷射加工方法，能夠適當地測量晶圓的高度並實施雷射加工。
藉由分割預定線劃分出IC、LSI等多個元件並形成於表面之晶圓，係藉由切割裝置、雷射加工裝置而分割成各個元件晶片，被分割的元件晶片被行動電話、通訊機器、個人電腦等電子機器所利用。
以下技術已廣為人知：一種雷射加工裝置，至少具備：卡盤台，保持晶圓；雷射照射手段，具備聚光器，該聚光器對保持於該卡盤台的晶圓將具有穿透性的波長之雷射光線的聚光點定位於內部並進行照射，以在晶圓的內部施予形成改質層之加工；X軸進給手段，使該卡盤台和該聚光器在X軸方向上相對地加工進給；Y軸進給手段，使該卡盤台和該聚光器在和X軸方向正交的Y軸方向上相對地分度進給；高度檢測手段，對被雷射光線的聚光點定位之晶圓的上表面高度進行檢測；記憶手段，將該高度檢測手段所檢測到的高度資訊對應分度進給方向的座標並進行記憶；以及控制手段，控制上述各手段，並藉由施予該雷射加工而沿著分割預定線形成分割的起點（例如參照專利文獻1）。
根據上述專利文獻1所記載的雷射加工方法，是藉由檢測晶圓高度的高度檢測手段而預先檢測出對應分割預定線的區域之高度並記憶，基於所記憶的高度資訊一邊使聚光器上下移動一邊將聚光點定位於適當位置以施予所需加工。
一般而言，設想在檢測出加工區域的上表面高度並進行記憶，並基於該高度資訊而施予加工時，由於只有控制手段所具備的記憶體區域來測量全部加工區域的上表面高度並記憶全部的高度資訊，故在現實中大多相當困難。因此，為了節省對高度資訊進行記憶的記憶體，已有人嘗試以下技術：對預定加工之加工區域，例如在每多條分割預定線中選擇一條分割預定線，一邊將高度檢測手段對其中一方向（例如前往路徑方向）進行追蹤一邊將測量到的高度資訊作為代表值記憶，且不僅是已實施該高度的測量的分割預定線，亦將該高度資訊作為代用值而適用於未進行高度測量的附近的分割預定線，以調整加工用的雷射光線的聚光點位置並施予雷射加工。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2007-152355號公報
[發明所欲解決的課題] 然而，將部分的分割預定線的高度資訊檢測出並作為代用值，基於該高度資訊而將雷射光線的聚光點定位於晶圓的內部的預定位置以施予雷射加工的情形，存在無論如何都欠缺正確性，不算是精密雷射加工的問題。進而，為了使加工效率改善，保持晶圓的卡盤台不論在前往路徑方向或返回路徑方向上移動的情況下，皆已發現以下問題：在照射雷射光線進行加工時，一邊使測量用光向其中一方向移動一邊基於所取得的該高度資訊施予雷射加工的情況下，存在聚光器並未正確追蹤高度資訊的情形，且聚光點並未定位於適當位置，無法進行高精確度的加工。
關於上述問題，申請人進行了認真研究，而發現以下幾點原因。首先，習知晶圓的上表面高度的檢測，為了將各分割預定線的測量條件設為相同，一邊使保持晶圓的卡盤台在X軸方向上的其中一方向移動，一邊測量晶圓的上表面高度，對應X軸方向的X軸座標並記憶上表面高度。並且，不僅是已測量該高度的分割預定線，即使對鄰接的附近的分割預定線，亦一邊使卡盤台在該其中一方向上移動一邊基於測量到的高度資訊調整雷射加工時的聚光點位置以實施雷射加工。在此，使該卡盤台在其中一方向上移動的情況和在該其中一方向的相反方向上移動的情況，於移動手段存在微小的滯後（hysteresis）。因此，使該卡盤台在和進行高度測量時的方向相反之方向上移動時，和在該其中一方向移動之間，在X軸方向上產生僅僅滯後的量之偏差，且施予雷射加工時的聚光點位置並未定位於適當位置，其結果是產生了無法進行高精確度加工的問題。
因此，本發明的目的是提供一種雷射加工方法，基於測量到的高度資訊，來進行高精確度的雷射加工。
[解決課題的技術手段] 根據本發明，提供一種雷射加工方法，藉由雷射加工裝置來實行，該雷射加工裝置具備：卡盤台，保持晶圓；雷射照射手段，具備聚光器，該聚光器將對保持於該卡盤台的晶圓具有穿透性的波長之雷射光線的聚光點定位於晶圓的內部並進行照射，以在晶圓的內部施予加工；X軸進給手段，使該卡盤台和該聚光器在X軸方向上相對地加工進給；Y軸進給手段，使該卡盤台和該聚光器在和X軸方向正交的Y軸方向上相對地分度進給；高度檢測手段，對被雷射光線的聚光點定位之晶圓的上表面高度進行檢測；記憶手段，將該高度檢測手段所檢測到的高度資訊對應加工進給方向的座標並進行記憶；以及控制手段，控制上述各手段，該雷射加工方法具備：前往路徑高度記憶步驟，將該高度檢測手段定位於晶圓的應加工區域，一邊使該卡盤台和該高度檢測手段在前往路徑的X軸方向上相對地移動，一邊檢測高度並對應X座標將高度資訊記憶在該記憶手段中；返回路徑高度記憶步驟，一邊使該卡盤台和該高度檢測手段在返回路徑的X軸方向上相對地移動，一邊檢測晶圓的下一個應加工區域的高度並對應X座標將高度資訊記憶在該記憶手段中；前往路徑加工步驟，將該聚光器定位於晶圓的應加工區域且基於在該前往路徑高度記憶步驟中所記憶的高度資訊，一邊使該聚光器上下移動一邊使該聚光器和該卡盤台在前往路徑的X軸方向上相對地移動，並將雷射光線的聚光點定位於晶圓的應加工區域的內部以施予加工；以及返回路徑加工步驟，將該聚光器定位於晶圓的應加工區域且基於在該返回路徑高度記憶步驟中所記憶的高度資訊，一邊使該聚光器上下移動一邊使該聚光器和該卡盤台在返回路徑的X軸方向上相對地移動，並將雷射光線的聚光點定位於晶圓的應加工區域的內部以施予加工，反覆實施該前往路徑高度記憶步驟、該返回路徑高度記憶步驟、該前往路徑加工步驟、以及該返回路徑加工步驟，以對晶圓施以加工。
[發明功效] 根據本發明的雷射加工方法，藉由反覆實施前往路徑高度記憶步驟、返回路徑高度記憶步驟、前往路徑加工步驟、以及返回路徑加工步驟，檢測高度的方向和施予雷射加工的方向將一致，因此不會有滯後（hysteresis）的減少，且能夠基於高度資訊使聚光器上下移動，在前往路徑、返回路徑上更有效率實施雷射加工時亦能夠追蹤預先測量記憶的高度資訊，並將聚光點適當地定位於晶圓內部。
以下，參照隨附圖式對本發明的雷射加工方法進行詳細說明。
圖1表示適合實施本發明實施方式的雷射加工方法之雷射加工裝置2、及作為工件之晶圓10的立體圖。雷射加工裝置2具備：保持手段6，保持晶圓10；移動手段8，配設於靜止基台2a上並使保持手段6移動；雷射照射手段24，對保持於保持手段6的晶圓10照射雷射光線；垂直壁部51，立設於靜止基台2a上的移動手段8的側方；以及框體50，由從垂直壁部51的上端部在水平方向上延伸的水平壁部52所組成。在框體50的水平壁部52內部內置雷射照射手段24的光學系統，且在水平壁部52的前端下表面配設有雷射照射手段24的聚光器24a。此外，相對於聚光器24a在X軸方向上鄰接的位置配設有攝像手段26，其照射紅外線並穿透工件而能夠檢測在工件的下表面側所形成的元件或分割預定線。保持手段6如圖所示吸引保持晶圓10，晶圓10透過保護膠帶T而使背面10b側朝向上方被保持在環狀的框架F上。
保持手段6包含：矩形狀的X軸方向可動板30，在圖中以箭頭X表示的X軸方向上移動自如地搭載於基台2a；矩形狀的Y軸方向可動板31，在圖中以箭頭Y表示的Y軸方向上移動自如地搭載於X軸方向可動板30；圓筒狀的支柱32，固定於Y軸方向可動板31的上表面；以及矩形狀的蓋板33，固定於支柱32的上端。蓋板33上配設有蛇腹（圖式省略），蛇腹在X軸方向上覆蓋保持手段6、及後述的移動手段8，且蓋板33上配設有卡盤台34，卡盤台34構成為保持圓形狀的工件且藉由未圖示的旋轉驅動手段而可在周方向上旋轉，該圓形狀的工件通過蓋板33上形成之在Y軸方向上延伸的長孔且延伸至上方。在卡盤台34的上表面配置有圓形狀的吸附卡盤35，其由多孔材料形成且實質上以水平延伸。吸附卡盤35藉由通過支柱32的流動路徑而連接於未圖示的吸引手段。再者，X軸方向是在圖1以箭頭X所表示的方向，Y軸方向是在箭頭Y所表示的方向即和X軸正交的方向。X軸方向、Y軸方向所規定的平面實質上為水平。
移動手段8包含X軸進給手段40、和Y軸進給手段41。X軸進給手段40透過滾珠螺桿40a將馬達40b的旋轉運動轉換成直線運動並傳遞至X軸方向可動板30，沿著基台2a上的導軌使X軸方向可動板30在X軸方向上進退。Y軸進給手段41透過滾珠螺桿41a將馬達41b的旋轉運動轉換成直線運動並傳遞至Y軸方向可動板31，沿著X軸方向可動板30上的導軌使Y軸方向可動板31在Y軸方向上進退。再者，圖式雖省略，X軸進給手段40、Y軸進給手段41、及該旋轉驅動手段各自配設有位置檢測手段，正確地檢測出卡盤台34的X軸方向的位置、Y軸方向的位置、及周方向的旋轉位置，基於從未圖示的控制手段所指示的訊號驅動X軸進給手段40、Y軸進給手段41、及該旋轉驅動手段，以成為可將卡盤台34正確地定位在任意的位置及角度。
基於圖2，更具體說明雷射加工裝置2的雷射照射手段24。如圖2所示，雷射照射手段24是加工用的雷射光線，例如具備雷射震盪器241，其用以從聚光器24a照射對矽（Si）組成的晶圓具有穿透性之1064nm波長的雷射光線LB。從雷射震盪器241所震盪的雷射光線LB的光路上配設有分光鏡242，其會反射包含可見光線的波長之600~800nm波長的光，並使其他波長區域的光穿透。從雷射震盪器241所震盪的雷射光線LB直進分光鏡242之後的光路上配設有反射鏡243。在反射鏡243轉換了行進方向的雷射光線LB在內置於聚光器24a的聚光鏡244聚光，並照射至保持於卡盤台34的晶圓10。聚光鏡244如圖所示，藉由磁石和線圈構成所謂的音圈馬達245，藉由接受來自控制手段20的控制訊號，使保持晶圓10的保持面可移動到預期位置，即相對於該保持面垂直的聚光點位置調整方向（亦即圖中箭頭Z所示的Z方向）上的位置。
進而，如圖2所示，本實施方式的雷射照射手段24具備高度檢測手段25，實施高度測量步驟，測量並記憶晶圓10的上表面高度。高度檢測手段25具備：發光手段251，將可見光線（700nm波長）的測量用光LB1進行發光；第1分束器252，使從發光手段251照射出的測量用光ＬＢ１朝向並通過上述分光鏡242；帶通濾波器253，其是為了僅僅使返回光LB1’通過而設置之680~720nm波長可通過的構件，返回光LB1’則是反射如反射圖3（a）所示在晶圓10的上表面反射回來的返回光LB1’之分光鏡242及第1分束器252所反射的光；第2分束器254，將通過帶通濾波器253的返回光LB1’以1：1的比例分離成穿透光LB1’a和反射光LB1’b；聚光鏡255，將穿透第2分束器254的穿透光LB1’a進行聚光；受光元件256，將聚光鏡255所聚光的穿透光LB1’a的光強度D1利用電壓輸出；聚光鏡257，將在第2分束器254反射的反射光LB1’b進行聚光；遮罩258，形成有狹縫259，狹縫259具有和聚光鏡257所聚光的反射光LB1’b被聚光至最小時的點徑相同的寬度；以及受光元件260，將通過遮罩258的狹縫259的反射光LB1’b的光強度D2利用電壓輸出。由受光元件256、260所檢測出的表示光強度D1、D2的電壓訊號被輸出至控制手段20。此外，為了說明上的方便，遮罩258在圖中以能夠看見狹縫259的方式表示，但實際上為在上下方向上開口的狹縫。以下，具體說明藉由高度檢測手段25測量晶圓10的上表面的高度之原理。
測量用光LB1如上所述為可見光線（700nm波長），從聚光器24a的聚光鏡244對晶圓10照射時的聚光點設定於一基準位置，該基準位置位於距卡盤台34的吸附卡盤35的正面僅預定距離（例如晶圓的厚度為200μm時為220μm）。即使晶圓10的厚度多少有偏差，該基準位置持續設定於較晶圓10的上表面更上方的位置，且以其基準位置在高度測量中不會變化的方式固定。
在此，在第2分束器254被分離的其中一道穿透光LB1’a藉由聚光鏡255而全部聚光，且持續100%由受光元件256所受光。因此，即使晶圓10的上表面的高度變化且反射位置變化，只要發光手段251照射的光源的光量不變化，從受光元件256輸出的光強度D1亦成為固定。
另一方面，在第2分束器254被迫反射且在受光元件260受光的反射光LB1’b隨著晶圓10的上表面的高度變化而成為適當變化的值。這是因為，晶圓10的上表面的高度一旦變化，形成於晶圓10的上表面的光點大小也會變化。一旦晶圓10的上表面的高度變高，由於測量用光LB1的聚光點接近設定好的基準位置，在晶圓10的上表面反射時的光點形狀會變小。藉此，返回光LB1’的截面積亦變小，由聚光鏡257聚光後，到達遮罩258時的光點的形狀變小，能夠通過狹縫259的反射光LB1’b的比例增大。因此，晶圓10的上表面的高度愈高，通過狹縫259的反射光LB1’b的量亦增加，則受光元件260檢測出的光強度D2變為愈大的值，相反地晶圓10的上表面的高度愈低則光強度D2的值變為愈小的值。
在此，受光元件256檢測出的光強度D1，如上述般和晶圓10的上表面高度無關為固定值，因此光強度D1和D2的光強度比D1/D2成為對應晶圓10的上表面高度而變化之值，D1/D2愈接近1則晶圓10的上表面高度愈高，亦即可理解為位於該基準位置附近的位置，且D1/D2愈大時可理解為位於遠離該基準位置的較低位置。因此，藉由預先實驗而得到對應光強度比D1/D2之距基準位置的距離並做成測繪圖（map），能夠從上述光強度比D1/D2容易地計算出晶圓10的上表面高度。
控制手段20由電腦所構成，具備：中央運算處理裝置（CPU），依據控制程式進行運算處理；唯獨記憶體（ROM），儲存控制程式等；可讀寫隨機存取記憶體（RAM），用來將檢測出的檢測值、運算結果等進行暫存；輸入界面；以及輸出界面（詳細省略圖式）。控制手段20設定為：D1/D2運算部201，基於光強度D1、D2對D1/D2進行運算；測繪圖（map），基於上述光強度比D1/D2計算出晶圓10的上表面的高度；以及高度記憶部202，使基於該測繪圖計算出的晶圓10的上表面高度對應照射測量用光LB1的座標位置並進行記憶。
上述雷射加工裝置2大概具備以上構成，而以下將說明藉由雷射加工裝置2實行的控制、以及晶圓的加工方法。
圖1示出了本實施方式所加工的由矽（Si）構成，例如厚度為200μm之圓形的晶圓10。晶圓10的正面10a藉由排列成格子狀且在本實施方式中作為加工區域的分割預定線而劃分成多個區域。在該分割預定線所劃分的各區域上形成元件。在卡盤台34上透過保護膠帶T載置環狀的框架F上所保持之晶圓10。如圖所示，保護膠帶T黏貼晶圓10的正面10a，背面10b側以朝上方的方式被保持。因此，本實施方式的晶圓10的「上表面」為晶圓的背面10b側。
根據本發明所構成的雷射加工裝置2，藉由實施以下的雷射加工方法來對晶圓10實施雷射加工。
被雷射加工裝置2搬送的晶圓10在透過保護膠帶T支撐於環狀的框架F的狀態下載置於卡盤台34並被吸引保持。接著，作動移動手段8以將卡盤台34定位於可照射穿透晶圓10的紅外線並進行攝像的攝像手段26的正下方。若晶圓10被定位於攝像手段26的正下方，實行圖案匹配等的圖像處理手段，並實施聚光器24a和晶圓10上的加工位置之和分割預定線的對位（alignment），將該對位的結果送至控制手段20進行記憶。
並且，若執行了上述對位，則移動卡盤台34，將圖4（a）所示的前往路徑r1的高度測量開始位置Q1定位於聚光器24a的正下方。並且，使高度檢測手段25作動並將測量用光LB1被聚光時的聚光點位置定位在測量高度時成為基準位置之距吸附卡盤35的正面上方220μm的位置，一邊照射測量用光LB1一邊使X軸進給手段40作動以使卡盤台34在X軸方向上移動。此時，卡盤台34移動的方向是：使從聚光器24a照射的測量用光LB1於圖4（a）的前往路徑r1上在箭頭所示的方向上移動的方向。測量用光LB1的照射位置測量開始位置Q1移動至測量終端位置Q2，藉此晶圓10的前往路徑r1上各預定位置的X座標（Xm）所對應的光強度D1、D2從受光元件256及受光元件260被輸出至控制手段20，在D1/D2運算部201得到光強度比D1/D2。
每次得到光強度比D1/D2時，參照圖5記載的控制手段20所記憶的測繪圖，以和各預定位置的X座標（X1~Xm）建立對應關係，檢測出晶圓10的上表面相對於該基準位置為多少的高度。在此，例如檢測到預定的X座標上的上表面相對於基準位置為-19μm的情況下，將-19μm加上基準位置的高度220μm，藉此計算出晶圓10的實際的上表面的高度（220μm-19μm=201μm），並在形成於控制手段20的隨機存取記憶體（RAM）之高度記憶部202的前往路徑高度記憶部202a儲存對應X座標的值。如此般進行，並依序測量前往路徑r1上全部的預定位置（X1、X2、...Xm-1、Xm）之晶圓10的高度（Z1、Z2、...Zm-1、Zm），儲存於控制手段20的前往路徑高度記憶部202a（參照圖5），完成前往路徑高度記憶步驟。
若實行了該前往路徑高度記憶步驟，則使Y軸進給手段41作動，將卡盤台34相對於聚光器24a在Y軸方向上分度進給，使設定成包含下一個加工區域（分割預定線）的返回路徑r2的高度測量開始位置Q3定位於聚光器24a的正下方。
若實行了該分度進給，則和上述前往路徑高度記憶步驟相同地，使高度檢測手段25作動並將測量用光LB1被聚光時的聚光點位置定位在成為基準位置之距吸附卡盤35的正面上方220μm的位置，一邊照射測量用光LB1一邊使X軸進給手段40作動以使卡盤台34在X軸方向上移動。此時，使卡盤台34在和上述前往路徑高度記憶步驟相反方向上移動並測量高度相當重要，測量用光LB1以使卡盤台34在圖中返回路徑r2上箭頭所示的方向上移動的方式，移動至測量終端位置Q4。其結果，晶圓10的返回路徑r2上各X座標所對應的光強度D1、D2從受光元件256及受光元件260被輸出至控制手段20，在D1/D2運算部201得到光強度比D1/D2。
每次得到光強度比D1/D2時，參照圖5記載的測繪圖，以和各X座標建立對應關係，檢測出相對於該基準位置為多少的高度。晶圓10的實際的上表面的高度的計算方法和上述前往路徑高度記憶步驟中所實行的方法相同，在此省略說明。如此，使測量用光LB1在返回路徑r2上箭頭所示的方向上移動的情況下之分割預定線12上的高度（Zm’、Zm-1、...Z2’、Z1’）係對應X座標（Xm’、Xm-1’、...X2’、X1’），而依序被測量並儲存於圖5所示的控制手段20的隨機存取記憶體（RAM）的返回路徑高度記憶部202b，完成返回路徑高度記憶步驟。
因此，前往路徑r1的預定的X座標（X1~Xm）上的晶圓10的高度（Z1~Zm）、和返回路徑r2的預定的X座標（X1’~Xm’）上的晶圓10的高度（Z1’~Zm’）係分別使卡盤台34在相反方向上移動而依序測量，並分別儲存於控制手段20的高度記憶部202的前往路徑高度記憶部202a、和返回路徑高度記憶部202b。
又，如後所述，記憶對應X座標的高度資訊時，如圖5的高度記憶部202所示，亦可一起記憶位於前往路徑r1、返回路徑r2的Y座標（Yn、Yn’）。
如上所述，在晶圓10的加工區域中，若沿著前往路徑r1、以及鄰接的返回路徑r2實施了該前往路徑記憶步驟、該返回路徑記憶步驟，則接著將聚光點定位於晶圓10的內部，沿著設於前往路徑r1上的加工區域100、設於返回路徑r2上的加工區域100’（參照圖4（b））照射加工用雷射光線LB，以依序實行在晶圓10的內部形成改質層的前往路徑加工步驟、及返回路徑加工步驟。
在前往路徑加工步驟、及返回路徑加工步驟中，係基於上述的該前往路徑高度記憶步驟、返回路徑高度記憶步驟所記憶的高度資訊來照射加工用雷射光線LB。更具體而言，首先，在圖4（b）以虛線表示的前往路徑加工區域100的其中一端部定位於聚光器24a的正下方，且加工用雷射光線LB的聚光點位置定位於晶圓內部的預定位置P（參照圖3（b））。並且，以在圖中的前往路徑加工區域100的箭頭所示的方向上進行雷射加工的方式，使X軸進給手段40作動以使卡盤台34移動。並且，照射加工用雷射光線LB時，基於前往路徑高度記憶部202a所記憶的晶圓10的上表面的高度資訊控制音圈馬達245，並上下調整聚光點位置P。藉此，能夠將照射加工用雷射光線LB時的聚光點位置P持續精密地調整在晶圓10的內部，在距晶圓10的上表面一定的距離，即以一定的深度形成相對於上表面平行的改質層。如此，沿著前往路徑加工區域100實施雷射加工，將改質層形成至前往路徑加工區域100的另一端部為止，結束前往路徑加工步驟。
若結束上述前往路徑加工步驟，則聚光器24a以定位於下一個返回路徑加工區域10’的方式藉由Y軸進給手段41而分度進給。下一個返回路徑加工區域100’的加工開始位置，是鄰接於上述前往路徑加工區域100的另一端側的位置，且是位於實行返回路徑高度記憶步驟時的高度測量開始位置Q3附近之晶圓10的端部。並且，實施雷射加工，使X軸進給手段40作動，在對前往路徑加工區域100進行雷射加工時的移動方向相反的方向上一邊使卡盤台34移動，一邊從返回路徑加工區域100’的其中一端側至另一端側為止在晶圓10的內部形成改質層。此時，照射加工用雷射光線LB，並且基於返回路徑高度記憶部202b所記憶的晶圓10的上表面的高度資料控制音圈馬達245，並調整聚光點位置。藉此，能夠將照射加工用雷射光線LB時的聚光點位置P持續正確地調整在晶圓10的內部，以一定的深度形成和晶圓10的正面平行的改質層，結束返回路徑加工步驟。上述前往路徑加工步驟、返回路徑加工步驟中的卡盤台34的移動方向係和前往路徑高度記憶步驟、返回路徑高度記憶步驟中使卡盤台34移動的方向一致。
又，上述改質層形成步驟例如是以下述雷射加工條件實施。 波長：1064nm 重複頻率：50kHz 平均輸出：0.5W 加工進給速度：200mm/秒
若實行上述前往路徑高度記憶步驟、返回路徑高度記憶步驟、並實行對前往路徑加工區域100、返回路徑加工區域100’形成改質層的前往路徑加工步驟、返回路徑加工步驟，則控制手段20的高度記憶部202所記憶的前往路徑r1、返回路徑r2所相關的高度資訊會被重置。並且，如圖4（c）、圖4（d）所示，為了在下一個前往路徑加工區域101、返回路徑加工區域101’形成改質層，將卡盤台34定位以使前往路徑r3的高度測量開始位置Q1’（參照圖4（c））成為在聚光器24a正下方。其後，和上述相同地，使X軸進給手段40、Y軸進給手段41作動，以測量用光LB1的照射位置成為高度測量終端位置Q2’、高度測量開始位置Q3’、高度測量終端位置Q4’的方式使卡盤台34移動，以實行前往路徑高度記憶步驟、返回路徑高度記憶步驟。進而，如圖4（d）所示，藉由和上述前往路徑加工區域100、返回路徑加工區域100’實施的相同方法，對前往路徑加工區域101、返回路徑加工區域101’實施形成改質層的雷射加工。如此，反覆實施前往路徑高度記憶步驟、返回路徑高度記憶步驟、前往路徑加工步驟、以及返回路徑加工步驟，以對晶圓10上設定的全部加工區域（分割預定線）實施形成改質層的雷射加工。
根據本實施方式，前往路徑高度記憶步驟時的卡盤台34的移動方向、和返回路徑高度記憶步驟時的卡盤台34的移動方向分別設定為相反方向，沿著前往路徑r1的加工區域100、以及沿著返回路徑r2的加工區域100’實行形成改質層的雷射加工時，以和測量各加工區域的上表面高度時之卡盤台34的移動方向一致的方式來移動卡盤台34，並基於高度記憶部202所記憶的高度資訊上下調整聚光點位置。藉此，一邊使卡盤台34往復移動，一邊在晶圓10的加工區域內部施予雷射加工時，亦可使聚光器24a正確地追蹤高度資訊，使聚光點定位於適當位置並實現高精確度的加工。
本發明並不限定於上述實施方式，只要包含於本發明技術範圍中亦可推知各種變形例。例如，在上述實施方式中，雖然將形成元件的正面10a側朝向下方透過膠帶T保持在框架F上，以背面10b側成為在上方的方式吸引保持在卡盤台34上，藉由高度檢測手段25檢測背面10b側的高度，並且亦從晶圓10的背面10b側實施形成改質層的雷射加工，但不限於此，亦可適用於晶圓10的正面10a側朝向上方，從正面10a側進行測量並進行雷射加工之情形。
進而，在上述實施方式中實施的雷射加工，是將雷射光線的聚光點定位在在晶圓10的內部並形成改質層，但本發明不限定於此，亦可將聚光點定位於晶圓10的內部並實施雷射加工，藉此沿著分割預定線形成由多個細孔和圍繞該些細孔的非晶質組成之多個所謂的潛盾通道（shield tunnel）。
2‧‧‧雷射加工裝置6‧‧‧保持手段8‧‧‧移動手段10‧‧‧晶圓20‧‧‧控制手段24‧‧‧雷射照射手段24a‧‧‧聚光器241‧‧‧雷射震盪器242‧‧‧分光鏡243‧‧‧反射鏡244‧‧‧聚光鏡245‧‧‧音圈馬達25‧‧‧高度檢測手段251‧‧‧發光手段252‧‧‧第1分束器253‧‧‧帶通濾波器254‧‧‧第2分束器256‧‧‧受光元件258‧‧‧遮罩259‧‧‧狹縫260‧‧‧受光元件26‧‧‧攝像手段40‧‧‧X軸進給手段41‧‧‧Y軸進給手段
圖1是雷射加工裝置的整體立體圖。 圖2是用以說明構成圖1所示的雷射加工裝置之雷射照射手段的方塊圖。 圖3是用以說明本發明的高度檢測、雷射加工之晶圓的部分放大剖面圖。 圖4是用以說明本發明的前往路徑高度記憶步驟、返回路徑高度記憶步驟、前往路徑加工步驟、及返回路徑加工步驟的示意圖。 圖5是用以說明圖1所示的雷射加工裝置的控制手段的高度資訊的運算方法的方塊圖。
10‧‧‧晶圓
10b‧‧‧背面
24a‧‧‧聚光器
100、101‧‧‧前往路徑加工區域
100’、101’‧‧‧返回路徑加工區域
F‧‧‧框架
T‧‧‧膠帶
LB‧‧‧加工用雷射光線
LB1‧‧‧測量用光
Q1、Q3‧‧‧高度測量開始位置
Q2、Q4‧‧‧測量終端位置
r1、r3‧‧‧前往路徑
r2、r4‧‧‧返回路徑

Claims (1)

  1. 一種雷射加工方法，藉由雷射加工裝置來實行，該雷射加工裝置具備：卡盤台，保持晶圓；雷射照射手段，具備聚光器，該聚光器將對保持於該卡盤台的晶圓具有穿透性的波長之雷射光線的聚光點定位於晶圓的內部並進行照射，以在晶圓的內部施予加工；X軸進給手段，使該卡盤台和該聚光器在X軸方向上相對地加工進給；Y軸進給手段，使該卡盤台和該聚光器在和X軸方向正交的Y軸方向上相對地分度進給；高度檢測手段，對被雷射光線的聚光點定位之晶圓的上表面高度進行檢測；記憶手段，將該高度檢測手段所檢測到的高度資訊對應加工進給方向的座標並進行記憶；以及控制手段，控制上述各手段，該雷射加工方法具備：前往路徑高度記憶步驟，將該高度檢測手段定位於晶圓的應加工區域，一邊使該卡盤台和該高度檢測手段在前往路徑的X軸方向上從前往路徑的測量開始位置至前往路徑的測量終端位置相對地移動，一邊檢測高度並對應X座標將高度資訊記憶在該記憶手段中；返回路徑高度記憶步驟，一邊使該卡盤台和該高度檢測手段在返回路徑的X軸方向上從返回路徑的測量開始位置至返回路徑的測量終端位置相對地移動，一邊檢測晶圓的下一個應加工區域的高度並對應X座標將高度資訊記憶在 該記憶手段中，該返回路徑於X軸方向與前往路徑平行且為相反方向，該返回路徑的測量開始位置與前往路徑的測量終端位置於Y軸方向相鄰；前往路徑加工步驟，將該聚光器定位於晶圓的應加工區域且基於在該前往路徑高度記憶步驟中所記憶的高度資訊，一邊使該聚光器上下移動一邊使該聚光器和該卡盤台在前往路徑的X軸方向上相對地移動，並將雷射光線的聚光點定位於晶圓的應加工區域的內部以施予加工；以及返回路徑加工步驟，將該聚光器定位於晶圓的應加工區域且基於在該返回路徑高度記憶步驟中所記憶的高度資訊，一邊使該聚光器上下移動一邊使該聚光器和該卡盤台在返回路徑的X軸方向上相對地移動，並將雷射光線的聚光點定位於晶圓的應加工區域的內部以施予加工，反覆實施該前往路徑高度記憶步驟、該返回路徑高度記憶步驟、該前往路徑加工步驟、以及該返回路徑加工步驟，以對晶圓施以加工。
TW107113465A 2017-04-24 2018-04-20 雷射加工方法 TWI816669B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017085505A JP6907011B2 (ja) 2017-04-24 2017-04-24 レーザー加工装置、及びレーザー加工方法
JP2017-085505 2017-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201839842A TW201839842A (zh) 2018-11-01
TWI816669B true TWI816669B (zh) 2023-10-01

Family

ID=63852636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107113465A TWI816669B (zh) 2017-04-24 2018-04-20 雷射加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11285565B2 (zh)
JP (1) JP6907011B2 (zh)
KR (1) KR20180119124A (zh)
CN (1) CN108723617B (zh)
SG (1) SG10201803302PA (zh)
TW (1) TWI816669B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7189026B2 (ja) * 2019-01-07 2022-12-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7368098B2 (ja) * 2019-04-17 2023-10-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2021010936A (ja) * 2019-07-09 2021-02-04 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP7305271B2 (ja) * 2019-08-08 2023-07-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置の加工性能の確認方法
CN110534477B (zh) * 2019-08-26 2022-04-15 东莞市中镓半导体科技有限公司 激光剥离集成化设备
JP7355637B2 (ja) * 2019-12-16 2023-10-03 株式会社ディスコ 検出装置
CN113369712B (zh) * 2021-06-23 2023-03-24 业成科技（成都）有限公司 镭射切割方法、装置及计算机可读存储介质
CN114406394A (zh) * 2022-02-24 2022-04-29 东莞市大为新材料技术有限公司 一种防止芯片旋转的锡膏焊接装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014233731A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3571273D1 (en) * 1985-03-15 1989-08-03 Toshiba Kk Device for measuring the position of an object
JPH05256621A (ja) * 1992-03-11 1993-10-05 Nikon Corp パターン位置測定装置
JPH07106243A (ja) * 1993-03-15 1995-04-21 Nikon Corp 水平位置検出装置
JP3185580B2 (ja) * 1995-01-31 2001-07-11 三菱電機株式会社 レーザ加工装置および加工方法
JPH10160445A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Hitachi Denshi Ltd 高さ測定装置
US6483071B1 (en) * 2000-05-16 2002-11-19 General Scanning Inc. Method and system for precisely positioning a waist of a material-processing laser beam to process microstructures within a laser-processing site
JP2005028423A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2005297012A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP4734101B2 (ja) * 2005-11-30 2011-07-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5103253B2 (ja) * 2008-04-14 2012-12-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5213112B2 (ja) * 2008-06-17 2013-06-19 株式会社ディスコ レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5242278B2 (ja) * 2008-07-29 2013-07-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN101444934B (zh) * 2008-12-31 2012-06-20 嘉兴嘉晶电子有限公司 多线锯往返切割方法及其装置
CN101944478A (zh) * 2009-07-10 2011-01-12 郭淑龄 适用于集成电路之半导体晶圆的制作方法
KR101211104B1 (ko) * 2010-08-18 2012-12-18 유병소 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
KR20120129302A (ko) * 2011-05-19 2012-11-28 에이티아이 주식회사 웨이퍼 결함 고속 검사장치
JP5851784B2 (ja) * 2011-09-28 2016-02-03 株式会社ディスコ 高さ位置検出装置およびレーザー加工機
JP5927077B2 (ja) * 2012-08-07 2016-05-25 オリンパス株式会社 内視鏡システム
JP6285784B2 (ja) * 2014-04-09 2018-02-28 株式会社ディスコ 高さ位置検出装置
JP6494382B2 (ja) * 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014233731A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108723617B (zh) 2021-08-27
KR20180119124A (ko) 2018-11-01
US20180304409A1 (en) 2018-10-25
SG10201803302PA (en) 2018-11-29
JP2018183788A (ja) 2018-11-22
TW201839842A (zh) 2018-11-01
CN108723617A (zh) 2018-11-02
JP6907011B2 (ja) 2021-07-21
US11285565B2 (en) 2022-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI816669B (zh) 雷射加工方法
CN108568593B (zh) 激光加工装置
TWI610762B (zh) 加工裝置
TWI658664B (zh) Laser processing device
TWI637143B (zh) Bump detection device
US7580136B2 (en) Height position detector for work held on chuck table
US7564570B2 (en) Height position detector for work held on chuck table
JP6148075B2 (ja) レーザー加工装置
TWI609732B (zh) 雷射加工裝置
TWI660802B (zh) Laser processing device
US8957347B2 (en) Method of detecting condensing spot position in laser beam processing apparatus
CN105397281B (zh) 激光加工装置
TWI566285B (zh) Wafer processing method and laser processing device
JP2017120820A (ja) ウェーハの加工方法
KR101886357B1 (ko) 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법 및 스폿 형상 검출 장치
JP2009283566A (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2015099026A (ja) 検出装置
JP7408332B2 (ja) レーザー加工装置
KR20170107900A (ko) 피가공물의 내부 검출 장치 및 내부 검출 방법
JP7355629B2 (ja) レーザー加工装置の調整方法
JP6821259B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP6328507B2 (ja) レーザー加工装置
JP2012192415A (ja) レーザー加工装置