TWI811653B - 樣品載台及修飾樣品的系統及方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供一種樣品載台，其包含一基座及一第一樣品支柱。該基座具有一第一表面。該第一樣品支柱設置於該基座之該第一表面，該第一樣品支柱之一頂面具有一溝槽用以放置樣品。本揭露亦包含使用該樣品載台之樣品修飾系統及方法。
Description
本發明實施例係有關於一種樣品載台、修飾樣品的系統及方法，特別是關於一種使用加工後之樣品載台進行樣品修飾的系統及方法。
在半導體製程中，測量設備的性能直接影響到製程調變的能力和產量的提升。半導體廠和設備供應商必須確保其測量的結果必須在公差範圍內，並符合ISO和品質系統的認證。當元件的尺寸與公差不斷地縮小，量測工作的困難性也隨著提高。隨著半導體工業不斷地尋求各種方法以滿足日趨嚴苛的量測需求，目前已有許多量測工具被開發以滿足量測需求，例如量測半導體元件的CD(Critical Dimensions)值、厚度、表面形貌 (morphology)、摻雜濃度 (doping concentration) ，以及缺陷分析等等。
傳統上，半導體元件的缺陷檢測是透過穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy, TEM)或掃描穿透式電子顯微鏡(Scanning Transmission Electron Microscope, STEM)所完成的。以TEM為例，其係使用高能量電子束照射至超薄的TEM試片，再經放大成像而取得樣品2D影像的技術，其影像解析度可達0.1奈米的原子等級，用以觀察材料微結構或晶格缺陷。由於TEM是藉由穿透電子束打至TEM試片，因此TEM試片所要觀察的區域厚度，必需達到電子束能穿透的等級，例如厚度約在2埃以下，這也使得TEM的應用容易受到樣品置備的侷限性所影響。舉例而言，是否所要觀察的半導體元件的結構缺陷確實有位於超薄的TEM試片上，或是所置備之TEM試片是否能呈現出感興趣區域(Region of Interest, ROI)，就是使用TEM在檢測應用上所實際反映出的技術瓶頸。
本發明的一實施例係關於一種樣品載台，其包含一基座及一第一樣品支柱。該基座具有一第一表面。該第一樣品支柱設置於該基座之該第一表面，該第一樣品支柱之一頂面具有一溝槽用以放置樣品。
本發明的另一實施例係關於一種修飾樣品的系統，其包含一電子束源、一樣品載台、一離子束源及一偵測器。該電子束源用以產生電子束。該樣品載台設置於該電子束源下，其具有一樣品支柱，該樣品支柱之一頂面具有一溝槽用以放置樣品。該離子束源用以產生離子束而切削放置於該樣品載台之該樣品。該偵測器設置於該樣品載台下。其中，該樣品載台可經經調整而改變其相對於該電子束源之一角度，使該電子束源所產生之電子束可穿透該樣品並被該偵測器所偵測。
本發明的再一實施例係關於一種修飾樣品的方法，其包含以下步驟：放置一樣品於一樣品載台之一樣品支柱，該樣品支柱之一頂面具有一溝槽，該溝槽係延伸至該頂面之相對之兩邊緣而使該樣品的兩側大致不受該樣品支柱遮蔽；及使用一離子束切削該樣品，使該樣品具有錐狀輪廓。
以下揭露提供用於實施所提供之標的之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述元件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非旨在限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間之一關係。
此外，為便於描述，諸如「在…下面」、「在…下方」、「下」、「在…上方」、「上」、「在…上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向) 且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
如本文中使用，諸如「第一」、「第二」及「第三」之術語描述各種元件、組件、區、層及/或區段，此等元件、組件、區、層及/或區段不應受此等術語限制。此等術語可僅用來區分一個元件、組件、區、層或區段與另一元件、組件、區、層或區段。除非由上下文清楚指示，否則諸如「第一」、「第二」及「第三」之術語當在本文中使用時並不暗示一序列或順序。
本揭露一些實施例中，係對半導體元件的缺陷點進行定位、定點的三維結構觀察，其中包含提供一種樣品載台，此樣品載台的結構便於使樣品得以使用修飾樣品系統，例如STEM，進行二維的觀察，以及將樣品加工削尖而修飾為可進一步使用原子探針斷層掃描(Atom Probe Tomography)對缺陷點的三維結構和元素成分進行分析。
如圖1A之俯視角度以及圖1B之側視角度所示，在一些實施例中，樣品載台10包含一基座11及一第一樣品支柱12。基座11具有一第一表面11A。第一樣品支柱12則是設至於基座11的第一表面11A。在一些實施例中，第一樣品支柱12之一頂面12A具有一溝槽13用以放置樣品14。
第一樣品支柱12之用途之一在於定位樣品14，由於樣品14的尺寸約為100 nm，而基座11的尺寸則可達數微米至數毫米之譜，因此在樣品14係遠小於基座11的情況下，需要將樣品14設置於特定的樣品支柱上，以正確辨識樣品14在樣品載台10的位置，而非直接將樣品14放置於基座11的第一表面11A上。進一步地，在一些實施例中，第一樣品支柱12的溝槽13進一步提供樣品14的定位，例如將樣品14放置於溝槽13的中心，從而可透過溝槽13的位置而觀察到樣品14。
不過，考慮到當樣品被放置於一般非本發明實施例的溝槽時，會因為溝槽具有深度而使樣品實質上是隱沒於溝槽當中，意即僅能透過俯視角度觀察到樣品，這使得電子束在任何角度照射樣品時，即便是電子束穿透樣品，電子束也會被樣品支柱的結構所阻擋而無法到達偵測器，嚴重影響到樣品影像的解析度。本發明實施例的溝槽設計可避免上述阻擋電子束而無法到達偵測器的情形發生。
關於電子束與樣品載台之間的位置關係，例如在圖2A所示的修飾樣品的系統，例如STEM，結構示意圖，電子束源21是位於樣品載台10的上方，其係用以產生電子束照射樣品。在一些實施例中，電子束源21可包含高電壓系統、電子槍、聚光鏡等元件(未示於圖中)，例如可由高電壓系統產生100keV到1MeV的加速電壓，送入鏡筒上端的電子槍，讓場發射式電子槍加溫發射出的高亮度的電子束，經過聚光鏡後到達並穿透樣品14。
位於電子束源21下方的樣品載台10除了其第一表面11A (見前圖1B)具有第一樣品支柱12之外，在一些實施例中，樣品載台10的基座11相對於其第一表面11A的第二表面11B可與一夾具31相連接(如圖2A右側所展示之側視角度所示意)，夾具31係用以移動或轉動樣品載台10而調整樣品載台10相對於電子束源21之角度，例如使電子束源21所產生的電子束與第一表面11A之間具有小於或等於90度之夾角，從而容許透過溝槽13而部分暴露於第一樣品支柱12之外的樣品14得以被電子束源21所產生的電子束所穿透。在一些實施例中，樣品載台10僅具有單一第一樣品支柱12，或是多個第一樣品支柱12排列為單排的形式，且在電子束照射至第一樣品支柱12上的樣品14時，該等第一樣品支柱12的排列方向大致正交於電子束的照射方向。換言之，電子束在穿過任一個第一樣品支柱12上的樣品14之後，電子束於行徑路徑上並不會被其他的第一樣品支柱12所阻擋。
再進一步參考圖2B、圖2C，其分別係經夾具調整傾斜角度之樣品載台10之俯視圖，以及針對第一樣品支柱12的立體示意圖。如圖所示，前述電子束源21所產生的電子束具有一行進路徑D
E，其可在高於第一樣品支柱12之頂面12A的位置照射到樣品14而無須顧慮受第一樣品支柱12的結構所阻擋的問題；而在低於第一樣品支柱12之頂面12A的位置照射樣品14時，就需要透過溝槽位於第一樣品支柱12之頂面12A的兩邊緣的開口，例如使電子束的行進路徑D
E與溝槽13之走向平行，使得電子束能經由電子束入口13A及電子束出口13B而可直接照射於樣品14，並且在穿透樣品14後不受阻擋地通過樣品載台10。
本揭露在一些實施例中，開設於第一樣品支柱12的頂面12A的溝槽13可於結構上進一步區分為多個溝槽，例如以圖2B最左側所示之第一樣品支柱12為例，其頂面具有第一溝槽131以及正交於第一溝槽131的第二溝槽132，而呈現十字型凹陷，樣品14即放置於第一溝槽131與第二溝槽132交錯之位置。在一些實施例中，第一樣品支柱12的頂面12A開設有多個溝槽13，其中係至少有一溝槽係延伸至頂面12A之相對之兩邊緣而形成前述之電子束入口13A及電子束出口13B。
在一些實施例中，穿過樣品14之電子束接著可再通過物鏡、中間鏡和投影鏡等多級放大元件(未示於圖中)，到達位於樣品載台10下的偵測器22。位於樣品載台10下的偵測器22可為明場掃描穿透式顯微鏡偵測器(Bright Field STEM Detector)。當電子束源21產生的電子束穿過樣品14時，電子束會與樣品14的晶體發生交互作用而於樣品載台10下方，產生各種散射電子，其中散射角度較小的電子會進入偵測器22形成透射明場影像，以對樣品14的二維結構進行觀察。在一些實施例中，穿透樣品14的電子會進一步穿過一或多個孔徑光欄(Aperture Diaphragm)。在一些實施例中，偵測器22可包含螢光板、相機或感光耦合元件(Charge Coupled Device, CCD)。
除了設置有單一第一樣品支柱12或是單排之第一樣品支柱12，如圖3A所示，在一些實施例中，樣品載台10可進一步包含一個或多個第二樣品支柱15。第二樣品支柱15也是設置於樣品載台10的基座11的第一表面11A，其不與第一樣品支柱12位於同一列，而是使樣品載台10整體具有多排的樣品支柱結構。由於穿透樣品的電子束尚需行進至偵測器22，因此第二樣品支柱15係在電子束的行進方向上與第一樣品支柱12錯開，避免阻擋電子束的行進。在一些實施例中，如圖3A、圖3B所示，第二樣品支柱15可為單一或多排的方式設置，使樣品載台整體具有二排、三排或更多之樣品支柱，惟在設置第二樣品支柱15時，須避免其與第一樣品支柱或其他第二樣品支柱15在電子束的行進方向上存在重疊的情況。
傳統上，STEM的樣品載台的材料包含銅，並且是透過電腦數值控制(Computer Numerical Control, CNC)工藝對銅基材料進行加工而形成。然而，考慮到銅元素可能會對樣品的元素分析產生干擾，例如在質譜分析時產生過多的背景雜訊而影響到對樣品成分的判斷，因此本揭露在一些實施例中，所使用之樣品載台10的材料包含矽。在一些實施例中，樣品載台10的基座11和第一、第二樣品支柱12、15都是由矽所構成，例如透過雷射對矽晶圓進行加工，於矽晶圓的一面雕刻出樣品支柱的結構，並於樣品支柱的頂面開設溝槽，在此實施例中，樣品載台10的基座11和第一、第二樣品支柱12、15也可謂是一體成形。在針對矽晶圓加工的例子中，可於形成樣品支柱後對矽晶圓進行切割，以取得所需要的基座面積尺寸。
若僅使用STEM對樣品進行二維結構的觀察，樣品並不需要加工為具有錐狀輪廓。不過，本揭露的目的之一在於使樣品載台10及其上的樣品14得以被一併使用原子探針斷層掃描(Atom Probe Tomography, APT)技術進行三維結構的觀察和定量化學成分鑑定，因此在一些實施例中，復如圖2A所示，係進一步使用一離子束源23對樣品14進行加工修飾，即利用離子束源23所產生的離子束對樣品載台10上的樣品14進行切削，使樣品14具有錐狀輪廓。在一些實施例中，離子束源23係設置於樣品載台10上方，且其與電子束源21之間具有一角度，該角度可約為52度。
詳細而言，APT是一種可以提供三維度影像及定量化學成分鑑定的原子級材料分析之技術，具有高靈敏度。該技術依賴於樣品表面上單個原子/原子團簇的電離和隨後的場蒸發(Field Evaporation)。其樣品是以圓錐形尖端的形式製備，一般來說，為了維持分析品質，其樣品必須符合數項需求：(1)樣品為圓錐狀並具有頂點半徑小於100 nm；(2)樣品形狀必須對稱，避免形成橢圓錐狀；(3)樣品之椎角(Shape Angle)不能太大；及(4)樣品的圓錐柱身須避免微裂縫出現。而就樣品製作技術，目前主要是透過聚焦離子束(Focused Ion Beam, FIB)的運用，例如針對半導體元件的目標分析區域先以鉑(Pt)、鎳(Ni) 或者其他材料鍍上保護層，接著切出一個楔形長條樣品，其寬度約為1~2 μm，而長度則約為15~20 μm。然後先切斷樣品的一端進行鍍接於操縱臂(Manipulator)，再切斷另一端後將樣品自半導體元件的主體取出。接著將樣品鍍接至樣品載台上。之後，以環狀減薄法(Annular Milling)將樣品半徑減至小於約 100 nm，最後再以較低的電壓進行清潔，以清除諸如鎵(Ga)離子所造成的損傷層。
經由上述方法製作的樣品，即可應用於原子探針斷層掃描技術以進行樣品的立體結構掃描，從而以三維的角度觀察半導體元件的缺陷點，包含觀察缺陷點的形貌以及分析缺陷點所在位置的元素成分。
從而，本揭露一些實施例中，離子束源23係用以提供聚焦離子束，舉例來說，離子束源23可使用鎵做為離子源，此係考量到鎵具有低熔點、低蒸氣壓及良好的抗氧化力等優點。離子束源23在使用時，係外加電場而使液態鎵形成細小尖端，例如使液態鎵，將之拉成曲率半徑小於一臨界半徑的圓錐體(Taylor cone)，導致鎵被游離而噴出，形成鎵離子束。導出的鎵離子束可以利用電透鏡聚焦，經過一系列變化孔徑而決定離子束的大小，再經過二次聚焦至樣品表面，利用物理碰撞來達到切割之目的。一般而言，此方法所形成的離子束的尺寸小於 10 nm，可做為精確的奈米結構加工的工具。
進一步而言，本揭露所使用的樣品也可以一併使用離子束源23進行半導體元件缺陷點的標記。為了降低半導體元件的功耗、提升性能以及增加電晶體密度等等實務需求，半導體元件的外觀已微縮至奈米尺度，不但其缺陷難以直接被肉眼觀察，實際上也僅能透過探針進行電性測試的方式，來精確判斷電性異常的區域，例如測試出特定座標位置的電子構件有異常。然而，即便是透過探針測試出電性異常，也已知發生異常的位置，然而若要進行缺陷的觀察，則不若尋找電性異常來得直接。傳統上的TEM或STEM需要將樣品切薄進行觀察，但所切薄的位置卻不一定準確地對應到缺陷所在位置，迫使在操作者測得半導體元件電性異常的情況下，仍得有如大海撈針般地尋找缺陷結構在顯微鏡下的位置。
本揭露在一些實施例中，可利用離子束源23製做標記，例如使用聚焦離子束沉積金屬線於樣品的表面。如圖4A所示之半導體元件俯視圖，可透過電性測試而發現一半導體元件40存在電性異常，也就是經過電性測試而精確地判斷存在缺陷點41的位置，然而，在STEM上以二微角度觀察的樣品卻可能是切到半導體元件40的其他位置，例如非屬缺陷點41所在之處的區域A、區域B、區域C等。因此本揭露在一些實施例中，如圖4B所示，透過聚焦離子束沉積技術而在電性測試後，直接在缺陷點41的周邊沉積多個金屬線段作為定位標記42。傳統上，運用聚焦離子束來沉積金屬線，其用途之一是作為電路修改時的重新接線，或藉此調整元件的電阻率，而本揭露在此實施例則是將此定位標記線42作為缺陷點41的標記之用。在一些實施例中，定位標記42的材料包含鉑(Pt)，其相較於碳基材料，可在觀察時呈現更好的對比，進而較容易地被觀察到。而運用FIB沉積的原理是利用金屬管供應微量的含金屬基攜帶氣體(precursor)氣體到半導體元件40的表面，利用離子束轟擊作用將攜帶氣體分解而沉積金屬，其可歸類為離子束誘導沉積(Ion beam-induced deposition, IBID)的一種。在一些實施例中，也可使用類似的電子束誘導沉積(Electron beam-induced deposition, EBID)來沉積形成定位標記42。
如圖4B所示之設置有定位標記的半導體元件俯視圖，在一些實施例中，定位標記42可具有多個標記線42a、42b、42c、42d指向缺陷點41。在一些實施例中，定位標記41內的標記線42(a-d)是排列為十字型，而十字型的中心則為缺陷點41的所在之處。在一些實施例中，標記線42(a-d)並不相互接觸，而是保留缺陷點41不被標記線42(a-d)所覆蓋。舉例而言，於同一方向上的標記線，例如標記線42a、42c或是標記線42b、42d的組合，其間距小於約30 nm，因此在一些實施例中，缺陷點41是位於約30 nm x 30 nm的範圍內，並被定位標記42所環繞。
如圖4C所示之半導體元件剖視圖，其係沿著圖4B之線段FF'為剖面展示，在一些實施中，標記線42b(其他標記線亦同)可具有大致呈現方型或矩形之剖面結構。在一些實施例中，標記線的寬高比為約1:1至約1:3。在一些實施例中，可在透過FIB製做定位標記42後，進一步塗佈一有機膠體(未示於圖中)覆蓋定位標記42的標記線42(a-d)，作為定位標記的保護層，可維持前述標記線42(a-d)的寬高比而不坍倒為扁平的形狀。
本揭露一些實施例中，半導體元件40經電性測試而確認存在缺陷點41後，可先行沉積定位標記42以完成對缺陷點41的定位，而後為了進一步以定點的形式進行缺陷點41的立體結構觀察，可接著如前述關於APT樣品的製備方式，於半導體元件40進行切割而取得長條樣品，而後鍍接至樣品載台10的樣品支柱(例如：第一樣品支柱12)上。
如圖5A之設置有定位標記的半導體元件俯視圖以及圖5B之樣品立體示意圖，在本揭露一些實施例中，於樣品區域50進行切割後所取得的樣品51至少包含部分之定位標記42，其可被鍍接於樣品載台的樣品支柱上。在一些實施例中，半導體元件40在形成定位標記42於其一表面後，除了前述之有機膠體之外，可另形成其他結構於該表面上，例如形成一蓋層或犧牲層43(後見於圖6)保護下方的感興趣區域(Region of Interest, ROI)，例如包含缺陷點41之結構不受到鎵的破壞。在此實施例中，雖然定位標記42被覆蓋，定位標記42仍可在製備APT樣品的過程中實現對缺陷點41的定位。
如圖5B所示，無論位於樣品51的定位標記42是否有在被其他結構所覆蓋，定位標記42的側面420都可被觀察到，因此在如圖5C、圖6A及圖6B所示將樣品半徑減小而逐步切削為具錐狀輪廓的過程中，可持續藉由從樣品51的側面觀察、追蹤定位標記42的側面420，而得知樣品51在切削為具錐狀輪廓的過程中仍然是逐漸往缺陷點41的所在位置靠近。如前所述，定位標記42的材料包含鉑，而其相對於周邊其他材料可表現出較好的對比(如圖6A之示意)，因此可較為清楚地以定位標記42的標記線42(a-d)的剖面為定位標的。另外，由於標記線42(a-d)的一端都是指向缺陷點41但不覆蓋缺陷點41的位置，因此在樣品51切削為具錐狀輪廓的過程中，觀察到圓錐的側面已從有標記線42(a-d)轉變到不再有標記線，例如圖6A及圖6B之示意，則表示切削、修飾後的樣品51已相到達或當接近缺陷點41，而可將樣品51連同樣品載台10移至進行APT技術分析，也就是對缺陷點進行三維度影像觀察以及定量化學成分鑑定。在一些實施例中，修飾後的樣品51高度約為40 nm，底部寬度約為20至30 nm，頂部寬度約為10 nm。
具上所述，如圖7所示，本揭露一些實施中，係揭露一種修飾樣品的方法，其至少包含步驟601：放置一樣品於一樣品載台之一樣品支柱，該樣品支柱之一頂面具有一溝槽，該溝槽係延伸至該頂面之相對之兩邊緣而使該樣品的兩側大致不受該樣品支柱遮蔽；以及步驟602：使用一離子束切削該樣品，使該樣品具有錐狀輪廓。並且，在一些實施例中，本揭露於放置樣品於樣品在台前，可在從半導體元件切割取得樣品之前，先量測半導體元件之電性，以判斷缺陷點，並形成定位標記位於半導體元件而利用定位標記的多個標記線指向缺陷點，接著再切割該半導體元件以取得樣品，此時樣品是至少包含部分之定位標記。而後，即可在使用離子束切削樣品的步驟中，切削定位標記之標記線之部分，使標記線分別暴露其剖面，並使用該等剖面辨識該缺陷點之位置。
綜上所述，本揭露在一些實施例中，提供一種兼具對半導體元件的缺陷點進行定位、定點之三維結構觀察方式。此方法可結合新穎的樣品載台結構，使樣品載台上的樣品不但可以被電子束和偵測器進行二維結構的觀察，也可以被離子束加工而切削、修飾為具有錐狀輪廓而另為APT的三維觀察和元素分析。而為了改善元素分析的準確性，本揭露使用矽材料製做樣品載台。以及為了能夠使得缺陷點被正確定位及定點觀察，本揭露使用包含鉑材料的定位標記，讓樣品被切削為具有錐狀輪廓的過程可以透過定位標記而確認缺陷點的位置。
前述內容概述數項實施例之結構，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改其他製程及結構之一基礎以實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
10:樣品載台
11:基座
11A:第一表面
11B:第二表面
12:第一樣品支柱
12A:頂面
13:溝槽
13A:電子束入口
13B:電子束出口
131:第一溝槽
132:第二溝槽
14:樣品
15:第二樣品支柱
21:電子束源
22:偵測器
23:離子束源
31:夾具
40:半導體元件
41:缺陷點
42:定位標記
42a:標記線
42b:標記線
42c:標記線
42d:標記線
420:側面
43:犧牲層
50:樣品區域
51:樣品
601:步驟
602:步驟
A:區域
B:區域
C:區域
D
E:行進路徑
FF':線段
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種結構未按比例繪製。事實上，為了清楚論述可任意增大或減小各種結構之尺寸。
圖1A係根據本揭露之一些實施例之樣品載台俯視圖。
圖1B係根據本揭露之一些實施例之樣品載台側視圖。
圖2A係根據本揭露之一些實施例之修飾樣品的系統結構示意圖。
圖2B係根據本揭露之一些實施例之樣品載台俯視圖。
圖2C係根據本揭露之一些實施例之樣品支柱及樣品示意圖。
圖3A及圖3B係根據本揭露之一些實施例之樣品載台俯視圖。
圖4A及圖4B係根據本揭露之一些實施例之半導體元件俯視圖。
圖4C係根據本揭露之一些實施例之半導體元件側視圖。
圖5A係根據本揭露之一些實施例之半導體元件俯視圖。
圖5B及圖5C係根據本揭露之一些實施例之樣品示意圖。
圖6A及圖6B係根據本揭露之一些實施例之樣品支柱及樣品示意圖。
圖7係根據本揭露之一些實施例之步驟流程圖。
12:第一樣品支柱
12A:頂面
13:溝槽
43:犧牲層
420:側面
51:樣品
Claims (10)
- 一種樣品載台，其包含：一基座，其具有一第一表面；及一第一樣品支柱，設置於該基座之該第一表面，該第一樣品支柱之一頂面具有一第一溝槽用以放置樣品，其中該第一樣品支柱之該頂面進一步具有一第二溝槽，該第二溝槽正交於該第一溝槽。
- 如請求項1所述的樣品載台，其中該第一溝槽係延伸至該頂面之相對之兩邊緣。
- 如請求項1所述的樣品載台，其中該基座以及該第一樣品支柱之材料包含矽。
- 如請求項1所述的樣品載台，進一步包含多個第二樣品支柱，設置於該基座之該第一表面，且該等第二樣品支柱不與該第一樣品支柱位於同一列。
- 一種修飾樣品的系統，其包含：一電子束源，用以產生電子束；一樣品載台，設置於該電子束源下，其具有一樣品支柱，該樣品支柱之一頂面具有一溝槽用以放置一樣品，其中該樣品支柱之材料包含矽；一離子束源，用以產生離子束而切削放置於該樣品載台之該樣品；及 一偵測器，設置於該樣品載台下；其中，該樣品載台可經調整而改變其相對於該電子束源之一角度，而使該電子束源所產生之電子束可穿透該樣品並被該偵測器所偵測。
- 如請求項5所述的系統，進一步包含一夾具，其連接於該樣品載台，用以移動或轉動該樣品載台。
- 一種修飾樣品的方法，其包含：放置一樣品於一樣品載台之一樣品支柱，該樣品支柱之一頂面具有一溝槽，該溝槽係延伸至該頂面之相對之兩邊緣而使該樣品的兩側大致不受該樣品支柱遮蔽；及使用一離子束切削該樣品，使該樣品具有錐狀輪廓。
- 如請求項7所述的方法，其中於放置該樣品於該樣品載台前，進一步包含：量測一半導體元件之電性，以判斷一缺陷點；形成一定位標記位於該半導體元件，該定位標記具有多個標記線指向該缺陷點；及切割該半導體元件以取得該樣品，該樣品至少包含部分之該定位標記。
- 如請求項8所述的方法，其中於使用離子束切削該樣品的步驟中，包含切削該等標記線之部分，使該等標記線分別暴露其一側面，並使用該等 側面辨識該缺陷點之位置。
- 如請求項8所述的方法，其中切割該半導體元件以取得該樣品前，進一步包含塗佈一有機膠體覆蓋該等標記線。
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