CN115148568A - 样品载台及修饰样品的***及方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例涉及样品载台及修饰样品的***及方法。本揭露提供一种样品载台，其包含基座及第一样品支柱。所述基座具有第一表面。所述第一样品支柱设置于所述基座的所述第一表面，所述第一样品支柱的顶面具有沟槽用以放置样品。本揭露还包含使用所述样品载台的样品修饰***及方法。

Description

样品载台及修饰样品的***及方法

技术领域

本发明实施例涉及一种样品载台、修饰样品的***及方法，特别是关于一种使用加工后的样品载台进行样品修饰的***及方法。

背景技术

在半导体工艺中，测量设备的性能直接影响到工艺调制的能力和产量的提升。半导体厂和设备供应商必须确保其测量的结果必须在公差范围内，并符合ISO和质量***的认证。当元件的尺寸与公差不断地缩小，测量工作的困难性也随着提高。随着半导体工业不断地寻求各种方法以满足日趋严苛的测量需求，目前已有许多测量工具被开发以满足测量需求，例如测量半导体元件的CD(Critical Dimension)值、厚度、表面形貌(morphology)、掺杂浓度(doping concentration)，以及缺陷分析等等。

传统上，半导体元件的缺陷检测是透过穿透式电子显微镜(TransmissionElectron Microscopy,TEM)或扫描穿透式电子显微镜(Scanning Transmission ElectronMicroscope,STEM)所完成的。以TEM为例，其使用高能量电子束照射到超薄的TEM试片，再经放大成像而取得样品2D图像的技术，其图像分辨率可达0.1纳米的原子等级，用以观察材料微结构或晶格缺陷。由于TEM是通过穿透电子束打到TEM试片，因此TEM试片所要观察的区域厚度，必需达到电子束能穿透的等级，例如厚度约在2埃以下，这也使得TEM的应用容易受到样品置备的局限性所影响。举例来说，是否所要观察的半导体元件的结构缺陷确实有位于超薄的TEM试片上，或是所置备的TEM试片是否能呈现出感兴趣区域(Region of Interest,ROI)，就是使用TEM在检测应用上所实际反映出的技术瓶颈。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种样品载台，其包含基座及第一样品支柱。所述基座具有第一表面。所述第一样品支柱设置于所述基座的所述第一表面，所述第一样品支柱的顶面具有沟槽用以放置样品。

本发明的另一实施例涉及一种修饰样品的***，其包含电子束源、样品载台、离子束源及检测器。所述电子束源用以产生电子束。所述样品载台设置于所述电子束源下，其具有样品支柱，所述样品支柱的顶面具有沟槽用以放置样品。所述离子束源用以产生离子束而切削放置于所述样品载台的所述样品。所述检测器设置于所述样品载台下。其中，所述样品载台可经调整而改变其相对于所述电子束源的角度，使所述电子束源所产生的电子束可穿透所述样品并被所述检测器所检测。

本发明的再一实施例涉及一种修饰样品的方法，其包含以下步骤：放置样品于样品载台的样品支柱，所述样品支柱的顶面具有沟槽，所述沟槽延伸到所述顶面的相对的两边缘而使所述样品的两侧大致不受所述样品支柱遮蔽；及使用离子束切削所述样品，使所述样品具有锥状轮廓。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种结构未按比例绘制。事实上，为了清楚论述可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1A是根据本揭露的一些实施例的样品载台俯视图。

图1B是根据本揭露的一些实施例的样品载台侧视图。

图2A是根据本揭露的一些实施例的修饰样品的***结构示意图。

图2B是根据本揭露的一些实施例的样品载台俯视图。

图2C是根据本揭露的一些实施例的样品支柱及样品示意图。

图3A及图3B是根据本揭露的一些实施例的样品载台俯视图。

图4A及图4B是根据本揭露的一些实施例的半导体元件俯视图。

图4C是根据本揭露的一些实施例的半导体元件侧视图。

图5A是根据本揭露的一些实施例的半导体元件俯视图。

图5B及图5C是根据本揭露的一些实施例的样品示意图。

图6A及图6B是根据本揭露的一些实施例的样品支柱及样品示意图。

图7是根据本揭露的一些实施例的步骤流程图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供的标的的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述元件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，此些仅为实例且非旨在限制。举例来说，在以下描述中的第一构件形成于第二构件上方或上可包含其中所述第一构件及所述第二构件经形成为直接接触的实施例，且还可包含其中额外构件可形成在所述第一构件与所述第二构件之间，使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复出于简化及清楚的目的且本身不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。

此外，为便于描述，例如“在…下面”、“在…下方”、“下”、“在…上方”、“上”、“在…上”及类似者的空间相对术语可在本文中用于描述一个元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中图解说明。空间相对术语打算涵盖除在图中描绘的定向以外的使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述词。

如本文中使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，此些元件、组件、区、层及/或区段不应受此些术语限制。此些术语可仅用来区分一个元件、组件、区、层或区段与另一元件、组件、区、层或区段。除非由上下文清楚指示，否则例如“第一”、“第二”及“第三”的术语当在本文中使用时并不暗示一序列或顺序。

本揭露一些实施例中，对半导体元件的缺陷点进行定位、定点的三维结构观察，其中包含提供一种样品载台，此样品载台的结构便于使样品得以使用修饰样品***，例如STEM，进行二维的观察，以及将样品加工削尖而修饰为可进一步使用原子探针断层扫描(Atom Probe Tomography)对缺陷点的三维结构和元素成分进行分析。

如图1A的俯视角度以及图1B的侧视角度所示，在一些实施例中，样品载台10包含基座11及第一样品支柱12。基座11具有第一表面11A。第一样品支柱12则是设至于基座11的第一表面11A。在一些实施例中，第一样品支柱12的顶面12A具有沟槽13用以放置样品14。

第一样品支柱12的用途之一在于定位样品14，由于样品14的尺寸约为100nm，而基座11的尺寸则可达数微米到数毫米之谱，因此在样品14远小于基座11的情况下，需要将样品14设置于特定的样品支柱上，以正确辨识样品14在样品载台10的位置，而非直接将样品14放置于基座11的第一表面11A上。进一步地，在一些实施例中，第一样品支柱12的沟槽13进一步提供样品14的定位，例如将样品14放置于沟槽13的中心，从而可透过沟槽13的位置而观察到样品14。

不过，考虑到当样品被放置于一般非本发明实施例的沟槽时，会因为沟槽具有深度而使样品大体上是隐没于沟槽当中，即，仅能透过俯视角度观察到样品，这使得电子束在任何角度照射样品时，即便是电子束穿透样品，电子束也会被样品支柱的结构所阻挡而无法到达检测器，严重影响到样品图像的分辨率。本发明实施例的沟槽设计可避免上述阻挡电子束而无法到达检测器的情形发生。

关于电子束与样品载台之间的位置关系，例如在图2A所示的修饰样品的***，例如STEM，结构示意图，电子束源21是位于样品载台10的上方，其用以产生电子束照射样品。在一些实施例中，电子束源21可包含高电压***、电子枪、聚光镜等元件(未示于图中)，例如可由高电压***产生100keV到1MeV的加速电压，送入镜筒上端的电子枪，让场发射式电子枪加温发射出的高亮度的电子束，经过聚光镜后到达并穿透样品14。

位于电子束源21下方的样品载台10除了其第一表面11A(见前图1B)具有第一样品支柱12之外，在一些实施例中，样品载台10的基座11相对于其第一表面11A的第二表面11B可与夹具31相连接(如图2A右侧所展示的侧视角度所示意)，夹具31用以移动或转动样品载台10而调整样品载台10相对于电子束源21的角度，例如使电子束源21所产生的电子束与第一表面11A之间具有小于或等于90度的夹角，从而容许透过沟槽13而部分暴露于第一样品支柱12之外的样品14得以被电子束源21所产生的电子束所穿透。在一些实施例中，样品载台10仅具有单一第一样品支柱12，或是多个第一样品支柱12排列为单排的形式，且在电子束照射到第一样品支柱12上的样品14时，所述第一样品支柱12的排列方向大致正交于电子束的照射方向。换句话说，电子束在穿过任一个第一样品支柱12上的样品14之后，电子束于行径路径上并不会被其它的第一样品支柱12所阻挡。

再进一步参考图2B、图2C，其分别为经夹具调整倾斜角度的样品载台10的俯视图，以及针对第一样品支柱12的立体示意图。如图所示，前述电子束源21所产生的电子束具有行进路径D_E，其可在高于第一样品支柱12的顶面12A的位置照射到样品14而无须顾虑受第一样品支柱12的结构所阻挡的问题；而在低于第一样品支柱12的顶面12A的位置照射样品14时，就需要透过沟槽位于第一样品支柱12的顶面12A的两边缘的开口，例如使电子束的行进路径D_E与沟槽13的走向平行，使得电子束能经由电子束入口13A及电子束出口13B而可直接照射于样品14，并且在穿透样品14后不受阻挡地通过样品载台10。

本揭露在一些实施例中，开设于第一样品支柱12的顶面12A的沟槽13可于结构上进一步区分为多个沟槽，例如以图2B最左侧所示的第一样品支柱12为例，其顶面具有第一沟槽131以及正交于第一沟槽131的第二沟槽132，而呈现十字型凹陷，样品14即放置于第一沟槽131与第二沟槽132交错的位置。在一些实施例中，第一样品支柱12的顶面12A开设有多个沟槽13，其中至少有一沟槽延伸到顶面12A的相对的两边缘而形成前述的电子束入口13A及电子束出口13B。

在一些实施例中，穿过样品14的电子束接着可再通过物镜、中间镜和投影镜等多级放大元件(未示于图中)，到达位于样品载台10下的检测器22。位于样品载台10下的检测器22可为明场扫描穿透式显微镜检测器(Bright Field STEM Detector)。当电子束源21产生的电子束穿过样品14时，电子束会与样品14的晶体发生交互作用而于样品载台10下方，产生各种散射电子，其中散射角度较小的电子会进入检测器22形成透射明场图像，以对样品14的二维结构进行观察。在一些实施例中，穿透样品14的电子会进一步穿过一或多个孔径光栏(Aperture Diaphragm)。在一些实施例中，检测器22可包含荧光板、相机或感光耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)。

除了设置有单一第一样品支柱12或是单排的第一样品支柱12，如图3A所示，在一些实施例中，样品载台10可进一步包含一个或多个第二样品支柱15。第二样品支柱15也是设置于样品载台10的基座11的第一表面11A，其不与第一样品支柱12位于同一列，而是使样品载台10整体具有多排的样品支柱结构。由于穿透样品的电子束尚需行进到检测器22，因此第二样品支柱15是在电子束的行进方向上与第一样品支柱12错开，避免阻挡电子束的行进。在一些实施例中，如图3A、图3B所示，第二样品支柱15可为单一或多排的方式设置，使样品载台整体具有二排、三排或更多的样品支柱，惟在设置第二样品支柱15时，须避免其与第一样品支柱或其它第二样品支柱15在电子束的行进方向上存在重叠的情况。

传统上，STEM的样品载台的材料包含铜，并且是透过计算机数值控制(ComputerNumerical Control,CNC)工艺对铜基材料进行加工而形成。然而，考虑到铜元素可能会对样品的元素分析产生干扰，例如在质谱分析时产生过多的背景噪声而影响到对样品成分的判断，因此本揭露在一些实施例中，所使用的样品载台10的材料包含硅。在一些实施例中，样品载台10的基座11和第一、第二样品支柱12、15都是由硅所构成，例如透过激光对硅晶片进行加工，于硅晶片的一面雕刻出样品支柱的结构，并于样品支柱的顶面开设沟槽，在此实施例中，样品载台10的基座11和第一、第二样品支柱12、15也可谓是一体成形。在针对硅晶片加工的例子中，可于形成样品支柱后对硅晶片进行切割，以取得所需要的基座面积尺寸。

如果仅使用STEM对样品进行二维结构的观察，样品并不需要加工为具有锥状轮廓。不过，本揭露的目的之一在于使样品载台10及其上的样品14得以被一并使用原子探针断层扫描(Atom Probe Tomography,APT)技术进行三维结构的观察和定量化学成分鉴定，因此在一些实施例中，复如图2A所示，进一步使用离子束源23对样品14进行加工修饰，即利用离子束源23所产生的离子束对样品载台10上的样品14进行切削，使样品14具有锥状轮廓。在一些实施例中，离子束源23设置于样品载台10上方，且其与电子束源21之间具有角度，所述角度可约为52度。

详细来说，APT是一种可以提供三维度图像及定量化学成分鉴定的原子级材料分析的技术，具有高灵敏度。所述技术依赖于样品表面上单个原子/原子团簇的电离和随后的场蒸发(Field Evaporation)。其样品是以圆锥形尖端的形式制备，一般来说，为了维持分析质量，其样品必须符合数项需求：(1)样品为圆锥状并具有顶点半径小于100nm；(2)样品形状必须对称，避免形成椭圆锥状；(3)样品的椎角(Shape Angle)不能太大；及(4)样品的圆锥柱身须避免微裂缝出现。而就样品制作技术，目前主要是透过聚焦离子束(FocusedIon Beam,FIB)的运用，例如针对半导体元件的目标分析区域先以铂(Pt)、镍(Ni)或者其它材料镀上保护层，接着切出一个楔形长条样品，其宽度约为1～2μm，而长度则约为15～20μm。然后先切断样品的一端进行镀接于操纵臂(Manipulator)，再切断另一端后将样品从半导体元件的主体取出。接着将样品镀接到样品载台上。之后，以环状减薄法(AnnularMilling)将样品半径减到小于约100nm，最后再以较低的电压进行清洁，以清除例如镓(Ga)离子所造成的损伤层。

经由上述方法制作的样品，即可应用于原子探针断层扫描技术以进行样品的立体结构扫描，从而以三维的角度观察半导体元件的缺陷点，包含观察缺陷点的形貌以及分析缺陷点所在位置的元素成分。

从而，本揭露一些实施例中，离子束源23用以提供聚焦离子束，举例来说，离子束源23可使用镓做为离子源，此考虑到镓具有低熔点、低蒸气压及良好的抗氧化力等优点。离子束源23在使用时，外加电场而使液态镓形成细小尖端，例如使液态镓，将之拉成曲率半径小于阈值半径的圆锥体(Taylor cone)，导致镓被游离而喷出，形成镓离子束。导出的镓离子束可以利用电透镜聚焦，经过一系列变化孔径而决定离子束的大小，再经过二次聚焦到样品表面，利用物理碰撞来达到切割的目的。一般来说，此方法所形成的离子束的尺寸小于10nm，可做为精确的纳米结构加工的工具。

进一步来说，本揭露所使用的样品也可以一并使用离子束源23进行半导体元件缺陷点的标记。为了降低半导体元件的功耗、提升性能以及增加晶体管密度等等实务需求，半导体元件的外观已微缩到纳米尺度，不但其缺陷难以直接被肉眼观察，实际上也仅能透过探针进行电性测试的方式，来精确判断电性异常的区域，例如测试出特定坐标位置的电子构件有异常。然而，即便是透过探针测试出电性异常，也已知发生异常的位置，然而如果要进行缺陷的观察，那么不如寻找电性异常来得直接。传统上的TEM或STEM需要将样品切薄进行观察，但所切薄的位置却不一定准确地对应到缺陷所在位置，迫使在操作者测得半导体元件电性异常的情况下，仍得有如大海捞针般地寻找缺陷结构在显微镜下的位置。

本揭露在一些实施例中，可利用离子束源23制做标记，例如使用聚焦离子束沉积金属线于样品的表面。如图4A所示的半导体元件俯视图，可透过电性测试而发现一半导体元件40存在电性异常，也就是经过电性测试而精确地判断存在缺陷点41的位置，然而，在STEM上以二维角度观察的样品却可能是切到半导体元件40的其它位置，例如非属缺陷点41所在之处的区域A、区域B、区域C等。因此本揭露在一些实施例中，如图4B所示，透过聚焦离子束沉积技术而在电性测试后，直接在缺陷点41的周边沉积多个金属线段作为定位标记42。传统上，运用聚焦离子束来沉积金属线，其用途之一是作为电路修改时的重新接线，或借此调整元件的电阻率，而本揭露在此实施例则是将此定位标记线42作为缺陷点41的标记之用。在一些实施例中，定位标记42的材料包含铂(Pt)，其相较于碳基材料，可在观察时呈现更好的对比，进而较容易地被观察到。而运用FIB沉积的原理是利用金属管供应微量的含金属基前体(precursor)气体到半导体元件40的表面，利用离子束轰击作用将前体分解而沉积金属，其可归类为离子束诱导沉积(Ion beam-induced deposition,IBID)的一种。在一些实施例中，也可使用类似的电子束诱导沉积(Electron beam-induced deposition,EBID)来沉积形成定位标记42。

如图4B所示的设置有定位标记的半导体元件俯视图，在一些实施例中，定位标记42可具有多个标记线42a、42b、42c、42d指向缺陷点41。在一些实施例中，定位标记41内的标记线42(a-d)是排列为十字型，而十字型的中心则为缺陷点41的所在之处。在一些实施例中，标记线42(a-d)并不相互接触，而是保留缺陷点41不被标记线42(a-d)所覆盖。举例来说，于同一方向上的标记线，例如标记线42a、42c或是标记线42b、42d的组合，其间距小于约30nm，因此在一些实施例中，缺陷点41是位于约30nm x 30nm的范围内，并被定位标记42所环绕。

如图4C所示的半导体元件剖视图，其沿着图4B的线段FF'为剖面展示，在一些实施中，标记线42b(其它标记线亦同)可具有大致呈现方型或矩形的剖面结构。在一些实施例中，标记线的宽高比为约1:1到约1:3。在一些实施例中，可在透过FIB制做定位标记42后，进一步涂布有机胶体(未示于图中)覆盖定位标记42的标记线42(a-d)，作为定位标记的保护层，可维持前述标记线42(a-d)的宽高比而不坍倒为扁平的形状。

本揭露一些实施例中，半导体元件40经电性测试而确认存在缺陷点41后，可先行沉积定位标记42以完成对缺陷点41的定位，而后为了进一步以定点的形式进行缺陷点41的立体结构观察，可接着如前述关于APT样品的制备方式，于半导体元件40进行切割而取得长条样品，而后镀接到样品载台10的样品支柱(例如：第一样品支柱12)上。

如图5A的设置有定位标记的半导体元件俯视图以及图5B的样品立体示意图，在本揭露一些实施例中，于样品区域50进行切割后所取得的样品51至少包含部分的定位标记42，其可被镀接于样品载台的样品支柱上。在一些实施例中，半导体元件40在形成定位标记42于其表面后，除了前述的有机胶体之外，可另形成其它结构于所述表面上，例如形成盖层或牺牲层43(后见于图6)保护下方的感兴趣区域(Region of Interest,ROI)，例如包含缺陷点41的结构不受到镓的破坏。在此实施例中，虽然定位标记42被覆盖，定位标记42仍可在制备APT样品的过程中实现对缺陷点41的定位。

如图5B所示，无论位于样品51的定位标记42是否有在被其它结构所覆盖，定位标记42的侧面420都可被观察到，因此在如图5C、图6A及图6B所示将样品半径减小而逐步切削为具锥状轮廓的过程中，可持续通过从样品51的侧面观察、跟踪定位标记42的侧面420，而得知样品51在切削为具锥状轮廓的过程中仍然是逐渐往缺陷点41的所在位置靠近。如前所述，定位标记42的材料包含铂，而其相对于周边其它材料可表现出较好的对比(如图6A的示意)，因此可较为清楚地以定位标记42的标记线42(a-d)的剖面为定位标的。另外，由于标记线42(a-d)的一端都是指向缺陷点41但不覆盖缺陷点41的位置，因此在样品51切削为具锥状轮廓的过程中，观察到圆锥的侧面已从有标记线42(a-d)转变到不再有标记线，例如图6A及图6B的示意，那么表示切削、修饰后的样品51已相当到达或接近缺陷点41，而可将样品51连同样品载台10移到进行APT技术分析，也就是对缺陷点进行三维度图像观察以及定量化学成分鉴定。在一些实施例中，修饰后的样品51高度约为40nm，底部宽度约为20到30nm，顶部宽度约为10nm。

具上所述，如图7所示，本揭露一些实施中，揭露一种修饰样品的方法，其至少包含步骤601：放置样品于样品载台的样品支柱，所述样品支柱的顶面具有沟槽，所述沟槽延伸到所述顶面的相对的两边缘而使所述样品的两侧大致不受所述样品支柱遮蔽；以及步骤602：使用离子束切削所述样品，使所述样品具有锥状轮廓。并且，在一些实施例中，本揭露于放置样品于样品载台前，可在从半导体元件切割取得样品之前，先测量半导体元件的电性，以判断缺陷点，并形成定位标记位于半导体元件而利用定位标记的多个标记线指向缺陷点，接着再切割所述半导体元件以取得样品，此时样品是至少包含部分的定位标记。而后，即可在使用离子束切削样品的步骤中，切削定位标记的标记线的部分，使标记线分别暴露其剖面，并使用所述剖面辨识所述缺陷点的位置。

综上所述，本揭露在一些实施例中，提供一种兼具对半导体元件的缺陷点进行定位、定点的三维结构观察方式。此方法可结合新颖的样品载台结构，使样品载台上的样品不但可以被电子束和检测器进行二维结构的观察，也可以被离子束加工而切削、修饰为具有锥状轮廓而另为APT的三维观察和元素分析。而为了改善元素分析的准确性，本揭露使用硅材料制做样品载台。以及为了能够使得缺陷点被正确定位及定点观察，本揭露使用包含铂材料的定位标记，让样品被切削为具有锥状轮廓的过程可以透过定位标记而确认缺陷点的位置。

前述内容概述数项实施例的结构，使得所属领域的技术人员可更佳地理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，其可容易地使用本揭露作为用于设计或修改其它工艺及结构的基础以实行本文中介绍的实施例的相同目的及/或达成相同优点。所属领域的技术人员还应了解，此些等效构造不背离本揭露的精神及范围，且其可在不背离本揭露的精神及范围的情况下在本文中作出各种改变、置换及更改。

符号说明

10：样品载台

11：基座

11A：第一表面

11B：第二表面

12：第一样品支柱

12A：顶面

13：沟槽

13A：电子束入口

13B：电子束出口

131：第一沟槽

132：第二沟槽

14：样品

15：第二样品支柱

21：电子束源

22：检测器

23：离子束源

31：夹具

40：半导体元件

41：缺陷点

42：定位标记

42a：标记线

42b：标记线

42c：标记线

42d：标记线

420：侧面

43：牺牲层

50：样品区域

51：样品

601：步骤

602：步骤

A：区域

B：区域

C：区域

D_E：行进路径

FF'：线段。

Claims (10)

1.一种样品载台，其包含：

基座，其具有第一表面；及

第一样品支柱，设置于所述基座的所述第一表面，所述第一样品支柱的顶面具有第一沟槽用以放置样品。

2.根据权利要求1所述的样品载台，其中所述第一沟槽延伸到所述顶面的相对的两边缘。

3.根据权利要求1所述的样品载台，其中所述基座以及所述第一样品支柱的材料包含硅。

4.根据权利要求1所述的样品载台，其中所述第一样品支柱的所述顶面进一步具有第二沟槽，所述第二沟槽正交于所述第一沟槽。

5.一种修饰样品的***，其包含：

电子束源，用以产生电子束；

样品载台，设置于所述电子束源下，其具有样品支柱，所述样品支柱的顶面具有沟槽用以放置样品；

离子束源，用以产生离子束而切削放置于所述样品载台的所述样品；及

检测器，设置于所述样品载台下；

其中，所述样品载台可经调整而改变其相对于所述电子束源的角度，而使所述电子束源所产生的电子束可穿透所述样品并被所述检测器所检测。

6.根据权利要求5所述的***，进一步包含夹具，其连接于所述样品载台，用以移动或转动所述样品载台。

7.一种修饰样品的方法，其包含：

放置样品于样品载台的样品支柱，所述样品支柱的顶面具有沟槽，所述沟槽延伸到所述顶面的相对的两边缘而使所述样品的两侧大致不受所述样品支柱遮蔽；及

使用离子束切削所述样品，使所述样品具有锥状轮廓。

8.根据权利要求7所述的方法，其中于放置所述样品于所述样品载台前，进一步包含：

测量半导体元件的电性，以判断缺陷点；

形成定位标记位于所述半导体元件，所述定位标记具有多个标记线指向所述缺陷点；及

切割所述半导体元件以取得所述样品，所述样品至少包含部分的所述定位标记。

9.根据权利要求8所述的方法，其中于使用离子束切削所述样品的步骤中，包含切削所述标记线的部分，使所述标记线分别暴露其侧面，并使用所述侧面辨识所述缺陷点的位置。

10.根据权利要求8所述的方法，其中切割所述半导体元件以取得所述样品前，进一步包含涂布有机胶体覆盖所述标记线。

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