TWI793136B - 感光性樹脂組成物、樹脂膜及電子裝置 - Google Patents
感光性樹脂組成物、樹脂膜及電子裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI793136B TWI793136B TW107121271A TW107121271A TWI793136B TW I793136 B TWI793136 B TW I793136B TW 107121271 A TW107121271 A TW 107121271A TW 107121271 A TW107121271 A TW 107121271A TW I793136 B TWI793136 B TW I793136B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive resin
- group
- film
- carbon number
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
- C08G69/02—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids
- C08G69/26—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本發明提供:一種感光性樹脂組成物,其包含:特定結構的矽烷化合物、鹼可溶性樹脂及感光劑,該特定結構的矽烷化合物具備二級胺結構、及於分子的兩個末端之特定的含矽結構。又,一種樹脂膜,其係使該感光性樹脂組成物硬化而成。又,一種電子裝置,其具備該樹脂膜。作為鹼可溶性樹脂較佳為聚醯胺樹脂。作為感光劑較佳為重氮醌化合物。
Description
本發明係關於一種感光性樹脂組成物、樹脂膜及電子裝置。
迄今為止,在感光性樹脂組成物的領域中,以獲得顯影時不發生圖案剝離和浮起、於熱硬化處理後和化學品處理後之與底層基板之黏著性良好的硬化膜為目的,正在開發各種技術。作為該種技術,例如可列舉專利文獻1中所記載之技術。 根據文獻1,記載藉由使用特定結構的矽烷化合物,可抑制於金屬基板上對感光性樹脂組成物進行鹼性顯影時的剝離、滲入之內容。又,根據專利文獻1,記載將感光性樹脂組成物進行熱硬化而成之硬化膜於金屬基板上顯現良好的黏著性之內容。
專利文獻1:國際公開第2013/146130號
本發明人對在使用專利文獻1中記載之感光性樹脂組成物作為電子裝置的永久膜時,設置成用於電子裝置的基板的輸入輸出之鋁(Al)墊及電路亦即銅(Cu)電路與永久膜之間的密接性進行研究。再者,所謂永久膜係藉由如下而獲得之硬化膜:對由感光性樹脂組成物所形成之樹脂膜進行預烘、曝光及顯影,並將其圖案化成所需形狀之後,進而進行後烘而使樹脂膜硬化。 上述研究之結果,判斷出專利文獻1中記載之感光性樹脂組成物中,預烘的溫度若不是例如120℃以上的高溫,則不會顯現與Al墊之間的密接性。藉此,存在感光性樹脂組成物從Al墊剝落之不良情況。 另一方面,判斷出當預烘的溫度為例如120℃以上的高溫時,銅電路與專利文獻1中記載之感光性樹脂組成物之間的密接性在顯影之前變得太大。藉此,在對感光性樹脂組成物進行顯影而形成暴露Cu電路之通孔之情況下,藉由顯影無法完全去除感光性樹脂組成物,導致通孔中產生感光性樹脂組成物的殘渣。並且,若產生殘渣,則存在電子裝置的電氣可靠性降低之不良情況。 藉由上述,判斷出預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性及顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生藉由預烘的溫度而處於權衡的關係。
此處,本發明人對當使用專利文獻1中記載之感光性樹脂組成物作為電子裝置的永久膜時,後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al墊、銅電路等金屬之間的密接性進行研究。其結果,判斷出專利文獻1中記載之感光性樹脂組成物對Al墊、銅電路等金屬的密接性不充分。藉此,於感光性樹脂組成物中形成微細的浮雕圖案等,而當感光性樹脂組成物的硬化膜與金屬的接觸面積非常小時,存在該硬化膜剝落之不良情況。
上述電子裝置的永久膜,具體而言,可列舉電子裝置的絕緣膜等。 本發明人對當使用專利文獻1中記載之感光性樹脂組成物作為電子裝置的絕緣膜時形成2層絕緣膜之情況下之絕緣膜的耐化學品性進行研究。 此處,對形成2層絕緣膜之方法,舉一例進行說明。於電子裝置的製造步驟中,形成第1層絕緣膜後,對該層間絕緣膜進行預烘、曝光及顯影而形成通孔,後烘後,經由該通孔而形成金屬配線。接著,在第1層絕緣膜及上述金屬配線上形成第2層絕緣膜。此處,作為形成第2層絕緣膜之方法,使用塗佈感光性樹脂組成物的清漆之方法。並且,感光性樹脂組成物的清漆中含有N-甲基吡咯啶酮(NMP)等溶劑。 上述研究之結果,若使用專利文獻1中記載之感光性樹脂組成物形成第1層絕緣膜,則在形成第2層絕緣膜時,存在第1層絕緣膜被NMP溶解,並產生裂縫之不良情況。
藉由上述,本發明的課題為,以良好的平衡顯現預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性提高及顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生的抑制。進而,本發明的課題為,提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al等金屬之間的密接性,此外提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學品性。
本發明人對為了以良好的平衡顯現預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性提高及顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生的抑制,即使在低溫下進行預烘亦能夠提高與Al墊之間的密接性之感光性樹脂組成物的原料成分進行研究。其結果判斷出,藉由使用特定結構的矽烷化合物作為原料成分,即使在小於120℃的低溫下進行預烘之情況下,亦能夠提高預烘後的感光性樹脂組成物與Al墊之間的密接性。 又,判斷出藉由使用上述特定結構的矽烷化合物,能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al等金屬之間的密接性。 進而,判斷出藉由使用上述特定結構的矽烷化合物,能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學品性。 藉由上述,本發明人發現:藉由含有特定結構的矽烷化合物,以良好的平衡顯現預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性提高及顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生的抑制,進一步提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al等金屬之間的密接性,此外,能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學性,藉此完成本發明。
依本發明,提供一種感光性樹脂組成物,其包含: 下述通式(1)所表示之矽烷化合物; 鹼可溶性樹脂;及 感光劑。
(上述通式(1)中,R1
表示碳數1以上且30以下的有機基。其中,將R1
中含有芳香環者除外。 R2
及R3
分別獨立地表示碳數1以上且30以下的有機基。 A分別獨立地表示羥基或碳數1以上且30以下的有機基。A可彼此相同,亦可彼此不同。A中的至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種。 B分別獨立地表示羥基或碳數1以上且30以下的有機基。B可彼此相同,亦可彼此不同。B中的至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種。)
又,依本發明,可提供一種將上述感光性樹脂組成物硬化而成之樹脂膜。
又,依本發明,可提供一種具備上述樹脂膜之電子裝置。
本發明提供一種感光性樹脂組成物,其以良好的平衡顯現預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性提高及顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生的抑制,進一步提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al等金屬之間的密接性,此外,提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學品性。
上述目的和其他目的、特徵和優點藉由以下說明之較佳的實施形態和附隨於其的以下圖式將變得更加明確。
以下,適當利用圖式對本實施形態進行說明。另外,在所有圖式中,對相同的構成要件標註相同的符號,並省略其說明。 又,本說明書中,亦有時將通式(1)所表示之矽烷化合物的情況標記為「特定結構的矽烷化合物」等。
本實施形態之感光性樹脂組成物包含特定結構的矽烷化合物、鹼可溶性樹脂及感光劑。
本發明人等為了獲得以良好的平衡顯現預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性提高及顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生的抑制之感光性樹脂組成物,對即使於低溫下進行預烘亦能夠提高與Al墊之間的密接性之感光性樹脂組成物的原料成分進行研究。其結果判斷出,作為原料成分,使用特定結構的矽烷化合物,藉此即使於小於120℃的低溫進行預烘之情況下,亦能夠提高預烘後的感光性樹脂組成物與Al墊之間的密接性。詳細機制雖不明確,但推測為以下原因。 首先,上述特定結構的矽烷化合物的分子在分子的結構的2個末端分別具備-SiA3
或-SiB3
所表示之基。而且,推測為經由該等基,與作為感光性樹脂組成物的含有成分之鹼可溶性樹脂形成交聯結構。此處,上述特定結構的矽烷化合物具備2個來自於二級胺的氮原子之孤電子對,與以往的矽烷化合物相比,認為與Al原子強烈地相互作用。而且,上述交聯結構中含有二級胺的氮原子。藉此,認為包含上述特定結構的矽烷化合物之交聯結構強烈地與Al原子相互作用。 因此,推測為本實施形態之感光性樹脂組成物即使於小於120℃的低溫進行預烘之情況下,亦能夠充分提高與Al之間的密接性。
又,本發明人等對使用感光性樹脂組成物作為電子裝置的永久膜時,能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al墊等金屬之間的密接性之感光性樹脂組成物的原料成分進行研究。其結果,判斷出作為原料成分,使用上述特定結構的矽烷化合物,藉此能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al墊等金屬之間的密接性。詳細機制雖不明確,但其原因推測為如下。 如上所述,推測為上述特定結構的矽烷化合物與鹼可溶性樹脂形成交聯結構。此處,認為上述特定的矽烷化合物的分子結構在感光性樹脂組成物中發揮柔性骨架的作用。藉此,認為能夠由上述柔性骨架減輕後烘後的感光性樹脂組成物的內部應力。因此,認為由於對感光性樹脂組成物進行後烘時的內部應力的增加而導致之感光性樹脂組成物和金屬的密接面的界面的破壞得到抑制。
進而,本發明人等對能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學性之感光性樹脂組成物的原料成分進行研究。其結果,判斷出作為原料成分,使用上述特定結構的矽烷化合物,藉此能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜的耐化學品性。詳細機制雖不明確,但其原因推測為如下。 如上所述,推測為上述特定結構的矽烷化合物與鹼可溶性樹脂形成交聯結構。藉此,認為感光性樹脂組成物的交聯密度得到提高,並能夠抑制化學品的分子侵入到感光性樹脂組成物中。
依據上述,推測為藉由本實施形態之感光性樹脂組成物含有特定結構的矽烷化合物,藉此即使於小於120℃的低溫進行預烘之情況下,亦能夠充分地提高預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性。而且,由於能夠實現於小於120℃的低溫的預烘,故能夠抑制顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生。 進而,推測為藉由本實施形態之感光性樹脂組成物含有特定結構的矽烷化合物,能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al墊等金屬之間的密接性。 此外,藉由本實施形態之感光性樹脂組成物含有特定結構的矽烷化合物,能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學品性。
首先,對本實施形態之感光性樹脂組成物的各原料成分進行說明。
(矽烷化合物) 矽烷化合物係由下述通式(1)所表示者,例如,由下述通式(2)所表示者為較佳,由下述通式(3)所表示者為更佳。藉此,矽烷化合物容易形成交聯結構,進而能夠適當地減輕內部應力。因此,能夠提高感光性樹脂組成物的硬化膜與金屬之間的密接性。
(上述通式(1)中,R1
表示碳數1以上且30以下的有機基。其中,將R1
中包含芳香環者除外。 R2
及R3
分別獨立地表示碳數1以上且30以下的有機基。 A分別獨立地表示羥基或碳數1以上且30以下的有機基。A可彼此相同,亦可彼此不同。A中的至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種。 B分別獨立地表示羥基或碳數1以上且30以下的有機基。B可彼此相同,亦可彼此不同。B中的至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種。)
(上述通式(2)中,R1
表示碳數1以上且30以下的有機基。其中,將R1
中包含芳香環者除外。 R2
表示碳數1以上且30以下的有機基。 A分別獨立地表示羥基或碳數1以上且30以下的有機基。A可彼此相同,亦可彼此不同。A中的至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種。 B分別獨立地表示羥基或碳數1以上且30以下的有機基。B可彼此相同,亦可彼此不同。B中的至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種。)
(上述通式(3)中,R1
表示碳數1以上且30以下的有機基。其中,將R1
中包含芳香環者除外。 A分別獨立地表示羥基或碳數1以上且30以下的有機基。A可彼此相同,亦可彼此不同。A中的至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種。 B分別獨立地表示羥基或碳數1以上且30以下的有機基。B可彼此相同,亦可彼此不同。B中的至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種。)
上述通式(1)~(3)中的R1
~R3
係碳數1以上且30以下的有機基,例如,碳數1以上且10以下的有機基為較佳,碳數1以上且7以下的有機基為進一步較佳,碳數1以上且5以下的有機基為更進一步較佳,碳數1以上且3以下的有機基為尤佳。藉此,能夠進一步提高交聯密度。因此,能夠提高感光性樹脂組成物的硬化膜的耐化學品性。
上述通式(1)~(3)中的構成R1
~R3
之有機基例如可於有機基的結構中含有除了氫及碳以外的原子。 作為除了氫及碳以外的原子,具體而言可列舉氧原子、氮原子、硫原子、磷原子、矽原子、氟原子、氯原子等。作為除了氫及碳以外的原子,於上述具體例中能夠包含一種或兩種以上。
作為上述通式(1)~(3)中的R1
,具體而言可列舉伸烷基等。 作為伸烷基,例如,可為直鏈狀的伸烷基,亦可為支鏈狀的伸烷基。作為直鏈狀的伸烷基,具體而言可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基等。又,作為支鏈狀的伸烷基,具體而言可列舉-C(CH3
)2
-、-CH(CH3
)-、-CH(CH2
CH3
)-、-C(CH3
)(CH2
CH3
)-、-C(CH3
)(CH2
CH2
CH3
)-、-C(CH2
CH3
)2
-等烷基亞甲基;-CH(CH3
)CH2
-、-CH(CH3
)CH(CH3
)-、-C(CH3
)2
CH2
-、-CH(CH2
CH3
)CH2
-、-C(CH2
CH3
)2
-CH2
-等烷基伸乙基等。 作為R1
,例如係伸烷基為較佳,直鏈狀的伸烷基為更佳。藉此,R1
具備柔性結構,從而能夠適當地減輕內部應力。因此,能夠提高感光性樹脂組成物的硬化膜與金屬之間的密接性。又,於來自於矽烷化合物的二級胺之氮原子的周圍,立體構形的限制減少,並且氮原子與Al等金屬原子能夠更佳地相互作用。因此,即使於小於120℃的低溫進行預烘之情況下,亦能夠充分提高預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性。
作為上述通式(1)~(3)中的R1
,將包含芳香環者除外。藉此,由於不存在作為剛直結構之芳香環,故能夠於後烘時抑制內部應力提高。因此,能夠提高感光性樹脂組成物的硬化膜與金屬之間的密接性。 再者,作為芳香環,具體而言可列舉苯環;萘環、蒽環、芘環等縮合芳香環;吡啶環、吡咯環等雜芳香環等。
作為上述通式(1)~(2)中的R2
、上述通式(1)中的R3
,具體而言可列舉伸烷基、伸芳基等。 作為伸烷基,例如可為直鏈狀的伸烷基,亦可為支鏈狀的伸烷基。作為直鏈狀的伸烷基,具體而言可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基等。作為支鏈狀的伸烷基,具體而言可列舉-C(CH3
)2
-、-CH(CH3
)-、-CH(CH2
CH3
)-、-C(CH3
)(CH2
CH3
)-、-C(CH3
)(CH2
CH2
CH3
)-、-C(CH2
CH3
)2
-等烷基亞甲基;-CH(CH3
)CH2
-、-CH(CH3
)CH(CH3
)-、-C(CH3
)2
CH2
-、-CH(CH2
CH3
)CH2
-、-C(CH2
CH3
)2
-CH2
-等烷基伸乙基等。 作為伸芳基,具體而言可列舉伸苯基、伸聯苯基、伸萘基、伸蒽基及2個或2個以上的伸芳基彼此鍵結而成者等。 作為R2
及R3
,例如伸烷基為較佳。藉此,能夠在後烘時抑制內部應力的提高。因此,能夠提高感光性樹脂組成物的硬化膜與金屬之間的密接性。
上述通式(1)~(3)中的複數個A分別獨立地為羥基或碳數1以上且30以下的有機基,係羥基或碳數1以上且10以下的有機基為較佳,羥基或碳數1以上且3以下的有機基為進一步較佳,羥基或碳數1以上且2以下的有機基為更進一步較佳。藉此,認為矽烷化合物的分子鏈容易編入到交聯結構中。
作為上述通式(1)~(3)中的A,只要至少一個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種即可,A中的2個以上係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種為較佳,A中的3個係選自羥基及碳數1以上且30以下的烷氧基中之一種為更佳。藉此,推測為矽烷化合物的分子鏈彼此鍵結而變得容易寡聚化。因此,能夠形成更適當形狀的柔性分子鏈。
上述通式(1)~(3)中的複數個A可彼此相同,亦可彼此不同。作為複數個A,例如彼此相同為較佳。藉此,矽烷化合物的分子鏈均勻地導入至交聯結構中。因此,能夠抑制內部應力的局部集中。
作為上述通式(1)~(3)中的碳數1以上且30以下的烷氧基以外的A,具體而言可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等烷基;烯丙基、戊烯基、乙烯基等烯基;乙炔基等炔基;次甲基、亞乙基等亞烷基;甲苯基、二甲苯基、苯基、萘基、蒽基等芳基;苄基、苯乙基等芳烷基;金剛烷基、環戊基、環己基、環辛基等環烷基;甲苯基、二甲苯基等烷芳基等。
上述通式(1)~(3)中的B能夠設為與上述A相同。再者,複數個B與A同樣地可彼此相同,亦可彼此不同。
作為本實施形態之上述通式(1)所表示之矽烷化合物,具體而言能夠列舉N,N’-雙[3-(三甲氧基甲矽基)丙基]乙二胺、N,N’-雙(3-三乙氧基甲矽基丙基)乙二胺、N,N’-雙[3-(甲基二甲氧基甲矽基)丙基]乙二胺、N,N’-雙[3-(甲基二乙氧基甲矽基)丙基]乙二胺、N,N’-雙[3-(二甲基甲氧基甲矽基)丙基]乙二胺、N-[3-(甲基二甲氧基甲矽基)丙基]-N’-[3-(三甲氧基甲矽基)丙基]乙二胺、N,N’-雙[3-(三甲氧基甲矽基)丙基]二胺基丙烷、N,N’-雙[3-(三甲氧基甲矽基)丙基]二胺基己烷、N,N’-雙[3-(三甲氧基甲矽基)丙基]二乙烯三胺等。 又,作為上述通式(1)所表示之矽烷化合物,亦能夠使用3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷與N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷的反應產物。作為該反應產物的市售品,能夠列舉Shin-Etsu Chemical公司製造之KBM-425等。
感光性樹脂組成物中的矽烷化合物的含量的下限值例如相對於後述之鹼可溶性樹脂100質量份,係0.01質量份以上為較佳,1.0質量份以上為更佳,2.0質量份以上為進一步較佳,2.5質量份以上為更進一步較佳,3.0質量份以上為尤佳。藉此,能夠藉由矽烷化合物對鹼可溶性樹脂適當地進行交聯。因此,能夠提高預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性,進而能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學品性。 又,感光性樹脂組成物中的矽烷化合物的含量的上限值例如相對於鹼可溶性樹脂100質量份,係30質量份以下為較佳,15質量份以下為更佳,10質量份以下為進一步較佳。藉此,矽烷化合物發揮柔性作用的同時不損害由感光性樹脂組成物形成之樹脂膜的機械強度。因此,能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物與Al等金屬之間的密接性。
(鹼可溶性樹脂) 作為鹼可溶性樹脂並無限定,能夠依據樹脂膜所需之機械特性、光學特性等物性來選擇。作為鹼可溶性樹脂,具體而言可列舉酚樹脂、羥基苯乙烯樹脂、環狀烯烴樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯并㗁唑樹脂等。作為鹼可溶性樹脂,例如使用聚醯胺樹脂或聚苯并㗁唑樹脂為較佳,使用聚醯胺樹脂為更佳。藉此,鹼可溶性樹脂和矽烷化合物能夠較佳地形成交聯結構。 作為鹼可溶性樹脂,能夠包含上述具體例中的一種或兩種以上。
作為上述酚樹脂,具體而言可列舉苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚酚醛清漆樹脂、苯酚-聯苯酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂;酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛樹脂型酚樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等酚化合物與醛化合物的反應物;苯酚芳烷基樹脂等酚化合物與二甲醇化合物的反應物等。再者,作為酚樹脂,能夠包含上述具體例中的一種或兩種以上。
上述作為用於酚化合物與醛化合物的反應物或酚化合物與二甲醇化合物的反應物之酚化合物並無限定。 作為該種酚化合物,具體而言可列舉苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚等甲酚類;2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚等二甲酚類;鄰乙基酚、間乙基酚、對乙基酚等乙基酚類;異丙基酚、丁基酚、對三級丁基酚等烷基酚類;間苯二酚、兒茶酚、對苯二酚、五倍子酚、間苯三酚等多元酚類;4,4’-聯苯酚等聯苯系酚類。作為酚化合物,能夠使用上述具體例中的一種或兩種以上。
上述作為用於酚化合物與醛化合物的反應物之醛化合物只要係具有醛基之化合物則並無限定。 作為該種醛化合物,具體而言可列舉甲醛、聚甲醛、乙醛、苯甲醛、柳醛等。作為醛化合物,能夠使用上述具體例中的一種或兩種以上。
上述作為用於酚化合物與二甲醇化合物的反應物之二甲醇化合物並無限定。 作為該種二甲醇化合物,具體而言可列舉1,4-苯二甲醇、1,3-苯二甲醇、4,4’-聯苯二甲醇、3,4’-聯苯二甲醇、3,3’-聯苯二甲醇、2,6-萘二甲醇、2,6-雙(羥甲基)-對甲酚等二甲醇化合物;1,4-雙(甲氧基甲基)苯、1,3-雙(甲氧基甲基)苯、4,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、3,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、3,3’-雙(甲氧基甲基)聯苯、2,6-萘二羧酸甲酯等雙(烷氧基甲基)化合物、或1,4-雙(氯甲基)苯、1,3-雙(氯甲基)苯、1,4-雙(溴甲基)苯、1,3-雙(溴甲基)苯、4,4’-雙(氯甲基)聯苯、3,4’-雙(氯甲基)聯苯、3,3’-雙(氯甲基)聯苯、4,4’-雙(溴甲基)聯苯、3,4’-雙(溴甲基)聯苯或3,3’-雙(溴甲基)聯苯等雙(鹵代烷基)化合物、4,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、4,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯等聯苯芳烷基化合物等。作為二甲醇化合物,能夠使用上述具體例中的一種或兩種以上。
作為上述羥基苯乙烯樹脂並無限定,具體而言能夠使用將選自由羥基苯乙烯、羥基苯乙烯衍生物、苯乙烯及苯乙烯衍生物組成的群中之一種或兩種以上聚合或共聚而成之聚合反應物或共聚反應物。
作為上述環狀烯烴樹脂並無特別限定,例如能夠使用將選自由降莰烯及降莰烯衍生物組成的群中之一種或兩種以上聚合或共聚而成之聚合反應物或共聚反應物。 此處,作為降莰烯衍生物,具體而言可列舉降茨二烯、二環[2.2.1]-庚-2-烯(慣用名:2-降莰烯)、5-甲基-2-降莰烯、5-乙基-2-降莰烯、5-丁基-2-降莰烯、5-己基-2-降莰烯、5-癸基-2-降莰烯、5-烯丙基-2-降莰烯、5-(2-丙烯基)-2-降莰烯、5-(1-甲基-4-戊烯基)-2-降莰烯、5-乙炔基-2-降莰烯、5-苄基-2-降莰烯、5-苯乙基-2-降莰烯、2-乙醯基-5-降莰烯、5-降莰烯-2-羧酸甲酯、5-降莰烯-2,3-二羧酸酐等。 再者,環狀烯烴樹脂可以具有除了環狀烯烴單體(例如為上述降莰烯衍生物)以外的結構單元。例如,亦可為環狀烯烴單體與順丁烯二酸酐的共聚物。藉由使順丁烯二酸酐與環狀烯烴樹脂共聚合,能夠顯著提高鹼可溶性。
本實施形態的聚醯胺樹脂例如使用在聚醯胺的結構單元中包含芳香族環之芳香族聚醯胺為較佳,包含下述式(PA1)所表示之結構單元者為更佳。藉此,聚醯胺樹脂的分子鏈彼此經由醯胺基氫鍵結而形成緊密結構,並能夠抑制化學品的分子浸入感光性樹脂組成物中。因此,能夠提高後烘後的耐化學品性。 在本實施形態中,所謂芳香族環,表示苯環;萘環、蒽環、芘環等縮合芳香環;吡啶環、吡咯環等雜芳香環等。從形成上述從緊密結構之觀點考慮,本實施形態的聚醯胺樹脂包含苯環作為芳香族環為較佳。
包含上述式(PA1)所表示之結構單元之聚醯胺樹脂係聚苯并㗁唑樹脂的前驅物。包含上述式(PA1)所表示之結構單元之聚醯胺樹脂例如能夠藉由在150℃以上且380℃以下的溫度以30分鐘以上且50小時以下的條件進行熱處理,藉此脫水閉環,形成聚苯并㗁唑樹脂。此處,上述式(PA1)的結構單元藉由脫水閉環而成為下述式(PBO1)所表示之結構單元。 在本實施形態之鹼可溶性樹脂係包含上述式(PA1)所表示之結構單元之聚醯胺樹脂之情況下,例如藉由對感光性樹脂組成物進行上述熱處理,藉此脫水閉環,形成聚苯并㗁唑樹脂。亦即,進行上述熱處理之感光性樹脂組成物包含作為鹼可溶性樹脂之聚苯并㗁唑樹脂。 又,在鹼可溶性樹脂係包含上述式(PA1)所表示之結構單元之聚醯胺樹脂之情況下,可在製作後述之樹脂膜、電子裝置之後進行上述熱處理,藉此脫水閉環,形成聚苯并㗁唑樹脂。在形成聚苯并㗁唑樹脂之情況下,能夠增加拉伸斷裂伸長率。藉此,就能夠提高樹脂膜、電子裝置的強度之觀點而言係有利的。
又,作為聚醯胺樹脂,例如可使用包含下述通式(PAM)所表示之結構單元者。 包含下述通式(PAM)所表示之結構單元之聚醯胺樹脂係聚醯亞胺樹脂的前驅物。包含下述通式(PAM)所表示之結構單元之聚醯胺樹脂例如能夠藉由在150℃以上且380℃以下的溫度,以30分鐘以上且50小時以下的條件進行熱處理,藉此脫水閉環,形成聚醯亞胺樹脂。此處,下述式(PAM)的結構單元藉由脫水閉環而成為下述式(PI1)所表示之結構單元。 在鹼可溶性樹脂係包含下述式(PAM)所表示之結構單元之聚醯胺樹脂之情況下,可藉由對感光性樹脂組成物進行熱處理,藉此脫水閉環,形成聚醯亞胺樹脂。亦即,進行熱處理之感光性樹脂組成物可包含作為鹼可溶性樹脂之聚醯亞胺樹脂。 又,在鹼可溶性樹脂係包含下述式(PAM)所表示之結構單元之聚醯胺樹脂之情況下,例如可在製作後述之電子裝置之後進行熱處理,藉此脫水閉環,形成聚醯亞胺樹脂。
通式(PAM)中,RB
及RC
分別獨立地為碳數1以上且30以下的有機基。
通式(PI1)中,RB
及RC
係與上述通式(PAM)相同。
作為通式(PAM)、通式(PI1)中的RB
及RC
,具體而言係具有芳香族環之有機基為較佳。 作為具有芳香族環之有機基,具體而言係包含苯環、萘環或蒽環者為較佳,包含苯環者為更佳。
例如將感光性樹脂組成物的總固體成分設為100質量份時,感光性樹脂組成物中的鹼可溶性樹脂的含量的下限值係30質量份以上為較佳,40質量份以上為更佳,50質量份以上為進一步較佳,60質量份以上為更進一步較佳,70質量份以上為尤佳。藉此,感光性樹脂組成物能夠顯現適當的感光性。因此,能夠抑制在顯影時產生感光性樹脂組成物的殘渣。因此,能夠進一步以良好的平衡顯現預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性提高及顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生的抑制。 又,例如將感光性樹脂組成物的總固體成分設為100質量份時,感光性樹脂組成物中的鹼可溶性樹脂的含量的上限值係90質量份以下為較佳,85質量份以下為更佳,80質量份以下為進一步較佳。藉此,鹼可溶性樹脂藉由矽烷化合物而適當地形成交聯結構,並能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學品性。 再者,在本實施形態中,所謂感光性樹脂組成物的總固體成分,表示將界面活性劑及溶劑除外之感光性樹脂組成物的含有成分的合計。
(聚醯胺樹脂的製造方法) 本實施形態之聚醯胺樹脂例如以如下聚合。 首先,藉由聚合步驟(S1)使二胺單體與二羧酸單體縮聚,從而使聚醯胺聚合。接著,藉由低分子量成分去除步驟(S2)去除低分子量成分,獲得以聚醯胺為主成分之聚醯胺樹脂。
(聚合步驟(S1)) 在聚合步驟(S1)中,使二胺單體與二羧酸單體縮聚。作為使聚醯胺聚合之縮聚的方法並無限定,具體而言可列舉熔融縮聚、醯氯法、直接縮聚等。 再者,代替二羧酸單體,亦可使用選自由四羧酸二酐、1,2,4-苯三甲酸酐、二氯化二羧酸或活性酯型二羧酸組成的群中之化合物。作為獲得活性酯型二羧酸之方法,具體而言能夠列舉使二羧酸與1-羥基-1,2,3-苯并***等反應之方法。
以下對聚醯胺樹脂的聚合中所使用之二胺單體及二羧酸單體進行說明。再者,二胺單體及二羧酸單體可分別準備一種,亦可併用兩種以上而使用。
作為用於聚合之二胺單體並無限定,例如使用結構中包含芳香族環之二胺單體為較佳,使用結構中包含酚性羥基之二胺單體為更佳。此處,作為結構中包含酚性羥基之二胺單體,例如係下述通式(DA1)所表示之者為較佳。藉由以該種二胺單體為原料來製造聚醯胺樹脂,控制聚醯胺樹脂的構形,聚醯胺樹脂的分子鏈彼此能夠形成更緊密結構。因此,能夠抑制化學品的分子浸入到感光性樹脂組成物中,並提高後烘後的耐化學性。 再者,例如,在使用下述通式(DA1)所表示之二胺單體之情況下,聚醯胺樹脂包含下述通式(PA2)所表示之結構單元。亦即,本實施形態之聚醯胺樹脂例如包含下述通式(PA2)所表示之結構單元為較佳。
(在上述通式(DA1)中,R4
係藉由選自由氫原子、碳原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子、矽原子、氯原子、氟原子、溴原子組成的群中之一種或兩種以上的原子所形成之基。R5
~R10
分別獨立地表示氫或碳數1以上且30以下的有機基。)
上述通式(DA1)及(PA2)中的R4
係藉由選自由氫原子、碳原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子、矽原子、氯原子、氟原子、溴原子組成的群中之一種或兩種以上的原子所形成之基。 再者,R4
係2價的基。此處,所謂2價的基,表示原子價。亦即,表示R4
與其他原子鍵結之鍵結鍵係2個。
在上述通式(DA1)及(PA2)中的R4
包含碳原子之情況下,R4
例如係碳數1以上且30以下的基,碳數1以上且10以下的基為較佳,碳數1且以上5以下的基為更佳,碳數1以上且3以下的基為進一步較佳。
在上述通式(DA1)及(PA2)中的R4
包含碳原子之情況下,作為R4
,具體而言可列舉伸烷基、伸芳基、經鹵素取代之伸烷基、經鹵素取代之伸芳基等。 作為伸烷基,例如可為直鏈狀的伸烷基,亦可為支鏈狀的伸烷基。作為直鏈狀的伸烷基,具體而言可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基等。作為支鏈狀的伸烷基,具體而言可列舉-C(CH3
)2
-、-CH(CH3
)-、-CH(CH2
CH3
)-、-C(CH3
)(CH2
CH3
)-、-C(CH3
)(CH2
CH2
CH3
)-、-C(CH2
CH3
)2
-等烷基亞甲基;-CH(CH3
)CH2
-、-CH(CH3
)CH(CH3
)-、-C(CH3
)2
CH2
-、-CH(CH2
CH3
)CH2
-、-C(CH2
CH3
)2
-CH2
-等烷基伸乙基等。 作為伸芳基,具體而言可列舉伸苯基、伸聯苯基、伸萘基、伸蒽基及2個或2個以上的伸芳基彼此鍵結而成者等。 作為經鹵素取代之伸烷基、經鹵素取代之伸芳基,具體而言分別能夠使用將上述伸烷基、伸芳基中的氫原子經氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子取代而得者。該等中,使用藉由氟原子取代氫原子而得者為較佳。
在上述通式(DA1)及(PA2)中的R4
不包含碳原子之情況下,作為R4
,具體而言可列舉由氧原子或硫原子構成之基等。
上述通式(DA1)及(PA2)中的R5
~R10
分別獨立地為氫或碳數1以上且30以下的有機基,例如係氫或碳數1以上且10以下的有機基為較佳,氫或碳數1以上且5以下的有機基為更佳,氫或碳數1以上且3以下的有機基為進一步較佳,氫或碳數1以上且2以下的有機基為更進一步較佳。藉此,就聚醯胺樹脂的分子鏈彼此經由醯胺鍵形成氫鍵,並能夠抑制化學品的分子浸入到感光性樹脂組成物中之方面而言係有利的。
作為上述通式(DA1)及(PA2)中的R5
~R10
的碳數1以上且30以下的有機基的具體例,可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等烷基;烯丙基、戊烯基、乙烯基等烯基;乙炔基等炔基;次甲基、亞乙基等亞烷基;甲苯基、二甲苯基、苯基、萘基、蒽基等芳基;苄基、苯乙基等芳烷基;金剛烷基、環戊基、環己基、環辛基等環烷基;甲苯基、二甲苯基等烷芳基等。
作為上述通式(DA1)所表示之二胺單體,具體而言可列舉,2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷、4,4’-亞甲基雙(2-胺基-3,6-二甲基酚)、4,4’-亞甲基雙(2-胺基酚)、1,1-雙(3-胺基-4-羥基苯基)乙烷、3,3’-二胺基-4,4’-二羥基二苯醚等。藉由使用該等二胺單體,聚醯胺樹脂的芳香族環彼此能夠緊密排列。因此,能夠抑制化學品的分子侵入到感光性樹脂組成物中,並提高耐化學性。再者,作為二胺單體,能夠使用上述具體例中的一種或組合使用兩種以上。 以下示出該等二胺單體的結構式。
作為用於聚合之二羧酸單體並無限定,例如使用結構中包含芳香族環之二羧酸單體為較佳。 作為包含芳香族環之二羧酸單體,例如使用下述通式(DC1)所表示者為較佳。 再者,例如,在使用下述通式(DC1)所表示之二羧酸單體之情況下,聚醯胺樹脂包含下述通式(PA3)所表示之結構單元。亦即,本實施形態之聚醯胺樹脂例如包含下述通式(PA3)所表示之結構單元為較佳。
(上述通式(DC1)中,R11
係藉由選自由氫原子、碳原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子、矽原子、氯原子、氟原子、溴原子組成的群中之一種或兩種以上的原子所形成之基。R12
~R19
分別獨立地表示氫或碳數1以上且30以下的有機基。)
上述通式(DC1)中的R11
係藉由選自由氫原子、碳原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子、矽原子、氯原子、氟原子、溴原子組成的群中之一種或兩種以上的原子所形成之基。 再者,R11
係2價的基。此處,所謂2價的基,表示原子價。亦即,表示R11
與其他原子鍵結之鍵結鍵係2個。
在上述通式(DC1)中的R11
包含碳原子之情況下,R11
例如係碳數1以上且30以下的基,碳數1以上且10以下的基為較佳,碳數1以上且5以下的基為更佳,碳數1以上且3以下的基為進一步較佳。
在上述通式(DC1)及(PA3)中的R11
包含碳原子之情況下,作為R11
,具體而言可列舉伸烷基、伸芳基、經鹵素取代之伸烷基、經鹵素取代之伸芳基等。 作為伸烷基,例如可為直鏈狀的伸烷基,亦可為支鏈狀的伸烷基。作為直鏈狀的伸烷基,具體而言可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基等。作為支鏈狀的伸烷基,具體而言可列舉-C(CH3
)2
-、-CH(CH3
)-、-CH(CH2
CH3
)-、-C(CH3
)(CH2
CH3
)-、-C(CH3
)(CH2
CH2
CH3
)-、-C(CH2
CH3
)2
-等烷基亞甲基;-CH(CH3
)CH2
-、-CH(CH3
)CH(CH3
)-、-C(CH3
)2
CH2
-、-CH(CH2
CH3
)CH2
-、-C(CH2
CH3
)2
-CH2
-等烷基伸乙基等。 作為伸芳基,具體而言可列舉伸苯基、伸聯苯基、伸萘基、伸蒽基及2個或2個以上的伸芳基彼此鍵結而成者等。 作為經鹵素取代之伸烷基、經鹵素取代之伸芳基,具體而言能夠分別使用由氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子取代上述伸烷基、伸芳基中的氫原子而成者。該等中,使用由氟原子取代氫原子而成者為較佳。
在上述通式(DC1)及(PA3)中的R11
不包含碳原子之情況下,作為R11
,具體而言可列舉由氧原子或硫原子構成之基等。
上述通式(DC1)及(PA3)中的R12
~R19
分別獨立地為氫或碳數1以上且30以下的有機基,例如係氫或碳數1以上且10以下的有機基為較佳,氫或碳數1以上且5以下的有機基為更佳,氫或碳數1以上且3以下的有機基為進一步較佳,氫為更進一步較佳。
作為上述通式(DC1)及(PA3)中的R12
~R19
的碳數1以上且30以下的有機基的具體例,可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等烷基;烯丙基、戊烯基、乙烯基等烯基;乙炔基等炔基;次甲基、亞乙基等亞烷基;甲苯基、二甲苯基、苯基、萘基、蒽基等芳基;苄基、苯乙基等芳烷基;金剛烷基、環戊基、環己基、環辛基等環烷基;甲苯基、二甲苯基等烷芳基等。
作為二羧酸單體,具體而言能夠使用二苯醚-4,4’-二羧酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、4,4’-聯苯二羧酸等。作為二羧酸單體,使用上述具體例中的二苯醚-4,4’-二羧酸或間苯二甲酸為較佳,使用二苯醚-4,4’-二羧酸為更佳。
再者,與聚合步驟(S1)同時或在聚合步驟(S1)之後修飾存在於聚醯胺樹脂的末端之胺基為較佳。修飾例如能夠藉由使特定的酸酐或特定的單羧酸與二胺單體或聚醯胺樹脂反應而進行。因此,本實施形態之聚醯胺樹脂係末端的胺基經特定的酸酐或特定的單羧酸修飾而成為較佳。再者,上述特定的酸酐、上述特定的單羧酸係具有選自由烯基、炔基及羥基組成的群中之一種以上的官能基者。又,作為上述特定的酸酐、特定的單羧酸,例如係包含氮原子者為較佳。藉此,能夠提高預烘後、後烘後的感光性樹脂組成物與Al等金屬之間的密接性。 作為上述特定的酸酐,具體而言可列舉順丁烯二酸酐、檸康酸酐、2,3-二甲基順丁烯二酸酐、4-環己烯-1,2-二羧酸酐、外-3,6-環氧-1,2,3,6-四氫鄰苯二甲酸酐、5-降莰烯-2,3-二羧酸酐、甲基-5-降莰烯-2,3-二羧酸酐、伊康酸酐、氯橋酸酐、4-乙炔基鄰苯二甲酸酐、4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐、4-羥基鄰苯二甲酸酐等。作為特定的酸酐,能夠使用上述具體例中的一種或組合使用兩種以上。 再者,在藉由環形狀的特定的酸酐修飾存在於聚醯胺樹脂的末端之胺基之情況下,環形狀的特定的酸酐進行開環。此處,可在修飾聚醯胺樹脂之後,使來自於環形狀的特定的酸酐之結構單元進行閉環,藉此形成醯亞胺環。作為進行閉環之方法,例如可列舉熱處理等。 又,作為上述特定的單羧酸,具體而言可列舉5-降莰烯-2-羧酸、4-羥基苯甲酸、3-羥基苯甲酸等。作為上述特定的單羧酸,能夠使用上述具體例中的一種或組合使用兩種以上。
又,亦可在與聚合步驟(S1)同時或在聚合步驟(S1)之後修飾存在於聚醯胺樹脂的末端之羧基。修飾例如能夠藉由使特定的含氮原子之雜芳香族化合物與二羧酸單體或聚醯胺樹脂反應而進行。因此,本實施形態之聚醯胺樹脂係較佳由末端的羧基經特定的含氮原子之雜芳香族化合物修飾而成。再者,上述特定的含氮原子之雜芳香族化合物係具有選自由1-(5-1H-***基)甲基胺基、3-(1H-吡唑基)胺基、4-(1H-吡唑基)胺基、5-(1H-吡唑基)胺基、1-(3-1H-吡唑基)甲基胺基、1-(4-1H-吡唑基)甲基胺基、1-(5-1H-吡唑基)甲基胺基、(1H-四唑-5-基)胺基、1-(1H-四唑-5-基)甲基-胺基及3-(1H-四唑-5-基)苯-胺基組成的群中之一種以上的官能基者。藉此,能夠增加感光性樹脂組成物中的孤電子對的數量。因此,能夠提高預烘後、後烘後的感光性樹脂組成物與Al等金屬之間的密接性。 作為上述特定的含氮原子之雜芳香族化合物,具體而言可列舉5-胺基四唑等。
(低分子量成分去除步驟(S2)) 繼上述聚合步驟(S1)之後,進行低分子量成分去除步驟(S2),並去除低分子量成分,獲得以聚醯胺為主成分之聚醯胺樹脂。 藉由過濾等將含有低分子量成分與聚醯胺樹脂的混合物之有機層進行濃縮之後,使其再次溶解於水/異丙醇等有機溶劑中。藉此,過濾沉澱物,能夠獲得低分子量成分被去除之聚醯胺樹脂。
作為聚醯胺樹脂,例如係將上述通式(DA1)所表示之二胺單體及上述通式(DC1)所表示之二羧酸單體進行縮合而得者為較佳。亦即,作為聚醯胺樹脂,具備上述通式(PA2)及(PA3)的結構單元者為較佳,交替具備上述通式(PA2)及(PA3)的結構單元者為更佳。
(感光劑) 作為感光劑,能夠使用藉由吸收光能而產生酸之光酸產生劑。 作為光酸產生劑,具體而言可列舉重氮醌(diazoquinone)化合物;二芳基錪鹽;2-硝基苄基酯化合物;N-亞胺基磺酸鹽化合物;醯亞胺磺酸鹽化合物;2,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三口井化合物;二氫吡啶化合物等。該等中,使用重氮醌化合物為較佳。藉此,能夠提高感光性樹脂組成物的靈敏度。因此,能夠提高圖案的精度,並能夠改善外觀。再者,作為光酸產生劑,能夠包含上述具體例中的一種或兩種以上。 又,在感光性樹脂組成物係正型之情況下,作為感光劑,除了上述具體例之外,亦可併用三芳基鋶鹽;鋶-硼酸鹽等鎓鹽等。藉此,能夠進一步提高感光性樹脂組成物的靈敏度。
作為上述重氮醌化合物,例如能夠使用以下所示者中的一種或兩種以上的化合物。
在以上各重氮醌化合物中,Q係下述式(a)、下述式(b)及下述式(c)中所表示之結構或氫原子。其中,各重氮醌化合物的Q中的至少一個係由下述式(a)、下述式(b)及下述式(c)所表示之結構。 作為重氮醌化合物的Q,包含下述式(a)或下述式(b)為較佳。藉此,能夠提高感光性樹脂組成物的透明性。因此,能夠改善感光性樹脂組成物的外觀。
將鹼可溶性樹脂設為100質量份時,感光性樹脂組成物中的感光劑的含量的下限值例如係1質量份以上為較佳,3質量份以上為更佳,5質量份以上為進一步較佳。藉此,感光性樹脂組成物能夠發揮適當的靈敏度。 又,將鹼可溶性樹脂設為100質量份時,感光性樹脂組成物中的感光劑的含量的上限值例如係30質量份以下為較佳,20質量份以下為更佳。藉此,感光性樹脂組成物適當地硬化,能夠在預烘後及後烘後對Al、Cu等金屬顯現密接性。
本實施形態之感光性樹脂組成物可進一步添加密接助劑、矽烷偶合劑、溶劑、熱交聯劑、界面活性劑、抗氧化劑、溶解促進劑、填料、敏化劑等添加劑。 以下對代表成分進行詳細說明。
(密接助劑) 本實施形態之感光性樹脂組成物例如可含有密接助劑。作為密接助劑,具體而言能夠使用***化合物。 作為***化合物,具體而言可列舉4-胺基-1,2,4-***、4H-1,2,4-***-3-胺、4-胺基-3,5-二-2-吡啶基-4H-1,2,4-***、3-胺基-5-甲基-4H-1,2,4-***、4-甲基-4H-1,2,4-***-3-胺、3,4-二胺基-4H-1,2,4-***、3,5-二胺基-4H-1,2,4-***、1,2,4-***-3,4,5-三胺、3-吡啶基-4H-1,2,4-***、4H-1,2,4-***-3-羰醯胺、3,5-二胺基-4-甲基-1,2,4-***、3-吡啶基-4-甲基-1,2,4-***、4-甲基-1,2,4-***-3-甲醯胺等1,2,4-***。作為***化合物,能夠使用上述具體例中的一種或組合使用兩種以上。
又,作為密接助劑,使用具有醯亞胺結構之化合物亦較佳。以下例示能夠使用之醯亞胺化合物。
(矽烷偶合劑) 本實施形態之感光性樹脂組成物例如可含有矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑,可與上述矽烷化合物一同併用與上述矽烷化合物不同之結構的矽烷偶合劑。 作為與上述矽烷化合物不同之結構的矽烷偶合劑,具體而言可列舉環己烯-1,2-二羧酸酐及3-胺基丙基三乙氧基矽烷的縮合物、3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐及3-胺基丙基三乙氧基矽烷的縮合物等醯胺基矽烷;乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等乙烯基矽烷;2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等環氧矽烷;對苯乙烯基三甲氧基矽烷等苯乙烯基矽烷;3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等甲基丙烯酸矽烷;3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等丙烯酸矽烷;N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基矽烷;三聚異氰酸酯矽烷;烷基矽烷;3-脲基丙基三烷氧基矽烷等脲基矽烷;3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷等巰基矽烷;3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等異氰酸酯矽烷;鈦系化合物;鋁螯合物類;鋁/鋯系化合物等。作為矽烷偶合劑,能夠摻合上述具體例中的一種或兩種以上。 本實施形態之感光性樹脂組成物含有矽烷偶合劑之情況下,相對於鹼可溶性樹脂100質量份,含量為例如係0.1質量份以上且5質量份以下,較佳為0.5質量份以上且3質量份以下。
(溶劑) 本實施形態之感光性樹脂組成物例如能夠作為將除了溶劑以外的原料成分溶解於溶劑中而得之清漆而使用。 作為溶劑並無限定,具體而言可列舉N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基丙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙醯胺、N,N-二丁基甲醯胺等醯胺系溶劑;N,N-二甲基乙醯胺、四甲基脲(TMU)、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、四丁基脲、N,N’-二甲基丙烯脲、1,3-二甲氧基-1,3-二甲基脲、N,N’-二異丙基-O-甲基異脲、O,N,N’-三異丙基異脲、O-三級丁基-N,N’-二異丙基異脲、O-乙基-N,N’-二異丙基異脲、O-苄基-N,N’-二異丙基異脲等尿素系溶劑;丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單***、乙二醇單***、二乙二醇二甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇、乙二醇二***、二乙二醇二***、二乙二醇二丁醚、二丙二醇單甲醚、1,3-丁二醇-3-單甲醚等醚系溶劑;丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、甲基-1,3-丁二醇乙酸酯等乙酸酯系溶劑;四氫糠醇、苯甲醇、2-乙基己醇、丁二醇、異丙醇等醇系溶劑;環戊酮、環己酮、二丙酮醇、2-庚酮等酮系溶劑;γ-丁內酯(GBL)、γ-戊內酯等內酯系溶劑;碳酸伸乙酯、碳酸丙烯酯等碳酸酯系溶劑;二甲基亞碸(DMSO)、環丁碸等碸系溶劑;丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯等酯系溶劑;對稱三甲苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑等。作為溶劑,能夠包含上述具體例中的一種或兩種以上。 以感光性樹脂組成物的固體成分濃度例如成為5~60質量%、較佳為10~50質量%之方式使用溶劑。 本實施形態之感光性樹脂組成物的耐化學品性高,因此,例如即使使用N-甲基-2-吡咯啶酮作為溶劑而製作複數個層間絕緣膜,亦不會產生裂縫,從此種觀點考慮係有利的。
(熱交聯劑) 本實施形態之感光性樹脂組成物可包含能夠藉由熱而與鹼可溶性樹脂反應之熱交聯劑。藉此,關於將感光性樹脂組成物進行後烘之後的硬化物,能夠提高拉伸斷裂伸長率之機械特性。 作為熱交聯劑,具體而言可列舉1,2-苯二甲醇、1,3-苯二甲醇、1,4-苯二甲醇(對二甲苯乙二醇)、1,3,5-苯三甲醇、4,4-聯苯二甲醇、2,6-吡啶二甲醇、2,6-雙(羥甲基)-對甲酚、4,4’-亞甲基雙(2,6-二烷氧基甲基苯酚)等具有羥甲基之化合物;五羥基聯苯(phloroglucide)等酚類;1,4-雙(甲氧基甲基)苯、1,3-雙(甲氧基甲基)苯、4,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、3,4’-雙(甲氧基甲基)聯苯、3,3’-雙(甲氧基甲基)聯苯、2,6-萘二羧酸甲酯、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲氧基甲基苯酚)等具有烷氧基甲基之化合物;以六羥甲基三聚氰胺、六丁醇三聚氰胺等為代表之羥甲基三聚氰胺化合物;六甲氧基三聚氰胺等烷氧基三聚氰胺化合物; 四甲氧基甲基乙炔脲等烷氧基甲基乙炔脲化合物;羥甲基苯并胍胺化合物、二羥甲基乙烯脲等羥甲基脲化合物;二氰基苯胺、二氰基苯酚、氰基苯磺酸等氰基化合物;1,4-伸苯基二異氰酸酯、3,3’-二甲基二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯等異氰酸酯化合物;乙二醇二環氧丙基醚、雙酚A二環氧丙基醚、異三聚氰酸三環氧丙酯、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、萘系環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆樹脂型環氧樹脂等含環氧基之化合物;N,N’-1,3-伸苯基二順丁烯二醯亞胺、N,N’-亞甲基二順丁烯二醯亞胺等順丁烯二醯亞胺化合物等。作為熱交聯劑,能夠使用上述具體例中的一種或組合使用兩種以上。
將感光性樹脂組成物的總固體成分設為100質量份時,感光性樹脂組成物中的熱交聯劑的含量的上限值例如係15質量份以下為較佳,12質量份以下為更佳,10質量份以下為進一步較佳。 又,將感光性樹脂組成物的總固體成分設為100質量份時,感光性樹脂組成物中的熱交聯劑的含量的下限值例如係0.1質量份以上為較佳,1質量份以上為更佳,5質量份以上為進一步較佳,7質量份以上為更進一步較佳。
(界面活性劑) 本實施形態之感光性樹脂組成物可進而包含界面活性劑。 作為界面活性劑並無限定,具體而言可列舉聚氧乙烯十二烷基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚類;聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯芳基醚類;聚氧乙烯二月桂酸酯、聚氧乙烯二硬脂酸酯等聚氧乙烯二烷基酯類等非離子系界面活性劑;以EFTOP EF301、EFTOP EF303、EFTOP EF352(Shin-Akita Chemical公司製造)、MEGAFACE F171、MEGAFACE F172、MEGAFACE F173、MEGAFACE F177、MEGAFACE F444、MEGAFACE F470、MEGAFACE F471、MEGAFACE F475、MEGAFACE F482、MEGAFACE F477(DIC公司製造)、FLUORAD FC-430、FLUORAD FC-431、NOVEC FC4430、NOVEC FC4432(3M Japan公司製造)、SURFLON S-381、SURFLON S-382、SURFLON S-383、SURFLON S-393、SURFLON SC-101、SURFLON SC-102、SURFLON SC-103、SURFLON SC-104、SURFLON SC-105、SURFLON SC-106、(AGC SEIMI CHEMICAL公司製造)等名稱市售之氟系界面活性劑;有機矽氧烷共聚物KP341(Shin-Etsu Chemical公司製造);(甲基)丙烯酸系共聚物Polyflow No.57、95(KYOEISHA CHEMICAL公司製造)等。 該等中,使用具有全氟烷基之氟系界面活性劑為較佳。作為具有全氟烷基之氟系界面活性劑,使用上述具體例中的選自MEGAFACE F171、MEGAFACE F173、MEGAFACE F444、MEGAFACE F470、MEGAFACE F471、MEGAFACE F475、MEGAFACE F482、MEGAFACE F477(DIC公司製造)、SURFLON S-381、SURFLON S-383、SURFLON S-393(AGC SEIMI CHEMICAL 公司製造)、NOVEC FC4430及NOVEC FC4432(3M Japan公司製造)之一種或兩種以上為較佳。
又,作為界面活性劑,以能夠較佳地使用聚矽氧系界面活性劑(例如聚醚改質二甲基矽氧烷等)。作為聚矽氧系界面活性劑,具體而言能夠列舉Dow Corning Toray公司的SH系列、SD系列及ST系列、BYK Japan公司的BYK系列、Shin-Etsu Chemical股份有限公司的KP系列、NOF股份有限公司的DISFOAM(註冊商標)系列、Toshiba Silicones股份有限公司的TSF系列等。
在本實施形態之感光性樹脂組成物包含界面活性劑之情況下,相對於組成物整體,例如在1ppm以上且1000ppm以下,較佳為1ppm以上且100ppm以下的範圍適當地調整其量。
(抗氧化劑) 本實施形態之感光性樹脂組成物可進而包含抗氧化劑。作為抗氧化劑,能夠使用選自酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑及硫醚系抗氧化劑中之一種以上。抗氧化劑能夠抑制由感光性樹脂組成物所形成之樹脂膜的氧化。 作為酚系抗氧化劑,可列舉新戊四醇-四〔3-(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯〕、3,9-雙{2-〔3-(3-三級丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基〕-1,1-二甲基乙基}2,4,8,10-四氧雜螺〔5,5〕十一烷、十八烷基-3-(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、1,6-己二醇-雙〔3-(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯〕、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-三級丁基-4-羥基苄基)苯、2,6-二-三級丁基-4-甲基酚、2,6-二-三級丁基-4-乙基酚、2,6-二苯基-4-十八烷氧基酚、硬脂基(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、二硬脂基(3,5-二-三級丁基-4-羥基苄基)膦酸酯、硫二乙二醇雙〔(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯〕、4,4’-硫代雙(6-三級丁基-間甲酚)、2-辛硫基-4,6-二(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯氧基)-對稱三口井、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-三級丁基-6-丁基酚)、2,2’-亞甲基雙(4-乙基-6-三級丁基酚)、雙〔3,3-雙(4-羥基-3-三級丁基苯基)丁酸〕乙二醇酯、4,4’-亞丁基雙(6-三級丁基-間甲酚)、2,2’-亞乙基雙(4,6-二-三級丁基酚)、2,2’-亞乙基雙(4-二級丁基-6-三級丁基酚)、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-三級丁基苯基)丁烷、雙〔2-三級丁基-4-甲基-6-(2-羥基-3-三級丁基-5-甲基苄基)苯基〕對苯二甲酸酯、1,3,5-三(2,6-二甲基-3-羥基-4-三級丁基苄基)三聚異氰酸酯、1,3,5-三(3,5-二-三級丁基-4-羥基苄基)-2,4,6-三甲基苯、1,3,5-三〔(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙醯氧基乙基〕三聚異氰酸酯、四〔亞甲基-3-(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯〕甲烷、2-三級丁基-4-甲基-6-(2-丙烯醯氧基-3-三級丁基-5-甲基苄基)酚、3,9-雙(1,1-二甲基-2-羥乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷-雙〔β-(3-三級丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酸酯〕、三乙二醇雙〔β-(3-三級丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酸酯〕、1,1’-雙(4-羥基苯基)環己烷、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-三級丁基酚)、2,2’-亞甲基雙(4-乙基-6-三級丁基酚)、2,2’-亞甲基雙(6-(1-甲基環己基)-4-甲基酚)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-三級丁基酚)、3,9-雙(2-(3-三級丁基-4-羥基-5-甲基苯基丙醯氧基)1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺(5,5)十一烷、4,4’-硫代雙(3-甲基-6-三級丁基酚)、4,4’-雙(3,5-二-三級丁基-4-羥基苄基)硫化物、4,4’-硫代雙(6-三級丁基-2-甲基酚)、2,5-二-三級丁基氫醌、2,5-二-三級戊基氫醌、2-三級丁基-6-(3-三級丁基-2-羥基-5-甲基苄基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、2,4-二甲基-6-(1-甲基環己基)、苯乙烯化苯酚、2,4-雙((辛硫基)甲基)-5-甲基酚等。 作為磷系抗氧化劑,可列舉雙(2,6-二-三級丁基-4-甲基苯基)新戊四醇二亞磷酸酯、三(2,4-二-三級丁基苯基亞磷酸酯)、四(2,4-二-三級丁基-5-甲基苯基)-4,4’-伸聯苯基二亞磷酸酯、3,5-二-三級丁基-4-羥基苄基磷酸酯-二乙基酯、雙-(2,6-二異丙苯基苯基)新戊四醇二亞磷酸酯、2,2-亞甲基雙(4,6-二-三級丁基苯基)辛基磷酸酯、三(混合單及二-壬基苯基亞磷酸酯)、雙(2,4-二-三級丁基苯基)新戊四醇二亞磷酸酯、雙(2,6-二-三級丁基-4-甲氧基羰基乙基-苯基)新戊四醇二亞磷酸酯、雙(2,6-二-三級丁基-4-十八烷氧基羰基乙基苯基)新戊四醇二亞磷酸酯等。 作為硫醚系抗氧化劑,可列舉3,3’-硫代二丙酸二月桂酯、雙(2-甲基-4-(3-正十二烷基)硫代丙醯氧基)-5-三級丁基苯基)硫化物、3,3’-硫代二丙酸酯、新戊四醇-四(3-月桂基)硫代丙酸酯等。
(填料) 本實施形態之感光性樹脂組成物例如可包含填料。作為填料,能夠依據由感光性樹脂組成物製成之樹脂膜所需之機械特性、熱特性來選擇適當的填充材料。 作為填料,具體而言可列舉無機填料或有機填料等。 作為上述無機填料,具體而言可列舉熔融破碎二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶性二氧化矽、二次凝集二氧化矽、微粉二氧化矽等二氧化矽;氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鈦、碳化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、鈦白等金屬化合物;滑石;黏土;雲母;玻璃纖維等。作為無機填料,能夠使用上述具體例中的一種或組合使用兩種以上。 作為上述有機填料,具體而言可列舉有機聚矽氧粉末、聚乙烯粉末等。作為有機填料,能夠使用上述具體例中的一種或組合使用兩種以上。
(感光性樹脂組成物的製備) 製備本實施形態中的感光性樹脂組成物之方法並無限定,依據感光性樹脂組成物中所含之成分,能夠使用公知的方法。 例如,能夠藉由將上述各成分與溶劑混合並使其溶解而製備。藉此,能夠獲得作為清漆之感光性樹脂組成物。
(用途) 本實施形態的感光性樹脂組成物用於形成永久膜、阻劑等電子裝置用的樹脂膜。該等中,從以良好的平衡顯現預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性提高及顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生的抑制之觀點、提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與金屬之間的密接性之觀點以及提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學性之觀點考慮,用於使用永久膜之用途中為較佳。 再者,在本實施形態中,樹脂膜係指感光性樹脂組成物的乾燥膜或硬化膜。亦即,本實施形態之樹脂膜係指將感光性樹脂組成物進行乾燥或硬化而成者。
上述永久膜由樹脂膜構成,該樹脂膜藉由以下方法而獲得:對感光性樹脂組成物進行預烘、曝光及顯影並圖案化為所需形狀之後進行後烘而使其硬化。永久膜能夠用於電子裝置的保護膜、層間膜、壩材等。 再者,當製作上述永久膜時,作為預烘的條件,例如能夠設為溫度90℃以上且130℃以下且3分鐘以上且1小時以下的熱處理。又,作為後烘的條件,例如能夠設為溫度150℃以上且350℃以下且45分鐘以上且2小時以下的熱處理。
上述阻劑例如由樹脂膜構成,該樹脂膜藉由如下方法而獲得:藉由旋塗、輥塗、流塗、浸塗、噴塗、刮塗等方法將感光性樹脂組成物塗佈於用阻劑遮蓋之對象上,從感光性樹脂組成物中去除溶劑。
在圖1中示出本實施形態之電子裝置的一例。 本實施形態之電子裝置100能夠設為具備上述樹脂膜之電子裝置。具體而言,能夠將電子裝置100中的由鈍化膜32、絕緣層42及絕緣層44組成的群中之一個以上設為樹脂膜。此處,樹脂膜係上述永久膜為較佳。
電子裝置100例如為半導體晶片。在此情況下,例如將電子裝置100經由凸點52搭載於配線基板上,藉此獲得半導體封裝體。電子裝置100具備:半導體基板,其設置有電晶體等半導體元件;及多層配線層(未圖示),其設置於半導體基板上。在多層配線層中之最上層設置有層間絕緣膜30及設置於層間絕緣膜30上之最上層配線34。最上層配線34例如由鋁(Al)構成。又,在層間絕緣膜30上及最上層配線34上設置有鈍化膜32。在鈍化膜32之一部分設置有露出最上層配線34之開口。
在鈍化膜32上設置有再配線層40。再配線層40具有:絕緣層42,其設置於鈍化膜32上;再配線46,其設置於絕緣層42上;及絕緣層44,其設置於絕緣層42上及再配線46上。在絕緣層42上形成有與最上層配線34連接之開口。再配線46形成於絕緣層42上及設置於絕緣層42之開口內,與最上層配線34連接。在絕緣層44上設置有與再配線46連接之開口。
在設置於絕緣層44之開口內,例如經由UBM(Under Bump Metallurgy)層50而形成凸點52。電子裝置100例如經由凸點52與配線基板等連接。
再者,本發明不限定於前述實施形態,在能夠實現本發明的目的之範圍內的變形、改良等係包含於本發明者。 [實施例]
以下,利用實施例對本發明進行詳細說明,但本發明不受該等實施例所記載的任何限定。
首先,對實施例及比較例中所使用之原料進行詳細說明。
<矽烷化合物> 首先,對實施例中所使用之矽烷化合物進行詳細說明。
(矽烷化合物1) 作為矽烷化合物1,準備下述式(S1)所表示之N,N’-雙[3-(三甲氧基甲矽基)丙基]乙二胺(Shin-Etsu Chemical公司製造之X-12-5263HP)。
<矽烷偶合劑> 又,對與在本實施形態中說明之矽烷化合物不同之結構的矽烷偶合劑進行詳細說明。
(矽烷偶合劑1) 藉由以下方法合成作為環己烯-1,2-二羧酸酐及3-胺基丙基三乙氧基矽烷的縮合物之矽烷偶合劑1。對合成方法進行詳細說明。 在具備攪拌機及冷卻管之適當尺寸之反應容器中,使環己烯-1,2-二羧酸酐(45.6g,300mmol)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮(970g)中,並在恆溫槽中調整為30℃。接著,在滴液漏斗中裝入3-胺基丙基三乙氧基矽烷(62g,280mmol),經60分鐘滴加到溶解液中。滴加結束後,在30℃、18小時的條件下進行攪拌,獲得下述式(S2)所表示之矽烷偶合劑1。
(矽烷偶合劑2) 藉由以下方法合成作為3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐及3-胺基丙基三乙氧基矽烷的縮合物之矽烷偶合劑2。對合成方法進行詳細說明。 在具備攪拌機及冷卻管之適當尺寸的反應容器中,使3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐(32.2g,100mmol)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮(669g)中,並在恆溫槽中調整為30℃。接著,在滴液漏斗中裝入3-胺基丙基三乙氧基矽烷(42.1g,190mmol),經60分鐘滴加到溶解液中。滴加結束後,在30℃、18小時的條件下進行攪拌,獲得下述式(S3)所表示之化合物作為矽烷偶合劑2。
<鹼可溶性樹脂> 接著,對各實施例及比較例中所使用之鹼可溶性樹脂進行詳細說明。
(鹼可溶性樹脂1) 藉由以下步驟準備作為聚醯胺樹脂之鹼可溶性樹脂1。 在具備溫度計、攪拌機、原料投入口及乾燥氮氣導入管之四口玻璃製的可分離式燒瓶內放入使下述式(DC2)所表示之二苯醚-4,4’-二羧酸206.58g(0.800mol)與1-羥基-1,2,3-苯并***・一水合物216.19g(1.600mol)進行反應而獲得之二羧酸衍生物的混合物170.20g(0.346mol)、5-胺基四唑4.01g(0.047mol)、下述式(DA2)所表示之4,4’-亞甲基雙(2-胺基酚)45.22g(0.196mol)及下述式(DA3)所表示之4,4’-亞甲基雙(2-胺基-3,6-二甲基酚)56.24g(0.196mol)。其後,在上述可分離式燒瓶內加入578.3g的N-甲基-2-吡咯啶酮,使各原料成分溶解。接著,使用油浴在90℃使之反應5小時。接著,在上述可分離式燒瓶內加入24.34g(0.141mol)的4-乙炔基鄰苯二甲酸酐和121.7g的N-甲基-2-吡咯啶酮,在90℃攪拌2小時並同時使其反應之後,冷卻至23℃後結束反應。 將過濾可分離式燒瓶內之反應混合物而獲得之過濾液投入至水/異丙醇=7/4(容積比)的溶液中。其後,濾取沉澱物,用水充分清洗之後,在真空下進行乾燥,藉此獲得目標鹼可溶性樹脂1。所獲得之鹼可溶性樹脂1的重量平均分子量Mw為18081。
<感光劑> 接著,對各實施例及比較例中所使用之感光劑進行詳細說明。
(感光劑1) 藉由以下步驟合成作為重氮醌化合物之感光劑1。 在具備溫度計、攪拌機、原料投入口、乾燥氮氣導入管之四口可分離式燒瓶中放入下述式(P-1)所表示之苯酚11.04g(0.026mol)、1,2-萘醌-2-二疊氮-5-磺醯氯18.81g(0.070mol)、丙酮170g,並進行攪拌,使該等溶解。 接著,以反應溶液的溫度不會成為35℃以上之方式藉由水浴而冷卻燒瓶,並同時緩慢滴加三乙胺7.78g(0.077mol)與丙酮5.5g的混合溶液。在此狀態下在室溫反應3小時之後,添加乙酸1.05g(0.017mol),進而反應30分鐘。接著,過濾反應混合物之後,將濾液投入至水/乙酸(990mL/10mL)的混合溶液中。接著,濾集沉澱物並利用水充分清洗之後,在真空下進行乾燥。藉此,獲得下述式(Q-1)的結構所表示之感光劑1。
<熱交聯劑> 作為熱交聯劑,使用以下熱交聯劑1。 ・熱交聯劑1:對二甲苯乙二醇(IHARANIKKEI CHEMICAL INDUSTRY 公司製造之PXG)
<界面活性劑> 作為界面活性劑,使用以下界面活性劑1。 ・界面活性劑1:氟系界面活性劑(3M Japan公司製造之FC4430)
<溶劑> 作為溶劑,使用以下混合溶劑1。 ・混合溶劑1:N-甲基吡咯啶酮(NMP)/γ-丁內酯(GBL)=6/4(質量比)
(各實施例、比較例的感光性樹脂組成物的製備) 以如下方式製備各實施例、比較例的感光性樹脂組成物。 首先,準備上述混合溶劑1和除了溶劑以外的各原料成分。接著,依據下述表1所示之摻合比例,將各原料添加到混合溶劑1中並進行攪拌,接著,利用孔徑0.2μm的PTFE製膜濾器進行過濾,藉此獲得各實施例、比較例的感光性樹脂組成物的清漆。 再者,下述表1所示之各原料的摻合比例中,矽烷化合物、矽烷偶合劑、鹼可溶性樹脂、感光劑、熱交聯劑以質量份記載。又,混合溶劑1相對於鹼可溶性樹脂100質量份使用N-甲基吡咯啶酮(NMP)108質量份、γ-丁內酯(GBL)72質量份。進而,界面活性劑係相對於包含溶劑之感光性樹脂組成物的清漆整體之濃度(ppm)。
對各實施例、比較例的感光性樹脂組成物進行以下評價。
(預烘後密接性) 使用各實施例、比較例的感光性樹脂組成物,以如下方式對預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性進行評價。 首先,作為基材準備Al基板。接著,使用旋轉塗佈機將感光性樹脂組成物的清漆塗佈於Al基板上。接著,使用加熱板在溫度105℃預烘4分鐘之後,獲得10.9μm的預烘後的感光性樹脂組成物。接著,對預烘後之感光性樹脂組成物進行圖案遮蓋,並使用寬帶光罩對準曝光機(SUSS MicroTec公司製造之MA8)進行寬帶曝光,接著,在溫度23℃,作為顯影液使用2.38%的四甲基氫氧化銨水溶液,以預烘後的膜厚與顯影後的膜厚之差成為3.0μm之方式調節顯影時間並進行2次覆液式(paddle)顯影,去除圖案遮蓋。再者,對於圖案遮蓋,使用繪製有寬度0.88μm~50μm的剩餘圖案及沖孔圖案之光罩(TOPPAN PRINTING公司製造之光罩,測試圖表No.1)。接著,以肉眼觀察此處經圖案化之感光性樹脂組成物是否能夠形成所期望的圖案,由以下評價基準進行評價。 ○(良好):完成如進行圖案遮蓋之所期望的圖案化。 ×(不良):經圖案化之感光性樹脂組成物的一部分從Al基板剝離,並且沒有完成所期望的圖案化。 又,關於各實施例、比較例的每一個的感光性樹脂組成物,對將預烘的溫度設為110℃、115℃之情況亦進行評價。將評價結果示於以下表1中。
(顯影時的殘渣的產生) 使用各實施例、比較例的感光性樹脂組成物,以如下方式,針對預烘後的感光性樹脂組成物,評價顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生。 首先,作為基材準備Cu基板。接著,使用旋轉塗佈機將感光性樹脂組成物的清漆塗佈於Cu基板上。接著,使用加熱板在溫度105℃預烘4分鐘之後,獲得10.9μm的預烘後的感光性樹脂組成物。接著,對預烘之感光性樹脂組成物進行圖案遮蓋,並使用寬帶光罩對準曝光機(SUSS MicroTec公司製造之MA8)進行寬帶曝光,接著,在溫度23℃,作為顯影液使用2.38%的四甲基氫氧化銨水溶液,以預烘後的膜厚與顯影後的膜厚之差成為3.0μm之方式調節顯影時間並進行2次覆液式顯影,去除圖案遮蓋。再者,對於圖案遮蓋,使用Mitani Micronics公司製造的WLP用光罩。接著,以肉眼觀察顯影後的感光性樹脂組成物的殘渣是否產生於Cu基板上,由以下評價基準進行評價。 ○(良好):在Cu基材上的曝光及顯影之部位並未產生感光性樹脂組成物的殘渣。 ×(不良):在Cu基材上的曝光及顯影之部位產生感光性樹脂組成物的殘渣,並且沒有完成所期望的圖案化。 又,關於各實施例、比較例的每一個的感光性樹脂組成物,對將預烘的溫度設為110℃、115℃之情況亦進行評價。將評價結果示於以下表1中。
(後烘後的密接性) 使用各實施例、比較例的感光性樹脂組成物,以如下方式藉由以下兩種方法對後烘後的感光性樹脂組成物和鋁(Al)的密接性進行評價。 首先,對第一個方法進行說明。第一個方法係作為將Al及感光性樹脂組成物單片化之方法使用切刀者。首先,作為基材準備矽晶圓。接著,將鈦(Ti)以成為厚度0.03μm(300Å)之方式塗佈於基材之後,將Al以成為厚度0.3μm(3000Å)之方式濺射到Ti上,接著,使用旋轉塗佈機將感光性樹脂組成物的清漆塗佈於Al上。接著,使用加熱板,在溫度120℃預烘4分鐘之後,進一步使用烘箱在氮氣氛圍下以溫度220℃後烘1小時,獲得厚度7μm的硬化膜。此處,硬化膜與Al密接。亦即,獲得基材、Ti、Al、硬化膜依次積層而成之積層結構。使用該積層結構,並依據JIS D 0202評價密接性。具體而言,從積層結構中之硬化膜所存在之面,對硬化膜及Al上以能夠形成100個1mm見方的正方形之方式進行劃痕並進行單片化。接著,使玻璃紙(cellophane)膠帶附著於硬化膜上。附著1分鐘後,將玻璃紙膠帶從硬化膜剝離。剝離後,在100個正方形中,計算硬化膜與Al未剝離而殘留之正方形的個數及剝離後之正方形的個數,並將此作為無PCT程序之情況之評價結果。將評價結果示於下述表1中。在表1中示出經剝離之正方形的數量。 又,在上述中,使玻璃紙膠帶附著於硬化膜之後,以溫度125℃、濕度100%、氣壓2.3atm放置24小時之後,將玻璃紙膠帶從硬化膜剝離。剝離後,在100個正方形中,計算硬化膜與Al未剝離而殘留之正方形的個數及剝離後之正方形的個數,並將此作為存在PCT程序之情況之評價結果。將評價結果示於下述表1中。表1中示出經剝離之正方形的數量。 進而,對第2個方法進行說明。第2個方法係作為將感光性樹脂組成物單片化之方法使用圖案者。首先,作為基材準備矽晶圓。將鈦(Ti)以成為厚度0.05μm(500Å)之方式塗佈於基材之後,將Al以成為厚度0.3μm(3000Å)之方式濺射到Ti上,接著,使用旋轉塗佈機將感光性樹脂組成物的清漆塗佈於Al上。接著,使用加熱板,在溫度120℃預烘4分鐘之後,對感光性樹脂組成物進行圖案遮蓋,並使用寬帶光罩對準曝光機(SUSS MicroTec公司製造之MA8)進行寬帶曝光,接著,在溫度23℃使用2.38%的四甲基氫氧化銨水溶液作為顯影液進行覆液式顯影。接著,去除圖案遮蓋,進一步使用烘箱在氮氣氛圍下、以溫度220℃後烘1小時,獲得厚度7μm的單片化之硬化膜。此處,硬化膜與Al密接。亦即,獲得基材、Al、硬化膜依次積層而成之積層結構,且硬化膜的積層部分以1mm見方的正方形100個單片化者。接著,針對該積層體,依據JIS D 0202,進行與上述將Al進行單片化之方法為切刀之情況相同的評價,並評價密接性。 再者,作為單片化之方法使用切刀者與使用圖案者相比能夠評價更高的密接性。分別針對無PCT程序及有PCT程序之情況,將評價結果示於下述表1中。 再者,密接性的評價結果均為值小,亦即表示剝離之正方形的數量越少,則硬化膜與Al的密接性越高。 又,PCT程序係意圖加速試驗者,且用於評價後烘後的感光性樹脂組成物與Al的長期密接性而進行。
(後烘後的耐化學品性) 使用各實施例、比較例的感光性樹脂組成物,以如下方式對後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學性進行評價。 首先,作為基材準備矽晶圓。接著,使用旋轉塗佈機將感光性樹脂組成物的清漆塗佈於基材上。接著,在溫度120℃將感光性樹脂組成物預烘4分鐘,進而在220℃後烘60分鐘,藉此獲得感光性樹脂組成物的硬化膜。此處,硬化膜的厚度為7μm。接著,將感光性樹脂組成物塗佈於在上述硬化膜上。接著,在溫度120℃預烘4分鐘,而在硬化膜上形成乾燥膜。此處,使用光學顯微鏡(OLYMPUS公司製造之MX50)以暗視野觀察在感光性樹脂組成物的硬化膜中是否無龜裂,並由以下評價基準進行評價。將評價結果示於下述表1中。 ◎(非常良好):在硬化膜中未觀察到龜裂。 ○(良好):在硬化膜中觀察到龜裂,但龜裂數量極少,又,係龜裂非常短者,因此係在實際使用方面並無問題者。 ×(不良):在硬化膜中觀察到龜裂。
如上述表1所示,確認到實施例的感光性樹脂組成物與比較例1的感光性樹脂組成物相比,以良好的平衡實現預烘後的感光性樹脂組成物和Al墊的密接性提高、顯影時的感光性樹脂組成物的殘渣的產生的抑制。進而,確認到實施例的感光性樹脂組成物與比較例1的感光性樹脂組成物相比,能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的硬化膜與Al等金屬之間的密接性,此外能夠提高後烘後的感光性樹脂組成物的耐化學性。
本申請案主張基於2017年6月30日提出申請之日本申請專利特願2017-129668號之優先權,並將其揭示之全部內容併入本文中。
30‧‧‧層間絕緣膜32‧‧‧鈍化膜34‧‧‧最上層配線40‧‧‧再配線層42‧‧‧絕緣層44‧‧‧絕緣層46‧‧‧再配線50‧‧‧UBM層52‧‧‧凸點100‧‧‧電子裝置
圖1係表示本實施形態之電子裝置的一例之剖面圖。
30‧‧‧層間絕緣膜
32‧‧‧鈍化膜
34‧‧‧最上層配線
40‧‧‧再配線層
42‧‧‧絕緣層
44‧‧‧絕緣層
46‧‧‧再配線
50‧‧‧UBM層
52‧‧‧凸點
100‧‧‧電子裝置
Claims (7)
- 一種感光性樹脂組成物,其包含:下述通式(1)所表示之矽烷化合物;鹼可溶性樹脂;及感光劑,
- 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組成物,其中,該通式(1)中的該R1係碳數1以上且30以下的伸烷基。
- 如申請專利範圍第1或2項之感光性樹脂組成物,其中, 相對於該鹼可溶性樹脂100質量份,該矽烷化合物的含量係0.01質量份以上且30質量份以下。
- 如申請專利範圍第1或2項之感光性樹脂組成物,其中,該感光劑係重氮醌化合物。
- 如申請專利範圍第1或2項之感光性樹脂組成物,其用於形成作為層間膜、表面保護膜或壩材而使用之永久膜。
- 一種樹脂膜,其係使申請專利範圍第1~5中任一項之感光性樹脂組成物硬化而成。
- 一種電子裝置,其具備申請專利範圍第6項之樹脂膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017129668 | 2017-06-30 | ||
JPJP2017-129668 | 2017-06-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201904981A TW201904981A (zh) | 2019-02-01 |
TWI793136B true TWI793136B (zh) | 2023-02-21 |
Family
ID=64741562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107121271A TWI793136B (zh) | 2017-06-30 | 2018-06-21 | 感光性樹脂組成物、樹脂膜及電子裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6508446B1 (zh) |
KR (1) | KR102171667B1 (zh) |
CN (1) | CN110809737B (zh) |
TW (1) | TWI793136B (zh) |
WO (1) | WO2019003918A1 (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60169847A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | Toshiba Corp | ホトレジスト組成物 |
JP2000187321A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法及び電子部品 |
WO2014104195A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 大阪有機化学工業株式会社 | 密着性改善剤およびシラン化合物 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60147729A (ja) * | 1984-01-12 | 1985-08-03 | Toshiba Corp | ホトレジスト組成物 |
US5079600A (en) * | 1987-03-06 | 1992-01-07 | Schnur Joel M | High resolution patterning on solid substrates |
JP5457955B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-04-02 | 富士フイルム株式会社 | レーザー彫刻用樹脂組成物、レーザー彫刻用レリーフ印刷版原版、レーザー彫刻用レリーフ印刷版原版の製造方法、及び、レリーフ印刷版の製版方法 |
WO2012053052A1 (ja) * | 2010-10-19 | 2012-04-26 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物および半導体装置 |
KR20120066924A (ko) * | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 제일모직주식회사 | 오르토-니트로벤질 에스테르 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
KR101384457B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2014-04-14 | 주식회사 엘지화학 | 실란계 화합물 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 |
JP5742732B2 (ja) | 2012-01-13 | 2015-07-01 | トヨタ自動車株式会社 | インバータ |
KR101505720B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2015-03-25 | 주식회사 엘지화학 | 실록산계 화합물, 이를 포함하는 감광성 조성물 및 감광재 |
TW201520695A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-06-01 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、硬化膜的製造方法、硬化膜、液晶顯示裝置及有機el顯示裝置 |
WO2015064601A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置 |
JP5741745B1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-07-01 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、および樹脂膜 |
JP2015184674A (ja) * | 2015-02-24 | 2015-10-22 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、および樹脂膜 |
KR20180030693A (ko) * | 2015-07-24 | 2018-03-23 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 전자 장치 |
-
2018
- 2018-06-13 JP JP2019500520A patent/JP6508446B1/ja active Active
- 2018-06-13 KR KR1020207001162A patent/KR102171667B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-13 WO PCT/JP2018/022571 patent/WO2019003918A1/ja active Application Filing
- 2018-06-13 CN CN201880044177.8A patent/CN110809737B/zh active Active
- 2018-06-21 TW TW107121271A patent/TWI793136B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60169847A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | Toshiba Corp | ホトレジスト組成物 |
JP2000187321A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法及び電子部品 |
WO2014104195A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 大阪有機化学工業株式会社 | 密着性改善剤およびシラン化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110809737A (zh) | 2020-02-18 |
JP6508446B1 (ja) | 2019-05-08 |
KR20200009124A (ko) | 2020-01-29 |
KR102171667B1 (ko) | 2020-10-29 |
TW201904981A (zh) | 2019-02-01 |
JPWO2019003918A1 (ja) | 2019-06-27 |
CN110809737B (zh) | 2020-11-17 |
WO2019003918A1 (ja) | 2019-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102456965B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 수지 경화막의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JP5061703B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
WO2016035593A1 (ja) | 樹脂および感光性樹脂組成物 | |
JP6645424B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 | |
WO2017081922A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7001147B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、及び、硬化膜を備える電子装置及びその製造方法 | |
KR101182249B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
JP7066978B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
TWI832816B (zh) | 感光性樹脂組成物、樹脂膜及電子裝置 | |
TWI793136B (zh) | 感光性樹脂組成物、樹脂膜及電子裝置 | |
JP6878949B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、樹脂膜及び樹脂膜を備える電子装置 | |
JP2020024247A (ja) | 感光性樹脂組成物、樹脂膜及び電子装置 | |
JP7487518B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を備えるパネルレベルパッケージ及びその製造方法 | |
JP7434853B2 (ja) | 架橋剤、感光性樹脂組成物、硬化膜、および電子装置 | |
TWI821393B (zh) | 永久膜形成用感光性樹脂組成物、硬化膜、電子裝置、硬化膜之製造方法及電子裝置之製造方法 | |
JP7056320B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、樹脂膜及び電子装置 | |
JP5648725B1 (ja) | 感光性樹脂材料、電子装置および感光性樹脂材料の製造方法 |