TWI789500B - 用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之系統及電腦實施之方法，及非暫時性電腦可讀媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之方法及系統。一種方法包含：藉由以第一入射角及第二入射角將光引導至一晶圓而偵測晶圓上之缺陷；及基於與缺陷對應之輸出而判定缺陷在晶圓上之位置。對於在針對在光以第一角及第二角經引導至晶圓之情況下照射於晶圓上之一個光點而產生之輸出中所偵測到之缺陷中之一者，該方法包含比較基於在光以第一角及第二角經引導至晶圓上之該一個光點之情況下產生之輸出而判定之缺陷中之該一者之位置。該方法進一步包含基於比較之結果而判定缺陷中之該一者所位於的晶圓之一層。

Description

用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之系統及電腦實施之方法，及非暫時性電腦可讀媒體
本發明一般而言係關於用於透過傾斜照射之前層妨礙減少之方法及系統。特定實施例係關於用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之方法及系統。
以下說明及實例並不由於其包含於此章節中而被認為係先前技術。
可使用諸如電子設計自動化(EDA)、電腦輔助設計(CAD)及其他IC設計軟體之一方法或系統來開發一積體電路(IC)設計。此等方法及系統可用於自IC設計產生電路圖案資料庫。該電路圖案資料庫包含表示該IC之各種層之複數個佈局之資料。該電路圖案資料庫中之資料可用於判定複數個光罩之佈局。一光罩之一佈局通常包含界定該光罩上之一圖案中之特徵之複數個多邊形。每一光罩用於製作該IC之各種層中之一者。該IC之該等層可包含(舉例而言)一半導體基板中之一接面圖案、一閘極介電圖案、一閘極電極圖案、一層間介電質中之一接觸圖案及一金屬化層上之一互連圖案。
製作諸如邏輯及記憶體裝置之半導體裝置通常包含使用大 數目個半導體製作程序來處理諸如一半導體晶圓之一基板以形成該等半導體裝置之各種特徵及多個層級。舉例而言，微影係涉及將一圖案自一光罩轉印至配置於一半導體晶圓上之一抗蝕劑的一半導體製作程序。半導體製作程序之額外實例包含但不限於化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。可將多個半導體裝置製作於一單個半導體晶圓上之一配置中且然後將其分離成個別半導體裝置。
在一半導體製造程序期間在各種步驟處使用檢驗程序來偵測晶圓上之缺陷以促進在製造程序中之較高良率及因此較高利潤。檢驗始終係製作諸如IC之半導體裝置之一重要部分。然而，隨著半導體裝置之尺寸減小，檢驗對可接受半導體裝置之成功製造變得甚至更加重要，此乃因較小缺陷可導致裝置出故障。
然而，隨著設計規則縮小，半導體製造程序可更接近於對該等程序之效能能力之限制而操作。另外，隨著設計規則縮小，較小缺陷可具有對裝置之電參數之一影響，此驅動更敏感檢驗。因此，隨著設計規則縮小，藉由檢驗所偵測到之潛在良率相關缺陷之族群顯著地增長，且藉由檢驗所偵測到之妨礙缺陷之族群亦顯著地增加。因此，可在晶圓上偵測到愈來愈多之缺陷，且校正該等程序以消除所有缺陷可係困難且昂貴的。
因此，將妨礙缺陷與一使用者在意之缺陷分開對於提供有用檢驗結果係重要的。用於光學檢驗之一個尤其有問題妨礙缺陷源係起源於除正在檢驗之一個層以外之一層上而偵測到之缺陷。舉例而言，正在檢驗之一層(亦即，一當前層)可形成於一或多個其他層之頂部上。彼等一或多個下伏層可使缺陷形成於其上面或形成於彼等層內。取決於該等層之材料及檢驗工具之組態，該檢驗工具可偵測在該當前層下面之彼等缺陷。然 而，彼等先前層缺陷可不受一使用者關注。替代地，該使用者可僅在意當前層缺陷。
因此，準確地識別當前層缺陷及先前層缺陷且將當前層缺陷與先前層缺陷分開係重要的。執行先前層缺陷減少之一種方式係使用數個基於缺陷源分析之技術中之一者。舉例而言，在檢驗層之前在一層上所偵測到之所有缺陷可基於其影像及/或座標而被減去。用於將當前層缺陷與先前層缺陷分開之另一選項係基於屬性之方格化及/或調諧。可在妨礙及所關注缺陷(DOI)之貼片影像看起來彼此不同時執行此方格化及/或調諧。
然而，當前可用方法及系統存在若干個缺點。舉例而言，對於基於缺陷源分析之技術，必須在一前層處執行一掃描，此需要在一個額外檢驗步驟處檢驗晶圓(此也許係不可能的或也許係太耗時的)。在另一實例中，在基於屬性之方格化及/或調諧中，此一方法在DOI及妨礙之貼片影像看起來相同時將不起作用。
相應地，開發用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之系統及方法(其不具有上文所闡述之缺點中之一或多者)將係有利的。
各種實施例之以下說明不應以任何方式被視為限制所附申請專利範圍之標的物。
一項實施例係關於經組態以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之一系統。該系統包含一檢驗系統，該檢驗系統至少包含一照射子系統及一偵測子系統。該照射子系統經組態而以第一入射 角及第二入射角將光引導至一晶圓。該偵測子系統經組態以偵測來自該晶圓之光且回應於該所偵測到之光而產生輸出。該系統亦包含經組態以用於進行以下操作之一或多個電腦子系統：藉由對藉由以該第一入射角及該第二入射角將該光引導至該晶圓而產生之該輸出應用一缺陷偵測方法來偵測該晶圓上之缺陷；及基於與該等缺陷對應之該輸出而判定該等缺陷在該晶圓上之位置。對於在針對在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓之情況下照射於該晶圓上之一個光點而產生之該輸出中所偵測到之該等缺陷中之一者，該一或多個電腦子系統亦經組態以用於比較基於在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓上之該一個光點之情況下產生之該輸出而判定之該等缺陷中之該一者之該等位置。該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。可如本文中所闡述而進一步組態該系統。
另一實施例係關於用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之一電腦實施之方法。該方法包含藉助如上文所闡述而組態之一檢驗子系統藉由對藉由以第一入射角及第二入射角將光引導至一晶圓而產生之輸出應用一缺陷偵測方法來偵測該晶圓上之缺陷。該方法亦包含基於與該等缺陷對應之該輸出而判定該等缺陷在該晶圓上之位置。對於在針對在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓之情況下照射於該晶圓上之一個光點而產生之該輸出中所偵測到之該等缺陷中之一者，該方法包含比較基於在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓上之該一個光點之情況下產生之該輸出而判定之該等缺陷中之該一者之該等位置。另外，該方法包含基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。由耦合至該檢驗子系統之一或多個電腦子系統 執行該等偵測、判定該等位置、比較及判定該層之步驟。
可如本文中進一步闡述而進一步執行上文所闡述之該方法之步驟中之每一者。另外，上文所闡述之該方法可包含本文中所闡述之任何其他方法之任何其他步驟。此外，上文所闡述之該方法可由本文中所闡述之系統中之任一者來執行。
一額外實施例係關於儲存可在一電腦系統上執行以用於執行一電腦實施之方法以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體。該電腦實施之方法包含上文所闡述之方法之步驟。可如本文中所闡述而進一步組態該電腦可讀媒體。可如本文中進一步闡述而執行該電腦實施之方法之步驟。另外，可為其執行該等程式指令之該電腦實施之方法可包含本文中所闡述之任何其他方法之任何其他步驟。
一額外實施例係關於經組態以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之一系統。該系統包含一檢驗子系統，該檢驗子系統至少包含一照射子系統及一偵測子系統。該照射子系統經組態而以一傾斜入射角將光引導至一晶圓。該偵測子系統經組態以偵測來自該晶圓之光且回應於該所偵測到之光而產生輸出。該系統亦包含經組態以用於進行以下操作之一或多個電腦子系統：藉由對該輸出應用一缺陷偵測方法來偵測該晶圓上之缺陷；及判定該等缺陷在用於該晶圓之一設計之座標中之位置。對於該等缺陷中之一者，該一或多個電腦子系統經組態以用於比較該等缺陷中之該一者之該位置與該設計之一當前層中之經圖案化特徵之位置。該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。可如本文中所闡述而進一步 組態該系統。
另一實施例係關於用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之一電腦實施之方法。該方法包含藉助如上文所闡述而組態之一檢驗子系統藉由對藉由以一傾斜入射角將光引導至一晶圓而產生之輸出應用一缺陷偵測方法來偵測該晶圓上之缺陷。該方法亦包含判定該等缺陷在用於該晶圓之一設計之座標中之位置。對於該等缺陷中之一者，該方法包含比較該等缺陷中之該一者之該位置與該設計之一當前層中之經圖案化特徵之位置。另外，該方法包含基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。由耦合至該檢驗子系統之一或多個電腦子系統執行該等偵測、判定該等位置、比較及判定該層之步驟。
可如本文中進一步闡述而進一步執行上文所闡述之該方法之步驟中之每一者。另外，上文所闡述之該方法可包含本文中所闡述之任何其他方法之任何其他步驟。此外，上文所闡述之該方法可由本文中所闡述之系統中之任一者來執行。
一額外實施例係關於儲存可在一電腦系統上執行以用於執行一電腦實施之方法以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體。該電腦實施之方法包含上文所闡述之方法之步驟。可如本文中所闡述而進一步組態該電腦可讀媒體。可如本文中進一步闡述而執行該電腦實施之方法之步驟。另外，可為其執行該等程式指令之該電腦實施之方法可包含本文中所闡述之任何其他方法之任何其他步驟。
10:檢驗子系統
14:晶圓
16:光源/源
18:光學元件
20:透鏡
21:射束***器
22:透鏡
24:光源/元件
26:光學元件/透鏡
28:透鏡
30:載台
32:集光器
34:元件
36:偵測器
38:集光器
40:元件
42:偵測器
44:電腦子系統
46:電腦子系統
200:平面圖
202:缺陷
204:缺陷
206:溝渠
208:剖視圖
210:光
212:鏡面反射光
214:光/法向入射角光
216:鏡面反射光/傾斜入射角光
218:剖視圖
220:鏡面反射光
222:鏡面反射光
224:平面圖
400:步驟
402:步驟
404:步驟
406:步驟
408:步驟
500:步驟
502:步驟
504:步驟
506:步驟
508:步驟
510:步驟
600:非暫時性電腦可讀媒體/電腦可讀媒體
602:程式指令
604:電腦系統
在閱讀以下詳細說明時且在參考附圖時，本發明之其他目標及優點將變得顯而易見，在圖式中：圖1係圖解說明如本文中所闡述而組態之一系統之一實施例之一側視圖之一示意圖；圖2係圖解說明一晶圓上之一先前層缺陷及一當前層缺陷之一項實例之一平面圖、在光經引導至該先前層缺陷且自該先前層缺陷反射之情況下不同缺陷之一側視圖及在光經引導至該當前層缺陷且自該當前層缺陷反射之情況下不同缺陷之一側視圖的一示意圖；圖3係圖解說明在具有不同入射角之情況下根據本文中針對圖2之先前層缺陷及當前層缺陷所闡述之一實施例判定之缺陷位置之平面圖之一示意圖；圖4及圖5係圖解說明用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之方法之實施例之流程圖；且圖6係圖解說明一非暫時性電腦可讀媒體之一項實施例之一方塊圖，該非暫時性電腦可讀媒體儲存可在一電腦系統上執行以用於執行本文中所闡述之電腦實施之方法中之一或多者之程式指令。
雖然易於對本發明做出各種修改及替代形式，但其特定實施例係在圖式中以實例之方式展示且將在本文中詳細闡述。然而，應理解，圖式及對其之詳細說明並非意欲將本發明限制於所揭示之特定形式，而是相反，本發明意欲涵蓋歸屬於如由所附申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇內之所有修改、等效形式及替代形式。
如本文中所使用之術語「設計」、「設計資料」及「設計 資訊」通常係指一IC之實體設計(佈局)以及透過複雜模擬或簡單幾何及布林運算自實體設計導出之資料。另外，一光罩檢驗系統所獲取之一光罩之一影像及/或其導出物可用作設計之一「代理」或若干「代理」。在使用一設計之本文中所闡述之任何實施例中，此一光罩影像或其一導出物可用作設計佈局之一替代物。該設計可包含在共同擁有之Zafar等人於2009年8月4日發佈之第7,570,796號美國專利及Kulkarni等人於2010年3月9日發佈之第7,676,077號美國專利中所闡述之任何其他設計資料或設計資料代理，該等美國專利兩者皆好像完全陳述於本文中似得以引用方式併入。另外，設計資料可係標準單元庫資料、整合佈局資料、一或多個層之設計資料、設計資料之導出物及全部或部分晶片設計資料。
然而，一般而言，設計資訊或資料無法藉由藉助一晶圓檢驗系統使一晶圓成像而產生。舉例而言，形成於晶圓上之設計圖案可能不會準確地表示晶圓之設計且晶圓檢驗系統可能不能夠以充分解析度產生形成於晶圓上之設計圖案之影像使得該等影像可用於判定關於晶圓之設計之資訊。因此，一般而言，設計資訊或設計資料無法使用一實體晶圓來產生。另外，本文中所闡述之「設計」及「設計資料」係指由一半導體裝置設計者在一設計程序中產生且因而在將設計印刷於任何實體晶圓上之前可用於本文中很好地闡述之實施例中之資訊及資料。
現在轉向圖式，應注意，各圖並未按比例繪製。特定地，該等圖之元件中之某些元件之比例被大為放大以強調該等元件之特性。亦應注意，該等圖並未按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示可類似地組態之在一個以上圖中所展示之元件。除非本文中另外提及，否則所闡述及所展示之元件中之任何元件可包含任何適合可商購元件。
一般而言，本文中所闡述之實施例經組態以用於透過傾斜照射之前層妨礙減少。一項實施例係關於經組態以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之一系統。在圖1中展示此一系統之一項實施例。該系統包含一檢驗子系統，該檢驗子系統至少包含一照射子系統及一偵測子系統。該照射子系統經組態而以第一入射角及第二入射角將光引導至一晶圓，且該偵測子系統經組態以偵測來自該晶圓之光且回應於該所偵測到之光而產生輸出。該晶圓可包含此項技術中已知之任何晶圓。
在圖1中所展示之系統之實施例中，檢驗子系統10包含經組態以將光引導至晶圓14之一照射子系統。在圖1中所展示之實施例中，該照射子系統包含兩個照射通道，一個照射通道經組態而以一第一入射角(AOI)將光引導至該晶圓且另一照射通道經組態而以一第二AOI將光引導至該晶圓。另外，如圖1中所展示，該第一AOI係一法向AOI，且該第二AOI係一傾斜AOI。
該等照射通道中之每一者包含至少一個光源。舉例而言，如圖1中所展示，第一照射通道包含光源16。來自光源16之光經引導穿過光學元件18且然後穿過透鏡20到達射束***器21，射束***器21將該光引導至透鏡22。透鏡22以一法向入射角將該光引導至晶圓14。第二照射通道包含光源24。來自光源24之光經引導穿過光學元件26且然後穿過透鏡28，透鏡28以一傾斜AOI將該光引導至晶圓14。以此方式，在一項實施例中，該第一AOI包含一法向AOI，且該第二AOI包含一傾斜AOI。該傾斜AOI可包含任何適合傾斜AOI且可取決於(舉例而言)晶圓之特性而變化。
該第一AOI及該第二AOI亦可包含不同AOI範圍。舉例而 言，該第一AOI可包含一AOI範圍或包含於一第一AOI範圍中，且該第二AOI可包含一不同AOI範圍或包含於一第二AOI範圍中。該第一AOI範圍及該第二AOI範圍可係離散的且彼此相互排斥。然而，不同AOI範圍未必需要相互排斥。
將光引導至晶圓之AOI可係可(舉例而言)藉由改變照射通道中之一或多者之一或多個元件之位置及/或改變照射子系統之一或多個元件之一或多個參數而變更的。舉例而言，在另一實施例中，該第一AOI及該第二AOI包含不同傾斜AOI。在一項此類實施例中，包含光源16之照射通道之參數可經變更使得其以一傾斜AOI而非一法向AOI將光引導至晶圓，如圖1中所展示。在另一此類實施例中，包含光源24之照射通道可經組態使得其在一個時間處以一個傾斜AOI且在另一時間處以另一傾斜AOI將光引導至晶圓。
照射子系統可經組態以在不同時間處以不同AOI將光引導至晶圓。舉例而言，在一項實施例中，照射子系統經組態以在晶圓之一第一掃描中以一第一AOI將光引導至晶圓且在晶圓之一第二掃描中以第二AOI將光引導至晶圓。可如本文中進一步闡述而執行該第一掃描及該第二掃描。在一項此類實施例中，圖1中所展示之照射通道中之一者用於該第一掃描，且圖1中所展示之照射通道中之另一者用於該第二掃描。然而，同一照射通道可用於該第一掃描及該第二掃描，其中照射通道之一或多個參數在該等掃描之間變更，藉此改變照射通道之AOI。
在某些例項中，檢驗子系統可經組態以同時以第一AOI及第二AOI將光引導至晶圓。舉例而言，若同時以不同AOI將光引導至晶圓，則以不同AOI經引導至晶圓之光之一或多個特性(例如，波長、偏光 等)可係不同的，使得因以不同AOI照射晶圓而產生之光可在偵測器處彼此區別開。在一項此類實例中，圖1中所展示之照射通道中之一者可經組態以用於具有一第一波長範圍之照射，且照射通道中之另一者可經組態以用於具有不同於該第一波長範圍之一第二波長範圍之照射。該等不同照射通道亦可或另一選擇係經組態以用於具有不同偏光之照射。
在一項實施例中，第一AOI及第二AOI包含不同之極角及相同之一或多個方位角。舉例而言，光可在同一入射平面中且以不同極角經引導至晶圓及/或在同一入射平面中且以不同極角來定中心。在圖1中所展示之實施例中，兩個照射通道可經組態以在同一入射平面(其係紙之平面)中將光引導至晶圓。以第一AOI及第二AOI經引導至晶圓之光亦可以相同之一個方位角及/或以相同方位角範圍經引導至晶圓。在任一情形中，不同AOI可僅在極角方面係不同的以藉此簡化如本文中針對在晶圓上所偵測到之缺陷所闡述而執行之步驟(儘管不同AOI未必需要具有相同方位角)。
在另一實施例中，以第一AOI及第二AOI經引導至晶圓之光之一入射平面相對於晶圓上之經圖案化特徵以介於0度與180度之間的一角度來定向。舉例而言，傳入光之平面不必須垂直於晶圓上之經圖案化特徵(例如，溝渠樣結構)而定向，但可在任一方向上(自0度至180度)。
在另一例項中，照射子系統可包含僅一個光源(例如，圖1中展示之源16)，且來自該光源之光可藉由照射子系統之一或多個光學元件(未展示)而分離至不同光學路徑中(例如，基於波長、偏光等)。然後可以一不同AOI將不同光學路徑中之每一者中之光引導至晶圓。另一選擇係，照射子系統可包含僅一個照射通道，且該照射通道可經組態以在不同 時間處以不同AOI將光引導至晶圓(例如，藉由在晶圓之掃描之間改變照射通道之一或多個參數)。照射子系統可具有此項技術中已知之用於以不同入射角依序或同時將具有不同或相同特性之光引導至晶圓之任何其他適合組態。
在一項實施例中，光源16及/或光源24可包含一寬頻電漿(BBP)光源。以此方式，由光源產生且經引導至晶圓之光可包含寬頻光。然而，該等光源可包含諸如一雷射之任何其他適合光源，該雷射可包含此項技術中已知之任何適合雷射且可經組態以產生處於此項技術中已知之任何一或若干適合波長之光。另外，該雷射可經組態以產生係單色或幾乎單色之光。以此方式，該雷射可係一窄頻雷射。該等光源亦可包含產生處於多個離散波長或波段之光之多色光源。光源16及24亦可包含不同類型之光源及/或具有相同或不同組態之光源。
光學元件18及26可包含諸如偏光組件、光譜濾波器、空間濾波器、反射光學元件、切趾器、光圈及諸如此類之任何適合光學元件，其可包含此項技術中已知之任何此類適合光學元件。光學元件18及26可係不同類型之光學元件及/或可具有相同或不同組態。儘管透鏡20、22及26在圖1中經展示為單個折射光學元件，但應理解，在實務上，透鏡20、22及26中之每一者可包含以組合方式將光自光學元件聚焦至晶圓之若干個折射及/或反射光學元件。射束***器21可包含此項技術中已知之任何適合射束***器。圖1中所展示且本文中所闡述之照射子系統可包含任何其他適合光學元件(未展示)。另外，該系統可經組態以基於將用於檢驗之照射類型而變更照射子系統之元件中之一或多者。
檢驗子系統亦可包含經組態以致使光在晶圓上方進行掃描 之一掃描子系統。舉例而言，檢驗子系統可包含載台30，在檢驗期間將晶圓14安置於載台30上。掃描子系統可包含可經組態以使晶圓移動使得光可在晶圓上方進行掃描之任何適合機械及/或機器人總成(其包含載台30)。另外或另一選擇係，檢驗子系統可經組態使得檢驗子系統之一或多個光學元件執行光在晶圓上方之某一掃描。光可以任何適合方式在晶圓上方進行掃描。
偵測子系統包含一或多個偵測通道。該一或多個偵測通道中之每一者包含一偵測器，該偵測器經組態以偵測由於晶圓之照射而來自晶圓之光且回應於該所偵測到之光而產生輸出。舉例而言，圖1中所展示之偵測子系統包含兩個偵測通道，一個偵測通道由集光器32、元件34及偵測器36形成且另一偵測通道由集光器38、元件40及偵測器42形成。如圖1中所展示，該兩個偵測通道經組態而以不同收集角度收集且偵測光。
在一項實施例中，由於以第一AOI及第二AOI經引導至晶圓之光而由偵測子系統所偵測到之光包含鏡面反射光。舉例而言，在某些例項中，兩個偵測通道經組態以偵測鏡面反射光。舉例而言，包含偵測器36之偵測通道可經組態以偵測由以法向AOI進行照射引起之鏡面反射光，且包含偵測器42之偵測通道可經組態以偵測由以傾斜AOI進行照射引起之鏡面反射光。以一類似方式，偵測通道中之一者可經組態以偵測由以一個傾斜AOI進行照射引起之光，且另一偵測通道可經組態以偵測由以一不同傾斜AOI進行照射引起之光。以此方式，不同偵測通道可經組態以偵測由以不同AOI(不管彼等AOI係什麼)進行照射引起之光。在另一實施例中，兩個偵測通道可經組態以分別偵測由於以不同AOI照射晶圓而自晶圓散射之光。
儘管圖1展示包含兩個偵測通道之檢驗子系統之一實施例，但檢驗子系統可包含不同數目個偵測通道(例如，僅一個偵測通道或者兩個或兩個以上偵測通道)。舉例而言，一個偵測通道可經組態以偵測由在一第一掃描中以一個AOI進行照射引起之光且然後偵測由在一第二掃描中以另一AOI進行照射引起之光。儘管集光器中之每一者在圖1中展示為單個折射光學元件，但應理解，集光器中之每一者可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。元件24及40可包含諸如偏光組件、光譜濾波器、空間濾波器、反射光學元件、光圈及諸如此類之任何適合光學元件，其可包含此項技術中已知之任何此類適合光學元件。元件24及40可包含不同類型之元件及/或可具有相同或不同組態。
偵測器36及42可包含不同類型之偵測器及/或可具有相同或不同組態。該等偵測器可包含光電倍增管(PMT)、電荷耦合裝置(CCD)、時間延遲積分(TDI)相機或此項技術中已知之任何其他適合偵測器。該等偵測器亦可包含非成像偵測器或成像偵測器。若該等偵測器係非成像偵測器，則該等偵測器中之每一者可經組態以偵測散射光之特定特性(諸如強度)但不可經組態以偵測隨在成像平面內之位置而變之此等特性。如此，由包含於檢驗子系統之偵測通道中之每一者中之偵測器中之每一者產生之輸出可係信號或資料，但並非影像信號或影像資料。在此類例項中，系統之一電腦子系統(諸如電腦子系統44)可經組態以依據偵測器之非成像輸出而產生晶圓之影像。然而，在其他例項中，該等偵測器可經組態為成像偵測器，該等成像偵測器經組態以產生成像信號或影像資料。因而，系統可經組態而以若干種方式產生本文中所闡述之輸出。
應注意，圖1在本文中經提供以大體圖解說明可包含於本 文中所闡述之系統實施例中之一檢驗子系統之一組態。顯然地，可更改本文中所闡述之檢驗子系統組態以最佳化系統之效能，如在設計一商業檢驗系統時通常所執行。另外，可使用諸如可自KLA-Tencor購得之28xx及29xx系列工具之一現有檢驗系統來實施本文中所闡述之系統(例如，藉由將本文中所闡述之功能性添加至一現有檢驗系統)。針對某些此等系統，可將本文中所闡述之方法作為系統之選用功能性(例如，除系統之其他功能性之外)而提供。另一選擇係，可「從零開始」設計本文中所闡述之系統以提供一全新系統。
系統之電腦子系統44可以任何適合方式(例如，經由一或多個傳輸媒體，其可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體)耦合至檢驗子系統之偵測器，使得電腦子系統可接收在晶圓之掃描期間由偵測器產生之輸出。電腦子系統44可經組態以執行如本文所闡述之使用偵測器之輸出之若干個功能以及本文中進一步闡述之任何其他功能。可如本文中所闡述而進一步組態此電腦子系統。
此電腦子系統(以及本文中所闡述之其他電腦子系統)亦可在本文中稱為電腦系統。本文中所闡述之電腦子系統或系統中之每一者可採用各種形式，包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路器具、網際網路器具或其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可廣泛定義為囊括具有一或多個處理器之執行來自一記憶體媒體之指令之任何裝置。電腦子系統或系統亦可包含此項技術中已知之任何適合處理器，諸如一平行處理器。另外，電腦子系統或系統可包含具有高速處理及軟體之一電腦平臺作為一獨立工具或一經網路連線工具。
若該系統包含一個以上電腦子系統，則不同電腦子系統可 彼此耦合使得影像、資料、資訊、指令等可在電腦子系統之間發送，如本文中進一步闡述。舉例而言，電腦子系統44可藉由可包含此項技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體之任何適合傳輸媒體耦合至電腦子系統46(如圖1中之虛線所展示)。此等電腦子系統中之兩者或兩者以上亦可藉由一共用電腦可讀取儲存媒體(未展示)而有效地耦合。
如上所述，檢驗子系統經組態以用於將光引導至晶圓之一實體版本及/或使光在晶圓之該實體版本上方掃描藉此針對晶圓之該實體版本而產生實際(亦即，非模擬)輸出及/或影像。以此方式，檢驗子系統可組態為一「實際」工具，而非一「虛擬」工具。然而，圖1中所展示之電腦子系統46可包含經組態以用於使用針對晶圓而產生之實際光學影像及/或實際電子束影像中之至少某些來執行一或多個功能之一或多個「虛擬」系統(未展示)，該一或多個功能可包含本文中進一步闡述之一或多個功能中之任一者。
該一或多個虛擬系統不能夠使晶圓安置於其中。特定地，該(等)虛擬系統並非檢驗子系統10之一部分且不具有用於處置晶圓之實體版本之任何能力。換言之，在組態為一虛擬系統之一系統中，其一或多個「偵測器」之輸出可係先前由一實際檢驗子系統之一或多個偵測器產生且儲存於虛擬系統中之輸出，且在「成像及/或掃描」期間，虛擬系統可重播所儲存輸出，好似正在使晶圓成像及/或掃描晶圓一樣。以此方式，藉助一虛擬系統使晶圓成像及/或掃描晶圓可似乎與藉助一實際系統使一實體晶圓成像及/或掃描該實體晶圓一樣，儘管實際上，「成像及/或掃描」涉及僅僅以與可使晶圓成像及/或掃描晶圓相同之方式重播用於晶圓之輸出。
在共同指派之Bhaskar等人於2012年2月28日發佈之第8,126,255號美國專利及Duffy等人於2015年12月29日發佈之第9,222,895號美國專利中闡述組態為「虛擬」檢驗系統之系統及方法，該等美國專利兩者皆好像完全陳述於本文中似得以引用方式併入。可如此等專利中所闡述而進一步組態本文中所闡述之實施例。舉例而言，可如此等專利中所闡述而進一步組態本文中所闡述之一或多個電腦子系統。
該(等)電腦子系統經組態以用於藉由對藉由以第一AOI及第二AOI將光引導至晶圓而產生之輸出應用一缺陷偵測方法來偵測晶圓上之缺陷。可藉助任何適合缺陷偵測方法及/或演算法以此項技術中已知之任何適合方式(例如，將一缺陷偵測臨限值施加至輸出且判定具有高於臨限值之一值之任何輸出對應於一缺陷或一潛在缺陷)來執行偵測晶圓上之缺陷。
方法亦包含基於與缺陷對應之輸出而判定缺陷之位置。如本文中進一步闡述，可以若干個不同方式判定所偵測缺陷之位置。在一項實施例中，以子像素準確度判定所偵測缺陷之位置。如本文中所使用之術語「子像素」通常定義為比由一檢驗子系統產生之輸出之一像素小。以此方式，如本文中所使用之術語「子像素準確度」通常可定義為以比由檢驗子系統獲取之影像中之一單個像素之大小(自一個側至另一側之距離)小之一誤差判定某事物(例如一缺陷位置)。本文中進一步闡述之缺陷位置判定使得能夠以子像素準確度來判定缺陷位置。舉例而言，可如本文中進一步闡述而執行一缺陷之點散佈函數之一內插以藉此以子像素準確度來判定缺陷位置。
在一項實施例中，判定該等位置包含於輸出內對缺陷之位 置進行內插。可執行內插以將與缺陷對應之輸出(例如，一差分影像之一部分，其可如本文中所闡述而產生)增加取樣至比輸出中之一像素柵格精細之一像素柵格上且使用該較精細像素柵格中具有最強信號之一像素之一中心之一位置作為缺陷之位置。可以此項技術中已知之任何適合方式執行此等步驟。亦可以此項技術中已知之任何其他適合方式執行該內插。
在某些實施例中，判定該等位置包含於輸出內對缺陷之位置進行內插且將輸出對準至晶圓之設計資訊。舉例而言，可使用可自KLA-Tencor購得之最新對準至設計方法及系統以及缺陷位置內插技術來執行儘可能好地對每一缺陷之位置進行內插。另外，晶圓之設計資訊中之層資訊可用於將設計實質上準確地對準至由檢驗子系統產生之光學貼片影像。一旦將設計對準至光學影像，自光學貼片影像提取之缺陷座標便被設計覆蓋。以此方式，缺陷在設計空間中之高度準確座標(亦即，「設計座標」)可經判定且然後可如本文中進一步闡述而與層結構有關。
可以若干個不同方式來執行將輸出(例如，影像)對準至設計資訊。舉例而言，在某些實施例中，該對準包含最大化輸出與設計資訊之間的一交叉相關。在一項此類實例中，在檢驗時，可藉由最大化影像與設計資訊之間的交叉相關而將所量測影像對準至設計資訊。在對準中所使用之交叉相關可包含此項技術中已知之任何適合交叉相關，諸如一經正規化交叉相關。亦可執行將針對所偵測缺陷之輸出對準至晶圓之設計資訊，如Kulkarni之上文併入之專利中所闡述。本文中所闡述之實施例可經組態以執行此專利中所闡述之對準中之任一者。
在另一實施例中，偵測該等缺陷包含藉由自輸出之不同部分減去不同部分之參考輸出而針對輸出之該等不同部分產生差分影像且將 缺陷偵測方法施加至該等差分影像，並且藉由將與所偵測缺陷對應之差分影像之一部分擬合至一函數而執行判定該等所偵測缺陷之位置。可以任何適合方式來獲取該參考輸出。在一項實例中，該參考輸出可係針對晶圓上之一對應位置而產生之輸出。在一特定實例中，輸出之不同部分可包含針對晶圓上之一晶粒中之不同區而產生之輸出，且該參考輸出可包含針對晶圓上之一不同晶粒中之對應區而產生之輸出。產生該等差分影像可包含對準參考輸出與輸出之對應部分且然後自輸出之對應部分減去參考輸出，此可以任何適合方式來執行。缺陷偵測方法可如本文中進一步闡述而施加至差分影像。
與差分影像之部分擬合之函數可係數個可能函數中之一者。一般而言，缺陷之點散佈函數之一拋物線擬合可用於對缺陷位置進行內插。亦可使用較高階多項式，但其在計算上係昂貴的。舉例而言，函數可係一高斯函數。在此一實例中，與一所偵測缺陷對應之差分影像中之所量測信號可擬合至所偵測缺陷之預期信號量變曲線(例如，一高斯量變曲線)。換言之，電腦子系統可針對缺陷位置使用一高斯模型進行擬合。對於檢驗子系統之某些模式且對於具有不規則信號量變曲線之缺陷，可藉由擬合至此等信號量變曲線之模擬而判定缺陷位置。在另一實例中，藉由將與缺陷對應之差分影像之一部分擬合至一艾瑞盤(Airy disc)函數而執行判定所偵測缺陷之位置。舉例而言，可用於闡述缺陷輪廓之函數可包含可以分析方式闡述之函數(例如，艾瑞盤或多項式)或自量測導出之函數(例如，量測一組缺陷且共同對其量變曲線求平均)。用於檢驗子系統之預期信號量變曲線之模型或函數可包含具有此項技術中已知之任何適合格式之此項技術中已知之任何適合此類模型或函數。另外，可以任何適合方式執 行差分影像之部分與信號量變曲線之模型之擬合。
對於在針對在光以第一AOI及第二AOI經引導至晶圓之情況下照射於晶圓上之一個光點而產生之輸出中所偵測到之缺陷中之一者，一或多個電腦子系統經組態以用於比較基於在光以第一AOI及第二AOI經引導至晶圓上之一個光點之情況下產生之輸出而判定之缺陷中之一者之位置且基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。在一項實施例中，判定該層包含：若該比較之結果指示缺陷中之一者之位置係相同的，則判定該層係一當前層；及若該比較之結果指示缺陷中之一者之位置係不同的，則判定該層係一先前層。舉例而言，為將位於一特定層之頂部處之缺陷與位於底部處之缺陷區分開，在傳入光之法向照射與傾斜照射之間比較經投影缺陷位置。若此兩個照射角之缺陷位置出現在同一位置處，則缺陷最可能源自當前層，且若其出現在不同位置處，則其應來自前層。
圖2及圖3圖解說明不同缺陷及在具有不同AOI之情況下經判定以判定該等缺陷位於哪一層上之其缺陷位置。舉例而言，如平面圖200中所展示，缺陷202及204位於在形成於一晶圓上之兩個溝渠206中之一者內之不同位置處。如剖視圖208中所展示，缺陷202位於溝渠之頂部處且因此係一當前層缺陷，而缺陷204位於溝渠之底部處且因此係一先前層缺陷。以此方式，缺陷202可係一DOI，而缺陷204可係一妨礙缺陷。
在藉助檢驗子系統掃描晶圓期間，可在光以多個AOI經引導至晶圓之情況下照射兩個缺陷，且可藉由檢驗子系統偵測由於以兩個AOI進行照射而來自缺陷之光。舉例而言，如剖視圖208中所展示，可在光210處於可產生鏡面反射光212之一傾斜AOI之情況下照射缺陷204。另 外，如剖視圖208中所展示，可在光214處於可產生鏡面反射光216之一法向AOI之情況下照射缺陷204。以一類似方式，如剖視圖218中所展示，可在光210處於可產生鏡面反射光220之一傾斜AOI之情況下照射缺陷202。另外，如剖視圖208中所展示，可在光214處於可產生鏡面反射光222之一法向AOI之情況下照射缺陷202。可以本文中所闡述之任何兩個照射角且以本文中所闡述之任一方式使該等缺陷成像。
圖3中所展示之平面圖224及226圖解說明在基於使用不同AOI所偵測到之光而判定時缺陷202及204之缺陷位置之差異。舉例而言，基於法向AOI光214而判定平面圖224中之缺陷位置，同時基於傾斜AOI光216而判定平面圖226中之缺陷位置。如藉助於平面圖224與226之比較所展示，使用兩個AOI所判定之缺陷202之位置係相同的。相比之下，使用兩個AOI所判定之缺陷204之位置係不同的。由於缺陷202之位置經判定為係相同的，因此此缺陷將經判定為係一當前層缺陷。由於缺陷204之位置經判定為係不同的，因此此缺陷將經判定為係一先前層缺陷。
在一傾斜照射角下與法向照射組合來使用檢驗/影像收集以用於將先前層缺陷與當前層缺陷分開被認為係本文中所闡述之實施例之一新特徵。另外，在將導致DOI及妨礙缺陷位置之一移位之任何兩個照射下之檢驗/影像收集被認為係本文中所闡述之實施例之一新特徵。舉例而言，可在本文中所闡述之實施例中使用兩個傾斜照射角。
在一項實施例中，該(等)電腦子系統經組態以用於基於針對缺陷中之一者而判定之層而判定缺陷中之一者是否係一妨礙缺陷。如本文中所使用之術語「妨礙缺陷」通常定義為如此在晶圓上所偵測到但並非一使用者在意之缺陷的缺陷。在某些實施例中，妨礙缺陷包含對於一基於 電子束之工具不可見之妨礙缺陷。舉例而言，本文中所闡述之實施例可用於在妨礙缺陷在當前層中對於一掃描電子顯微鏡(SEM)檢視工具不可見時識別一妨礙缺陷源。特定地，一般而言，一SEM由於SEM自身之性質(電子未穿透最上部表面或未以使其可偵測到之一方式自最上部表面下方返回)而不能夠偵測到在晶圓之最上部表面下面之缺陷。如此，一SEM不能夠偵測到且分析在晶圓上之最上部表面下面之妨礙缺陷。相比之下，某些光學檢驗系統能夠偵測到在晶圓之最上部表面下面之缺陷。此缺陷偵測取決於檢驗目標而可係有利的或不利的。在某些情形中，對在晶圓之最上部表面下面之缺陷之偵測甚至在不期望其時可係不可避免的。然而，此等缺陷基本上可係妨礙缺陷，此乃因使用者不在意該等缺陷及/或該等缺陷對於其中偵測該等缺陷之檢驗而言並非DOI。
在一項此類實施例中，該(等)電腦子系統經組態以用於進行如下操作：若層經判定為係先前層，則判定缺陷中之一者係一妨礙缺陷。
如上文進一步闡述，照射子系統可經組態以在晶圓之不同掃描中以不同AOI將光引導至晶圓。在一項此類實施例中，晶圓之第二掃描包含僅在使用在第一掃描中產生之輸出所偵測到之缺陷之位置處回應於所偵測到之光而產生輸出。在圖4中展示此一實施例之一項實例。特定地，如圖4中所展示，在步驟400中，該(等)電腦子系統可以最佳DOI偵測模式來運行一檢驗且收集所有缺陷位置處之貼片影像。在步驟402中，該(等)電腦子系統可收集在以一傾斜角照射晶圓之同一位置處之影像資料。如步驟404中所展示，該(等)電腦子系統可判定缺陷針對法向照射及傾斜照射是否在貼片影像中之同一位置處。若缺陷經判定為針對法向照射及傾 斜照射在貼片影像中之同一位置處，則該(等)電腦子系統可在步驟406中判定缺陷最可能係一當前層缺陷。若缺陷未經判定為針對法向照射及傾斜照射在貼片影像中之同一位置處，則該(等)電腦子系統可在步驟408中判定缺陷最可能係一前層妨礙。
本文中所闡述之實施例具有優於用於將先前層缺陷與當前層缺陷分開之其他方法及系統之若干個優點。舉例而言，在本文中所闡述之實施例中，可將前層妨礙與當前層DOI區分開藉此改良檢驗配方之敏感度。另外，本文中所闡述之實施例有利地減少檢驗時間，此乃因不需要掃描前層。
系統之實施例中之每一者可根據本文中所闡述之任何其他實施例而進一步組態。
另一實施例係關於用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之一電腦實施之方法。該方法包含針對上文所闡述之電腦子系統之功能中之每一者之步驟。如本文中所闡述而組態檢驗子系統。
可如本文中進一步闡述而執行該方法之步驟中之每一者。該方法亦可包含可由本文中所闡述之檢驗子系統、電腦子系統及/或系統執行之任何其他步驟。由可根據本文中所闡述之實施例中之任一者而組態之一或多個電腦子系統執行該方法之步驟。另外，可藉由本文中所闡述之系統實施例中之任一者來執行上文所闡述之方法。
一額外實施例係關於經組態以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之另一系統。此系統包含一檢驗子系統，該檢驗子系統至少包含一照射子系統及一偵測子系統。該照射子系統經組態而以一傾斜入射角將光引導至一晶圓。該偵測子系統經組態以偵測來自該晶圓 之光且回應於該所偵測到之光而產生輸出。可如圖1中所展示而組態此檢驗子系統。然而，在此實施例中，該檢驗子系統可僅包含經組態而以一傾斜AOI將光引導至晶圓之一個照射通道。此照射通道可係包含光源24之照射通道。另外，包含於此檢驗子系統中之偵測子系統可僅包含一個偵測通道，舉例而言，包含偵測器42之偵測通道。可如本文中所闡述且圖1中所展示而進一步組態此檢驗子系統。舉例而言，在一項實施例中，該所偵測到之光包含鏡面反射光。該檢驗子系統可經組態以偵測鏡面反射光，如本文中進一步闡述。
此系統亦包含一或多個電腦子系統，該一或多個電腦子系統可組態為圖1中所展示之電腦子系統44及/或電腦子系統46。該一或多個電腦子系統經組態以用於藉由對輸出應用一缺陷偵測方法來偵測晶圓上之缺陷，此可如本文中進一步闡述而執行。該(等)電腦子系統亦經組態以用於判定該等缺陷在用於該晶圓之一設計之座標中之位置，此可如本文中進一步闡述而執行。在一項實施例中，判定該等位置包含於輸出內對缺陷之位置進行內插，此可如本文中進一步闡述而執行。在另一實施例中，判定該等位置包含於輸出內對缺陷之位置進行內插，且比較包含將輸出對準至晶圓之設計資訊，此可如本文中所闡述而執行。將在一傾斜照射角處收集之缺陷位置投影至設計空間中被認為係本文中所闡述之實施例之一新特徵。
對於缺陷中之一者，該(等)電腦子系統經組態以用於比較缺陷中之該一者之位置與設計之一當前層中之經圖案化特徵之位置。舉例而言，若判定缺陷之位置包含基於設計之對準，此可如本文中所闡述而執行，則可在設計空間中準確地判定缺陷位置，此幫助找出缺陷來自哪一 層。
該(等)電腦子系統進一步經組態以用於基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。
在一項實施例中，該(等)電腦子系統經組態以用於基於針對缺陷中之一者所判定之層而判定缺陷中之一者是否係一妨礙缺陷，此可如本文中進一步闡述而執行。在另一實施例中，判定該層包含：若該比較之結果指示缺陷中之一者之位置在當前層中之經圖案化特徵之位置內，則判定該層係當前層。在一項此類實施例中，該(等)電腦子系統經組態以用於進行如下操作：若缺陷中之一者未經判定為位於當前層上，則判定缺陷中之一者係一妨礙缺陷，此可如本文中進一步闡述而執行。
在圖5中展示此一實施例之一項實例。舉例而言，如圖5之步驟500中所展示，該(等)電腦子系統可執行晶圓與設計對準。在步驟502中，該(等)電腦子系統可使用一傾斜照射角來運行檢驗。在步驟504中，該(等)電腦子系統可於設計空間中對缺陷位置進行內插。在步驟506中，該(等)電腦子系統可判定缺陷是否在當前層設計內。若缺陷經判定為在當前層設計內，則該(等)電腦子系統可在步驟508中判定缺陷最可能係一當前層缺陷。若缺陷經判定為不在當前層設計內，則該(等)電腦子系統可判定缺陷最可能係一前層妨礙，如步驟510中所展示。
此等實施例亦具有優於上文所闡述之用於將先前層缺陷與當前層缺陷分開之其他方法及系統之相同優點。系統之實施例中之每一者可根據本文中所闡述之任何其他實施例而進一步組態。
另一實施例係關於用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之一電腦實施之方法。該方法包含針對上文所闡述之該(等) 電腦子系統之功能中之每一者之步驟。如本文中所闡述而組態檢驗子系統。
可如本文中進一步闡述而執行該方法之步驟中之每一者。該方法亦可包含可由本文中所闡述之檢驗子系統、電腦子系統及/或系統執行之任何其他步驟。由可根據本文中所闡述之實施例中之任一者而組態之一或多個電腦子系統執行該方法之步驟。另外，可藉由本文中所闡述之系統實施例中之任一者來執行上文所闡述之方法。
一額外實施例係關於儲存可在一電腦系統上執行以用於執行一電腦實施之方法以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體。在圖6中展示一項此類實施例。特定地，如圖6中所展示，非暫時性電腦可讀取媒體600包含可在電腦系統604上執行之程式指令602。電腦實施之方法可包含上文所闡述之任何方法之任何步驟。
實施諸如本文中所闡述之彼等方法之方法之程式指令602可儲存於電腦可讀取媒體600上。電腦可讀取媒體可係諸如一磁碟或光碟、一磁帶或此項技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀取媒體之一儲存媒體。
可以包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或面向對象之技術以及其他技術之各種方式中之任一者來實施程式指令。舉例而言，可視需要使用ActiveX控件、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)、SSE(串流化SIMD擴展)或其他技術或方法來實施該等程式指令。
電腦系統604可根據本文中所闡述之實施例中之任一者而 經組態。
本文中所闡述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一電腦可讀儲存媒體中。該等結果可包含本文中所闡述之結果中之任一者且可以此項技術中已知之任何方式來儲存。儲存媒體可包含本文中所闡述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存該等結果之後，該等結果可在儲存媒體中經存取及由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用、經格式化以顯示給用戶、由另一軟件模塊、方法或系統使用等等。
鑒於此說明，熟習此項技術者將明瞭本發明之各種太陽之額外修改及替代實施例。舉例而言，提供用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之方法及系統。相應地，此說明應視為僅為說明性的，且為出於教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示及所闡述之本發明之形式應視為目前優選實施例。如熟習此項技術者在受益於本發明之此說明之後將全部明瞭，元件及材料可替代本文中所圖解說明及闡述之彼等元件及材料，部件及程序可顛倒，且本發明之特定特徵可獨立地利用。可在不背離如所附申請專利範圍中所闡述之本發明之精神及範疇之情況下對本文中所闡述之元件做出改變。
10:檢驗子系統
14:晶圓
16:光源/源
18:光學元件
20:透鏡
21:射束***器
22:透鏡
24:光源/元件
26:光學元件/透鏡
28:透鏡
30:載台
32:集光器
34:元件
36:偵測器
38:集光器
40:元件
42:偵測器
44:電腦子系統
46:電腦子系統

Claims (22)

  1. 一種經組態以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之系統，其包括：一檢驗子系統，其至少包括一照射子系統及一偵測子系統，其中該照射子系統經組態而以第一入射角及第二入射角將光引導至一晶圓，且其中該偵測子系統經組態以偵測來自該晶圓之光且回應於該所偵測到之光而產生輸出；及一或多個電腦子系統，其經組態以用於：藉由對藉由以該第一入射角及該第二入射角將該光引導至該晶圓而產生之該輸出應用一缺陷偵測方法來偵測該晶圓上之缺陷；基於與該等缺陷對應之該輸出而判定該等缺陷在該晶圓上之位置；對於在針對在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓之情況下照射於該晶圓上之一個光點而產生之該輸出中所偵測到之該等缺陷中之一者，比較基於在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓上之該一個光點之情況下產生之該輸出而判定之該等缺陷中之該一者之該等位置；且基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。
  2. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於基於針對該等缺陷中之該一者而判定之該層而判定該等缺陷中之該一者是 否係一妨礙缺陷。
  3. 如請求項1之系統，其中判定該層包括：若該比較之該等結果指示該等缺陷中之該一者之該等位置係相同的，則判定該層係一當前層；及若該比較之該等結果指示該等缺陷中之該一者之該等位置係不同的，則判定該層係一先前層。
  4. 如請求項3之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於進行如下操作：若該層經判定為係該先前層，則判定該等缺陷中之該一者係一妨礙缺陷。
  5. 如請求項1之系統，其中判定該等位置包括於該輸出內對該等缺陷之該等位置進行內插。
  6. 如請求項1之系統，其中判定該等位置包括於該輸出內對該等缺陷之該等位置進行內插及將該輸出對準至該晶圓之設計資訊。
  7. 如請求項1之系統，其中由於該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓而由該偵測子系統所偵測到之該光包括鏡面反射光。
  8. 如請求項1之系統，其中該第一入射角包括一法向入射角，且其中該第二入射角包括一傾斜入射角。
  9. 如請求項1之系統，其中該第一入射角及該第二入射角包括不同之傾斜入射角。
  10. 如請求項1之系統，其中該第一入射角及該第二入射角包括不同之極角及相同之一或多個方位角。
  11. 如請求項1之系統，其中以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓之該光之一入射平面相對於該晶圓上之經圖案化特徵以介於0度與180度之間的一角度來定向。
  12. 如請求項1之系統，其中該照射子系統進一步經組態以在該晶圓之一第一掃描中以該第一入射角將該光引導至該晶圓且在該晶圓之一第二掃描中以該第二入射角將該光引導至該晶圓。
  13. 如請求項12之系統，其中該晶圓之該第二掃描包括僅在使用在該第一掃描中產生之該輸出所偵測到之該等缺陷之該等位置處回應於該所偵測到之光而產生該輸出。
  14. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以用於執行一電腦實施之方法以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之程式指令，其中該電腦實施之方法包括：藉助至少包括一照射子系統及一偵測子系統之一檢驗子系統藉由對藉由以第一入射角及第二入射角將光引導至一晶圓而產生之輸出應用一缺 陷偵測方法來偵測該晶圓上之缺陷，其中該照射子系統經組態而以該第一入射角及該第二入射角將該光引導至該晶圓，且其中該偵測子系統經組態以偵測來自該晶圓之光且回應於該所偵測到之光而產生該輸出；基於與該等缺陷對應之該輸出而判定該等缺陷在該晶圓上之位置；對於在針對在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓之情況下照射於該晶圓上之一個光點而產生之該輸出中所偵測到之該等缺陷中之一者，比較基於在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓上之該一個光點之情況下產生之該輸出而判定之該等缺陷中之該一者之該等位置；且基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。
  15. 一種用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之電腦實施之方法，其包括：藉助至少包括一照射子系統及一偵測子系統之一檢驗子系統藉由對藉由以第一入射角及第二入射角將光引導至一晶圓而產生之輸出應用一缺陷偵測方法來偵測該晶圓上之缺陷，其中該照射子系統經組態而以該第一入射角及該第二入射角將該光引導至該晶圓，且其中該偵測子系統經組態以偵測來自該晶圓之光且回應於該所偵測到之光而產生該輸出；基於與該等缺陷對應之該輸出而判定該等缺陷在該晶圓上之位置；對於在針對在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該晶圓之情況下照射於該晶圓上之一個光點而產生之該輸出中所偵測到之該等缺陷中之一者，比較基於在該光以該第一入射角及該第二入射角經引導至該 晶圓上之該一個光點之情況下產生之該輸出而判定之該等缺陷中之該一者之該等位置；且基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。
  16. 一種經組態以用於判定在一晶圓上所偵測到之一缺陷所位於的一層之系統，其包括：一檢驗子系統，其至少包括一照射子系統及一偵測子系統，其中該照射子系統經組態而以一傾斜入射角將光引導至一晶圓，且其中該偵測子系統經組態以偵測來自該晶圓之光且回應於該所偵測到之光而產生輸出；及一或多個電腦子系統，其經組態以用於：藉由對該輸出應用一缺陷偵測方法來偵測該晶圓上之缺陷；判定該等缺陷在用於該晶圓之一設計之座標中之位置；對於該等缺陷中之一者，比較該等缺陷中之該一者之該位置與該設計之一當前層中之經圖案化特徵之位置；且基於該比較之結果而判定該等缺陷中之該一者所位於的該晶圓之一層。
  17. 如請求項16之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於基於針對該等缺陷中之該一者而判定之該層而判定該等缺陷中之該一者是否係一妨礙缺陷。
  18. 如請求項16之系統，其中判定該層包括：若該比較之該等結果指示該等缺陷中之該一者之該位置在該當前層中之該等經圖案化特徵之該等位置內，則判定該層係該當前層。
  19. 如請求項18之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於進行如下操作：若該等缺陷中之該一者未經判定為位於該當前層上，則判定該等缺陷中之該一者係一妨礙缺陷。
  20. 如請求項16之系統，其中判定該等位置包括於該輸出內對該等缺陷之該等位置進行內插。
  21. 如請求項16之系統，其中判定該等位置包括於該輸出內對該等缺陷之該等位置進行內插，且其中該比較包括將該輸出對準至該晶圓之設計資訊。
  22. 如請求項16之系統，其中該所偵測到之光包括鏡面反射光。
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