TWI788393B

TWI788393B - 光取出構件

Info

Publication number: TWI788393B
Application number: TW107127021A
Authority: TW
Inventors: 杉野晶子; 中村恒三; 服部大輔
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2017-08-04
Filing date: 2018-08-03
Publication date: 2023-01-01
Also published as: US11231543B2; WO2019026865A1; JP7496444B2; JP2023063316A; US20200166694A1; TW201910887A

Abstract

本發明提供一種無需複雜之設計及結構而可獲得所需之出射特性，進而與其他構件之複合化容易，且生產性優異、操作性優異、可以合適之成本實現之光取出構件。本發明之光取出構件具備：具有出射側之第1主面與第1主面之相反側之第2主面之導光部、及以特定之圖案設置於導光部之第1主面之出射控制層。於該光取出構件中，導光部之折射率n1與出射控制層之折射率n2滿足n1＞n2之關係，出射控制層之折射率n2為1.01～1.30。

Description

光取出構件

本發明係關於一種光取出構件。

期待光取出構件應用於照明裝置及圖像顯示裝置等。然而，先前之光取出構件例如必須於表面形成非常複雜之凹凸形狀，有光取出機構之設計及結構非常複雜之問題。具體而言，於導光板或照明器具中，為了達成所需之光取出圖案(亦包括面內均勻取出)，必須於實際之每個導光板單元形成週期性之光取出機構之圖案，故而於以連續片材之方式形成之情形時，必須於長條方向及寬度方向上以特定之間隔形成圖案。進而，伴隨上述問題，先前之光取出構件存在難以與其他構件之複合化、生產性極其不充分、非常昂貴等問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平9-258031號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明係為了解決上述先前之課題而完成者，其主要之目的在於提供一種無需複雜之設計及結構而可獲得所需之出射特性，進而與其他構件之複合化容易，且生產性優異、操作性優異、可以合適之成本實現之光取出構件。 [解決問題之技術方法]

本發明之一實施形態之光取出構件具備：具有出射側之第1主面與該第1主面之相反側之第2主面之導光部、以特定之圖案設置於該導光部之該第1主面之出射控制層。於該光取出構件中，該導光部之折射率n1與該出射控制層之折射率n2滿足n1＞n2之關係，該出射控制層之折射率n2為1.01～1.30。於一實施形態中，上述光取出構件係於上述導光部進而設置光取出結構。於一實施形態中，上述光取出構件係於上述出射控制層之與上述導光部相反側進而設置光取出結構。於一實施形態中，上述光取出構件進而具有黏著劑層作為出射側之最外層，且該黏著劑層之折射率n5、上述導光部之折射率n1及上述出射控制層之折射率n2滿足如下之關係： n1＞n2、n5＞n2、及n1－n2＞n1－n5。於一實施形態中，上述黏著劑層係覆蓋上述出射控制層，並且與上述導光部之第1主面相接地設置。於一實施形態中，規定上述出射控制層之圖案之開口部之分佈係以與光源側相比遠離光源之側者變得緊密之方式構成。於一實施形態中，上述出射控制層係包含形成微細之空隙結構之一種或複數種構成單元，且該構成單元彼此經由觸媒作用而化學鍵結。於一實施形態中，上述出射控制層之構成單元係選自由粒子狀、纖維狀、棒狀、及平板狀所組成之群中之至少一種形狀之構成單元。於一實施形態中，上述出射控制層之構成單元彼此之鍵結包含氫鍵或共價鍵。於一實施形態中，上述出射控制層之構成單元包含無機物。於一實施形態中，上述出射控制層之構成單元為粒子狀，且該粒子狀之構成單元包含含有選自由Si、Mg、Al、Ti、Zn及Zr所組成之群中之至少一種元素之微細孔粒子。於一實施形態中，上述微細孔粒子包含凝膠狀二氧化矽化合物之粉碎體。 [發明之效果]

根據本發明，可藉由於導光部藉由塗佈或印刷等形成特定圖案之出射控制層，而實現無需複雜之設計及結構而可獲得所需之出射特性，進而與其他構件之複合化容易，且生產性優異、操作性優異、可以合適之成本實現之光取出構件。於本發明中，於可形成長條狀之導光部之情形時，可於該長條狀之導光部設置均相同之光取出機構(結構)後(由於無需週期性之結構，故而於凹凸形狀之情形時亦可連續形成)，以簡便之方法形成經圖案化之出射控制層，故而可將出射控制層連續地形成於長條狀之導光部。因此，於可形成長條狀之導光部之情形時，可實現長條狀之光取出構件。進而，此種出射控制層容易於其表面設置任意之接著構件(代表性而言為黏著劑層)，故而光取出構件與其他構件(代表性而言為光學構件)之複合化容易。

以下，對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不限定於該等實施形態。

A.光取出構件之整體構成圖1係本發明之一實施形態之光取出構件之概略剖視圖。本實施形態之光取出構件100具有導光部10與出射控制層20。導光部10具有出射側之第1主面11、與第1主面11之相反側之第2主面12。出射控制層20係以特定之圖案設置於導光部10之第1主面11。出射控制層20除第1主面11以外，亦可設置於第2主面12(未圖示)。設置於第2主面之出射控制層可以特定之圖案設置，亦可設置於第2主面整個面。視需要亦可於導光部10之第2主面12設置反射層(未圖示)。光取出構件100可代表性地於使用用途(例如，照明裝置、圖像顯示裝置)中經由黏著劑層200而積層於鄰接之構件(未圖示)。即，本發明之實施形態之光取出構件可包含黏著劑層作為出射側之最外層。黏著劑層代表性地設置於出射側之整個面，覆蓋出射控制層，並且經由出射控制層之開口部而接於導光部之第1主面。

導光部10之折射率n1與出射控制層20之折射率n2較佳為滿足n1＞n2之關係。其結果為，可僅自未設置出射控制層之部分使光出射(取出)，故而可藉由調整出射控制層之圖案而僅自所需之部分使光出射(取出)。因此，可不於導光部之內部及/或表面設計及形成複雜之三維結構，而實現根據目標之所需之出射特性。

導光部10之折射率n1較佳為1.47以上，更佳為1.47～1.60，進而較佳為1.47～1.55。出射控制層20之折射率n2較佳為1.30以下，更佳為1.20以下，進而較佳為1.15以下。折射率n2之下限例如為1.01。折射率n1與折射率n2之差較佳為0.17以上，更佳為0.20～0.40，進而較佳為0.22～0.35。可藉由將折射率差與出射控制層之圖案組合而調整，而更精密地控制出射特性。導光部之折射率n1可藉由適當地選擇導光部之構成材料而調整。出射控制層之折射率n2可藉由適當地選擇構成材料、空隙率、空隙之結構、形狀等而調整。再者，關於導光部及出射控制層之詳細內容，於下文敍述。

作為出射控制層之圖案，可根據目的而採用任意合適之圖案。圖2A及圖2B係表示出射控制層之圖案之幾種例之模式俯視圖。作為圖案之代表例，可列舉：如圖2A所示之條紋狀、格子狀、棋盤格狀、點狀、文字、及如圖2A及圖2B所示之不規則形狀。再者，於圖2A及圖2B中，黑色之部分為出射控制層之開口部，由該開口部規定圖案。又，於圖2A及圖2B中，為了方便，將下側設為光源側。條紋及格子之寬度及/或間隔可均勻，亦可一部分不同，亦可全部不同。同樣地，點之面積、形狀及/或間隔亦可均相同，亦可一部分不同，亦可全部不同。例如，於圖示例中，大致圓形狀及相同面積之點以等間隔配置，但點之形狀可為橢圓形，亦可為三角形，亦可為矩形，亦可為多角形，亦可為不規則形狀；面積(大小)及間隔亦可一部分或全部不同。於一實施形態中，如圖2B所示般，出射控制層之開口部之分佈係與光源側相比遠離光源之側者緊密。若為此種構成，則可實現優異之面內均勻性。如下所述，出射控制層可藉由將構成材料進行塗佈或印刷等而形成。因此，無需於導光部之內部及/或表面設計及形成複雜之三維結構。其結果為，本發明之實施形態之光取出構件與其他構件之複合化容易，且生產性優異、操作性優異、且廉價。

此處，參照圖1，說明本發明之實施形態之光取出構件中之光之傳播。自光源(圖式之左側：未圖示)入射至導光部之光於界面為空氣(折射率1.00)或與視需要設置之反射層連接之第2主面上反射，及一面於第1主面形成有出射控制層(具有小於導光部之折射率n1之折射率n2)之部分反射，一面使導光部自圖式之左側朝向右側傳播。一面反覆反射一面傳播之光不於第1主面之未形成出射控制層之部分反射而進入至黏著劑層，藉此使光出射(取出)。即，根據本發明之實施形態之光取出構件，可僅自未設置出射控制層之部分使光出射，故而可藉由調整出射控制層之圖案而僅自所需之部分使光出射。其結果為，可實現根據目的之所需之出射特性。其係基於與以提高均勻之光取出之取出效率為主要目的之先前之光取出構件不同之技術思想者。進而，根據本發明之實施形態之光取出構件，可藉由僅設置一層如上所述之出射控制層，而實現根據目的之所需之出射特性。其結果為，可獲得如下之優點：(1)與設置折射率不同之複數層而控制該等層之折射率之關係之技術相比，製造方法非常簡化，其結果為，本發明之光取出構件之製造效率優異且低成本。其原因在於：根據本發明之實施形態，無需精密地控制複數層之折射率之關係，而僅控制出射控制層之折射率及圖案即可。(2)本發明之光取出構件與為了提高光取出效率而於出射側設置反射鏡之技術相比，具有非常優異之外觀。其原因在於：由於不存在反射鏡，故而自視認側觀察時之反射率較低，不產生無用之眩光等。(3)本發明之光取出構件與上述(2)之設置反射鏡之技術相比漏光較少。即，與為了提高光取出效率而設置反射鏡相比，其結果為，光取出效率亦變得優異。其原因在於：可直接取出自規定出射控制層之圖案之開口部所散出之光，故而無藉由反射鏡之無用之反射，而漏光減少。

黏著劑層200之折射率n5係導光部10之折射率n1及出射控制層20之折射率n2之關係滿足下述式： n1＞n2、n5＞n2、及n1－n2＞n1－n5。藉由黏著劑層之折射率n5、導光部之折射率n1及出射控制層之折射率n2滿足如上所述之關係，可實現具有優異之面內均勻性之光取出構件。較佳為n1≧n5＞n2。更詳細而言，較佳為(n1－n2)儘可能大，較佳為(n1－n5)儘可能小。藉由增大(n1－n2)，可使光傳播至更遠離光源之處，可實現優異之面內均勻性。藉由減小(n1－n5)，可抑制導光部與黏著劑層之界面上之光之折射，可使黏著劑層作為光波導而良好地發揮功能。黏著劑層之折射率n5較佳為1.35～1.90，更佳為1.40～1.65。進而，藉由黏著劑層具有如上所述之折射率，且如上所述與導光部之第1主面相接，可排除導光部與黏著劑層之間之空氣層。其結果為，可防止來自導光部之光於該空氣層折射及/或反射，可最大限度地抑制自導光部所取出之光之損耗。

圖3係本發明之另一實施形態之光取出構件之概略剖視圖。於本實施形態之光取出構件102中，於導光部10進而設置光取出結構。圖示例之光取出結構係設置於導光部10之第1主面11之凹凸部。於圖示例中，凹凸部係形成為形成凸部17之結果。凸部17代表性地具有光路轉換功能。凸部之形狀(例如，剖面形狀)及/或配置位置可根據所需之光路轉換功能而適當地設定。凹凸部例如亦可為藉由粗面化處理所形成之微細凹凸。於本實施形態中，出射控制層係追隨凹凸部(於圖示例中為凸部17)之形狀而設置。藉由調整凹凸部(於圖示例中為凸部17)與出射控制層20之位置關係、出射控制層之圖案、以及凹凸部(於圖示例中為凸部17)之形狀，可更精密地控制出射特性。

圖4係本發明之另一實施形態之光取出構件之概略剖視圖。於本實施形態之光取出構件103中，於出射控制層20之與導光部10相反側進而設置光取出結構。圖示例之光取出結構為光擴散層40。光擴散層40係經由接著層30而配置。接著層30可由任意適當之接著劑或黏著劑構成。作為構成接著劑層之接著劑，例如可列舉：水性接著劑、溶劑型接著劑、乳液系接著劑、無溶劑型接著劑、活性能量線硬化型接著劑、熱硬化型接著劑。作為活性能量線硬化型接著劑，可列舉：電子束硬化型接著劑、紫外線硬化型接著劑、可見光硬化型接著劑。作為構成黏著劑層之黏著劑，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、氟系黏著劑、環氧系黏著劑、聚醚系黏著劑。黏著劑可單獨使用，亦可將兩種以上組合而使用。黏著劑之霧度較佳為5%以下，更佳為1%以下。就透明性、加工性、耐久性等方面而言，可較佳地使用丙烯酸系黏著劑。光擴散層40代表性地包含含有樹脂成分及超微粒子成分之基質、及分散於基質中之光擴散性微粒子。較佳為基質之樹脂成分及光擴散性微粒子之折射率滿足下述式(1)： 0＜｜n_P －n_A ｜・・・(1) 式(1)中，n_A 表示基質之樹脂成分之折射率，n_P 表示光擴散性微粒子之折射率。｜n_P －n_A ｜較佳為0.01～0.10，進而較佳為0.01～0.06，尤佳為0.02～0.06。進而，上述超微粒子成分之折射率n_B 滿足下述式(2)： 0＜｜n_P －n_A ｜＜｜n_P －n_B ｜・・・(2) ｜n_P －n_B ｜較佳為0.10～1.50，進而較佳為0.20～0.80。再者，此種光擴散層之詳細構成例如係於日本專利第4756100號中記載為光擴散元件之構成，該專利公報之記載係作為參考而援用於本說明書中。

導光部10之折射率n1與出射控制層20之折射率n2係如上所述較佳為滿足n1＞n2之關係。出射控制層20之折射率n2、接著層30之折射率n3、及光擴散層40之折射率n4較佳為滿足n3＞n2、n4＞n2之關係。n1與n3可相同，亦可n1大於n3，亦可n1小於n3。

圖5係本發明之進而另一實施形態之光取出構件之概略剖視圖。於本實施形態之光取出構件104中，出射控制層20係經由黏著劑層10'而形成於導光部10上。此處，黏著劑層10'可識別為導光部10之一部分。因此，於本說明書中，「設置於導光部之第1主面」包含直接設置於第1主面之情形及經由黏著劑層而設置之情形。進而，於本實施形態中，另一出射控制層20'設置於導光部之第2主面。於圖示例中，另一出射控制層20'設置於導光部之整個第2主面，但亦可以根據目的之任意適當之圖案設置。進而，亦可於另一出射控制層20'之外側設置反射層或反射板(未圖示)。

上述之實施形態可適當地組合，亦可於上述之實施形態添加業界上周知之改變，亦可替代為與上述之實施形態光學上等價之構成。例如，可將圖3之導光部與圖4之光擴散層組合，亦可替代圖4之光擴散層而使用角柱薄片，亦可於導光部之內部設置任意適當之光取出結構(例如，特定之空隙部)，亦可將該等改變進行組合。進而，導光部之構成並不限於圖示例，亦可將根據目的之任意適當之光取出結構設置於第1主面、第2主面及/或內部。導光部之光取出結構之構成例如於日本專利特開2013-190778號公報、日本專利特開2013-190779號公報中記載為導光板之形狀，該等記載係作為參考而援用於本說明書中。導光部之光取出結構之另一構成例如係記載於日本專利特表2013-524288號公報(尤其是圖11a～圖11d)中，該公報之記載亦作為參考而援用於本說明書中。

B.導光部導光部10可代表性地由樹脂(較佳為透明樹脂)之膜或板狀物構成。作為此種樹脂之代表例，可列舉：熱塑性樹脂、反應性樹脂(例如，游離輻射硬化性樹脂)。作為熱塑性樹脂之具體例，可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈等(甲基)丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、PET等聚酯樹脂、三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、環狀聚烯烴系樹脂、苯乙烯系樹脂。作為游離輻射硬化性樹脂之具體例，可列舉：環氧丙烯酸酯系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂。該等樹脂可單獨使用，亦可併用兩種以上。

導光部之厚度例如可為100 μm～100 mm。導光部之厚度較佳為50 mm以下，更佳為30 mm以下，進而較佳為10 mm以下。

導光部之折射率n1如上所述般較佳為1.47以上，更佳為1.47～1.60，進而較佳為1.47～1.55。若為此種範圍，則可實現與出射控制層之折射率n2之所需之折射率差。

C.出射控制層出射控制層之折射率n2較佳為1.30以下，更佳為1.20以下，進而較佳為1.15以下。折射率n2之下限例如為1.01。若為此種範圍，則可實現與導光部之折射率n1之所需之折射率差。

出射控制層只要具有上述所需之折射率，及藉由塗佈或印刷等而形成，則可採用任意適當之構成。作為構成出射控制層之材料，例如可採用國際公開第2004/113966號說明書、日本專利特開2013-254183號公報、及日本專利特開2012-189802號公報中記載之材料。具體而言，例如可列舉：二氧化矽系化合物；水解性矽烷類、及其部分水解物及脫水縮合物；有機聚合物；含有矽烷醇基之矽化合物；藉由使矽酸鹽與酸或離子交換樹脂接觸所獲得之活性二氧化矽；聚合性單體(例如，(甲基)丙烯酸系單體、及苯乙烯系單體)；硬化性樹脂(例如，(甲基)丙烯酸系樹脂、含氟樹脂、及胺基甲酸酯樹脂)；及該等之組合。

出射控制層代表性而言於內部具有空隙。出射控制層之空隙率例如為40%～90%，較佳為50%～90%，更佳為55%～85%。藉由空隙率為上述範圍內，可將出射控制層之折射率設為適當之範圍。

出射控制層之膜密度例如為1 g/cm³ 以上，較佳為10 g/cm³ 以上，更佳為15 g/cm³ 以上。另一方面，膜密度例如為50 g/cm³ 以下，較佳為40 g/cm³ 以下，更佳為30 g/cm³ 以下，進而較佳為2.1 g/cm³ 以下。膜密度之範圍例如為5 g/cm³ ～50 g/cm³ ，較佳為10 g/cm³ ～40 g/cm³ ，更佳為15 g/cm³ ～30 g/cm³ 。或，該範圍例如為1 g/cm³ ～2.1 g/cm³ 。基於出射控制層之膜密度之空隙率例如為50%以上，較佳為70%以上，更佳為85%以上。另一方面，基於膜密度之空隙率例如為90%以下，較佳為85%以下。

膜密度例如可藉由如下之方法進行測定，空隙率可基於膜密度，例如以如下之方式算出。於基材(丙烯酸膜)上形成空隙層(出射控制層)後，使用X射線繞射裝置(RIGAKU公司製造：RINT-2000)，對該積層體中之空隙層測定全反射區域之X射線反射率。並且，進行Intensity與2θ之擬合後，由積層體(空隙層/基材)之全反射臨界角算出膜密度(g/cm³ )，進而根據以下之式算出空隙率(P%)。空隙率(P%)＝45.48×膜密度(g/cm³ )＋100(%)

出射控制層中之空隙(孔)之尺寸係指空隙(孔)之長軸之直徑及短軸之直徑中之長軸之直徑。空隙(孔)之尺寸例如為2 nm～500 nm。空隙(孔)之尺寸例如為2 nm以上，較佳為5 nm以上，更佳為10 nm以上，進而較佳為20 nm以上。另一方面，空隙(孔)之尺寸例如為500 nm以下，較佳為200 nm以下，更佳為100 nm以下。空隙(孔)之尺寸之範圍例如為2 nm～500 nm，較佳為5 nm～500 nm，更佳為10 nm～200 nm，進而較佳為20 nm～100 nm。空隙(孔)之尺寸可根據目的及用途等而調整為所需之尺寸。

空隙(孔)之尺寸可藉由BET試驗法而定量化。具體而言，於比表面積測定裝置(Micromeritics公司製造：ASAP2020)之毛細管中投入0.1 g之樣品(所形成之空隙層)後，於室溫下進行24小時減壓乾燥，將空隙結構內之氣體進行脫氣。並且，藉由使氮氣吸附於上述樣品而描繪吸附等溫線，求出微孔分佈。藉此，可評價空隙尺寸。

出射控制層之霧度例如未達5%，較佳為未達3%。另一方面，霧度例如為0.1%以上，較佳為0.2%以上。霧度之範圍例如為0.1%以上且未達5%，較佳為0.2%以上且未達3%。霧度例如可藉由如下之方法而測定。再者，霧度係出射控制層之透明性之指標。將空隙層(出射控制層)切斷為50 mm×50 mm之尺寸，安裝至霧度計(村上色彩技術研究所公司製造：HM-150)而測定霧度。關於霧度值，藉由以下之式而算出。霧度(%)＝[漫透射率(%)/全光線透過率(%)]×100(%)

作為於上述內部具有空隙之出射控制層，例如可列舉：至少一部分具有多孔質層、及/或空氣層之出射控制層。多孔質層代表性地包含氣凝膠、及/或粒子(例如，中空微粒子及/或多孔質粒子)。出射控制層可較佳為奈米孔洞層(具體而言，90%以上之微細孔之直徑為10^-1 nm～10³ nm之範圍內之多孔質層)。

作為上述粒子，可採用任意適當之粒子。粒子代表性地包含二氧化矽系化合物。作為粒子之形狀，例如可列舉：球狀、板狀、針狀、串狀、及葡萄之簇狀。作為串狀之粒子，例如可列舉：具有球狀、板狀、或針狀之形狀之複數個粒子連結為念珠狀之粒子、短纖維狀之粒子(例如，日本專利特開2001-188104號公報中記載之短纖維狀之粒子)、及該等之組合。串狀之粒子可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。作為葡萄之簇狀之粒子，例如可列舉：球狀、板狀、及針狀之粒子複數個凝集而成為葡萄之簇狀者。粒子之形狀例如可藉由利用穿透式電子顯微鏡進行觀察而確認。粒子之平均粒徑例如為5 nm～200 nm，較佳為10 nm～200 nm。藉由具有上述構成，可獲得折射率充分低之出射控制層，且可維持出射控制層之透明性。再者，於本說明書中，所謂平均粒徑，意指由藉由氮氣吸附法(BET法)所測得之比表面積(m² /g)，根據平均粒徑＝(2720/比表面積)之式所獲得之值(參照日本專利特開平1-317115號公報)。

出射控制層之厚度較佳為0.2 μm～5 μm，更佳為0.3 μm～3 μm。若出射控制層之厚度為此種範圍，則導光部(實質上為光取出構件)表面之凹凸越對積層產生影響、厚度越不變大，故而於光取出構件之使用用途中與其他構件之複合化或積層變得極其容易。

出射控制層係例如如圖1、圖3或圖4所示，可藉由將包含上述材料之組合物塗佈或印刷於導光部之第1主面之特定位置而以特定之圖案形成。塗佈例如係藉由具有特定圖案之遮罩而進行。印刷可採用任意適當之方式。印刷方法具體而言，可為凹版印刷、膠版印刷、軟版印刷等有版式印刷方法，亦可為噴墨印刷、雷射印刷、靜電印刷等無版式印刷方法。於本發明之實施形態中，可藉由此種簡化及簡便之方法而形成出射控制層。因此，無需設計複雜之三維結構，亦無需用以將此種結構成形之複雜之裝置或加工順序。其結果為，本發明之實施形態之光取出構件之生產性優異、且廉價。或，出射控制層例如如圖5所示，亦可經由黏著劑層而設置。於該情形時，出射控制層可形成於黏著劑片材上而貼合於導光部，亦可將形成於任意適當之基材之出射控制層轉印於導光部/黏著劑層之積層體之黏著劑層。不管是任何情形，於導光部為長條狀之情形時，出射控制層例如可藉由捲對捲式而連續地設置。

出射控制層係於一實施形態中，可如上所述般以輥體之形式應用於光取出構件。出射控制層亦可以與樹脂膜(基材)之積層體之輥體之形式應用於光取出構件。樹脂膜亦可使用複數種。作為樹脂膜，例如可列舉：間隔紙、脫模膜、表面保護膜。

以下，對出射控制層之具體之構成之一例進行說明。本實施形態之出射控制層係包含形成微細之空隙結構之一種或複數種構成單元，且該構成單元彼此經由觸媒作用而化學鍵結。作為構成單元之形狀，例如可列舉：粒子狀、纖維狀、棒狀、平板狀。構成單元可僅具有一種形狀，亦可將兩種以上之形狀組合而具有。於以下，主要對出射控制層為上述微細孔粒子彼此化學鍵結之多孔體之空隙層之情形進行說明。

此種空隙層可藉由於空隙層形成步驟中，例如使微細孔粒子彼此化學鍵結而形成。再者，於本發明之實施形態中，「粒子」(例如，上述微細孔粒子)之形狀並無特別限定，例如可為球狀，亦可為其他形狀。又，於本發明之實施形態中，上述微細孔粒子例如亦可為溶膠凝膠念珠狀粒子、奈米粒子(中空奈米二氧化矽・奈米球形瓶粒子)、奈米纖維等。微細孔粒子代表性而言包含無機物。作為無機物之具體例，可列舉：矽(Si)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、鋯(Zr)。該等可單獨使用，亦可併用兩種以上。於一實施形態中，上述微細孔粒子例如為矽化合物之微細孔粒子，上述多孔體例如為聚矽氧多孔體。上述矽化合物之微細孔粒子例如包含凝膠狀二氧化矽化合物之粉碎體。又，作為至少一部分具有多孔質層及/或空氣層之出射控制層之另一形態，例如有包含奈米纖維等纖維狀物質，且該纖維狀物質形成纏繞之空隙而形成層之空隙層。此種空隙層之製造方法並無特別限定，例如與上述微細孔粒子彼此化學鍵結之多孔體之空隙層之情形相同。作為進而另一形態，可列舉：使用中空奈米粒子或奈米黏土之空隙層、使用中空奈米球形瓶或氟化鎂所形成之空隙層。空隙層可為包含單一之構成物質之空隙層，亦可為包含複數種構成物質之空隙層。空隙層可由單一之上述形態構成，亦可包含複數種上述形態而構成。

於本實施形態中，多孔體之多孔質結構例如可為孔結構連續而成之連泡結構體。所謂連泡結構體，意指例如於上述聚矽氧多孔體中，孔結構三維地相連，亦稱為孔結構之內部空隙連續之狀態。藉由多孔質體具有連泡結構，可提高空隙率。然而，於使用如中空二氧化矽之獨泡粒子(於每個具有孔結構之粒子)之情形時，無法形成連泡結構。另一方面，例如於使用二氧化矽溶膠粒子(形成溶膠之凝膠狀矽化合物之粉碎物)之情形時，為了使該粒子具有三維之樹狀結構，可藉由於塗膜(包含凝膠狀矽化合物之粉碎物之溶膠之塗膜)中使該樹狀粒子沈澱及堆積，而容易地形成連泡結構。出射控制層更佳為具有連泡結構包含複數個微孔分佈之獨塊體結構。獨塊體結構例如意指包含存在奈米尺寸之微細之空隙之結構、及相同奈米空隙集合而成之連泡結構之階層結構。於形成獨塊體結構之情形時，例如可一面以微細之空隙賦予膜強度，一面以粗大之連泡空隙賦予較高之空隙率，而兼具膜強度與高空隙率。此種獨塊體結構較佳為可藉由控制於粉碎為二氧化矽溶膠粒子之前階段之凝膠(凝膠狀矽化合物)中產生之空隙結構之微孔分佈而形成。又，例如於將凝膠狀矽化合物進行粉碎時，可將粉碎後之二氧化矽溶膠粒子之粒度分佈控制為所需之尺寸，而形成獨塊體結構。

出射控制層例如如上所述包含凝膠狀化合物之粉碎物，且該粉碎物彼此化學鍵結。出射控制層中之粉碎物彼此之化學之鍵結(化學鍵結)之形態並無特別限制，例如可列舉：交聯鍵結、共價鍵、氫鍵。

凝膠狀化合物之凝膠形態並無特別限制。所謂「凝膠」，通常係指具有因溶質相互作用而失去獨立之運動性並集合而成之結構，且固化之狀態。凝膠狀化合物例如可為濕凝膠，亦可為乾凝膠。再者，通常濕凝膠係指包含分散介質，且於分散介質中溶質成為相同之結構者，乾凝膠係指將溶劑去除而使溶質具有空隙之網狀結構者。

作為凝膠狀化合物，例如可列舉：使單體化合物凝膠化而成之凝膠化物。具體而言，作為上述凝膠狀矽化合物，例如可列舉：單體之矽化合物相互鍵結而成之凝膠化物，作為具體例，可列舉：單體之矽化合物相互共價鍵、氫鍵或分子間力鍵結而成之凝膠化物。作為共價鍵，例如可列舉：藉由脫水縮合之鍵結。

出射控制層中之上述粉碎物之體積平均粒徑例如為0.10 μm以上，較佳為0.20 μm以上，更佳為0.40 μm以上。另一方面，體積平均粒徑例如為2.00 μm以下，較佳為1.50 μm以下，更佳為1.00 μm以下。體積平均粒徑之範圍例如為0.10 μm～2.00 μm，較佳為0.20 μm～1.50 μm，更佳為0.40 μm～1.00 μm。粒度分佈例如可藉由動態光散射法、雷射繞射法等粒度分佈評價裝置、及掃描型電子顯微鏡(SEM)、穿透型電子顯微鏡(TEM)等電子顯微鏡等而測定。再者，體積平均粒徑係粉碎物之粒度之偏差之指標。

關於粉碎物之粒度分佈，粒徑0.4 μm～1 μm之粒子例如可以50重量%～99.9重量%、較佳為80重量%～99.8重量%、更佳為90重量%～99.7重量%之比率存在。或，粒徑1 μm～2 μm之粒子例如可以0.1重量%～50重量%、較佳為0.2重量%～20重量%、0.3重量%～10重量%之比率存在。粒度分佈例如可藉由粒度分佈評價裝置或電子顯微鏡而測定。粒度分佈亦係粉碎物之粒度之偏差之指標。

凝膠狀化合物之種類並無特別限制。作為凝膠狀化合物，例如可列舉：凝膠狀矽化合物。以下，以凝膠狀化合物為凝膠狀矽化合物之情形為例進行說明，但本發明並不限定於此。

上述交聯鍵結例如為矽氧烷鍵結。作為矽氧烷鍵結，例如可列舉：如下所示之T2之鍵結、T3之鍵結、T4之鍵結。於空隙層(出射控制層)具有矽氧烷鍵結之情形時，可具有任一種鍵結，亦可具有任兩種鍵結，亦可具有全部三種鍵結。矽氧烷鍵結中T2及T3之比率越多，則可撓性越豐富，可期待凝膠原本之特性。另一方面，T4之比率越多，則越容易表現膜強度。因此，較佳為根據目的、用途、所需之特性等而改變T2、T3及T4之比率。

[化1]

關於T2、T3及T4之比率，例如於以T2相對於地表示為「1」之情形時，T2：T3：T4可為1：[1～100]：[0～50]、1：[1～80]：[1～40]、或1：[5～60]：[1～30]。

又，較佳為於出射控制層(空隙層)中，例如所含之矽原子為矽氧烷鍵結。作為具體例，空隙層中所含之全部矽原子中未鍵結之矽原子(即，殘留矽烷醇)之比率例如未達50%，較佳為30%以下，更佳為15%以下。

於凝膠狀化合物為凝膠狀矽化合物之情形時，單體之矽化合物並無特別限制。作為單體之矽化合物，例如可列舉：下述式(1)所表示之化合物。於凝膠狀矽化合物為如上所述單體之矽化合物相互氫鍵或分子間力鍵結而成之凝膠化物之情形時，式(1)之單體間例如可經由各者之羥基而氫鍵。

[化2]

式(1)中，X例如為2、3或4，較佳為3或4。R¹ 例如為直鏈或支鏈烷基。R¹ 之碳數例如為1～6，較佳為1～4，更佳為1～2。作為直鏈烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等，作為支鏈烷基，例如可列舉：異丙基、異丁基等。

作為式(1)所表示之矽化合物之具體例，例如可列舉：X為3之下述式(1')所示之化合物。於下述式(1')中，R¹ 係與式(1)之情形相同，例如為甲基。於R¹ 為甲基之情形時，矽化合物為三(羥基)甲基矽烷。於X為3之情形時，矽化合物例如為具有三個官能基之三官能矽烷。

[化3]

作為式(1)所表示之矽化合物之另一具體例，可列舉：X為4之化合物。於該情形時，矽化合物例如為具有四個官能基之四官能矽烷。

單體之矽化合物例如亦可為矽化合物前驅物之水解物。作為矽化合物前驅物，例如只要為可藉由水解而產生矽化合物者即可，作為具體例，可列舉：下述式(2)所表示之化合物。

[化4]

上述式(2)中，X例如為2、3或4， R¹ 及R² 分別獨立地為直鏈或支鏈烷基， R¹ 及R² 可相同，亦可不同，於X為2之情形時，R¹ 可相互相同，亦可不同， R² 可相互相同，亦可不同。

X及R¹ 例如與式(1)中之X及R¹ 相同。R² 例如可援用式(1)中之R¹ 之例示。

作為式(2)所表示之矽化合物前驅物之具體例，例如可列舉：X為3之下述式(2')所示之化合物。於下述式(2')中，R¹ 及R² 分別與式(2)之情形相同。於R¹ 及R² 為甲基之情形時，矽化合物前驅物為三甲氧基(甲基)矽烷(以下，亦稱為「MTMS」)。

[化5]

單體之矽化合物，例如就低折射率性優異之方面而言，較佳為三官能矽烷。又，單體之矽化合物，例如就強度(例如，耐擦傷性)優異之方面而言，較佳為四官能矽烷。單體之矽化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。例如，作為單體之矽化合物，可僅包含官能矽烷，亦可僅包含四官能矽烷，亦可包含三官能矽烷與四官能矽烷之兩者，亦可進而包含其他矽化合物。於使用兩種以上之矽化合物作為單體之矽化合物之情形時，其比率並無特別限制，可適宜設定。

以下，對此種出射控制層之形成方法之一例進行說明。

該方法代表性而言包含：於樹脂膜上形成作為出射控制層(空隙層)之前驅物之空隙結構之前驅物形成步驟、及於前驅物形成步驟後於該前驅物內部引起交聯反應之交聯反應步驟。該方法進而包含：製作包含微細孔粒子之含有液(以下，有時稱為「微細孔粒子含有液」或簡稱為「含有液」)之含有液製作步驟、及使該含有液乾燥之乾燥步驟，且於前驅物形成步驟中，使乾燥體中之微細孔粒子彼此化學鍵結而形成前驅物。含有液並無特別限定，例如為包含微細孔粒子之懸濁液。再者，於以下，主要對微細孔粒子為凝膠狀化合物之粉碎物，且空隙層包含凝膠狀化合物之粉碎物之多孔體(較佳為聚矽氧多孔體)之情形進行說明。然而，關於出射控制層，於微細孔粒子為凝膠狀化合物之粉碎物以外之情形時，亦可同樣地形成。

根據上述之方法，例如可形成具有非常低之折射率之出射控制層(空隙層)。其理由例如如下般推測。然而，該推測並不限定本發明及出射控制層之形成方法。

上述粉碎物係將凝膠狀矽化合物粉碎而成者，故而粉碎前之凝膠狀矽化合物之三維結構成為分散於三維基本結構中之狀態。進而，於上述方法中，藉由將凝膠狀矽化合物之破碎物塗敷於樹脂膜上，而形成基於三維基本結構之多孔性結構之前驅物。即，根據上述之方法，可形成與凝膠狀矽化合物之三維結構不同之藉由粉碎物之塗敷之新的多孔結構(三維基本結構)。因此，於最終所獲得之空隙層中，例如可實現與空氣層相同程度地發揮功能之低折射率。進而，於上述之方法中，使破碎物彼此化學鍵結，故而使三維基本結構固定化。因此，最終所獲得之空隙層儘管為具有空隙之結構，亦可維持充分之強度與可撓性。

進而，上述之方法係進行上述前驅物形成步驟與上述交聯反應步驟作為其他步驟。此外，較佳為以多個階段進行交聯反應步驟。藉由於多個階段進行交聯反應步驟，例如可與於一個階段進行交聯反應步驟相比進一步提高前驅物之強度，可獲得兼具高空隙率與強度之出射控制層。其機制雖不明確，但例如如下般推測。即，若如上所述與形成空隙層之同時藉由觸媒等而提高膜強度，則有雖然藉由觸媒反應之進行而膜強度提高，但空隙率降低之問題。其原因認為在於：例如藉由以觸媒之微細孔粒子彼此之交聯反應之進行，而微細孔粒子彼此之交聯(化學鍵結)之數量增加，藉此鍵結變得牢固，但空隙層整體凝縮而空隙率降低。相對於此，認為藉由進行前驅物形成步驟與交聯反應步驟作為其他步驟，且於多個階段進行交聯反應步驟，例如可幾乎不使前驅物整體之形態發生變化(例如，幾乎不引起整體之凝縮)而增加交聯(化學鍵結)之數量。然而，該等為可推測之機制之一例，並不限定本發明及出射控制層之形成方法。

於前驅物形成步驟中，例如積層具有一定形狀之粒子，形成空隙層之前驅物。該時間點之前驅物之強度非常弱。其後，例如藉由光或熱活性觸媒反應，而產生可使微細孔粒子彼此化學鍵結之產物(例如，由光鹼產生劑所產生之強鹼觸媒等)(交聯反應步驟之第一階段)。認為為了高效率且短時間地進行反應，藉由進而進行加熱熟化(交聯反應步驟之第二階段)，而微細孔粒子彼此之化學鍵結(交聯反應)進而進行而強度提高。認為例如於微細孔粒子為矽化合物之微細孔粒子(例如凝膠狀二氧化矽化合物之粉碎體)，且於前驅物中存在殘留矽烷醇基(Si-OH基)之情形時，殘留矽烷醇基彼此藉由交聯反應而化學鍵結。然而，該說明亦為例示，並不限定本發明及出射控制層之形成方法。

上述之方法具有製作包含微細孔粒子之含有液之含有液製作步驟。於微細孔粒子為凝膠狀化合物之粉碎物之情形時，粉碎物例如可使凝膠狀化合物粉碎而獲得。藉由凝膠狀化合物之粉碎，而如上所述使凝膠狀化合物之三維結構破壞而分散為三維基本結構。粉碎物之製備之一例係如下所述。

單體化合物之凝膠化例如可藉由使單體化合物相互氫鍵或分子間力鍵結而進行。作為單體化合物，例如可列舉：上述式(1)所表示之矽化合物。式(1)之矽化合物具有羥基，故而式(1)之單體間例如可經由各者之羥基而氫鍵或分子間力鍵結。

或者，矽化合物可為上述矽化合物前驅物之水解物，例如亦可使上述式(2)所表示之矽化合物前驅物水解而生成。

單體化合物前驅物之水解之方法並無特別限制，例如可藉由觸媒存在下之化學反應而進行。作為觸媒，例如可列舉：草酸、乙酸等酸等。水解反應例如可藉由於矽化合物與二甲基亞碸之混合液(例如懸濁液)中，於室溫環境下緩緩地滴加混合草酸之水溶液後，直接攪拌30分鐘左右而進行。於將矽化合物前驅物進行水解時，例如可藉由將矽化合物前驅物之烷氧基進行完全水解，而進一步高效率地進行其後之凝膠化、熟成、空隙結構形成後之加熱、固定化。

單體化合物之凝膠化例如可藉由單體間之脫水縮合反應而進行。脫水縮合反應例如較佳為於觸媒存在下進行，作為觸媒，例如可列舉：鹽酸、草酸、硫酸等酸觸媒、及氨、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨等鹼觸媒等脫水縮合觸媒。作為脫水縮合觸媒，較佳為鹼觸媒。於脫水縮合反應中，觸媒相對於單體化合物之添加量並無特別限制。觸媒例如相對於單體化合物1莫耳，可添加較佳為0.05莫耳～10莫耳，更佳為0.1莫耳～7莫耳，進而較佳為0.1莫耳～5莫耳。

單體化合物之凝膠化例如較佳為於溶劑中進行。單體化合物相對於溶劑之比率並無特別限制。作為溶劑，例如可列舉：二甲基亞碸(DMSO)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基甲醯胺(DMF)、γ-丁內酯(GBL)、乙腈(MeCN)、乙二醇***(EGEE)等。溶劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。以下，將用於凝膠化之溶劑亦稱為「凝膠化用溶劑」。

凝膠化之條件並無特別限制。對包含單體化合物之溶劑之處理溫度例如為20℃～30℃，較佳為22℃～28℃，更佳為24℃～26℃。處理時間例如為1分鐘～60分鐘，較佳為5分鐘～40分鐘，更佳為10分鐘～30分鐘。於進行脫水縮合反應之情形時，其處理條件並無特別限制，可援用該等之例示。藉由進行凝膠化，例如可使矽氧烷鍵生長，形成二氧化矽一次粒子，藉由進而反應進行，而一次粒子彼此連結為念珠狀而產生三維結構之凝膠。

藉由凝膠化所獲得之凝膠狀化合物較佳為於凝膠化反應後實施熟成處理。藉由熟成處理，而例如使利用凝膠化所獲得之具有三維結構之凝膠之一次粒子進而生長，增加粒子本身之尺寸，結果為，可使粒子彼此接觸之頸部分之接觸狀態自點接觸成為面接觸(增加接觸面積)。進行過熟成處理之凝膠例如增加凝膠本身之強度，結果為，可提高進行粉碎後之三維基本結構之強度。藉此，例如於塗敷粉碎物後之乾燥步驟中，可抑制堆積有三維基本結構之空隙結構之微孔尺寸伴隨乾燥過程之溶劑揮發而收縮。

熟成處理例如可藉由於特定之溫度下將凝膠狀化合物保溫特定時間而進行。熟成溫度例如為30℃以上，較佳為35℃以上，更佳為40℃以上。另一方面，熟成溫度例如為80℃以下，較佳為75℃以下，更佳為70℃以下。熟成溫度之範圍例如為30℃～80℃，較佳為35℃～75℃，更佳為40℃～70℃。熟成時間例如為5小時以上，較佳為10小時以上，更佳為15小時以上。另一方面，熟成時間例如為50小時以下，較佳為40小時以下，更佳為30小時以下。熟成時間之範圍例如為5小時～50小時，較佳為10小時～40小時，更佳為15小時～30小時。再者，關於熟成條件，例如可以可獲得二氧化矽一次粒子尺寸之增大、及頸部分之接觸面積之增大之方式最佳化。進而較佳為考慮使用之溶劑之沸點，例如若熟成溫度過高，則溶劑過量地揮發，有產生因塗敷液(凝膠液)濃度之濃縮而使三維空隙結構之微孔閉口等不良情況之可能性。另一方面，例如於熟成溫度過低之情形時，有不僅無法充分獲得藉由熟成之效果，於量產製程之經時之溫度偏差增大，而成為特性較差之出射控制層之可能性。

熟成處理例如可使用與凝膠化處理相同之溶劑。具體而言，較佳為相對於凝膠處理後之反應物(即，包含凝膠狀化合物之溶劑)，直接實施熟成處理。結束凝膠化後之熟成處理之凝膠(凝膠狀化合物例如凝膠狀矽化合物)中所含之殘留矽烷醇基之莫耳數例如為50%以下，較佳為40%以下，更佳為30%以下。另一方面，殘留矽烷醇基之莫耳數例如為1%以上，較佳為3%以上，更佳為5%以上。殘留矽烷醇基之莫耳數之範圍例如為1%～50%，較佳為3%～40%，更佳為5%～30%。為了提高凝膠之硬度，例如殘留矽烷醇基之莫耳數越低越佳。若矽烷醇基之莫耳數過高，則例如有變得無法保持空隙結構直至聚矽氧多孔體之前驅物交聯之可能性。另一方面，若矽烷醇基之莫耳數過低，則有例如於製作微細孔粒子含有液(例如懸濁液)之步驟及/或其後之步驟中，變得無法使凝膠狀化合物之粉碎物交聯，而無法賦予充分之膜強度之可能性。再者，殘留矽烷醇基之莫耳數例如係將原材料(例如，單體化合物前驅物)之烷氧基之莫耳數設為100之情形之殘留矽烷醇基之比率。再者，上述為矽烷醇基之例，但例如於利用各種反應性官能基修飾單體之矽化合物之情形時，可對各者之官能基亦應用相同之事項及條件等。

使單體化合物於凝膠化用溶劑中凝膠化後，將所獲得之凝膠狀化合物進行粉碎。粉碎例如可對凝膠化用溶劑中之凝膠狀化合物直接實施粉碎處理，亦可將凝膠化用溶劑置換為其他溶劑後，對該其他溶劑中之凝膠狀化合物實施粉碎處理。又，例如藉由應用於凝膠化反應之觸媒及所使用之溶劑於熟成步驟後亦殘留，而於產生液之經時凝膠化(適用期)、乾燥步驟時之乾燥效率降低之情形時，較佳為置換為其他溶劑。以下，將上述其他溶劑亦稱為「粉碎用溶劑」。

粉碎用溶劑並無特別限制，例如可使用有機溶劑。作為有機溶劑，可列舉：沸點為例如130℃以下、較佳為100℃以下、更佳為85℃以下之溶劑。作為具體例，可列舉：異丙醇(IPA)、乙醇、甲醇、丁醇、丙二醇單甲醚(PGME)、甲基溶纖劑、丙酮、二甲基甲醯胺(DMF)等。粉碎用溶劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。

凝膠化用溶劑與粉碎用溶劑之組合並無特別限制，例如可列舉：DMSO與IPA、DMSO與乙醇、DMSO與甲醇、DMSO與丁醇之組合等。如此，藉由將凝膠化用溶劑置換為破碎用溶劑，可例如於下述之塗膜形成中，形成更均勻之塗膜。

凝膠狀化合物之粉碎方法並無特別限制，例如可藉由超音波均質器、高速旋轉均質器、其他之使用空穴作用效應之粉碎裝置而進行。球磨機等進行介質粉碎之裝置例如係於粉碎時對凝膠之空隙結構進行物理性破壞，相對於此，均質器等空穴作用方式粉碎裝置例如為無介質方式，故而以高速之剪切力將全部內包於凝膠三維結構中之相對弱之鍵結之二氧化矽粒子接合面剝離。藉此，所獲得之凝膠三維結構例如可保持具有一定範圍之粒度分佈之空隙結構，可再形成源自塗敷、乾燥時之堆積之空隙結構。粉碎之條件並無特別限制，較佳為例如可藉由瞬間賦予高速之流動，而於不使溶劑揮發之情況下將凝膠粉碎。例如，較佳為以成為如上所述之粒度不均一(例如，體積平均粒徑或粒度分佈)之粉碎物之方式進行粉碎。假如於粉碎時間、強度等工作量不足之情形時，例如有不僅粗粒殘留而無法形成緻密之微孔，並且外觀缺點亦增加而無法獲得較高之品質之可能性。另一方面，於工作量過多之情形時，例如有與所需之粒度分佈相比成為微細之粒子，於塗敷、乾燥後所堆積之空隙尺寸變得微細，而有無法獲得所需之空隙率之可能性。

以如上之方式，可製作包含微細孔粒子(凝膠狀化合物之粉碎物)之液(例如懸濁液)。進而，於製作包含微細孔粒子之液後，或於製作步驟中，可藉由施加使微細孔粒子彼此化學鍵結之觸媒，而製作包含微細孔粒子及觸媒之含有液。觸媒例如亦可為促進微細孔粒子彼此之交聯鍵結之觸媒。作為使微細孔粒子彼此化學鍵結之化學反應，較佳為利用二氧化矽溶膠分子中所含之殘留矽烷醇基之脫水縮合反應。藉由利用觸媒促進矽烷醇基之羥基彼此之反應，可實現以短時間獲得使空隙結構硬化之連續成膜。作為觸媒，例如可列舉：光活性觸媒及熱活性觸媒。根據光活性觸媒，例如可於前驅物形成步驟中，不藉由加熱而使微細孔粒子彼此化學鍵結(例如交聯鍵結)。藉此，例如於前驅物形成步驟中，不易引起前驅物整體之收縮，故而可維持更高之空隙率。又，亦可除觸媒以外，或替代其，使用產生觸媒之物質(觸媒產生劑)。例如，亦可除光活性觸媒以外，或替代其，使用藉由光而產生觸媒之物質(光觸媒產生劑)，亦可除熱活性觸媒以外，或替代其，使用藉由熱而產生觸媒之物質(熱觸媒產生劑)。作為光觸媒產生劑，例如可列舉：光鹼產生劑(藉由光照射而產生鹼性觸媒之物質)、光酸產生劑(藉由光照射而產生酸性觸媒之物質)等，較佳為光鹼產生劑。作為光鹼產生劑，例如可列舉：N,N-二乙基胺基甲酸9-蒽基甲酯(9-anthrylmethyl N,N-diethylcarbamate，商品名WPBG-018)、(E)-1-[3-(2-羥基苯基)-2-丙醯基]哌啶((E)-1-[3-(2-hydroxyphenyl)-2-propenoyl]piperidine，商品名WPBG-027)、咪唑羧酸1-(蒽醌-2-基)乙酯(1-(anthraquinon-2-yl)ethyl imidazolecarboxylate，商品名WPBG-140)、4-甲基丙烯醯氧基哌啶-1-羧酸2-硝基苯基甲酯(商品名WPBG-165)、2-(3-苯甲醯基苯基)丙酸1,2-二異丙基-3-[雙(二甲基胺基)亞甲基]胍(商品名WPBG-266)、正丁基三苯基硼酸1,2-二環己基-4,4,5,5-四甲基雙胍(商品名WPBG-300)、及2-(9-側氧基𠮿

-2-基)丙酸1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯(東京化成工業股份有限公司)、包含4-哌啶甲醇之化合物(商品名HDPD-PB100：Heraeus公司製造)等。再者，上述包含「WPBG」之商品名均為和光純藥工業股份有限公司之商品名。作為光酸產生劑，例如可列舉：芳香族鋶鹽(商品名SP-170：ADEKA公司)、三芳基鋶鹽(商品名CPI101A：San-Apro公司)、芳香族錪鹽(商品名Irgacure250：Ciba Japan公司)等。又，使微細孔粒子彼此化學鍵結之觸媒並不限定於光活性觸媒及光觸媒產生劑，例如亦可為熱活性觸媒或如脲之熱觸媒產生劑。使微細孔粒子彼此化學鍵結之觸媒例如可列舉：氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨等鹼觸媒、鹽酸、乙酸、草酸等酸觸媒等。該等之中，較佳為鹼觸媒。使微細孔粒子彼此化學鍵結之觸媒或觸媒產生劑例如於塗敷前立刻添加至包含粉碎物(微細孔粒子)之溶膠粒子液(例如懸濁液)中使用，或可作為將觸媒或觸媒產生劑混合於溶劑中而成之混合液而使用。混合液例如亦可為直接添加於溶膠粒子液中溶解而成之塗敷液、將觸媒或觸媒產生劑溶解於溶劑中而成之溶液、或使觸媒或觸媒產生劑分散於溶劑中而成之分散液。溶劑並無特別限制，例如可列舉：水、緩衝液等。

其次，於例如樹脂膜(以下，有時稱為「基材」)上或導光部上塗敷包含微細孔粒子之含有液(例如懸濁液)(塗敷步驟)。塗敷例如可使用下述之各種塗敷方式，又，並不限定於該等。藉由將包含微細孔粒子(例如凝膠狀二氧化矽化合物之粉碎物)之含有液直接塗敷於樹脂膜或導光部上，可形成包含微細孔粒子及觸媒之塗膜。塗膜例如亦可稱為塗敷層。藉由形成塗膜，例如藉由使三維結構經破壞之粉碎物沈澱、堆積，而構築新的三維結構。再者，例如包含微細孔粒子之含有液亦可不含使微細孔粒子彼此化學鍵結之觸媒。例如，如下所述，亦可於塗膜吹送使微細孔粒子彼此化學鍵結之觸媒後，或一面吹送一面形成前驅物形成步驟。然而，包含微細孔粒子之含有液包含使微細孔粒子彼此化學鍵結之觸媒，亦可藉由塗膜中所含之觸媒之作用，而使微細孔粒子彼此化學鍵結而形成多孔體之前驅物。

上述溶劑(以下，亦稱為「塗敷用溶劑」)並無特別限制，例如可使用有機溶劑。作為有機溶劑，例如可列舉：沸點150℃以下之溶劑。作為具體例，例如可列舉：IPA、乙醇、甲醇、正丁醇、2-丁醇、異丁醇、戊醇等，又，可使用與粉碎用溶劑相同者。於出射控制層之形成方法包含將凝膠狀化合物粉碎之步驟之情形時，於塗膜之形成步驟中，例如亦可直接使用包含凝膠狀化合物之粉碎物之粉碎用溶劑。

於塗敷步驟中，例如較佳為將分散於溶劑中之溶膠狀之粉碎物(以下，亦稱為「溶膠粒子液」)塗敷於基材上。溶膠粒子液例如可藉由於基材上塗敷、乾燥後，進行上述化學交聯，而將具有一定等級以上之膜強度之空隙層連續成膜。再者，所謂本發明之實施形態之「溶膠」，係指藉由將凝膠之三維結構進行粉碎，而使保持空隙結構之一部分之奈米三維結構之二氧化矽溶膠粒子分散於溶劑中而顯示流動性之狀態。

塗敷用溶劑中之粉碎物之濃度並無特別限制，例如為0.3%(v/v)～50%(v/v)，較佳為0.5%(v/v)～30%(v/v)，更佳為1.0%(v/v)～10%(v/v)。若粉碎物之濃度過高，則例如溶膠粒子液之流動性明顯降低，有產生塗敷時之凝集物、塗敷條紋之可能性。若粉碎物之濃度過低，則例如不僅溶膠粒子液之溶劑之乾燥花費相當之時間，且剛乾燥後之殘留溶劑亦提高，故而有空隙率降低之可能性。

溶膠之物性並無特別限制。溶膠之剪切黏度於10001/s之剪切速度下，例如為100 cPa・s以下，較佳為10 cPa・s以下，更佳為1 cPa・s以下。若剪切黏度過高，則例如有產生塗敷條紋，可見凹版塗敷之轉印率之降低等不良情況之可能性。相反地，於剪切黏度過低之情形時，例如無法增加塗敷時之濕式塗佈厚度，有於乾燥後無法獲得所需之厚度之可能性。

於粉碎物相對於基材或導光部之塗敷量並無特別限制，例如可根據所需之聚矽氧多孔體(結果為出射控制層)之厚度等而適宜設定。作為具體例，於形成厚度0.1 μm～1000 μm之聚矽氧多孔體之情形時，粉碎物相對於基材或導光部之塗敷量係基材或導光部之面積每1 m² ，例如為0.01 μg～60000 μg，較佳為0.1 μg～5000 μg，更佳為1 μg～50 μg。溶膠粒子液之較佳之塗敷量例如與液之濃度或塗敷方式等有關，故而難以單一化定義，但若考慮生產性，則較佳為以儘可能薄層進行塗敷。若塗佈量過多，則例如於溶劑揮發之前利用乾燥爐乾燥之可能性提高。藉此，藉由於溶劑中使奈米粉碎溶膠粒子沈澱、堆積而形成空隙結構之前，使溶劑乾燥，而有妨礙空隙之形成而使空隙率大幅降低之可能性。另一方面，若塗佈量過薄，則有因基材或導光部之凹凸、親疏水性之偏差等而產生塗敷收縮之風險升高之可能性。

進而，出射控制層之形成方法例如如上所述，具有於樹脂膜(基材)或導光部上形成作為空隙層(出射控制層)之前驅物之空隙結構之前驅物形成步驟。前驅物形成步驟並無特別限定，例如亦可藉由使塗敷微細孔粒子含有液所製作之塗膜乾燥之乾燥步驟，而形成前驅物(空隙結構)。不僅可藉由乾燥步驟中之乾燥處理，而例如將上述塗膜中之溶劑(溶膠粒子液中所含之溶劑)去除，亦可於乾燥處理中使溶膠粒子沈澱、堆積，而形成空隙結構。乾燥處理之溫度例如為50℃～250℃，較佳為60℃～150℃，更佳為70℃～130℃。乾燥處理之時間例如為0.1分鐘～30分鐘，較佳為0.2分鐘～10分鐘，更佳為0.3分鐘～3分鐘。關於乾燥處理溫度及時間，例如於連續生產性或較高之空隙率之表現之相關中，溫度越低、時間越短，則越佳。若條件過於苛刻，則例如於塗敷於樹脂膜之情形時，藉由接近樹脂膜之玻璃轉移溫度，而樹脂膜於乾燥爐中延展，有於剛塗敷後，於所形成之空隙結構產生龜裂等缺點之可能性。另一方面，於條件過緩之情形時，例如於移出乾燥爐之時點包含殘留溶劑，故而於下一步驟中與輥摩擦時，有產生帶有刮痕等外觀上之不良情況之可能性。

乾燥處理例如可為自然乾燥，亦可為加熱乾燥，亦可為減壓乾燥。其中，於以工業上連續生產為前提之情形時，較佳為使用加熱乾燥。加熱乾燥之方法並無特別限制，例如可使用通常之加熱方法。作為加熱方法，例如可列舉：熱風器、加熱輥、遠紅外線加熱器等。又，關於所使用之溶劑，為了抑制伴隨乾燥時之溶劑揮發之收縮應力之產生、因此所導致之空隙層(聚矽氧多孔體)之龜裂現象，較佳為表面張力較低之溶劑。作為溶劑，例如可列舉：異丙醇(IPA)所代表之低級醇、己烷、全氟己烷等。又，亦可於上述IPA等中添加少量全氟系界面活性劑或聚矽氧系界面活性劑而降低表面張力。

進而，出射控制層之形成方法係如上所述般，包含於前驅物形成步驟後，於前驅物內部引起交聯反應之交聯反應步驟，於該交聯反應步驟中，藉由光照射或加熱而產生鹼性物質且交聯反應步驟為多個階段。於交聯反應步驟之第一階段中，例如使微細孔粒子彼此藉由觸媒(鹼性物質)之作用而化學鍵結。藉此，例如塗膜(前驅物)中之粉碎物之三維結構被固定化。於進行先前之藉由燒結之固定化之情形時，例如藉由進行200℃以上之高溫處理，而誘導矽烷醇基之脫水縮合、矽氧烷鍵之形成。於本形成方法中，藉由使將上述之脫水縮合反應觸媒之各種添加劑發生反應，可例如不對基材(樹脂膜)造成損傷，而以100℃前後之相對低之乾燥溫度、及未達數分鐘之較短之處理時間，連續地將空隙結構形成、固定化。

化學鍵結之方法並無特別限制，例如可根據凝膠狀矽化合物之種類而適宜決定。作為具體例，化學鍵結例如可藉由粉碎物彼此之化學交聯鍵結而進行，此外，例如於將氧化鈦等無機粒子等添加至粉碎物中之情形時，亦考慮使無機粒子與粉碎物化學交聯鍵結。又，於擔載酵素等生物觸媒之情形時，亦有使與觸媒活性點不同之部位與粉碎物化學交聯鍵結之情形。因此，出射控制層之形成方法例如不僅為利用溶膠粒子彼此形成之空隙層(聚矽氧多孔體)，亦考慮有機無機混合空隙層、主客空隙層等之應用展開。

上述觸媒存在下之化學反應於出射控制層之形成方法中之哪一階段進行(產生)並無特別限定，例如於上述多階段之交聯反應步驟中之至少任一階段進行。例如，於出射控制層之形成方法中，亦可如上所述，使乾燥步驟兼具前驅物形成步驟。又，例如亦可於乾燥步驟後，進行多個階段之交聯反應步驟，於其至少一個階段中使微細孔粒子彼此藉由觸媒之作用而化學鍵結。例如，於如上所述觸媒為光活性觸媒之情形時，亦可於交聯反應步驟中，藉由光照射而使微細孔粒子彼此化學鍵結而形成多孔體之前驅物。又，於觸媒為熱活性觸媒之情形時，亦可於交聯反應步驟中，藉由加熱而使微細孔粒子彼此化學鍵結而形成多孔體之前驅物。

上述化學反應例如可藉由對包含預先添加至溶膠粒子液(例如懸濁液)中之觸媒之塗膜進行光照射或加熱，或對塗膜吹送觸媒後進行光照射或加熱，或一面吹送觸媒一面進行光照射或加熱而進行。光照射中之累計光量並無特別限定，以波長360 nm換算，例如為200 mJ/cm² ～800 mJ/cm² ，較佳為250 mJ/cm² ～600 mJ/cm² ，更佳為300 mJ/cm² ～400 mJ/cm² 。就防止照射量不充分而藉由觸媒之光吸收之分解不進行而效果變得不充分之觀點而言，較佳為200 mJ/cm² 以上之累計光量。又，就防止因對空隙層下之基材施加損傷而產生熱皺紋之觀點而言，較佳為800 mJ/cm² 以下之累計光量。加熱處理之條件並無特別限制。加熱溫度例如為50℃～250℃，較佳為60℃～150℃，更佳為70℃～130℃。加熱時間例如為0.1分鐘～30分鐘，較佳為0.2分鐘～10分鐘，更佳為0.3分鐘～3分鐘。或者，亦可使如上所述將所塗敷之溶膠粒子液(例如懸濁液)乾燥之步驟兼具進行觸媒存在下之化學反應之步驟。即，於將所塗敷之溶膠粒子液(例如懸濁液)乾燥之步驟中，亦可藉由觸媒存在下之化學反應，而使粉碎物(微細孔粒子)彼此化學鍵結。於該情形時，亦可藉由於乾燥步驟後對塗膜進而加熱，而使粉碎物(微細孔粒子)彼此進而牢固地鍵結。進而，推測觸媒存在下之化學反應有於製作微細孔粒子含有液(例如懸濁液)之步驟、及塗敷微細孔粒子含有液之步驟中亦產生之情形。然而，該推測並不限定本發明及出射控制層之形成方法。又，關於所使用之溶劑，例如為了抑制伴隨乾燥時之溶劑揮發之收縮應力之產生、因此所導致之空隙層之龜裂現象，較佳為表面張力較低之溶劑。例如可列舉：異丙醇(IPA)所代表之低級醇、己烷、全氟己烷等。

於出射控制層之形成方法中，可藉由交聯反應步驟為多個階段，而例如與交聯反應步驟為一個階段之情形相比，進一步提高空隙層(出射控制層)之強度。以下，有時將交聯反應步驟之第二階段以後之步驟稱為「熟化步驟」。於熟化步驟中，例如亦可藉由對前驅物進行加熱，而於前驅物內部進而促進交聯反應。於交聯反應步驟中所產生之現象及機制雖然不明確，但例如為如上所述。例如，於熟化步驟中，藉由將加熱溫度設為低溫，一面抑制前驅物之收縮一面引起交聯反應而提高強度，可達成高空隙率與強度之兼顧。熟化步驟中之溫度例如為40℃～70℃，較佳為45℃～65℃，更佳為50℃～60℃。進行熟化步驟之時間例如為10 hr～30 hr，較佳為13 hr～25 hr，更佳為15 hr～20 hr。

以如上之方式所形成之出射控制層之強度優異，故而例如可製成輥狀之多孔體，有製造效率良好、容易操作等優點。

以如此之方式所形成之出射控制層(空隙層)例如亦可進而與其他膜(層)積層，製成包含多孔質結構之積層結構體。於該情形時，積層結構體中之各構成元件例如亦可經由黏著劑或接著劑而積層。各構成元件之積層例如為有效率，故而可藉由使用長條膜之連續處理(所謂捲對捲式等)進行積層，亦可於基材為成形物、元件等之情形時，將進行過分批處理者積層。

D.光取出構件之使用形態之例以下，對本發明之實施形態之光取出構件之使用形態之例簡單地說明。

作為一例，光取出構件可用作圖像顯示裝置之導光板。光取出構件係如上所述，可藉由調整出射控制層之圖案等而控制出射特性，故而根據圖像顯示裝置之目的、特性等之出射特性之最佳化變得容易。進而，光取出構件係如上所述與其他構件之複合化容易，故而於圖像顯示裝置中，可提供為與偏光板、位相差板、角柱薄片、光擴散元件等複合化而成之光學構件。此種光取出構件、及光取出構件與其他構件複合化而成之光學構件亦可用於照明裝置。

作為另一例，光取出構件可用作電子看板。例如，若將以如圖2之文字圖案形成出射控制層之光取出構件與螢光體積層並點亮光源，則僅自文字以外之部分出射光，故而可形成文字以外發光之(即，不包括文字)顯示之電子看板。又，例如若將以不帶企業標誌或商品標誌之圖案形成出射控制層之光取出構件與螢光體積層而點亮光源，則可形成企業標誌或商品標誌發光之(即，企業標誌或商品標誌浮出)顯示之電子看板。 [實施例]

以下，藉由實施例具體地說明本發明，本發明並不受該等實施例任何限定。再者，各特性之測定方法係如下所述。

(1)出射控制層之折射率於丙烯酸膜形成出射控制層後，切斷為50 mm×50 mm之尺寸，將其經由黏著層而貼合於玻璃板(厚度：3 mm)之表面。對上述玻璃板之背面中央部(直徑20 mm左右)以黑色標記油墨進行塗壓，製成於該玻璃板之背面不反射之樣品。於橢圓偏光計(J.A.Woollam Japan公司製造：VASE)安裝上述樣品，於500 nm之波長、入射角50～80度之條件下測定折射率。 (2)光取出之效果將市售之具有側光型LED之光源之平板(Apple公司製造，商品名「i-Pad2」)分解，將背光單元取出。其次，自背光單元將反射片材以外去除，將實施例及比較例中所獲得之積層體安裝至背光部分，點亮光源並藉由目視確認光源之入射側至終端部側之光之明暗。

[製造例1]出射控制層形成用塗敷液之製備 (1)矽化合物之凝膠化於2.2 g之二甲基亞碸(DMSO)中，將作為矽化合物之前驅物之甲基三甲氧基矽烷(MTMS)0.95 g溶解而製備混合液A。藉由於該混合液A中添加0.01 mol/L之草酸水溶液0.5 g，於室溫下進行30分攪拌，而使MTMS水解，產生包含三(羥基)甲基矽烷之混合液B。藉由於5.5 g之DMSO中，添加28重量%之氨水0.38 g、及純水0.2 g後，進而追加上述混合液B，於室溫下攪拌15分鐘，而進行三(羥基)甲基矽烷之凝膠化，獲得包含凝膠狀矽化合物之混合液C。 (2)熟成處理將如上所述所製備之包含凝膠狀矽化合物之混合液C直接於40℃下保溫20小時，進行熟成處理。 (3)粉碎處理繼而，將如上所述經熟成處理之凝膠狀矽化合物使用刮刀粉碎為數 mm～數cm尺寸之顆粒狀。繼而，於混合液C中添加異丙醇(IPA)40 g，輕輕地攪拌後，於室溫下靜置6小時，將凝膠中之溶劑及觸媒傾析。藉由進行3次同樣之傾析處理，而進行溶劑置換，獲得混合液D。其次，將混合液D中之凝膠狀矽化合物進行粉碎處理(高壓無介質粉碎)。粉碎處理(高壓無介質粉碎)係使用均質器(SMT公司製造，商品名「UH-50」)，稱量混合液D中之凝膠狀化合物1.85 g及IPA 1.15 g置於5 cc之螺旋瓶中後，於50 W、20 kHz之條件下進行2分鐘之粉碎。藉由該粉碎處理，藉由將上述混合液D中之凝膠狀矽化合物粉碎，而使該混合液D'成為粉碎物之溶膠液。藉由動態光散射式奈米磁道粒度分析計(日機裝公司製造，UPA-EX150型)而確認顯示混合液D'中所含之粉碎物之粒度不均一之體積平均粒徑，結果為0.50～0.70。進而，於該溶膠液(混合液C')0.75 g中，將光鹼產生劑(和光純藥工業股份有限公司：商品名WPBG266)之1.5重量%濃度MEK(甲基乙基酮)溶液以0.062 g之比率、將雙(三甲氧基矽烷基)乙烷之5%濃度MEK溶液以0.036 g之比率添加，獲得出射控制層形成用塗敷液。

[實施例1] 將製造例1中所製備之出射控制層形成用塗敷液塗佈於厚度0.55 mm之壓克力板。此時，出射控制層係以不僅壓克力板之整個面，以遍及以距離端部3 cm間隔所塗敷之面及未塗敷之面之方式(即，以成為寬度3 cm之條紋狀之方式)，經由遮罩而實施塗敷。此時，所形成之塗佈層之Wet厚度(乾燥前之厚度)為約27 μm。將該塗佈層於溫度100℃下進行1分鐘處理而乾燥，進而對乾燥後之塗敷層，使用波長360 nm之光並以300 mJ/cm² 之光照射量(能量)進行UV照射，獲得具有壓克力板/出射控制層之構成之積層體。該出射控制層之折射率為1.15。其次，獲得於該積層體貼合折射率1.47之丙烯酸系黏著劑，進而於該黏著面貼合參考日本專利第4756100號所製作之霧度99%之光擴散層之光學積層體A。以如上所述之方式，獲得具備形成於特定部分之出射控制層與光擴散層之積層體A(光擴散層/黏著劑/出射控制層(並非整個面而為一部分)/壓克力板)。將所獲得之積層體A供於上述評價(2)。將結果示於表1。

[比較例1] 不形成出射控制層，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得積層體B(光擴散層/黏著劑/壓克力板)。將所獲得之積層體B供於上述評價(2)。將結果示於表1。

[比較例2] 使用製造例1中所製備之出射控制層形成用塗敷液，將低折射率層(Wet厚度：約27 μm)形成於壓克力板之整個面，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得積層體C(光擴散層/黏著劑/低折射率層(整個面)/壓克力板)。將所獲得之積層體C供於上述評價(2)。將結果示於表1。

[表1]

如由表1可明確，根據本發明之實施例，可藉由使出射控制層圖案化而配置於具有光取出機構之層(此處為壓克力板)，而實現根據目的之所需之出射特性(光取出效果)。另一方面，於比較例1中，藉由不形成出射控制層，而使黏著劑覆蓋出射面之整個面。其結果為，於出射面側無空氣或出射控制層，故而光無法於出射面側之界面良好地反射，無法於壓克力板內部傳播。於比較例2中，藉由於出射面整個面形成低折射率層，而光無法自出射面良好地出射而於壓克力板內部傳播，而於入射面與相反側之端面散出。

進而，如由上述結果而理解，根據本發明，可藉由調整出射控制層之圖案，而實現根據目的之適當之出射特性。其結果為，本發明可應用於根據目的之任意適當之導光部(例如設置有任意光取出結構之導光部、光波導)。進而，所需之出射特性可無需複雜之光學設計或複雜之三維結構而獲得，故而本發明之光取出構件與其他構件之複合化容易，生產性優異、廉價，且操作性亦優異。 [產業上之可利用性]

本發明之光取出構件可較佳地用於圖像顯示裝置、照明裝置、電子看板等。

10‧‧‧導光部10'‧‧‧黏著劑層11‧‧‧第1主面12‧‧‧第2主面17‧‧‧凸部20‧‧‧出射控制層20'‧‧‧出射控制層30‧‧‧接著層40‧‧‧光擴散層100、102、103、104‧‧‧光取出構件200‧‧‧黏著劑層

圖1係本發明之一實施形態之光取出構件之概略剖視圖。圖2A係表示本發明之實施形態之光取出構件中之出射控制層之圖案之幾種之例之模式俯視圖。圖2B係表示本發明之實施形態之光取出構件中之出射控制層之圖案另一種例之模式俯視圖。圖3係本發明之另一實施形態之光取出構件之概略剖視圖。圖4係本發明之進而另一實施形態之光取出構件之概略剖視圖。圖5係本發明之進而另一實施形態之光取出構件之概略剖視圖。

10‧‧‧導光部

11‧‧‧第1主面

12‧‧‧第2主面

20‧‧‧出射控制層

100‧‧‧光取出構件

200‧‧‧黏著劑層

Claims

一種光取出構件，其具備：導光部，其具有出射側之第1主面與該第1主面之相反側之第2主面；出射控制層，其係以特定之圖案設置於該導光部之該第1主面；及光取出結構，其設置於該導光部之該第1主面側，且該光取出結構包含從該導光部之該第1主面延伸出去之複數個凸部；且該複數個凸部之兩個以上之凸部位於該出射控制層及該導光部之該第1主面之間，且該複數個凸部之兩個以上之凸部係按照該特定之圖案被該出射控制層完全覆蓋，該複數個凸部之至少一個以上之凸部未基於該特定之圖案被該出射控制層覆蓋，該導光部之折射率n1與該出射控制層之折射率n2滿足n1>n2之關係，該出射控制層之折射率n2為1.01~1.30，上述出射控制層包含形成微細之空隙結構之一種或複數種構成單元，且該構成單元彼此經由觸媒作用而化學鍵結，上述出射控制層之該構成單元為粒子狀，且該粒子狀之構成單元包含含有選自由Si、Mg、Al、Ti、Zn及Zr所組成之群中之至少一種元素之微細孔粒子，上述微細孔粒子包含凝膠狀二氧化矽化合物之粉碎體。
如請求項1之光取出構件，其於上述出射控制層之與上述導光部相反側進而設置另一光取出結構。
如請求項1之光取出構件，其進而具有黏著劑層作為出射側之最外層，且該黏著劑層之折射率n5、上述導光部之折射率n1及上述出射控制層之折射率n2滿足如下之關係：n1>n2、n5>n2、及n1-n2>n1-n5。
如請求項3之光取出構件，其中上述黏著劑層覆蓋上述出射控制層，並且與上述導光部之第1主面相接地設置。
如請求項1之光取出構件，其中規定上述出射控制層之圖案之開口部之分佈以與光源側相比遠離光源之側者變得緊密之方式構成。
如請求項1之光取出構件，其中上述出射控制層之構成單元彼此之鍵結包含氫鍵或共價鍵。
如請求項1之光取出構件，其中上述出射控制層之構成單元包含無機物。