TWI787584B - 光學元件及汽車 - Google Patents

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李榮晨
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Abstract

本申請案是關於光學元件及汽車。本申請案提供能夠實施 各種模式且具有極佳耐久性及類似者的光學元件。

Description

光學元件及汽車
本申請案是關於一種光學元件及汽車。
本申請案主張基於2019年2月25日申請的韓國專利申請案第10-2019-0021759號、2019年2月25日申請的韓國專利申請案第10-2019-0021761號以及2019年2月25日申請的韓國專利申請案第10-2019-0021760號的優先權權益，所述申請案的揭露內容以全文引用的方式併入本文中。
設計成能夠使用液晶化合物來改變透射率的各種光學元件為已知的。
舉例而言，使用所謂的客體主體(guest host；GH)方式的透射率可變器件為已知的，作為主要液晶化合物的主體材料與二向色染料客體的混合物應用於所述客體主體方式，且在所述器件中，液晶化合物主要用作主體材料。此類透射率可變器件應用於各種應用，包含眼用佩戴品，諸如太陽鏡及眼鏡，建築物的外牆或車輛的天窗以及類似者，以及一般顯示器件，諸如TV或監視器。
本申請案提供一種光學元件。
下文中，將參考隨附圖式以及類似者詳細地描述本申請案。隨附圖式展示本申請案的例示性實施例，所述例示性實施例經提供以幫助理解本申請案。在隨附圖式中，厚度可放大以便清楚地表示各別層及區，且本申請案的範疇不受厚度、大小及比率以及圖式中展示的類似者限制。
在本說明書中所提及的實體特性當中，當量測溫度或壓力影響結果時，除非另外規定，否則相關實體特性在常溫及常壓下量測。
在本說明書中，術語「常溫」為自然溫度而不加熱或冷卻，所述自然溫度可一般為約10℃至30℃範圍內的任何溫度或約23℃或約25℃左右的溫度。
在本說明書中，術語「常壓」為不特別降低或增加的自然壓力，所述自然壓力一般意謂約1大氣壓的壓力，諸如大氣壓力。
本申請案是關於一種光學元件。光學元件可包括光學膜。圖1為本申請案的包含於光學元件中的例示性光學膜的側視圖。如圖1中所展示，本申請案的光學膜100包括面向彼此安置的第一基底膜110及第二基底膜150，其中光調製層130可包含於第一基底膜110與第二基底膜150之間。
光學元件可包括透射率控制構件160。透射率控制構件160可為能夠將來自外部電源163的電場施加至光學膜100的構件。
光學膜100可進一步包括分別形成於第一基底膜110及 第二基底膜150與彼此相對的表面上的第一電極層120及第二電極層140。
作為基底膜，可使用例如由玻璃或類似者製成的無機膜或塑膠膜。作為塑膠膜，可使用以下各者：三乙醯纖維素(triacetyl cellulose；TAC)膜；環烯共聚物(cycloolefin copolymer；COP)膜，諸如降冰片烯衍生物；丙烯基膜，諸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methyl methacrylate)；PMMA)；聚碳酸酯(polycarbonate；PC)膜；聚乙烯(polyethylene；PE)膜；聚丙烯(polypropylene；PP)膜；聚乙烯醇(polyvinyl alcohol；PVA)膜；丁二酮纖維素(diacetyl cellulose；DAC)膜；聚丙烯酸酯(polyacrylate；Pac)膜；聚醚碸(polyether sulfone；PES)膜；聚醚醚酮(polyetheretherketone；PEEK)膜；聚苯碸(polyphenylsulfone；PPS)膜、聚醚醯亞胺(polyetherimide；PEI)膜；聚萘二甲酸伸乙酯(polyethylenenaphthatate；PEN)膜；聚對苯二甲酸伸乙酯(polyethylene terephthalate；PET)膜；聚醯亞胺(polyimide；PI)膜；聚碸(polysulfone；PSF)膜；聚芳酯(polyarylate；PAR)膜或氟樹脂膜以及類似者，但不限於此。視需要，基底膜上亦可存在金、銀或諸如二氧化矽或一氧化矽的矽化合物的塗層，或諸如抗反射層的塗層。
作為基底膜，可使用具有在預定範圍內的相位差的膜。在一個實例中，基底膜可具有100奈米或小於100奈米的前相位差。在另一實例中，前相位差可為約95奈米或小於95奈米、約90奈米或小於90奈米、約85奈米或小於85奈米、約80奈米或小於80奈米、約75奈米或小於75奈米、約70奈米或小於70奈米、 約65奈米或小於65奈米、約60奈米或小於60奈米、約55奈米或小於55奈米、約50奈米或小於50奈米、約45奈米或小於45奈米、約40奈米或小於40奈米、約35奈米或小於35奈米、約30奈米或小於30奈米、約25奈米或小於25奈米、約20奈米或小於20奈米、約15奈米或小於15奈米、約10奈米或小於10奈米、約5奈米或小於5奈米、約4奈米或小於4奈米、約3奈米或小於3奈米、約2奈米或小於2奈米、約1奈米或小於1奈米或約0.5奈米或小於0.5奈米。在另一實例中，前相位差可為約0奈米或大於0奈米、約1奈米或大於1奈米、約2奈米或大於2奈米、約3奈米或大於3奈米、約4奈米或大於4奈米、約5奈米或大於5奈米、約6奈米或大於6奈米、約7奈米或大於7奈米、約8奈米或大於8奈米、約9奈米或大於9奈米或約9.5奈米或大於9.5奈米。
基底膜的厚度方向相位差的絕對值可為例如200奈米或小於200奈米。厚度方向相位差的絕對值可為190奈米或小於190奈米、180奈米或小於180奈米、170奈米或小於170奈米、160奈米或小於160奈米、150奈米或小於150奈米、140奈米或小於140奈米、130奈米或小於130奈米、120奈米或小於120奈米、110奈米或小於110奈米、100奈米或小於100奈米、90奈米或小於90奈米、85奈米或小於85奈米、80奈米或小於80奈米、70奈米或小於70奈米、60奈米或小於60奈米、50奈米或小於50奈米、40奈米或小於40奈米、30奈米或小於30奈米、20奈米或小於20奈米、10奈米或小於10奈米、5奈米或小於5奈米、4奈米或小於4奈米、3奈米或小於3奈米、2奈米或小於2奈米、1 奈米或小於1奈米或0.5奈米或小於0.5奈米，且可為0奈米或大於0奈米、10奈米或大於10奈米、20奈米或大於20奈米、30奈米或大於30奈米、40奈米或大於40奈米、50奈米或大於50奈米、60奈米或大於60奈米、70奈米或大於70奈米或75奈米或大於75奈米。若絕對值在以上範圍內，則厚度方向相位差可為負，或可為正，且例如，可為負。
如本文中所使用，除非另外規定，否則術語「前相位差(Rin)」為由以下等式1計算的數值，且術語「厚度方向相位差(Rth)」為由以下等式2計算的數值。前延遲及厚度延遲的參考波長為約550奈米。
[等式1]前相位差(Rin)=d×(nx-ny)
[等式2]厚度方向相位差(Rth)=d×(nz-ny)
在等式1及等式2中，d為基底膜的厚度，nx為在基底膜的慢軸方向上的折射率，ny為在基底膜的快軸方向上的折射率，且nz為在基底膜的厚度方向上的折射率。
當基底膜為光學非等向性的時，由彼此相對安置的基底膜的慢軸形成的角度可例如在約-10度至10度的範圍內、在-7度至7度的範圍內、在-5度至5度的範圍內或在-3度至3度的範圍內，或可大致平行。另外，由基底膜的慢軸與下文將描述的偏光層的光吸收軸形成的角度可例如在約-10度至10度的範圍內、在-7度至7度的範圍內、在-5度至5度的範圍內或在-3度至3度的範圍內，或可大致平行，或可在約80度至100度的範圍內、在約83 度至97度的範圍內、在約85度至95度的範圍內或在約87度至92度的範圍內，或可大致豎直。
有可能經由相位差調節或慢軸的配置而實現光學極佳且均勻的透通模式及黑色模式。
基底膜可具有100ppm/K或小於100ppm/K的熱膨脹係數。在另一實例中，熱膨脹係數可為95ppm/K或小於95ppm/K、90ppm/K或小於90ppm/K、85ppm/K或小於85ppm/K、80ppm/K或小於80ppm/K、75ppm/K或小於75ppm/K、70ppm/K或小於70ppm/K或65ppm/K或小於65ppm/K，或可為10ppm/K或大於10ppm/K、20ppm/K或大於20ppm/K、30ppm/K或大於30ppm/K、40ppm/K或大於40ppm/K、50ppm/K或大於50ppm/K或55ppm/K或大於55ppm/K。舉例而言，基底膜的熱膨脹係數可根據ASTM D696的規定來量測，可藉由對呈在相關標準中所提供形式的膜進行裁剪且量測每單位溫度的長度變化來計算，或可藉由諸如熱力學分析(thermomechanic analysis；TMA)的已知方法來量測。
作為基底膜，可使用具有90%或大於90%的斷裂伸長率的基底膜。斷裂伸長率可為95%或大於95%、100%或大於100%、105%或大於105%、110%或大於110%、115%或大於115%、120%或大於120%、125%或大於125%、130%或大於130%、135%或大於135%、140%或大於140%、145%或大於145%、150%或大於150%、155%或大於155%、160%或大於160%、165%或大於165%、170%或大於170%或175%或大於175%，且可為1,000%或小於1,000%、900%或小於900%、800%或小於800%、700%或小於700%、600%或小於600%、500%或小於500%、400%或小於400%、300% 或小於300%或200%或小於200%。基底膜的斷裂伸長率可根據ASTM D882標準來量測，且可藉由對呈由對應標準所提供的形式的膜進行裁剪且使用能夠量測應力應變曲線(能夠同時量測力及長度)的設備來量測。
藉由選擇具有熱膨脹係數及/或斷裂伸長率的基底膜，可提供具有極佳耐久性的光學元件。
光學膜中的基底膜的厚度不受特定限制，且可通常在約50微米至200微米左右的範圍內。
在本說明書中，在其上形成第一電極層的第一基底膜可稱作第一電極基底膜，且在其上形成第二電極層的第二基底膜可稱作第二電極基底膜。
電極基底膜可例如具有可見光區中的半透明性。在一個實例中，電極基底膜可對具有可見光區(約400奈米至700奈米的範圍)中的任一波長或550奈米的波長的光具有80%或大於80%、85%或大於85%或90%或大於90%的透射率。透射率的數值愈高愈有利，從而上限不受特定限制，且例如，透射率亦可為約100%或小於100%或小於100%左右。
形成於電極基底膜上的電極層的材料不受特定限制，所述材料可不受特定限制地使用，只要其為在光學元件領域中應用於形成電極層的材料。
舉例而言，作為電極層，可應用使用金屬氧化物形成的電極層；金屬線；金屬奈米管；金屬網格；碳奈米管；石墨烯；或導電聚合物或其複合材料，以及類似者。
在一個實例中，作為電極層，可使用包括由以下所組成的 族群中選出的一或多種金屬的金屬氧化物層：銻(Sb)、鋇(Ba)、鎵(Ga)、鍺(Ge)、鉿(Hf)、銦(In)、鑭(La)、鎂(Mg)、硒(Se)、鋁(Al)、矽(Si)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、釩(V)、釔(Y)、鋅(Zn)以及鋯(Zr)。
在不損害本申請案的目標的情況下可在一定範圍內適當地選擇電極層的厚度。通常，電極層的厚度可在50奈米至300奈米的範圍內或在70奈米至200奈米的範圍內，但不限於此。電極層可為由上文所描述的材料製成的單層結構或層壓結構，且在層壓結構的情況下，構成各別層的材料可相同或不同。
電極基底膜可藉由在第一基底膜及第二基底膜上形成電極層來獲得。
在本申請案中，電極層可包括用於將對應於外部能量的電場施加至光調製層的部分(下文中，可稱作第一區)及用於將電極層與外部電源連接以便能夠施加電場的部分(下文中，可稱作第二區)。兩個部分可為彼此實體上分離的部分或實體上連續的部分，或亦可為大體上彼此重疊的部分。通常，在光學元件的結構中，第一區可大致為當沿著表面的法線方向觀察光學元件時與光調製層重疊的區，且第二區可為其中形成外部端子或類似者的區(例如，圖1中的161及162)。
在電極基底膜中，一個或兩個或兩個或大於兩個第二區可形成於每一電極基底膜的電極層上。第二區可形成於基底膜的邊緣處。亦即，第二區可形成於基底膜的邊緣附近的表面上。可例如藉由形成連接至外部電源的端子來形成此第二區。
當第二區逐個地形成於每一電極基底膜上時，第一基底 膜上的電極層的第二區及第二基底膜上的電極層的第二區可經配置以面向彼此，或可經配置以不面向彼此。
參考圖1，其中第二區面向彼此安置的情況可為其中當在第一基底膜110上的電極層120上的兩個端子161中僅在圖的右側上形成端子時，在第二基底膜150上的電極層140上的兩個端子162中僅在圖的右側上形成端子的情況，或其中當在第一基底膜110上的電極層120上的兩個端子161中僅在圖的左側上形成端子時，在第二基底膜150上的電極層140上的兩個端子162中僅在圖的左側上形成端子的情況。此類形式可為經組態以實現待在下文描述的模式當中的層次模式的形式。
在其中第二區逐個地形成於每一電極基底膜上且第一基底膜上的電極層的第二區及第二基底膜上的電極層的第二區經配置以不面向彼此的情況下，在橫向觀察時，第一基底膜上的第二區及第二基底膜上的第二區可經安置以便彼此交叉。參考圖1，其可為其中當在第一基底膜110上的電極層120上的兩個端子161中僅在圖的右側上形成端子時，在第二基底膜150上的電極層140上的兩個端子162中僅在圖的左側上形成端子的情況，或其中當在第一基底膜110上的電極層120上的兩個端子161中僅在圖的左側上形成端子時，在第二基底膜150上的電極層140上的兩個端子162中僅在圖的右側上形成端子的情況。此類形式可為經組態以實現待在下文描述的模式當中的均一透通模式的形式。
在另一實例中，第二區亦可經形成以能夠包含上文所描述的所有形式且同時在其之間切換。
在此情況下，電極基底膜中的第二區可形成於每一基底 膜的邊緣處以面向彼此。亦即，在此情況下，至少兩個第二區可存在於電極基底膜中，且在觀察其上形成基底膜的電極層的表面時，第二區可分別形成於邊緣附近的面向彼此的表面上。
在此類情況下，在本說明書中，第一電極基底膜的兩個第二區中的任一者可稱為A區且另一個可稱為B區，且第二電極基底膜的兩個第二區中的任一者可稱為C區且另一個可稱為D區。
在光學元件中，第一基底膜及第二基底膜可經安置以使得A區及C區面向彼此，且B區及D區面向彼此。
本申請案的光學膜可包括第一基底膜與第二基底膜之間的光調製層。在一個實例中，此類光調製層可為具有至少液晶化合物的主動液晶層。術語主動液晶層為包括液晶化合物的層，所述層可意謂能夠經由外部能量改變液晶化合物的定向狀態的層。藉由使用主動液晶層，光學元件可在包含透通模式及黑色模式的各種模式之間選擇性地切換，從而主動液晶層可為光調製層。
在本說明書中，術語透通模式可意謂其中透射率為約10%或大於10%、約15%或大於15%、約20%或大於20%、約25%或大於25%、30%或大於30%、約35%或大於35%、約40%或大於40%、約45%或大於45%或約50%或大於50%的狀態。另外，黑色模式可意謂其中透射率為約20%或小於20%、約15%或小於15%、約10%或小於10%或約5%或小於5%左右的狀態。在透通模式下的透射率愈高愈有利，且在黑色模式下的透射率愈低愈有利，以使得上限及下限中的每一者不受特定限制。在一個實例中，在透通模式下的透射率的上限可為約100、約95%、約90%、約85%、約80%、約75%、約70%、約65%或約60%。在黑色模式下 的透射率的下限可為約0%、約1%、約2%、約3%、約4%、約5%、約6%、約7%、約8%、約9%或約10%。
透射率可為線性透光率。術語線性透光率可為在與入射方向相同的方向上透射穿過光學元件的光(線性光)相對於在預定方向上入射於光學元件上的光的比率。在一個實例中，透射率可為相對於在平行於光學元件的表面法線的方向上入射的光的量測結果(垂直透光率)。
在光學元件中，將透射率進行對照的光可為UV-A區紫外光、可見光或近紅外光。根據常用定義，UV-A區紫外光用以意謂具有在320奈米至380奈米範圍內的波長的輻射，可見光用以意謂具有在380奈米至780奈米範圍內的波長的輻射，且近紅外光用以意謂具有在780奈米至2000奈米範圍內的波長的輻射。
在本說明書中，術語外部能量意謂在可改變包含於主動液晶層中的液晶化合物的定向的水準下自外部施加的能量。在一個實例中，外部能量可為由經由電極層誘發的外部電壓產生的電場。
舉例而言，主動液晶層可在如上文所描述的透通模式與黑色模式之間或在其他模式之間切換，而液晶化合物的定向狀態取決於是否施加外部能量、其大小及/或施加位置而改變。
此處，其他模式可由下文描述的第一模式及第二模式以及類似者例示。
在一個實例中，主動液晶層可為稱為所謂的客體主體液晶層的液晶層，其中主動液晶層可更包括非等向性染料連同液晶化合物。客體主體液晶層為使用所謂的客體主體效應的液晶層，其 為非等向性染料根據液晶化合物(下文中，可稱為液晶主體)的定向方向對準的液晶層。液晶主體的定向方向可使用對準膜(alignment film)及/或上文所描述的外部能量來調節。
液晶層中使用的液晶主體的類型不受特定限制，且可使用一般種類的應用於實現客體主體效應的液晶化合物。
舉例而言，作為液晶主體，可使用矩列液晶化合物、向列液晶化合物或膽固醇液晶化合物。一般而言，可使用向列液晶化合物。術語向列液晶化合物意謂相對於液晶分子的位置不具有規則性但能夠使所有液晶分子在分子軸線方向上配置的液晶化合物，且此類液晶化合物可呈桿形式或可呈盤形式。
作為此類向列液晶化合物，可選擇具有例如約40℃或大於40℃、約50℃或大於50℃、約60℃或大於60℃、約70℃或大於70℃、約80℃或大於80℃、約90℃或大於90℃、約100℃或大於100℃或約110℃或大於110℃的澄清點或具有在以上範圍內的相變點(亦即，向列相上的等向性相位的相變點)的向列液晶化合物。在一個實例中，澄清點或相變點可為約160℃或小於160℃、約150℃或小於150℃或約140℃或小於140℃。
液晶化合物可具有為負數或正數的介電常數非等向性。介電常數非等向性的絕對值可考慮到目標而適當地加以選擇。舉例而言，介電常數非等向性可大於3或大於7，或可小於-2或小於-3。
液晶化合物亦可具有約0.01或大於0.01或約0.04或大於0.04的光學非等向性(△n)。在另一實例中，液晶化合物的光學非等向性可為約0.3或小於0.3或約0.27或小於0.27。
作為客體主體液晶層的液晶主體的可用液晶化合物為本領域中已知的。
當液晶層為客體主體液晶層時，液晶層可包括非等向性染料連同液晶主體。術語「染料」可意謂能夠在可見光區中的至少部分或整個範圍(例如380奈米至780奈米的波長範圍)內強烈吸收及/或修改光的材料，且術語「非等向性染料」可意謂能夠在可見光區的至少部分或整個範圍內對光進行非等向性吸收的材料。
作為非等向性染料，可選擇及使用例如已知具有可根據液晶主體的對準狀態來對準的特性的已知染料。舉例而言，偶氮染料或蒽醌染料以及類似者可用作非等向性染料，且液晶層亦可包括一種或兩種或大於兩種染料以便達成較寬波長範圍內的光吸收。
非等向性染料的二向色比率可考慮到目的而適當地加以選擇。舉例而言，非等向性染料可具有5至20範圍內的二向色比率。舉例而言，在p型染料的情況下，術語「二向色比率」可意謂藉由將平行於染料的長軸方向的偏振光的吸收率除以平行於與長軸方向垂直的方向的偏振光的吸收率所獲得的值。非等向性染料可具有至少在一些波長下或在可見區的波長範圍內(例如，在約380奈米至780奈米或約400奈米至700奈米的波長範圍內)的任何一個波長或全部範圍下的二向色比率。
非等向性染料在液晶層中的含量可考慮到目的而適當地加以選擇。舉例而言，可在按液晶主體及非等向性染料的總重量計0.1重量%至10重量%的範圍內選擇非等向性染料的含量。非等向 性染料的比率可考慮到所要透射率及非等向性染料在液晶主體中的溶解性以及類似者而改變。
液晶層基本上包括液晶主體及非等向性染料，且視需要，可更包括根據已知形式的其他視情況選用的添加劑。作為添加劑的一實例，可例示對掌性摻雜劑或穩定劑，但不限於此。
舉例而言，液晶層的厚度可適當地經選擇以適合於所要模式的實施方案。在一個實例中，液晶層的厚度可為約0.01微米或大於0.01微米、0.05微米或大於0.05微米、0.1微米或大於0.1微米、0.5微米或大於0.5微米、1微米或大於1微米、1.5微米或大於1.5微米、2微米或大於2微米、2.5微米或大於2.5微米、3微米或大於3微米、4微米或大於4微米、4.5微米或大於4.5微米、5微米或大於5微米、5.5微米或大於5.5微米、6微米或大於6微米、6.5微米或大於6.5微米、7微米或大於7微米、7.5微米或大於7.5微米、8微米或大於8微米、8.5微米或大於8.5微米、9微米或大於9微米或9.5微米或大於9.5微米。液晶層的厚度的上限不受特定限制，所述上限可一般為約30微米或小於30微米、25微米或小於25微米、20微米或小於20微米或15微米或小於15微米。
此類主動液晶層或包括其的光學膜可在第一定向狀態與不同於第一定向狀態的第二定向狀態之間切換。切換可例如藉由施加諸如電壓的外部能量來控制。舉例而言，第一定向狀態及第二定向狀態中的任一者可維持其中在不施加電壓的狀態下，且接著藉由電壓施加而切換至另一定向狀態。
在一個實例中，第一定向狀態及第二定向狀態可各自由 水平定向、豎直定向、噴霧定向、傾斜定向、扭轉向列定向或膽固醇定向狀態中選出。舉例而言，在黑色模式中，液晶層或光學膜可至少處於水平定向、扭轉向列定向或膽固醇定向，且在透通模式中，液晶層或光學膜可處於具有不同於黑色模式的水平定向的方向的光軸的豎直定向狀態或水平定向狀態。液晶元件可為具有其中在不施加電壓的狀態下實施黑色模式的正常黑色模式的元件，或可實施其中在不施加電壓的狀態下實施透通模式的正常透通模式。
如上的主動液晶層可具有各種模式。主動液晶層可以電控制雙折射(electrically controlled birefringence；ECB)模式、扭轉向列(twisted nematic；TN)模式或超扭轉向列(super twisted nematic；STN)模式來驅動，但不限於此，且主動液晶層中的液晶化合物的對準特徵可根據主動液晶層的驅動模式而改變。
在一個實例中，主動液晶層的一個定向狀態中的液晶化合物可以在下文所描述的與偏光層的吸收軸形成任一角度的定向狀態存在，以與偏光層的吸收軸形成水平或豎直的定向狀態存在，或以扭轉定向狀態存在。
在本說明書中，術語「扭轉定向狀態」可意謂其中主動液晶層的光軸水平地定向同時具有相對於主動液晶層的平面的在約0度至15度、約0度至10度或約0度至5度的範圍內的傾角的狀態，但在包含於主動液晶層中的相鄰液晶化合物的主軸方向上的角度以使得角度略微改變及扭轉的方式經配置。
如上文所描述，主動液晶層中的液晶化合物的對準屬性可藉由施加外部動作而改變。
在一個實例中，當主動液晶層在不存在外部動作的情況下處於水平定向時，透射率可藉由由施加外部動作將主動液晶層切換至豎直定向狀態而增大。
在另一實例中，當主動液晶層在不存在外部動作的情況下處於豎直定向時，透射率可藉由由施加外部動作將主動液晶層切換至水平對準狀態而減小。另外，在將主動液晶層自初始豎直定向狀態切換至水平定向狀態中，預定方向上的預傾斜可需要判定液晶化合物的定向方向。此處，賦予預傾斜的方式不受特定限制，且例如，可藉由安置適當對準膜以使得可賦予預期預傾斜來執行預傾斜。
並且，此處，在其中主動液晶層更包括非等向性染料且液晶化合物豎直地定向的狀態中，非等向性染料的對準方向垂直於下文存在的偏光層的平面，且因此透射偏光層的光可經透射而不由主動液晶層的非等向性染料吸收，籍此增大光學元件的透射率。另一方面，在其中主動液晶層的液晶化合物水平地定向的狀態中，非等向性染料的對準方向平行於下文存在的偏光層的平面，且因此當主動液晶層的光軸經安置以具有相對於偏光層的吸收軸的預定角度時，透射偏光層的光的一部分可由非等向性染料吸收，籍此減小光學元件的透射率。
在一個實例中，光學元件可在存在外部動作的情況下實施在可見區中具有15%或大於15%的透射率的透通模式，且可在不存在外部動作的情況下實施在可見區中具有3%或小於3%的透射率的黑色模式。
當以TN模式或以STN模式驅動主動液晶層時，主動液 晶層可更包括對掌性試劑。對掌性試劑可誘發液晶化合物及/或非等向性染料的分子配置具有螺旋結構。對掌性試劑可不受特定限制地使用，只要其可誘發所要螺旋結構而不損害液晶性，例如，向列規則性。用於誘發液晶中的螺旋結構的對掌性試劑需要至少包含呈分子結構的對掌性。對掌性試劑可例如由具有一個或兩個或大於兩個不對稱碳的化合物、在雜原子上具有不對稱點的化合物(諸如對掌性胺或對掌性亞碸)或具有軸向不對稱及光活性位點的化合物(諸如疊烯或聯萘酚)例示。對掌性試劑可為例如具有1,500或小於1,500的分子量的低分子量化合物。作為對掌性試劑，亦可使用可商購的對掌性向列液晶，例如自默克公司(Merck Co.,Ltd.)獲得的對掌性摻雜劑液晶S-811或自巴斯夫(BASF)獲得的LC756。
由於液晶層對可見光的透射率根據液晶化合物的定向狀態而判定，故有可能藉由調節其中液晶化合物由外部動作定向的態樣來實施層次模式及均一透通模式。
確證液晶層的光軸在液晶層的定向狀態下形成哪一方向的方法為已知的。舉例而言，可藉由使用已知其光軸方向的另一偏光板來量測液晶層的光軸的方向，可使用已知量測儀器(例如，偏光計，諸如來自佳司科(Jasco)的帕斯卡(Pascal)2000)量測所述光軸方向。
藉由調節液晶主體的介電常數非等向性、用於定向液晶主體的對準膜的定向方向以及類似者來實現正常透通或黑色模式的液晶元件的方法為已知的。
光學膜可更包括定位於第一基底膜及第二基底膜上的第 二區上的絕緣層。
作為一個實例，在其中第二區逐個地形成於每一電極基底膜上且第一基底膜上的電極層的第二區及第二基底膜上的電極層的第二區經配置以便面向彼此的情況下，絕緣層170可位於面向彼此安置的第二區之間，如圖2中所展示。
作為另一實例，在其中第二區逐個地形成於每一電極基底膜上且第一基底膜上的電極層的第二區及第二基底膜上的電極層的第二區經配置以不面向彼此的情況下，絕緣層170可定位於第一基底膜上的第二區及面向第一基底膜上的第二區的第二基底膜上的第一區以及第二基底膜上的第二區及面向第二基底膜上的第二區的第一基底膜上的第一區上，如圖3中所展示。
作為另一實例，在其中兩個或大於兩個第二區存在於電極基底膜中的每一者中的情況下，絕緣層可位於第一基底膜110上的第二區及第二基底膜150上的第二區中的每一者中，如圖4中所展示。因此，當第一基底膜上的第二區及第一基底膜上的第二區面向彼此時，絕緣層可定位於第一基底膜的第二區與第一基底膜的第二區之間。另外，當第一基底膜上的第二區及第一基底膜上的第二區並不面向彼此時，絕緣層可定位於第一基底膜上的第二區與第二基底膜上的第一區之間，及第二基底膜上的第二區與第一基底膜上的第一區之間。
光學膜可更包括用於維持兩個基底膜之間的兩個基底膜的間隔的間隔件及/或用於在其中彼此相對安置的兩個基底膜的間隔經維持的狀態下附接基底膜的密封劑以及類似者。作為間隔件及/或密封劑，可使用已知材料而無任何特定限制。
光學膜中的間隔件及/或密封劑的位置不受特定限制，且取決於光學元件的透射率、光學元件的耐久性、絕緣層的存在或不存在以及類似者，所述位置可存在於適當位置中。
作為一個實例，當絕緣層不存在於光學膜中時，間隔件及/或密封劑(下文中，可稱作「密封劑及類似者」)可存在於第一基底膜與第二基底膜之間的最外位點處。
作為另一實例，在其中絕緣層存在於光學膜中且第一基底膜上的電極層的第二區及第二基底膜上的電極層的第二區面向彼此安置的情況下，第二區面向彼此安置的側(例如，圖4的左側)的密封劑180及類似者可存在於絕緣層170與光調製層130之間，且第二區面向彼此安置的相對側(例如圖4的右側)可存在於第一基板膜與第二基板膜之間的最外位點處，如圖2中所展示。
作為另一實例，在其中絕緣層存在於光學膜中且第一基底膜上的電極層的第二區及第二基底膜上的電極層的第二區經安置以不面向彼此的情況下，密封劑及類似者可存在於絕緣層170與光調製層130之間，如圖3中所展示。
在光學膜中，對準膜可存在於基底膜的一側，例如面向光調製層(例如，主動液晶層)的側上。舉例而言，對準膜可存在於電極層上。
對準膜為用於控制包含於光調製層(諸如主動液晶層)中的液晶主體的定向的構造，且已知對準膜可不受特定限制地應用。作為行業中已知的對準膜，存在摩擦對準膜或光對準膜以及類似者。
對準膜的定向方向可經控制以實現上文所描述的光軸的 定向。舉例而言，形成於彼此相對安置的兩個基底膜的每一側上的兩個對準膜的定向方向可彼此形成在約-10度至10度範圍內的角度、在-7度至7度範圍內的角度、在-5度至5度範圍內的角度或在-3度至3度範圍內的角度，或可彼此大致平行。在另一實例中，兩個對準膜的定向方向可形成在約80度至100度範圍內的角度、在約83度至97度範圍內的角度、在約85度至95度範圍內的角度或在約87度至92度範圍內的角度，或可彼此大致垂直。
由於主動液晶層的光軸的方向根據此類定向方向來判定，定向方向可藉由檢查主動液晶層的光軸的方向來確證。
光學元件可更包括偏光層連同光學膜。作為偏光層，例如吸收型偏光層，亦即，可使用具有形成於一個方向上的光吸收軸及大體上垂直於所述方向形成的光透射軸線的偏光層。
假定在光學膜的第一定向狀態中實施阻斷狀態，則偏光層可經安置以使得由第一定向狀態中的平均光軸(光軸的向量和)與偏光層的光吸收軸形成的角度為80度至100度或85度至95度，或所述角度大致垂直，或所述偏光層可經安置以使得所述角度為35度至55度或約40度至50度或大致45度。
當對準膜的定向方向用作參考時，形成於如上文所描述的彼此相對安置的光學膜的兩個基底膜的每一側上的對準膜的定向方向可彼此形成以成在約-10度至10度範圍內的角度、在-7度至7度範圍內的角度、在-5度至5度範圍內的角度或在-3度至3度範圍內的角度，或在彼此大致平行的情況下，由兩個對準膜中的任一者的定向方向與偏光層的光吸收軸形成的角度可為80度至100度或85度至95度，或可大致垂直。
在另一實例中，兩個對準膜的定向方向可形成在約80度至100度範圍內的角度、在約83度至97度範圍內的角度、在約85度至95度範圍內的角度或在約87度至92度範圍內的角度，或在彼此大致豎直的情況下，由更接近兩個對準膜的偏光層安置的對準膜的定向方向與偏光層的光吸收軸形成的角度可為80度至100度或85度至95度，或可大致垂直。
舉例而言，光學膜及偏光層可呈彼此層壓的狀態。另外，光學膜及偏光層可以使得光學膜的第一定向方向上的光軸(平均光軸)與偏光層的光吸收軸變成以上關係的狀態而安置。
在一個實例中，當偏光層為待在下文描述的偏光塗層時，可實施其中偏光塗層存在於光學膜內部的結構。舉例而言，可實施其中偏光塗層存在於光學膜的基底膜中的任一者與光調製層之間的結構。舉例而言，電極層、偏光塗層以及對準膜可依序形成於光學膜的兩個基底膜中的至少一者上。
可應用於光學元件中的偏光層的種類不受特定限制。舉例而言，作為偏光層，可使用用於習知LCD或類似者中的習知材料，諸如聚(乙烯醇)(poly(vinyl alcohol)；PVA)偏光層，或藉由塗佈方法實施的偏光層，諸如包括向液性液晶(lyotropic liquid crystal；LLC)或反應性液晶原基(reactive mesogen；RM)以及二向色染料的偏光塗層。在本說明書中，藉由如上文所描述的塗佈方法實施的偏光層可稱作偏光塗層。作為向液性液晶，可不受任何特定限制地使用已知液晶，且可使用例如能夠形成具有30至40左右的二向色比率的向液性液晶層的向液性液晶。另一方面，當偏光塗層含有反應性液晶原基(reactive mesogen；RM)及二向色染料 時，作為二向色染料，可使用線性染料，或亦可使用盤狀染料。
本申請案的光學元件可僅包括如上文所描述的一個光學膜及一個偏光層，或可包括所述光學膜及所述偏光層中的任一者中的兩者或大於兩者。因此，在一個實例中，光學元件可僅包括一個光學膜及僅一個偏光層，但不限於此。
舉例而言，本申請案的光學元件可包括兩個相對偏光層，且亦可具有其中光調製層存在於兩個偏光層之間的結構。在此情況下，兩個相對偏光層(第一偏光層及第二偏光層)的吸收軸線可彼此豎直或水平。此處，豎直及水平分別為大體豎直及水平，此可理解為包含在±5度、±4度、±3度或±2度內的誤差。
光學元件可更包括彼此相對安置的兩個外部基板。在本說明書中，出於方便起見，兩個外部基板中的一者可稱為第一外部基板，且另一者可稱為第二外部基板，但第一表述及第二表述並不限定外部基板的次序或豎直關係。
在一個實例中，光學膜或光學膜及偏光層可包封於兩個外部基板之間。此類包封可使用黏著膜執行。舉例而言，如圖5中所展示，光學膜10及偏光層20可存在於彼此相對安置的兩個基板30之間。
作為外部基板，可使用例如由玻璃或類似者製成的無機基板或塑膠基板。作為塑膠基板，可使用三乙醯纖維素(TAC)膜；環烯共聚物(COP)膜，諸如降冰片烯衍生物；丙烯基膜，諸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)；聚碳酸酯(PC)膜；聚乙烯(PE)膜；聚丙烯(PP)膜；聚乙烯醇(PVA)膜；丁二酮纖維素(DAC)膜；聚丙烯酸酯(Pac)膜；聚醚碸(PES)膜；聚醚醚酮(PEEK) 膜；聚苯碸(PPS)膜、聚醚醯亞胺(PEI)膜；聚萘二甲酸伸乙酯(PEN)膜；聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)膜；聚醯亞胺(PI)膜；聚碸(PSF)膜；聚芳酯(PAR)膜或氟樹脂膜以及類似者，但不限於此。視需要，外部基板上亦可存在金、銀或諸如二氧化矽或一氧化矽的矽化合物的塗層，或諸如抗反射層的塗層。
外部基板的厚度不受特定限制，且例如，可為約0.3毫米或大於0.3毫米。在另一實例中，厚度可為約0.5毫米或大於0.5毫米、約1毫米或大於1毫米、約1.5毫米或大於1.5毫米或約2毫米或大於2毫米左右，且亦可為10毫米或小於10毫米、9毫米或小於9毫米、8毫米或小於8毫米、7毫米或小於7毫米、6毫米或小於6毫米、5毫米或小於5毫米、4毫米或小於4毫米或3毫米或小於3毫米左右。
外部基板可為平面基板或可為具有曲面形狀的基板。舉例而言，兩個外部基板可同時為平面基板，同時具有曲面形狀，或任何一個外部基板可為平面基板且另一外部基板可為具有曲面形狀的基板。
另外，此處，在同時具有曲面形狀的情況下，相應曲率或曲率半徑可相同或不同。
在本說明書中，曲率或曲率半徑可以行業中已知的方式來量測，且例如可使用諸如2D輪廓雷射感測器、彩色共焦線感測器或3D量測共焦顯微鏡的非接觸式裝置來量測。使用此類裝置來量測曲率或曲率半徑的方法為已知的。
並且，關於基板，例如，當前表面及背表面上的曲率或曲率半徑不同時，相對表面的相應曲率或曲率半徑，亦即，在第一外 部基板的情況下面向第二外部基板的表面的曲率或曲率半徑及在第二外部基板的情況下面向第一外部基板的表面的曲率或曲率半徑可為參考。此外，當相關表面具有曲率或曲率半徑不恆定且不同的部分時，最大曲率或曲率半徑或最小曲率或曲率半徑或平均曲率或平均曲率半徑可為參考。
兩個基板可具有在10%內、在9%內、在8%內、在7%內、在6%內、在5%內、在4%內、在3%內、在2%內或在1%內的曲率差或曲率半徑差。當大曲率或曲率半徑為CL且小曲率或曲率半徑為CS時，曲率差或曲率半徑差為藉由100×(CL-CS)/CS計算的值。另外，曲率差或曲率半徑差的下限不受特定限制。由於兩個外部基板的曲率差或曲率半徑差可相同，故曲率差或曲率半徑差可為0%或大於0%，或大於0%。
此類曲率或曲率半徑的控制用於其中光學膜及/或偏光層由黏著膜包封的結構，如本申請案的光學元件。
當第一外部基板及第二外部基板兩者均為曲面時，兩個曲率可具有相同符號。換言之，兩個外部基板可在相同方向上彎曲。亦即，在以上情況下，第一外部基板的曲率的中心及第二外部基板的曲率的中心兩者存在於第一外部基板及第二外部基板的上部部分及下部部分的相同部分中。
圖6為包括存在於第一外部基板30與第二外部基板30之間的光學膜的包封部分400的側視圖解，其中第一外部基板30及第二外部基板30兩者中的曲率的中心存在於圖中的下半部分處。
第一外部基板及第二外部基板的各曲率或曲率半徑的具 體範圍不受特定限制。在一個實例中，每一基板的曲率半徑可為100R或大於100R、200R或大於200R、300R或大於300R、400R或大於400R、500R或大於500R、600R或大於600R、700R或大於700R、800R或大於800R或900R或大於900R，或可為10,000R或小於10,000R、9,000R或小於9,000R、8,000R或小於8,000R、7,000R或小於7,000R、6,000R或小於6,000R、5,000R或小於5,000R、4,000R或小於4,000R、3,000R或小於3,000R、2,000R或小於2,000R、1,900R或小於1,900R、1,800R或小於1,800R、1,700R或小於1,700R、1,600R或小於1,600R、1,500R或小於1,500R、1,400R或小於1,400R、1,300R或小於1,300R、1,200R或小於1,200R、1,100R或小於1,100R或1,050R或小於1,050R。此處，R表示具有1毫米半徑的圓形的彎曲梯度。因此，此處，例如，100R為具有100毫米半徑的圓形的曲度或此類圓形的曲率半徑。當然，在平面表面的情況下，曲率為零且曲率半徑為無窮大。
第一外部基板與第二外部基板可具有在以上範圍內的相同或不同曲率半徑。在一個實例中，當第一外部基板與第二外部基板的曲率彼此不同時，其中具有較大曲率的基板的曲率半徑可在以上範圍內。
在一個實例中，當第一外部基板及第二外部基板的曲率彼此不同時，其中具有大曲率的基板可為在使用光學元件時安置於重力方向上的基板。
在一個實例中，下部基板可具有比第一外部基板及第二外部基板當中的上部基板的曲率更高的曲率。在此情況下，第一外部基板及第二外部基板的曲率的差異可在以上描述的範圍內。並 且，此處，當第一外部基板及第二外部基板兩者為彎曲基板時或當第一外部基板及第二外部基板中的任一者為彎曲基板且另一者為平面基板時，上半部分為沿著朝向曲面的凸面部分的方向判定的定位關係。舉例而言，在圖6的情況下，凸面方向由接近上半部分的下半部分形成，以使得上部外部基板變為上部基板且下部外部基板變為下部基板。在此類結構中，藉由由黏著膜(400)彼此附接的外部基板當中的彎曲基板的恢復力來對光學元件的中心產生某一水準的壓力，從而可在內部抑制、減少、緩和及/或防止出現缺陷，諸如氣泡。
對於包封，如下文所描述，可執行使用黏著膜的高壓釜過程，且在此過程中，通常施加高溫及高壓。然而，在一些情況下，諸如當在此類高壓釜過程之後在高溫下將應用於包封的黏著膜儲存較長時間時，出現一些再熔融或類似事件，以使得可能存在外部基板擴寬的問題。若此類現象發生，則力可對包封的主動液晶元件及/或偏光層起作用，且氣泡可形成於內部。
然而，當如上文所描述來控制基板之間的曲率或曲率半徑時，即使黏著膜的黏著力降低，作為恢復力及重力之和的淨力亦可用以防止擴寬且用以承受與高壓釜相同的過程壓力。另外，作為恢復力及重力之和的靜力在光學元件的中心處起作用，以使得有可能更有效地抑制、減少、降低及/或防止在其中控制實際透射率以及類似者的區域中出現缺陷，諸如氣泡。
光學元件可更包括密封外部基板中的光學膜及/或偏光層的黏著膜。舉例而言，如圖7中所展示，黏著膜40可存在於外部基板30與光學膜10之間，光學膜10與偏光層20之間及/或偏光 層20與外部基板30之間，且可存在於光學膜10及偏光層20的側上，適當地，在所有側上。
黏著膜可密封光學膜10及偏光層20，同時將外部基板30與光學膜10、光學膜10與偏光層20以及偏光層20與外部基板30彼此附接。
舉例而言，在根據所要結構來層壓外部基板、光學膜、偏光層以及黏著膜之後，以上結構可藉由在真空狀態下按壓外部基板、光學膜、偏光層以及黏著膜的方法來實現。
作為黏著膜，可使用已知材料，且例如，可在已知熱塑性聚胺酯黏著膜(TPU：熱塑性聚氨酯)、熱塑性澱粉(thermoplastic starch；TPS)、聚醯胺黏著膜、聚酯黏著膜、乙烯乙酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate；EVA)黏著膜、聚烯烴黏著膜(諸如聚乙烯或聚丙烯)或聚烯烴彈性體膜(polyolefin elastomer film；POE膜)以及類似者當中選擇在下文描述的一個滿足實體特性。
作為黏著膜，可使用具有在預定範圍內的相位差的膜。在一個實例中，黏著膜可具有100奈米或小於100奈米的前相位差。在另一實例中，前相位差可為約95奈米或小於95奈米、約90奈米或小於90奈米、約85奈米或小於85奈米、約80奈米或小於80奈米、約75奈米或小於75奈米、約70奈米或小於70奈米、約65奈米或小於65奈米、約60奈米或小於60奈米、約55奈米或小於55奈米、約50奈米或小於50奈米、約45奈米或小於45奈米、約40奈米或小於40奈米、約35奈米或小於35奈米、約30奈米或小於30奈米、約25奈米或小於25奈米、約20奈米或小於20奈米、約15奈米或小於15奈米、約10奈米或小於10奈 米、約9奈米或小於9奈米、約8奈米或小於8奈米、約7奈米或小於7奈米、約6奈米或小於6奈米、約5奈米或小於5奈米、約4奈米或小於4奈米、約3奈米或小於3奈米、約2奈米或小於2奈米或約1奈米或小於1奈米。前相位差可為約0奈米或大於0奈米、約1奈米或大於1奈米、約2奈米或大於2奈米、約3奈米或大於3奈米、約4奈米或大於4奈米、約5奈米或大於5奈米、約6奈米或大於6奈米、約7奈米或大於7奈米、約8奈米或大於8奈米、約9奈米或大於9奈米或約9.5奈米或大於9.5奈米。
黏著膜的厚度方向相位差的絕對值可為例如200奈米或小於200奈米。在另一實例中，絕對值可為約190奈米或小於190、180奈米或小於180奈米、170奈米或小於170奈米、160奈米或小於160奈米、150奈米或小於150奈米、140奈米或小於140奈米、130奈米或小於130奈米、120奈米或小於120奈米或115奈米或小於115奈米，或可為0奈米或大於0奈米、10奈米或大於10奈米、20奈米或大於20奈米、30奈米或大於30奈米、40奈米或大於40奈米、50奈米或大於50奈米、60奈米或大於60奈米、70奈米或大於70奈米、80奈米或大於80奈米或90奈米或大於90奈米。厚度方向相位差可為負，或可為正，只要其具有在所述範圍內的絕對值即可。
除在以上等式1及等式2中，厚度(d)、慢軸方向上的折射率(nx)、快軸方向上的折射率(ny)以及厚度方向上的折射率(nz)分別經黏著膜的厚度(d)、慢軸方向上的折射率(nx)、快軸方向上的折射率(ny)以及厚度方向上的折射率(nz)取代來 進行計算以外，黏著膜的前相位差(Rin)及厚度方向相位差(Rth)可以相同方式來計算。
黏著膜的厚度可為外部基板(30)與主動液晶層(10)之間的黏著膜的厚度(諸如所述兩者之間的間隔)、光學膜(10)與偏光層(20)之間的黏著膜的厚度(諸如所述兩者之間的間隔)以及偏光層(20)與外部基板(30)之間的黏著膜的厚度(諸如所述兩者之間的間隔)。
黏著膜的厚度不受特定限制，所述厚度可例如在約200微米至600微米左右的範圍內。此處，黏著膜的厚度可為外部基板(30)與光學膜(10)之間的黏著膜的厚度(諸如所述兩者之間的間隔)、光學膜(10)與偏光層(20)之間的黏著膜的厚度(諸如所述兩者之間的間隔)以及偏光層(20)與外部基板(30)之間的黏著膜的厚度(諸如所述兩者之間的間隔)。
光學元件可更包括除以上組態以外的任何必要組態，且例如包括已知組態，諸如按恰當位置的延遲層、光學補償層、抗反射層以及硬塗層。
本申請案的如上光學元件可實施各種模式，包含如上文所描述的透通模式及黑色模式。在可實施本申請案的光學元件的模式當中，存在層次模式(下文中，可稱作第一模式)及均一透通模式(下文中，可稱作第二模式)，其中本申請案的光學元件可實施兩種模式中的一者或兩種模式，且亦可經形成以便能夠在所述模式之間切換。
舉例而言，如上文所提及的相應電極基底膜的第二區可電連接至第一區，其中可藉由改變第二區當中的對其施加外部電 源的位點來實施所述模式。在本說明書中，術語「電連接」可意謂當電流經施加至電連接的兩個組件中的一者時，所述兩個組件經組態以使得電流亦在另一組件中流動。因此，電連接的兩個組件亦可彼此直接接觸，且兩個組件可由電導體連接。
當第二區電連接至如上文所描述的第一區時，電源連接至第二區，從而電場可藉由第一區施加至主動液晶層。
本申請案的光學元件可包括能夠自第二區選擇與電源連接的位點的驅動構件。舉例而言，驅動構件可允許電源選擇性地連接至第二區的具體區，且亦可經組態以視需要來改變此類連接狀態，從而可實施層次模式及均一透通模式。
層次模式可稱作其中光學元件的透射率(例如，對可見光的透射率)在任一方向上行進時持續增大或減小的狀態。
均一透通模式可稱作其中光學元件的透射率(例如，對可見光的透射率)大體上均一的狀態。可見光的透射率大體上均一的事實可意謂例如其中可見光的透射率的增大或減小範圍為10%或小於10%或5%或小於5%的狀態。另外，均一透通模式可稱作其中光學元件具有對可見光的0.1%至99.9%的透射率的狀態，只要滿足上文所描述的均一透射率。
層次模式及均一透通模式可藉由例如以下原理來實施。
在其中外部動作為施加至液晶層的電場的情況下，若施加至主動液晶層的外部電壓在液晶層的縱向方向上前進時持續增大或減小，則液晶化合物的定向程度持續改變，以使得液晶化合物的光軸可持續改變。因此，在透射率根據與光學元件中設置的偏光層的吸收軸的關係而在主動液晶層的縱向方向上持續增大或減小 時，層次模式可經實施。
圖8為例示性地說明光學元件在實施層次模式(第一模式)時的狀態的圖式。如圖8中所展示，當第一區相對於光調製層130產生電場時，由於外部電源163分別經施加穿過形成於第一基底膜及第二基底膜上的電極層的第二區當中的面向彼此的第二區(A區及C區或B區及D區)，故層次模式可經實施。
在此情況下，外部電源可僅連接至作為形成於第一基底膜上的第二區的A區及B區中的任一者，且可僅連接至作為形成於第二基底膜上的第二區的C區及D區中的任一者。亦即，當第一模式藉由將A區及C區連接至外部電源來實施時，B區及D區可不連接至外部電源，且相反地，當第一模式藉由將B區及D區連接至外部電源來實施時，A區及C區可不連接至外部電源。並且，在一個實例中，在實施第一模式時，連接至第一基底膜的電極層中的外部電源的位點可僅為A區及B區中的任一者，且連接至第二基底膜的電極層中的外部電源的位點可僅為C區及D區中的任一者。
即使當一個第二區存在於上文描述的結構中的每一基底膜上且第一基底膜及第二基底膜的第二區面向彼此安置時，此類情況亦相同。
當以此方式施加外部電源時，施加至光調製層(例如主動液晶層)130的電場的強度遠離作為原點的A區及C區或B區及D區減小。因此，由電場定向的液晶化合物的平均光軸亦可根據電場的強度持續地改變，從而層次模式可經實施。
圖9為實施均一透通模式(第二模式)的例示性光學元 件的示意圖。如圖9中所展示，在相對於光調製層130產生電場時，由於外部電源163分別經施加穿過替代地安置在形成於第一基板膜及第二基板膜上的電極層的第二區當中的第二區(A區及D區或B區及C區)，第二模式可經實施。
在此情況下，外部電源可僅連接至作為形成於第一基底膜上的第二區的A區及B區中的任一者，且可僅連接至作為形成於第二基底膜上的第二區的C區及D區中的任一者。亦即，當第二模式藉由將A區及D區連接至外部電源來實施時，B區及C區可不連接至外部電源，且相反地，當第二模式藉由將B區及C區連接至外部電源來實施時，A區及D區可不連接至外部電源。並且，在一個實例中，在實施第二模式時，連接至第一基底膜的電極層中的外部電源的位點可僅為A區及B區中的任一者，且連接至第二基底膜的電極層中的外部電源的位點可僅為C區及D區中的任一者。
即使當一個第二區存在於上文描述的結構中的每一基底膜上且第一基底膜及第二基底膜的第二區經安置以不面向彼此時，此類情況亦相同。
當電場藉由以此方式連接至外部電源來產生於光調製層(例如，主動液晶層)中時，第一區可產生貫穿光調製層的相對均一電位差，從而第二模式可經實施。
圖8及圖9已例示性地說明在本申請案的用於實施層次模式及均一透通模式的透射率控制構件中的第二區的形成位置及電源的連接狀態，但以上的圖8及圖9僅為實例，且本申請案的透射率控制構件的態樣不限於圖式中展示的那些。
舉例而言，本申請案的透射率控制構件中的形成第二區的第一電極端子部分及第二電極端子部分未必需要固定地形成於第一電極基底膜及/或第二電極基底膜上，且包含於透射率控制構件中的驅動構件可允許連接至電源的第一電極端子部分及第二電極端子部分在第一電極基底膜及第二電極基底膜上的任意位置處連接至第一電極基底膜及第二電極基底膜。然而，所屬領域的技術人員將瞭解，如連接至電源的第一電極端子部分及第二電極端子部分展示於圖8中，第一電極端子部分及第二電極端子部分應連接至第一電極基底膜及第二電極基底膜以使得電場的強度在主動液晶層的縱向方向上持續增大或減小以用於實施層次模式。另外，所屬領域的技術人員將瞭解，如第一電極端子部分及第二電極端子部分展示於圖9中，連接至電源的第一電極端子部分及第二電極端子部分應連接至第一電極基底膜及第二電極基底膜以使得電場的強度在主動液晶層的縱向方向上大致均一以用於實施均一透通模式。
透射率控制構件可包括能夠選擇與電源連接的電極端子部分的驅動構件。舉例而言，轉換可藉由驅動構件在如圖8中所展示的電源、電極端子部分及電極基底膜部分的連接狀態與圖9中所展示的連接狀態之間執行，且因此層次模式及均一透通模式的轉換可經執行。
透射率控制構件可包括能夠調節施加至第一電極端子部分及第二電極端子部分的電位差的電位差控制構件。由於透射率控制構件包括上文所描述的電位差控制構件，施加至液晶層的電場的強度可精細地經調節，且光學元件可實現用於可見光的各種 透射率。
只要電位差控制構件可調節施加至主動液晶層的電場的強度，則可使用已知構件，且例如，可藉由使用電阻器及/或位於電源與第一電極端子部分或第二電極端子部分之間的電容器來調節施加至主動液晶層的電場的強度。
另一方面，上文所描述的驅動構件及電位差控制構件可考慮到透射率控制效率或光學元件的能效以及類似者而適當地加以安置。作為一個實例，其可經安置以使得電流按外部電源/驅動構件/電位差控制構件/端子部分的次序流動。作為另一實例，其可經安置以使得電流按外部電源/電位差控制構件/驅動構件/端子部分的次序流動。
視需要，其可更包括電阻器主體或電容器主體。在此情況下，外部電源可經由電阻器主體或電容器主體連接至第二區。藉由由此類構造更易於控制施加至第二區的電源的強度及/或狀態，有可能更易於實施所要模式。在本申請案中可應用的電阻器主體或電容器主體的種類不受特定限制，且可根據目的適當地選擇已知構件。
用於製造本申請案的光學元件的方法不受特定限制。在一個實例中，光學元件可經由用於上文所描述的包封的高壓釜過程來製造。
舉例而言，用於製造光學元件的方法可包括使用黏著膜經由高壓釜過程來密封面向彼此安置的第一外部基板與第二外部基板之間的光學膜及/或偏光層的步驟。在此過程中，包含第一外部基板及第二外部基板的曲率的差異的細節如上文所描述。
高壓釜過程可藉由根據所要包封結構將黏著膜及主動液晶元件及/或偏光層安置於外部基板之間且將其加熱/加壓來執行。
舉例而言，如圖7中所展示的光學元件可藉由由高壓釜過程按此次序安置外部基板(30)、黏著膜(40)、主動液晶層(10)、黏著膜(40)、偏光層(20)、黏著膜(40)以及外部基板(30)且將層壓物加熱/加壓來形成，其中黏著膜(40)亦安置於主動液晶層(10)及偏光層(20)的側上。
高壓釜過程的條件不受特定限制，且例如取決於所施加黏著膜的類型，所述過程可在適當溫度及壓力下執行。典型高壓釜過程的溫度為約80℃或大於80℃、90℃或大於90℃、100℃或大於100℃，且壓力為2大氣壓或大於2大氣壓，但不限於此。處理溫度的上限可為約200℃或小於200℃、190℃或小於190℃、180℃或小於180℃或170℃或小於170℃左右，且處理壓力的上限可為約10大氣壓或小於10大氣壓、9大氣壓或小於9大氣壓、8大氣壓或小於8大氣壓、7大氣壓或小於7大氣壓或6大氣壓或小於6大氣壓左右。
此類光學元件可用於各種應用，且例如可用於眼用佩戴品，諸如太陽鏡或增強實境(augmented reality；AR)或虛擬實境(virtual reality；VR)眼用佩戴品，建築物的外牆或車輛的天窗以及類似者。
在一個實例中，光學元件自身可為車輛的天窗。
舉例而言，在包含其中形成至少一個開口的車身的汽車中，可安裝及使用附接至開口的光學元件或車輛的天窗。
此時，當外部基板的曲率或曲率半徑彼此不同時，具有較 小曲率半徑的基板(亦即具有較大曲率的基板)可以重力方向配置。
天窗為車輛的頂部上的固定或操作(通風或滑動)開口，此可共同地意謂可用於允許光或新鮮空氣進入車輛內部的器件。在本申請案中，操作天窗的方法不受特定限制，且例如，天窗可手動地操作或由馬達驅動，其中天窗的形狀、大小或樣式可根據預期用途適當地加以選擇。舉例而言，根據操作方法，天窗可由彈出型天窗、擾流板(平鋪及滑動)型天窗、內置型天窗、摺疊型天窗、頂部安裝型天窗、全景車頂系統型天窗、可移除車頂面板(t頂部或塔爾加(targa)車頂)型天窗或太陽能型天窗以及類似者例示，但不限於此。
本申請案的例示性天窗可包括本申請案的光學元件，且在此情況下，對於光學元件的細節，可同樣應用在光學元件的項中描述的內容。
本申請案提供能夠實施各種模式且具有極佳耐久性及類似者的光學元件。
10:光學膜
20:偏光層
30:第一外部基板、第二外部基板
40:黏著膜
100:光學膜
110:第一基底膜
120:第一電極層
130:光調製層
140:第二電極層
150:第二基底膜
160:透射率控制構件
161、162:端子
163:外部電源
170:絕緣層
180:密封劑
400:包封部分
圖1至圖4為例示性光學膜的側視圖。
圖5至圖7為例示性光學元件的側視圖。
圖8為實施層次模式的光學膜的例示性側視圖。
圖9為實施均一透通模式的光學膜的例示性側視圖。
圖10為展示其中在本申請案的測試實例中量測透光率的區域的視圖。
在下文中，將參考實例更詳細地描述本申請案，但本申請案的範疇不限於以下實例。
量測透射率
為了確證光學元件是否實施預期模式，任意地劃分光學元件的透光率控制區以量測每一區中的透射率。具體地說，如圖10中所展示，光學元件的透光率控制區劃分成具有相同面積的12個區，且對每一區量測透光率。圖10展示其中光學元件的透光率控制區自前面可見的情況。基於ISO 13468標準使用日本電色(Nippon Denshoku)的NDH-5000SP來量測透光率。
製造光學元件
製造實例1
製造具有客體-主體(GH)液晶層的光學膜作為光調製層。在其中兩個聚碳酸酯(PC)膜(圖1中的110及150)面向彼此安置以使得維持約12微米左右的單元間隙的狀態中，光學膜藉由在其間注入液晶主體(默克的MAT-16-969液晶)與二向色染料客體(巴斯夫，X12)的混合物且用密封劑密封邊緣來製造，在所述聚碳酸酯膜中氧化銦錫(ITO)電極層(圖1中的120及140)及液晶對準膜(圖1中未展示)依序形成於一側上。在PC膜的相對配置中，在其上形成對準膜的表面面向彼此安置。當不施加電壓時，GH液晶層可處於水平定向狀態，且可藉由施加電壓來切換至豎直 定向狀態。作為具有形成於相應基底膜上的電極層的相對邊緣的電極層，第二區藉由基於由密封劑形成的位點而在外部上形成端子(161，162)來形成以使得能夠將來自外部電源的電場施加至光學膜的透射率控制構件(KP的RV1601-15SP-500及SMG 1通道5V繼電器模組(SZH-EK082))可與其連接，如圖1中所展示。此時，一個端子(161)形成於第一基底膜上的電極層上且一個端子(162)亦形成於第二基底膜上的電極層上，且接著基底膜經配置以便彼此交叉(亦即，在圖1中的第一基底膜上的端子(161)當中僅形成圖的左側上的端子且在第二基底膜上的端子(162)當中僅形成圖的右側上的端子)。
光學膜及聚乙烯醇(PVA)類偏光層藉由熱塑性聚胺酯黏著膜(厚度：約0.38毫米，製造商：阿古泰克(Argotec)，產品名稱：ArgoFlex)包封於兩個外部基板之間以製造光學元件。此處，作為外部基板，使用具有約3毫米左右的厚度的玻璃基板，其中使用具有約1030R曲率半徑的基板(第一外部基板)及具有1000R曲率半徑的基板(第二外部基板)。藉由以此次序層壓第一外部基板、黏著膜、光學膜、黏著膜、偏光層、黏著膜以及第二外部基板且將黏著膜安置在光學膜的所有側上(第二外部基板與第一外部基板相比以重力方向安置)來製造層壓物。其後，在約100℃的溫度及約2大氣壓左右的壓力下執行高壓釜過程以製造光學元件。
製造實例2
製造具有客體-主體(GH)液晶層的光學膜作為光調製層。在其中兩個聚碳酸酯(PC)膜(圖1中的110及150)面向彼此安置以使得維持約12微米左右的單元間隙的狀態中，光學膜藉由在 其間注入液晶主體(默克的MAT-16-969液晶)與二向色染料客體(巴斯夫，X12)的混合物且用密封劑密封邊緣來製造，在所述聚碳酸酯膜中氧化銦錫(ITO)電極層(圖1中的120及140)及液晶對準膜(圖1中未展示)依序形成於一側上。在PC膜的相對配置中，在其上形成對準膜的表面面向彼此安置。當不施加電壓時，GH液晶層可處於水平定向狀態，且可藉由施加電壓來切換至豎直定向狀態。作為具有形成於相應基底膜上的電極層的相對邊緣的電極層，第二區藉由基於由密封劑形成的位點而在外部上形成端子(161，162)來形成以使得能夠將來自外部電源的電場施加至光學膜的透射率控制構件(KP的RV1601-15SP-500及SMG 1通道5V繼電器模組(SZH-EK082))可與其連接，如圖1中所展示。此時，一個端子(161)形成於第一基底膜上的電極層上且一個端子(162)亦形成於第二基底膜上的電極層上，且接著基底膜經配置以便面向彼此(亦即，在圖1中的第一基底膜上的端子(161)當中僅形成圖的右側上的端子且在第二基底膜上的端子(162)當中僅形成圖的右側上的端子)。
光學膜及聚乙烯醇(PVA)類偏光層藉由熱塑性聚胺酯黏著膜(厚度：約0.38毫米，製造商：阿古泰克，產品名稱：ArgoFlex)包封於兩個外部基板之間以製造光學元件。此處，作為外部基板，使用具有約3毫米左右的厚度的玻璃基板，其中使用具有約1030R曲率半徑的基板(第一外部基板)及具有1000R曲率半徑的基板(第二外部基板)。藉由以此次序層壓第一外部基板、黏著膜、光學膜、黏著膜、偏光層、黏著膜以及第二外部基板且將黏著膜安置在光學膜的所有側上(第二外部基板與第一外部基板相比以重力方 向安置)來製造層壓物。其後，在約100℃的溫度及約2大氣壓左右的壓力下執行高壓釜過程以製造光學元件。
製造實例3
製造具有客體-主體(GH)液晶層的光學膜作為光調製層。在其中兩個聚碳酸酯(PC)膜(圖1中的110及150)面向彼此安置以使得維持約12微米左右的單元間隙的狀態中，光學膜藉由在其間注入液晶主體(默克的MAT-16-969液晶)與二向色染料客體(巴斯夫，X12)的混合物且用密封劑密封邊緣來製造，在所述聚碳酸酯膜中氧化銦錫(ITO)電極層(圖1中的120及140)及液晶對準膜(圖1中未展示)依序形成於一側上。在PC膜的相對配置中，在其上形成對準膜的表面面向彼此安置。當不施加電壓時，GH液晶層可處於水平定向狀態，且可藉由施加電壓來切換至豎直定向狀態。作為具有形成於相應基底膜上的電極層的相對邊緣的電極層，第二區(A區至D區)藉由基於由密封劑形成的位點而在外部上形成端子(161，162)來形成以使得能夠將來自外部電源的電場施加至光學膜的透射率控制構件(KP的RV1601-15SP-500及SMG 1通道5V繼電器模組(SZH-EK082))可與其連接，如圖1中所展示。
光學膜及聚乙烯醇(PVA)類偏光層藉由熱塑性聚胺酯黏著膜(厚度：約0.38毫米，製造商：阿古泰克，產品名稱：ArgoFlex)包封於兩個外部基板之間以製造光學元件。此處，作為外部基板，使用具有約3毫米左右的厚度的玻璃基板，其中使用具有約1030R曲率半徑的基板(第一外部基板)及具有1000R曲率半徑的基板(第二外部基板)。藉由以此次序層壓第一外部基板、黏著膜、光學 膜、黏著膜、偏光層、黏著膜以及第二外部基板且將黏著膜安置在光學膜的所有側上(第二外部基板與第一外部基板相比以重力方向安置)來製造層壓物。其後，在約100℃的溫度及約2大氣壓左右的壓力下執行高壓釜過程以製造光學元件。
實例1
外部電源連接至製造實例1中製造的光學元件的每一端子部分。此形式與其中外部電源以圖9中所展示的方式連接的情況相同。其後，施加具有60赫茲方波的0伏至30伏的均方根(root mean square；RMS)電壓的電源，且對每一區量測透光率，且結果展示於表1中。
實例2
外部電源連接至製造實例2中製造的光學元件的每一端子部分。此形式與其中外部電源以圖8中所展示的方式連接的情況相同。其後，施加具有60赫茲方波的0伏至30伏的均方根(RMS)電壓的電源，且對每一區量測透光率，且結果展示於表1中。
Figure 109105474-A0305-02-0043-1
已對應於圖10中所展示的位置描述了表1中所展示的透射率的每一值，且此位置如表1的位置項中所描述。
在自表1中所展示的透射率的實例1的情況下，均一透 射率實施於整個區中。另一方面，在實例2的情況下，實施層次模式，其中透射率自對其施加外部功率的部分(圖10中的位置4、位置8及位置12)逐漸減小。
實例3.
具有60赫茲方波的0伏至30伏的均方根(RMS)電壓的外部電源經施加至製造實例3中製造的光學元件的光學膜的端子(161，162)。另一方面，使用SMG 1通道5V繼電器模組(SZH-EK082)來切換圖8中所展示的形狀及圖9中所展示的形狀。
經確證，當外部電源經連接為圖8的形狀時，實施梯度模式，且當外部電源經連接為圖9的形狀時，實施均一透通模式。由此，可確證，光學裝置可藉由透射率控制構件來容易地實施各種模式。
100:光學膜
110:第一基底膜
120:第一電極層
130:光調製層
140:第二電極層
150:第二基底膜
160:透射率控制構件
161、162:端子
163:外部電源

Claims (13)

  1. 一種光學元件，具有：兩個外部基板，面向彼此安置；光學膜，所述光學膜包括面向彼此安置的第一基底膜及第二基底膜；以及存在於所述第一基底膜與所述第二基底膜之間的光調製層，其中所述光學膜存在於所述兩個外部基板之間；電極層分別形成於面向彼此的所述第一基底膜及所述第二基底膜的表面上，其中所述電極層包括第一區及第二區，所述第一區經形成以能夠將電場施加至所述光調製層，所述第二區將所述電極層連接至外部電源以使得所述第一區施加所述電場；絕緣層，定位於所述第一基底膜上的所述第二區及所述第二基底膜上的所述第二區上；以及透射率控制構件，其中所述外部電源經由所述透射率控制構件連接至所述第二區，其中所述透射率控制構件包括能夠自所述第二區選擇與所述外部電源連接的位點的驅動構件，其中所述絕緣層定位於所述電極層之間，以及其中所述光學膜的整個表面藉由所述兩個外部基板之間的密封體密封。
  2. 如請求項1所述之光學元件，其中所述透射率控制構件更包括電位差控制構件。
  3. 如請求項1所述之光學元件，其中所述第一基底膜上的所述第二區及所述第二基底膜上的所述第二區經安置以不面向彼此。
  4. 如請求項1所述之光學元件，其中所述第一基底膜 上的所述電極層的所述第二區及所述第二基底膜上的所述電極層的所述第二區經安置以面向彼此。
  5. 如請求項1所述之光學元件，其中所述第一基底膜上的所述第二區包括分別形成於所述第一基底膜的相對邊緣處的A區及B區，且所述第二基底膜上的所述第二區包括分別形成於所述第二基底膜的相對邊緣處的C區及D區，所述A區及所述C區面向彼此，且所述B區及所述D區面向彼此，且其中所述光學元件經形成以使得其在第一模式與第二模式之間切換，所述第一模式為所述A區及所述C區或所述B區及所述D區連接至所述外部電源以產生所述第一區中的所述電場，所述第二模式為所述A區及所述D區或所述B區及所述C區連接至所述外部電源以產生所述第一區中的所述電場。
  6. 如請求項1所述之光學元件，其中所述光調製層為主動液晶層，所述主動液晶層包括液晶主體及非等向性染料客體，且能夠在至少兩個不同定向狀態之間切換。
  7. 如請求項6所述之光學元件，其中所述不同定向狀態包括豎直定向狀態及水平定向狀態。
  8. 如請求項1所述之光學元件，更包括偏光層。
  9. 如請求項7所述之光學元件，更包括偏光層，其中所述偏光層經安置以使得由所述水平定向狀態下的所述主動液晶層的平均光軸與所述偏光層的光吸收軸形成的角度在80度至100度或35度至55度的範圍內。
  10. 如請求項1所述之光學元件，更包括存在於所述第 一基底膜及所述第二基底膜的朝向所述光調製層的表面上的對準膜。
  11. 如請求項10所述之光學元件，其中由所述第一基底膜及所述第二基底膜上的所述對準膜的定向方向形成的角度在-10度至10度的範圍內或在80度至90度的範圍內。
  12. 如請求項1所述之光學元件，更包括安置於所述光學膜的至少一側上的偏光層，其中所述光學膜更包括存在於所述第一基底膜及所述第二基底膜的朝向所述光調製層的表面上的對準膜，且由形成於所述第一基底膜及所述第二基底膜當中的接近所述偏光層的基底膜上的所述對準膜的定向方向與所述偏光層的光吸收軸形成的角度在80度至90度的範圍內。
  13. 一種汽車，包括具有形成在其中的一或多個開口的車身；以及安裝至所述開口的如請求項1所述之光學元件。
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