TWI785231B - 晶圓加工方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]根據本發明，提供一種晶圓加工方法，即使將推壓刀定位於分割預定線並施加外力以將晶圓分割為一個個元件，也不會招致元件的品質降低。[解決手段]本發明的晶圓加工方法，至少由下述步驟所構成：聚烯烴類片鋪設步驟，將晶圓定位在具有容納晶圓之開口的框架的該開口中，並將聚烯烴類片鋪設在晶圓的背面與框架的外周上；一體化步驟，將聚烯烴類片加熱並熱壓接合，以將晶圓與框架藉由聚烯烴類片一體化；分割起點形成步驟，將雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線與第二分割預定線上並照射，以形成分割起點；第一分割步驟，將推壓刀定位在第一分割預定線並施加外力，以分割第一分割預定線；以及，第二分割步驟，將推壓刀定位在第二分割預定線並施加外力，以分割第二分割預定線；並藉由該第一分割步驟與該第二分割步驟將晶圓分割為一個個的元件。
Description
本發明是關於一種晶圓加工方法，將晶圓分割為一個個元件。
在正面上形成有以分割預定線劃分的IC、LSI、LED等多個元件的晶圓，藉由切割裝置、雷射加工裝置等分割成一個個元件，並使用於行動電話、個人電腦等電子設備中。
雷射加工裝置，存在有一種將對晶圓具有穿透性波長的雷射光束的聚光點定位在分割預定線的內部而照射，以形成改質層作為分割起點的類型（例如，參照專利文獻1），以及一種將對晶圓具有吸收性波長的雷射光束的聚光點定位在分割預定線的上表面而照射，以藉由燒蝕而在正面形成溝槽作為分割起點的類型（例如，參照專利文獻2）。
晶圓藉由上述雷射加工裝置沿著分割預定線形成分割起點之後，施行施加外力等的分割步驟以分割為一個個元件。經過分割步驟的晶圓，在分割為一個個元件之後，由於被保持在切割膠膜上並在保持為晶圓的形態下被搬送至拾取步驟，所以投入雷射加工裝置的晶圓，被定位在具有容納晶圓的開口的框架之該開口上，並藉由將晶圓的背面及框架黏貼在諸如塗佈黏著劑等以形成有黏著層的切割膠膜之黏著層側，而成為切割膠膜與框架一體化的狀態。藉此，經過分割步驟的晶圓，被分割為一個個的元件不會從切割膠膜上脫離，而能夠在保持為晶圓的形態下搬送至拾取步驟。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第3408805號公報
[專利文獻2]日本特開平10-305420號公報
[發明所欲解決的課題]
在將晶圓的背面及框架定位並黏貼在切割膠膜的黏著層側，並藉由將推壓刀定位在形成有分割起點的分割預定線上以施加外力，將透過切割膠膜而被支撐在框架上的晶圓分割的情況下，對於形成在第一方向上的第一分割預定線定位推壓刀並施加外力而進行分割之後，對於形成在與第一方向交叉的第二方向上的第二分割預定線定位推壓刀並施加外力以進行分割。此時，先分割的第一分割預定線能夠完整地分割。然而，沿著第一分割預定線的分割起點分割以形成分割線時，諸如黏著層進入到該分割線，致使尚未分割的第二分割預定線些微蛇行，變得難以精密地將推壓刀沿著第二分割預定線定位，若就這樣將推壓刀定位並施加外力以分割第二分割預定線，則有產生元件的崩缺等、招致品質降低的問題。近年來，已需求元件的小尺寸（2mm見方以下）化，特別是0.5mm見方、0.25mm見方、0.15mm見方等，元件的尺寸愈小，則此第二分割預定線之些微蛇行的影響會變得愈顯著。
本發明是有鑑於上述事實而研發者，其主要的技術課題是提供一種晶圓加工方法，即使將推壓刀定位於分割預定線並施加外力以將晶圓分割為一個個元件，也不會招致元件的品質降低。
[解決課題的技術手段]
為解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供一種晶圓加工方法，將正面上形成有多個元件的晶圓分割為一個個元件，所述多個元件藉由形成於第一方向的第一分割預定線與形成於與該第一方向交叉之第二方向的第二分割預定線所劃分；該晶圓加工方法至少由下述步驟所構成：聚烯烴類片鋪設步驟，將晶圓定位在具有容納晶圓之開口的框架的該開口中，並將聚烯烴類片鋪設在晶圓的背面與框架的外周上；一體化步驟，將聚烯烴類片加熱並熱壓接合，以將晶圓與框架藉由聚烯烴類片一體化；分割起點形成步驟，將雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線與第二分割預定線上並照射，以形成分割起點；第一分割步驟，將推壓刀定位在第一分割預定線並施加外力，以分割第一分割預定線；以及，第二分割步驟，將推壓刀定位在第二分割預定線並施加外力，以分割第二分割預定線；並藉由該第一分割步驟與該第二分割步驟將晶圓分割為一個個的元件。
使在該分割起點形成步驟中照射的雷射光束的波長對晶圓具有穿透性，而能夠將該雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線與第二分割預定線之內部，以形成作為分割起點之改質層。此外，也可以使在該分割起點形成步驟中照射的雷射光束的波長對晶圓具有吸收性，而將該雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線與第二分割預定線之上表面，以藉由燒蝕形成作為分割起點之溝槽。
較佳為，該聚烯烴類片係選擇自聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任一者。此外，該晶圓可以由矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板、玻璃基板中的任一者所構成。
[發明功效]
本發明的晶圓加工方法，將正面上形成有多個元件的晶圓分割為一個個元件，所述多個元件藉由形成於第一方向的第一分割預定線與形成於與該第一方向交叉之第二方向的第二分割預定線所劃分；該晶圓加工方法至少由下述步驟所構成：聚烯烴類片鋪設步驟，將晶圓定位在具有容納晶圓之開口的框架的該開口中，並將聚烯烴類片鋪設在晶圓的背面與框架的外周上；一體化步驟，將聚烯烴類片加熱並熱壓接合，以將晶圓與框架藉由聚烯烴類片一體化；分割起點形成步驟，將雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線與第二分割預定線上並照射，以形成分割起點；第一分割步驟，將推壓刀定位在第一分割預定線並施加外力，以分割第一分割預定線；以及，第二分割步驟，將推壓刀定位在第二分割預定線並施加外力，以分割第二分割預定線；並藉由該第一分割步驟與該第二分割步驟將晶圓分割為一個個的元件，所以不會如同使用具有黏著層的切割膠膜黏貼晶圓的情況，黏著層的一部分進入到經分割第一分割預定線的區域中以致誘發偏差，而能夠在分割第一分割預定線之後，精密地將推壓刀定位在第二分割預定線上，解決使元件的品質降低的問題。
以下，依序說明基於本發明所構成的晶圓加工方法之各步驟。
（聚烯烴類片鋪設步驟）
參照圖1及圖2，同時說明關於聚烯烴類片鋪設步驟。在圖1中，顯示有表示聚烯烴類片鋪設步驟的實施態樣之立體圖。實施聚烯烴類片鋪設步驟時，首先，如圖1所示，準備作為加工對象物的晶圓10、具有可容納晶圓10之開口Fa的環狀框架F以及用於實施聚烯烴類片鋪設步驟的卡盤台20。晶圓10例如由矽（Si）基板所製成，元件14則形成在藉由第一分割預定線12A與第二分割預定線12B所劃分的正面10a上，其中第一分割預定線12A形成於以箭頭X表示的第一方向上，第二分割預定線12B形成於以與第一方向垂直交叉的箭頭Y表示的第二方向上。
卡盤台20由具有透氣性的多孔質之多孔陶瓷所製成的圓盤形狀吸附卡盤21以及圍繞吸附卡盤21外周的圓形框部22所組成，卡盤台20連接於未圖示的吸引手段，而能夠吸引保持載置於吸附卡盤21之上表面（保持面）上的晶圓10。
當準備好晶圓10、框架F以及卡盤台20後，如圖所示，相對於吸附卡盤21的保持面，將晶圓10的正面10a側往下，並載置於吸附卡盤21的中心。當將晶圓10載置於吸附卡盤21上後，晶圓10定位於開口Fa的中心之同時將框架F載置於吸附卡盤21上。如同從圖中可理解的，框架F之開口Fa的尺寸以可容納晶圓10的方式形成為比晶圓10大，更進一步，吸附卡盤21之保持面的尺寸形成為稍大於框架F的輪廍，並設定為在框架F的外側吸附卡盤21的保持面會露出的大小。
如圖2所示，準備設定為用以覆蓋晶圓10的背面10b、框架F與吸附卡盤21的圓形聚烯烴類片，例如聚乙烯（PE）片30，並載置於吸附卡盤21上。聚烯烴類片較佳為以20～100μm的厚度所形成。如同從圖2可理解的，本實施例的聚乙烯片30，係以至少比吸附卡盤21的直徑大，較佳為僅比卡盤台20之圓形框部22的輪廍稍小的直徑所形成。藉此，吸附卡盤21的保持面係整個被聚乙烯片30所覆蓋。另外，在聚乙烯片30之載置於晶圓10與框架F上的載置面側，未形成黏著劑等的黏著層。
當將晶圓10、框架F與聚乙烯片30載置於卡盤台20的吸附卡盤21上後，使包含吸引幫浦等未圖示的吸引手段運作，並使吸引力Vm作用於吸附卡盤21，以吸引晶圓10、框架F與聚乙烯片30。如上述，藉由聚乙烯片30覆蓋了吸附卡盤21之上表面（保持面）整面，故吸引力Vm會作用於晶圓10、框架F與聚乙烯片30之整體，在將該等吸引保持於吸附卡盤21上的同時，將晶圓10、框架F與聚乙烯片30之間所殘存的空氣吸引並使其密接。根據以上，完成聚烯烴類片鋪設步驟。
（一體化步驟）
當實施上述聚烯烴類片鋪設步驟後，接著，實施一體化步驟。參照圖3同時說明一體化步驟。
圖3（a）中，顯示用以實施一體化步驟的第一個實施方式。在實施一體化步驟時，如圖所示，將用以加熱聚乙烯片30的熱風吹送手段40（僅顯示局部）定位在卡盤台20之上方，其中卡盤台20是在使吸引力Vm對晶圓10、框架F與聚乙烯片30作用而吸引保持的狀態下。雖省略細節，但熱風吹送手段40是構成為，將具備恆溫器（Thermostat）等之溫度調整手段的加熱部配設於面對卡盤台20側的出口側（圖中下側），將藉由馬達等驅動的風扇部配設於相反側（圖中上側），並藉由驅動該加熱部及風扇部朝向卡盤台20吹送熱風L。當將熱風吹送手段40定位在卡盤台20的上方時，藉由熱風吹送手段40至少將熱風L吹送至聚乙烯片30所覆蓋之晶圓10與載置有框架F的整個區域，聚乙烯片30在融點附近的120～140℃或從該融點附近的溫度到比該融點附近的溫度低50℃左右的溫度為止之範圍內加熱。藉由此加熱，聚乙烯片30會軟化，而聚乙烯片30以密接的狀態熱壓接合於晶圓10的背面10b與框架F上，以使晶圓10、框架F與聚乙烯片30一體化。另外，實施將聚乙烯片30加熱以與晶圓10熱壓接合的一體化步驟的手段，並不限定於圖3（a）所示的熱風吹送手段40，也可以選擇其他的手段。參照圖3（b）的同時，說明關於其他的手段（第二個實施方式）。
作為實施上述一體化步驟的其他手段，也可以選擇圖3（b）所示的加熱輥手段50（僅顯示局部）。更具體而言，將用以加熱並推壓聚乙烯片30的加熱輥手段50定位在卡盤台20之上方，其中卡盤台20是在使吸引力Vm對晶圓10、框架F與聚乙烯片30作用而吸引保持的狀態下。雖省略細節，但加熱輥手段50具備內藏未圖示之加熱器的加熱輥52以及用以使加熱輥52旋轉的未圖示之旋轉軸，且在加熱輥52的表面上施予氟樹脂加工。當將加熱輥52定位在卡盤台20的上方時，使加熱輥52中內藏的該加熱器運作，推壓聚乙烯片30所覆蓋之晶圓10的背面10b與整個框架F側，並使加熱輥52在以箭頭R1所示方向上旋轉，同時往箭頭X方向移動。加熱輥52中內藏的該加熱器，係調整為以使聚乙烯片30成為在融點附近的120～140℃，或從該融點附近的溫度到比該融點附近的溫度低50℃左右的溫度為止之範圍內。藉由此加熱及推壓，與上述熱風吹送手段40相同地，能夠以使聚乙烯片30密接的狀態熱壓接合於晶圓10的背面10b與框架F上，將晶圓10、框架F與聚乙烯片30一體化。再者，作為實施一體化步驟之加熱輥手段50的變化例，取代上述加熱輥52，也可以採用具備加熱器的平板狀推壓構件，將聚乙烯片30加熱、推壓，並將聚乙烯片30熱壓接合於晶圓10與框架F上。此外，熱壓接合手段並不限定為上述各手段，例如，也可以藉由照射紅外線將聚乙烯片30加熱，並與晶圓10及框架F熱壓接合。
在本實施例中，接續上述一體化步驟，考慮到後續步驟，實施沿著框架F切斷聚乙烯片30的切斷步驟。另外，此切斷步驟並非絕對必要的步驟，但若實施則較易處理與聚乙烯片30一體化之晶圓10和框架F，有利於後續步驟。以下，參照圖4同時說明關於切斷步驟。
（切斷步驟）
如圖4所示，將切斷手段60（僅顯示局部）定位在吸引保持住藉由一體化步驟而一體化之晶圓10、框架F與聚乙烯片30的卡盤台20上。切斷手段60，具備用以切斷聚乙烯片30之圓盤形狀的刀片刀具62（以2點鏈線表示。），以及用以將刀片刀具62在以箭頭R2所示方向上旋轉驅動之未圖示的馬達，將刀片刀具62的刀鋒定位在框架F上寬度方向中的大致中央。當刀片刀具62定位在框架F上時，將刀片刀具62僅切入進給聚乙烯片30的厚度，並使卡盤台20在箭頭R2所示方向上旋轉。藉此，聚乙烯片30能夠順著沿框架F之切斷線C被切斷，並將超出切斷線C範圍的聚乙烯片30之外周切斷開來。再者，聚乙烯片30已被熱壓接合於晶圓10的背面10b與框架F上，維持在晶圓10、框架F與聚乙烯片30一體化的狀態。根據以上，完成切斷步驟。
（分割起點形成步驟）
當藉由該切斷步驟切斷聚乙烯片30之外周時，利用雷射加工裝置實施分割起點形成步驟。作為實施分割起點形成步驟的雷射加工方法，例如，能夠選擇一種方法將雷射光束的波長設為對晶圓具有穿透性之波長，並將雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線12A與第二分割預定線12B之內部而形成作為分割起點之改質層，或者，一種方法將雷射光束的波長設為對晶圓具有吸收性之波長，並將雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線12A與第二分割預定線12B之上表面，藉由燒蝕形成作為分割起點的溝槽。
參照圖5，並說明關於在晶圓10的第一分割預定線12A與第二分割預定線12B之內部，形成作為分割起點之改質層的雷射加工之實施態樣。
在第一分割預定線12A與第二分割預定線12B之內部形成作為分割起點之改質層時，是從晶圓10的背面10b照射雷射光束。於是，如圖5（a）所示，將以上述一體化步驟與框架F一體化之晶圓10的背面10b側朝向上方，以使聚乙烯片30側成為上方，並搬送至圖5（b）所示的雷射加工裝置70（僅顯示局部）。
圖5（b）所示的雷射加工裝置70是習知的雷射加工裝置，省略了細節，但具備有未圖示的卡盤台、包含聚光器72的雷射光束照射手段等。被搬送至雷射加工裝置70的晶圓10，以聚乙烯片30在上方的方式被載置並保持在該卡盤台上。接著，藉由具備未圖示的紅外線攝像手段之對準手段，進行來自該雷射光束照射手段之聚光器72的雷射光束LB之照射位置與晶圓10的加工位置，亦即，第一分割預定線12A與第二分割預定線12B間的對位（對準步驟）。當此對準步驟結束後，如圖5（b）所示，將雷射光束LB的聚光點定位在晶圓10的內部，將聚光器72與晶圓10在箭頭X所示方向相對地移動並穿越聚乙烯片30照射，沿著第一分割預定線12A形成作為分割起點的改質層100。藉由適當地移動該卡盤台，當沿著所有的第一分割預定線12A形成改質層100後，將該卡盤台90度旋轉，與第一分割預定線12A相同地，沿著第二分割預定線12B在晶圓10的內部形成改質層100。藉由實施以上的雷射加工，完成分割起點形成步驟。
另外，上述形成作為分割起點之改質層100的雷射加工裝置70之雷射加工條件，設定為例如以下所述。
雷射光束的波長：1064nm
重複頻率： 80kHz
平均輸出： 0.5W
加工進給速度： 800mm/s
本發明的分割起點形成步驟並不限定於上述手段，也可以實施使用例如圖6所示的雷射加工裝置70’。以下，參照圖6，同時說明關於使用雷射加工裝置70’以實施分割起點形成步驟之別的實施方式。
在沿著第一分割預定線12A與第二分割預定線12B在晶圓10的正面10a上形成作為分割起點的溝槽時，如圖6（a）所示，以由上述一體化步驟與框架F一體化之晶圓10的正面10a側作為上方的方式，搬送至圖6（b）所示的雷射加工裝置70’（僅顯示局部）。
雷射加工裝置70’是習知的雷射加工裝置，省略了細節，但具備有未圖示的卡盤台、包含聚光器72’的雷射光束照射手段等，被搬送到雷射加工裝置70’的晶圓10，是以晶圓10的正面10a作為上方的方式被載置在該卡盤台上而被吸引保持。接著，藉由具備未圖示的攝像手段之對準手段，進行該雷射光束照射手段之聚光器72’之照射位置與晶圓10的加工位置，亦即，第一分割預定線12A與第二分割預定線12B間的對位（對準步驟）。當對準步驟結束後，如圖6（b）所示，將雷射光束LB’的聚光點定位在晶圓10的正面10a上，使聚光器72’與晶圓10在箭頭X所示方向相對地移動同時照射雷射光束LB’以施行燒蝕加工。藉由使該卡盤台適當地移動，沿著第一分割預定線12A與第二分割預定線12B形成作為分割起點的溝槽110。藉由以上的雷射加工，完成分割起點形成步驟。
另外，上述形成作為分割起點之溝槽110的雷射加工裝置70’之雷射加工條件，設定為例如以下所述。
雷射光束的波長：355nm
重複頻率： 80kHz
平均輸出： 2.5W
加工進給速度： 800mm/s
本發明的分割起點形成步驟並不限定於實施上述的雷射加工方法，也可以選擇其他的手段。例如，也可以對晶圓10從背面10b側將具有穿透性波長的雷射光束的聚光點定位在晶圓10的內部並照射，沿著第一分割預定線12A與第二分割預定線12B形成由細孔與圍繞細孔的非晶質所組成的潛盾通道作為分割起點。
（分割步驟）
如同上述，當實施分割起點形成步驟後，實施分割步驟。另外，以下所說明的分割步驟，係說明藉由實施上述分割起點形成步驟，在沿著第一分割預定線12A與第二分割預定線12B於晶圓10的內部形成作為分割起點的改質層100之後實施者。
本實施例的分割步驟，至少由對第一分割預定線12A施加外力並分割第一分割預定線的第一分割步驟，以及對第二分割預定線12B施加外力並分割第二分割預定12B線的第二分割步驟所構成。參照圖7，同時說明關於使用分割裝置80而實施的分割步驟。
圖7所示分割裝置80，至少具備推壓刀82、一對支撐部83以及未圖示的攝像手段。在實施第一分割步驟時，將晶圓10的正面10a朝向下方並將晶圓10載置於一對支撐部83上。該攝像手段，構成為可以從載置於一對支撐部83上的晶圓10的正面10a側，亦即從下方側拍攝晶圓10，藉由以該攝像手段拍攝晶圓10的第一分割預定線12A，將改質層100所形成的第一分割預定線12A正確地定位在一對支撐部83之間且在推壓刀82的正下方。一對支撐部83是在一方向（圖7中垂直於紙面的Y方向）上延伸，並且以在俯視中夾著如同沿該一方向定位的第一分割預定線12A的方式而定位。定位於一對支撐部83上方的推壓刀82，也與一對支撐部83相同地在該一方向上延伸，藉由未圖示的推壓機構在以箭頭Z所示上下方向中移動。
如圖7所示，藉由使推壓刀82向晶圓10側沿著箭頭Z下降，以改質層100作為分割起點，沿著第一分割預定線12A分割晶圓10，並形成分割線130。隨後，藉由在以箭頭X所示方向上使推壓刀82與一對支撐部83和晶圓10相對地移動以加工進給，將未分割的第一分割預定線12A移動到推壓刀82正下方且在一對支撐部83之間，反覆進行同樣的分割加工，將推壓刀82按壓且施加外力至所有的第一分割預定線12A並形成分割線130。然後，將晶圓10旋轉90度，使用該攝像手段，將形成有改質層100的第二分割預定線12B正確地定位在推壓刀82的正下方且在一對支撐部83之間，藉由與分割上述第一分割預定線12A相同的步驟進行分割，以形成分割線130。根據以上，晶圓10被分割為一個個元件14，並完成分割步驟。另外，上述分割步驟雖說明為在沿著第一分割預定線12A與第二分割預定線12B於晶圓10的內部形成作為分割起點的改質層100之後實施者，但在分割起點形成步驟中，在第一分割預定線12A與第二分割預定線12B的表面10a上藉由燒蝕形成作為分割起點的溝槽110時，也能夠藉由上述相同手段進行分割。
當該分割步驟完成後，與保持晶圓10的框架F一起搬送至拾取步驟，一個個元件14從聚乙烯片30上被拾取，並被搬送到接合步驟，或是容納至容納盒等，以搬送至後續步驟。
根據上述之本實施例的晶圓加工方法，不是藉由在聚烯烴類片表面塗佈黏著劑等而形成的黏著層來將晶圓10、框架F與聚烯烴類片（聚乙烯片30）一體化，而是至少將聚烯烴類片加熱並熱壓接合以將晶圓10與框架F一體化。藉此，不會發生如同具有黏著層的切割膠膜的情況，由於黏著層的一部分進入所分割的區域（分割線）中而誘發偏差等的問題，在分割第一分割預定線12A之後，能夠精密地將推壓刀82定位在第二分割預定線12B上，不會使得元件的品質降低。
另外，若根據本發明並不限定於上述實施方式，並提供各種變化例。在上述實施例中，雖選擇聚乙烯片30作為聚烯烴類片，但本發明並不限定於此，能夠從聚烯烴類片中適當地選擇。作為其他的聚烯烴類片，例如，也可以是聚丙烯（PP）片或聚苯乙烯（PS）片之任一。
在上述實施例中，一體化步驟中將加熱溫度設定在融點附近的120～140℃或從該融點附近的溫度到比該融點附近的溫度低50℃左右的溫度為止之範圍內，本發明並不限定於此，較佳為根據所選擇的聚烯烴類片的種類來設定加熱溫度。例如，在選擇聚丙烯片作為聚烯烴類片的情況下，較佳為將加熱溫度設定在融點附近的160～180℃或從該融點附近的溫度到比該融點附近的溫度低50℃左右的溫度為止之範圍。此外，在選擇聚苯乙烯片作為聚烯烴類片的情況下，較佳為將加熱溫度設定在融點附近的220～240℃或從該融點附近的溫度到比該融點附近的溫度低50℃左右的溫度為止之範圍。
在上述實施例中，雖將作為加工對象物的晶圓設為矽（Si）基板，但本發明並不限定於此，也可以構成為由其他素材，例如，藍寶石（Al2
O2
）基板、碳化矽（SiC）基板、玻璃（SiO2
）基板所組成。
10‧‧‧晶圓
12A‧‧‧第一分割預定線
12B‧‧‧第二分割預定線
14‧‧‧元件
20‧‧‧卡盤台
21‧‧‧吸附卡盤
30‧‧‧聚乙烯片
40‧‧‧熱風吹送手段
50‧‧‧加熱輥手段
52‧‧‧加熱輥
60‧‧‧切斷手段
62‧‧‧刀片刀具
70、70’‧‧‧雷射加工裝置
72‧‧‧聚光器
80‧‧‧分割裝置
82‧‧‧推壓刀
83‧‧‧一對支撐部
100‧‧‧改質層
110‧‧‧溝槽
130‧‧‧分割線
圖1為表示本實施例之聚烯烴類片鋪設步驟的實施態樣之立體圖。
圖2為表示在圖1所示聚烯烴類片鋪設步驟中，將聚烯烴類片載置於卡盤台的態樣之立體圖。
圖3為表示本實施例之一體化步驟的實施態樣之立體圖。
圖4為表示本實施例之切斷步驟的實施態樣之立體圖。
圖5為表示本實施例之分割起點形成步驟的一實施態樣之立體圖。
圖6為表示本實施例之分割起點形成步驟的其他實施態樣之立體圖。
圖7為表示本實施例之分割步驟的實施態樣之側視圖。
10‧‧‧晶圓
20‧‧‧卡盤台
21‧‧‧吸附卡盤
22‧‧‧圓形框部
30‧‧‧聚乙烯片
40‧‧‧熱風吹送手段
50‧‧‧加熱輥手段
52‧‧‧加熱輥
F‧‧‧框架
L‧‧‧熱風
Vm‧‧‧吸引力
Claims (5)
- 一種晶圓加工方法，將正面上形成有多個元件的晶圓分割為一個個元件，所述多個元件藉由形成於第一方向的第一分割預定線與形成於與該第一方向交叉之第二方向的第二分割預定線所劃分；該晶圓加工方法至少由下述步驟所構成：聚烯烴類片鋪設步驟，將晶圓定位在具有容納晶圓之開口的框架的該開口中，並將在黏貼晶圓的載置面側未具有黏著層且在將晶圓分割成一個個元件時不被分割之聚烯烴類片直接鋪設在晶圓的背面與框架的外周上；一體化步驟，將聚烯烴類片加熱並熱壓接合而成為晶圓、框架與聚烯烴類片密接之狀態，以將晶圓與框架藉由聚烯烴類片一體化；分割起點形成步驟，將雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線與第二分割預定線上並照射，以形成分割起點；第一分割步驟，將推壓刀定位在第一分割預定線並施加外力，以分割第一分割預定線；以及，第二分割步驟，將推壓刀定位在第二分割預定線並施加外力，以分割第二分割預定線；並藉由該第一分割步驟與該第二分割步驟將晶圓分割為一個個的元件。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓加工方法，其中，在該分割起點形成步驟中照射的雷射光束的波長對晶圓具有穿透性，並將該雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線與第二分割預定線之內部，以形成作為分割起點之改質層。
- 如申請專利範圍第1項所述的晶圓加工方法，其中，在該分割起點形成步驟中照射的雷射光束的波長對晶圓具有吸收性，並將該雷射光束的聚光點定位在第一分割預定線與第二分割預定線之上表面，以藉由燒蝕形成作為分割起點之溝槽。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的晶圓加工方法，該聚烯烴類片係選擇自聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任一者。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的晶圓加工方法，該晶圓係由矽基板、藍寶石基板、碳化矽基板、玻璃基板中的任一者所構成。
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