TWI782100B - 貫通電極基板及使用有貫通電極基板之半導體裝置 - Google Patents

Abstract

一種貫通電極基板，具有：由無機材料構成之基板；設置於前述基板上之第1配線；於與前述第1配線分離之位置，設置於該基板之貫通孔；設置於該貫通孔之內壁的貫通電極；及連接該第1配線及該貫通電極之第2配線。若根據本發明，則可提供一種貫通電極基板及其製造方法，該貫通電極基板為使用玻璃基板之高長寬比（aspect ratio）的貫通電極基板，可確保貫通電極與基板上之配線的導通，電可靠性獲得提升。

Description

貫通電極基板及使用有貫通電極基板之半導體裝置

本發明係關於一種貫通電極基板。尤其是關於一種具有將貫通電極與基板上之配線交聯之交聯配線的貫通電極基板。

近年來，隨著智慧型手機或筆記型電腦等電子機器之小型化或高速化，關於構成電子機器之半導體零件或裝載半導體零件之配線基板，亦不斷高密度化、高速化。

於積層複數個配線基板之多層配線基板中，為了連接上下之配線，而使用形成有貫通配線基板之貫通電極的貫通電極基板。作為形成此種貫通電極之方法，當基材為有機物之有機基板的情形時，為了於貫通孔內形成配線得到導通，藉由進行無電鍍銅，而可得到形成於基板上之配線與形成於貫通孔內之貫通電極的導通。

於專利文獻1，揭示一種印刷配線基板，該印刷配線基板具有通孔（via hole），該通孔係於基板形成有底部之孔，然後於有底部之孔內形成導電層而成，其中該基材為玻璃環氧樹脂（glass epoxy）。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2008－205070號公報

[發明所欲解決之課題]

然而，當基材為由玻璃、矽或陶瓷等無機材料構成之基板的情形時，難以將貫通孔之內壁作同樣地粗糙化，而為了形成無電鍍銅，必須預先形成密接層。又，當形成密接層後進行無電鍍銅之情形時，鍍銅僅會形成於形成有密接層之部分。於此情形時，若以無電鍍銅來連接基板上之配線與貫通孔內之貫通電極，則由於配線與貫通電極會透過絕緣性密接層連接，故電可靠性會有問題。

鑑於上述問題，本發明的目的之一為提供一種貫通電極基板及其製造方法，該貫通電極基板為使用由玻璃等無機材料構成之基板的高長寬比（aspect ratio）之貫通電極基板，可確保貫通電極與基板上之配線的導通，電可靠性獲得提升。 [用以解決課題之手段]

本發明之一實施形態的貫通電極基板具有： 由無機材料構成之基板； 設置於前述基板上之第1配線； 於與前述第1配線分離之位置，設置於前述基板之貫通孔； 設置於前述貫通孔之內壁的貫通電極；及 連接前述第1配線及前述貫通電極之第2配線。

本發明之一實施形態的貫通電極基板，亦可進一步具有設置於前述基板與前述貫通電極之間的密接層。

於本發明之一實施形態的貫通電極基板中，前述第2配線亦可進一步與前述密接層接觸。

於本發明之一實施形態的貫通電極基板中，前述密接層亦可含有有機樹脂材料。

本發明之一實施形態的貫通電極基板，亦可進一步具有： 設置於前述第1配線、前述第2配線及前述貫通電極上之絕緣層； 設置於前述絕緣層上之第3配線；及 與前述絕緣層、前述第3配線及前述貫通電極接觸之第4配線。

於本發明之一實施形態的貫通電極基板中，前述絕緣層亦可由有機樹脂材料構成，前述貫通電極可設置於前述貫通孔之內壁及設於前述絕緣層之開口部的內側。

於本發明之一實施形態的貫通電極基板中，前述貫通電極亦可含有： 設置於前述貫通孔之內壁的第1貫通電極；及 設置於設在前述絕緣層之前述開口部之內側的第2貫通電極。

本發明之一實施形態的貫通電極基板其前述貫通孔之長寬比亦可為3以上。 [發明之效果]

若根據本發明，則可提供一種貫通電極基板及其製造方法，該貫通電極基板為使用玻璃基板之高長寬比的貫通電極基板，可確保貫通電極與基板上之配線的導通，電可靠性獲得提升。

以下，一邊參照圖式等，一邊說明本發明之各實施形態。惟，本發明於不脫離其要旨之範圍內，可用各種各樣之態樣加以實施，並不限定於以下例示之實施形態的記載內容作解釋。

圖式有時會為了使說明更加明確，而相較於實際之態樣，示意地表示各部分之寬度、厚度、形狀等，但其僅為一例示，並不限定本發明之解釋。於本說明書及各圖式中，對於具備與已揭示之圖所說明者相同功能的元件，有時會賦予相同符號，並省略重複之說明。

於本說明書及申請專利範圍中，當表現將另外之構造體配置於某構造體上的態樣時，在僅記述為「於...上」之情形時，只要沒有特別說明，係包含「以與某構造體接觸之方式將另外之構造體配置於正上方的情形」與「進一步透過不同之構造體將另外之構造體配置於某構造體上方的情形」此兩種情形。又，於本說明書及申請專利範圍中，「U」及其箭頭在剖面中表示上或上方，而「D」及其箭頭則在剖面中表示下或下方。

於本說明書及申請專利範圍中，某構造體與另外之構造體「重疊」此一表現，意指於俯視此等之構造體時，至少一部分重疊。換言之，意指當此等構造體中之任一者位於另一者之上或者之下，且從上面或者下面觀看此等構造體的情形時，彼此至少一部分重疊。

關於本發明第1實施形態之貫通電極基板100的構成及貫通電極基板100的製造方法，參照圖1至圖6加以說明。

[半導體裝置之構造] 將表示半導體裝置1000之一例的俯視圖揭示於圖1，該半導體裝置1000具有為本發明實施形態之一的貫通電極基板100。半導體裝置1000具有印刷基板200、貫通電極基板100、積體電路300、凸塊122及配線層120。

積體電路300亦可設置複數個於配線層120上，複數個積體電路300亦可透過配線層120彼此電連接。又，各積體電路300透過配線層120及凸塊122等導電體與貫通電極基板100電連接。貫通電極基板100透過後述之貫通電極108與印刷基板200電連接。

於圖1，雖然揭示1個與配線層120電連接之積體電路300構裝於貫通電極基板100之例，但並不限定於此處所示之例。積體電路300之端子數可為4個，亦可為5個以上，又，亦可未達4個。又，構裝於貫通電極基板100之積體電路300的個數，可為複數個，亦可為1個。並且，構裝於貫通電極基板100之積體電路300，亦可構裝複數個端子數不同之積體電路。可根據半導體裝置1000之用途，適當加以選擇。另，於圖1，雖然揭示貫通電極基板100構裝於印刷基板200上之例示，但並不限定於此例示。構裝貫通電極基板100者，例如可在玻璃基板上，亦可在如FPC之類的撓性素材上。可根據半導體裝置之用途，適當加以選擇。

[配線基板之構造1] 將本發明一實施形態之貫通電極基板的一例表示於圖2。圖2（A）為本發明一實施形態之貫通電極基板的俯視圖。圖2（B）則為圖2（A）所示之剖線的剖面圖。

將圖1所示之貫通電極基板100之部分俯視圖與部分剖面圖表示於圖2。貫通電極基板100具有玻璃基板102及設置於貫通孔10之內壁的貫通電極108，該玻璃基板102具有第1面102a、第2面102b、貫通第1面102a與第2面102b之貫通孔10。又，於圖2中，雖然省略一部分，但是於第1面102a上，亦可設置如圖1所示之配線層120之類的多層配線層。圖2所示之第1配線104為構成圖1所示之配線層120的一部分者。

配線層120及凸塊122與貫通電極108電連接。貫通電極108則與凸塊122電連接。積體電路300透過凸塊122與配線層120電連接。貫通電極基板100透過凸塊122與印刷基板200電連接。另，第1面102a與第2面102b相對於貫通電極基板100，為上與下，或表面與背面之關係。

如圖2所示，貫通電極基板100具有「玻璃基板102」、「從玻璃基板102之第1面102a貫通第2面102b的貫通孔10」、「形成於玻璃基板102之第1面102a上的第1配線104」與「設置於貫通孔10之內壁的密接層106及形成於密接層106上之貫通電極108」，於玻璃基板102之第1面102a上，具有電連接貫通電極108與第1配線104之第2配線110。

於本實施例，雖然揭示使用以玻璃材料構成之玻璃基板102作為基板的例子，但是本發明並不限定於此，亦可使用以含有矽之材料構成的矽基板、以含有氧化鋁之材料構成的陶瓷基板。

玻璃基板102具有第1面102a及第2面102b作為2個主面，於至少第1面102a上形成有第1配線104。第1配線104例如可為構成TFT（thin film transistor，薄膜電晶體）者。

於本實施例中，第1配線104雖然僅形成於第1面102a上，但是本發明並不限定於此，亦可於玻璃基板102之第1面102a及第2面102b的兩面形成有配線。第1配線104之材料例如可為銅等。

玻璃基板102之板厚，例如可為200μm～900μm左右。

於玻璃基板102之貫通孔10內的側壁，形成有「密接層106」及「形成於密接層106上之貫通電極108」。密接層106係作為用以藉由無電電鍍將貫通電極108之材料形成於玻璃基板102上的基底發揮功能。密接層106可用含有有機樹脂之材料形成。構成密接層106之含有有機樹脂的材料，例如可為環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、胺酯樹脂（urethane resin）等。藉由形成密接層106，相較於玻璃表面，可更加導入觸媒吸附性優異之官能基，可成膜密接性良好之銅或鎳等無電電鍍。

貫通電極108形成於玻璃基板102之表面中形成有密接層106之部分。貫通電極108由於係為了得到玻璃基板102上下之導通而形成，故形成為覆蓋玻璃基板102之貫通孔10內的側壁全部，沿著貫通孔10之內壁形成為中空之圓柱狀。有時將貫通電極108之中空部分稱為穿孔（through hole）130。又，貫通電極108為了與上下之配線電連接，亦可於玻璃基板102之第1面102a或第2面102b上之穿孔130的周緣部具有連接盤（land）108－1（較穿孔直徑大之「承受（連接盤）部分）。貫通電極108之材料例如可為銅或鎳。

如圖2所示，貫通孔10及穿孔130可為具有相同中心軸之同心圓。貫通孔10之孔徑例如可為40μm～140μm左右，穿孔130之孔徑例如可為30μm～135μm左右。於圖2所示之配線基板，貫通孔10之孔徑大於穿孔130之孔徑。

雖然於圖2揭示中空之穿孔130，但是穿孔130之內部亦可經用與貫通電極108相同之鍍覆填充，又，亦可經用有機樹脂或與貫通電極108不同之金屬填充。

於玻璃基板102之第1面102a上，形成有和玻璃基板102與第1配線104與貫通電極108接觸之第2配線110。第2配線110具有作為交聯配線之功能，該交聯配線係將第1配線104與貫通電極108於第1面102a上之連接盤108－1電連接。第2配線110之材料若為銅或鎳、錫等具有導電性之材料，則可為任何材料。

第2配線110如圖2所示，可為單層，但是本發明並不限定於此。例如，當第2配線110之材料為銅的情形時，亦可為下述之多層構造：為了提升銅與玻璃基板102之密接性，而於銅與玻璃基板102之間含有1層以上由Ti等低電阻之金屬膜構成的密接層。

圖10為本發明一實施形態之貫通電極基板的剖面圖。圖10所示之第2配線110'具有2層構造，該2層構造係形成於玻璃基板102上由Ti等低電阻之金屬模構成的密接層110－1與形成於密接層110－1上由銅等具有導電性之材料構成的第2配線部分110－2積層而成。若根據圖10所示之構成，則可提升第2配線110'之第2配線部分110－2與玻璃基板102的密接性。又，雖然未圖示，但圖10所示之第2配線110'之密接層110－1亦可為2層以上由低電阻金屬膜構成之多層構造。

又，第2配線110若為可將分開形成於玻璃基板102之一主面上的第1配線104與貫通電極108交聯加以電連接的配線，則何者皆可。例如，第2配線110可為將第1配線104與貫通電極108電連接之打線（wire bonding），又，亦可為將第1配線104與貫通電極108電連接之焊料。第2配線110之材料，例如可為鎳、金、錫、銅、鋁、鈦、鉻、ITO等金屬氧化物等。

如圖2所示，對一個貫通電極108，可以拉出於不同方向之方式連接複數條第2配線110。然而，本發明並不限定於此。圖11為本發明之一實施形態的貫通電極基板俯視圖。如圖11所示，亦可僅對一個貫通電極108連接一條第2配線110而電連接於第1配線104。

第1配線104、第2配線110及貫通電極108係以具有導電性之材料形成。例如，可使用金、銀、銅、鉑、鎳、銠、釕或銥等。第1配線104、第2配線110及葉通電極108亦可使用相同材料，亦可組合不同材料來使用。藉由以相同材料來形成第1配線104、第2配線110及貫通電極108，可提升特性阻抗匹配。

於本實施形態中，由於貫通電極108與第1配線104係藉由第2配線110電連接，故可確保貫通電極108與玻璃基板102上之第1配線104的導通，提升電可靠性。

[配線基板之構造1的變形例] 於圖2所示之例中，第2配線110雖然直接連接於貫通電極108之第1面102a上的連接盤108－1，但本發明並不限定於此。圖9為表示圖2所示之本發明一實施形態之貫通電極基板的變形例之圖。圖9（A）為本發明一實施形態之貫通電極基板的俯視圖。圖9（B）為圖9（A）所示之剖線的剖面圖。

如圖9所示，貫通電極108亦可具有從形成於第1面102a上之連接盤108－1延長的配線部分108－2。於此情形時，第2配線110亦可直接連接於從形成於貫通電極108之第1面102a上之連接盤108－1延長的配線部分108－2。

[配線基板之製造方法1] 關於圖2所示之本發明第1實施形態之貫通電極基板100的製造方法，參照圖2至圖6加以說明。另，於圖3至圖6中，對於與圖1至圖2相同之構成，賦予相同符號來說明。

首先，於玻璃基板102上，形成第1配線104（參照圖3）。第1配線104可為構成TFT等元件者。於圖3中，雖然於玻璃基板102之第1面102a上形成有第1配線104，但是並不限定於此，不僅第1面102a，亦可於第2面102b形成第1配線104。

接著，於單面或兩面形成有第1配線104之玻璃基板102，形成貫通第1面102a與第2面102b之貫通孔10（參照圖4）。貫通孔10形成於玻璃基板102之位置，為未形成有第1配線104之部分。貫通孔10形成於與第1配線104分離之位置。貫通孔10之形狀可為上下之孔徑大致一定的圓筒狀。

於玻璃基板102形成貫通孔10之方法，可為任意之方法。

接著，在形成於玻璃基板102之貫通孔10的內壁及第1面102a、第2面102b上之貫通孔的周緣部，形成密接層106（參照圖5）。密接層106例如可藉由旋塗、浸塗、噴霧塗布（spray coating）等方法形成。密接層106係於之後作為用以使貫通電極材料成膜的密接層發揮功能。密接層106可用含有有機樹脂之材料形成。

接著，於玻璃基板102之表面中形成有密接層106之部分，形成貫通電極108（參照圖6）。貫通電極108形成於形成在玻璃基板102表面之密接層106上。貫通電極108係使用無電電鍍法使銅或鎳等形成為被膜而成。

此處，當製造圖9所示之配線基板之構造1的變形例之情形時，從貫通電極108形成於第1面102a上之連接盤108－1延長的配線部分108－2，亦可與貫通電極108同時在上述步驟形成。具體而言，係於玻璃基板102之表面中形成有密接層106的部分，形成包含連接盤108－1及從連接盤108－1延長之配線部分108－2的貫通電極108（參照圖9）。貫通電極108係形成於形成在玻璃基板102表面之密接層106上。貫通電極108係使用無電電鍍法使銅或鎳等形成為被膜而成。

於本發明中，藉由將密接層106使用作為密接層或還原劑，而可用無電電鍍法等將貫通電極材料成膜於形成在玻璃基板102上之貫通孔10內。

亦有與本發明不同之方法，亦即，不形成密接層106，藉由濺鍍法將銅等貫通電極材料成膜在形成於玻璃基板102上之貫通孔10內。

若為玻璃基板之貫通孔之長寬比低的情形時（例如，板厚薄的情形或孔徑大的情形），則即使是使用藉由濺鍍法將銅等電極材料成膜於貫通孔內之方法的情形，亦能夠形成貫通電極。

所謂長寬比，係指板厚／孔徑之值，「玻璃基板102之板厚」與「玻璃基板102之貫通孔之孔徑」的關係，係以玻璃基板之貫通孔的長寬比來表現。例如當板厚厚之情形時或孔徑小之情形時，長寬比會變高，而當板厚薄之情形時或孔徑大之情形時，長寬比則會變小。

然而，當玻璃基板之貫通孔之長寬比高的情形時（例如，板厚厚之情形或孔徑小之情形），由於以濺鍍法無法充分將電極材料成膜至遠離玻璃基板主面之貫通孔的內部，故會變得容易發生貫通孔內部未形成有電極材料之空白部分（空孔（void）或空心洞），而在電可靠性具有問題。例如，當玻璃基板之貫通孔之長寬比為3以上的情形時，使用濺鍍法的話，則容易於貫通孔內發生空孔或空心洞，而在電可靠性上產生問題。

於本發明中，藉由將密接層106使用作為密接層或還原劑，即使是形成於玻璃基板102之貫通孔10之長寬比高的情形時，亦可藉由無電電鍍法等充分地將貫通電極材料成膜於貫通孔10內。因此，本發明尤其是對於形成在玻璃基板102之貫通孔10之長寬比為3以上的高密度配置之配線基板，可更加提升電可靠性，於此點上是有用的。

接著，為了將形成於玻璃基板102上之第1配線104與形成於和第1配線104分離之位置的貫通電極108電連接，而形成與第1配線104與玻璃基板102與貫通電極108接觸之第2配線110（參照圖2）。於圖2中，第2配線110雖是藉由濺鍍法等形成為與玻璃基板之第1面102a接觸的配線，但本發明並不限定於此。

如上述，為了對玻璃基板102進行無電鍍銅形成貫通電極108，而必須將密接層106作為密接層形成於玻璃基板102。又，若僅是透過密接層106形成貫通電極108，則會無法得到預先形成於玻璃基板102上之第1配線104等配線層與貫通電極108的導通。因此，本發明為了得到預先形成於玻璃基板102上之第1配線104等配線層與透過密接層106形成之貫通電極108的導通，而具備第2配線110作為交聯配線。

於本發明中，由於第2配線110以交聯配線之形態電連接分離形成於玻璃基板102之一主面上的第1配線104與貫通電極108，故可確保貫通電極108與第1配線104之導通，能夠提供一種電可靠性經提升之貫通電極基板。

又，如圖2所示，第2配線110亦可為藉由濺鍍法等形成為與玻璃基板之第1面102a接觸的配線。於此情形時，第2配線110配置成直接接觸於玻璃基板102之一主面（未絕緣分離），將直接接觸於同一面之第1配線104與貫通電極108（惟，於貫通電極108與玻璃基板102之間隔著密接層106。）交聯。具體而言，於圖2中，直接接觸於玻璃基板之第1面102a的第1配線104與貫通電極108於第1面102a上之連接盤108－1，係藉由直接接觸於玻璃基板之第1面102a的第2配線110電連接。

若根據圖2所示之第2配線110的構造，則由於直接接觸於玻璃基板之第1面102a的第1配線104與貫通電極108之連接盤108－1藉由直接接觸於玻璃基板之第1面102a的第2配線110電連接，故可提高與形成有第1配線104或貫通電極108之連接盤108－1等的玻璃基板第1面102a直接接觸之層內的配線密度。以此方式若與玻璃基板第1面102a直接接觸之層內的配線密度提高，則相應地對其他層形成配線會變得容易，配線之設計自由度會變高。

又，第1配線104與貫通電極108之連接盤108－1由於在與玻璃基板第1面102a直接接觸之相同層內連接，故可縮短第2配線110之配線長度，因此，電阻低，可穩定地通電。又，第2配線110由於直接接觸於與第1配線104或貫通電極108之連接盤108－1相同之面，故可使配線層低背化。並且，當透過絕緣層將其他之配線積層於該配線層上的情形時，可確保下層配線層之平坦性。

又，第1配線104、貫通電極108之連接盤108－1及第2配線110皆是以相同之玻璃基板的第1面102a作為基底而形成，故由玻璃基板第1面102a之熱膨脹所產生之應力由於會均勻地作用在第1配線104、貫通電極108及第2配線110各者，因此，不易發生配線之扭曲、斷線，連接可靠性變高。

[配線基板之構造2] 作為配線基板之構成2，參照圖7及圖8，說明本發明另一實施形態之貫通電極基板。另，對於與圖1及圖2相同之構成，賦予相同符號加以說明。

圖7所示之貫通電極基板100'，含有構成圖2所示之貫通電極基板100的玻璃基板102、第1貫通電極108a、第1配線104及第2配線110。圖7所示之貫通電極基板100'進一步具有絕緣層112，於絕緣層112上，具有構成第1配線104上層之配線層的第3配線114。絕緣層112於第1貫通電極108a上具有開口部20，於開口部20之內壁形成第2貫通電極108b。第2貫通電極108b與第3配線114具有藉由絕緣層112上之第4配線116交聯的構成。

絕緣層112設置成被覆玻璃基板102之第1面102a上的第1配線104、第2配線110、第1貫通電極108之上。絕緣層112為由有機樹脂材料構成之絕緣層，係作為用以將由第3配線層114構成之另外的配線層積層於由第1配線104構成之配線層上的層間絕緣膜發揮功能。

絕緣層112於與形成有第1貫通電極108a之貫通孔10重畳的位置具有開口部20，於絕緣層112之開口部20的內壁，形成有第2貫通電極108b。

第2貫通電極108b由於形成在以有機樹脂材料構成之絕緣層112的開口部20，故與第1貫通電極108a不同，而無需使密接層居於其間。因此，第2貫通電極108b可藉由無電鍍銅等方法直接形成於絕緣層112之表面。

第2貫通電極108b將形成於上層之第3配線114與第1貫通電極108a電連接，係用以在形成於玻璃基板102第1面102a上之第3配線114與形成在第2面102b上之其他配線等之間得到上下之導通。

第2貫通電極108b與第3配線形成於絕緣層112上之分離的位置，第4配線116於絕緣層112上將第2貫通電極108b與第3配線交聯而於該層電連接。

於圖7所示之貫通電極基板100'，具有下述構成：於玻璃基板102之第1面102a上，積層有含有第1配線104之配線層與含有第3配線之配線層，於含有第1配線104之配線層中，與玻璃基板102第1面102a直接接觸之第1貫通電極108a與第1配線104藉由與玻璃基板102第1面102a直接接觸之第2配線110在該層交聯。並且，於含有第3配線114之配線層中具有下述構成：與絕緣層112之上面直接接觸的第2貫通電極108b與第3配線114藉由與絕緣層112之上面直接接觸的第4配線116在該層交聯。其他之構成則與圖1及圖2所示之貫通電極基板100相同。

於圖7，雖然在玻璃基板102之第1面102a上，積層有含有第1配線104之配線層與含有第3配線之配線層此2層，但是本發明並不限定於此，亦可積層3層以上之配線層。

又，如圖7所示，貫通電極基板100'亦可進一步具備將第3配線114與形成於玻璃基板102第2面102b上之其他配線等上下導通的第3貫通電極108c。如圖7所示，於第3貫通電極108c與玻璃基板102之間，亦可形成有絕緣層112。作為絕緣層112之製造方法，例如可藉由使用輥塗機（roller coater）將絕緣性液狀阻劑膜（resist film）塗布於玻璃基板102表面之方法來形成絕緣層112。另外，亦可使用浸漬塗布機（dip coater）或噴霧塗佈機（spray coater）來形成絕緣層112。

圖8為圖7所示之貫通電極基板的俯視圖。於圖8中，係用實線表示最上面之配線或貫通電極，位於下層之配線或貫通電極則以透視圖之形態用虛線表示。如圖7及圖8所示，複數個第1貫通電極108a係於含有第1配線104之配線層彼此連接，第2貫通電極108b則於第1配線104之上層亦即含有第3配線114之配線層與為其他貫通電極之第3貫通電極108c連接。

於本發明中，由於第4配線116將分離形成於絕緣層112上之第3配線114與第2貫通電極108b在該層交聯連接，故可確保第2貫通電極108b與第3配線114之導通，可提供電可靠性經提升之貫通電極基板100'。

如圖7及圖8所示，第2貫通電線108b於中空部分之穿孔130b的周緣部形成有連接盤108b－1，此連接盤係作為將其他配線與貫通電極電連接之連接部分發揮功能。又，第1貫通電極108a及第3貫通電極108c亦可與第2貫通電極108b同樣地於穿孔之周緣部具有連接盤。

若根據圖7及圖8所示之具有複數層配線層的貫通電極基板100'，則可確保電可靠性，且同時藉由積層配線層，而可更加提升配線密度。

上述作為本發明之實施形態的各實施形態，只要沒有互相矛盾，則可適當加以組合來實施。又，基於各實施形態，該行業者進行適當構成元件之追加、刪除或者設計變更而成者，只要具備有本發明之要旨，則包含於本發明之範圍內。

又，即使為與藉由上述各實施形態所達成之作用效果不同的其他作用效果，但只要是從本說明書之記載可清楚得知者或該行業者可輕易預期者，當然亦理解為是藉由本發明所達成者。

10‧‧‧貫通孔 20‧‧‧開口部 100、100'‧‧‧貫通電極基板 102‧‧‧玻璃基板 102a‧‧‧第1面 102b‧‧‧第2面 104‧‧‧第1配線 106、110－1‧‧‧密接層 108、108a、108b‧‧‧貫通電極 108c‧‧‧第3貫通電極 108－1、108b－1‧‧‧連接盤 108－2‧‧‧配線部分 110‧‧‧第2配線 110－2‧‧‧第2配線部分 112‧‧‧絕緣層 114‧‧‧第3配線 116‧‧‧第4配線 120‧‧‧配線層 122‧‧‧凸塊 130、130b‧‧‧穿孔 200‧‧‧印刷基板 300‧‧‧積體電路 1000‧‧‧半導體裝置

圖1為使用本發明之一實施形態的貫通電極基板的半導體裝置之剖面圖。 圖2：圖2（A）為本發明之一實施形態的貫通電極基板的俯視圖。圖2（B）為圖2（A）所示之剖線的剖面圖。 圖3為說明本發明之一實施形態的貫通電極基板製造方法的剖面圖。 圖4為說明本發明之一實施形態的貫通電極基板製造方法的剖面圖。 圖5為說明本發明之一實施形態的貫通電極基板製造方法的剖面圖。 圖6為說明本發明之一實施形態的貫通電極基板製造方法的剖面圖。 圖7為本發明另一實施形態的貫通電極基板之剖面圖。 圖8為圖7所示之貫通電極基板的俯視圖。 圖9：圖9（A）為本發明之一實施形態的貫通電極基板的俯視圖。圖9（B）為圖9（A）所示之剖線的剖面圖。 圖10為本發明之一實施形態的貫通電極基板的剖面圖。 圖11為本發明之一實施形態的貫通電極基板的俯視圖。

10‧‧‧貫通孔

100‧‧‧貫通電極基板

102‧‧‧玻璃基板

102a‧‧‧第1面

102b‧‧‧第2面

104‧‧‧第1配線

106‧‧‧密接層

108‧‧‧貫通電極

108-1‧‧‧連接盤

110‧‧‧第2配線

130‧‧‧穿孔

Claims (6)

1. 一種貫通電極基板，具有：由無機材料構成之基板；設置於該基板上之第1配線；於與該第1配線分離之位置，設置於該基板之貫通孔；設置於該貫通孔之內壁的貫通電極；連接該第1配線及該貫通電極之第2配線；設置於該第1配線、該第2配線及該貫通電極上之絕緣層；設置於該絕緣層上之第3配線；及與該絕緣層、該第3配線及該貫通電極接觸之第4配線；該絕緣層由有機樹脂材料構成；且該貫通電極含有：設置於該貫通孔之內壁的第1貫通電極；及設置於設在該絕緣層之開口部之內側的第2貫通電極。
2. 一種貫通電極基板，具有：由無機材料構成之基板；設置於該基板上之第1配線；於與該第1配線分離之位置，設置於該基板之貫通孔；設置於該貫通孔之內壁的貫通電極；及連接該第1配線及該貫通電極之第2配線；且該貫通孔之長寬比為3以上。
3. 如請求項1或2所述之貫通電極基板，其進一步具有設置於該基板與該貫通電極之間的密接層。
4. 如請求項3所述之貫通電極基板，其中，該第2配線進一步與該 密接層接觸。
5. 如請求項3所述之貫通電極基板，其中，該密接層含有有機樹脂材料。
6. 一種半導體裝置，使用有請求項1至5中任一項所述之貫通電極基板。

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