TWI781160B - 吸附暫固定片及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種於與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力,且於相對於表面垂直之方向上具有較弱之接著力的吸附暫固定片。又,本發明提供此種吸附暫固定片之製造方法。 本發明之吸附暫固定片係具有具備連續氣泡構造之發泡層者,且於將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm□),將於23℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm□),將於125℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm□),並且將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm□),將於23℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm□),將於125℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm□)時,為V1<H1、V2<H2、V3<H3。

Description

吸附暫固定片及其製造方法
本發明係關於一種吸附暫固定片。又,本發明係關於一種吸附暫固定片之製造方法。
作為傢俱或家電之防翻倒滑動片材、地毯之背襯材料、可貼附固定於汽車內飾材料且可容易地剝離之片材等,先前使用具有吸附性之發泡片材。 此種具有吸附性之發泡片材中主要使用丙烯酸或橡膠等材料(例如專利文獻1),但由於乳液系之材料為主流,故而雖然再剝離性優異,但有如下問題:耐水性較差,於髒污時若進行水洗則吸水而發生膨潤,吸附性降低。 又,於電子業界之顯示器或有機EL(Electroluminescence,電致發光)照明等之製造中,於向各種膜基板(聚醯亞胺、PET(Polyethylene Terephthalate,聚對苯二甲酸乙二酯)、PEN(Polyethylene Naphthalate,聚萘二甲酸乙二酯)等)、玻璃、Si基板上進行各種金屬膜或ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)膜之蒸鍍、濺鍍成膜、圖案形成加工等時,可使用將基板與固定台暫固定般之材料。作為此種材料,由於必須於成膜後解除暫固定,故而使用可進行再剝離之膠帶。作為此種膠帶,現狀可列舉:藉由加熱進行發泡而剝離之膠帶、於低溫下剝離之冷卻剝離膠帶、弱黏著之丙烯酸系或聚矽氧系之雙面膠帶等。 然而,於在製造步驟中需要150℃以上之高溫加熱之情形時,由黏著劑之重剝離化所引起之糊劑殘留或基板之破損成為問題。又,於黏貼膠帶時,混入氣泡,故而亦有基板之平滑性受損,妨礙高精度之圖案形成加工之擔憂。 作為輕量、耐熱性或耐候性優異且導熱率亦較低之發泡材料,最近業界報告有聚矽氧發泡體。例如已報告有:包含聚矽氧樹脂硬化物、及分散於該聚矽氧樹脂硬化物中之內部具有空腔部之複數個粒子,且適宜地用於太陽電池用途之聚矽氧樹脂發泡體(例如專利文獻2);或泡孔較緻密,泡孔尺寸之均一性較高,泡孔形狀良好,獨立氣泡率較高之聚矽氧泡沫片材(例如專利文獻3)等。 對於吸附暫固定片,存在視用途而要求於與該吸附暫固定片之表面相同之方向上具有充分之剪切接著力,且於相對於該吸附暫固定片之表面大致垂直之方向上具有較弱之接著力之情形。於此種情形時,例如可列舉如下之情形:於在沿水平方向配置之吸附暫固定片之表面上載置構件時,對於橫向要求將該構件牢固地固定,另一方面,要求向上拾取時可容易地剝離。 然而,先前之聚矽氧發泡體未能充分地應對如上所述之要求。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1:日本專利特開平1-259043號公報 專利文獻2:日本專利第5702899號公報 專利文獻3:日本專利特開2014-167067號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明之課題在於提供一種於與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力,且於相對於表面垂直之方向上具有較弱之接著力的吸附暫固定片。又,本發明之課題在於提供此種吸附暫固定片之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之吸附暫固定片係具有具備連續氣泡構造之發泡層者,且 於將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm□),將於23℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm□),將於125℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm□),並且 將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm□),將於23℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm□),將於125℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm□)時, 為V1<H1、V2<H2、V3<H3。 此處,矽晶片垂直接著力係利用聚矽氧膠帶將吸附暫固定片之評價面之相反面固定於平滑之不鏽鋼板上,使2 kg輥往返一次而將利用研磨機(DISCO公司製造之DFG8560)研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造之DFD6450)單片化為1 cm□所得的厚度300 μm之矽晶片的研削面貼合於吸附暫固定片,於-40℃、23℃、125℃下分別熟化20小時,並於23℃下靜置2小時,使用Servopulser(島津製作所公司製造之控制器4890,荷重元MMT-250N),於在20 mmf之轉接器之前端貼附有雙面膠帶(日東電工公司製造之No.5000NS)之狀態下,以壓縮速度0.01 N/sec於垂直方向上將矽晶片之鏡面(研削面之相反面)壓縮直至施加0.05 N之荷重為止,並以10 mm/sec剝離之時之最大荷重。 又,矽晶片剪切接著力係利用聚矽氧膠帶將吸附暫固定片之評價面之相反面固定於平滑之不鏽鋼板上,使2 kg輥往返一次而將利用研磨機(DISCO公司製造之DFG8560)研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造之DFD6450)單片化為1 cm□所得的厚度300 μm之矽晶片的研削面貼合於吸附暫固定片,於-40℃、23℃、125℃下分別熟化20小時,並於23℃下靜置2小時,使用測力計(日本電產SHIMPO公司製造之FGPX-10),以1 mm/sec之速度推壓矽晶片之側面而測定之剪切接著力。 於一實施形態中,上述V1為5 N/1 cm□以下。 於一實施形態中,上述H1為0.5 N/1 cm□以上。 於一實施形態中,上述V2為6.5 N/1 cm□以下。 於一實施形態中,上述H2為0.6 N/1 cm□以上。 於一實施形態中,上述V3為10 N/1 cm□以下。 於一實施形態中,上述H3為0.7 N/1 cm□以上。 於一實施形態中,上述發泡層之視密度為0.15 g/cm3 ~0.90 g/cm3 。 於一實施形態中,上述發泡層之表面之算術平均表面粗糙度Ra為1 μm~10 μm。 本發明之吸附暫固定片之製造方法係具有具備連續氣泡構造之發泡層之吸附暫固定片之製造方法,且 將形成該發泡層之樹脂組合物塗敷於隔片A上,於該所塗敷之樹脂組合物之與該隔片A相反之側之表面上載置隔片B,並進行熱硬化後,將選自該隔片A及該隔片B中之至少1種剝離, 該所剝離之隔片中之至少1種係具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm~5 μm之表面之隔片。 [發明之效果] 根據本發明,可提供一種於與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力,且於相對於表面垂直之方向上具有較弱之接著力的吸附暫固定片。又,可提供此種吸附暫固定片之製造方法。
《吸附暫固定片》 本發明之吸附暫固定片係具有具備連續氣泡構造之發泡層者。 作為本發明之吸附暫固定片之形態,例如可列舉:於整個片材中具有發泡層之形態、於片材之一部分中具有發泡層且該片材之最外層之至少一者為該發泡層之形態等。 於本發明之吸附暫固定片中,於發泡層之表面例如可貼合有隔片直至使用為止。此種隔片於並非作為支持體而發揮功能之情形時,較佳為於將欲暫固定之構件載置於本發明之吸附暫固定片之前,自發泡層表面剝離。 本發明之吸附暫固定片藉由其中所含之發泡層具備連續氣泡構造,可不混入氣泡而將被接著體貼合並暫固定。 本發明之吸附暫固定片於將其中所含之發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm□),將於23℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm□),將於125℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm□),且將其中所含之發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm□),將於23℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm□),將於125℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm□)時,為V1<H1、V2<H2、V3<H3。如此,藉由具有V1<H1、V2<H2、V3<H3之關係,本發明之吸附暫固定片可於與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力,並且可於相對於表面垂直之方向上具有較弱之接著力。 關於本發明之吸附暫固定片,如上所述,於在-40℃下20小時後、於23℃下20小時後、於125℃下20小時後中之任一情況下,均成為矽晶片垂直接著力<矽晶片剪切接著力,故而較佳為於低溫至高溫之較廣溫度範圍內,可於與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力,並且可於相對於表面垂直之方向上具有較弱之接著力。 矽晶片垂直接著力係利用聚矽氧膠帶將吸附暫固定片之評價面之相反面固定於平滑之不鏽鋼板上,使2 kg輥往返一次而將利用研磨機(DISCO公司製造之DFG8560)研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造之DFD6450)單片化為1 cm□所得的厚度300 μm之矽晶片的研削面貼合於吸附暫固定片,於-40℃、23℃、125℃下分別熟化20小時,並於23℃下靜置2小時,使用Servopulser(島津製作所公司製造之控制器4890,荷重元MMT-250N),於在20 mmf之轉接器之前端貼附有雙面膠帶(日東電工公司製造之No.5000NS)之狀態下,以壓縮速度0.01 N/sec於垂直方向上將矽晶片之鏡面(研削面之相反面)壓縮直至施加0.05 N之荷重為止,並以10 mm/sec剝離之時之最大荷重。 矽晶片剪切接著力係利用聚矽氧膠帶將吸附暫固定片之評價面之相反面固定於平滑之不鏽鋼板上,使2 kg輥往返一次而將利用研磨機(DISCO公司製造之DFG8560)研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造之DFD6450)單片化為1 cm□所得的厚度300 μm之矽晶片的研削面貼合於吸附暫固定片,於-40℃、23℃、125℃下分別熟化20小時,並於23℃下靜置2小時,使用測力計(日本電產SHIMPO公司製造之FGPX-10),以1 mm/sec之速度推壓矽晶片之側面而測定之剪切接著力。 V1(發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片垂直接著力)較佳為5 N/1 cm□以下,更佳為0.1 N/1 cm□~4.5 N/1 cm□,進而較佳為0.2 N/1 cm□~4 N/1 cm□,尤佳為0.3 N/1 cm□~3.5 N/1 cm□。藉由V1處於上述範圍內,本發明之吸附暫固定片可將欲吸附暫固定之構件暫固定,並且於低溫之溫度範圍內,可於相對於表面垂直之方向上具有更弱之接著力。 H1(發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片剪切接著力)較佳為0.5 N/1 cm□以上,更佳為0.7 N/1 cm□~40 N/1 cm□,進而較佳為0.8 N/1 cm□~35 N/1 cm□,尤佳為0.9 N/1 cm□~30 N/1 cm□。藉由H1處於上述範圍內,本發明之吸附暫固定片可將欲吸附暫固定之構件暫固定,並且於低溫之溫度範圍內,可於與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力。 V2(發泡層之表面的於23℃下20小時後之矽晶片垂直接著力)較佳為6.5 N/1 cm□以下,更佳為0.1 N/1 cm□~5.5 N/1 cm□,進而較佳為0.2 N/1 cm□~5 N/1 cm□,尤佳為0.3 N/1 cm□~4.5 N/1 cm□。藉由V2處於上述範圍內,本發明之吸附暫固定片可將欲吸附暫固定之構件暫固定,並且於室溫附近之溫度範圍內,可於相對於表面垂直之方向上具有更弱之接著力。 H2(發泡層之表面的於23℃下20小時後之矽晶片剪切接著力)較佳為0.6 N/1 cm□以上,更佳為0.7 N/1 cm□~40 N/1 cm□,進而較佳為0.8 N/1 cm□~35 N/1 cm□,尤佳為0.9 N/1 cm□~30 N/1 cm□。藉由H2處於上述範圍內,本發明之吸附暫固定片可將欲吸附暫固定之構件暫固定,並且於室溫附近之溫度範圍內,可於與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力。 V3(發泡層之表面的於125℃下20小時後之矽晶片垂直接著力)較佳為10 N/1 cm□以下,更佳為0.1 N/1 cm□~9.6 N/1 cm□,進而較佳為0.2 N/1 cm□~9.2 N/1 cm□,尤佳為0.3 N/1 cm£~8.8 N/1 cm□。藉由V3處於上述範圍內,本發明之吸附暫固定片可將欲吸附暫固定之構件暫固定,並且於高溫之溫度範圍內,可於相對於表面垂直之方向上具有更弱之接著力。 H3(發泡層之表面的於125℃下20小時後之矽晶片剪切接著力)較佳為0.7 N/1 cm□以上,更佳為0.8 N/1 cm□~40 N/1 cm□,進而較佳為0.9 N/1 cm□~35 N/1 cm□,尤佳為1 N/1 cm□~30 N/1 cm□。藉由H3處於上述範圍內,本發明之吸附暫固定片可將欲吸附暫固定之構件暫固定,並且於高溫之溫度範圍內,可於與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力。作為發泡層之厚度,視目的可採用任意適當之厚度。發泡層之厚度較佳為10 μm~3500 μm,更佳為20 μm~2500 μm,進而較佳為30 μm~1500 μm,尤佳為40 μm~950 μm,最佳為50 μm~800 μm。即便發泡層之厚度如此薄,本發明之吸附暫固定片亦可表現出優異之暫固定性。 發泡層較佳為具有泡孔(球狀氣泡)。再者,泡孔(球狀氣泡)可並非嚴格之圓球狀之氣泡,例如亦可為部分地存在變形之大致球狀之氣泡、或包含具有較大變形之空間之氣泡。 發泡層較佳為具備連續氣泡構造。即,發泡層較佳為具備於鄰接之泡孔間具有貫通孔之連續氣泡構造。藉由發泡層具備連續氣泡構造,可與發泡層之其他特徵相輔相成而表現出優異之脫氣泡性,可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。又,即便使發泡層之厚度變薄,亦可維持該等效果之表現。 再者,是否存在連續氣泡構造之觀察可藉由如下方式而進行:利用低真空掃描電子顯微鏡(「S-3400N型掃描電子顯微鏡」,Hitachi High-Tech Fielding公司製造),取得發泡層剖面之放大圖像,並確認有無泡孔壁之貫通孔。 發泡層之連續氣泡率較佳為90%以上,更佳為90%~100%,進而較佳為92%~100%,進而較佳為95%~100%,尤佳為99%~100%,最佳為實質上為100%。若發泡層之連續氣泡率處於上述範圍內,則可與發泡層之其他特徵相輔相成而表現出更優異之脫氣泡性,可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。又,即便使發泡層之厚度變薄,亦可進一步維持該等效果之表現。 再者,連續氣泡率例如可如下述般進行測定。即,使發泡層沈入水中,於-750 mmHg之減壓下放置3分鐘,藉此將氣泡中之空氣置換成水,測量所吸收之水之質量,將水之密度設為1.0 g/cm3 而算出所吸收之水之體積,並藉由下述式算出。 連續氣泡率(%)={(所吸收之水之體積)/(氣泡部分體積)}×100 再者,氣泡部分體積例如係藉由下述式算出。此處,樹脂密度係藉由對將形成發泡層之樹脂中之乳化劑去除而製作的樹脂成形體之密度進行測定而獲得之值。 氣泡部分體積(cm3 )={(發泡體(發泡片材)之質量)/(發泡體(發泡片材)之視密度)}-{(發泡體(發泡片材)之質量)/(樹脂密度)} 發泡層之平均泡孔徑較佳為1 μm~200 μm,更佳為1.5 μm~180 μm,進而較佳為2 μm~170 μm,尤佳為2.5 μm~160 μm,最佳為3 μm~150 μm。於發泡層中,若平均泡孔徑處於上述範圍內,則可與發泡層之其他特徵相輔相成而表現出更優異之脫氣泡性,可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。又,即便使發泡層之厚度變薄,亦可進一步維持該等效果之表現。 發泡層較佳為所有泡孔之90%以上之泡孔徑為300 μm以下,更佳為所有泡孔之92%以上之泡孔徑為300 μm以下,進而較佳為所有泡孔之95%以上之泡孔徑為300 μm以下,尤佳為所有泡孔之97%以上之泡孔徑為300 μm以下,最佳為所有泡孔之實質上100%之泡孔徑為300 μm以下。又,發泡層更佳為所有泡孔之90%以上之泡孔徑為250 μm以下,進而較佳為所有泡孔之90%以上之泡孔徑為200 μm以下,尤佳為所有泡孔之90%以上之泡孔徑為180 μm以下,最佳為所有泡孔之90%以上之泡孔徑為150 μm以下。於發泡層中,若300 μm以下之泡孔徑之比率或所有泡孔之90%以上之泡孔徑處於上述範圍內,則可與發泡層之其他特徵相輔相成而表現出更優異之脫氣泡性,可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。又,即便使發泡層之厚度變薄,亦可進一步維持該等效果之表現。 發泡層之所有泡孔中之最大泡孔徑較佳為300 μm以下,更佳為250 μm以下,進而較佳為200 μm以下,尤佳為180 μm以下,最佳為150 μm以下。於發泡層中,若所有泡孔中之最大泡孔徑處於上述範圍內,則可與發泡層之其他特徵相輔相成而表現出更優異之脫氣泡性,可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。又,即便使發泡層之厚度變薄,亦可進一步維持該等效果之表現。 發泡層之所有泡孔中之最小泡孔徑較佳為100 μm以下,更佳為80 μm以下,進而較佳為70 μm以下,尤佳為60 μm以下,最佳為50 μm以下。於發泡層中,若所有泡孔中之最小泡孔徑處於上述範圍內,則可與發泡層之其他特徵相輔相成而表現出更優異之脫氣泡性,可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。又,即便使發泡層之厚度變薄,亦可進一步維持該等效果之表現。 如此,發泡層較佳為具備連續氣泡構造,又,較佳為泡孔徑係如上所述般微細,藉此可表現出優異之脫氣泡性,可在不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地剝離,而變得適於吸附暫固定片。 再者,平均泡孔徑例如可藉由利用低真空掃描電子顯微鏡(「S-3400N型掃描電子顯微鏡」,Hitachi High-Tech Science Systems公司製造),取得發泡層剖面之放大圖像,並進行圖像分析而求出。再者,作為所分析之泡孔數,例如為20個。可藉由同樣之方法求出最小泡孔徑(μm)及最大泡孔徑(μm)。 發泡層較佳為具有表面開口部。所謂此處所指之表面開口部,係指存在於發泡層之表面的具有某種大小之平均孔徑之開口部。藉由發泡層具有表面開口部,本發明之吸附暫固定片可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。推測其原因在於,表面開口部係作為適當之吸盤而發揮作用,藉此,具有發泡層之本發明之吸附暫固定片可進一步表現出如上所述之優異之暫固定性。 表面開口部之開口率較佳為1%~99%,更佳為2%~95%,進而較佳為3%~90%,尤佳為4%~85%,最佳為5%~80%。若表面開口部之開口率處於上述範圍內,則本發明之吸附暫固定片可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。 表面開口部之平均孔徑較佳為150 μm以下,更佳為0.5 μm~145 μm,進而較佳為1.0 μm~140 μm,尤佳為1.5 μm~135 μm,最佳為2.0 μm~130 μm。若表面開口部之平均孔徑處於上述範圍內,則本發明之吸附暫固定片可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。 再者,表面開口部之平均孔徑例如可藉由利用低真空掃描電子顯微鏡(「S-3400N型掃描電子顯微鏡」,HitachiHigh-Tech Fielding公司製造),取得發泡層表面之放大圖像,並進行圖像分析而求出。所分析之孔數例如為20個。 發泡層之視密度較佳為0.15 g/cm3 ~0.90 g/cm3 ,更佳為0.20 g/cm3 ~0.85 g/cm3 ,進而較佳為0.25 g/cm3 ~0.80 g/cm3 ,尤佳為0.30 g/cm3 ~0.75 g/cm3 。若發泡層之視密度處於上述範圍內,則與發泡層之其他特徵相輔相成,可在更不混入氣泡下將被接著體貼合並暫固定,且於解除暫固定時可無糊劑殘留地更容易地剝離。又,即便使發泡層之厚度變薄,亦可維持該等效果之表現。 發泡層其表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm~10 μm,更佳為0.2 μm~9 μm,進而較佳為0.3 μm~8.5 μm,尤佳為0.4 μm~8 μm。藉由發泡層之表面具有此種範圍之算術平均表面粗糙度Ra,本發明之吸附暫固定片可於與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力,且於相對於表面垂直之方向上具有更弱之接著力。 於發泡層之表面,例如可於使用之前貼合有隔片。此種隔片於並非作為支持體而發揮功能之情形時,較佳為於將欲暫固定之構件載置於本發明之吸附暫固定片之前,自發泡層表面剝離。 隔片之厚度較佳為1 μm~500 μm,更佳為3 μm~450 μm,進而較佳為5 μm~400 μm,尤佳為10 μm~300 μm。 作為隔片,例如可列舉:紙、塑膠膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜、表面經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理之塑膠膜等。 作為塑膠膜,例如可列舉:聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚醯亞胺膜、聚醯胺(尼龍)膜、芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺)膜等。 尤其就可進一步表現出本發明之效果之方面而言,較佳為將未經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理等表面處理之塑膠膜作為隔片而貼合於發泡層之至少一個表面。作為此種隔片,尤佳為未經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理等表面處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。 作為如上所述之隔片,其表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm~5 μm,更佳為0.15 μm~4.5 μm,進而較佳為0.2 μm~4 μm,尤佳為0.22 μm~3.5 μm。藉由採用具有此種範圍之算術平均表面粗糙度Ra之表面之隔片,於將欲暫固定之構件載置於本發明之吸附暫固定片之前自發泡層表面剝離此種隔片,藉此本發明之吸附暫固定片可於與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力,且於相對於表面垂直之方向上具有更弱之接著力。 於本發明之吸附暫固定片之一實施形態中,於發泡層之一個表面側具有支持體。於該實施形態中,於發泡層之另一表面,例如可於使用之前貼合有隔片。此種隔片較佳為如上所述之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm~5 μm之隔片。 於本發明之吸附暫固定片之一實施形態中,於發泡層之一個表面側具有黏著劑層。於該實施形態中,於發泡層之另一表面、及黏著劑層之另一表面,例如可於使用之前貼合有隔片。於此種隔片之中,貼合於發泡層之另一表面之隔片較佳為如上所述之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm~5 μm之隔片。 於本發明之吸附暫固定片之一實施形態中,於發泡層之一個表面側具有支持體,進而於該支持體之與該發泡層相反之側之表面具有黏著劑層。即,為發泡層/支持體/黏著劑層之形態。於該實施形態中,於發泡層之另一表面、及黏著劑層之另一表面,例如可於使用之前貼合有隔片。於此種隔片之中,貼合於發泡層之另一表面之隔片較佳為如上所述之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm~5 μm之隔片。 於本發明之吸附暫固定片之一實施形態中,於發泡層之一個表面側具有支持體,進而於該支持體之與該發泡層相反之側之表面具有發泡層。即,為發泡層/支持體/發泡層之形態。於該實施形態中,於發泡層之另一表面,例如可於使用之前貼合有隔片。此種隔片較佳為如上所述之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm~5 μm之隔片。 作為支持體,只要可支持發泡層,則可採用任意適當之支持體。作為此種支持體,為塑膠膜或片材或膠帶、紙、不織布、金屬箔或金屬網、玻璃或玻璃布等。支持體可為1層,亦可為2層以上。又,為了提高支持體與發泡層之抓固性,較佳為於支持體表面塗佈矽烷偶合劑等底塗劑,或進行電暈處理或電漿處理等表面處理。 作為塑膠膜,例如可列舉:聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚醯亞胺膜、聚醯胺(尼龍)膜、芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺)膜等。 作為黏著劑層,可採用包含任意適當之黏著劑之層。作為此種黏著劑,例如可列舉:橡膠系黏著劑(合成橡膠系黏著劑、天然橡膠系黏著劑等)、胺基甲酸酯系黏著劑、丙烯酸胺基甲酸酯系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、環氧系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、氟系黏著劑等。此種黏著劑可為1種,亦可為2種以上。黏著劑層可為1層,亦可為2層以上。 作為黏著劑,若以黏著形態進行分類,則例如可列舉:乳膠型黏著劑、溶劑型黏著劑、紫外線交聯型(UV交聯型)黏著劑、電子束交聯型(EB交聯型)黏著劑、熱熔融型黏著劑(熱熔型黏著劑)等。此種黏著劑可為1種,亦可為2種以上。 於本發明之吸附暫固定片之一實施形態中,於不損及本發明之效果之範圍內,可採用任意適當之發泡層。作為此種發泡層,例如可列舉:聚矽氧發泡層、丙烯酸系發泡層等。 發泡層之一實施形態為聚矽氧發泡層。 聚矽氧發泡層較佳為藉由聚矽氧樹脂組合物之熱硬化而形成。 聚矽氧樹脂組合物較佳為如下所述者。 至少包含: (A)一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷100質量份、 (B)一分子中具有至少2個與矽原子鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷(相對於該(A)成分中之烯基1莫耳,該(B)成分中之與矽原子鍵結之氫原子成為0.4莫耳~20莫耳之量)、 (C)包含水與無機系增黏劑之混合物100質量份~1000質量份、 (D)包含(D-1)HLB(Hydrophile Lipophile Balance,親水親油均衡值)之值為3以上之非離子系界面活性劑、及(D-2)HLB之值未達3之非離子系界面活性劑之界面活性劑(其中,(D-1)成分相對於(D-2)成分之質量比至少為1)0.1質量份~15質量份、 (E)矽氫化反應觸媒、及 (F)硬化延遲劑0.001質量份~5質量份。 (A)成分係一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷,為本組合物之主劑。作為(A)成分中之烯基,可例示乙烯基、烯丙基、己烯基,較佳為乙烯基。又,作為(A)成分中之烯基以外之與矽原子鍵結之有機基,可例示:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基;苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基;苄基、苯乙基等芳烷基;3,3,3-三氟丙基等鹵素取代烷基等,較佳為甲基。 關於(A)成分,具體而言可例示:二甲基乙烯基矽烷氧基封阻二甲基聚矽氧烷、二甲基乙烯基矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基封阻甲基乙烯基聚矽氧烷、三甲基矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物,較佳為主鏈實質上為直鏈狀之二有機聚矽氧烷。(B)成分係一分子中具有至少2個與矽原子鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷,為本組合物之交聯劑。(B)成分中之與矽原子鍵結之氫原子之鍵結位置並無限定,可例示分子鏈末端及/或分子鏈側鏈。作為(B)成分中之氫原子以外之與矽原子鍵結之有機基,可例示:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基;苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基;苄基、苯乙基等芳烷基;3,3,3-三氟丙基等鹵素取代烷基等,較佳為甲基。 作為此種(B)成分,可例示:二甲基氫矽烷氧基封阻二甲基聚矽氧烷、二甲基氫矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基封阻甲基氫聚矽氧烷、三甲基矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、包含(CH3 )3 SiO1/2 所表示之矽氧烷單元及H(CH3 )2 SiO1/2 所表示之矽氧烷單元以及SiO4/2 所表示之矽氧烷單元之有機聚矽氧烷,較佳為直鏈狀之有機聚矽氧烷。 (B)成分之含量係相對於(A)成分中之烯基1莫耳而(B)成分中之與矽原子鍵結之氫原子成為0.4莫耳~20莫耳之範圍內之量,較佳為成為1.5莫耳~20莫耳之範圍內之量,更佳為成為1.5莫耳~10莫耳之範圍內之量。其原因在於,若(B)成分中之與矽原子鍵結之氫之莫耳數為上述範圍內,則改善所獲得之聚矽氧發泡片材之壓縮永久變形。 (C)成分係包含水與無機系增黏劑之混合物,係用以藉由自使本組合物交聯而獲得之聚矽氧橡膠中去除(C)成分中之水,而製成聚矽氧橡膠海綿之成分。就(C)成分穩定地分散於(A)成分中之方面而言,(C)成分中之水較佳為離子交換水。 (C)成分中之無機系增黏劑係為了提高水之黏度而(C)成分容易地分散於(A)成分中,且使(C)成分之分散狀態穩定而調配。作為該無機增黏劑,有天然或合成者,可例示:膨潤土、蒙脫石、鋰膨潤石、皂石、鋅膨潤石、鋁膨潤石及綠脫石等天然或合成之膨潤石黏土;矽酸鋁鎂;及該等與羧基乙烯基聚合物等水溶性有機聚合物之複合物,較佳為膨潤土或蒙脫石等膨潤石黏土。作為此種膨潤石黏土,例如可獲取作為水熱合成品之Sumecton SA(KUNIMINE INDUSTRIES股份有限公司製造)、作為天然精製品之Bengel(Ho Jun股份有限公司製造)。關於該等膨潤石黏土之pH值,就維持聚矽氧橡膠海綿之耐熱性之方面而言,較佳為pH值5.0~9.0之範圍內。又,關於(C)成分中之無機系增黏劑之含量,相對於水100質量份,較佳為0.1質量份~10質量份之範圍內,更佳為0.5質量份~5質量份之範圍內。 相對於(A)成分100質量份,(C)成分之含量為100質量份~1000質量份之範圍內,較佳為100質量份~800質量份之範圍內,更佳為100質量份~500質量份之範圍,進而較佳為200質量份~500質量份之範圍內,尤佳為200質量份~350質量份之範圍內。其原因在於,若(C)成分之含量為上述範圍之下限以上,則可形成低密度之聚矽氧發泡片材,另一方面其原因在於,若為上述範圍之上限以下,則可形成具有均一且微細之連續氣泡構造之聚矽氧發泡片材。 (D)成分之界面活性劑包含(D-1)HLB之值為3以上之非離子系界面活性劑及(D-2)HLB之值未達3之非離子系界面活性劑。作為(D)成分之界面活性劑,可例示:甘油脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、山梨醇酐脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯、聚乙二醇脂肪酸酯、聚丙二醇脂肪酸酯、聚氧乙烯甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯醚、聚氧乙烯脂肪醯胺。 (D)成分包含(D-1)成分與(D-2)成分,(D-1)成分相對於(D-2)成分之質量比至少為1,較佳為至少為5,更佳為至少為8,進而較佳為至少為10,尤佳為至少為15。又,(D-1)成分相對於(D-2)成分之質量比較佳為至多為100,更佳為至多為80,至多為70,至多為60,或至多為50。其原因在於,若該質量比大於上述下限,則可形成具有均一且微細之連續氣泡構造之低密度之聚矽氧發泡片材,另一方面其原因在於,若小於上述上限,則可使(C)成分穩定性良好地分散於(A)成分與(B)成分中,作為結果,可形成具有均一且微細之連續氣泡構造之聚矽氧發泡片材。 相對於(A)成分100質量份,(D)成分之含量為0.1質量份~15質量份之範圍內,較佳為0.2質量份~3質量份之範圍內。其原因在於,若(D)成分之含量為上述範圍之下限以上,則可形成具有均一且微細之連續氣泡構造之聚矽氧發泡片材,另一方面其原因在於,若為上述範圍之上限以下,則可形成耐熱性優異之聚矽氧發泡片材。 (E)成分係用以促進聚矽氧樹脂組合物之矽氫化反應之矽氫化反應觸媒,例如可例示:鉑系觸媒、鈀系觸媒、銠系觸媒,較佳為鉑系觸媒。作為此種(E)成分,可例示:氯鉑酸,醇改性氯鉑酸,氯鉑酸與烯烴類、乙烯基矽氧烷或乙炔化合物之配位化合物,鉑之烯烴類、乙烯基矽氧烷或乙炔化合物之配位化合物,四(三苯基膦)鈀,氯三(三苯基膦)銠。 (E)成分之含量係對於使聚矽氧樹脂組合物交聯而言充分之量,具體而言,相對於(A)成分及(B)成分之合計量,(E)成分中之觸媒金屬以質量換算計,較佳為成為0.01 ppm~500 ppm之範圍內之量,更佳為成為0.1 ppm~100 ppm之範圍內之量。 為了調整聚矽氧樹脂組合物之硬化速度或作業使用壽命,可含有(F)硬化延遲劑。作為此種(F)成分,可例示:3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇、1-乙炔基-1-環己醇等炔醇。(F)成分之含量係根據聚矽氧樹脂組合物之使用方法或成形方法而適當加以選擇,通常相對於(A)成分100質量份而為0.001質量份~5質量份之範圍內。 於聚矽氧樹脂組合物中,就提高所獲得之聚矽氧發泡片材之強度之方面而言,可進而含有(G)補強性二氧化矽微粉末。作為此種(G)成分,較佳為BET比表面積較佳為50 m2 /g~350 m2 /g、更佳為80 m2 /g~250 m2 /g之二氧化矽微粉末,可例示發煙二氧化矽、沈澱二氧化矽。又,該等二氧化矽微粉末可利用有機矽烷等進行表面處理。 相對於(A)成分100質量份,(G)成分之含量至多為20質量份,較佳為至多為15質量份,更佳為至多為10質量份。又,相對於(A)成分100質量份,(G)成分之含量較佳為至少為0.1質量份。 於聚矽氧樹脂組合物中,可於不損及本發明之目的之範圍內,含有碳黑或鐵丹等顏料。 聚矽氧樹脂組合物可藉由利用公知之混練設備將上述各成分或於該等中視需要調配有各種添加劑之組合物均勻地混合而容易地製造。作為此處所使用之混合器,可例示:均質混合器、槳式混合器、勻相分散機、膠體磨機、真空混合攪拌混合器、自轉公轉混合器等,只要可使(C)成分與(D)成分充分地分散於(A)成分中,則並無特別限定。 《吸附暫固定片之製造方法》 本發明之吸附暫固定片之製造方法係具有具備連續氣泡構造之發泡層之吸附暫固定片之製造方法,且將形成該發泡層之樹脂組合物塗敷於隔片A上,於該塗敷之樹脂組合物之與該隔片A相反之側之表面上載置隔片B,並進行熱硬化後,將選自該隔片A及該隔片B中之至少1種剝離,該所剝離之隔片中之至少1種係具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm~5 μm之表面之隔片。 上述算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.15 μm~4.5 μm,更佳為0.2 μm~4 μm,進而較佳為0.22 μm~3.5 μm。藉由採用具有此種範圍之算術平均表面粗糙度Ra之表面之隔片,藉由本發明之製造方法而獲得之吸附暫固定片可於與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力,且於相對於表面垂直之方向上具有更弱之接著力。 於本發明之吸附暫固定片之製造方法中,藉由進行熱硬化後剝離之隔片中之至少1種係具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm~5 μm之表面之隔片,於將其剝離後所獲得之本發明之吸附暫固定片之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為成為0.1 μm~10 μm,更佳為成為0.2 μm~9 μm,進而較佳為成為0.3 μm~8.5 μm,尤佳為成為0.4 μm~8 μm。藉由如上所述般剝離後所獲得之本發明之吸附暫固定片之表面具有此種範圍之算術平均表面粗糙度Ra,由本發明之製造方法而獲得之吸附暫固定片可於與表面相同上之方向具有更充分之剪切接著力,且於相對於表面垂直之方向上具有更弱之接著力。 作為具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm~5 μm之表面之隔片,例如可列舉:紙、塑膠膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜、表面經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理之塑膠膜等。作為塑膠膜,例如可列舉:聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚醯亞胺膜、聚醯胺(尼龍)膜、芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺)膜等,尤其就可進一步表現出本發明之效果之方面而言,較佳為未經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理等表面處理之塑膠膜。作為此種隔片,尤佳為未經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理等表面處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。 隔片A或隔片B之厚度較佳為1 μm~500 μm,更佳為3 μm~450 μm,進而較佳為5 μm~400 μm,尤佳為10 μm~300 μm。 作為本發明之吸附暫固定片之製造方法之一例,對發泡層為聚矽氧發泡層之情形進行說明。於發泡層為其他發泡層之情形時,例如只要將聚矽氧樹脂組合物置換成作為該其他發泡層之原料之組合物而解讀下述製造方法之說明即可。再者,存在將於發泡層為聚矽氧發泡層之情形時製造之吸附暫固定片稱為「聚矽氧發泡片材」之情形。 聚矽氧發泡片材之製造方法之一實施形態中,將至少包含熱硬化性聚矽氧樹脂與水之聚矽氧樹脂組合物塗敷於隔片A上(以下,將該步驟設為步驟(1)),於該所塗敷之聚矽氧樹脂組合物之與該隔片A相反之側之表面上載置隔片B(以下,將該步驟設為步驟(2)),使該聚矽氧樹脂組合物熱硬化(以下,將該步驟設為步驟(3)),對將選自該隔片A及該隔片B中之至少1種剝離而得者進行加熱乾燥(以下,將該步驟設為步驟(4))而形成聚矽氧發泡片材。於該情形時,所剝離之隔片中之至少1種係具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm~5 μm之表面之隔片。 聚矽氧發泡片材之製造方法之另一實施形態中,將至少包含熱硬化性聚矽氧樹脂與水之聚矽氧樹脂組合物塗敷於隔片A上(以下,將該步驟設為步驟(1)),於該所塗敷之聚矽氧樹脂組合物之與該隔片A相反之側之表面上載置隔片B(以下,將該步驟設為步驟(2)),使該聚矽氧樹脂組合物熱硬化(以下,將該步驟設為步驟(3)),對將選自該隔片A及該隔片B中之至少1種剝離而得者進行加熱乾燥(以下,將該步驟設為步驟(4)),與支持體貼合(以下,將該步驟設為步驟(5))而形成聚矽氧發泡片材。於該情形時,所剝離之隔片中之至少1種係具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm~5 μm之表面之隔片。並且,於經熱硬化及加熱乾燥之聚矽氧樹脂組合物的與將具有上述算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm~5 μm之表面之隔片剝離之表面側相反之表面側,配置上述支持體。 於將隔片A或隔片B直接用作支持體之情形時,為了提高與發泡層之抓固性,較佳為對成為支持體之隔片A或隔片B之表面塗佈矽烷偶合劑等底塗劑,或進行電暈處理或電漿處理等表面處理。 於使用具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm~5 μm之表面之隔片以外之隔片作為隔片A或隔片B之情形時,作為此種隔片,例如較佳為不具有通氣性之塑膠或金屬或玻璃之片材或膜。作為此種片材或膜之材料,例如可列舉:聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等將α-烯烴作為單體成分之烯烴系樹脂;聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯系樹脂;聚氯乙烯(PVC);乙酸乙烯酯系樹脂;聚苯硫醚(PPS);聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺)等醯胺系樹脂;聚醯亞胺系樹脂;聚醚醚酮(PEEK);銅;鋁;任意之玻璃等。又,可列舉:聚四氟乙烯(PTFE)膜、或紙或塑膠膜之基材(襯墊基材)之表面經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理而成之剝離襯墊等。關於作為襯墊基材之塑膠膜,例如可列舉:聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚醯亞胺膜、聚醯胺(尼龍)膜、芳香族聚醯胺(芳族聚醯胺)膜等。 於在步驟(4)中之加熱乾燥時存在未去除之隔片之情形時,可用作該隔片之剝離襯墊較佳為聚四氟乙烯(PTFE)膜、紙或塑膠膜之基材(襯墊基材)之表面經氟化聚矽氧處理而成之剝離襯墊。藉由使用聚四氟乙烯(PTFE)膜、紙或塑膠膜之基材(襯墊基材)之表面經氟化聚矽氧處理而成之剝離襯墊作為於在步驟(4)中之加熱乾燥時存在未去除之隔片之情形時之該隔片,可容易地進行加熱乾燥後之剝離。又,對於隔片A或隔片B,亦可設置上述黏著劑層。 步驟(1)中所使用之隔片A與步驟(2)中所使用之隔片B可相同,亦可為不同種類。又,步驟(1)中所使用之隔片A與步驟(2)中所使用之隔片B可分別僅為1層者,亦可包含2層以上。 視步驟(1)中使用之隔片A及步驟(2)中使用之隔片B的與上述聚矽氧樹脂組合物接觸之表面之親水性、疏水性程度,與該表面接觸之該聚矽氧樹脂組合物之表面形狀發生變化。例如,於使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜般類的親水性較高之隔片作為隔片A或隔片B之情形時,可於與該隔片接觸之聚矽氧樹脂組合物之表面大量存在微細直徑之表面開口部。又,例如於使用經實施氟化聚矽氧處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)剝離襯墊般的疏水性較高之隔片作為隔片A或隔片B之情形時,可於與該隔片接觸之聚矽氧樹脂組合物之表面較少地存在微細直徑之表面開口部。因此,於欲對聚矽氧發泡片材表現出較高之通氣性或較高之吸附性之情形時,較佳為使用親水性較高之隔片,於欲對聚矽氧發泡片材表現出較高之止水性或較高之防塵性之情形時,較佳為使用疏水性較高之隔片。又,於需要聚矽氧發泡片材與隔片之再剝離性之情形時,較佳為使用疏水性較高之隔片。再者,親水性、疏水性之程度例如可藉由與水之接觸角而定義。例如可將與水之接觸角未達90度之情形定義為親水性,將與水之接觸角為90度以上之情形定義為疏水性。 於步驟(3)中,使聚矽氧樹脂組合物熱硬化。關於該熱硬化之溫度,就可有效率地使聚矽氧樹脂組合物熱硬化之方面而言,較佳為50℃以上且未達100℃。若熱硬化之溫度未達50℃,則有熱硬化耗時過多之虞。若熱硬化之溫度為100℃以上,則經隔片A及隔片B夾持而呈現大致密閉狀態之聚矽氧樹脂組合物中之水分揮發,故而有引起所形成之泡孔之粗大化或高密度化之虞。再者,將藉由步驟(3)由聚矽氧樹脂組合物所形成者稱為聚矽氧發泡片材前驅物。 藉由如步驟(3)般進行於經隔片A及隔片B夾持之大致密閉狀態下使聚矽氧樹脂組合物熱硬化之特殊之熱硬化方法,可於聚矽氧樹脂組合物中之水分未被去除之狀態下進行熱硬化,並藉由與後續之步驟(4)之協作,而有效地獲得具有連續氣泡構造且泡孔徑微細之聚矽氧發泡片材。 於步驟(4)中,對將選自隔片A及隔片B中之至少1種剝離而得者進行加熱乾燥。藉由使選自隔片A及隔片B中之至少1種剝離,而解除步驟(3)中之上述大致密閉狀態,並於該解除狀態下進行加熱乾燥,藉此水分自步驟(3)中所形成之聚矽氧發泡片材前驅物有效率地揮發而去除,可獲得聚矽氧發泡片材。就可有效地形成聚矽氧發泡片材之方面而言,步驟(4)中之加熱乾燥溫度較佳為120℃~250℃。若步驟(4)中之加熱乾燥溫度未達120℃,則有乾燥及硬化耗時過多之虞,又,有無法獲得具有連續氣泡構造且泡孔徑微細之聚矽氧發泡片材之虞。若步驟(4)中之加熱乾燥溫度超過250℃,則有因基材之收縮或膨脹而難以形成片材之虞。 於步驟(5)中,於步驟(4)後與支持體貼合,藉此形成聚矽氧發泡片材。 [實施例] 以下,藉由實施例具體地說明本發明,但本發明並不受該等實施例之任何限定。再者,實施例等中之試驗及評價方法係如下所述。再者,於記載為「份」之情形時,只要無特別記載事項,則係指「質量份」,於記載為「%」之情形時,只要無特別記載事項,則係指「質量%」。 <厚度之測定> 利用3D(Three-Dimension,三維)測定雷射顯微鏡(LEXT OLS4000、Olympus股份有限公司製造),以高精度、物鏡10倍之設定於玻璃板(Micro Slide Glass S,松浪玻璃工業股份有限公司製造)上載置測定對象物(例如吸附暫固定片),測定自玻璃板表面至測定對象物之最上部之3D圖像,並將其高度作為厚度。 <視密度之測定> 利用50 mm×50 mm之沖裁刀模對測定對象物(例如吸附暫固定片)進行沖裁,厚度係使用上述<厚度之測定>之值,根據該等值算出測定對象物之體積。 其次,利用最小刻度0.01 g以上之上皿天平對測定對象物之質量進行測定。根據該等值,算出測定對象物之視密度(g/cm3 )。 <算術平均表面粗糙度Ra之測定> 利用3D測定雷射顯微鏡(LEXT OLS4000,Olympus股份有限公司製造),以高精度、物鏡10倍之設定測定3D圖像,依據JIS B0601(1994)而求出算術平均粗糙度Ra。 <矽晶片垂直接著力之測定> 利用聚矽氧膠帶將聚矽氧發泡片材之評價面之相反面固定於平滑之不鏽鋼板上,使2 kg輥往返一次而將利用研磨機(DISCO公司製造之DFG8560)研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造之DFD6450)單片化為1 cm□所得的厚度300 μm之矽晶片的研削面貼合於聚矽氧發泡片材,於-40℃、23℃、125℃下分別熟化20小時,並於23℃下靜置2小時,使用Servopulser(島津製作所公司製造之控制器4890,荷重元MMT-250N),於在20 mmf之轉接器之前端貼附有雙面膠帶(日東電工公司製造之No.5000NS)之狀態下,以壓縮速度0.01 N/sec於垂直方向上將矽晶片之鏡面(研削面之相反面)壓縮直至施加0.05 N之荷重為止,並以10 mm/sec剝離,將此時之最大荷重作為垂直接著力。 <矽晶片剪切接著力之測定> 利用聚矽氧膠帶將聚矽氧發泡片材之評價面之相反面固定於平滑之不鏽鋼板上,使2 kg輥往返一次而將利用研磨機(DISCO公司製造之DFG8560)研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造之DFD6450)單片化為1 cm□所得的厚度300 μm之矽晶片的研削面貼合於聚矽氧發泡片材,於-40℃、23℃、125℃下分別熟化20小時,並於23℃下靜置2小時,使用測力計(日本電產SHIMPO公司製造之FGPX-10),以1 mm/sec之速度推壓矽晶片之側面而求出剪切接著力。 [實施例1] 利用脫泡練太郎(Thinky公司製造),將乙烯基含量0.28質量%之二甲基聚矽氧烷:83.45質量份、與矽原子鍵結之氫原子含量0.7質量%之甲基氫聚矽氧烷:6.40質量份(相對於上述二甲基聚矽氧烷中之乙烯基1莫耳,該甲基氫聚矽氧烷中之與矽原子鍵結之氫原子成為5莫耳之量)、膨潤石黏土(水系添加劑,有機聚合物複合精製膨潤土,Ho Jun股份有限公司製造):1.58質量份、離子交換水:184.16質量份、經六甲基二矽氮烷進行了表面處理之BET比表面積225 m2 /g之發煙二氧化矽:6.50質量份、鐵丹(商品名:Bayferrox、Bayer公司製造):2.40質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯,商品名:RHEODOL SP-O10V,花王公司製造之HLB4.3):0.98質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯,商品名:RHEODOL SP-O30V,花王公司製造之HLB1.8):0.045質量份、1-乙炔基-1-環己醇:0.02質量份及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬含量約4000 ppm):0.22質量份乳化15分鐘,繼而,於室溫下將乳化液減壓乾燥5分鐘並進行消泡,而獲得樹脂組合物(1)。 使用敷料器將該樹脂組合物(1)塗佈於氟聚矽氧處理PET膜(Nippa Sheet PET38x1-SS4A,Nippa公司製造)上,自其上覆蓋PET膜(Lumirror S10,Toray公司製造,算術平均表面粗糙度Ra=0.28 μm),並利用熱風烘箱於85℃下加熱6分鐘,而使樹脂組合物(1)硬化。硬化後,剝離PET膜,進而於200℃下進行加熱乾燥3分鐘,而獲得厚度200 μm、視密度0.75 g/cm3 、剝離了PET膜之側之表面之算術平均表面粗糙度Ra=6.68 μm之聚矽氧發泡片材(1)。 將與所獲得之聚矽氧發泡片材(1)有關之各種測定結果、評價結果示於表1。 [實施例2] 利用脫泡練太郎(Thinky公司製造),將乙烯基含量0.28質量%之二甲基聚矽氧烷:83.45質量份、與矽原子鍵結之氫原子含量0.7質量%之甲基氫聚矽氧烷:6.40質量份(相對於上述二甲基聚矽氧烷中之乙烯基1莫耳,該甲基氫聚矽氧烷中之與矽原子鍵結之氫原子成為5莫耳之量)、膨潤石黏土(水系添加劑,有機聚合物複合精製膨潤土,Ho Jun股份有限公司製造):0.57質量份、離子交換水:66.11質量份、經六甲基二矽氮烷進行了表面處理之BET比表面積225 m2 /g之發煙二氧化矽:6.50質量份、鐵丹(商品名:Bayferrox,Bayer公司製造):2.40質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯,商品名:RHEODOL SP-O10V,花王公司製造之HLB4.3):0.98質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯,商品名:RHEODOL SP-O30V,花王公司製造之HLB1.8):0.045質量份、1-乙炔基-1-環己醇:0.02質量份及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬含量約4000 ppm):0.22質量份乳化15分鐘,繼而,於室溫下將乳化液減壓乾燥5分鐘並進行消泡,而獲得樹脂組合物(2)。 使用敷料器將該樹脂組合物(2)塗佈於氟聚矽氧處理PET膜(Nippa Sheet PET38x1-SS4A,Nippa公司製造)上,自其上覆蓋PET膜(Lumirror S10,Toray公司製造,算術平均表面粗糙度Ra=0.28 μm),並利用熱風烘箱於85℃下加熱6分鐘,而使樹脂組合物(2)硬化。硬化後,剝離PET膜,進而於200℃下進行加熱乾燥3分鐘,而獲得厚度200 μm、視密度0.63 g/cm3 、剝離了PET膜之側之表面之算術平均表面粗糙度Ra=3.03 μm之聚矽氧發泡片材(2)。 將與所獲得之聚矽氧發泡片材(2)有關之各種測定結果、評價結果示於表1。 [實施例3] 利用脫泡練太郎(Thinky公司製造),將乙烯基含量0.28質量%之二甲基聚矽氧烷:83.45質量份、與矽原子鍵結之氫原子含量0.7質量%之甲基氫聚矽氧烷:6.40質量份(相對於上述二甲基聚矽氧烷中之乙烯基1莫耳,該甲基氫聚矽氧烷中之與矽原子鍵結之氫原子成為5莫耳之量)、膨潤石黏土(水系添加劑,有機聚合物複合精製膨潤土,Ho Jun股份有限公司製造):0.57質量份、離子交換水:66.11質量份、經六甲基二矽氮烷進行了表面處理之BET比表面積225 m2 /g之發煙二氧化矽:6.50質量份、鐵丹(商品名:Bayferrox,Bayer公司製造):2.40質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯,商品名:RHEODOL SP-O10V,花王公司製造之HLB4.3):0.98質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯,商品名:RHEODOL SP-O30V,花王公司製造之HLB1.8):0.045質量份、1-乙炔基-1-環己醇:0.02質量份及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬含量約4000 ppm):0.22質量份乳化15分鐘,繼而,於室溫下將乳化液減壓乾燥5分鐘並進行消泡,而獲得樹脂組合物(3)。 使用敷料器將該樹脂組合物(3)塗佈於氟聚矽氧處理PET膜(Nippa Sheet PET38x1-SS4A,Nippa公司製造)上,自其上覆蓋PET膜(Lumirror QV15,Toray公司製造之算術平均表面粗糙度Ra=2.44 μm),並利用熱風烘箱於85℃下加熱6分鐘,而使樹脂組合物(3)硬化。硬化後,剝離PET膜,進而於200℃下進行加熱乾燥3分鐘,而獲得厚度200 μm、視密度0.65 g/cm3 、剝離了PET膜之側之表面之算術平均表面粗糙度Ra=4.90 μm之聚矽氧發泡片材(3)。 將與所獲得之聚矽氧發泡片材(3)有關之各種測定結果、評價結果示於表1。 [實施例4] 利用脫泡練太郎(Thinky公司製造),將乙烯基含量0.28質量%之二甲基聚矽氧烷:83.45質量份、與矽原子鍵結之氫原子含量0.7質量%之甲基氫聚矽氧烷:6.40質量份(相對於上述二甲基聚矽氧烷中之乙烯基1莫耳,該甲基氫聚矽氧烷中之與矽原子鍵結之氫原子成為5莫耳之量)、膨潤石黏土(水系添加劑,有機聚合物複合精製膨潤土,Ho Jun股份有限公司製造):0.85質量份、離子交換水:99.16質量份、經六甲基二矽氮烷進行了表面處理之BET比表面積225 m2 /g之發煙二氧化矽:6.50質量份、鐵丹(商品名:Bayferrox,Bayer公司製造):2.40質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯,商品名:RHEODOL SP-O10V,花王公司製造之HLB4.3):0.98質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯,商品名:RHEODOL SP-O30V,花王公司製造之HLB1.8):0.045質量份、1-乙炔基-1-環己醇:0.02質量份及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬含量約4000 ppm):0.22質量份乳化15分鐘,繼而,於室溫下將乳化液減壓乾燥5分鐘並進行消泡,而獲得樹脂組合物(4)。 使用敷料器將該樹脂組合物(4)塗佈於氟聚矽氧處理PET膜(Nippa Sheet PET38x1-SS4A,Nippa公司製造)上,自其上覆蓋PET膜(Lumirror QV15,Toray公司製造,算術平均表面粗糙度Ra=2.44 μm),並利用熱風烘箱於85℃下加熱6分鐘,而使樹脂組合物(4)硬化。硬化後,剝離PET膜,進而於200℃下進行加熱乾燥3分鐘,而獲得厚度200 μm、視密度0.48 g/cm3 、剝離了PET膜之側之表面之算術平均表面粗糙度Ra=3.46 μm之聚矽氧發泡片材(4)。 將與所獲得之聚矽氧發泡片材(4)有關之各種測定結果、評價結果示於表1。 [比較例1] 將聚矽氧(SE1700,Dow Corning Toray公司製造)主劑100質量份、觸媒10質量份、乙酸乙酯52.8質量份混合並攪拌10分鐘。使用敷料器將該液塗佈於氟聚矽氧處理PET膜(Nippa Sheet PET38x1-SS4A,Nippa公司製造)上,自其上覆蓋PET膜(Lumirror S10,Toray公司製造,算術平均表面粗糙度Ra=0.28 μm),並利用熱風烘箱於85℃下加熱6分鐘,而使聚矽氧硬化。硬化後,剝離PET膜,進而於180℃下加熱5分鐘,而獲得厚度200 μm、視密度1.14 g/cm3 、剝離了PET膜之側之表面之算術平均表面粗糙度Ra=0.46 μm之聚矽氧片材(C1)。 將與所獲得之聚矽氧片材(C1)有關之各種測定結果、評價結果示於表1。 [表1]
Figure 107111167-A0304-0001
[產業上之可利用性] 本發明之吸附暫固定片可用作各種領域中之暫固定材。

Claims (4)

  1. 一種吸附暫固定片,其係具有具備連續氣泡構造之發泡層者,且於將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1cm□),將於23℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1cm□),將於125℃下20小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1cm□),並且將該發泡層之表面的於-40℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1cm□),將於23℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1cm□),將於125℃下20小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1cm□)時,為V1<H1、V2<H2、V3<H3;且V1之範圍為0.1~5(N/1cm□),V2之範圍為0.1~6.5(N/1cm□),V3之範圍為0.1~10(N/1cm□),H1之範圍為0.5~40(N/1cm□),H2之範圍為0.6~40(N/1cm□),H3之範圍為0.7~40(N/1cm□),此處,矽晶片垂直接著力係利用聚矽氧膠帶將吸附暫固定片之評價面之相反面固定於平滑之不鏽鋼板上,使2kg輥往返一次而將利用研磨機(DISCO公司製造之DFG8560)研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造之DFD6450)單片化為1cm□所得的厚度300μm之矽晶片的研削面貼合於吸附暫固定片,於-40℃、23℃、125℃下分別熟化20小時,並於23℃下靜 置2小時,使用Servopulser(島津製作所公司製造之控制器4890,荷重元MMT-250N),於在20mmΦ之轉接器之前端貼附有雙面膠帶(日東電工公司製造之No.5000NS)之狀態下,以壓縮速度0.01N/sec於垂直方向上將矽晶片之鏡面(研削面之相反面)壓縮直至施加0.05N之荷重為止,並以10mm/sec剝離之時之最大荷重;又,矽晶片剪切接著力係利用聚矽氧膠帶將吸附暫固定片之評價面之相反面固定於平滑之不鏽鋼板上,使2kg輥往返一次而將利用研磨機(DISCO公司製造之DFG8560)研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造之DFD6450)單片化為1cm□所得的厚度300μm之矽晶片的研削面貼合於吸附暫固定片,於-40℃、23℃、125℃下分別熟化20小時,並於23℃下靜置2小時,使用測力計(日本電產SHIMPO公司製造之FGPX-10),以1mm/sec之速度推壓矽晶片之側面而測定之剪切接著力。
  2. 如請求項1之吸附暫固定片,其中上述發泡層之視密度為0.15g/cm3~0.90g/cm3
  3. 如請求項1之吸附暫固定片,其中上述發泡層之表面之算術平均表面粗糙度Ra為1μm~10μm。
  4. 一種吸附暫固定片之製造方法,其係具有具備連續氣泡構造之發泡層之如請求項1至3中任一項之吸附暫固定片之製造方法,且將形成該發泡層之樹脂組合物塗敷於隔片A上,於該所塗敷之樹脂組合物之與該隔片A相反之側之表面上載置隔片B,並進行熱硬化後,將選 自該隔片A及該隔片B中之至少1種剝離,該剝離之隔片中之至少1種係具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1μm~5μm之表面之隔片。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6474474B1 (ja) * 2017-09-28 2019-02-27 日東電工株式会社 吸着仮固定シート
JP7266947B2 (ja) * 2019-02-26 2023-05-01 日東電工株式会社 素子実装基板の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201221564A (en) * 2010-08-31 2012-06-01 Nitto Denko Corp Foam, production method for foam, and functional foam
TW201331038A (zh) * 2011-12-13 2013-08-01 Nitto Denko Corp 止滑材及暫時固定材
CN104487248A (zh) * 2012-07-24 2015-04-01 日东电工株式会社 电子设备用的可再剥离的发泡层叠体以及电气或电子设备类

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2245029C3 (de) 1972-09-14 1981-08-20 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und Vorrichtung zur Abgasentgiftung von Brennkraftmaschinen
JPH01259043A (ja) * 1987-12-26 1989-10-16 Dainippon Ink & Chem Inc 発泡シート
WO2008096882A1 (en) * 2007-02-07 2008-08-14 Dow Corning Toray Co., Ltd. Sponge-forming liquid silicone-rubber composition and silicone rubber sponge made therefrom
KR101610013B1 (ko) * 2008-07-31 2016-04-07 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 다성분형 스펀지 형성성 액상 실리콘 고무 조성물 및 실리콘 고무 스펀지의 제조 방법
KR20130097183A (ko) 2010-08-23 2013-09-02 닛토덴코 가부시키가이샤 복합 시트
CN103068923B (zh) 2010-08-23 2015-06-10 日东电工株式会社 W/o型乳液、泡沫体及功能性泡沫体
JP2012193317A (ja) * 2011-03-17 2012-10-11 Nitto Denko Corp 電子部品仮固定用粘着テープ
JP5750759B2 (ja) * 2011-07-13 2015-07-22 日本発條株式会社 シート状ポリウレタンフォームおよびその製造方法
JP2013125040A (ja) 2011-12-13 2013-06-24 Nitto Denko Corp 表示用貼付物
JP6027422B2 (ja) 2011-12-13 2016-11-16 日東電工株式会社 仮固定材
WO2013176179A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 積水化学工業株式会社 シート状シール材及び積層シート状シール材
JP5899128B2 (ja) 2013-01-17 2016-04-06 積水化成品工業株式会社 合紙用ポリエチレン系樹脂発泡シート
JP6125278B2 (ja) 2013-02-28 2017-05-10 株式会社イノアック技術研究所 シリコーンフォームシートの製造方法
US20160053069A1 (en) 2013-03-27 2016-02-25 Sekisui Chemical Co., Ltd. Silicone resin foam and sealing material
JP5676798B1 (ja) 2013-08-26 2015-02-25 日東電工株式会社 発泡シート
JP6386832B2 (ja) 2013-08-26 2018-09-05 日東電工株式会社 発泡シート
JP6916739B2 (ja) 2015-12-25 2021-08-11 日東電工株式会社 シリコーン発泡シートおよびその製造方法
JP6666778B2 (ja) 2016-04-06 2020-03-18 日東電工株式会社 吸着仮固定材

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201221564A (en) * 2010-08-31 2012-06-01 Nitto Denko Corp Foam, production method for foam, and functional foam
TW201331038A (zh) * 2011-12-13 2013-08-01 Nitto Denko Corp 止滑材及暫時固定材
CN104487248A (zh) * 2012-07-24 2015-04-01 日东电工株式会社 电子设备用的可再剥离的发泡层叠体以及电气或电子设备类

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