TWI779513B - 鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置 - Google Patents

鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI779513B
TWI779513B TW110108418A TW110108418A TWI779513B TW I779513 B TWI779513 B TW I779513B TW 110108418 A TW110108418 A TW 110108418A TW 110108418 A TW110108418 A TW 110108418A TW I779513 B TWI779513 B TW I779513B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aforementioned
substrate
substrate holder
paddle
flat plate
Prior art date
Application number
TW110108418A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202235694A (zh
Inventor
増田泰之
樋渡良輔
下山正
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Priority to TW110108418A priority Critical patent/TWI779513B/zh
Publication of TW202235694A publication Critical patent/TW202235694A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI779513B publication Critical patent/TWI779513B/zh

Links

Images

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本發明係一種鍍覆模組之調整方法,該鍍覆模組具備保持基板的基板固持器、與前述基板固持器對向配置的陽極、及作為電阻體而配置於前述基板固持器與前述陽極之間的平板,該鍍覆模組之調整方法包含:準備鍍覆模組的步驟,該鍍覆模組係在以使基板的外周部的鍍覆膜厚小於其他部分之膜厚的方式調整前述平板的外周部之氣孔率的狀態下進行初始設定;及調整前述基板固持器與前述平板之間距的步驟,因應經由前述鍍覆模組所鍍覆之基板的膜厚分布,調整前述基板固持器與前述平板之間距以使基板的外周部的膜厚增加,藉此使基板整體的鍍覆膜厚分布變得平坦。

Description

鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置
本發明係關於鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置。
作為鍍覆裝置的一例,杯型電鍍裝置已為人所知。杯型電鍍裝置,係將被鍍覆面向下而保持於基板固持器上的基板(例如半導體晶圓)浸漬於鍍覆液中,在基板與陽極之間施加電壓,藉此在基板表面上析出導電膜(鍍覆膜)。這樣的鍍覆裝置中,係使晶圓與鍍覆槽內各零件(陽極、電場控制零件)的中心軸及平行度一致來組裝鍍覆模組。日本特開2020-176303號公報(專利文獻1)中記載將具備光學感測器的治具配置於鍍覆槽內來調整鍍覆槽內各零件之位置的方法。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2020-176303號公報
鍍覆槽的結構有時不適合如專利文獻1記載之方法以具備光學感測器的治具進行調整。又,有時難以毫無誤差地使晶圓與鍍覆模組各零件之中 心軸及平行度一致。此情況中,晶圓與鍍覆模組各零件的軸偏差、平行度偏差、及/或各零件的尺寸公差,有時會影響晶圓平面的膜厚分布。此時主要係導致晶圓外周部的膜厚變化,造成平面均勻性變差。如此,可能因為鍍覆模組的個體差異而導致在各別的鍍覆模組中鍍覆膜厚分布的平面均勻性有所不同。
鑒於目前要求的鍍覆膜厚分布之均勻性,以鍍覆模組的各零件目前的加工精度,對於鍍覆膜厚分布的均勻性有很大的影響,藉由以往的鍍覆模組的調整方法越來越難達成預期的均勻性。
本發明的目的之一係提供一種鍍覆模組的調整方法,其能夠抑制甚至防止因為鍍覆模組的個體差異導致鍍覆膜厚之均勻性降低。
根據本發明的一面向,係一種鍍覆模組之調整方法,該鍍覆模組具備保持基板的基板固持器、與前述基板固持器對向配置的陽極、配置於前述基板固持器與前述陽極之間並作為電阻體的平板,該鍍覆模組之調整方法包含:準備鍍覆模組的步驟,該鍍覆模組係在以使基板的外周部的鍍覆膜厚小於其他部分之膜厚的方式調整前述平板的外周部之氣孔率的狀態下進行初始設定;及調整前述基板固持器與前述平板之間距的步驟,因應經由前述鍍覆模組所鍍覆之基板的膜厚分布,調整前述基板固持器與前述平板之間距以使基板的外周部的膜厚增加,藉此使基板整體的鍍覆膜厚分布變得平坦。
10:平板
12:孔
100:裝卸埠
110:運送機器人
120:對準器
200:預濕模組
300:預浸模組
400:鍍覆模組
401:鍍覆槽
402:基板
403:基板固持器(夾頭)
404:鍍覆液儲存槽
405:泵
406:過濾器
407:鍍覆液供給管
408:鍍覆液接收槽
409:電源
410:陽極
411:馬達
412:槳片
413:驅動機構
413a:馬達
413b:旋轉直動轉換機構
413c:軸
414:陽極遮罩
450,451,452:升降機構
460:箭號
461:箭號
462:箭號
463:箭號
500:清洗模組
600:旋轉沖洗乾燥機
700:運送裝置
800:控制模組
900:膜厚測量裝置
1000:鍍覆裝置
S10~S80:步驟
圖1係顯示本實施型態的鍍覆裝置之整體構成的立體圖。
圖2係顯示本實施型態的鍍覆裝置之整體構成的俯視圖。
圖3係顯示本實施型態之鍍覆模組的一例的概略圖。
圖4係顯示鍍覆模組的各零件之中心軸及平行度之一例的概略圖。
圖5係模擬因為軸偏差、平行度偏差及/或尺寸公差的影響而導致膜厚分布變化最極端之情況的例子。
圖6係顯示藉由調整夾頭(head)的高度來調整鍍覆膜厚分布的模擬例。
圖7係將平板(電阻體)之一部分放大的俯視圖。
圖8係說明本實施型態之鍍覆模組的調整方法的模擬例。
圖9係本實施型態之鍍覆模組的調整方法的流程圖。
圖10A係顯示調整夾頭之高度的方法之一例的概略圖。
圖10B係顯示調整夾頭之高度的方法之一例的概略圖。
圖10C係顯示調整夾頭之高度的方法之一例的概略圖。
圖11係顯示基板表面流速與基板-槳片(paddle)之間距的關係的圖表。
圖12係顯示在各槳片的運動速度中,基板表面流速與基板-槳片之間距的關係的圖表。
以下參照圖式說明本發明的實施型態。以下說明的圖式中,對於相同或相等的構成要件賦予相同的符號並省略重複的說明。
圖1係顯示本實施型態之鍍覆裝置的整體構成的立體圖。圖2係顯示本實施型態的鍍覆裝置的整體構成的俯視圖。如圖1、2所示,鍍覆裝置1000具備:裝卸埠100、運送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、 鍍覆模組400、清洗模組500、旋轉沖洗乾燥機(spin rinse dryer)600、運送裝置700、及控制模組800。
裝卸埠100係用以將圖中未顯示的FOUP等匣盒中所收納的基板搬入鍍覆裝置1000中,或是從鍍覆裝置1000中將基板搬出至匣盒的模組。本實施型態中,在水平方向上並排配置4台裝卸埠100,但裝卸埠100的數量及配置為任意。運送機器人110係用以運送基板的機器人,其構成在裝卸埠100、對準器120及運送裝置700之間收送基板的態樣。運送機器人110及運送裝置700,在運送機器人110與運送裝置700之間收送基板時,可透過圖中未顯示的暫置台進行基板的收送。
對準器120係用以使基板的定向平面或切口等的位置對準既定方向上的模組。本實施型態中,在水平方向上並排配置2台對準器120,但對準器120的數量及配置為任意。預濕模組200,係以純水或脫氣水(air-free water)等處理液將鍍覆處理前之基板的被鍍覆面潤濕,藉此將形成於基板表面上的圖案內部之空氣取代為處理液。預濕模組200,構成實施預濕處理的態樣,該預濕處理係在鍍覆時將圖案內部的處理液取代為鍍覆液,藉此容易對於圖案內部供給鍍覆液。本實施型態中,在上下方向上並排配置2台預濕模組200,但預濕模組200的數量及配置為任意。
預浸模組300,例如構成實施預浸處理的態樣,該預浸處理係以硫酸或鹽酸等處理液將存在於鍍覆處理前的基板之被鍍覆面上所形成之種子層表面等的高電阻之氧化膜蝕刻去除,藉此將鍍覆底層表面清洗或使其活性化。本實施型態中,在上下方向上並排配置2台預浸模組300,但預浸模組300的數量及配置為任意。鍍覆模組400,對於基板實施鍍覆處理。本實施型態中具有兩個 鍍覆模組400的組合,各組合中於上下方向上並排配置3台且在水平方向上並排配置4台而配置有12台鍍覆模組400,總共設置了24台鍍覆模組400,但鍍覆模組400的數量及配置為任意。
清洗模組500構成對於基板實施清洗處理的態樣,其係用以去除鍍覆處理後的基板上殘留的鍍覆液等。本實施型態中,於上下方向上並排配置2台清洗模組500,但清洗模組500的數量及配置為任意。旋轉沖洗乾燥機600,係用以使清洗處理後的基板高速旋轉以使其乾燥的模組。本實施型態中,於上下方向上並排配置2台旋轉沖洗乾燥機,但旋轉沖洗乾燥機的數量及配置為任意。運送裝置700係用以在鍍覆裝置1000內的複數個模組之間運送基板的裝置。控制模組800構成控制鍍覆裝置1000之複數個模組的態樣,例如可由具備與操作者之間的輸出入介面的一般電腦或專用電腦所構成。控制模組800具備保存用以控制鍍覆裝置各部位的程式、參數等的非揮發性儲存媒體,或是構成能夠與那樣的儲存媒體通訊的態樣。
說明以鍍覆裝置1000進行一系列鍍覆處理的一例。首先,將收納於匣盒內的基板搬入裝卸埠100。然後,運送機器人110從裝卸埠100的匣盒取出基板,將基板運送至對準器120。對準器120,使基板的定向平面或切口等位置對準既定方向。運送機器人110,將經由對準器120對準方向的基板收送至運送裝置700。
運送裝置700,將從運送機器人110接收的基板運送至預濕模組200。預濕模組200對於基板實施預濕處理。運送裝置700,將已實施預濕處理的基板運送至預浸模組300。預浸模組300對於基板實施預浸處理。運送裝置700將 已實施預浸處理的基板運送至鍍覆模組400。鍍覆模組400對於基板實施鍍覆處理。
運送裝置700,將已實施鍍覆處理的基板運送至清洗模組500。清洗模組500對於基板實施清洗處理。運送裝置700將經實施清洗處理的基板運送至旋轉沖洗乾燥機600。旋轉沖洗乾燥機600對於基板實施乾燥處理。運送裝置700將經實施乾燥處理的基板收送至運送機器人110。運送機器人110將從運送裝置700接收的基板運送至裝卸埠100的匣盒。最後從裝卸埠100將收納有基板的匣盒搬出。
又,本實施型態的鍍覆裝置1000中設有膜厚測量裝置900。運送機器人110,在將經實施乾燥處理的基板運送至裝卸埠100的匣盒之前,將其運送至膜厚測量裝置900而可在膜厚測量裝置900中測量基板的鍍覆膜厚(鍍覆膜厚分布)。另外,作為在鍍覆裝置中設置膜厚測量裝置900的代替,亦可在鍍覆裝置1000外部的較遠處設置膜厚測量裝置,將收納於匣盒後的基板運送至膜厚測量裝置900,再以鍍覆裝置1000外部的膜厚測量裝置測量基板的鍍覆膜厚分布。
圖3係顯示本實施型態之鍍覆模組之一例的概略圖。如該圖所示,本實施型態之鍍覆模組400,係所謂的面向下式或杯型的鍍覆模組。鍍覆液可為例如硫酸銅溶液,鍍覆膜可為銅膜。其中,鍍覆膜可為能夠進行鍍覆的任何金屬,鍍覆液可因應鍍覆膜的種類而選擇。
鍍覆模組400具備鍍覆槽401、作為基板保持具的基板固持器(亦稱為夾頭(head))403、及鍍覆液儲存槽404。夾頭403構成保持晶圓等基板402並使其被鍍覆面向下的態樣。鍍覆模組400具有使夾頭403在周方向上旋轉的馬達 411。馬達411接收來自圖中未顯示的電源所供給之電力。馬達411係由控制模組800所控制,其控制夾頭403及保持於夾頭403之基板402的旋轉。換言之,控制模組800藉由控制馬達411的旋轉來控制基板402在單位時間內的旋轉數(亦稱為頻率、旋轉速度)。藉由使基板402旋轉,在基板面附近形成鍍覆液的液流,而將足量的離子均勻地供給至基板。鍍覆槽401中配置有陽極410,其與基板402對向。陽極410上設有調整陽極410之露出區域的陽極遮罩414(圖4)。陽極410及/或陽極遮罩414係控制電場之零件的一例。
鍍覆模組400更具有鍍覆液接收槽408。鍍覆液儲存槽404內的鍍覆液,藉由泵405通過過濾器406及鍍覆液供給管407而從鍍覆槽401的底部供給至鍍覆槽401內。從鍍覆槽401溢出的鍍覆液被鍍覆液接收槽408接受而回到鍍覆液儲存槽404。
鍍覆模組400更具有連接於基板402與陽極410的電源409。一方面由馬達411使夾頭403旋轉,一方面由電源409在基板402與陽極410之間施加既定電壓(直流電壓、脈衝電壓),藉此使鍍覆電流在陽極410與基板402之間流動,而在基板402的被鍍覆面上形成鍍覆膜。
再者,基板402與陽極410之間配置有用以調整電場的平板(電阻體)10,其中設有複數個孔。平板10為控制電場之零件的一例。圖7係將平板(電阻體)的一部分放大的俯視圖。如該圖所示,平板10具有圓形(正圓)或長孔的複數個孔12。孔12貫通平板10的表面與背面之間,構成使鍍覆液及鍍覆液中的離子通過的路徑。本實施型態之平板10中,複數個孔12係配置於以平板10之中心為基準而同心且徑長不同的複數個(例如3個以上)虛擬基準圓上。平板10上的孔形成區域(區域半徑),與各基準圓對應地分割成複數個虛擬環狀區域 (分割區域),各基準圓對應於將各分割區域之寬度的中央點相連而形成的圓。此例中,任一基準圓的直徑與其鄰接之基準圓的直徑具有固定的差值。又,複數個孔12在基準圓上沿著周方向等間隔配置。另外,圖7的平板10的構成為一例,亦可採用其他構成。圖7中,最外周的分割區域的孔12為長孔,但中心部及/或最外周附近的分割區域的孔12亦可為長孔,亦可為其他形狀的孔。又,此例中,孔形成區域的外形為圓形,但亦可為圓形以外的任何形狀。
另外,將平板10上的孔形成區域之單位面積中孔12的開口面積稱為開口率或氣孔率。開口率或氣孔率具有與平板10的電阻值(相對於離子流或鍍覆電流的電阻值)成反比的關係,局部的開口率或氣孔率與局部的電阻值成反比。各分割區域中,藉由改變孔12的直徑或形狀來改變各分割區域中之孔的總面積,藉此可調整局部的開口率或氣孔率。
再次參照圖3,基板402與平板10之間配置有槳片412。槳片412由驅動機構413所驅動,藉由與基板402平行(略水平方向上)地進行來回運動以攪拌鍍覆液,而在基板402的表面形成更強的液流。驅動機構413具有:馬達413a,接受由圖中未顯示之電源所供給之電力;旋轉直動轉換機構413b,其係將馬達413a的旋轉轉換成直線運動的滾珠螺桿等;軸413c,連結於旋轉直動轉換機構413b及槳片412,將旋轉直動轉換機構413b的動力傳遞至槳片412。控制模組800控制馬達413a的旋轉,藉此控制槳片412進行來回運動的速度(亦稱為運動速度)。
圖4係顯示鍍覆模組的各零件之中心軸及平行度之例子的概略圖。該圖中亦顯示陽極遮罩414。鍍覆模組400中,實施使基板402與陽極410及平板10之中心軸、平行度一致的調整,但因為鍍覆槽401及各零件的尺寸差異 等,難以使誤差完全為零,可能會影響鍍覆膜厚分布。亦即,基板402與鍍覆槽401內的各零件(陽極410、平板10)的軸偏差、平行度偏差、及/或尺寸公差可能影響基板平面的膜厚分布。此情況中,鍍覆槽401內的零件、尤其是作為用以控制電場之零件的平板10、陽極410的尺寸公差大幅影響鍍覆膜厚分布。又,主要是基板402外周部的鍍覆膜厚變化而導致平面均勻性變差。
圖5係模擬因為軸偏差、平行度偏差及/或尺寸公差的影響導致膜厚分布變化最極端之情況的例子。此模擬中,改變基板402、鍍覆槽401的各零件(夾頭403、陽極410、平板10)的軸偏差、平行度的偏差及/或尺寸誤差,以實施基板之膜厚分布的模擬(計算)。可使用市售或專用的鍍覆分析軟體/程式來實施膜厚分布的模擬。作為模擬的分析條件(模型),係設定包含鍍覆模組的模組結構(包含各零件的材質、形狀、尺寸及配置)、施加電壓、鍍覆液種類的參數。分析軟體可使用例如COMSOL Multiphysics(註冊商標)。Case1係由各種偏差以及尺寸公差的累積導致基板401外周部的膜厚成為最大的最差情況(模組結構)中的膜厚分布。Case2則相反,係由各種偏差以及尺寸公差的累積導致基板401外周部的膜厚成為最小的最差情況(模組結構)中的膜厚分布。標準Std.係顯示各種偏差以及尺寸公差為零或最小之最佳狀態的情況(模組結構)中的膜厚分布。此模擬結果呈現出基板外周部的膜厚變大的影響大於外周部膜厚變小的影響。根據這種模組的個體差異能夠預期所得之鍍覆膜厚的平面均勻性在各模組中有所不同。
圖6係顯示藉由調整夾頭的高度來調整鍍覆膜厚分布的模擬例。本實施型態中,藉由以平板10為基準來調整夾頭403的高度h(參照圖4),而改善鍍覆膜厚分布。亦即採用藉由變更夾頭-平板之間距h來控制基板外周部之鍍覆 膜厚的調整方法。藉由此調整,變化之區域(基板外周部)大致上係與因各零件的軸偏差或尺寸公差導致鍍覆膜厚變化的區域相同的位置/區域,因此適合調整鍍覆膜厚分布。圖中,曲線hs+2(一點鏈線)表示在Case2的模組結構中將夾頭高度h調整為標準高度hs+2mm的情況中膜厚分布成為最均勻之態樣。曲線hs+1(實線)表示在標準Std.的模組結構中將夾頭高度h調整為標準高度hs+1mm的情況中膜厚分布成為最均勻的態樣。曲線hs(虛線)表示在Case1的模組結構中將夾頭高度h設為標準高度hs的情況中膜厚分布成為最均勻的態樣。如此可知,藉由調整夾頭-平板之間距h,相較於圖5的膜厚分布,可改善膜厚分布。另外,在調整夾頭高度之前的Case1、標準Std.、Case2的模組結構中,夾頭高度h=標準的高度hs。
然而,在將夾頭403之高度從標準高度hs減少以使夾頭403接***板10的調整(往基板402外周部之膜厚減少的方向進行調整)中,夾頭403可能撞到槳片412。於是,本實施型態中採用下述調整方法:藉由模擬等預先進行使基板外周部的膜厚低於預期膜厚的設定,再根據鍍覆模組在組裝完成後變動的程度,使夾頭高度(夾頭-平板之間距)h朝向增加的方向進行調整,而使鍍覆膜厚分布從基板402中心到外周部皆為平坦。
圖8係說明本實施型態之鍍覆模組的調整方法的模擬例。模擬軟體、分析條件與前述相同。圖8(A)顯示將夾頭高度(夾頭-平板之間距)h設為標準高度hs的情況之鍍覆膜厚的分布。此圖表顯示與圖5相同之模擬結果,其顯示了因為鍍覆模組的個體差異(軸偏差、平行度的偏差、尺寸公差)導致基板外周部的膜厚變大或變小。此時,鍍覆膜厚的平面均勻性U為1.1~2.8%。
接著,例如將圖7所示的平板10最外周的分割區域的氣孔率(開口率)設定為小於其他半徑位置的分割區域的氣孔率,而設定成基板外周部的鍍覆膜厚減少的傾向。此例中,將平板10的最外周的分割區域的開口面積(孔的總面積)從最初設計值降低8%(設為最初設計值的92%),並實施鍍覆膜厚分布的模擬。在最外周的分割區域的孔為正圓的情況中,可藉由縮小半徑來減少開口面積,在長孔的情況中則可藉由縮短長徑及/或短徑來減少開口面積。最初設計值係指在組裝後的鍍覆模組中無各種偏差、尺寸誤差的理想情況中膜厚分布成為平坦的平板10之孔12的構成(面積、配置、氣孔率)。在基板外周部的膜厚最大的Case1中,係以使基板外周部的膜厚減少的方式來決定最外周的分割區域中孔的總面積(或氣孔率)。若將所決定的孔的總面積(或氣孔率)應用於Case1、標準Std.、Case2的所有情況,則如圖8(B)所示,可知在Case1、標準Std.、Case2的任一情況中,鍍覆膜厚在基板外周部皆減少。另外,在設置使基板外周部之電場降低的電場遮蔽構件而設定為使基板外周部的鍍覆膜厚減少之傾向的情況中,可將平板10的最外周的分割區域的氣孔率設為大於其他半徑位置的分割區域的氣孔率或與其相同。
接著實施下述調整:藉由調整夾頭(夾頭-平板之間距)h而使因為各模組在組裝完成後的變動(各種偏差以及尺寸公差)所造成的膜厚分布平坦。圖8(C)中顯示Case1、標準Std.、Case2的各情況中調整夾頭高度h而使膜厚分布最為平坦的模擬結果。此例中,確認可將鍍覆膜厚的平面均勻性U提升至1.0~1.3%。該圖中,曲線「92%_Case1_h+0.2」表示在Case1中使基板最外周的分割區域的孔的總面積為92%、並使夾頭高度h為標準高度hs+0.2mm的情況中膜厚分布的模擬結果。曲線「92%_Std._h+1」表示在標準Std.中使基板最外周的分 割區域的孔的總面積為92%、並使夾頭高度h為標準高度hs+1mm的情況中膜厚分布的模擬結果。曲線「92%_Case2_h+2」表示在Case2中使基板最外周的分割區域的孔的總面積為92%、並使夾頭403的高度h為標準高度hs+2mm之情況中膜厚分布的模擬結果。
另外,此模擬中,基板表面的鍍覆液流速(基板表面流速)並未隨著夾頭高度h的改變而有所變化。本實施型態中,如後所述,為了避免改變基板表面流速,而僅配合夾頭403的位置從基準位置(h=hs)移動的量來改變槳片412的上下位置及/或運動速度。
實際製作、組裝後的鍍覆模組應該在圖8(A)的Case1到Case2之間的範圍。因此,根據模擬來設定鍍覆模組的模組結構(包含各零件的材質、形狀、尺寸及配置),考量各種偏差及/或尺寸公差來調整模組結構,而決定成為前述Case1、Std.、Case2的模組結構(圖8(A))。然後,在Case1的情況中,亦以基板外周部的膜厚分布小於其他部分的方式來決定平板10最外周之分割區域的開口面積(氣孔率)(圖8(B))。接著,製作滿足所決定之開口面積(氣孔率)的平板10,並製作、組裝鍍覆模組400。然後,以組裝後的鍍覆模組400鍍覆基板,因應基板之鍍覆膜厚的膜厚分布來調整夾頭高度(夾頭-平板之間距)h而使基板整體的鍍覆膜厚分布均勻。
通常係以使膜厚分布平坦的方式對於鍍覆模組進行初始設定,但本實施型態的特徵係在於以使基板外周部之最外周的膜厚變小的方式對於鍍覆模組進行初始設定之後,配合事先未知的鍍覆模組的完成態樣(組裝後的鍍覆模組)來調整夾頭-平板的間距,以使基板的膜厚分布平坦。
圖9係本實施型態之鍍覆模組的調整方法的流程圖。步驟S10至S30為模擬的步驟,其可藉由鍍覆裝置的控制模組800或其他電腦實施。步驟S50至S80中,係以實際的鍍覆模組進行鍍覆評價。本實施型態的鍍覆模組的例子為可在6~12mm的範圍內調整夾頭高度(與平板的距離)的構成,較佳係在7~10mm的範圍內進行調整。另外,其他實施型態中,可為未配置槳片的相同構成,此情況中,成為可在1~12mm的範圍內調整夾頭高度(與平板的距離)的構成。
步驟S10中,決定標準Std.的條件中的最佳模組結構(包含各零件的材質、形狀、尺寸及配置)。標準Std.的條件為軸偏差、平行度的偏差及尺寸公差為零,其表示組裝完成的鍍覆模組中,各零件為理想尺寸、配置的情況。由標準Std.的條件所決定的模組結構與圖8(A)的Std.曲線對應。
步驟S20中,以各零件(夾頭,平板,陽極)的尺寸公差的範圍來決定成為基板外周部的膜厚最大的前述Case1、基板外周部的膜厚最小的前述Case2的條件(模組結構)。此條件中包含各零件(夾頭,平板,陽極)的軸偏差、平行度的偏差及/或尺寸誤差。Case1、Case2的模組結構,分別對應圖8(A)的Case1、Case2所示之曲線。
步驟S30中,根據步驟S10所決定的標準Std.之條件的模組結構來改變平板最外周之分割區域的開口面積。此變更後的開口面積,即使在Case1的條件下,亦為使基板外周部的膜厚變小的值,且即使在Case2的條件下,亦可使用以使膜厚分布平坦所需的夾頭高度之變化量(後述S70)進入夾頭高度的可動範圍內。若減少Case1(基板外周部的膜厚最大的模組結構)中的外周部膜厚,則Case2(基板外周部的膜厚最小的模組結構)中的外周部膜厚減少太多,而具有無法以夾頭可動範圍內的調整(夾頭高度h的調整)來使膜厚分布平坦的疑 慮,因此確認是否能夠在夾頭高度的可動範圍內藉由變更後的平板開口面積來調整基板外周部膜厚。例如,藉由實驗、模擬預先算出以夾頭高度h的最大可動量能夠調整的基板外周部之膜厚量(最大調整量),而預先使Case2之情況的基板外周部膜厚的必要調整量在最大調整量內。
首先,以Case1及Case2的模組結構(條件)實施圖8(B)所示的模擬,並且決定平板10的最外周分割區域的開口面積,該開口面積係在Case1的模組結構(條件)中亦使基板外周部的膜厚變小,且在Case2的模組結構(條件)中使用以使膜厚分布平坦所需的夾頭高度之變化量(後述的S70)進入夾頭高度的可動範圍內(此例中,降低至最初設計值之開口面積的92%)。接著,在標準Std.之條件的模組結構中,將平板最外周的分割區域的開口面積變更為所決定之開口面積(開口面積的92%),並以此作為初始設定的模組構成。
步驟S40中,以步驟S30所決定之初始設定的模組結構製作、組裝鍍覆模組。步驟S50中,以組裝後的鍍覆模組實際鍍覆基板。步驟S60中,藉由膜厚測量裝置900測量鍍覆後之基板的鍍覆膜厚分布,判定膜厚分布是否平坦。例如,從鍍覆後之基板的膜厚分布算出平面均勻性,確認平面均勻性是否在預期的範圍內,藉此可實施該判定。膜厚分布平坦的情況中,結束鍍覆模組400的調整(步驟S80)。鍍覆膜厚分布的測量及判定,可使用鍍覆裝置1000的膜厚測量裝置900來實施,亦可使用鍍覆裝置1000外部的膜厚測量裝置900來實施。
另一方面,步驟S60中判定膜厚分布不平坦的情況,則進入步驟S70。此例中顯示基板外周部的膜厚依然低於中心部的情況。步驟S70中,僅使夾頭高度(夾頭-平板之間距)h增加既定的量(例如0.1mm),藉此使基板外周部的鍍覆膜厚增加。夾頭高度(夾頭-平板之間距)h的調整可藉由控制模組800 自動實施,亦可手動實施。又,如後所述,亦隨著夾頭高度h的增加而調節槳片412的高度及/或運動速度,以避免鍍覆液因槳片412攪拌鍍覆液而在基板表面產生的流速(基板表面流速)變化。槳片412的高度及/或運動速度,可藉由控制模組800自動實施,亦可手動實施(例如,使用者變更處方(recipe)中槳片412的運動速度)。在夾頭高度h增加後的鍍覆模組400中再次實施基板的鍍覆,測量鍍覆後之基板的膜厚分布(步驟S50),判定膜厚分布是否平坦(步驟S60)。如此,直到步驟S60中判定基板的膜厚分布平坦為止,重複步驟S70、S50、S60的處理。若步驟S60中判定基板的膜厚分布平坦,則結束鍍覆模組的調整(步驟S80)。
本實施型態之鍍覆模組的調整方法中,以調整平板10的最外周區域之開口面積來降低基板外周部之膜厚的方式對於模組進行初始設定。然後,配合事先未知的組裝後鍍覆模組之完成態樣(鍍覆後之基板的膜厚分布),調整夾頭高度(夾頭-平板之間距)h,藉此調整鍍覆模組以成為平坦的膜厚分布。本實施型態之鍍覆模組的調整方法,可實施以作為鍍覆模組在正式運轉之前的調整。又,在正式運轉後,鍍覆膜厚分布的均勻性降低的情況,亦可藉由調整夾頭高度(夾頭-平板之間距)h來實施本實施型態之鍍覆模組的調整方法。
圖10A至圖10C係分別顯示夾頭高度調整方法的第1至第3例的概略圖。首先說明夾頭-平板之間距的變化與鍍覆液在基板表面之流速(基板表面流速)的關係。此處,鍍覆液流速可為例如平均流速。用以攪拌鍍覆液的槳片412,如圖3所示,設置在夾頭403(基板402)與平板10之間。如上所述,若在改變夾頭高度h時,夾頭(基板)-槳片之間距亦有所變化,則槳片412在基板表面攪拌鍍覆液的攪拌強度(基板表面流速)亦會改變。圖11係顯示基板表面流 速與基板-槳片之間距的關係的圖表。該圖中,縱軸表示基板表面流速,橫軸表示基板-槳片之間距。經由正規化以顯示基板表面流速及夾頭-槳片之間距,其中係使標準的夾頭-槳片之間距為1,並使標準的基板表面流速為1(圖12中亦相同)。由該圖可知,若夾頭-槳片之間距變化約10%,則流速變化約8%。若因為槳片攪拌而使基板表面流速變化,則供給至基板表面的銅離子或添加劑的供給產生差異,可能導致可設定的最大電流密度及鍍覆表面的形狀改變。為了排除這種流速變化的影響,在變更夾頭高度h時,應設立對策以避免基板表面流速改變。
第1例中,如圖10A所示,使夾頭403與槳片機構(包含槳片412、驅動機構413的構成)一體化而同時移動,並且設置使夾頭403與槳片機構同時在上下方向(箭號460)移動的升降機構450。升降機構450,可為具備由控制模組800控制之致動器者,亦可為以手動進行升降者。根據此構成,夾頭403及槳片412成一體地上下移動,可使槳片412與基板402之間距保持固定。亦即,圖9的步驟S70中,藉由升降機構450使夾頭403與槳片412同時上升,藉此在變更夾頭-平板之間距的同時,使夾頭-槳片之間距(基板-槳片之間距)保持固定。藉此,可抑制甚至防止因夾頭高度h的增加而造成鍍覆液在基板表面的流速(槳片攪拌強度)改變。
第2例中,槳片機構雖與鍍覆槽401一體化,但如圖10B所示,具備使夾頭403在上下方向(箭號461)移動的升降機構451、及使槳片機構在上下方向(箭號462)移動的升降機構452,藉由升降機構452,僅以升降機構451使夾頭403上升的量,使槳片412上升。各升降機構451、452,可為具備由控制模組800控制的致動器者,亦可為以手動升降者。此構成中,夾頭403及槳片412亦 僅以相同距離上下移動,而能夠使槳片412與基板402之間距保持固定。亦即,圖9的步驟S70中,藉由升降機構452,僅以升降機構451使夾頭403上升的量,使槳片412上升,藉此可在變更夾頭-平板之間距的同時,使夾頭-槳片之間距(基板-槳片之間距)保持固定。藉此,可抑制甚至防止因夾頭高度h的增加導致鍍覆液在基板表面的流速(槳片攪拌強度)改變。
第3例中,槳片機構與鍍覆槽401一體化,如圖10C所示,雖不具備使槳片機構升降的升降機構,但箭號463所示的槳片412的運動速度與夾頭403的升降(箭號461)一起變化,而能夠以使基板表面流速固定的方式進行控制。使夾頭403在上下方向(箭號461)移動的升降機構451,係與圖10B相同者。圖9的步驟S70中,決定使基板表面流速在變更夾頭高度h前後為固定的槳片412之運動速度,再將槳片412的運動速度變更為所決定之運動速度。藉此,可抑制甚至防止因夾頭高度h的增加導致基板表面流速改變。變更槳片412的運動速度可藉由控制模組800自動實施,亦可由使用者變更處方資料(recipe data)來實施。
圖12係顯示各槳片的運動速度中,表面流速與基板-槳片之間距的關係的圖表。該圖中,曲線I表示槳片的運動速度為標準的情況中,表面流速與基板-槳片之間距的關係。曲線II表示槳片的運動速度高於標準的情況中,表面流速與基板-槳片之間距的關係。曲線III表示槳片的運動速度低於標準的情況中,表面流速與基板-槳片之間距的關係。圖10C的構成中,未變更槳片412的高度而是考慮僅使夾頭403之高度增加的情況。初始設定中,若基板-槳片之間距為1,則基板表面流速為1(圖12)。然後,為了改善鍍覆膜厚分布,圖9的步驟S70中,未變更槳片412的高度而是僅增加夾頭403的高度,若使基板-槳片之間距為1.10,則基板表面流速約為0.92(減少約8%)。此時,若使槳片412的運動速度 從標準的運動速度(相當於曲線I)增加至相當於曲線II的運動速度,則可使變更了夾頭高度h之後的基板表面流速為1.00。藉此,在增加夾頭高度(夾頭-平板之間距)h而使基板-槳片之間距增加的情況,亦可使基板表面流速在變更夾頭高度h前後皆保持固定。降低夾頭高度h的情況,亦相同地從相當於曲線I的槳片運動速度降低至相當於曲線III的槳片運動速度,藉此可使基板表面流速在變更夾頭高度h前後皆保持固定。
可預先將顯示各槳片的運動速度中表面流速與基板-槳片之間距的關係的資料(圖12)儲存在控制模組800可參照的儲存媒體中。顯示表面流速與基板-槳片之間距的關係的資料,可藉由預先模擬、實驗等來決定。圖9的步驟S70中,控制模組800亦可參照儲存媒體中儲存的資料,來決定使基板表面流速在夾頭高度h變更前後為固定的槳片412之運動速度,進而將槳片412的運動速度變更為所決定之運動速度。控制模組800,可控制驅動機構413來變更槳片412的運動速度。藉此,可抑制甚至防止因夾頭高度h的增加導致基板表面流速改變。
(其他實施型態)
(1)在上述實施型態中,調整平板10最外周之分割區域的開口面積(氣孔率),但包含最外周之分割區域在內,亦可調整與其相近的1個或複數個分割區域的開口面積(氣孔率)。
(2)在上述實施型態中,調整槳片412的位置或運動速度中的一項以使鍍覆液因槳片412的攪拌而在基板表面產生的流速在調整夾頭403與平板410之間距前後保持固定,但亦可將槳片412的位置調整(圖10B)及槳片412的運動速度調整(圖10C)組合。
(3)上述實施型態中,為了改變夾頭-平板之間距,而固定平板並使夾頭移動,但亦可設置使平板升降的升降機構,並且固定夾頭而使平板移動。又,亦可分別設置夾頭及平板的升降機構,使夾頭及平板雙方移動來調整夾頭-平板之間距。另外,固定夾頭而使平板移動的情況中,夾頭(基板)-槳片之間距在調整夾頭-平板之間距前後未改變,因此亦可省略圖10(A)至圖10(C)中所說明的使表面流速固定的調整。
(4)上述實施型態中,雖舉出杯型的鍍覆模組為例而進行說明,但亦可將本實施型態應用於浸漬式、其他任何的鍍覆模組。
上述實施型態中,至少包含以下的實施型態。
〔1〕根據一實施型態,提供一種鍍覆模組之調整方法,該鍍覆模組具備保持基板的基板固持器、與前述基板固持器對向配置的陽極、及作為電阻體而配置於前述基板固持器與前述陽極之間的平板,該鍍覆模組之調整方法包含:準備鍍覆模組的步驟,該鍍覆模組係在以使基板的外周部的鍍覆膜厚小於其他部分之膜厚的方式調整前述平板的外周部之氣孔率的狀態下進行初始設定;及調整前述基板固持器與前述平板之間距的步驟,因應經由前述鍍覆模組所鍍覆之基板的膜厚分布,調整前述基板固持器與前述平板之間距以使基板的外周部的膜厚增加,藉此使基板整體的鍍覆膜厚分布變得平坦。
根據此實施型態,以使基板的外周部的鍍覆膜厚分布變小的狀態對於鍍覆模組進行初始設定,因應實際由鍍覆模組所鍍覆之基板的膜厚分布調整基板固持器與平板之間距,藉此進行使基板的外周部的膜厚變大的調整,而能夠調整鍍覆模組以使基板整體的鍍覆膜厚分布變得平坦。藉此,儘管鍍覆模 組具有個體差異(鍍覆槽的各零件的軸偏差、平行度的偏差、尺寸誤差),亦可調整鍍覆模組以使基板整體的鍍覆膜厚分布變得平坦。
又,因為使基板的外周部的膜厚變大的調整係使基板固持器與平板之間距朝向變大的方向進行調整,因此可抑制或防止基板固持器撞到槳片或平板。
〔2〕根據一實施型態,亦可更包含藉由考量前述鍍覆模組的各零件之中心軸的偏差、平行度的偏差及/或尺寸公差而進行模擬以決定前述初始設定之鍍覆模組的模組結構的步驟,前述零件包含前述基板固持器、前述陽極及前述平板。
根據此實施型態,儘管鍍覆模組具有個體差異,亦可在使基板的外周部的鍍覆膜厚分布小於其他部分的膜厚分布的狀態進行初始設定。藉此,儘管鍍覆模組具有個體差異,亦可藉由使基板固持器與平板之間距朝向變大的方向進行調整而使基板整體的鍍覆膜厚分布平坦。
〔3〕根據一實施型態,前述模擬亦可包含:決定標準條件之模組結構與第1條件之模組結構的步驟,該標準條件係前述鍍覆模組之前述零件之中心軸的偏差、平行度的偏差及/或尺寸公差為零或最小,該第1條件係由前述鍍覆模組之前述零件之中心軸的偏差、平行度的偏差及/或尺寸公差而導致前述基板的外周部的鍍覆膜厚成為最大;在前述第1條件的模組結構中以使前述基板的外周部的膜厚分布小於其他部分的方式來決定前述平板的外周部之氣孔率的步驟;及將前述決定之氣孔率應用於前述標準條件的模組結構以決定前述初始設定之模組結構的步驟。
根據此實施型態,因為將由基板的外周部的鍍覆膜厚成為最大的誤差(中心軸的偏差、平行度的偏差及/或尺寸誤差)之模組結構所決定的氣孔率用於初始設定,因此儘管組裝後的鍍覆模組具有個體差異,亦可在使基板的外周部的鍍覆膜厚分布變小的狀態下進行初始設定。又,因為係以誤差為零或最小的標準條件為目標而進行鍍覆模組的製作、組裝,因此所決定之氣孔率適用於標準條件的模組結構。
〔4〕根據一實施型態,前述鍍覆模組亦可更具備槳片,配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液,調整前述槳片相對於前述基板固持器的位置及/或前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
根據此實施型態,因為使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速(基板表面流速)於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定,因此可抑制甚至防止流速在基板表面的變化影響鍍覆膜厚分布的平面均勻性等鍍覆品質。又,藉由排除流速在基板表面的變化所造成的影響,並且調整基板固持器與平板之間距,可更輕易地對於鍍覆膜厚分布進行預期的調整。
〔5〕根據一實施型態,亦可在調整前述基板固持器與前述平板之間距時,僅以相同距離使前述基板固持器及前述槳片移動,而使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定。
根據此實施型態,可藉由簡易的調整使鍍覆液在基板表面的流速保持固定。
〔6〕根據一實施型態,亦可藉由使前述基板固持器與前述槳片成一體地移動,而使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定。
根據此實施型態,因為基板固持器及槳片成一體地移動,而可更確實地使基板固持器與槳片之間距固定保持。
〔7〕根據一實施型態,亦可藉由分別僅以相同距離使前述基板固持器與前述槳片移動,而使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定。
根據此實施型態,因為使基板固持器與槳片各別移動,因此可更輕易地構成使基板固持器及槳片分別移動的機構。
〔8〕根據一實施型態,亦可調整前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
根據此實施型態,可省略調整槳片位置的機構,而可抑制甚至防止模組的大型化及/或成本上升。
〔9〕根據一實施型態,亦可組合前述槳片的位置及運動速度的調整,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
根據此實施型態,藉由組合槳片的位置及運動速度的調整,可一方面抑制槳片的位置及運動速度的改變幅度,一方面使基板固持器在大範圍中移動。
〔10〕根據一實施型態,亦可藉由調整設於前述平板上的複數個同心圓周上的孔之中,設於最外周的圓周上的孔的開口面積、或是設於最外周 的圓周及相近的1個或複數個圓周上的孔的開口面積,來實施前述平板的外周部之氣孔率的調整。
根據此實施型態,可藉由改變平板之外周部的孔的直徑及/或形狀等以調整局部的開口面積,而簡易且精準地調整平板之外周部的氣孔率。
〔11〕根據一實施型態,提供一種非揮發性的儲存媒體,其中儲存了使電腦執行鍍覆模組之調整方法的程式,該鍍覆模組具有保持基板的基板固持器、與前述基板固持器對向配置的陽極、及作為電阻體而配置於前述基板固持器與前述陽極之間的平板;該程式使電腦執行下述內容:因應由在以使基板的外周部的鍍覆膜厚小於其他部分之膜厚的方式調整前述平板之外周部的氣孔率的狀態下進行初始設定的鍍覆模組所鍍覆的基板之膜厚分布,調整前述基板固持器與前述平板之間距而使基板的外周部之膜厚增加,藉此調整前述基板固持器與前述平板之間距而使基板整體的鍍覆膜厚分布變得平坦。
根據此實施型態,發揮與上述〔1〕所述相同的作用效果。又,可在組裝後的鍍覆模組中自動進行調整。
〔12〕根據一實施型態,前述鍍覆模組亦可更具備槳片,該槳片配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液,前述非揮發性的儲存媒體儲存了程式,該程式使電腦執行下述內容:調整前述槳片相對於前述基板固持器的位置及/或前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
根據此實施型態,發揮與上述〔4〕所述相同的作用效果。又,可在組裝後的鍍覆模組中自動進行調整。
〔13〕根據一實施型態,提供一種鍍覆裝置,具備:鍍覆模組,其具備保持基板的基板固持器、與前述基板固持器對向配置的陽極、及作為電阻體而配置於前述基板固持器與前述陽極之間的平板,且該鍍覆模組以使基板的外周部的鍍覆膜厚小於其他部分之膜厚的方式進行設定;及第1移動機構,使前述基板固持器及/或前述平板移動。
根據此實施型態,發揮與上述〔1〕所述相同的作用效果。
〔14〕根據一實施型態,亦可更具備槳片,該槳片配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液,前述第1移動機構係構成使前述基板固持器及前述槳片相對於前述平板成一體地移動的態樣。
根據此實施型態,發揮與上述〔6〕所述相同的作用效果。
〔15〕根據一實施型態,亦可更具備:槳片,配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液;及第2移動機構,使前述槳片以接近或離開前述基板固持器的方式移動。
根據此實施型態,發揮與上述〔7〕所述相同的作用效果。
〔16〕根據一實施型態,亦可更具備控制模組,前述控制模組因應由前述鍍覆模組進行鍍覆後的基板之膜厚分布,控制前述第1移動機構以調整前述基板固持器與前述平板之間距。
根據此實施型態,發揮與上述〔1〕所述相同的作用效果。又,可在組裝後的鍍覆模組中自動進行鍍覆評價、鍍覆模組的調整。
〔17〕根據一實施型態,亦可更具備控制模組,前述控制模組控制前述第1移動機構而一方面使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定,一方面使前述基板固持器及前述槳片成一體地移動。
根據此實施型態,發揮與上述〔6〕所述相同的作用效果。又,亦可在組裝後的鍍覆模組中自動進行鍍覆評價、鍍覆模組的調整。
〔18〕根據一實施型態,亦可更具備控制模組,前述控制模組控制前述第1移動機構及第2移動機構,以使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定的方式使前述基板固持器及前述槳片移動。
根據此實施型態,發揮與上述〔7〕所述相同的作用效果。又,可在組裝後的鍍覆模組中自動進行鍍覆評價、鍍覆模組的調整。
〔19〕根據一實施型態,亦可更具備:槳片,配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液;驅動機構,使前述槳片與基板平行地來回移動;及控制模組,前述控制模組控制前述驅動機構來調整前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
根據此實施型態,發揮與上述〔8〕所述相同的作用效果。又,亦可在組裝後的鍍覆模組中自動進行調整。
〔20〕根據一實施型態,亦可更具備:槳片,配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液;第2移動機構,使前述槳片以接近或離開前述基板固持器的方式移動;驅動機構,使前述槳片與基板平行地來回移動;及控制模組;前述控制模組控制前述第2移動機構及前述驅動機構來調整前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
根據此實施型態,發揮與上述〔9〕所述相同的作用效果。又,亦可在組裝後的鍍覆模組中自動進行調整。
以上說明本發明的實施型態,上述發明的實施型態,係用以容易理解本發明,並未限定本發明。本發明只要不脫離其主旨即可進行變更、改良,本發明當然亦包含其均等物。又,在可解決上述問題之至少一部分的範圍內或發揮至少部分效果的範圍內,可任意組合或省略申請專利範圍及說明書中記載的各構成要件。包含日本特開2020-176303號公報(專利文獻1)的說明書、申請專利範圍、圖式及摘要在內的所有揭示皆藉由參照而整體組合至本申請案之中。
S10~S80:步驟

Claims (19)

  1. 一種鍍覆模組之調整方法,該鍍覆模組具備保持基板的基板固持器、與前述基板固持器對向配置的陽極、及作為電阻體而配置於前述基板固持器與前述陽極之間的平板,該鍍覆模組之調整方法包含:準備鍍覆模組的步驟,該鍍覆模組係在以使基板的外周部的鍍覆膜厚小於其他部分之膜厚的方式調整前述平板的外周部之氣孔率的狀態下進行初始設定;及調整前述基板固持器與前述平板之間距的步驟,因應經由前述鍍覆模組所鍍覆之基板的膜厚分布,調整前述基板固持器與前述平板之間距以使基板的外周部的膜厚增加,藉此使基板整體的鍍覆膜厚分布變得平坦。
  2. 如請求項1之鍍覆模組之調整方法,其更包含藉由考量前述鍍覆模組的各零件之中心軸的偏差、平行度的偏差及/或尺寸公差而進行模擬以決定前述初始設定之鍍覆模組的模組結構的步驟,前述零件包含前述基板固持器、前述陽極及前述平板。
  3. 如請求項2之鍍覆模組之調整方法,其中,前述模擬包含:決定標準條件之模組結構與第1條件之模組結構的步驟,該標準條件係前述鍍覆模組之前述零件之中心軸的偏差、平行度的偏差及/或尺寸公差為零或最小,該第1條件係由於前述鍍覆模組之前述零件之中心軸的偏差、平行度的偏差及/或尺寸公差而導致前述基板的外周部的鍍覆膜厚成為最大;在前述第1條件的模組結構中以使前述基板的外周部的膜厚分布小於其他部分的方式來決定前述平板的外周部之氣孔率的步驟;及 將前述決定之氣孔率應用於前述標準條件的模組結構以決定前述初始設定之模組結構的步驟。
  4. 如請求項1至3中任一項之鍍覆模組之調整方法,其中前述鍍覆模組更具備槳片,該槳片配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液,調整前述槳片相對於前述基板固持器的位置及/或前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
  5. 如請求項4之鍍覆模組之調整方法,其中在調整前述基板固持器與前述平板之間距時,僅以相同距離使前述基板固持器及前述槳片移動,而使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定。
  6. 如請求項5之鍍覆模組之調整方法,其中藉由使前述基板固持器與前述槳片成一體地移動,而使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定。
  7. 如請求項5之鍍覆模組之調整方法,其中藉由分別僅以相同距離使前述基板固持器與前述槳片移動而使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定。
  8. 如請求項4之鍍覆模組之調整方法,其中調整前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
  9. 如請求項4之鍍覆模組之調整方法,其中組合前述槳片的位置及運動速度的調整,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
  10. 如請求項1至3中任一項之鍍覆模組之調整方法,其中藉由調整設於前述平板上的複數個同心圓周上的孔之中,設於最外周的圓周上的孔的開口面積、或是設於最外周的圓周及相近的1個或複數個圓周上的孔的開口面積,來實施前述平板的外周部之氣孔率的調整。
  11. 一種非揮發性的儲存媒體,其中儲存了使電腦執行鍍覆模組之調整方法的程式,該鍍覆模組具有保持基板的基板固持器、與前述基板固持器對向配置的陽極、及作為電阻體而配置於前述基板固持器與前述陽極之間的平板;該程式使電腦執行下述內容:因應由在以使基板的外周部的鍍覆膜厚小於其他部分之膜厚的方式調整前述平板之外周部的氣孔率的狀態進行初始設定的鍍覆模組所鍍覆的基板之膜厚分布,調整前述基板固持器與前述平板之間距而使基板的外周部之膜厚增加,藉此調整前述基板固持器與前述平板之間距而使基板整體的鍍覆膜厚分布變得平坦。
  12. 如請求項11之非揮發性的儲存媒體,其中前述鍍覆模組更具備槳片,該槳片配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液,前述非揮發性的儲存媒體儲存了程式,該程式使電腦執行下述內容:調整前述槳片相對於前述基板固持器的位置及/或前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
  13. 一種鍍覆裝置,具備:鍍覆模組,其具有保持基板的基板固持器、與前述基板固持器對向配置的陽極、及作為電阻體而配置於前述基板固持器與前述陽極之間的平板; 第1移動機構,使前述基板固持器及/或前述平板移動;請求項11之非揮發性的儲存媒體;及控制模組,具有電腦,該電腦執行前述儲存媒體所儲存的程式;前述控制模組控制前述第1移動機構以調整前述基板固持器與前述平板之間距。
  14. 如請求項13之鍍覆裝置,其更具備槳片,該槳片配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液;前述第1移動機構構成使前述基板固持器及前述槳片相對於前述平板成一體地移動的態樣。
  15. 如請求項13之鍍覆裝置,其更具備:槳片,配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液;及第2移動機構,使前述槳片以接近或離開前述基板固持器的方式移動。
  16. 如請求項14之鍍覆裝置,其中,前述控制模組控制前述第1移動機構而一方面使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定,一方面使前述基板固持器及前述槳片成一體地移動。
  17. 如請求項15之鍍覆裝置,其中,前述控制模組控制前述第1移動機構及第2移動機構,以使前述基板固持器與前述槳片之間距保持固定的方式使前述基板固持器及前述槳片移動。
  18. 如請求項13之鍍覆裝置,其更具備:槳片,配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液;及驅動機構,使前述槳片與基板平行地來回移動; 前述控制模組控制前述驅動機構來調整前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
  19. 如請求項13之鍍覆裝置,其更具備:槳片,配置於前述基板固持器與前述平板之間,攪拌鍍覆液;第2移動機構,使前述槳片以接近或離開前述基板固持器的方式移動;及驅動機構,使前述槳片與基板平行地來回移動;前述控制模組控制前述第2移動機構及前述驅動機構來使前述槳片移動並且調整前述槳片的運動速度,以使鍍覆液因前述槳片的攪拌而在前述基板的表面產生的流速於調整前述基板固持器與前述平板之間距前後保持固定。
TW110108418A 2021-03-10 2021-03-10 鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置 TWI779513B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110108418A TWI779513B (zh) 2021-03-10 2021-03-10 鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110108418A TWI779513B (zh) 2021-03-10 2021-03-10 鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202235694A TW202235694A (zh) 2022-09-16
TWI779513B true TWI779513B (zh) 2022-10-01

Family

ID=84957335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110108418A TWI779513B (zh) 2021-03-10 2021-03-10 鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI779513B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10130896A (ja) * 1996-10-28 1998-05-19 Matsushita Electric Works Ltd 電気めっき方法
JP2017115170A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10130896A (ja) * 1996-10-28 1998-05-19 Matsushita Electric Works Ltd 電気めっき方法
JP2017115170A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202235694A (zh) 2022-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230193501A1 (en) Plating apparatus and plating method
WO2022254690A1 (ja) めっき装置
TWI786665B (zh) 鍍覆裝置
TWI779513B (zh) 鍍覆模組之調整方法、儲存媒體及鍍覆裝置
TWI828580B (zh) 鍍覆裝置
JP7279273B1 (ja) めっき装置
TWI808921B (zh) 鍍覆裝置
TWI759133B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
US20220396895A1 (en) Plating apparatus and plating processing method
CN114787428B (zh) 调整镀覆模块的方法
US20230160089A1 (en) Apparatus for plating and method of controlling apparatus for plating
JP7204060B1 (ja) めっき装置用抵抗体、及び、めっき装置
TWI809425B (zh) 鍍覆裝置
TWI746334B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆處理方法
WO2023157105A1 (ja) めっき装置、及びめっき方法
US11993861B2 (en) Plating apparatus and air bubble removing method
TWI838038B (zh) 鍍覆裝置
TW202237908A (zh) 鍍覆裝置及鍍覆裝置之接觸構件清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent