TWI771918B - 抑制濾布的濾孔堵塞之方法以及排煙脫硫系統 - Google Patents

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Abstract

本發明之抑制濾布的濾孔堵塞之方法，是用來減少從使燃燒裝置排出的排廢氣與吸收液進行接觸之排煙脫硫裝置的副產品之石膏漿液中分離出水分之濾布的濾孔發生堵塞之方法，係具備：氧化還原電位取得步驟，係用來取得與排廢氣進行接觸後的吸收液的氧化還原電位；以及藥劑添加步驟，係以使氧化還原電位取得步驟所取得的氧化還原電位的數值不超過閾值的方式，來將降低吸收液的氧化還原電位用的藥劑添加到吸收液中。

Description

抑制濾布的濾孔堵塞之方法以及排煙脫硫系統
本發明係關於：是用來減少從使燃燒裝置排出的排廢氣與吸收液進行接觸之排煙脫硫裝置的副產品之石膏漿液中分離出水分之濾布的濾孔發生堵塞之抑制濾布的濾孔堵塞之方法、以及具備排煙脫硫裝置之排煙脫硫系統。
例如在從鍋爐之類的燃燒裝置所排出的排廢氣中，係含有硫磺氧化物(SOX )之類的大氣污染物質，因此要將其排放到大氣之前，必須先在排煙脫硫裝置內將硫磺氧化物從排廢氣中除去。
習知的排煙脫硫裝置中，係有一種使用石灰石膏法之濕式的排煙脫硫裝置(例如專利文獻1所揭示的排煙脫硫裝置)。濕式的排煙脫硫裝置，係將排廢氣與石灰石漿液(吸收液)進行接觸，利用吸收液來吸收排廢氣中的硫磺氧化物(例如：亞硫酸氣體)，而從排廢氣中將硫磺氧化物予以除去。被吸收液吸收後的硫磺氧化物，將會與吸收液中的鈣產生反應而形成亞硫酸鈣，該亞硫酸鈣受到被供給到吸收液中的空氣所氧化而變成石膏。因此在濕式的排煙脫硫裝置中，將會生成石膏漿液(含有石膏的吸收液)作為副產品。
專利文獻2所揭示的技術，是在石膏分離機中，將從濕式的排煙脫硫裝置取出的石膏漿液進行固液分離來回收石膏之技術。更詳細的說，專利文獻2所揭示的技術，係利用張設在鼓筒之間的皮帶來支承濾布，並且讓濾布可以行進，同時從皮帶的下方來對於被供給到濾布的表面上的石膏漿液進行抽吸而分離成濾液與石膏之皮帶式的石膏分離機、以及可對於排出石膏後之濾布的雙面(表面及背面)噴出清洗水之洗淨用噴霧機。利用洗淨用噴霧機所噴出的清洗水來沖洗濾布，而將附著在濾布的雙面上的微小石膏粒子之類的附著物沖洗掉落下來。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-340238號公報 [專利文獻2]日本特開平10-128054號公報
[發明所欲解決之問題]
即使利用上述洗淨用噴霧機對於濾布連續地進行清洗，有時候還是會在濾布發生濾孔堵塞的情形。在濾布發生濾孔堵塞的話，濾布上的石膏漿液就無法被充分地脫水，殘留在將該石膏漿液脫水而取得的石膏中的水分量太多，因而會有導致石膏的品質降低之虞慮。此外，當濾布發生了濾孔堵塞的時候，以往的作法是進行更換成新濾布，因此在進行濾布的更換作業時，也會有耗費人力和費用的問題。
此外，在專利文獻1中也揭示出：在先測定出濕式的排煙脫硫裝置中的吸收液之氧化還原電位，再因應吸收液之氧化還原電位的測定值來調整含氧氣體之供給量的作法；以及當上述測定值超過了利用上述氣體的供給量所能夠調整的範圍而到達太高的測定值時，就將氧化抑制劑供給到吸收液中來調整吸收液之氧化還原電位的作法。這個專利文獻1所針對的技術課題，是想要降低從濕式的排煙脫硫裝置排出之排水中的化學需氧量(COD)，因此對於在石膏分離機的濾布上所發生之上述的濾孔堵塞的問題則完全未記載。
本發明係有鑒於上述情事而開發完成的，其中至少一種實施方式之目的是要提供：可以減少濾布的濾孔堵塞，而可抑制將石膏漿液脫水而獲得之石膏的品質降低之抑制濾布的濾孔堵塞之方法、以及排煙脫硫系統。 [解決問題之技術手段]
本發明所揭示的抑制濾布的濾孔堵塞之方法，是用來減少從使燃燒裝置排出的排廢氣與吸收液進行接觸之排煙脫硫裝置的副產品之石膏漿液中分離出水分之濾布的濾孔發生堵塞之方法，係具備： 氧化還原電位取得步驟，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液的氧化還原電位；以及 藥劑添加步驟，係以使得前述氧化還原電位取得步驟所取得的前述氧化還原電位的數值不超過閾值的方式，來將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑添加到前述吸收液中。
本發明所揭示的排煙脫硫系統，係將燃燒裝置排出的排廢氣予以脫硫之排煙脫硫系統，係具備： 吸收塔，係將被導入到其內部之前述排廢氣與吸收液進行氣液接觸，並且在內部具有用來貯存與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液之漿液貯存部； 固液分離裝置，係利用濾布來對於含有在前述漿液貯存部進行的化學反應而生成的副產物之前述吸收液進行固液分離處理； 氧化還原電位取得裝置，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液之氧化還原電位； 藥劑供給管線，係用來將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑送往前述漿液貯存部；以及 藥劑供給量調整裝置，係可以調整經由前述藥劑供給管線而被送往前述漿液貯存部之前述藥劑的量；其中， 前述藥劑供給量調整裝置，係以使得前述氧化還原電位取得裝置所取得之前述氧化還原電位的數值不超過閾值的方式，來調整被送往前述漿液貯存部之前述藥劑的量。 [發明之效果]
根據本發明所揭示的至少一種實施方式，係可提供：能夠減少濾布的濾孔堵塞，而可抑制將石膏漿液脫水而獲得之石膏的品質下降之抑制濾布的濾孔堵塞之方法、以及排煙脫硫系統。
以下，將佐以圖面來針對於本發明所揭示的幾種實施方式進行說明。惟，作為實施方式而被記載或顯示在圖面中之構成零件的尺寸、材質、形狀、其相對的配置關係等，並不是用來將本發明所揭示的範圍限定在這些條件，這些都只算是說明用的例子而已。 例如：「朝往某一方向」、「沿著某一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」或「同軸」等之表示相對性的配置或絕對性的配置之表現方式(用語)，不僅是嚴格地表示這種配置，也是表示因為公差的緣故、或者以能夠獲得相同功能之程度的角度、距離來做相對性的移位之狀態。 例如：「同一」、「相等」及「均質」等之表示事物的同等狀態之表現方式(用語)，不僅是嚴格地表示這種同等狀態，也是表示存在著公差、或存在著能夠獲得相同功能的程度之些微差距的狀態。 例如：四角形狀、圓筒形狀等之用來表示形狀之表現方式(用語)，不僅是表示幾何學中之嚴格涵義的四角形狀、圓筒形狀等的形狀，也是表示在能夠獲得相同效果的範圍內之包含了凹凸部、倒角部等的形狀。 此外，「具備」、「包含」、或「具有」一個構成要素之表現方式，並不是將其他的構成要素的存在予以除外之排他性的表現方式。 此外，針對同樣的構成要素都標註相同符號並且省略重覆的說明。
圖1係本發明所揭示的一種實施方式之抑制濾布的濾孔堵塞之方法的流程圖。圖2係概略地顯示本發明所揭示的一種實施方式之排煙脫硫系統的構成要件之概略構成圖。以下，將針對於本發明所揭示的幾種實施方式之抑制濾布的濾孔堵塞之方法，以將其應用在圖2所示的這種排煙脫硫系統的情況為例子來加以說明。
(排煙脫硫系統) 如圖2所示，排煙脫硫系統10係具備：用來將從例如引擎、鍋爐之類的燃燒裝置11排出的排廢氣進行脫硫之濕式的排煙脫硫裝置20、以及利用濾布31對於從排煙脫硫裝置20排出的石膏漿液進行固液分離之固液分離裝置30。
排煙脫硫裝置20，係將從燃燒裝置11排出的排廢氣與吸收液進行接觸來使得排廢氣中的硫磺氧化物(例如：亞硫酸氣體)被吸收液所吸收，而從排廢氣中將硫磺氧化物予以除去。在使用了石灰石膏法之排煙脫硫裝置20中，係採用將例如石灰石予以溶解(分散)後的石灰石漿液之類的含有鹼性成分之漿液來當作吸收液，因此，石膏漿液(含有石膏之吸收液)就成為其副產品。此外，「漿液」嚴格來說並不是液體，但為了方便說明起見，在本說明書中，係將其視為液體。
排煙脫硫裝置20係包含：可將被導入其內部的排廢氣進行脫硫處理的吸收塔20A。吸收塔20A係包含：在內部隔間出可供導入從燃燒裝置11排出的排廢氣的內部空間21之吸收塔本體22；用來將排廢氣導入到內部空間21之排廢氣導入口23；以及用來從內部空間21排出排廢氣之排廢氣排出口24。吸收塔20A係包含：用來將排廢氣從燃燒裝置11送往排廢氣導入口23之排廢氣導入管線12；以及用來將排廢氣從排廢氣排出口24送往煙囪13之排廢氣排出管線14。
內部空間21係包含：用來使得排廢氣與吸收液進行氣液接觸之氣液接觸部21A；以及位於氣液接觸部21A的更下方位置，且可供在氣液接觸部21A已經吸收了排廢氣中的硫磺氧化物(例如：亞硫酸氣體)後的吸收液存放之漿液貯存部21B。排廢氣導入口23係與位於氣液接觸部21A的更下方且位於漿液貯存部21B的更上方之內部空間21相連通。排廢氣排出口24係與位於氣液接觸部21A更上方的內部空間21相連通。
從燃燒裝置11排出的排廢氣，係經由排廢氣導入管線12以及排廢氣導入口23而被導入到內部空間21。被導入到內部空間21內的排廢氣，在內部空間21上昇流動而通過氣液接觸部21A的時候，係受到吸收液的清洗而將排廢氣中的硫磺氧化物等予以除去。在氣液接觸部21A中被除去了排廢氣中的硫磺氧化物等之後的排廢氣，係被視為已經過淨化處理後的排廢氣也就是淨化後氣體，而經由排廢氣排出口24以及排廢氣排出管線14，從設置在較之排廢氣排出口24更位於淨化後氣體(排廢氣)的流動方向的下游側的煙囪13排放到大氣中。
亦可如圖2所示般地，將用來從淨化後氣體(排廢氣)中除去水分的霧滴消除器25，設置在較之氣液接觸部21A更位於淨化後氣體(排廢氣)的流動方向的下游側。
在圖示的實施方式中，吸收塔20A係包含：配置在氣液接觸部21A的噴霧裝置26。噴霧裝置26係用來對於通過氣液接觸部21A的排廢氣將吸收液(石灰石漿液)噴霧出去。從噴霧裝置26噴霧出來的吸收液係與排廢氣進行接觸而將含在排廢氣中的硫磺氧化物(例如：亞硫酸氣體)予以吸收除去。
噴霧裝置26係包含：沿著與排廢氣的流動方向交叉的水平方向延伸之噴霧管261；以及設在噴霧管261上之複數個噴霧用噴嘴262。如圖2所示，噴霧用噴嘴262係具有：朝向排廢氣的流動方向中的下游側，也就是朝向鉛直方向的上方將吸收液噴霧出去的噴霧口263。此外，在其他的幾種實施方式中，噴霧用噴嘴262也可以具有：朝向鉛直方向的下方將吸收液噴霧出去的噴霧口。
從噴霧用噴嘴262的噴霧口263對於被導入到內部空間21內的排廢氣進行噴霧，而使得已經吸收且除去了含在排廢氣中的硫磺氧化物之後的吸收液落下而存放在漿液貯存部21B。存放在漿液貯存部21B內的吸收液中，係含有：從排廢氣吸收了硫磺氧化物而生成的亞硫酸鹽以及亞硫酸鹽氧化而生成的石膏(硫酸鈣)。
在吸收塔本體22穿設有：用來將存放在漿液貯存部21B內的吸收液抽出到外部之吸收液抽出口221、222；以及用來將對於存放在漿液貯存部21B內的吸收液供給氧化用氣體(例如：空氣)的噴嘴從吸收塔本體22的外部***到漿液貯存部21B內之噴嘴穿插口223。吸收液抽出口221、222以及噴嘴穿插口223都是與漿液貯存部21B相連通。又，在吸收塔本體22開設著用來導入石灰石漿液之石灰石漿液供給口224。石灰石漿液供給口224係與位於漿液貯存部21B更上方的內部空間21相連通。
吸收塔20A係包含：用來將氧化用氣體(例如：空氣)供給到存放在漿液貯存部21B內的吸收液之氣體供給裝置27。在圖示的實施方式中，氣體供給裝置27係包含：穿插在噴嘴穿插口223之筒狀的噴嘴271；用來將氧化用氣體壓送到噴嘴271之泵浦272；以及用來調整被送往噴嘴271的氧化用氣體之調整閥273。利用泵浦272將大氣中的空氣(氧化用氣體)從筒狀的噴嘴271的其中一端側供給到噴嘴271內，並且從形成在噴嘴271的另一端側之吹出口274將空氣曝氣到存放在漿液貯存部21B內的吸收液中。如此一來，可使得存放在漿液貯存部21B內的吸收液中的亞硫酸鹽氧化而生成石膏。
吸收塔20A係包含：用來將石灰石漿液供給到吸收塔20A的漿液貯存部21B之石灰石漿液供給管線15；用來將從漿液貯存部21B抽出的吸收液送往噴霧裝置26之吸收液循環管線16；以及用來將從漿液貯存部21B抽出的吸收液送往固液分離裝置30之吸收液抽出管線17。吸收塔20A係將吸收液在吸收液的循環系統也就是噴霧裝置26、漿液貯存部21B以及吸收液循環管線16中進行循環。存放在漿液貯存部21B內的吸收液，係吸收了流入到吸收塔20A內的排廢氣中的硫磺氧化物而將其中和，並且被供給了與用來將循環中的吸收液的pH值調整成既定值所需之相對應量的石灰石來當作脫硫原料，並且又在吸收液的循環系統內進行循環，而被反覆地用來清洗吸收塔20A內的排廢氣，因而所生成的石膏將會逐漸地累積在漿液貯存部21B內。
藉由將石膏漿液(含有石膏之吸收液)經由吸收液抽出管線17送往固液分離裝置30，而從吸收液之上述循環系統中抽出石膏漿液，並且是以將漿液貯存部21B內的石膏漿液濃度維持在一定的濃度例如20～30wt％的方式，來調整石膏漿液的抽出量。此外，為了要兼顧到利用吸收液來吸收除去排廢氣中的硫磺氧化物的效率(pH值愈高效率愈好)、以及吸收液中的亞硫酸鹽的氧化效率(pH值愈低效率愈好)，係將適量的石灰石漿液供給到流經石灰石漿液供給管線15的吸收液中，以將前述的吸收液的pH值控制在5～6的範圍內。
在圖示的實施方式中，石灰石漿液供給管線15係包含：配置在吸收塔20A的外部之用來存放石灰石漿液之石灰石漿液槽151；其中一端側連接於石灰石漿液槽151，另一端側連接於石灰石漿液供給口224之石灰石漿液供給配管152；以及設在石灰石漿液供給配管152之閥153。閥153是具有將石灰石漿液供給配管152進行開閉的可動機構，並且可用來調整經由石灰石漿液供給配管152而被供給到漿液貯存部21B之石灰石漿液的量。藉由將閥153打開，即可將石灰石漿液從石灰石漿液槽151送往漿液貯存部21B。
在圖示的實施方式中，吸收液循環管線16係包含：其中一端側連接於吸收液抽出口221，另一端側連接於噴霧管261之吸收液循環配管161；以及設置在吸收液循環配管161，用來將吸收液從吸收液循環配管161的其中一端側送往另一端側之循環用泵浦162。吸收液抽出管線17係包含：其中一端側連接於吸收液抽出口222，另一端側連接於固液分離裝置30之吸收液抽出配管171；以及設置在吸收液抽出配管171，用來將吸收液從吸收液抽出配管171的其中一端側送往另一端側之抽出用泵浦172。
圖3係概略地顯示本發明所揭示的一種實施方式之固液分離裝置的構成要件之概略構成圖。如圖3所示，固液分離裝置30係將經由吸收液抽出配管171而從漿液貯存部21B送過來的石膏漿液(含有石膏之吸收液)進行脫水，而予以分離成石膏與濾液。
如圖3所示，固液分離裝置30係具備：具有將石膏漿液承載在濾布31上的狀態進行搬運的輸送帶32之搬運裝置33；具有可將石膏漿液供給到輸送帶32的濾布31上之石膏漿液供給部341之石膏漿液供給裝置34；具有可供給濾渣餅清洗液的濾渣餅清洗液供給部351之濾渣餅清洗裝置35；以及具有可供給蒸氣之蒸氣供給部361，該蒸氣係可以用來降低含在石膏濾渣餅中之附著水的黏性而可以降低副產品石膏的含水率。
石膏漿液供給部341、濾渣餅清洗液供給部351以及蒸氣供給部361分別都是配置在輸送帶32的上方。濾渣餅清洗液供給部351係較之石膏漿液供給部341更位於沿著輸送帶32的搬運方向的方向中的下游側(圖3中的右側)，蒸氣供給部361係較之濾渣餅清洗液供給部351更位於沿著輸送帶32的搬運方向的方向中的下游側。
在圖示的實施方式中，搬運裝置33還具有：兩個被支承成可以旋轉之鼓筒37(37A、37B)；連接在上述兩個鼓筒37(37A、37B)之其中一方的鼓筒37(例如：37A)且用來旋轉驅動該鼓筒37(37A)之馬達38；以及複數個導引用滾子39。輸送帶32係以環帶狀的橡膠製構件(彈性體)所構成的，係繞掛在沿著水平方向分開配置的兩個鼓筒37上而可以循環移動。輸送帶32是繞掛在兩個鼓筒37上，因此利用馬達38將上述其中一方的鼓筒37(37A)旋轉驅動時，另一方的鼓筒37(37B)也會一起旋轉，因此，輸送帶32就可以沿著輸送帶32的搬運方向循環移動。
濾布31例如是以聚酯、聚丙烯之類的樹脂作為材料而形成具有透氣性的薄片狀。濾布31係包含：藉由將形成纖維狀的樹脂進行編織而形成的織布、以及藉由將形成纖維狀的樹脂交纏在一起而形成的不織布。此外，濾布31亦可配合所使用的固液分離裝置來改變形狀，例如也可以是形成筒狀或帶狀。
固液分離裝置30的濾布31是設成環帶狀(成形為環帶狀)。濾布31係可移動地繞掛在複數個導引用滾子39上，並且其長度方向的一部分是重疊在輸送帶32的上表面321上。濾布31之重疊在輸送帶32的上表面321上的部分(以下，稱為被支承部311)係被輸送帶32所支承而可與輸送帶32一起沿著上述搬運方向進行移動。因此，鼓筒37(37A)進行旋轉驅動而使得輸送帶32繞圈循環移動的話，濾布31之被支承部311係與從下側來支承該被支承部311之輸送帶32的支承部322一起沿著上述搬運方向進行移動。
石膏漿液供給裝置34，係將從吸收塔20A經由吸收液抽出管線17送來之含有石膏的吸收液(石膏漿液)，從其石膏漿液供給部341供給到輸送帶32的濾布31上。在圖示的實施方式中，石膏漿液供給裝置34係具有：上述石膏漿液供給部341(例如：噴射噴嘴)；以及其中一端側連接在吸收液抽出配管171的另一端側，且其另一端側連接在石膏漿液供給部341之石膏漿液供給配管342。在這種情況下，是利用上述的循環用泵浦162來壓送(泵送)石膏漿液且通過石膏漿液供給配管342而從石膏漿液供給部341流下，藉此，將石膏漿液供給到輸送帶32的濾布31上。此處所稱的「濾布31上」，嚴格地說，是指：在濾布31之被支承部311的上表面(外表面)312上之意。
石膏漿液係被承載於輸送帶32的濾布31上，並且是與濾布31一起被輸送帶32搬運的同時，被進行脫水處理。此處，係將搬運裝置33上之對於石膏漿液進行脫水的領域稱為脫水部40。在脫水部40中，濾布31的被支承部311係受到輸送帶32之支承部322所支承。上述的石膏漿液供給部341、濾渣餅清洗液供給部351以及蒸氣供給部361也都分別配置在脫水部40的領域內。
在濾布31上係形成有用來從石膏漿液中分離出水分之細孔的網目(濾孔)。在輸送帶32上則是形成有可供水分通過之複數個孔。被承載在輸送帶32的濾布31上之石膏漿液，係在上述脫水部40中，讓水分(濾液)通過形成在濾布31和輸送帶32上之複數個孔而被脫水。
在圖示的實施方式中，搬運裝置33還具有：從下方對於被承載在濾布31上的石膏漿液進行抽吸而將濾液予以脫水之脫水裝置41。脫水裝置41係包含：設在輸送帶32之支承部322的下方，且內部的壓力保持在負壓(低於大氣壓之壓力)之脫水室411；真空泵浦412；其中一端部連接於脫水室411，另一端部連接於真空泵浦412之減壓用配管413；以及設在減壓用配管413上之真空槽414。藉由驅動真空泵浦412來將脫水室411減壓成負壓狀態，承載在濾布31上之石膏漿液則是從下方被抽吸而進行強制性的脫水處理。
被真空泵浦412抽吸而被從脫水室411送到真空槽414之濾液，則是通過其中一端側連接於真空槽414的下端部，另一端側朝向下方延伸之液體排出配管415內，而朝向用來存放液體之貯存槽42流下。
被承載在濾布31上進行搬運的石膏漿液，係隨著輸送帶32的搬運過程不斷地被脫水而逐漸成為濾渣餅。在圖示的實施方式中，濾渣餅清洗裝置35係具有：上述濾渣餅清洗液供給部351(例如：噴射噴嘴)；其中一端部連接於濾渣餅清洗液供給部351，另一端部連接於未圖示的清洗液槽之濾渣餅清洗液供給配管352；以及設在濾渣餅清洗液供給配管352上之泵浦353。藉由驅動泵浦353，來將清洗液從清洗液槽送往濾渣餅清洗液供給部351，而從濾渣餅清洗液供給部351朝向位於下方的濾布上的石膏漿液(濾渣餅)供給清洗液。利用清洗液對於石膏漿液(濾渣餅)進行清洗，可將雜質除去。作為濾渣餅清洗液，例如係可舉出工業用水等。
在圖示的實施方式中，係從與未圖示的鍋爐相連接的蒸氣配管將烘乾用蒸氣供給到蒸氣供給裝置36的蒸氣供給部361(例如：噴射噴嘴)，再從蒸氣供給部361朝向位於下方的濾布上的石膏漿液(濾渣餅)供給烘乾用蒸氣。利用這種烘乾用蒸氣來對於濾布31上的石膏漿液進行加熱而將含在石膏漿液(濾渣餅)內的水分予以除去。
在圖示的實施方式中，將濾布31上的石膏漿液在脫水部40中進行脫水而獲得的石膏，係在輸送帶32的搬運方向中之較脫水部40(例如：蒸氣供給部361)更下游側，被從濾布31上取出。此處，係將搬運裝置33中之石膏被從濾布31上取出的領域稱為石膏排出部43。
(濾布的濾孔堵塞之原因) 圖4係顯示發生了濾孔堵塞之濾布的表面之定性分析結果圖。圖4的定性分析結果，這是對於分析對象部位照射電子線，並且利用EDX測定法來測定因為照射電子線而發生之分析對象的特性X射線的能量以及發生次數而獲得之EDX頻譜，係顯示出對象物質(錳)的峰值。圖4中的橫軸是表示X射線能量，圖4中的縱軸是表示X射線的測定次數。X射線的測定次數愈多，表示所含有元素的含有率愈高。
本發明人等不斷努力進行檢討後之結果，找到了一種創見，就是：以附著在濾布31的表面的錳過氧化物作為主成分的膜，是造成濾布31的濾孔堵塞的原因；以及上述膜的主成分也就是錳過氧化物，係當與排廢氣進行接觸後的吸收液處於過氧化狀態時，原本含在吸收液中的錳成分就會析出而成為錳過氧化物。
當與排廢氣進行接觸後的吸收液(例如：存放在漿液貯存部21B內的吸收液)處於過氧化狀態的話，吸收液之氧化還原電位的數值將會變高，並且原本含在吸收液中的錳成分就會析出而成為錳過氧化物。
(抑制濾布的濾孔堵塞之方法) 幾種實施方式之抑制濾布的濾孔堵塞之方法1，例如是圖2所示的這種用來減少從使燃燒裝置11排出的排廢氣與吸收液進行接觸之排煙脫硫裝置20的副產品之石膏漿液中分離出水分之濾布31的濾孔發生堵塞之方法。如圖1所示，抑制濾布31的濾孔堵塞之方法1，係具備：氧化還原電位取得步驟S1，係用來取得與排廢氣進行接觸後的吸收液的氧化還原電位；以及藥劑添加步驟S2，係至少依據氧化還原電位取得步驟S1所取得的氧化還原電位的數值V1，來將降低吸收液的氧化還原電位用的藥劑添加到上述吸收液中。在氧化還原電位取得步驟S1所進行之取得氧化還原電位的工作係持續地進行。此外，取得氧化還原電位的工作，係可以時時刻刻都進行取得，也可以是例如：斷斷續續地每隔既定的期間才進行取得。藥劑則是只要能夠增加吸收液中的還原性物質濃度的藥劑即可，例如可以舉出還原劑等。還原劑的具體例，係可以舉出例如：亞硫酸鈉、亞硫酸氫鈉、硫代硫酸鈉、焦亞硫酸鈉、碘酸鈉、硫化鈉、硫化氫鈉等。這種含有硫含氧酸的還原劑，不會對於吸收塔中的脫硫和氧化反應造成不良影響。此外，還原劑也不限定為例舉出來的亞硫酸鈉、硫代硫酸鈉之類的含有硫磺成分(硫磺元素)的還原劑。在某種實施方式中，藥劑係由：既可增加吸收液中之還原性物質濃度，又可抑制吸收液的發泡之消泡劑所構成的。消泡劑的具體例子，係可以舉出例如：矽基、油基、脂肪酸系、礦物油基、醇基、酰胺基、磷酸酯基、金屬皂基的消泡劑等。在這種情況下，不僅可以減少濾布的濾孔堵塞，還可以抑制吸收液的發泡。
如圖2所示，排煙脫硫系統10係具備：用來取得與排廢氣進行接觸後之吸收液的氧化還原電位之氧化還原電位取得裝置50；用來將藥劑送往漿液貯存部21B之藥劑供給管線60；以及用來調整經由藥劑供給管線60而被送往漿液貯存部21B之藥劑的量之藥劑供給量調整裝置70。所稱的「調整藥劑的量」，係包含停止藥劑的供給。氧化還原電位取得步驟S1是藉由氧化還原電位取得裝置50來執行的，藥劑添加步驟S2是藉由藥劑供給量調整裝置70來執行的。
在圖示的實施方式中，氧化還原電位取得裝置50係包含：配置在可測定流經過上述吸收液循環管線16之吸收液的氧化還原電位的位置之氧化還原電位計(ORP計)。在吸收塔本體22係開設有用來導入藥劑之藥劑供給口225。藥劑供給口225係與漿液貯存部21B的更上方之內部空間21相連通。藥劑供給管線60係包含：用來存放藥劑之藥劑貯存裝置61(例如：藥劑貯存槽)；以及其中一端側連接於藥劑貯存裝置61，另一端側連接於藥劑供給口225之藥劑供給配管62。藥劑貯存裝置61係配置在吸收塔20A的外部。此外，在其他的幾種實施方式中，也可以將藥劑供給配管62的另一端側連接於吸收液循環配管161。此外，氧化還原電位取得裝置50(例如：氧化還原電位計)除了可以設置在能夠測定流經過吸收液循環管線16之吸收液的氧化還原電位的位置之外，也可以是設置在能夠測定存放在漿液貯存部21B內的吸收液之氧化還原電位的位置、或者是設置在能夠測定流經過吸收液抽出管線17之吸收液的氧化還原電位的位置。
在圖示的實施方式中，如圖2所示，藥劑供給量調整裝置70係包含：具有用來調整從藥劑貯存裝置61送往漿液貯存部21B之藥劑的量的調整機構之藥劑供給量調整部71；以及用來對於藥劑供給量調整部71指示調整機構進行作動之控制裝置72。在圖2所示的實施方式中，藥劑供給量調整部71係由設在藥劑供給配管62上的閥71A所構成的。閥71A是具有用來開閉藥劑供給配管62之可動機構，利用該可動機構來調整經由藥劑供給配管62供給到漿液貯存部21B之藥劑的量。
圖5係顯示本發明所揭示的一種實施方式中的藥劑供給量調整裝置的功能之方塊圖。在圖示的實施方式中，如圖5所示，控制裝置72係包含：資料庫部73以及藥劑供給量指示部74。資料庫部73係可以記憶由氧化還原電位取得裝置50所取得之吸收液的氧化還原電位的數值以及時序資訊。藥劑供給量指示部74，係至少依據吸收液之氧化還原電位的數值來決定出要供給到漿液貯存部21B之藥劑的量，並且對於閥71A指示相應的開度以將已經被決定好的量之藥劑供給到漿液貯存部21B。閥71A是受到藥劑供給量指示部74送來的電性訊號的控制，而因應該訊號而打開成被指示的開度。
控制裝置72，係用來控制對於漿液貯存部21B之藥劑的供給量之電子控制單元，也可以是由未圖示的CPU(中央處理器)、ROM和RAM之類的記憶體、外部記憶裝置之類的記憶裝置、I/O介面、以及通訊介面等所構成的微電腦。並且例如CPU是依據儲存在上述記憶體之主記憶裝置內之程式的指令來進行作動(例如進行資料的運算等)，藉由這種方式來實現前述的各部。
圖6係用來說明本發明所揭示的一種實施方式中之控制藥劑的供給量之例子的說明圖。 在幾種實施方式中，係如圖6所示般地，係在上述之抑制濾布的濾孔堵塞之方法1的藥劑添加步驟S2中，係以使得在氧化還原電位取得步驟S1所取得之吸收液的氧化還原電位的數值V1不超過閾值UT1的方式，來進行將藥劑添加到吸收液的工作(第1藥劑添加步驟S2A)。
在圖示的實施方式中，係如圖6所示般地，係預先利用閾值UT1以及較之閾值UT1更低的數值也就是下限閾值LT1來界定吸收液之氧化還原電位的適正範圍R1。適正範圍R1(閾值UT1、下限閾值LT1)係在藥劑添加步驟S2之前就預先設定好的，並且記憶在資料庫部73。藥劑供給量指示部74，係將氧化還原電位取得裝置50所取得之氧化還原電位的數值V1與記憶在資料庫部73之適正範圍R1(閾值UT1和下限閾值LT1)進行比較(圖1中的比較步驟S21)，並且調整閥71A的開度來調整對於漿液貯存部21B之藥劑的供給量，以使得氧化還原電位的數值V1不要高於閾值UT1也不要低於下限閾值LT1。
在某種實施方式中，資料庫部73中係預先記憶著：使得氧化還原電位的數值V1與閥71A的開度具有相關連性之相關連性資訊。相關連性資訊係被設定成：數值V1較高時之閥71A的開度是大於數值V1較低時之閥71A的開度。例如相關連性資訊係被設定成：隨著數值V1的昇高，就連續性地或階段性地加大閥71A的開度。藥劑供給量指示部74，係參照記憶在資料庫部73的關連性資訊，來決定出與氧化還原電位取得裝置50所取得之氧化還原電位的數值V1相對應之閥71A的開度，並且將決定出來的開度指示到閥71A。
在圖6所示的實施方式中，較之閾值UT1更低數值且較之下限閾值LT1更高數值之中間閾值IT1，是在較之藥劑添加步驟S2更早之前就已經預先被設定且記憶在資料庫部73。當氧化還原電位的數值V1介於閾值UT1和中間閾值IT1之間的情況下，與數值V1介於中間閾值IT1和下限閾值LT1之間的情況相較，藥劑供給量指示部74對於閥71A進行指示之閥71A的開度較大。在這種情況下，當氧化還原電位的數值V1介於閾值UT1和中間閾值IT1之間的情況時，對於漿液貯存部21B所供給的藥劑量是較之氧化還原電位的數值V1介於中間閾值IT1和下限閾值LT1之間的情況時更為增加，因此，可以很有效地抑制氧化還原電位的數值V1高於閾值UT1之情事。
根據上述的方法，係在藥劑添加步驟S2A中，將藥劑添加到吸收液中，以將在氧化還原電位取得步驟S1所取得之吸收液的氧化還原電位的數值V1予以控制在閾值UT1以下的數值，如此一來，可以避免吸收液變成過氧化狀態而可以抑制錳過氧化物的析出。在這種情況下，係藉由抑制膜的主成分也就是錳過氧化物的析出，而能夠抑制覆蓋在濾布31的表面上之膜的生成，因而能夠減少濾布31的濾孔堵塞。藉由減少濾布31的濾孔堵塞，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
在幾種實施方式中，係如圖2所示般地，排煙脫硫系統10係具備：包含上述的氣液接觸部21A與漿液貯存部21B之吸收塔20A；包含上述的濾布31之固液分離裝置30；上述的氧化還原電位取得裝置50；上述的藥劑供給管線60；以及上述的藥劑供給量調整裝置70。藥劑供給量調整裝置70，係以可使得氧化還原電位取得裝置50所取得之吸收液的氧化還原電位的數值V1不超過閾值UT1的方式，來調整送往漿液貯存部21B之藥劑的量。
根據上述的構成方式，藥劑供給量調整裝置70，係以可使得吸收液的氧化還原電位的數值V1不超過閾值UT1的方式，來調整經由藥劑供給管線60送往漿液貯存部21B之藥劑的量。如此一來，可以避免存放在漿液貯存部21B內的吸收液變成過氧化狀態而可抑制錳過氧化物的析出。因為是在較之濾布31更位於吸收液的流動方向中的上游側的漿液貯存部21B中，就預先抑制包覆濾布31之膜的主成分也就是錳過氧化物的析出，因而可以抑制包覆在濾布31的表面上之膜的生成，如此一來，可以減少濾布31的濾孔堵塞。藉由減少濾布31的濾孔堵塞，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
(實施例) 在某一燃煤火力發電廠，其中的排煙脫硫裝置的漿液貯存部中的吸收液產生發泡現象，而在吸收液的氧化還原電位已經上昇到500 mV以上的環境下，配置在排煙脫硫裝置的下游側之石膏脫水機(固液分離裝置)的濾布在更新後之很短的期間(1.5個月)就發生了濾孔堵塞。針對於這個排煙脫硫裝置，以可使得吸收液之氧化還原電位不要過度上昇的方式，添加了降低氧化還原電位用的藥劑後之結果，達成了能夠在長期間都防止石膏脫水機之濾布的濾孔堵塞之效果。
圖7係用來說明本發明所揭示的一種實施方式中之控制藥劑的供給量之一例的說明圖。 在幾種實施方式中，係如圖7所示般地，係在上述的抑制濾布的濾孔堵塞之方法1之藥劑添加步驟S2中，係在氧化還原電位取得步驟S1所取得之吸收液的氧化還原電位的數值V1超過了閾值UT1之後，才開始對於吸收液添加藥劑，或增加藥劑的添加量，並且是以可使得氧化還原電位取得步驟S1所取得之氧化還原電位的數值V1在既定期間內都是落在較之閾值UT1更低的設定範圍R2內的方式，來進行調整對於吸收液之藥劑的添加量(第2藥劑添加步驟S2B)。
在圖示的實施方式中，係如圖7所示般地，預先利用上限閾值UT2和較之上限閾值UT2更低數值也就是下限閾值LT2來制定了吸收液之氧化還原電位的設定範圍R2。下限閾值LT2係被設定成：與下限閾值LT1相同的數值、或者較之下限閾值LT1更高的數值。設定範圍R2(上限閾值UT2、下限閾值LT2)是在較之藥劑添加步驟S2更早之前就被預先設定且記憶在資料庫部73。藥劑供給量指示部74，係將氧化還原電位取得裝置50所取得之氧化還原電位的數值V1與記憶在資料庫部73的閾值UT1進行比較(圖1中的比較步驟S21)，若判定為氧化還原電位的數值V1已經超過了閾值UT1的話(在點P1、S21為「是(YES)」)，就加大閥71A的開度。如果是在進行判定之前，還沒有對於吸收液供給藥劑的情況下，係可藉由加大閥71A的開度來開始進行對於漿液貯存部21B供給藥劑。又，如果是在進行判定之前，就已經對於吸收液供給藥劑的情況下，係可藉由加大閥71A的開度來增加對於漿液貯存部21B之藥劑的供給量。
如圖7所示般地，藥劑供給量指示部74係在判定氧化還原電位的數值V1已經超過了閾值UT1之後，係以可使得判定後所取得之氧化還原電位的數值V1在既定期間內，不高於上限閾值UT2或/且不低於下限閾值LT2的方式，來調整閥71A的開度，進而調整對於漿液貯存部21B之藥劑的供給量。圖7所示的實施方式，當氧化還原電位的數值V1低於上限閾值UT2的時候，就減少對於吸收液之藥劑的供給量。
錳過氧化物的還原半反應式，係如下列所示。
Figure 02_image001
如上述的還原半反應式M1～M3所示，固體狀的錳過氧化物獲得了電子e- 之後將會被還原而溶解成液狀。
如果吸收液變成了氧化還原電位的數值V1超過閾值UT1之過氧化狀態的話，含在吸收液中的錳成分會有析出成為錳過氧化物之虞慮。含有錳過氧化物之吸收液被送往位在下游側之濾布31的話，濾布31就會有濾孔堵塞之虞慮。當氧化還原電位的數值V1超過閾值UT1的時候，吸收液中會析出錳過氧化物，即使是在這種情況下，只要在之後的既定期間內將吸收液之氧化還原電位的數值V1維持在設定範圍R2內來提高吸收液中的還原性物質濃度的話，即可將析出之錳過氧化物予以溶解。
根據上述的方法，在藥劑添加步驟S2B中，將藥劑添加到吸收液中，來使得氧化還原電位取得步驟S1所取得之吸收液的氧化還原電位的數值V1，在既定期間內都被控制在較之閾值UT1更低的設定範圍R2內的話，即可使得從吸收液析出之錳過氧化物溶解。根據上述的方法，係使得膜的主成分也就是錳過氧化物溶解，而能夠減少包覆濾布31的表面之膜的生成，因此可以抑制濾布的濾孔堵塞。藉由減少濾布的濾孔堵塞，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
在幾種實施方式中，係如圖2所示般地，排煙脫硫系統10係具備：包含上述的氣液接觸部21A與漿液貯存部21B之吸收塔20A；包含上述的濾布31之固液分離裝置30；上述的氧化還原電位取得裝置50；上述的藥劑供給管線60；以及上述的藥劑供給量調整裝置70。藥劑供給量調整裝置70係被建構成：當氧化還原電位取得裝置50所取得之吸收液的氧化還原電位的數值V1超過了閾值UT1的情況下，就會以將氧化還原電位取得裝置50所取得之吸收液的氧化還原電位的數值V1，在既定期間內都被控制在較之閾值UT1更低的設定範圍R2內的方式，來調整被送往漿液貯存部21B之藥劑的量。
根據上述的構成方式，藥劑供給量調整裝置70，係以將吸收液的氧化還原電位的數值V1在既定期間內都控制在較之閾值UT1更低的設定範圍R2內的方式，來調整經由藥劑供給管線60而被送往漿液貯存部21B之藥劑的量。如此一來，可將從存放在漿液貯存部21B內的吸收液析出之錳過氧化物予以溶解。藉由在較之濾布31更位於吸收液的流動方向中的上游側的漿液貯存部21B中，將包覆濾布31之膜的主成分也就是錳過氧化物予以溶解，可以抑制包覆濾布31的表面之膜的生成，因此，可以減少濾布31的濾孔堵塞。藉由減少濾布31的濾孔堵塞，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
在幾種實施方式中，上述的閾值UT1是設定在如圖6、圖7所示的100 mV以上且600 mV以下的範圍內。閾值UT1更好是在150 mV以上且550 mV以下的範圍內，更優是在200 mV以上且500 mV以下的範圍內。
如果將閾值UT1設定在超過600 mV之數值的話，則吸收液將會變成過氧化狀態而析出錳過氧化物之可能性很高，發生濾布的濾孔堵塞的可能性很高。又，如果將閾值UT1設定在低於100 mV之數值的話，與將閾值UT1設定在100 mV以上的情況相較，吸收液之氧化性能將會降低，因而吸收液中之亞硫酸鹽的氧化不足，會有降低吸收液對於排廢氣的脫硫性能之虞慮。根據上述的方法，係在上述的第1藥劑添加步驟S2A中，將閾值UT1設定在100 mV以上且600 mV以下的範圍內，藉此，可以很有效地抑制錳過氧化物的析出。此外，在上述的第2藥劑添加步驟S2B中，將閾值UT1設定在100 mV以上且600 mV以下的範圍內，能夠在吸收液變成過氧化狀態時就即刻地開始進行藥劑的添加，因此能夠抑制錳過氧化物的析出，而且可很有效地將析出之錳過氧化物予以溶解。
在幾種實施方式中，上述的設定範圍R2係設定在如圖7所示的50 mV以上且250 mV以下的範圍內。設定範圍R2，更好是在75 mV以上且250 mV以下的範圍內，更優是在100 mV以上且200 mV以下的範圍內。
根據上述的方法，係藉由對於吸收液添加藥劑，而將吸收液之氧化還原電位的數值V1，在既定期間內都控制在50 mV以上且250 mV以下的範圍內(第2藥劑添加步驟S2B)，因此既可以抑制吸收液之氧化性能的降低，又可以將在過氧化狀態下析出之錳過氧化物很有效地予以溶解。如果吸收液之氧化還原電位的數值V1超過了250 mV的情況下，錳過氧化物沒有被溶解還殘留下來的話，則這種錳過氧化物形成濾布31的包覆膜而發生濾布31的濾孔堵塞之可能性很高。又，當吸收液之氧化還原電位的數值V1低於50 mV的情況下，與數值V1為50 mV以上的情況相較，吸收液的氧化性能將會降低，因此，會有降低吸收液對於排廢氣的脫硫性能之虞慮。
在幾種實施方式中，上述的抑制濾布的濾孔堵塞之方法1之藥劑添加步驟S2，亦可包含：上述的第1藥劑添加步驟S2A、以及上述的第2藥劑添加步驟S2B之兩種步驟。又，上述的排煙脫硫系統10之藥劑供給量調整裝置70亦可製作成：可以執行上述的第1藥劑添加步驟S2A、以及上述的第2藥劑添加步驟S2B之兩種步驟。
在幾種實施方式中，係如圖1所示般地，上述的抑制濾布的濾孔堵塞之方法1，係還具備：在氧化還原電位取得步驟S1所取得之氧化還原電位的數值V1超過了閾值UT1之後，將具有可將錳過氧化物予以還原的還原性之還原劑RA與濾布31進行接觸之濾布清洗步驟S3。還原劑RA只要是具有可將電子e- 帶給錳過氧化物來將其還原的還原性之物質即可。在濾布清洗步驟S3時，藉由將錳過氧化物與還原劑RA進行接觸，來使得兩者之間產生氧化還原反應。具體而言，錳過氧化物係可獲得因為還原劑RA產生氧化反應而失去的電子e- ，因而被還原(溶解)而使得包覆在濾布31上的膜被除去。
在圖示的實施方式中，係如圖3所示般地，排煙脫硫系統10係還具備：利用還原劑進行洗淨的清洗裝置80，其係位於輸送帶32的搬運方向中的較之石膏排出部43更下游側，並且具有可將具有使錳過氧化物還原的還原性之還原劑RA供給到濾布31之還原劑供給部81；以及利用濾布清洗水進行洗淨之清洗裝置90，其係位於上述搬運方向中的較之還原劑供給部81更下游側，並且具有可將濾布清洗水供給到濾布31之濾布清洗水供給部91。
在圖3所示的實施方式中，利用還原劑進行洗淨的清洗裝置80係具有：配置在兩個鼓筒37的更下方之還原劑供給部81(例如：噴射噴嘴)；用來存放還原劑RA之還原劑貯存槽82；其中一端側連接於還原劑供給部81，另一端側連接於還原劑貯存槽82之還原劑供給配管83；以及設置在還原劑供給配管83之還原劑供給泵浦84。藉由驅動還原劑供給泵浦84，可將還原劑RA從還原劑貯存槽82送往還原劑供給部81，而從還原劑供給部81朝向濾布31進行供給(濾布清洗步驟S3)。從還原劑供給部81來供給還原劑RA的工作，係在輸送帶32運轉一圈或複數圈(例如：二圈、三圈)的期間中都連續地進行。濾布31因為是被利用還原劑RA來進行清洗，所以原本附著在濾布31上的雜質(例如：錳過氧化物)就被除去。係朝向濾布31的外側面或內側面的至少其中一方進行供給還原劑RA。此外，在其他的幾種實施方式中，利用還原劑進行洗淨的清洗裝置80，亦可製作成：從供給石膏漿液(吸收液)之石膏漿液供給部341及/或濾渣餅清洗液供給部351來對於濾布31進行供給還原劑RA。
在圖3所示的實施方式中，利用濾布清洗水進行洗淨的清洗裝置90係具有：配置在兩個鼓筒37更下方之濾布清洗水供給部91(例如：噴射噴嘴)；其中一端部連接於濾布清洗水供給部91，另一端部連接於未圖示的濾布清洗水槽之濾布清洗水供給配管92；以及設置在濾布清洗水供給配管92之濾布清洗水供給泵浦93。藉由驅動濾布清洗水供給泵浦93來將濾布清洗水從濾布清洗水槽送往濾布清洗水供給部91，再從濾布清洗水供給部91朝向濾布31進行供給。利用濾布清洗水對於濾布31進行洗淨，可將原本附著在濾布31上的還原劑RA、雜質予以除去。至於上述濾布清洗水，係可舉出例如：工業用水等。係朝向濾布31的外側面或內側面的至少其中一方進行供給濾布清洗水。此外，是在輸送帶32的移動過程中，連續地從濾布清洗水供給部91進行濾布清洗水的供給。
如圖3所示般地，排煙脫硫系統10還具備：設置在還原劑供給部81以及濾布清洗水供給部91的下側之濾布清洗液承接部94(例如：承盤)；以及其中一端側連接於濾布清洗液承接部94，另一端側朝向下方延伸之濾布清洗液排出配管95。從還原劑供給部81進行供給的還原劑RA及/或從濾布清洗水供給部91進行供給的濾布清洗水，是往下落在濾布清洗液承接部94上。落下到濾布清洗液承接部94上之濾布清洗液(還原劑RA及/或清洗水)是經由濾布清洗液排出配管95內而流下到上述的貯存槽42。
如上所述，當吸收液變成了氧化還原電位的數值V1超過閾值UT1的這種過氧化狀態的話，就會有吸收液中所含的錳成分析出成為錳過氧化物之虞慮。含有錳過氧化物的吸收液被送往濾布31的話，就會有導致濾布31的濾孔堵塞之虞慮。根據上述的方法，係在氧化還原電位取得步驟S1所取得之氧化還原電位的數值V1超過閾值UT1之後，就將還原劑RA與濾布31進行接觸(濾布清洗步驟S3)。如此一來，假設含有錳過氧化物的吸收液被送往濾布31上而形成了包覆在濾布31的表面上的膜，即使是在這種狀態下，亦可利用還原劑RA來將錳過氧化物予以溶解而能夠將上述膜予以除去，因此能夠解決濾布31的濾孔堵塞之問題。此外，藉由將上述還原劑RA與濾布31進行接觸，而可以減少膜附著到濾布31的表面上，因此，可以預防濾布31的濾孔堵塞。藉由解決和預防濾布31的濾孔堵塞問題，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
本發明並不限定只有上述的實施方式，也包含了將上述的實施方式加以變形後的實施方式、以及將這些實施方式適當地組合後的實施方式。 例如：本發明所揭示的抑制濾布的濾孔堵塞之方法1，不僅是可以適用於：過濾帶式的固液分離裝置30中所使用的濾布31，也可以適用於：過濾帶式的固液分離裝置30以外的固液分離裝置中所使用的濾布(例如：離心分離式的固液分離裝置、壓濾式的固液分離裝置、皮帶壓濾式的固液分離裝置等所使用的濾布)。又，排煙脫硫系統10也可以是具備：過濾帶式的固液分離裝置30以外的固液分離裝置。
上述之幾種實施方式中所記載的內容，例如係可以採用下列所述的具體內容。
1)本發明所揭示的至少一種實施方式的抑制濾布的濾孔堵塞之方法(1)，是用來減少從使燃燒裝置(11)排出的排廢氣與吸收液進行接觸之排煙脫硫裝置(20)的副產品之石膏漿液中分離出水分之濾布(31)的濾孔發生堵塞之方法(1)，係具備： 氧化還原電位取得步驟(S1)，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液的氧化還原電位；以及 藥劑添加步驟(S2A)，係以使得前述氧化還原電位取得步驟(S1)所取得的前述氧化還原電位的數值(V1)不超過閾值(UT1)的方式，來將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑添加到前述吸收液中。
本發明人等不斷努力進行檢討後之結果，找到了一種創見，就是：以附著在濾布(31)的表面的錳過氧化物作為主成分的膜，是造成濾布(31)的濾孔堵塞的原因；以及上述膜的主成分也就是錳過氧化物，係當與排廢氣進行接觸後的吸收液處於過氧化狀態時，原本含在吸收液中的錳成分就會析出而成為錳過氧化物。根據上述1)的方法，係將藥劑添加到吸收液中，來將氧化還原電位取得步驟(S1)所取得之吸收液的氧化還原電位的數值控制在閾值以下(藥劑添加步驟S2A)，藉此，可避免吸收液變成過氧化狀態，而可抑制錳過氧化物的析出。根據上述的方法，係藉由抑制膜的主成分也就是錳過氧化物的析出，而能夠減少包覆在濾布的表面上之膜的生成，因此可以抑制濾布的濾孔堵塞。藉由減少濾布的濾孔堵塞，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
2)本發明所揭示的至少一種實施方式的抑制濾布的濾孔堵塞之方法(1)，是用來減少從使燃燒裝置(11)排出的排廢氣與吸收液進行接觸之排煙脫硫裝置(20)的副產品之石膏漿液中分離出水分之濾布(31)的濾孔發生堵塞之方法(1)，係具備： 氧化還原電位取得步驟(S1)，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液的氧化還原電位；以及 藥劑添加步驟(S2B)，係當前述氧化還原電位取得步驟(S1)所取得之前述氧化還原電位的數值(V1)超過閾值(UT1)之後，即開始將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑添加到前述吸收液中，或者將前述藥劑的添加量予以增量，並且是以使得前述氧化還原電位取得步驟(S1)所取得的前述氧化還原電位的數值(V1)，在既定期間內都落在較前述閾值(UT1)更低的設定範圍(R2)內的方式，來調整對於前述吸收液之前述藥劑的添加量。
吸收液變成了氧化還原電位的數值超過閾值(UT1)的這種過氧化狀態的話，就會有含在吸收液中的錳成分析出成為錳過氧化物之虞慮。含有錳過氧化物的吸收液被送到濾布(31)的話，就會有導致濾布(31)的濾孔堵塞之虞慮。根據上述2)的方法，在藥劑添加步驟(S2B)中，將藥劑添加到吸收液中，來使得氧化還原電位取得步驟(S1)所取得之吸收液的氧化還原電位的數值(V1)，在既定期間內都被控制在較之閾值更低的設定範圍內，即可使得從吸收液析出之錳過氧化物溶解。根據上述的方法，係使得膜的主成分也就是錳過氧化物溶解，而能夠減少包覆在濾布(31)的表面上之膜的生成，因此可以抑制濾布的濾孔堵塞。藉由減少濾布的濾孔堵塞，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
3)在幾種實施方式中，上述2)所述的抑制濾布的濾孔堵塞之方法(1)，還具備： 濾布清洗步驟(S3)，係當前述氧化還原電位取得步驟(S1)所取得之前述氧化還原電位的數值(V1)超過前述閾值(UT1)之後，就將具有可使錳過氧化物還原的還原性之還原劑(RA)接觸到前述濾布。
如上所述，吸收液變成了其氧化還原電位的數值超過閾值的這種過氧化狀態的話，就會有含在吸收液中的錳成分析出成為錳過氧化物之虞慮。含有錳過氧化物的吸收液被送到濾布的話，就會有導致濾布的濾孔堵塞之虞慮。根據上述3)的方法，係在氧化還原電位取得步驟(S1)所取得之氧化還原電位的數值超過閾值之後，就將還原劑與濾布進行接觸(濾布清洗步驟S3)。如此一來，假設含有錳過氧化物的吸收液被送往濾布上而形成了包覆在濾布的表面上的膜，即使是在這種狀態下，亦可利用還原劑來將錳過氧化物予以溶解而能夠將上述膜予以除去，因此能夠解決濾布(31)的濾孔堵塞之問題。此外，藉由將上述還原劑與濾布進行接觸，而可以減少膜附著到濾布的表面上，因此，可以預防濾布的濾孔堵塞。藉由解決和預防濾布的濾孔堵塞問題，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
4)在幾種實施方式中，上述2)或3)所述的抑制濾布的濾孔堵塞之方法(1)，係將前述設定範圍(R2)設定在50 mV以上且250 mV以下的範圍內。
根據上述4)的方法，係藉由將藥劑添加到吸收液中，以將吸收液之氧化還原電位的數值(V1)在既定期間內控制在50 mV以上且250 mV以下的範圍內(藥劑添加步驟S2B)，而可以抑制吸收液的氧化性能降低，又可以很有效地使得在過氧化狀態下析出的錳過氧化物溶解。假設在吸收液的氧化還原電位的數值超過250 mV的情況下，錳過氧化物沒有被溶解而殘留下來，這種錳過氧化物形成包覆在濾布(31)上的膜而導致發生濾布(31)的濾孔堵塞之可能性很高。此外，在吸收液的氧化還原電位的數值(V1)低於50 mV的情況下，與氧化還原電位的數值(V1)為50 mV以上的情況相較，吸收液的氧化性能更降低，因此將會有降低吸收液對於排廢氣的脫硫性能之虞慮。
5)在幾種實施方式中，上述1)～4)之任一項所述的抑制濾布的濾孔堵塞之方法(1)，係將前述閾值(UT1)設定在100 mV以上且600 mV以下的範圍內。
根據上述5)的方法，係藉由在上述1)所述的藥劑添加步驟(S2A)中，將閾值設定在100 mV以上且600 mV以下的範圍內，而能夠很有效地抑制錳過氧化物的析出。此外，藉由在上述2)所述的藥劑添加步驟(S2B)中，將閾值設定100 mV以上且600 mV以下的範圍內，而能夠在吸收液變成過氧化狀態的時候，很迅速地就開始進行藥劑的添加，而能夠抑制錳過氧化物的析出，並且可以很有效地將已經析出的錳過氧化物予以溶解。
6)本發明所揭示的至少一種實施方式的排煙脫硫系統(10)，係將燃燒裝置(11)排出的排廢氣予以脫硫之排煙脫硫系統(10)，係具備： 吸收塔(20A)，係將被導入到其內部之前述排廢氣與吸收液進行氣液接觸，並且在內部具有用來貯存與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液之漿液貯存部(21B)； 固液分離裝置(30)，係利用濾布(31)來對於含有在前述漿液貯存部(21B)進行的化學反應而生成的副產物之前述吸收液進行固液分離處理； 氧化還原電位取得裝置(50)，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液之氧化還原電位； 藥劑供給管線(60)，係用來將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑送往前述漿液貯存部(21B)；以及 藥劑供給量調整裝置(70)，係用來調整經由前述藥劑供給管線(60)而被送往前述漿液貯存部(21B)之前述藥劑的量；其中， 前述藥劑供給量調整裝置(70)，係以使得前述氧化還原電位取得裝置(50)所取得之前述氧化還原電位的數值(V1)不超過閾值(UT1)的方式，來調整被送往前述漿液貯存部(21B)之前述藥劑的量。
根據上述6)的構成方式，藥劑供給量調整裝置，係以可使得吸收液的氧化還原電位的數值不超過閾值的方式，來調整經由藥劑供給管線而被送往漿液貯存部之藥劑的量。如此一來，可以避免存放在漿液貯存部內的吸收液變成過氧化狀態，而可抑制錳過氧化物的析出。藉由在較之濾布更位於吸收液的流動方向中的上游側的漿液貯存部中，減少包覆在濾布上之膜的主成分也就是錳過氧化物的析出，可以抑制包覆在濾布的表面上之膜的生成，因此，可以減少濾布的濾孔堵塞。藉由減少濾布的濾孔堵塞，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
7)本發明所揭示的至少一種實施方式的排煙脫硫系統(10)，係將燃燒裝置(11)排出的排廢氣予以脫硫之排煙脫硫系統(10)，係具備： 吸收塔(20A)，係將被導入到其內部之前述排廢氣與吸收液進行氣液接觸，並且在內部具有用來貯存與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液之漿液貯存部(21B)； 固液分離裝置(30)，係利用濾布(31)來對於含有在前述漿液貯存部(21B)進行的化學反應而生成的副產物之前述吸收液進行固液分離處理； 氧化還原電位取得裝置(50)，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液之氧化還原電位； 藥劑供給管線(60)，係用來將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑送往前述漿液貯存部(21B)；以及 藥劑供給量調整裝置(70)，係可以調整經由前述藥劑供給管線(60)而被送往前述漿液貯存部(21B)之前述藥劑的量；其中， 前述藥劑供給量調整裝置(70)，係當前述氧化還原電位取得裝置(50)所取得之前述氧化還原電位的數值(V1)超過閾值(UT1)的話，就以使得前述氧化還原電位取得裝置(50)所取得的前述氧化還原電位的數值(V1)，在既定期間內都落在較前述閾值(UT1)更低的設定範圍(R2)內的方式，來調整被送往前述漿液貯存部(21B)之前述藥劑的量。
吸收液變成了其氧化還原電位的數值(V1)超過閾值(UT1)的這種過氧化狀態的話，就會有吸收液中所含的錳成分析出成為錳過氧化物之虞慮。含有錳過氧化物的吸收液被送到位於下游側的濾布(31)的話，就會有濾布(31)發生濾孔堵塞之虞慮。根據上述7)的構成方式，藥劑供給量調整裝置(70)，係以將吸收液的氧化還原電位的數值(V1)在既定期間內都控制在較之閾值(UT1)更低的設定範圍(R2)內的方式，來調整經由藥劑供給管線(60)而被送往漿液貯存部(21B)之藥劑的量。如此一來，可將從存放在漿液貯存部內的吸收液析出之錳過氧化物予以溶解。藉由在較之濾布更位於吸收液的流動方向中的上游側的漿液貯存部中，將包覆在濾布上之膜的主成分也就是錳過氧化物予以溶解，可以抑制包覆在濾布的表面上之膜的生成，因此，可以減少濾布的濾孔堵塞。藉由減少濾布的濾孔堵塞，能夠抑制將石膏漿液進行脫水而獲得之石膏的含水率的增加，因此，可以抑制石膏的品質降低。
1:抑制濾布的濾孔堵塞之方法 10:排煙脫硫系統 11:燃燒裝置 12:排廢氣導入管線 13:煙囪 14:排廢氣排出管線 15:石灰石漿液供給管線 151:石灰石漿液槽 152:石灰石漿液供給配管 153:閥 16:吸收液循環管線 161:吸收液循環配管 162:循環用泵浦 17:吸收液抽出管線 171:吸收液抽出配管 172:抽出用泵浦 20:排煙脫硫裝置 20A:吸收塔 21:內部空間 21A:氣液接觸部 21B:漿液貯存部 22:吸收塔本體 221,222:吸收液抽出口 223:噴嘴穿插口 224:石灰石漿液供給口 225:藥劑供給口 23:排廢氣導入口 24:排廢氣排出口 25:霧滴消除器 26:噴霧裝置 261:噴霧管 262:噴霧用噴嘴 263:噴霧口 27:氣體供給裝置 271:噴嘴 272:泵浦 273:調整閥 274:吹出口 30:固液分離裝置 31:濾布 311:被支承部 312:上表面 32:輸送帶 321:上表面 322:支承部 33:搬運裝置 34:石膏漿液供給裝置 341:石膏漿液供給部 342:石膏漿液供給配管 35:濾渣餅清洗裝置 351:濾渣餅清洗液供給部 352:濾渣餅清洗液供給配管 353:泵浦 36:蒸氣供給裝置 361:蒸氣供給部 37:鼓筒 38:馬達 39:導引用滾子 40:脫水部 41:脫水裝置 411:脫水室 412:真空泵浦 413:減壓用配管 414:真空槽 42:貯存槽 43:石膏排出部 50:氧化還原電位取得裝置 60:藥劑供給管線 61:藥劑貯存裝置 62:藥劑供給配管 70:藥劑供給量調整裝置 71:藥劑供給量調整部 71A:閥 72:控制裝置 73:資料庫部 74:藥劑供給量指示部 80:利用還原劑進行洗淨的清洗裝置 81:還原劑供給部 82:還原劑貯存槽 83:還原劑供給配管 84:還原劑供給泵浦 90:利用濾布清洗水進行洗淨的清洗裝置 91:濾布清洗水供給部 92:濾布清洗水供給配管 93:清洗水供給泵浦 94:濾布清洗液承接部 95:濾布清洗液排出配管 IT1:中間閾值 LT1,LT2:下限閾值 P1:點 R1:適正範圍 R2:設定範圍 RA:還原劑 S1:氧化還原電位取得步驟 S2,S2A,S2B:藥劑添加步驟 S3:清洗步驟 UT1:閾值 UT2:上限閾值 V1:吸收液之氧化還原電位的數值
[圖1]係本發明所揭示的一種實施方式之抑制濾布的濾孔堵塞之方法的流程圖。 [圖2]係概略地顯示本發明所揭示的一種實施方式之排煙脫硫系統的構成要件之概略構成圖。 [圖3]係概略地顯示本發明所揭示的一種實施方式之固液分離裝置的構成要件之概略構成圖。 [圖4]係顯示發生了濾孔堵塞之濾布的表面之定性分析結果圖。 [圖5]係顯示本發明所揭示的一種實施方式中的藥劑供給量調整裝置的功能之方塊圖。 [圖6]係用來說明本發明所揭示的一種實施方式中之控制藥劑的供給量之一例的說明圖。 [圖7]係用來說明本發明所揭示的一種實施方式中之控制藥劑的供給量之一例的說明圖。
1:抑制濾布的濾孔堵塞之方法
S1:氧化還原電位取得步驟
S21:比較步驟
S2,S2A,S2B:藥劑添加步驟
S3:清洗步驟

Claims (6)

  1. 一種抑制濾布的濾孔堵塞之方法，是用來減少從使燃燒裝置排出的排廢氣與吸收液進行接觸之排煙脫硫裝置的副產品之石膏漿液中分離出水分之濾布的濾孔發生堵塞之方法，係具備：氧化還原電位取得步驟，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液的氧化還原電位；以及藥劑添加步驟，係以使得前述氧化還原電位取得步驟所取得的前述氧化還原電位的數值不超過閾值的方式，來將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑添加到前述吸收液中。
  2. 一種抑制濾布的濾孔堵塞之方法，是用來減少從使燃燒裝置排出的排廢氣與吸收液進行接觸之排煙脫硫裝置的副產品之石膏漿液中分離出水分之濾布的濾孔發生堵塞之方法，係具備：氧化還原電位取得步驟，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液的氧化還原電位；以及藥劑添加步驟，係當前述氧化還原電位取得步驟所取得之前述氧化還原電位的數值超過閾值之後，即開始將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑添加到前述吸收液中，或者將前述藥劑的添加量予以增量，並且是以使得前述氧化還原電位取得步驟所取得的前述氧化還原電位的數值，在既定期間內都落在較前述閾值更低的設定範圍內的方式，來調整對於前述吸收液之前述藥劑的添加量。
  3. 如請求項2所述之抑制濾布的濾孔堵塞之方法，其中，還具備：濾布清洗步驟，係當前述氧化還原電位取得步驟所取得之前述氧化還原電位的數值超過前述閾值之後，就將具有可使錳過氧化物還原的還原性之還原劑接觸到前述濾布。
  4. 如請求項2或請求項3所述之抑制濾布的濾孔堵塞之方法，其中，前述設定範圍是在50mV以上且250mV以下的範圍內。
  5. 如請求項1至請求項3之任一項所述之抑制濾布的濾孔堵塞之方法，其中，前述閾值是在100mV以上且600mV以下的範圍內。
  6. 一種排煙脫硫系統，係將燃燒裝置排出的排廢氣予以脫硫之排煙脫硫系統，係具備：吸收塔，係將被導入到其內部之前述排廢氣與吸收液進行氣液接觸，並且在內部具有用來貯存與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液之漿液貯存部；固液分離裝置，係利用濾布來對於含有在前述漿液貯存部進行的化學反應而生成的副產物之前述吸收液進行固液分離處理；氧化還原電位取得裝置，係用來取得與前述排廢氣進行接觸後的前述吸收液之氧化還原電位；藥劑供給管線，係用來將降低前述吸收液的氧化還原電位用的藥劑送往前述漿液貯存部；以及藥劑供給量調整裝置，係可以調整經由前述藥劑供給 管線而被送往前述漿液貯存部之前述藥劑的量；其中，前述藥劑供給量調整裝置，係以使得前述氧化還原電位取得裝置所取得之前述氧化還原電位的數值不超過閾值的方式，來調整被送往前述漿液貯存部之前述藥劑的量。
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