TWI770634B - 放大器裝置與雙工器電路 - Google Patents

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Abstract

一種放大器裝置與雙工器電路。放大器裝置包括第一差動放大電路以及控制器。第一差動放大電路包括第一與第二射頻輸入端、第一與第二電晶體、第一與第二可調電容電路、第一與第二射頻輸出端。控制器用以根據與第一差動放大電路的第一射頻輸入信號有關的特徵、與第一差動放大電路的第二射頻輸入信號有關的特徵、第一差動放大電路的第一電晶體與第二電晶體之間的匹配誤差、以及放大器裝置的特性的至少其中之一調整第一差動放大電路的第一可調電容電路以及第一差動放大電路的第二可調電容電路的電容值。

Description

放大器裝置與雙工器電路
本發明是有關於一種無線通訊系統的電路結構，且特別是有關於一種放大器裝置與多工器電路。
目前雙端/差動型天線的無線通訊設備日益增加，因此與雙端/差動型天線相匹配的射頻放大器裝置也正在研究與實踐。然而，因為雙端/差動型電路拓樸結構的射頻放大器裝置將會有電晶體差動對之間的匹配誤差與信號功率的耗損等問題，因此如何降低前述問題仍為無線通訊領域正在研究的方向。
本發明的放大器裝置包括第一差動放大電路以及控制器。第一差動放大電路包括第一射頻輸入端、第二射頻輸入端、第一電晶體、第二電晶體、第一可調電容電路、第二可調電容電路、第一射頻輸出端以及第二射頻輸出端。第一射頻輸入端用以輸入一第一射頻輸入信號。第二射頻輸入端用以輸入第二射頻輸 入信號。第一電晶體具有第一端以及耦接該第一射頻輸入端的控制端，其中該控制端通過第一射頻輸入端獲得該第一射頻輸入信號，該第一電晶體將該第一射頻輸入信號放大且在該第一端產生第一放大射頻信號。第二電晶體具有第一端以及耦接該第二射頻輸入端的控制端，其中該控制端通過該第二射頻輸入端獲得該第二射頻輸入信號，該第二電晶體將該第二射頻輸入信號放大且在該第一端產生第二放大射頻信號。第一可調電容電路耦接該第一電晶體的該控制端與該第二電晶體的該第一端之間，用以耦合該第一射頻輸入信號至該第二電晶體的該第一端。第二可調電容電路耦接該第二電晶體的該控制端與該第一電晶體的該第一端之間，用以耦合該第二射頻輸入信號至該第一電晶體的該第一端。第一射頻輸出端耦接該第一電晶體的該第一端，用以輸出第一射頻輸出信號。第二射頻輸出端耦接該第二電晶體的該第一端，用以輸出第二射頻輸出信號。第一放大射頻信號與經耦合的該第二射頻輸入信號組合而成為該第一射頻輸出信號，該第二放大射頻信號與經耦合的該第一射頻輸入信號組合而成為該第二射頻輸出信號。控制器耦接該第一差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路，用以根據與該第一差動放大電路的該第一射頻輸入信號有關的特徵、與該第一差動放大電路的該第二射頻輸入信號有關的特徵、該第一差動放大電路的該第一電晶體與該第二電晶體之間的匹配誤差、以及該放大器裝置的特性的至少其中之一調整該第一差動放大電路的該第 一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值。
本發明的放大器裝置包括第一差動放大電路。第一差動放大電路包括第一射頻輸入端、第二射頻輸入端、第一電晶體、第二電晶體、第一可調電容電路以及第二可調電容電路。第一射頻輸入端用以輸入第一射頻輸入信號。第二射頻輸入端用以輸入第二射頻輸入信號。第一電晶體的控制端通過該第一射頻輸入端獲得該第一射頻輸入信號，該第一電晶體將該第一射頻輸入信號放大且在該第一電晶體的第一端產生第一放大射頻信號。第二電晶體的控制端通過該第二射頻輸入端獲得該第二射頻輸入信號，該第二電晶體將該第二射頻輸入信號放大且在該第二電晶體的第一端產生第二放大射頻信號。第一可調電容電路的第一端耦接該第一電晶體的該控制端用以接收第一電壓，其第二端耦接該第二電晶體的該第一端用以接收第二電壓，該第一可調電容電路用以耦合該第一射頻輸入信號至該第二電晶體的該第一端。該第一可調電容電路的電容值受控於該第一電壓與該第二電壓。第二可調電容電路的第一端耦接該第二電晶體的該控制端用以接收一第三電壓，其第二端耦接該第一電晶體的該第一端用以接收一第四電壓，該第二可調電容電路用以耦合該第二射頻輸入信號至該第一電晶體的該第一端，該第二可調電容電路的電容值受控於該第三電壓與該第四電壓。其中該第一放大射頻信號與經耦合的該第二射頻輸入信號組合而成為第一射頻輸出信號，該第二放大射頻信 號與經耦合的該第一射頻輸入信號組合而成為第二射頻輸出信號。該第一電壓與該第一射頻輸入信號有關，該第二電壓與該第二射頻輸出信號有關、第三電壓與該第二射頻輸入信號有關以及該第四電壓與該第一射頻輸出信號有關。
本發明的雙工器電路耦接一天線。雙工器電路包括雙工器、功率放大器、低噪音放大器以及放大器裝置。雙工器包括天線端、訊號傳送端以及訊號接收端。功率放大器耦接該雙工器的該訊號接收端。低噪音放大器耦接該雙工器的該訊號傳送端。放大器裝置設置於該功率放大器或該低噪音放大器。放大器裝置包括第一差動放大電路。第一差動放大電路包括第一射頻輸入端、第二射頻輸入端、第一電晶體、第二電晶體、第一可調電容電路以及第二可調電容電路。第一射頻輸入端用以輸入第一射頻輸入信號。第二射頻輸入端用以輸入第二射頻輸入信號。第一電晶體具有第一端以及耦接該第一射頻輸入端的控制端，其中該控制端通過該第一射頻輸入端獲得該第一射頻輸入信號，該第一電晶體將該第一射頻輸入信號放大且在該第一端產生一第一放大射頻信號。第二電晶體具有第一端以及耦接該第二射頻輸入端的控制端，其中該控制端通過該第二射頻輸入端獲得該第二射頻輸入信號，該第二電晶體將該第二射頻輸入信號放大且在該第一端產生第二放大射頻信號。第一可調電容電路耦接該第一電晶體的該控制端與該第二電晶體的該第一端之間，用以耦合該第一射頻輸入信號至該第二電晶體的該第一端。第二可調電容電路耦接該第二 電晶體的該控制端與該第一電晶體的該第一端之間，用以耦合該第二射頻輸入信號至該第一電晶體的該第一端。第一射頻輸出端耦接該第一電晶體的該第一端，用以輸出一第一射頻輸出信號。第二射頻輸出端耦接該第二電晶體的該第一端，用以輸出一第二射頻輸出信號。該第一放大射頻信號與經耦合的該第二射頻輸入信號組合而成為該第一射頻輸出信號，該第二放大射頻信號與經耦合的該第一射頻輸入信號組合而成為該第二射頻輸出信號。控制器耦接該第一差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路，用以根據與該第一差動放大電路的該第一射頻輸入信號有關的特徵、與該第一差動放大電路的該第二射頻輸入信號有關的特徵、該第一差動放大電路的該第一電晶體與該第二電晶體之間的匹配誤差、以及該放大器裝置的特性的至少其中之一調整該第一差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值。
100、200、300、600:放大器裝置
110-1~110-N:差動放大電路
120、220、320:控制器
231、232:晶圓通孔
610:井區
620-1、620-2:重參雜區
630:介電層
640:閘極材料層
700:雙工器電路
710:天線
720:雙工器
730:功率放大器
740:低噪音放大器
T11~TN1、T12~TN2、T21、T22、Tn1、Tn2、T410:電晶體
CX11~CXN1、CX12~CXN2、CXn3、CXN3、CXn4、CXN4、CX11-1、CX11-2、CX12-2、TCX:可調電容電路
RFin11、RFin12、RFin21、RFin22:射頻輸入端
RFamp11、RFamp12:放大射頻信號
RFout11、RFout12、RFout21、RFout22:射頻輸出端
CN11、CN12、CN21、CN22:電晶體的控制端
DN11、DN12、DN21、DN22:電晶體的第一端
SN11、SN12、SN21、SN22:電晶體的第二端
VREF:參考電壓端
C1、C2:電容
R1、R2:電阻
G:電晶體的閘極端
D:電晶體的汲極端
S:電晶體的源極端
V1~V4:電壓
RC1、RC2:電阻電容電路
TXN:訊號傳送端
RXN:訊號接收端
圖1繪示本發明第一實施例的放大器裝置的電路圖。
圖2繪示本發明第二實施例的放大器裝置的電路圖。
圖3繪示本發明第三實施例的放大器裝置的電路圖。
圖4繪示本發明各實施例中可調電容電路的第一種電路結構 圖。
圖5繪示本發明各實施例中可調電容電路的第二種電路結構圖。
圖6繪示本發明一實施例中電容電晶體TCX的截面示意圖。
圖7繪示本發明第四實施例中的放大器裝置的電路圖。
圖8繪示本發明各實施例中雙工器電路的方塊圖。
圖1繪示本發明第一實施例的放大器裝置100的電路圖。本實施例的放大器裝置100可應用於無線通訊系統的雙工器(duplexer)電路中。放大器裝置100可作為雙工器電路中用於接收天線信號的低噪音放大器(LNA)。放大器裝置100也可作為雙工器電路中用於發送天線信號的功率放大器(PA)。應用本實施例可亦可依其需求將放大器裝置100應用在其他技術領域的放大器電路中。
放大器裝置100包括差動放大電路110-1以及控制器120。差動放大電路110-1包括射頻輸入端RFin11與RFin12、電晶體T11與T12、可調電容電路CX11與CX12以及射頻輸出端RFout11與RFout12。射頻輸入端RFin11用以輸入射頻輸入信號Sin11，射頻輸入端RFin12用以輸入射頻輸入信號Sin12。本實施的差動放大電路110-1也可以稱為是第一級差動放大電路。
電晶體T11具有第一端DN11(例如，電晶體T11的汲極端)以及控制端CN11(例如，電晶體T11的閘極端)。控制端CN11耦接射頻輸入端RFin11。控制端CN11通過射頻輸入端RFin11獲得射頻輸入信號Sin11。電晶體T11將射頻輸入信號Sin11放大且在其第一端DN11產生放大射頻信號RFamp11。電晶體T12具有第一端DN12(例如，電晶體T12的汲極端)以及控制端CN12(例如，電晶體T12的閘極端)。控制端CN12耦接射頻輸入端RFin12。控制端CN12通過射頻輸入端RFin12獲得射頻輸入信號Sin12。電晶體T12將射頻輸入信號Sin12放大且在其第一端DN12產生放大射頻信號RFamp12。
可調電容電路CX11耦接電晶體T11的控制端CN11與電晶體T12的第一端DN12之間，用以耦合射頻輸入信號Sin11至電晶體T12的第一端DN12。可調電容電路CX12耦接電晶體T12的控制端CN12與電晶體T11的第一端DN11之間，用以耦合射頻輸入信號Sin12至電晶體T11的第一端DN11。射頻輸出端RFout11耦接電晶體T11的第一端DN11，用以輸出射頻輸出信號Sout11。射頻輸出端RFout12耦接電晶體T12的第一端DN12，用以輸出射頻輸出信號Sout12。放大射頻信號RFamp11與經耦合的射頻輸入信號Sin12組合而成為射頻輸出信號Sout11，放大射頻信號RFamp12與經耦合的射頻輸入信號Sin11組合而成為射頻輸出信號Sout12。
本實施例的差動放大電路110-1中射頻輸入信號Sin11 與Sin12互為反相，射頻輸入信號Sin11與放大射頻信號RFamp11互為反相，且射頻輸入信號Sin12與放大射頻信號RFamp12互為反相。
放大器裝置100用以輸入一輸入信號Sin，並輸出一輸出信號Sout。射頻輸入信號Sin11及Sin12是由輸入信號Sin所產生，且輸出信號Sout是由射頻輸出信號Sout11及Sout12所產生。換句話說，放大器裝置100為差動式放大器電路，其輸入信號Sin區分為兩個輸入信號Sin11及Sin12，且輸出信號Sout亦由兩個射頻輸出信號Sout11及Sout12組合而成。
可調電容電路CX11以及CX12主要用以分別至少部份地抵銷電晶體T11的控制端CN11與第一端DN11之間的寄生電容，以及至少部份地抵銷電晶體T12的控制端CN12與第一端DN12之間的寄生電容。藉此，透過降低/抵銷電晶體T11與T12在其控制端與第一端之間的寄生電容，可提升差動放大電路110-1的功率增益、增益線性度(如，二階攔截點(IIP2)、三階攔截點(IIP3)、誤差向量幅度(EVM)、相鄰頻道洩漏比(ACLR)等)、平衡差動對在半導體製程中的匹配誤差...等。
本實施例的控制器120耦接差動放大電路110-1的可調電容電路CX11以及差動放大電路110-1的可調電容電路CX12。控制器120根據與差動放大電路110-1的射頻輸入信號Sin11有關的特徵、與差動放大電路110-1的射頻輸入信號Sin12有關的特徵、差動放大電路110-1的電晶體T11與T12之間的匹配誤 差、以及放大器裝置100的特性的至少其中之一調整差動放大電路110-1的可調電容電路CX11的電容值以及可調電容電路CX12的電容值。
舉例說明，前述放大器裝置100的特性可以包括放大器裝置100的信號放大線性度。詳細來說，控制器120可依據與放大器裝置100的信號放大線性度有關的二階截斷點(Second-Order Intercept Point；IIP2)來調整可調電容電路CX11與CX12中的電容值。前述放大器裝置100的特性亦可以包括放大器裝置100當前運作時的操作電流與該放大器裝置100的當前功率增益。
舉例說明，與射頻輸入信號Sin11有關的特徵可以是：射頻輸入信號Sin11的頻率、射頻輸出信號Sout11的頻率、射頻輸入信號Sin11的功率、或是射頻輸出信號RFout11的功率。與射頻輸入信號Sin12有關的特徵可以是：射頻輸入信號Sin12的頻率、射頻輸出信號Sout12的頻率、射頻輸入信號Sin12的功率、或是射頻輸出信號Sout12的功率。
本發明各實施例中的控制器可另外耦接製程誤差偵測電路、電流偵測電路、功率偵測電路、頻率偵測電路...等適當的習知偵測電路，以得到本發明各實施例中與各種射頻信號有關的特徵及/或匹配誤差等相關特徵參數，以作為調整各可調電容電路的電容值的依據。
本實施例中，控制器120可利用多種方式調整可調電容 電路CX11或CX12中的電容值。例如，控制器120可利用查找表的方式，依據前述的一種或多種特徵(如，與差動放大電路110-1的射頻輸入信號Sin11有關的特徵、與差動放大電路110-1的射頻輸入信號Sin12有關的特徵、差動放大電路110-1的電晶體T11與T12之間的匹配誤差、以及放大器裝置100的特性的至少其中之一或其組合)作為輸入，以找尋查找表中可調電容電路CX11或CX12中的對應電容值，並以數位控制或類比控制的方式來調整可調電容電路CX11或CX12中的電容值。本實施例可經由電路設計來調整可調電容電路CX11與CX12，便可改善放大器電路100的功率增益。但是，由於放大器電路100中的寄生電容的電容數值不一定是線性，而是可能在不同情況下有不同的寄生電容數值，因此，本實施例設計由控制器120或其他方式來依據前述的一種或多種特徵適應性地調整可調電容電路CX11與CX12的電容值，從而提升放大器電路100的功能，如，提升功率增益、提升增益線性度、平衡差動對的匹配誤差...等。
電晶體T11的第二端SN11(例如，電晶體T11的源極端)與電晶體T12的第二端SN12(例如，電晶體T12的源極端)耦接至參考電壓端VREF。本實施例的參考電壓端VREF可以是共同端或接地端，應用本實施例者可依其需求調整此參考電壓端的電壓值。
本實施例中，放大器裝置100中的各元件可以是由三五族化合物為材料製造而成，例如是，砷化鎵(GaAs)或氮化鎵 (GaN)。並且，放大器裝置100是由高電子移動率晶體電晶體(High electron mobility transistor；HEMT)製程所製造。應用本實施例者可依其需求及當前技術改用其他材料製造放大器裝置100中的各元件，例如以矽元素及相應的半導體製程來製造放大器裝置100。
圖2繪示本發明第二實施例的放大器裝置200的電路圖。第一實施例(圖1)與第二實施例(圖2)之間的主要差異在於，圖2除了第一級差動放大電路(差動放大電路110-1)以外還包括第二級差動放大電路(即，差動放大電路110-2)。類似於差動放大電路110-1的電路結構，差動放大電路110-2包括射頻輸入端RFin21與RFin22、電晶體T21與T22、可調電容電路CX21與CX22以及射頻輸出端RFout21與RFout22。也就是說，放大器裝置200具備二級差動放大電路。
射頻輸入端RFin21耦接差動放大電路110-1的射頻輸出端RFout11，用以輸入射頻輸入信號Sin21(即，差動放大電路110-1的射頻輸出信號Sout11)。射頻輸入端RFin22耦接差動放大電路110-1的射頻輸出端RFout12，用以輸入射頻輸入信號Sin22(即，差動放大電路110-1的射頻輸出信號Sout12)。電晶體T21具有第一端DN21、第二端SN21以及控制端CN21，且第二端SN21耦接射頻輸入端RFin21。電晶體T22具有第一端DN22、第二端SN22以及控制端CN22，且第二端SN22耦接射頻輸入端RFin22。可調電容電路CX21耦接電晶體T21的控制端 CN21與電晶體T22的第一端DN22之間。可調電容電路CX22耦接電晶體T22的控制端CN22與電晶體T21的第一端DN21之間。射頻輸出端RFout21耦接電晶體T21的第一端DN21，用以輸出射頻輸出信號Sout21。射頻輸出端RFout22耦接電晶體T22的第一端DN22，用以輸出射頻輸出信號Sout22。
控制器220除了具備圖1中控制器120的原有功能以外，更可耦接差動放大電路110-2的可調電容電路CX21與CX22。該控制器220更用以根據與差動放大電路110-2的射頻輸入信號Sin21有關的特徵、與射頻輸入信號Sin22有關的特徵、差動放大電路110-2的電晶體T21與T22之間的匹配誤差、以及放大器裝置200的特性的至少其中之一來調整差動放大電路110-2的可調電容電路CX21與CX22的電容值。
舉例說明，與射頻輸入信號Sin21有關的特徵可以是射頻輸入信號Sin21的功率，或是射頻輸出信號Sout21的功率。與該射頻輸入信號Sin22有關的特徵可以是射頻輸入信號Sin22的功率，或是射頻輸出信號Sout22)的功率。
舉例說明，放大器裝置的特性可以是放大器裝置200的信號放大線性度。控制器220用以根據與射頻輸入信號Sin21有關的特徵或與射頻輸入信號Sin22有關的特徵，調整差動放大電路110-1的可調電容電路CX11以及差動放大電路110-1的可調電容電路CX12的電容值。以及，控制器200用以根據放大器裝置200的特性，調整差動放大電路110-2的可調電容電路CX21 以及CX22的電容值。
差動放大電路110-2還可選擇性地包括可調電容電路CX23以及CX24。可調電容電路CX23耦接電晶體T21的控制端CN21與參考電壓端(如，VREF)之間。可調電容電路CX24耦接電晶體T22的控制端CN22與參考電壓端(如，VREF)之間。
控制器220更耦接差動放大電路110-2的可調電容電路CX23以及CX24。控制器220更用以根據與差動放大電路110-2的射頻輸入信號RFin21有關的特徵、與差動放大電路110-2的射頻輸入信號RFin22有關的特徵、差動放大電路110-2的電晶體T21與T22之間的匹配誤差、以及放大器裝置200的特性的至少其中之一調整差動放大電路110-2的可調電容電路CX23與CX24的電容值。
本實施例的差動放大電路110-1~110-2可分別針對不同的目的對可調電容電路進行調整。例如，差動放大電路110-1中的可調電容電路CX11、CX12可用來調整放大器電路200的整體功率增益；差動放大電路110-2中的可調電容電路CX21、CX22則用來調整放大器電路200的線性度。應用本實施例者可依其需求來依據不同目的而以控制器220調整差動放大電路110-1~110-2中可調電容電路的電容值。
為了減少電晶體T11與T12的對地寄生電容所造成的不良影響，本實施例的差動放大電路110-1中電晶體T11、T12的 第二端SN11、SN12可分別透過晶圓通孔(through wafer vias)231、232耦接至參考電壓端VREF，如圖1與圖2所示。
圖3繪示本發明第三實施例的放大器裝置300的電路圖。第二實施例(圖2)與第三實施例(圖3)之間的主要差異在於，圖3除了第一級差動放大電路(差動放大電路110-1)以外，還包括多級差動放大電路，例如，還包括第n級差動放大電路(即，差動放大電路110-n)以及作為最後一級的第N級差動放大電路(即，差動放大電路110-N)。本實施例的N為大於等於3的正整數，n為大於等於2的正整數且n小於等於N。圖3中差動放大電路110-n與差動放大電路110-N的電路結構與圖2中差動放大電路110-2的電路結構相同，在此不再贅述。而當N等於2時，放大器裝置300實質上與與圖2中放大器裝置200的電路結構相同。
第n個差動放大電路110-n的第一與第二射頻輸入端分別耦接第n-1個差動放大電路110-(n-1)的第一與第二射頻輸出端。控制器320更耦接第n-1個差動放大電路110-(n-1)的可調電容電路CX(n-1)1以及CX(n-1)2。控制器320更用以根據與第n-1個差動放大電路的第一射頻輸入信號有關的特徵、與第n-1個差動放大電路的第二射頻輸入信號有關的特徵、該第n-1個差動放大電路的電晶體T(n-1)1與T(n-1)2之間的匹配誤差、以及放大器裝置300的特性的至少其中之一調整第n-1個差動放大電路110-(n-1)的可調電容電路CX(n-1)1以及CX(n-1)2的電容值。
舉例而言，控制器320用以根據放大器裝置300的信號放大線性度調整第n個差動放大電路的可調電容電路CXn1以及CXn2的電容值。
本實施例的各階差動放大電路110-1~110-N可分別針對不同的目的以分別對不同級差動放大電路的可調電容電路進行調整。例如，假設放大器電路300有四階差動放大電路(亦即，N=4)，第一階差動放大電路110-1可用來調整放大器電路300的整體功率增益；第二階差動放大電路110-2可用來調整放大器電路300的射頻信號可靠度；第三階差動放大電路110-3可用來調整放大器電路300的直流功率穩定度；第四階差動放大電路110-4則用來調整放大器電路300的線性度。應用本實施例者可依其需求來依據不同目的而調整各階差動放大電路中可調電容電路的電容值。
圖4繪示本發明各實施例中可調電容電路CX11-1的第一種電路結構圖。前述各實施例中的可調電容電路(如，可調電容電路CX11~CXN1、CX12~CXN2、CXn3、CX4)可透過圖4中所述的可調電容電路CX11-1來實現。圖4的可調電容電路CX11-1主要包括電容C1、電容耦合開關410以及電容C2。電容C1的第一端耦接可調電容電路CX11-1的一端(如，耦接電晶體T11的控制端CN11)。電容C1的第二端耦接電容耦合開關410的第一端N410-1。電容耦合開關410受控於控制器(如，圖1的控制器120)而改變其導通狀態或其截止電容。電容C2的第一 端耦接電容耦合開關410的第二端N410-2。
電容耦合開關410可包括電晶體T410，其控制端G受控於控制器。本實施例中，當電容耦合開關410中的電晶體T410因控制器的控制而使其兩端截止時，電晶體T11的控制端CN11與電晶體T12的第一端DN12之間具備電容C1、電容耦合開關410中具備的截止電容Coff以及電容C2三者加總的電容值；當電容耦合開關410中的電晶體T410因控制器的控制而使其兩端導通時，電晶體T11的控制端CN11與電晶體T12的第一端DN12之間具備電容C1以及電容C2兩者加總的電容值。並且，控制器可透過對控制端G上的電壓值進行控制而改變電容耦合開關410中具備的截止電容Coff的電容值。可調電容電路CX11-1的等效電容值可由數位方式或類比方式被控制。舉例來說，電容耦合開關410中的電晶體T410可被控制器進行數位控制而使其兩端導通或截止，而電容耦合開關410中的電晶體T410可被控制器進行類比控制而改變控制端G上的電壓值，而連續改變電容耦合開關410中具備的截止電容Coff的電容值。在本發明其他實施例中，電容C1以及電容C2也可被省略。
圖4的電容耦合開關410也可包括控制電壓端V1、V2以及分別與控制電壓端V1、V2相耦接的電阻R1、R2。控制電壓端V1透過電阻R1連接到電容耦合開關410中電晶體T410的第一端，控制電壓端V2透過電阻R2連接到電容耦合開關410中電晶體T410的第二端。藉此，本實施例的控制器除了可透過對 控制端G上的電壓值進行控制而改變電容耦合開關410中具備的截止電容Coff的電容值以外，還可透過對控制電壓端V1、V2上的電壓進行調整，從而改變電容耦合開關410中具備的截止電容Coff的電容值。
電容耦合開關410也可以不透過控制器的控制來自動地調整其導通或截止。例如，在射頻輸出信號Sout11或Sout12的功率高於預設功率值時，前述電容耦合開關410將會自動導通或受控於控制器而導通；在射頻輸出信號Sout11或Sout12的功率低於預設功率值時，前述電容耦合開關410將會自動截止或受控於控制器而截止。
本實施例也可透過電壓V1、V2來調整可調電容電路CX11-1內的電壓值，此處的調整可以不經過控制器，而是改由邏輯電路或其他自動控制技術來利用電壓V1、V2實現自動調整調整可調電容電路內的電壓值。例如，圖4中的電壓V1、V2可用來調整可調電容電路CX11-1內的電壓值，電壓V3、V4可用來調整可調電容電路CX12內的電壓值。如此一來，本實施例設計以使電壓V1的電壓值與射頻輸入信號Sin11有關，電壓V2的電壓值與射頻輸出信號Sout12有關、電壓V3的電壓值與射頻輸入信號Sin12有關，以及電壓V4的電壓值與射頻輸出信號Sout11有關，便可讓差動放大器電路利用V1-V4調整可調電容電路CX11-1、CX12內的電壓值。可調電容電路CX12亦可使用與可調電容電路CX11-1相同或相似的電路架構來實現。
圖5繪示本發明各實施例中可調電容電路CX11-2、CX12-2的第二種電路結構圖。前述各實施例中的可調電容電路(如，可調電容電路CX11~CXN1、CX12~CXN2、CXn3、CX4)可透過圖5中所述的可調電容電路CX11-2與CX12-2來實現。圖5的可調電容電路CX11-2主要包括電容電晶體TCX11。電晶體TCX11的控制端(如，閘極端G)作為可調電容電路CX11-2的第一端與第二端其中之一，例如是第一端。電晶體TCX11的第一端(如，源極端S)與第二端(如，汲極端D)相互連接以作為可調電容電路CX11-2的第一端與第二端其中另一，例如是第二端，且更連接至射頻輸入端RFin11。如此一來，電晶體TCX11可以視作為一個具備電容值的二極體。射頻輸入端RFin11中的射頻輸入信號Sin11可透過電晶體TCX11耦合到電晶體T12的第一端DN12。可調電容電路CX11-2還包括電阻電容電路RC1，耦接電容電晶體TCX11的第一端(源極端S)以及可調電容電路CX11-2的第二端之間，用以增加頻寬。電阻電容電路RC1例如是包括彼此串聯的電阻與電容。
圖5的可調電容電路CX12-2主要包括電晶體TCX12，電晶體TCX12的閘極端G連接至電晶體T11的第一端DN11，電晶體TCX12的源極端S與汲極端D相互連接且更連接至射頻輸入端RFin12。如此一來，電晶體TCX12可以視作為一個具備電容值的二極體。射頻輸入端RFin12中的射頻輸入信號Sin12可透過電晶體TCX12耦合到電晶體T11的第一端DN11。可調電容 電路CX12-2還包括電阻電容電路RC2，耦接電容電晶體TCX12的第一端(源極端S)以及可調電容電路CX12-2的第二端之間，用以增加頻寬。本實施例透過改變電容電晶體TCX11、TCX12的兩端的電壓差，便可對應地改變電容電晶體TCX11、TCX12中的電容值。
應用本實施例者亦可將圖5中的電容電晶體TCX11、TCX12替換為恰當的二極體。二極體的第一端作為可調電容電路CX11-2、CX12-2的第一端，二極體的第二端作為可調電容電路CX11-2、CX12-2的第二端。在其他實施例中，二極體亦包括以二極體型式連接的電晶體。
圖6繪示本發明一實施例中電容電晶體TCX的截面示意圖。本發明各實施例中的可調電容電路(如，可調電容電路CX11~CXN1、CX12~CXN2、CXn3、CX4)可透過圖6中所述的電容電晶體TCX來實現。圖6的電容電晶體TCX主要包括井區610、形成源極端S與汲極端D的兩個重參雜區620-1、620-2、介電層(dielectric layer)630以及閘極材料(gate material)層640。介電層630設置於井區610上，且介電層630連接兩個重參雜區620-1、620-2。閘極材料(gate material)層640用以形成閘極端G，且設置於介電層630上。源極端S與汲極端D相互連接。在本實施例中，井區610可為第一型井區，例如是n-well；重參雜區620-1、620-2可為第一型重參雜區，例如是n+；介電層630可為閘氧化(gate oxide)層；閘極材料層640例如是多晶 矽閘極(Poly gate)。第一型井區610與第一型井區重參雜區620-1、620-2亦可分別為p-well與p+。在本實施例中，由於井區610與重參雜區620-1、620-2皆為同一型材料，因此相較於井區610與重參雜區620-1、620-2為不同型材料的實施例，電容電晶體TCX可提供較佳的電容調整範圍(tuning range)。舉例來說，當電容電晶體TCX兩端(源極端S/汲極端D與閘極端G)的電壓差變動0.5V時，井區與重參雜區為不同型材料的其他實施例只提供約0.1pF的電容調整範圍，但井區與重參雜區皆為同一型材料的本實施例可提供約2.8pF的電容調整範圍。
圖7繪示本發明第四實施例中的放大器裝置600的電路圖。第四實施例的放大器裝置600與圖2第二實施例的放大器裝置200相近似，不同之處在於，圖7中差動放大電路110-2的電晶體T21的控制端CN21還會耦接差動放大電路110-1的電晶體T12的控制端CN12，且差動放大電路110-2的電晶體T22的控制端CN22還會耦接差動放大電路110-1的電晶體T11的控制端CN11。藉此，便可將差動放大電路110-2的電晶體T22的第一端DN22所放大輸出的信號回饋至差動放大電路110-1的電晶體T12的控制端CN12，亦可將差動放大電路110-2的電晶體T21的第一端DN21所放大輸出的信號回饋至差動放大電路110-1的電晶體T11的控制端CN11，以增加放大器裝置600的信號放大線性度。
圖8繪示本發明各實施例中雙工器電路700的方塊圖。 雙工器電路700耦接天線710。雙工器電路700包括雙工器720、功率放大器730以及低噪音放大器740。雙工器720包括天線端AN1、訊號傳送端TXN以及訊號接收端RXN。功率放大器730耦接雙工器720的訊號傳送端TXN。低噪音放大器740則耦接雙工器720的訊號接收端RXN。前述第一至第四實施例所述的放大器裝置100、200、300、600則可設置於功率放大器730或低噪音放大器740當中。尤其是，具備多級差動放大電路的放大器裝置200、300、600較適於設置在低噪音放大器740當中；放大器裝置100較適於設置在功率放大器730或低噪音放大器740當中。放大器裝置100、200、300、600的詳細電路結構與致動方式接說明於前述各實施例中。
綜上所述，本發明實施例的放大器裝置與雙工器電路是利用一級或多級的差動放大電路配合位於各級差動放大電路中的可調電容電路來實現，並且適應性地透過調整可調電容電路中的電容值，從而使放大器裝置與雙工器電路具備較佳功率增益、較佳信號轉換效率、較高可靠性、增加製作良率以及降低成本。若具備多級的差動放大電路，還可分別針對不同的目的(如，功率增益、增益線性度、差動對的匹配誤差、二階攔截點(Second-Order Intercept Point；IIP2)...等)以分別對不同級差動放大電路的可調電容電路進行調整。前述放大器裝置與雙工器電路中的各元件還可由三五族化合物為材料製造，以從材料上強化放大器裝置的性能。
100:放大器裝置 110-1:差動放大電路 120:控制器 231、232:晶圓通孔 T11、T12:電晶體 CX11、CX12:可調電容電路 RFin11、RFin12:射頻輸入端 RFamp11、RFamp12:放大射頻信號 RFout11、RFout12:射頻輸出端 CN11、CN12:電晶體的控制端 DN11、DN12:電晶體的第一端 SN11、SN12:電晶體的第二端 VREF:參考電壓端 Sin11、Sin12:射頻輸入信號 Sout11、Sout12:射頻輸出信號

Claims (20)

  1. 一種放大器裝置，包括： 一第一差動放大電路，包括： 一第一射頻輸入端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第二射頻輸入端，用以輸入一第二射頻輸入信號； 一第一電晶體，具有一第一端以及耦接該第一射頻輸入端的一控制端，其中該控制端通過該第一射頻輸入端獲得該第一射頻輸入信號，該第一電晶體將該第一射頻輸入信號放大且在該第一端產生一第一放大射頻信號； 一第二電晶體，具有一第一端以及耦接該第二射頻輸入端的一控制端，其中該控制端通過該第二射頻輸入端獲得該第二射頻輸入信號，該第二電晶體將該第二射頻輸入信號放大且在該第一端產生一第二放大射頻信號； 一第一可調電容電路，耦接該第一電晶體的該控制端與該第二電晶體的該第一端之間，用以耦合該第一射頻輸入信號至該第二電晶體的該第一端；以及 一第二可調電容電路，耦接該第二電晶體的該控制端與該第一電晶體的該第一端之間，用以耦合該第二射頻輸入信號至該第一電晶體的該第一端； 一第一射頻輸出端，耦接該第一電晶體的該第一端，用以輸出一第一射頻輸出信號；以及 一第二射頻輸出端，耦接該第二電晶體的該第一端，用以輸出一第二射頻輸出信號， 其中該第一放大射頻信號與經耦合的該第二射頻輸入信號組合而成為該第一射頻輸出信號，該第二放大射頻信號與經耦合的該第一射頻輸入信號組合而成為該第二射頻輸出信號；以及 一控制器，耦接該第一差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路，用以根據與該第一差動放大電路的該第一射頻輸入信號有關的特徵、與該第一差動放大電路的該第二射頻輸入信號有關的特徵、該第一差動放大電路的該第一電晶體與該第二電晶體之間的匹配誤差、以及該放大器裝置的特性的至少其中之一調整該第一差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，其中該放大器裝置的特性為該放大器裝置的信號放大線性度，且該控制器依據與該放大器裝置的信號放大線性度有關的二階截斷點來調整該第一可調電容電路與該第二可調電容電路中的電容值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，其中該放大器裝置的特性包括該放大器裝置的操作電流與該放大器裝置的增益。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，其中與該第一射頻輸入信號有關的特徵為該第一射頻輸入信號的頻率、該第一射頻輸出信號的頻率、該第一射頻輸入信號的功率、或該第一射頻輸出信號的功率，且與該第二射頻輸入信號有關的特徵為該第二射頻輸入信號的頻率、該第二射頻輸出信號的頻率、該第二射頻輸入信號的功率、或該第二射頻輸出信號的功率。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，其中該放大器裝置中的各元件是由三五族化合物為材料製造而成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，還包括： 一第二差動放大電路，包括： 一第一射頻輸入端，耦接該第一差動放大電路的該第一射頻輸出端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第二射頻輸入端，耦接該第一差動放大電路的該第二射頻輸出端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第一電晶體，具有一第一端、一控制端以及耦接該第一射頻輸入端的一第二端； 一第二電晶體，具有一第一端、一控制端以及耦接該第二射頻輸入端的一第二端； 一第一可調電容電路，耦接該第一電晶體的該控制端與該第二電晶體的該第一端之間； 一第二可調電容電路，耦接該第二電晶體的該控制端與該第一電晶體的該第一端之間； 一第一射頻輸出端，耦接該第一電晶體的該第一端，用以輸出一第一射頻輸出信號；以及 一第二射頻輸出端，耦接該第二電晶體的該第一端，用以輸出一第二射頻輸出信號， 其中該控制器更耦接該第二差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第二差動放大電路的該第二可調電容電路；該控制器更用以根據與該第二差動放大電路的該第一射頻輸入信號有關的特徵、與該第二差動放大電路的該第二射頻輸入信號有關的特徵、該第二差動放大電路的該第一電晶體與該第二電晶體之間的匹配誤差、以及該放大器裝置的特性的至少其中之一調整該第二差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第二差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的放大器裝置，其中與該第一射頻輸入信號有關的特徵為該第一射頻輸入信號的功率、或該第一射頻輸出信號的功率，且與該第二射頻輸入信號有關的特徵為該第二射頻輸入信號的功率、或該第二射頻輸出信號的功率，該放大器裝置的特性為該放大器裝置的信號放大線性度； 其中該控制器用以根據與該第一射頻輸入信號有關的特徵或與該第二射頻輸入信號有關的特徵，調整該第一差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值，以及該控制器用以根據該放大器裝置的特性，調整該第二差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第二差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的放大器裝置，其中該第二差動放大電路更包括： 一第三可調電容電路，耦接該第一電晶體的該控制端與一參考電壓端之間；以及 一第四可調電容電路，耦接該第二電晶體的該控制端與該參考電壓端之間； 其中該控制器更耦接該第二差動放大電路的該第三可調電容電路以及該第二差動放大電路的該第四可調電容電路，該控制器更用以根據與該第二差動放大電路的該第一射頻輸入信號有關的特徵、與該第二差動放大電路的該第二射頻輸入信號有關的特徵、該第二差動放大電路的該第一電晶體與該第二電晶體之間的匹配誤差、以及該放大器裝置的特性的至少其中之一調整該第二差動放大電路的該第三可調電容電路以及該第二差動放大電路的該第四可調電容電路的電容值。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的放大器裝置，其中該第二差動放大電路的該第一電晶體的該控制端耦接該第一差動放大電路的該第二電晶體的該控制端，且該第二差動放大電路的該第二電晶體的該控制端耦接該第一差動放大電路的該第一電晶體的該控制端。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，其中該第一差動放大電路的該第一電晶體的該第二端通過一第一晶圓通孔耦接至一參考電壓端，且該第一差動放大電路的該第二電晶體的該第二端通過一第二晶圓通孔耦接至該參考電壓端。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，其中該第一可調電容電路與該第二可調電容電路分別包括至少一個開關，該至少一個開關用以經控制而調整該第一可調電容電路與該第二可調電容電路中的電容值； 其中該至少一個開關在該第一射頻輸出信號或該第二射頻輸出信號的功率高於一預設功率值時導通，並且，該至少一個開關在該第一射頻輸出信號或該第二射頻輸出信號的功率低於該預設功率值時截止。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，還包括： N-1個差動放大電路，N為大於2的正整數，其中每一個差動放大電路包括： 一第一射頻輸入端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第二射頻輸入端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第一電晶體，具有一第一端、一控制端以及耦接該第一射頻輸入端的一第二端； 一第二電晶體，具有一第一端、一控制端以及耦接該第二射頻輸入端的一第二端； 一第一可調電容電路，耦接該第一電晶體的該控制端與該第二電晶體的該第一端之間； 一第二可調電容電路，耦接該第二電晶體的該控制端與該第一電晶體的該第一端之間； 一第一射頻輸出端，耦接該第一電晶體的該第一端，用以輸出一第一射頻輸出信號；以及 一第二射頻輸出端，耦接該第二電晶體的該第一端，用以輸出一第二射頻輸出信號； 其中第n個差動放大電路的該第一射頻輸入端耦接第n-1個差動放大電路的該第一射頻輸出端，該第n個差動放大電路的該第二射頻輸入端耦接該第n-1個差動放大電路的該第二射頻輸出端，該控制器更耦接該第n-1個差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第n-1個差動放大電路的該第二可調電容電路，該控制器更用以根據與該第n-1個差動放大電路的該第一射頻輸入信號有關的特徵、與該第n-1個差動放大電路的該第二射頻輸入信號有關的特徵、該第n-1個差動放大電路的該第一電晶體與該第二電晶體之間的匹配誤差、以及該放大器裝置的特性的至少其中之一調整該第n-1個差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第n-1個差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值，其中n為大於等於2的正整數且n小於等於N。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的放大器裝置，其中該控制器還用以根據該放大器裝置的信號放大線性度調整該第n個差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第n個差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的放大器裝置，其中： 該第一可調電容電路包括： 一第一電容，其第一端耦接該第一可調電容電路的一端； 一電容耦合開關，受控於該控制器而改變其導通狀態或改變其截止電容，其第一端耦接該第一電容的一第二端；以及 一第二電容，其第一端耦接該電容耦合開關的一第二端，且該第二電容的一第二端耦接該第一可調電容電路的另一端；或 該第二可調電容電路還包括： 一第一電容，其第一端耦接該第二可調電容電路的一端； 一電容耦合開關，受控於該控制器而改變其導通狀態或改變其截止電容，其第一端耦接該第一電容的一第二端；以及 一第二電容，其第一端耦接該電容耦合開關的一第二端，且該第二電容的一第二端耦接該第二可調電容電路的另一端。
  15. 一種放大器裝置，包括： 一第一差動放大電路，包括： 一第一射頻輸入端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第二射頻輸入端，用以輸入一第二射頻輸入信號； 一第一電晶體，其控制端通過該第一射頻輸入端獲得該第一射頻輸入信號，該第一電晶體將該第一射頻輸入信號放大且在該第一電晶體的一第一端產生一第一放大射頻信號； 一第二電晶體，其控制端通過該第二射頻輸入端獲得該第二射頻輸入信號，該第二電晶體將該第二射頻輸入信號放大且在該第二電晶體的一第一端產生一第二放大射頻信號； 一第一可調電容電路，其第一端耦接該第一電晶體的該控制端用以接收一第一電壓，其第二端耦接該第二電晶體的該第一端用以接收一第二電壓，該第一可調電容電路用以耦合該第一射頻輸入信號至該第二電晶體的該第一端，該第一可調電容電路的電容值受控於該第一電壓與該第二電壓；以及 一第二可調電容電路，其第一端耦接該第二電晶體的該控制端用以接收一第三電壓，其第二端耦接該第一電晶體的該第一端用以接收一第四電壓，該第二可調電容電路用以耦合該第二射頻輸入信號至該第一電晶體的該第一端，該第二可調電容電路的電容值受控於該第三電壓與該第四電壓； 其中該第一放大射頻信號與經耦合的該第二射頻輸入信號組合而成為一第一射頻輸出信號，該第二放大射頻信號與經耦合的該第一射頻輸入信號組合而成為一第二射頻輸出信號； 其中該第一電壓與該第一射頻輸入信號有關，該第二電壓與該第二射頻輸出信號有關、第三電壓與該第二射頻輸入信號有關以及該第四電壓與該第一射頻輸出信號有關。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的放大器裝置，其中該第一可調電容電路或該第二可調電容電路包括： 一電容電晶體，其中該電容電晶體的一控制端作為該第一可調電容電路的一第一端與一第二端其中之一，該電容電晶體的一第一端與一第二端相連以作為該第一可調電容電路的該第一端與該第二端其中另一； 其中，該電容電晶體包括： 一第一型井區； 形成該電容電晶體的該第一端與該第二端的兩個第一型重參雜區，設置於該第一型井區上； 一介電層，連接該等兩個第一型重參雜區；以及 形成該電容電晶體的該控制端的閘極材料，設置於該介電層上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的放大器裝置，其中該第一可調電容電路或該第二可調電容電路還包括： 一電阻電容電路，耦接該電容電晶體的該第一端以及該第一可調電容電路的該第二端之間。
  18. 一種雙工器電路，耦接一天線，該雙工器電路包括： 一雙工器，包括一天線端、一訊號傳送端以及一訊號接收端； 一功率放大器，耦接該雙工器的該訊號傳送端； 一低噪音放大器，耦接該雙工器的該訊號接收端；以及 一放大器裝置，設置於該功率放大器或該低噪音放大器，該放大器裝置包括： 一第一差動放大電路，包括： 一第一射頻輸入端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第二射頻輸入端，用以輸入一第二射頻輸入信號； 一第一電晶體，具有一第一端以及耦接該第一射頻輸入端的一控制端，其中該控制端通過該第一射頻輸入端獲得該第一射頻輸入信號，該第一電晶體將該第一射頻輸入信號放大且在該第一端產生一第一放大射頻信號； 一第二電晶體，具有一第一端以及耦接該第二射頻輸入端的一控制端，其中該控制端通過該第二射頻輸入端獲得該第二射頻輸入信號，該第二電晶體將該第二射頻輸入信號放大且在該第一端產生一第二放大射頻信號； 一第一可調電容電路，耦接該第一電晶體的該控制端與該第二電晶體的該第一端之間，用以耦合該第一射頻輸入信號至該第二電晶體的該第一端；以及 一第二可調電容電路，耦接該第二電晶體的該控制端與該第一電晶體的該第一端之間，用以耦合該第二射頻輸入信號至該第一電晶體的該第一端； 一第一射頻輸出端，耦接該第一電晶體的該第一端，用以輸出一第一射頻輸出信號；以及 一第二射頻輸出端，耦接該第二電晶體的該第一端，用以輸出一第二射頻輸出信號， 其中該第一放大射頻信號與經耦合的該第二射頻輸入信號組合而成為該第一射頻輸出信號，該第二放大射頻信號與經耦合的該第一射頻輸入信號組合而成為該第二射頻輸出信號；以及 一控制器，耦接該第一差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路，用以根據與該第一差動放大電路的該第一射頻輸入信號有關的特徵、與該第一差動放大電路的該第二射頻輸入信號有關的特徵、該第一差動放大電路的該第一電晶體與該第二電晶體之間的匹配誤差、以及該放大器裝置的特性的至少其中之一調整該第一差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第一差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的雙工器電路，其中該放大器裝置設置於該低噪音放大器，該放大器裝置的特性為該放大器裝置的信號放大線性度，且該控制器依據與該放大器裝置的信號放大線性度有關的二階截斷點來調整該第一可調電容電路與該第二可調電容電路中的電容值。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的雙工器電路，其中該放大器裝置設置於該功率放大器，更包括： 一第二差動放大電路，包括： 一第一射頻輸入端，耦接該第一差動放大電路的該第一射頻輸出端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第二射頻輸入端，耦接該第一差動放大電路的該第二射頻輸出端，用以輸入一第一射頻輸入信號； 一第一電晶體，具有一第一端、一控制端以及耦接該第一射頻輸入端的一第二端； 一第二電晶體，具有一第一端、一控制端以及耦接該第二射頻輸入端的一第二端； 一第一可調電容電路，耦接該第一電晶體的該控制端與該第二電晶體的該第一端之間； 一第二可調電容電路，耦接該第二電晶體的該控制端與該第一電晶體的該第一端之間； 一第一射頻輸出端，耦接該第一電晶體的該第一端，用以輸出一第一射頻輸出信號；以及 一第二射頻輸出端，耦接該第二電晶體的該第一端，用以輸出一第二射頻輸出信號， 其中該控制器更耦接該第二差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第二差動放大電路的該第二可調電容電路，調整該第二差動放大電路的該第一可調電容電路以及該第二差動放大電路的該第二可調電容電路的電容值。
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