TWI769262B - 用於偵測複製機缺陷之系統與方法及用於過濾干擾之方法 - Google Patents

用於偵測複製機缺陷之系統與方法及用於過濾干擾之方法 Download PDF

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Abstract

可將來自一熱掃描之缺陷保存於(諸如)持續儲存器、隨機存取記憶體或一分開資料庫上。該持續儲存器可為基於區塊之虛擬檢測器虛擬分析器(VIVA)或局部儲存器。可判定複製機缺陷偵測工作且可基於該等複製機缺陷偵測工作來檢測晶圓。可分析複製機缺陷且可自該持續儲存器讀取對應於該等複製機缺陷之缺陷記錄。可將此等結果回傳至高階缺陷偵測控制器。

Description

用於偵測複製機缺陷之系統與方法及用於過濾干擾之方法
本發明係關於半導體晶圓之檢測。
半導體製造產業之發展對良率管理且尤其是度量及檢測系統提出越來越多要求。臨界尺寸不斷縮小，而晶圓大小不斷增大。經濟效益正促使產業縮短達成高良率、高價值生產之時間。因此，最小化自偵測到一良率問題至修復該問題之總時間決定半導體製造商之投資回報率。
製造諸如邏輯及記憶體裝置之半導體裝置通常包含使用大量製程來處理一半導體晶圓以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。例如，微影係涉及將一圖案自一倍縮光罩轉移至配置於一半導體晶圓上之一光阻劑之一半導體製程。半導體製程之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。多個半導體裝置可依一配置製造於一單一半導體晶圓上且接著分離成個別半導體裝置。
極紫外線(EUV)微影增加對複製機缺陷之穩健偵測之需要。不存在用於EUV之光化光遮罩檢測器。因此，遮罩檢測之任務自遮罩檢測器轉移至晶圓檢測器。在線遮罩檢測之頻率會是相當高的，因為不存在用於EUV遮罩之護膜且遮罩在操作期間被曝露。
先進設計規則之缺陷復查可用於非常小之物件(例如，用於偵測低於10nm之缺陷)，因此可進行熱掃描以捕獲此等缺陷。一「熱掃描」大體上係指一晶圓之量測/檢測，其經執行以藉由應用相對較主動偵測設定(例如實質上接近雜訊底限之臨限值)來偵測缺陷或對晶圓進行量測。依此方式，可執行熱掃描以收集關於將用於調諧程序(光學器件選擇及演算法調諧)之晶圓之檢測或量測資料。熱掃描之目標可為在(若干)選定模式中偵測晶圓上之所有缺陷或干擾類型之一代表性樣本。
複製機偵測(例如，使用座標匹配)可為可使干擾密度處於易控制位準之一強濾波器。然而，一複製機缺陷偵測(RDD)演算法通常執行為最後檢測步驟且需要在最後批結果中收集所有缺陷。遮罩鑑定所需之熱檢測會導致RDD之前之數百萬個缺陷候選者。此會在將結果自檢測系統轉移至高階缺陷偵測控制器時引起工具抗流及落下缺陷。RDD可具有相同於隨機缺陷偵測檢測之主題：限制最大缺陷數目及缺陷密度，儘管所關注缺陷(DOI)(諸如複製機)之最終數目可為相當小。應注意，諸多複製機缺陷係「軟」複製機。軟複製機歸因於程序變動而不印刷於每個倍縮光罩中。此意謂：無法使用工作中RDD，但能夠分析整個晶圓之結果。
由於特徵縮小及光學晶圓檢測工具之一潛在解析度限制，用於印刷檢查之主要候選檢測工具係諸如一掃描電子顯微鏡(SEM)之一電子束檢測工具。然而，電子束檢測工具具有一產出率缺點。使用多個波束/柱選項之最佳方案，一倍縮光罩之估計檢測時間超過8小時。寬頻電漿(BBP)工具具有高很多之產出率且因此具有高很多之覆蓋率。在當前BBP工具設計中，複製機分析係高階缺陷偵測控制器中之後處理步驟之部分。歸因於架構限制(軟體及硬體兩者)，可存在使用當前BBP工具組態所致之 小於1000萬個缺陷之一限制。然而，估計表明可能需要處置約100億個缺陷。產出率及開發時間之最佳化係RDD之一嚴峻挑戰。
此外，當前檢測使用晶粒間比較來執行且歸因於設計系統性干擾事件而表現出高干擾程度。此等干擾事件可為真實缺陷，但被認為是非關鍵缺陷。因為存在過多系統性干擾事件，所以DOI之偵測會受損。
因此，需要改良RDD。
在一第一實施例中，揭示一種用於偵測複製機缺陷之方法。該方法包含：執行一晶圓之整個表面之一熱掃描檢測。將來自該熱掃描檢測之缺陷之一位置儲存至一儲存媒體。該儲存媒體係持續儲存器、隨機存取記憶體或一分開資料庫。使用一處理器來判定複製機缺陷偵測之座標。基於複製機缺陷偵測之該等座標來檢測該晶圓。使用該處理器來分析複製機缺陷。自該儲存媒體擷取對應於該等複製機缺陷之缺陷記錄。
一基於區塊之虛擬檢測器虛擬分析器或局部儲存器可用於該儲存媒體。
該方法可進一步包含：在該擷取之後釋放該儲存媒體中之空間。
該方法可進一步包含：在該判定之前將該等缺陷之座標保存於共用記憶體中。
在一例項中，使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。在此例項中，該方法包含：計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像且計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像。計算該第一晶圓階中 之該第一晶圓差異影像包含：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓差異影像。
計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像包含：使用該處理器來計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓差異影像。
使用該處理器，可使用基於座標之缺陷源分析來找到該第一晶圓差異影像中之系統性缺陷。使用該處理器，可自該第二晶圓差異影像減去該第一晶圓差異影像中之該等系統性缺陷。使用該處理器，可在該相減之後判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
在一例項中，使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。在此例項中，該方法包含：計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像且計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像。計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像包含：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓差異影像。
計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像包含：使用該處理器來計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓差異影像。
使用該處理器，自該第一晶圓差異影像減去該第二晶圓差異影像。使用該處理器，在相減之後判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
在一例項中，使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。在此例項中，計算一晶圓差異影像，其包含：使用該處理器來計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算該兩個所得差異影像之晶圓差異影像。使用該處理器來判定該晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。自該儲存媒體擷取影像。該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處。使用該處理器來評估來自該儲存媒體之該等影像中之該所關注缺陷之存在。使用該處理器來自該晶圓差異影像過濾干擾。
在一第二實施例中，提供一種用於過濾干擾之方法。該方法包括：使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒成像。可藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之該第二晶圓之一差異影像：使用一處理器來計算該 第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算使用該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓之該差異影像。使用該處理器來判定該第二晶圓之該晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
該方法可進一步包括：自儲存媒體擷取影像。該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處。使用該處理器來評估來自該儲存媒體之該等影像中之該所關注缺陷之存在。使用該處理器來自該第二晶圓差異影像過濾干擾。
該方法可進一步包括：計算一第一晶圓階中之該第一晶圓之一差異影像。計算一第一晶圓階中之該第一晶圓之一差異影像包含：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算使用該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓之該晶圓差異影像。使用該處理器來找到使用基於座標之缺陷源分析之該第一晶圓之該差異影像中之系統性缺陷。使用該處理器，自該第二晶圓之該差異影像減去該第一晶圓之該差異影像中之該等系統性缺陷。在該相減之後判定該第二晶圓之該差異影像中之該所關注缺陷之存在。
該方法可進一步包括：計算一第一晶圓階中之該第一晶圓之一差異影像。計算一第一晶圓階中之該第一晶圓之一差異影像包含：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該 第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像。使用該處理器來計算使用該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓之該差異影像。使用該處理器來自該第一晶圓之該差異影像減去該第二晶圓之該差異影像。在該相減之後判定該第二晶圓之該差異影像中之該所關注缺陷之存在。
在一第三實施例中，提供一種系統。該系統包括與一晶圓檢測工具電子通信之一控制器。該控制器包含一處理器及與該處理器電子通信之一電子資料儲存單元。該電子資料儲存單元包含持續儲存器、隨機存取記憶體或一分開資料庫。該控制器經組態以：自該晶圓檢測工具接收一晶圓之整個表面之一熱掃描檢測之結果；將來自該熱掃描檢測之缺陷之一位置儲存至該電子資料儲存單元；判定複製機缺陷偵測之座標；基於複製機缺陷偵測之該等座標來發送檢測該晶圓之指令；分析複製機缺陷；及自該電子資料儲存單元擷取對應於該等複製機缺陷之缺陷記錄。
該電子資料儲存單元可包含於一基於區塊之虛擬檢測器虛擬分析器中。該電子資料儲存單元亦可為局部儲存器。
該控制器可經組態以在判定該等複製機缺陷偵測工作之前將該等缺陷之座標保存於共用記憶體中。
在一例項中，使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。該控制器經進一步組態以計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像且計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像。計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像包含：計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第 一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第一晶圓階之該等所得差異影像之該第一晶圓差異影像。計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像包含：計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第二晶圓階之該等所得差異影像之該第二晶圓差異影像。使用基於座標之缺陷源分析來找到該第一晶圓差異影像中之系統性缺陷。自該第二晶圓差異影像減去該第一晶圓差異影像中之該等系統性缺陷。在該相減之後判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
在一例項中，使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。該控制器經進一步組態以計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像且計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像。計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像包含：計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第一晶圓階之該等所得差異影像之該第一晶圓差異影像。計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像包含：計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第二晶圓階之該等所得差異影像之該第二晶圓差異影像。自該第一晶圓差異影像減去該第二晶圓差異影像。在該相減之後判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
在一例項中，使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。該控制器經進一步組態以計算一晶圓差異影像。計算該晶圓差異影像包含：計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該等所得差異影像之該晶圓差異影像。判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。自該電子資料儲存單元擷取影像。該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處。評估來自該電子資料儲存單元之該等影像中之該所關注缺陷之存在。自該晶圓差異影像過濾干擾。
100:方法
101:執行晶圓之整個表面之熱掃描檢測
102:將來自熱掃描檢測之缺陷之位置儲存至儲存媒體
103:判定RDD之座標
104:基於RDD之座標來檢測晶圓
105:分析複製機缺陷
106:自持續儲存器擷取對應於複製機缺陷之缺陷記錄
300:系統
301:晶圓檢測工具
303:控制器
304:處理器
305:電子資料儲存單元
為較完全理解本發明之性質及目的，應參考結合附圖之以下詳細描述，其中：圖1係根據本發明之一方法之一實施例；圖2係根據本發明之一系統之一方塊圖；圖3係根據本發明之干擾減少之一第一實施；圖4係根據本發明之干擾減少之一第二實施；圖5係根據本發明之干擾減少之一第三實施；及圖6至圖9係圖1中所繪示之方法之實施例之變型。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張兩者在2017年6月5日申請之臨時專利申請案讓與之美國申請案第62/515,445號及美國申請案第62/515,449號之優先權，該等案之揭示內容以引用的方式併入本文中。
儘管將根據某些實施例來描述所主張之標的，但其他實施例(其包含未提供本文所闡述之所有益處及特徵之實施例)亦在本發明之範疇內。可在不背離本發明之範疇之情況下作出各種結構、邏輯、程序步驟及電子改變。因此，僅藉由參考隨附申請專利範圍來界定本發明之範疇。
RDD可克服先前限制。本文所揭示之機制係基於用於依(例如)優於±0.5像素執行RDD之缺陷位置之高準確度。複製機座標可為將抑制一熱檢測中之大多數隨機缺陷之一強濾波器，其能夠使用較低臨限值。複製機可藉由至少一缺陷偵測演算法來偵測。若缺陷之雜訊底限較深，則問題自RDD轉移至正常缺陷偵測空間中。
區塊影像及屬性可有助於減少干擾。然而，具有一最後批結果之區塊及/或屬性可涉及在RDD之前保留所有事件之區塊及屬性。來自100億個缺陷之總區塊之大小可能會不適合記憶體。此外，將RDD之前之所有偵測事件之區塊寫入至儲存器及自儲存器擷取偵測複製機之區塊需要在一檢測工具上花費時間。
本文所揭示之實施例利用諸如虛擬檢測器虛擬分析器(VIVA)儲存器之一儲存媒體，其可位於與檢測系統分離之一工具或系統中。此可避免寫入或讀取至磁碟之產出率挑戰。僅在設置時保留區塊及屬性。可限制屬性且區塊可不用於生產。
存在若干技術來達成本文所揭示之候選缺陷之高缺陷密度。
圖1係用於偵測複製機缺陷之一方法100之一實施例。此可使用一分開資料庫，使得座標可保存於檢測工具之影像電腦(IMC)中且屬性可保存於固態硬碟(SSD)(諸如包含於IMC中之一SSD)上。在101中，(諸如)使用一BBP工具、一雷射掃描工具、一電子束檢測器或其他檢測系統來執行一晶圓之整個表面之一熱掃描檢測。在102中，將來自熱掃描檢測之缺陷之位置儲存至諸如持續儲存器、隨機存取記憶體(RAM)或一分開資料庫之一儲存媒體。持續儲存器可為基於區塊之VIVA儲存器或局部(例如，在節點上)儲存器。兩者可為一混合硬碟(HDD)或SSD。基於區塊之VIVA儲存器或局部儲存器可用於持續儲存。
在103中，(諸如)使用一處理器來判定RDD(例如RDD工作)之座標。在104中，基於RDD之座標來檢測晶圓。在105中，分析複製機缺陷。在106中，自持續儲存器擷取對應於複製機缺陷之缺陷記錄。此等可回傳至高階缺陷偵測控制器。
方法100可進一步包含：在擷取之後釋放持續儲存器中之空間。
方法100可進一步包含：在103中之判定之前將缺陷之座標保存於共用記憶體中。
方法100係基於通常僅需要缺陷座標之RDD。區塊及屬性係非必需的，因為RDD演算法使用基於一複製機缺陷之一界定之缺陷座標。基於屬性及/或區塊之額外過濾可作為RDD之前或RDD之後之一單獨步驟來完成。此意謂可將每個缺陷候選者之一缺陷結構保存於VIVA上或獨立磁碟冗餘陣列(RAID)之局部節點上且可將缺陷候選者保留於共用記憶體中。此將用於RDD之缺陷結構之大小減小至定界框座標(例如四個整 數)及晶粒列、一晶粒列之刈幅、圖框數或其他特徵。整個缺陷可僅佔用共用記憶體緩衝器中之8個整數。可在不增大所安裝之動態隨機存取記憶體(DRAM)之情況下每圖框保留高達1,900個缺陷。在執行RDD之後，可自儲存器上傳對應區塊及缺陷屬性。此可發送至高階缺陷偵測控制器或其他控制器。
圖6至圖9中繪示方法100之變型。圖6至圖9係實現由圖1描述之序列且提供速度與可用細節量之間的權衡之不同方式。圖6至圖9亦演示可對VIVA或檢測工具執行RDD檢測設置，其可為工具利用與具有額外硬體(諸如VIVA)之必要性之間的一折衷。
可在檢測之後即時釋放資料儲存。可達成每節點0.6GB/s之寫入速度。此轉化為5,000秒(約84分鐘)來保存每圖框300個缺陷候選者所需之3 TB資料。此輸入/輸出可與資料處理並行工作，其將提高產出率。頻寬可隨SSD加倍且可減少檢測時間。
實施例可提供弱缺陷及軟複製機之RDD之一綜合解決方案。弱缺陷之RDD所需之架構之改變可再用於其他應用。
在一例項中，基於IMC來執行兩階段RDD。一第一階段不對使用者介面報告任何事且將座標保存於IMC記憶體中。一第二階段讀取座標，提取區塊，且僅運算複製機之屬性。此可平衡硬體成本與一產出率降低，其可適合於原型開發。
RDD工作或RDD之其他座標可將缺陷座標保存於共用記憶體中且跳過區塊提取及缺陷屬性計算。在完成晶圓刈幅掃描之後，發出可在所保存之缺陷候選者中找到複製機之RDD工作。複製機座標可回傳至一控制器及/或高階缺陷偵測控制器。缺陷影像及屬性可自此等位置提 取。缺陷區塊及缺陷屬性可回傳給複製機位置。
為了原型設計，基於RDD之座標之結果可保存於共用記憶體中且正常缺陷偵測工作可用於第二階段。可讀取與複製機座標對應之檔案且將任一缺陷偵測工作轉換為SRI工作或回傳一空結果緩衝器。
在另一例項中，執行工作級複製機偵測。此可增加一工作量以覆蓋一晶粒列之全長。一工作內之圖框與圖框對準可為精確及準確的，因此可將複製機偵測實施為具有嚴格容限(例如，小於像素)之後處理。工作量增加至一全晶粒列。並非所有晶粒可用於特徵影像(中值)運算。例如，12個圖框可足以用於特徵影像運算。僅將回傳晶粒複製機且將由高階缺陷偵測控制器執行進一步複製機分析以抑制晶粒複製機及保留倍縮光罩複製機。此可提供相對較高產出率。
在另一例項中，使用一基於區塊之VIVA方法。所有缺陷候選者可保存於基於區塊之VIVA上。一特殊應用可對缺陷候選者區塊及屬性而非全晶圓影像進行RDD。此可提供相對較高產出率。
所有缺陷候選者可保存於基於區塊之VIVA上。15平面檢測之VIVA容量可為每圖框約10個缺陷，因此可使用一單一平面型式來處置每圖框之150個缺陷。可無需保留此等缺陷候選者達任何有效時間量。可記錄、處理來自一檢測之候選者且可移除資料。此可實現較熱檢測。由於高缺陷密度，整個晶圓影像可保存於VIVA上，而缺陷座標保留於平行資料庫中。RDD可僅需要座標且稍後可僅提取缺陷區塊用於複製機。
在操作期間，進行熱檢測且將所有缺陷候選者保存於VIVA上。接著，可將工具用於下一檢測。在VIVA上，初始化RDD之一新檢測類型，使用缺陷座標來找到複製機，且將此等保存為區塊記錄之部 分。接著，將缺陷位置、屬性及區塊回傳至高階缺陷偵測控制器。此等缺陷位置、屬性及區塊可已被計算且預保存於VIVA上。
在另一例項中，使用一特殊刈幅佈局方法。可在每個晶粒列中掃描相同刈幅，程序可返回至一初始點，且可掃描下一刈幅。可藉由改變刈幅掃描序列來減少由高階缺陷偵測控制器保存之缺陷之數目。不是依序刈幅掃描每個晶粒列，而是可刈幅掃描每個晶粒列之每個第一刈幅，可報告所有缺陷，且接著刈幅掃描每個晶粒列之每個第二刈幅。可重複此程序。在一實例中，在每個晶粒列中執行高達四個刈幅。在此實例中，四個行可獨立工作。控制器接收輸入，可在將缺陷發送至高階缺陷偵測控制器之前執行工作間及子刈幅間合併。高階缺陷偵測控制器可依零像素座標容限進行RDD。
替代地，可對將在將缺陷保存至磁碟之前進行RDD之高階缺陷偵測控制器報告所有缺陷。
在另一例項中，使用一基於IMC之RDD。所有缺陷候選者可保留於IMC記憶體中。因此，在IMC中完成RDD之最大部分。
所有缺陷候選者可累積於IMC記憶體中，直至晶圓檢測結束。可進行正常缺陷偵測且一「無缺陷」結果之一回傳可緩衝至控制器。所有缺陷候選者可保存於共用記憶體中。
例如，假定系統使用2行及每行6個節點且(若干)缺陷結構之大小係約10KB。若期望每晶圓之120,000,000個缺陷候選者，則每節點之10,000,000個缺陷需要保留於共用記憶體中。此轉化為每節點共用記憶體之100,000,000,000個位元組或約100GB。就一300mm晶圓及50nm像素大小而言，一檢測可含有約28,260,000個圖框。可在無區塊之情況下 達成每圖框200個缺陷。若節點記憶體增大至1 TB，則可處置每圖框約50個至約60個缺陷候選者。一SSD可用於每個節點處而非用於增加DRAM之量。
在完成缺陷偵測且所有缺陷候選者位於共用記憶體中之後，一控制器可召喚一新程序或提出新工作(例如新工作類型之新工作)。可執行工作間缺陷合併且可使用可用缺陷候選者來執行RDD。由於可由刈幅子刈幅數組織共用記憶體中之資料，所以可藉由將刈幅子刈幅數賦予程序至CPU核心來完成負載平衡。在完成RDD之後，可在一結果緩衝器中回傳複製機。
若缺陷區塊下降且缺陷結構之大小減小至(諸如)約1KB，則缺陷候選者密度可增大一數量級(例如每圖框90個缺陷)。
在另一例項中，一特殊刈幅佈局與基於IMC之RDD組合。此可降低IMC記憶體要求。此技術實現極限缺陷候選者密度及提高敏感度。
可對所有晶粒列之每個第一刈幅(即，每兩個刈幅，考量行)執行缺陷候選者偵測以將所有缺陷候選者保留於節點共用記憶體中。可對此等候選者執行RDD。可在不收集晶圓之剩餘部分之資料之情況下將結果回傳至控制器及高階缺陷偵測控制器。整個共用記憶體可用於晶圓之此小部分。可按比例增大缺陷候選者密度。
例如，基於300mm晶圓及50nm像素之最長刈幅係每刈幅約6,000個圖框及每刈幅晶粒列120,000個圖框(假定一晶圓上有20個晶粒列)。就100GB共用記憶體而言，此可處置每刈幅10,000,000個缺陷或每圖框83個缺陷。就較短刈幅而言，缺陷密度可較高且可為每圖框平均160 個缺陷。
可針對產出率且為了減少較短刈幅之Y運動之數目而最佳化刈幅掃描。
若節點記憶體增大至512GB且400GB用於缺陷儲存共用記憶體，則可保存每圖框約350個缺陷。
此技術可較熱進行且可在無缺陷區塊之情況下達到每圖框1,600個缺陷。然而，不是收集每晶粒列2個刈幅，而是可執行每晶粒列12個刈幅以覆蓋四組刈幅中之整個晶圓。
在一實施例中，可識別軟複製機且可減少複製機缺陷影像中之干擾。複製機缺陷可包含硬複製機(其在一晶粒上總是可見)及軟複製機(其在一晶粒上可不總是可見)。若僅使有限數目個晶粒成像，則偵測複製機缺陷會面臨挑戰且尤其是偵測軟複製機會面臨挑戰。
在一例項中，可在t=0檢測及/或記錄一第一晶圓以偵測及/或記錄一倍縮光罩上之系統性干擾。此可為EUV遮罩檢測之一整體解決方案之部分。可在t>0(例如3週後)檢測及/或記錄一第二晶圓。t>0時之系統性干擾可自t=0減去。可報告隨機倍縮光罩缺陷。此可提供一較低干擾率且因此提供對DOI之較高敏感度。例如，t=0可為倍縮光罩係潔淨及/或沒問題時，而t>0可意謂倍縮光罩上存在微粒及/或倍縮光罩存在其他問題。此等其他問題可由印刷期間之失準或倍縮光罩缺陷引起。
圖3係干擾減少之一第一實施例。使用一第一晶圓上(t=0)之兩個不同位置(倍縮光罩1、倍縮光罩2)及一第二晶圓上(t>0)之兩個不同位置(倍縮光罩1、倍縮光罩2)處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。兩個不同位置可為(例如)晶圓上之不同列。第一晶粒及第二 晶粒可為相鄰晶粒或可具有其他空間關係。影像處理步驟可由一處理器執行。
計算一第一晶圓差異影像。為此，計算第一晶圓上之一第二位置處之第一晶粒及第二晶粒之一差異影像。亦計算第一晶圓上之第二位置處之第一晶粒及第一晶圓上之一第一位置處之第二晶粒之一差異影像。接著，自兩個所得差異影像計算第一晶圓差異影像。
計算一第二晶圓差異影像。為此，計算第二晶圓上之一第二位置處之第一晶粒及第二晶粒之一差異影像。亦計算第一晶圓上之第二位置處之第一晶粒及第二晶圓上之一第一位置處之第二晶粒之一差異影像。接著，自兩個所得差異影像計算第二晶圓差異影像。
可使用基於座標之缺陷源分析來找到第一晶圓差異影像中之系統性缺陷。基於系統性缺陷之座標，可自第二晶圓差異影像減去第一晶圓差異影像中之系統性缺陷。可在已排除共同(例如系統性)缺陷之後判定第二晶圓差異影像中之一DOI之存在。
圖4係干擾減少之一第二實施例。使用一第一晶圓上(t=0)之兩個不同位置(倍縮光罩1、倍縮光罩2)及一第二晶圓上(t>0)之兩個不同位置(倍縮光罩1、倍縮光罩2)處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。兩個不同位置可為(例如)晶圓上之不同列。第一晶粒及第二晶粒可為相鄰晶粒或可具有其他空間關係。影像處理步驟可由一處理器執行。
計算第二晶圓上之一第二位置處之第一晶粒及第二晶粒之一差異影像。計算第一晶圓上之第二位置處之第一晶粒及第二晶圓上之一第一位置處之第二晶粒之一差異影像。接著，自兩個所得差異影像計算一 晶圓差異影像。
判定晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。可自儲存媒體擷取影像。影像位於相同於用於計算之第二晶圓上之第一晶粒及第二晶粒之第一晶圓上(例如t=0)之位置處。可評估來自儲存媒體之影像中之所關注缺陷之存在。可自晶圓差異影像過濾干擾。
圖5係干擾減少之一第三實施例。使用一第一晶圓上(t=0)之兩個不同位置(倍縮光罩1、倍縮光罩2)及一第二晶圓上(t>0)之兩個不同位置(倍縮光罩1、倍縮光罩2)處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像。兩個不同位置可為(例如)晶圓上之不同列。第一晶粒及第二晶粒可為相鄰晶粒或可具有其他空間關係。影像處理步驟可由一處理器執行。
計算一第一晶圓差異影像。為此，計算第一晶圓上之一第二位置處之第一晶粒及第二晶粒之一差異影像。亦計算第一晶圓上之第二位置處之第一晶粒及第一晶圓上之一第一位置處之第二晶粒之一差異影像。接著，自兩個所得差異影像計算第一晶圓差異影像。
計算一第二晶圓差異影像。為此，計算第二晶圓上之一第二位置處之第一晶粒及第二晶粒之一差異影像。亦計算第一晶圓上之第二位置處之第一晶粒及第二晶圓上之一第一位置處之第二晶粒之一差異影像。接著，自兩個所得差異影像計算第二晶圓差異影像。
自第一晶圓差異影像減去第二晶圓差異影像。可在相減之後判定第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
圖2係一系統300之一系統圖。系統300包含一晶圓檢測工具301及一控制器303，控制器303具有一處理器304及與處理器304電子通 信之一電子資料儲存單元305。晶圓檢測工具301可為一BBP工具，其可經組態以執行一熱掃描以擷取檢測結果。晶圓檢測工具亦可為一雷射掃描工具、一電子束檢測器或其他檢測系統。控制器303與晶圓檢測工具301電子通信。
控制器303可為晶圓檢測工具301之部分或另一裝置。在一實例中，控制器303可為一獨立控制單元或位於一集中品質控制單元中。可使用多個控制器303。
控制器303實際上可由硬體、軟體及韌體之任何組合實施。另外，本文所描述之控制器之功能可由一個單元執行或分配於多個不同組件中，各組件繼而可由硬體、軟體及韌體之任何組合實施。用於實施各種方法及功能之控制器303之程式碼或指令可儲存於控制器可讀儲存媒體(諸如電子資料儲存單元305中之一記憶體或其他記憶體)中。
控制器303可依任何適合方式(例如，經由一或多個傳輸介質，其可包含有線及/或無線傳輸介質)耦合至系統300之組件，使得控制器303可接收由系統300產生之輸出。控制器303可經組態以使用輸出來執行若干功能。
本文所描述之控制器303、(若干)其他系統或(若干)其他子系統可為包含個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置之各種系統之部分。(若干)子系統或系統亦可包含本技術中已知之任何適合處理器，諸如一並行處理器。另外，(若干)子系統或系統可包含一高速處理平台及軟體作為一獨立或網路工具。
若系統包含一個以上子系統，則不同子系統可彼此耦合，使得影像、資料、資訊、指令等等可發送於子系統之間。例如，一子系統 可藉由任何適合傳輸介質來耦合至(若干)額外子系統，傳輸介質可包含本技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸介質。此等子系統之兩者或兩者以上亦可由一共用電腦可讀儲存媒體(圖中未展示)有效耦合。
一額外實施例係關於一非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一控制器上執行以執行本文所揭示之一電腦實施缺陷偵測或晶圓檢測之程式指令。特定言之，處理器304可耦合至電子資料儲存單元305中之一記憶體或具有非暫時性電腦可讀媒體(其包含可在處理器304上執行之程式指令)之其他電子資料儲存媒體。電腦實施方法可包含本文所描述之任何(若干)方法之任何(若干)步驟。例如，控制器303可經程式化以執行可由處理器304執行之圖1、圖3至圖5或本文所揭示之其他實施例之一些或所有步驟。電子資料儲存單元305中之記憶體或其他電子資料儲存媒體可為諸如一磁碟或光碟、一磁帶或本技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體之一儲存媒體。特定言之，電子資料儲存單元可包含持續儲存器、隨機存取記憶體或一分開資料庫。
可依尤其包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向技術之各種方式之任何者實施程式指令。例如，可根據期望使用ActiveX控制、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(MFC)、SSE(串流SIMD擴展)或其他技術或方法來實施程式指令。
如本文所使用，術語「晶圓」一般係指由一半導體或非半導體材料形成之基板。此一半導體或非半導體材料之實例包含(但不限於)單晶矽、砷化鎵及磷化銦。此等基板可常見於及/或被處理於半導體製造設備中。
一晶圓可包含形成於一基板上之一或多個層。例如，此等 層可包含(但不限於)一光阻劑、一介電材料及一導電材料。此等層之諸多不同類型在本技術中係已知的，且本文所使用之術語「晶圓」意欲涵蓋包含此等層之所有類型之一晶圓。
可圖案化或未圖案化形成於一晶圓上之一或多個層。例如，一晶圓可包含各具有可重複圖案化特徵之複數個晶粒。此等材料層之形成及處理可最終導致完成裝置。諸多不同類型之裝置(諸如積體電路)可形成於一晶圓上，且本文所使用之術語「晶圓」意欲涵蓋本技術中已知之任何類型之裝置製造於其上之一晶圓。如本文所使用，術語「晶片」可包括為了一特定目的而設計之積體電路之一集合。
儘管本文已相對於晶圓描述實施例，但應瞭解，實施例可用於諸如一倍縮光罩之另一樣品，其通常亦可指稱一遮罩或一光罩。諸多不同類型之倍縮光罩在本技術中係已知的，且本文所使用之術語「倍縮光罩」、「遮罩」及「光罩」意欲涵蓋本技術中已知之所有類型之倍縮光罩。
可如本文所描述般執行方法之各步驟。方法亦可包含可由本文所描述之(若干)控制器及/或電腦子系統或系統執行之(若干)任何其他步驟。步驟可由可根據本文所描述之任何實施例來組態之一或多個電腦系統執行。另外，上述方法可由本文所描述之任何系統實施例執行。
儘管已相對於一或多個特定實施例描述本發明，但應瞭解，可在不背離本發明之範疇之情況下實施本發明之其他實施例。因此，可認為本發明僅受限於隨附申請專利範圍及其合理解譯。
100:方法
101:執行晶圓之整個表面之熱掃描檢測
102:將來自熱掃描檢測之缺陷之位置儲存至儲存媒體
103:判定RDD之座標
104:基於RDD之座標來檢測晶圓
105:分析複製機缺陷
106:自持續儲存器擷取對應於複製機缺陷之缺陷記錄

Claims (38)

  1. 一種用於偵測複製機(repeater)缺陷之方法，其包括：執行一晶圓之一整個表面之一熱掃描檢測；將來自該熱掃描檢測之缺陷之一位置儲存至一儲存媒體，其中該儲存媒體係持續(persistent)儲存器、隨機存取記憶體或一分開資料庫；使用一處理器來判定複製機缺陷偵測之座標；基於複製機缺陷偵測之該等座標來檢測該晶圓，其中使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩(reticle)來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像；藉由以下操作來計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓差異影像；使用該處理器來分析複製機缺陷；及自該儲存媒體擷取對應於該等複製機缺陷之缺陷記錄。
  2. 如請求項1之方法，其中將一基於區塊(patch)之虛擬檢測器虛擬分析器用於該儲存媒體。
  3. 如請求項1之方法，其中將局部儲存器用於該儲存媒體。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包括在該擷取之後釋放該儲存媒體中之空間。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包括在該判定之前將該等缺陷之座標保存於共用記憶體中。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包括：藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像：使用該處理器來計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓差異影像；使用該處理器來找到使用基於座標之缺陷源分析之該第一晶圓差異影像中之系統性缺陷；使用該處理器來自該第二晶圓差異影像減去該第一晶圓差異影像中之該等系統性缺陷；及在該相減之後，使用該處理器來判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包括：藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像：使用該處理器來計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓差異影像；使用該處理器來自該第一晶圓差異影像減去該第二晶圓差異影像；及在該相減之後，使用該處理器來判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  8. 如請求項1之方法，其進一步包括：使用該處理器來判定該第一晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在；自該儲存媒體擷取影像，其中該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處；使用該處理器來評估來自該儲存媒體之該等影像中之該所關注缺陷之存在；及使用該處理器來自該第一晶圓差異影像過濾干擾(nuisance)。
  9. 一種用於過濾干擾之方法，其包括：使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置 處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒成像；藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之該第二晶圓之一差異影像：使用一處理器來計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算使用該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓之該差異影像；及使用該處理器來判定該第二晶圓之該晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包括：自該儲存媒體擷取影像，其中該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處；使用該處理器來評估來自該儲存媒體之該等影像中之該所關注缺陷之存在；及使用該處理器來自該第二晶圓差異影像過濾干擾。
  11. 如請求項9之方法，其進一步包括：藉由以下操作來計算一第一晶圓階中之該第一晶圓之一差異影像：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒 及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算使用該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓之該晶圓差異影像；使用該處理器來找到使用基於座標之缺陷源分析之該第一晶圓之該差異影像中之系統性缺陷；及使用該處理器來自該第二晶圓之該差異影像減去該第一晶圓之該差異影像中之該等系統性缺陷，其中在該相減之後判定該第二晶圓之該差異影像中之該所關注缺陷之存在。
  12. 如請求項9之方法，其進一步包括：藉由以下操作來計算一第一晶圓階中之該第一晶圓之一差異影像：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算使用該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓之該差異影像；及使用該處理器來自該第一晶圓之該差異影像減去該第二晶圓之該差異影像，其中在該相減之後判定該第二晶圓之該差異影像中之該所關注缺陷之存在。
  13. 一種用於偵測複製機缺陷之系統，其包括：一控制器，其與一晶圓檢測工具電子通信，其中該控制器包含一處 理器及與該處理器電子通信之一電子資料儲存單元，其中該電子資料儲存單元包含持續儲存器、隨機存取記憶體或一分開資料庫，且其中該控制器經組態以：自該晶圓檢測工具接收一晶圓之一整個表面之一熱掃描檢測之結果；將來自該熱掃描檢測之缺陷之一位置儲存至該電子資料儲存單元；判定複製機缺陷偵測之座標；基於複製機缺陷偵測之該等座標來發送用於檢測該晶圓之指令，其中使用一第一晶圓上之兩個不同位置及一第二晶圓上之兩個不同位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒分別成像；藉由以下操作來計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像：計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第一晶圓階之該等所得差異影像之該第一晶圓差異影像；分析複製機缺陷；及自該電子資料儲存單元擷取對應於該等複製機缺陷之缺陷記錄。
  14. 如請求項13之系統，其中該電子資料儲存單元包含於一基於區塊之虛擬檢測器虛擬分析器中。
  15. 如請求項13之系統，其中該電子資料儲存單元係局部儲存器。
  16. 如請求項13之系統，其中該控制器經組態以在判定該等複製機缺陷偵測工作之前將該等缺陷之座標保存於共用記憶體中。
  17. 如請求項13之系統，其中該控制器經進一步組態以：藉由以下來計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像：計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第二晶圓階之該等所得差異影像之該第二晶圓差異影像；使用基於座標之缺陷源分析來找到該第一晶圓差異影像中之系統性缺陷；自該第二晶圓差異影像減去該第一晶圓差異影像中之該等系統性缺陷；及在該相減之後判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  18. 如請求項13之系統，其中該控制器經進一步組態以：藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像：計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像； 計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第二晶圓階之該等所得差異影像之該第二晶圓差異影像；自該第一晶圓差異影像減去該第二晶圓差異影像；及在該相減之後判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  19. 如請求項13之系統，其中該控制器經進一步組態以：判定該第一晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在；自該電子資料儲存單元擷取影像，其中該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處；評估來自該電子資料儲存單元之該等影像中之該所關注缺陷之存在；及自該第一晶圓差異影像過濾干擾。
  20. 一種用於偵測複製機缺陷之方法，其包括：執行一晶圓之一整個表面之一熱掃描檢測；將來自該熱掃描檢測之缺陷之一位置儲存至一儲存媒體，其中該儲存媒體係持續儲存器、隨機存取記憶體或一分開資料庫；使用一處理器來判定複製機缺陷偵測之座標；基於複製機缺陷偵測之該等座標來檢測該晶圓，其中：使用一第一晶圓上之一第一位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒兩者成像；使用該第一晶圓上之一第二位置處之該倍縮光罩來使一第一晶粒 及一第二晶粒兩者成像；使用一第二晶圓上之一第一位置處之該倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒兩者成像；使用該第二晶圓上之一第二位置處之該倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒兩者成像；藉由以下操作來計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓差異影像；使用該處理器來分析複製機缺陷；及自該儲存媒體擷取對應於該等複製機缺陷之缺陷記錄。
  21. 如請求項20之方法，其中將一基於區塊之虛擬檢測器虛擬分析器用於該儲存媒體。
  22. 如請求項20之方法，其中將局部儲存器用於該儲存媒體。
  23. 如請求項20之方法，其進一步包括在該擷取之後釋放該儲存媒體中之空間。
  24. 如請求項20之方法，其進一步包括在該判定之前將該等缺陷之座標保存於共用記憶體中。
  25. 如請求項20之方法，其進一步包括：藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像：使用該處理器來計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓差異影像；使用該處理器來找到使用基於座標之缺陷源分析之該第一晶圓差異影像中之系統性缺陷；使用該處理器來自該第二晶圓差異影像減去該第一晶圓差異影像中之該等系統性缺陷；及在該相減之後，使用該處理器來判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  26. 如請求項20之方法，其進一步包括：藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像：使用該處理器來計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒 及該第二晶圓之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓差異影像；使用該處理器來自該第一晶圓差異影像減去該第二晶圓差異影像；及在該相減之後，使用該處理器來判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  27. 如請求項20之方法，其進一步包括：使用該處理器來判定該第一晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在；自該儲存媒體擷取影像，其中該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處；使用該處理器來評估來自該儲存媒體之該等影像中之該所關注缺陷之存在；及使用該處理器來自該第一晶圓差異影像過濾干擾。
  28. 一種用於過濾干擾之方法，其包括：在一第一晶圓及一第二晶圓上，使用一第一位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒兩者成像，且使用一第二位置處之該倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒兩者成像；藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之該第二晶圓之一差異影像：使用一處理器來計算該第二晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像； 使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之該第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算使用該第二晶圓階之該兩個差異影像之該第二晶圓之該差異影像；及使用該處理器來判定該第二晶圓之該晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  29. 如請求項28之方法，其進一步包括：自該儲存媒體擷取影像，其中該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處；使用該處理器來評估來自該儲存媒體之該等影像中之該所關注缺陷之存在；及使用該處理器來自該第二晶圓差異影像過濾干擾。
  30. 如請求項28之方法，其進一步包括：藉由以下操作來計算一第一晶圓階中之該第一晶圓之一差異影像：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算使用該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓之該晶圓差異影像；使用該處理器來找到使用基於座標之缺陷源分析之該第一晶圓之該 差異影像中之系統性缺陷；及使用該處理器來自該第二晶圓之該差異影像減去該第一晶圓之該差異影像中之該等系統性缺陷，其中在該相減之後判定該第二晶圓之該差異影像中之該所關注缺陷之存在。
  31. 如請求項28之方法，其進一步包括：藉由以下操作來計算一第一晶圓階中之該第一晶圓之一差異影像：使用該處理器來計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；使用該處理器來計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及使用該處理器來計算使用該第一晶圓階之該兩個差異影像之該第一晶圓之該差異影像；及使用該處理器來自該第一晶圓之該差異影像減去該第二晶圓之該差異影像，其中在該相減之後判定該第二晶圓之該差異影像中之該所關注缺陷之存在。
  32. 一種用於偵測複製機缺陷之系統，其包括：一控制器，其與一晶圓檢測工具電子通信，其中該控制器包含一處理器及與該處理器電子通信之一電子資料儲存單元，其中該電子資料儲存單元包含持續儲存器、隨機存取記憶體或一分開資料庫，且其中該控制器經組態以：自該晶圓檢測工具接收一晶圓之一整個表面之一熱掃描檢測之結 果；將來自該熱掃描檢測之缺陷之一位置儲存至該電子資料儲存單元；判定複製機缺陷偵測之座標；基於複製機缺陷偵測之該等座標來發送用於檢測該晶圓之指令，其中在一第一晶圓及一第二晶圓兩者上，使用一第一位置處之一倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒兩者成像，且使用一第二位置處之該倍縮光罩來使一第一晶粒及一第二晶粒兩者成像；藉由以下操作來計算一第一晶圓階中之一第一晶圓差異影像：計算該第一晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第一晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第一晶圓階之該等所得差異影像之該第一晶圓差異影像；分析複製機缺陷；及自該電子資料儲存單元擷取對應於該等複製機缺陷之缺陷記錄。
  33. 如請求項32之系統，其中該電子資料儲存單元包含於一基於區塊之虛擬檢測器虛擬分析器中。
  34. 如請求項32之系統，其中該電子資料儲存單元係局部儲存器。
  35. 如請求項32之系統，其中該控制器經組態以在判定該等複製機缺陷偵測工作之前將該等缺陷之座標保存於共用記憶體中。
  36. 如請求項32之系統，其中該控制器經進一步組態以：藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像：計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第二晶圓階之該等所得差異影像之該第二晶圓差異影像；使用基於座標之缺陷源分析來找到該第一晶圓差異影像中之系統性缺陷；自該第二晶圓差異影像減去該第一晶圓差異影像中之該等系統性缺陷；及在該相減之後判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  37. 如請求項32之系統，其中該控制器經進一步組態以：藉由以下操作來計算一第二晶圓階中之一第二晶圓差異影像：計算該第二晶圓上之一第二位置處之該第一晶粒及該第二晶粒之一差異影像；計算該第一晶圓上之該第二位置處之該第一晶粒及該第二晶圓上之一第一位置處之該第二晶粒之一差異影像；及計算該第二晶圓階之該等所得差異影像之該第二晶圓差異影像； 自該第一晶圓差異影像減去該第二晶圓差異影像；及在該相減之後判定該第二晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在。
  38. 如請求項32之系統，其中該控制器經進一步組態以：判定該第一晶圓差異影像中之一所關注缺陷之存在；自該電子資料儲存單元擷取影像，其中該等影像位於相同於該第二晶圓上之該第一晶粒及該第二晶粒之該第一晶圓上之一位置處；評估來自該電子資料儲存單元之該等影像中之該所關注缺陷之存在；及自該第一晶圓差異影像過濾干擾。
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