TWI762895B - 含有昇華性物質的液體之製造方法、基板乾燥方法及基板處理裝置 - Google Patents

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TWI762895B
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Abstract

本發明基於圖案之表面係親水性及疏水性中之何者而選擇昇華性物質。於圖案之表面為親水性之情形時，選擇對水之溶解度小於所選擇之昇華性物質之親水用溶劑，於圖案之表面為疏水性之情形時，選擇對油之溶解度小於所選擇之昇華性物質之疏水用溶劑。使所選擇之昇華性物質溶解於所選擇之溶劑。

Description

含有昇華性物質的液體之製造方法、基板乾燥方法及基板處理裝置
本申請案主張基於2019年5月29日提出之日本專利申請案2019-100140號的優先權，該申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。
本發明係關於一種製造含有昇華性物質的液體之方法，該含有昇華性物質的液體於使形成有圖案之基板之表面乾燥時自基板去除。本發明進而係關於一種使基板乾燥之基板乾燥方法及基板處理裝置。基板例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置或有機電致發光(EL，electroluminescence)顯示裝置等平板顯示器(FPD，Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或FPD等之製造步驟中，視需要對半導體晶圓或FPD用玻璃基板等基板進行處理。此種處理包括將藥液或沖洗液等處理液供給至基板。供給處理液之後，將處理液自基板去除而使基板乾燥。
於基板之表面形成有圖案之情形時，存在如下情況：使基板乾燥時，因附著於基板之處理液之表面張力而產生之力會施加於圖案，從而使圖案崩塌。作為其對策，採用將異丙醇(IPA)等表面張力較低之液體供給至基板、或將使液體相對於圖案之接觸角接近90度之疏水化劑供給至基板的方法。然而，即便使用IPA或疏水化劑，使圖案崩塌之崩塌力亦不會成為零，因此根據圖案之強度，存在即便執行該等對策亦無法充分地防止圖案崩塌之情形。
近年來，昇華乾燥作為防止圖案崩塌之技術而備受注目。例如於專利文獻1中，揭示有進行昇華乾燥之基板乾燥方法及基板處理裝置。於專利文獻1中，揭示有：使作為昇華性物質(溶質)之氟矽酸銨溶解於純水(DIW)中，或溶解於DIW與IPA(異丙醇)之混合液中；以及使作為昇華性物質(溶質)之樟腦或萘溶解於IPA等醇類中。
又，於專利文獻1中，揭示有：於SiN膜形成圖案之後，將昇華性物質之溶液供給至基板；以及於光阻膜形成圖案之後，將昇華性物質之溶液供給至基板。將昇華性物質之溶液供給至基板之後，形成包含固體之昇華性物質之膜。其後，基板自液體處理單元被搬送至加熱板單元。基板由加熱板單元以高於昇華性物質之昇華溫度的溫度加熱。藉此，昇華性物質昇華而自基板去除。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-139331號公報
(發明所欲解決之問題)
根據本發明人等之研究可知，為了於昇華乾燥中使圖案之崩塌率降低，考慮溶劑與圖案之親和性亦較為重要。
具體而言，若溶劑對圖案之表面之親和性較高，則容易將溶劑保持於圖案之表面。因此，存在形成包含昇華性物質之固化膜之後仍有較多之溶劑殘留於圖案之間之情形。例如，認為若圖案之表面為親水性且溶劑之親水性較高，則形成固化膜之後仍有較多之溶劑殘留於圖案之間。於此情形時，認為於圖案之間充滿包含溶劑之液體之狀態下，固化膜形成於圖案之上方(參照圖8B)。
形成固化膜之後若包含溶劑之液體殘留於圖案之間，則因溶劑之表面張力而產生之力施加於圖案。若圖案之強度較低，則亦因此種力而導致圖案崩塌。因此，亦要求溶劑對圖案之表面之親和性較低。於專利文獻1中，完全未考慮此種方面。即，本發明人等發現了新的問題，即，若含有昇華性物質的液體中包含對圖案之親和性不合適之溶劑，則無法充分地降低圖案之崩塌率。
因此，本發明之目的在於提供一種含有昇華性物質的液體之製造方法，該方法可製造包含對圖案之親和性合適之溶劑之含有昇華性物質的液體。本發明之另一目的在於提供一種可使用此種含有昇華性物質的液體而使基板乾燥之基板乾燥方法及基板處理裝置。 (解決問題之技術手段)
本發明之一實施形態提供一種含有昇華性物質的液體之製造方法，其係製造使形成有圖案之基板之表面乾燥時自上述基板去除之含有昇華性物質的液體之方法，且包括：昇華性物質選擇步驟，其係基於上述圖案之表面為親水性及疏水性中之何者而選擇昇華性物質；溶劑選擇步驟，其係於上述圖案之上述表面為親水性之情形時，選擇對水之溶解度小於上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質之親水用溶劑，於上述圖案之上述表面為疏水性之情形時，選擇對油之溶解度小於上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質之疏水用溶劑；及溶解步驟，其係使上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質溶解於上述溶劑選擇步驟中所選擇之上述溶劑。
於該方法中，製造包含昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體。含有昇華性物質的液體被供給至形成有圖案之基板之表面，其後，自基板去除。藉此乾燥基板。於將含有昇華性物質的液體自基板去除時，例如使溶劑自基板之表面上之含有昇華性物質的液體蒸發。藉此，於基板之表面形成包含昇華性物質之固化膜。其後，使固化膜昇華而自基板之表面去除。藉此，將含有昇華性物質的液體自基板去除。
於圖案之表面為親水性之情形時，含有昇華性物質的液體中包含對水之溶解度小於昇華性物質之溶劑。若圖案之表面為親水性且溶劑之親水性較高，則容易將溶劑保持於圖案之表面，故形成固化膜之後仍殘留較多之溶劑於圖案之間。於此情形時，使圖案崩塌之崩塌力自溶劑施加至圖案。若使用親水性較低之溶劑，則可將形成固化膜之後殘留於圖案之間之溶劑減少至零或接近零之值。
於圖案之表面為疏水性之情形時，含有昇華性物質的液體中包含對油之溶解度小於昇華性物質之溶劑。若圖案之表面為疏水性且溶劑之疏水性較高，則容易將溶劑保持於圖案之表面，故形成固化膜之後仍殘留較多之溶劑於圖案之間。於此情形時，使圖案崩塌之崩塌力自溶劑施加至圖案。若使用疏水性較低之溶劑，則可將形成固化膜之後殘留於圖案之間之溶劑減少至零或接近零之值。
如此一來，無論圖案之表面為親水性及疏水性中之何者，含有昇華性物質的液體所包含之溶劑對圖案之表面之親和性均較含有昇華性物質的液體所包含之昇華性物質低。因此，可減少形成固化膜之後殘留於圖案之間之溶劑，從而可減弱形成固化膜時或形成之後施加於圖案之崩塌力。因此，可製造一種含有昇華性物質的液體，該含有昇華性物質的液體係無論圖案之表面為親水性及疏水性中之何者均以較低之圖案崩塌率使基板乾燥。
於上述實施形態中，亦可將以下特徵之至少一個添加於上述含有昇華性物質的液體之製造方法。
上述含有昇華性物質的液體之製造方法進而包括性質判斷步驟，該性質判斷步驟係於上述圖案之上述表面中包含親水部及疏水部且於上述圖案之側面之上端部為親水性時，在選擇上述昇華性物質及溶劑之前將上述圖案之上述表面視為親水性，於上述圖案之上述表面中包含上述親水部及疏水部且上述圖案之上述側面之上述上端部為疏水性時，於選擇上述昇華性物質及溶劑之前將上述圖案之上述表面視為疏水性。
於該方法中，於圖案之表面中包含親水部及疏水部之情形時，若圖案之側面之上端部為親水性，則將圖案之表面視為親水性。於圖案之表面中包含親水部及疏水部之情形時，若圖案之側面之上端部為疏水性，則將圖案之表面視為疏水性。即，基於圖案之側面之上端部之性質，而判斷圖案之表面為親水性及疏水性中之何者。
若於鄰接之2個凸狀圖案之間形成液面(氣體與液體之界面)，則因表面張力而產生之崩塌力施加於圖案。該崩塌力隨著自圖案之根部至液面之距離增加而增加。因此，即便在鄰接之2個凸狀圖案之間形成液面，只要自圖案之根部(下端)至液面之距離較短，則施加於圖案之崩塌力亦較弱。
於圖案之表面中包含親水部及疏水部且圖案之側面之上端部為親水性時，若將圖案之表面視為疏水性，則有形成固化膜之後溶劑之液面形成於圖案之側面之上端部從而較大之崩塌力施加於圖案之可能性。若將圖案之表面視為親水性，則即便溶劑之液面形成於圖案之間，溶劑之液面亦配置於圖案之根部側。藉此，可縮短自圖案之根部至液面之距離。
根據同樣之原因，於圖案之表面中包含親水部及疏水部且圖案之側面之上端部為疏水性時，若將圖案之表面視為疏水性，則即便溶劑之液面形成於圖案之間，亦可縮短自圖案之根部至液面之距離。藉此，可製造一種減弱施加於圖案之崩塌力而使圖案之崩塌率降低之含有昇華性物質的液體。
本發明之另一實施形態提供一種基板乾燥方法，其包括：含有昇華性物質的液體供給步驟，其係將藉由上述含有昇華性物質的液體之製造方法製成之含有昇華性物質的液體供給至基板之表面；固化膜形成步驟，其係藉由使溶劑自上述基板之上述表面上之上述含有昇華性物質的液體蒸發，而於上述基板之上述表面形成包含昇華性物質之固化膜；及昇華步驟，其係藉由使上述固化膜昇華，而將上述固化膜自上述基板之上述表面去除。
於該方法中，將包含相當於溶質之昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體供給至形成有圖案之基板之表面。其後，使溶劑自含有昇華性物質的液體蒸發。藉此，於基板之表面上形成包含昇華性物質之固化膜。其後，使基板上之固化膜不經由液體而變化為氣體。藉此，將固化膜自基板之表面去除。因此，可相較於旋轉乾燥等習知之乾燥方法，使圖案之崩塌率降低。
本發明之又一實施形態提供一種基板乾燥方法，其係使形成有圖案之基板之表面乾燥者，且包括：昇華性物質選擇步驟，其係基於上述圖案之表面為親水性及疏水性中之何者而選擇昇華性物質；溶劑選擇步驟，其係於上述圖案之上述表面為親水性之情形時，選擇對水之溶解度小於上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質之親水用溶劑，於上述圖案之上述表面為疏水性之情形時，選擇對油之溶解度小於上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質之疏水用溶劑；溶解步驟，其係藉由使上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質溶解於上述溶劑選擇步驟中所選擇之上述溶劑，而製造包含上述昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體；含有昇華性物質的液體供給步驟，其係將上述溶解步驟中製成之上述含有昇華性物質的液體供給至上述基板之上述表面；固化膜形成步驟，其係藉由使上述溶劑自上述基板之上述表面上之上述含有昇華性物質的液體蒸發，而於上述基板之上述表面形成包含上述昇華性物質之固化膜；及昇華步驟，其係藉由使上述固化膜昇華，而將上述固化膜自上述基板之上述表面去除。
於該方法中，製造包含相當於溶質之昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體，並將所製成之含有昇華性物質的液體供給至形成有圖案之基板之表面。其後，使溶劑自含有昇華性物質的液體蒸發。藉此，於基板之表面上形成包含昇華性物質之固化膜。其後，使基板上之固化膜不經由液體而變化為氣體。藉此，將固化膜自基板之表面去除。因此，可相較於旋轉乾燥等習知之乾燥方法，使圖案之崩塌率降低。
於圖案之表面為親水性之情形時，含有昇華性物質的液體中包含對水之溶解度小於昇華性物質之溶劑。若圖案之表面為親水性且溶劑之親水性較高，則容易將溶劑保持於圖案之表面，故而形成固化膜之後仍殘留較多之溶劑於圖案之間。於此情形時，使圖案崩塌之崩塌力自溶劑施加至圖案。若使用親水性較低之溶劑，則可將形成固化膜之後殘留於圖案之間之溶劑減少至零或接近零之值。
於圖案之表面為疏水性之情形時，含有昇華性物質的液體中包含對油之溶解度小於昇華性物質之溶劑。若圖案之表面為疏水性且溶劑之疏水性較高，則容易將溶劑保持於圖案之表面，故而形成固化膜之後仍殘留較多之溶劑殘留於圖案之間。於此情形時，使圖案崩塌之崩塌力自溶劑施加至圖案。若使用疏水性較低之溶劑，則可將形成固化膜之後殘留於圖案之間之溶劑減少至零或接近零之值。
如此一來，無論圖案之表面為親水性及疏水性中之何者，含有昇華性物質的液體所包含之溶劑對圖案之表面之親和性均較含有昇華性物質的液體所包含之昇華性物質低。因此，可減少形成固化膜之後殘留於圖案之間之溶劑，從而可減弱形成固化膜時或形成之後施加於圖案之崩塌力。因此，無論圖案之表面為親水性及疏水性中之何者，均能夠以較低之圖案之崩塌率使基板乾燥。
於上述實施形態中，亦可將以下特徵之至少一者添加於上述基板乾燥方法。
上述基板乾燥方法進而包括性質判斷步驟，該性質判斷步驟係於上述圖案之上述表面中包含親水部及疏水部且上述圖案之側面之上端部為親水性時，於選擇上述昇華性物質及溶劑之前將上述圖案之上述表面視為親水性，於上述圖案之上述表面中包含上述親水部及疏水部且上述圖案之上述側面之上述上端部為疏水性時，於選擇上述昇華性物質及溶劑之前將上述圖案之上述表面視為疏水性。
於該方法中，於圖案之表面中包含親水部及疏水部之情形時，若圖案之側面之上端部為親水性，則將圖案之表面視為親水性。於圖案之表面中包含親水部及疏水部之情形時，若圖案之側面之上端部為疏水性，則將圖案之表面視為疏水性。即，基於圖案之側面之上端部之性質，而判斷圖案之表面為親水性及疏水性中之何者。
若於鄰接之2個凸狀圖案之間形成液面(氣體與液體之界面)，則因表面張力而產生之崩塌力施加於圖案。該崩塌力隨著自圖案之根部至液面之距離增加而增加。因此，即便在鄰接之2個凸狀圖案之間形成液面，只要自圖案之根部(下端)至液面之距離較短，則施加於圖案之崩塌力亦較弱。
於圖案之表面中包含親水部及疏水部且圖案之側面之上端部為親水性時，若將圖案之表面視為疏水性，則有形成固化膜之後溶劑之液面形成於圖案之側面之上端部從而較大之崩塌力施加於圖案之可能性。若將圖案之表面視為親水性，則即便溶劑之液面形成於圖案之間，溶劑之液面亦配置於圖案之根部側。藉此，可縮短自圖案之根部至液面之距離。
根據同樣之原因，於圖案之表面中包含親水部及疏水部且圖案之側面之上端部為疏水性時，若將圖案之表面視為疏水性，則即便溶劑之液面形成於圖案之間，亦可縮短自圖案之根部至液面之距離。藉此，可減弱施加於圖案之崩塌力，從而可使圖案之崩塌率降低。
本發明之又一實施形態提供一種基板處理裝置，其係使形成有圖案之基板之表面乾燥者，且包含：昇華性物質選擇單元，其基於上述圖案之表面為親水性及疏水性中之何者而選擇昇華性物質；溶劑選擇單元，其於上述圖案之上述表面為親水性之情形時，選擇對水之溶解度小於由上述昇華性物質選擇單元選擇之上述昇華性物質之親水用溶劑，於上述圖案之上述表面為疏水性之情形時，選擇對油之溶解度小於由上述昇華性物質選擇單元選擇之上述昇華性物質之疏水用溶劑；溶解單元，其藉由使由上述昇華性物質選擇手段選擇之上述昇華性物質溶解於由上述溶劑選擇單元選擇之上述溶劑，而製造包含上述昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體；含有昇華性物質的液體供給單元，其將藉由上述溶解單元製成之上述含有昇華性物質的液體供給至上述基板之上述表面；固化膜形成單元，其藉由使上述溶劑自上述基板之上述表面上之上述含有昇華性物質的液體蒸發，而於上述基板之上述表面形成包含上述昇華性物質之固化膜；及昇華單元，其藉由使上述固化膜昇華，而將上述固化膜自上述基板之上述表面去除。根據該構成，可發揮與上述基板乾燥方法同樣之效果。
圖案之表面為親水性及疏水性中之何者只要基於含有昇華性物質的液體最初與基板之表面接觸時之圖案之表面性質(親水性或疏水性)進行判斷即可。例如，存在如下情形：若供給含有昇華性物質的液體之前將藥液供給至基板之表面，則圖案之表面自親水性及疏水性中之一者變化為親水性及疏水性中之另一者。於此種情形時，只要基於供給藥液之後之圖案之表面之性質而選擇昇華性物質及溶劑即可。
於所選擇之上述昇華性物質不溶或難溶於所選擇之上述溶劑之情形時，上述溶解步驟亦可包括兩親分子添加步驟，該兩親分子添加步驟係藉由將所選擇之上述昇華性物質、所選擇之上述溶劑、以及含有親水基及疏水基之兩者之兩親分子混合，而使所選擇之上述昇華性物質溶解於所選擇之上述溶劑。上述溶解單元亦可包含兩親分子添加單元，該兩親分子添加單元藉由將所選擇之上述昇華性物質、所選擇之上述溶劑、以及含有親水基及疏水基之兩者之兩親分子混合，而使所選擇之上述昇華性物質溶解於所選擇之上述溶劑。於該等情形時，溶劑溶於兩親分子，昇華性物質溶於溶劑及兩親分子之混合液。因此，即便昇華性物質不溶或難溶於溶劑，亦可製造包含昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體。
上述昇華性物質選擇步驟亦可為如下步驟：於上述圖案之上述表面為親水性之情形時，選擇含有親水基之上述昇華性物質，於上述圖案之上述表面為疏水性之情形時，選擇含有疏水基之上述昇華性物質。上述昇華性物質選擇單元亦可為如下單元：於上述圖案之上述表面為親水性之情形時，選擇含有親水基之上述昇華性物質，於上述圖案之上述表面為疏水性之情形時，選擇含有疏水基之上述昇華性物質。於該等情形時，可製造一種包含對圖案之表面親和性較高之昇華性物質之含有昇華性物質的液體。因此，可進一步減少形成固化膜之後殘留於圖案之間之溶劑。
本發明之上述或其他目的、特徵及效果係參照隨附圖式於以下敍述藉實施形態之說明而明確。
於以下說明中，只要無特別說明，則基板處理裝置1內之氣壓設為維持於供設置基板處理裝置1之無塵室內之氣壓(例如1氣壓或其附近之值)。
圖1A係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之示意圖。圖1B係自側方觀察基板處理裝置1之示意圖。
如圖1A所示，基板處理裝置1係逐片地對半導體晶圓等圓板狀之基板W進行處理之單片式之裝置。基板處理裝置1具備保持收容基板W之載具CA之負載埠LP、藉由處理液或處理氣體等處理流體處理自負載埠LP上之載具CA搬送之基板W之數個處理單元2、於負載埠LP上之載具CA與處理單元2之間搬送基板W之搬送機器人、及控制基板處理裝置1之控制裝置3。
搬送機器人包含對負載埠LP上之載具CA進行基板W之搬入及搬出之分度機器人IR、以及對數個處理單元2進行基板W之搬入及搬出之中心機器人CR。分度機器人IR於負載埠LP與中心機器人CR之間搬送基板W，中心機器人CR於分度機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。中心機器人CR包含支持基板W之手H1，分度機器人IR包含支持基板W之手H2。
數個處理單元2形成在俯視下配置於中心機器人CR之周圍之數個塔TW。圖1A示出形成有4個塔TW之例。中心機器人CR可接近任一塔TW。如圖1B所示，各塔TW包含上下地積層之數個(例如3個)處理單元2。
如圖1A所示，基板處理裝置1具備收容閥等流體機器之數個(例如4個)流體盒FB。4個流體盒FB分別對應於4個塔TW。箱CC內之液體經由任一流體盒FB，供給至與該流體盒FB對應之塔TW所包含之全部處理單元2。基板處理裝置1之箱CC可配置於基板處理裝置1之外壁1a之周圍，亦可配置於設置基板處理裝置1之無塵室之地下。
圖2係水平地觀察基板處理裝置1所具備之處理單元2之內部之示意圖。
處理單元2係將處理液供給至基板W之濕式處理單元2w。處理單元2包含具有內部空間之箱型之腔室4、於腔室4內一面將1片基板W保持為水平一面使該基板W繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線A1旋轉之旋轉夾盤10、及繞旋轉軸線A1包圍旋轉夾盤10之筒狀之處理承杯21。
腔室4包含設置有供基板W通過之搬入搬出口5b之箱型之間隔壁5、及將搬入搬出口5b開閉之擋板7。FFU6(風扇過濾器單元)配置於間隔壁5之上部所設置之送風口5a之上。FFU6始終將潔淨空氣(已藉由過濾器過濾之空氣)自送風口5a供給至腔室4內。腔室4內之氣體通過連接於處理承杯21之底部之排氣管8而自腔室4排出。藉此，於腔室4內始終形成潔淨空氣之降流。由排氣管8排出之排氣之流量根據配置於排氣管8內之排氣閥9之開度而變更。
旋轉夾盤10包含以水平之姿勢被保持之圓板狀之旋轉基底12、於旋轉基底12之上方將基板W以水平之姿勢保持之數個夾盤銷11、自旋轉基底12之中央部向下方延伸之旋轉軸13、以及藉由使旋轉軸13旋轉而使旋轉基底12及數個夾盤銷11旋轉之旋轉馬達14。旋轉夾盤10並不限於使數個夾盤銷11與基板W之外周面接觸之夾持式之夾盤，亦可為藉由使作為非裝置形成面之基板W之背面(下表面)吸附於旋轉基底12之上表面12u而將基板W保持為水平之真空式之夾盤。
處理承杯21包含接住自基板W排出至外側之處理液之數個防護罩24、接住由數個防護罩24向下方導引之處理液之數個承杯23、以及包圍數個防護罩24及數個承杯23之圓筒狀之外壁構件22。圖2示出設置有4個防護罩24及3個承杯23且最外側之承杯23與自上而下之第3個防護罩24為一體之例。
防護罩24包含包圍旋轉夾盤10之圓筒部25、及自圓筒部25之上端部朝向旋轉軸線A1向斜上方延伸之圓環狀之頂部26。數個頂部26上下重疊，數個圓筒部25呈同心圓狀地配置。頂部26之圓環狀之上端相當於俯視下包圍基板W及旋轉基底12之防護罩24之上端24u。數個承杯23分別配置於數個圓筒部25之下方。承杯23形成接住由防護罩24向下方導引之處理液的環狀之受液槽。
處理單元2包含使數個防護罩24個別地升降之防護罩升降單元27。防護罩升降單元27使防護罩24位於自上位置至下位置為止之範圍內之任意位置。圖2示出2個防護罩24配置於上位置，剩餘2個防護罩24配置於下位置之狀態。上位置係防護罩24之上端24u配置於較供配置保持於旋轉夾盤10之基板W之保持位置更靠上方之位置。下位置係防護罩24之上端24u配置於較保持位置更靠下方之位置。
於將處理液供給至旋轉之基板W時，至少一個防護罩24配置於上位置。若於此狀態下，將處理液供給至基板W，則處理液自基板W向外側甩出。所甩出之處理液與水平地與基板W對向之防護罩24之內表面碰撞，而被導引至對應於該防護罩24之承杯23。藉此，將自基板W排出之處理液收集至承杯23。
處理單元2包含朝向保持於旋轉夾盤10之基板W噴出處理液之數個噴嘴。數個噴嘴包含朝向基板W之上表面噴出藥液之藥液噴嘴31、朝向基板W之上表面噴出沖洗液之沖洗液噴嘴35、朝向基板W之上表面噴出含有昇華性物質的液體之含有昇華性物質的液體噴嘴39、及朝向基板W之上表面噴出置換液之置換液噴嘴43。
藥液噴嘴31可為能夠於腔室4內水平地移動之掃描噴嘴，亦可為相對於腔室4之間隔壁5固定之固定噴嘴。沖洗液噴嘴35、含有昇華性物質的液體噴嘴39、及置換液噴嘴43亦相同。圖2示出如下之例：藥液噴嘴31、沖洗液噴嘴35、含有昇華性物質的液體噴嘴39、及置換液噴嘴43為掃描噴嘴，且設置有分別對應於該等4個噴嘴之4個噴嘴移動單元。
藥液噴嘴31連接於將藥液導引至藥液噴嘴31之藥液配管32。若打開介裝於藥液配管32之藥液閥33，則將藥液自藥液噴嘴31之噴出口向下方連續地噴出。自藥液噴嘴31噴出之藥液可為包含硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、乙酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：氫氧化四甲銨等)、界面活性劑、及防腐蝕劑中之至少1者之液體，亦可為除此以外之液體。
雖未圖示，但藥液閥33包含：閥體，其設置有供藥液通過之環狀之閥座；閥體，其可相對於閥座移動；及致動器，其使閥體於閥體接觸閥座之關閉位置與閥體自閥座分離之打開位置之間移動。其他閥亦相同。致動器可為氣壓致動器或電動致動器，亦可為除該等以外之致動器。控制裝置3藉由控制致動器，而使藥液閥33開閉。
藥液噴嘴31連接於使藥液噴嘴31於鉛直方向及水平方向中之至少一個方向上移動之噴嘴移動單元34。噴嘴移動單元34使藥液噴嘴31於處理位置與待機位置之間水平地移動，上述處理位置係將自藥液噴嘴31噴出之藥液供給至基板W之上表面之位置，上述待機位置係藥液噴嘴31於俯視下位於處理承杯21之周圍之位置。
沖洗液噴嘴35連接於將沖洗液導引至沖洗液噴嘴35之沖洗液配管36。若打開介裝於沖洗液配管36之沖洗液閥37，則將沖洗液自沖洗液噴嘴35之噴出口向下方連續地噴出。自沖洗液噴嘴35噴出之沖洗液例如為純水(去離子水：DIW(Deionized Water))。沖洗液亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10～100 ppm左右)之鹽酸水中之任一者。
沖洗液噴嘴35連接於使沖洗液噴嘴35於鉛直方向及水平方向中之至少一方向上移動之噴嘴移動單元38。噴嘴移動單元38使沖洗液噴嘴35於處理位置與待機位置之間水平地移動，上述處理位置係將自沖洗液噴嘴35噴出之沖洗液供給至基板W之上表面之位置，上述待機位置係沖洗液噴嘴35於俯視下位於處理承杯21之周圍之位置。
含有昇華性物質的液體噴嘴39連接於將處理液導引至含有昇華性物質的液體噴嘴39之含有昇華性物質的液體配管40。若打開介裝於含有昇華性物質的液體配管40之含有昇華性物質的液體閥41，則將含有昇華性物質的液體自含有昇華性物質的液體噴嘴39之噴出口向下方連續地噴出。同樣地，置換液噴嘴43連接於將置換液導引至置換液噴嘴43之置換液配管44。若打開介裝於置換液配管44之置換液閥45，則將置換液自置換液噴嘴43之噴出口向下方連續地噴出。
含有昇華性物質的液體係包含相當於溶質之昇華性物質、及與昇華性物質相溶之溶劑之溶液。含有昇華性物質的液體亦可進而包含除昇華性物質及溶劑以外之物質。昇華性物質亦可為於常溫(與室溫同義)或常壓(基板處理裝置1內之壓力；例如1氣壓或其附近之值)下自固體不經由液體而直接轉變為氣體之物質。
含有昇華性物質的液體之凝固點(1氣壓下之凝固點；以下相同)低於室溫(例如23℃或其附近之值)。基板處理裝置1配置於維持於室溫之無塵室內。因此，即便不對含有昇華性物質的液體加熱，亦可將含有昇華性物質的液體維持為液體。昇華性物質之凝固點高於含有昇華性物質的液體之凝固點。昇華性物質之凝固點高於室溫。於室溫下，昇華性物質為固體。昇華性物質之凝固點亦可高於溶劑之沸點。溶劑之蒸氣壓則較昇華性物質之蒸氣壓高。
昇華性物質例如可為2-甲基-2-丙醇(別名：第三丁基醇(tert-butyl alcohol、t-butyl alcohol、tertiary butyl alcohol))或環己醇等醇類、氫氟碳化合物、1,3,5-三㗁烷(別名：三聚甲醛)、樟腦(別名：camphre、camphor)、萘、及碘中之任一者，亦可為除該等以外之物質。
溶劑例如可為自純水、IPA、甲醇、HFE(氫氟醚)、丙酮、PGMEA(丙二醇單甲醚乙酸酯)、PGEE(丙二醇單***、1-乙氧基-2-丙醇)、及乙二醇所組成之群組中選擇之至少1種。IPA之蒸氣壓較水高，表面張力較水低。
如下所述，置換液被供給至由沖洗液之液膜覆蓋之基板W之上表面，含有昇華性物質的液體被供給至由置換液之液膜覆蓋之基板W之上表面。只要與沖洗液及含有昇華性物質的液體之兩者相溶，則置換液可為任何液體。置換液例如為IPA(液體)。置換液亦可為IPA及HFE之混合液，還可為除該等以外之液體。
若將置換液供給至由沖洗液之液膜覆蓋之基板W之上表面，則基板W上之大部分沖洗液由置換液沖走，並自基板W排出。剩餘之微量沖洗液溶入至置換液，並於置換液中擴散。擴散之沖洗液與置換液一起自基板W排出。因此，可有效率地將基板W上之沖洗液置換為置換液。根據同樣之原因，可有效率地將基板W上之置換液置換為含有昇華性物質的液體。藉此，可減少基板W上之含有昇華性物質的液體所包含之沖洗液。
含有昇華性物質的液體噴嘴39連接於使含有昇華性物質的液體噴嘴39於鉛直方向及水平方向中之至少一方向上移動之噴嘴移動單元42。噴嘴移動單元42使含有昇華性物質的液體噴嘴39於處理位置與待機位置之間水平地移動，上述處理位置係將自含有昇華性物質的液體噴嘴39噴出之含有昇華性物質的液體供給至基板W之上表面之位置，上述待機位置係含有昇華性物質的液體噴嘴39於俯視下位於處理承杯21之周圍之位置。
同樣地，置換液噴嘴43連接於使置換液噴嘴43於鉛直方向及水平方向中之至少一方向上移動之噴嘴移動單元46。噴嘴移動單元46使置換液噴嘴43於處理位置與待機位置之間水平地移動，上述處理位置係將自置換液噴嘴43噴出之置換液供給至基板W之上表面之位置，上述待機位置係置換液噴嘴43於俯視下位於處理承杯21之周圍之位置。
處理單元2包含配置於旋轉夾盤10之上方之阻斷構件51。圖2示出阻斷構件51為圓板狀之阻斷板之例。阻斷構件51包含水平地配置於旋轉夾盤10之上方之圓板部52。阻斷構件51由自圓板部52之中央部向上方延伸之筒狀之心軸53水平地支持。圓板部52之中心線配置於基板W之旋轉軸線A1上。圓板部52之下表面相當於阻斷構件51之下表面51L。阻斷構件51之下表面51L係與基板W之上表面對向之對向面。阻斷構件51之下表面51L與基板W之上表面平行，並具有基板W之直徑以上之外徑。
阻斷構件51連接於使阻斷構件51鉛直地升降之阻斷構件升降單元54。阻斷構件升降單元54使阻斷構件51位於自上位置(圖2所示之位置)至下位置為止之範圍內之任意位置。下位置係阻斷構件51之下表面51L與基板W之上表面接近至高度為藥液噴嘴31等掃描噴嘴無法進入至基板W與阻斷構件51之間之高度的接近位置。上位置係阻斷構件51退避至掃描噴嘴可進入至阻斷構件51與基板W之間之高度之分離位置。
數個噴嘴包含中心噴嘴55，該中心噴嘴55經由在阻斷構件51之下表面51L之中央部開口之***開口61而將處理液或處理氣體等處理流體向下方噴出。中心噴嘴55沿著旋轉軸線A1而上下延伸。中心噴嘴55配置於上下地貫通阻斷構件51之中央部之貫通孔內。阻斷構件51之內周面於徑向(與旋轉軸線A1正交之方向)上隔開間隔地包圍中心噴嘴55之外周面。中心噴嘴55與阻斷構件51一起升降。噴出處理流體之中心噴嘴55之噴出口配置於阻斷構件51之***開口61之上方。
中心噴嘴55連接於將惰性氣體導引至中心噴嘴55之上氣體配管56。基板處理裝置1亦可具備對自中心噴嘴55噴出之惰性氣體加熱或冷卻之上溫度調節器59。若打開介裝於上氣體配管56之上氣體閥57，則將惰性氣體以對應於變更惰性氣體之流量之流量調整閥58之開度的流量自中心噴嘴55之噴出口向下方連續地噴出。自中心噴嘴55噴出之惰性氣體為氮氣。惰性氣體亦可為氦氣或氬氣等除氮氣以外之氣體。
阻斷構件51之內周面與中心噴嘴55之外周面形成上下延伸之筒狀之上氣體流路62。上氣體流路62連接於將惰性氣體導引至阻斷構件51之***開口61之上氣體配管63。基板處理裝置1亦可具備對自阻斷構件51之***開口61噴出之惰性氣體加熱或冷卻之上溫度調節器66。若打開介裝於上氣體配管63之上氣體閥64，則將惰性氣體以對應於變更惰性氣體之流量之流量調整閥65之開度的流量自阻斷構件51之***開口61向下方連續地噴出。自阻斷構件51之***開口61噴出之惰性氣體為氮氣。惰性氣體亦可為氦氣或氬氣等除氮氣以外之氣體。
數個噴嘴包含朝向基板W之下表面中央部噴出處理液之下表面噴嘴71。下表面噴嘴71包含配置於旋轉基底12之上表面12u與基板W之下表面之間之噴嘴圓板部、及自噴嘴圓板部向下方延伸之噴嘴筒狀部。下表面噴嘴71之噴出口於噴嘴圓板部之上表面中央部開口。於基板W保持於旋轉夾盤10時，下表面噴嘴71之噴出口與基板W之下表面中央部上下地對向。
下表面噴嘴71連接於將作為加熱流體之一例之溫水(溫度高於室溫之純水)導引至下表面噴嘴71之加熱流體配管72。供給至下表面噴嘴71之純水由介裝於加熱流體配管72之加熱器75加熱。若打開介裝於加熱流體配管72之加熱流體閥73，則將溫水以對應於變更溫水之流量之流量調整閥74之開度的流量自下表面噴嘴71之噴出口向上方連續地噴出。藉此，將溫水供給至基板W之下表面。
下表面噴嘴71進而連接於將作為冷卻流體之一例之冷水(溫度低於室溫之純水)導引至下表面噴嘴71之冷卻流體配管76。供給至下表面噴嘴71之純水由介裝於冷卻流體配管76之冷卻器79冷卻。若打開介裝於冷卻流體配管76之冷卻流體閥77，則將冷水以對應於變更冷水之流量之流量調整閥78之開度的流量自下表面噴嘴71之噴出口向上方連續地噴出。藉此，將冷水供給至基板W之下表面。
下表面噴嘴71之外周面與旋轉基底12之內周面形成上下延伸之筒狀之下氣體流路82。下氣體流路82包含在旋轉基底12之上表面12u之中央部開口之下中央開口81。下氣體流路82連接於將惰性氣體導引至旋轉基底12之下中央開口81之下氣體配管83。基板處理裝置1亦可具備對自旋轉基底12之下中央開口81噴出之惰性氣體加熱或冷卻之下溫度調節器86。若打開介裝於下氣體配管83之下氣體閥84，則將惰性氣體以對應於變更惰性氣體之流量之流量調整閥85之開度的流量自旋轉基底12之下中央開口81向上方連續地噴出。
自旋轉基底12之下中央開口81噴出之惰性氣體為氮氣。惰性氣體亦可為氦氣或氬氣等除氮氣以外之氣體。於基板W保持於旋轉夾盤10時，若旋轉基底12之下中央開口81噴出氮氣，則氮氣於基板W之下表面與旋轉基底12之上表面12u之間於所有方向上呈放射狀地流動。藉此，基板W與旋轉基底12之間之空間充滿氮氣。
其次，對含有昇華性物質的液體供給單元99進行說明。
圖3係表示基板處理裝置1所具備之含有昇華性物質的液體供給單元99之示意圖。圖4係表示由基板處理裝置1處理之基板W之剖面之例的剖面圖。
如圖3所示，基板處理裝置1具備將含有昇華性物質的液體供給至保持於旋轉夾盤10之基板W之含有昇華性物質的液體供給單元99。上述含有昇華性物質的液體噴嘴39、含有昇華性物質的液體配管40、及含有昇華性物質的液體閥41包含於含有昇華性物質的液體供給單元99。
含有昇華性物質的液體供給單元99包含貯存相當於原液之含有昇華性物質的液體之原液罐87、使原液罐87內之含有昇華性物質的液體循環之循環配管88、將原液罐87內之含有昇華性物質的液體輸送至循環配管88之泵89、及將循環配管88內之含有昇華性物質的液體導引至含有昇華性物質的液體配管40之個別配管90。含有昇華性物質的液體供給單元99進而包含將個別配管90之內部開閉之開閉閥91、及變更自個別配管90供給至含有昇華性物質的液體配管40之含有昇華性物質的液體之流量之流量調整閥92。
含有昇華性物質的液體供給單元99包含貯存稀釋含有昇華性物質的液體之稀釋液之稀釋液罐93。稀釋液例如為與原液罐87內之含有昇華性物質的液體所包含之溶劑同一名稱之溶劑。稀釋液供給單元包含使稀釋液罐93內之稀釋液循環之循環配管94、將稀釋液罐93內之稀釋液輸送至循環配管94之泵95、及將循環配管94內之稀釋液導引至含有昇華性物質的液體配管40之個別配管96。稀釋液供給單元進而包含將個別配管96之內部開閉之開閉閥97、及變更自個別配管96供給至含有昇華性物質的液體配管40之稀釋液之流量之流量調整閥98。
若將開閉閥91打開，則將含有昇華性物質的液體以對應於流量調整閥92之開度之流量供給至含有昇華性物質的液體配管40。若將開閉閥97打開，則將稀釋液以對應於流量調整閥98之開度之流量供給至含有昇華性物質的液體配管40。若將開閉閥91及開閉閥97之兩者打開，則將自原液罐87供給之含有昇華性物質的液體與自稀釋液罐93供給之稀釋液於含有昇華性物質的液體配管40內混合並稀釋。因此，將稀釋後之含有昇華性物質的液體自含有昇華性物質的液體噴嘴39噴出。
控制裝置3基於由下述配方指定之含有昇華性物質的液體之濃度(昇華性物質之濃度)，而設定開閉閥91、流量調整閥92、開閉閥97、及流量調整閥98之開度。例如，於由配方指定之含有昇華性物質的液體之濃度與原液罐87內之含有昇華性物質的液體之濃度一致之情形時，將開閉閥91打開，並將開閉閥97關閉。於由配方指定之含有昇華性物質的液體之濃度低於原液罐87內之含有昇華性物質的液體之濃度之情形時，將開閉閥91及開閉閥97之兩者打開，並調整流量調整閥92及流量調整閥98之開度。藉此，使自含有昇華性物質的液體噴嘴39噴出之含有昇華性物質的液體之濃度接近由配方指定之含有昇華性物質的液體之濃度。
含有昇華性物質的液體根據由基板處理裝置1處理之基板W而進行選擇，於開始基板處理裝置1中之基板W之處理之前貯存於原液罐87。於形成於基板W之表面之圖案P1(參照圖4)之表面為親水性的情形時，選擇含有親水基之昇華性物質、及水之溶解度小於該昇華性物質之親水用溶劑。於形成於基板W之表面之圖案P1之表面為疏水性的情形時，選擇含有疏水基之昇華性物質、及對油之溶解度小於該昇華性物質之疏水用溶劑。其後，使所選擇之昇華性物質溶解於所選擇之溶劑。藉此，製造包含所選擇之昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體。昇華性物質對溶劑之溶解可於原液罐87內進行，亦可於與原液罐87不同之罐內進行。
原液罐87內之含有昇華性物質的液體可包含2種以上之昇華性物質，亦可包含2種以上之溶劑。原液罐87內之含有昇華性物質的液體亦可進而包含除昇華性物質及溶劑以外之物質。例如，亦可於含有昇華性物質的液體中包含含有親水基及疏水基之兩者之兩親分子。於此情形時，溶劑亦可並非醇等在分子中含有親水基及疏水基之兩者之物質。
於圖案P1之表面為親水性且含有昇華性物質的液體中包含2種以上之昇華性物質之情形時，只要至少1種昇華性物質含有親水基即可。於此情形時，只要溶劑對水之溶解度小於含有親水基之昇華性物質對水之溶解度即可。於圖案P1之表面為親水性且含有昇華性物質的液體中包含2種以上之溶劑之情形時，較佳為對所有種類之溶劑之水的溶解度均較對含有親水基之昇華性物質之水的溶解度小。
於圖案P1之表面為疏水性且含有昇華性物質的液體中包含2種以上之昇華性物質之情形時，只要至少1種昇華性物質含有疏水基即可。於此情形時，只要溶劑對油之溶解度小於含有疏水基之昇華性物質對油之溶解度即可。於圖案P1之表面為疏水性且含有昇華性物質的液體中包含2種以上之溶劑之情形時，較佳為對所有種類之溶劑之油的溶解度均較對含有疏水基之昇華性物質之油的溶解度小。
於圖案P1之表面為親水性之情形時，含有昇華性物質的液體可為包含樟腦、第三丁基醇、及IPA之溶液、或包含樟腦、IPA、第1溶質、第2溶質、及第1溶劑之溶液，亦可為除該等以外之溶液。第1溶質、第2溶質、及第1溶劑之具體例如下所述。於圖案P1之表面為疏水性之情形時，含有昇華性物質的液體可為包含樟腦及IPA之溶液、或包含樟腦及甲醇之溶液，亦可為除該等以外之溶液。樟腦係於分子中含有作為疏水基之一例之甲基之昇華性物質。第三丁基醇係於分子中含有作為疏水基之一例之甲基、及作為親水基之一例之羥基之昇華性物質。
第1溶質及第2溶質分別為單獨之物質。第1溶質及第2溶質為互不相同之物質。第1溶質及第2溶質分別含有胺基、羥基及羰基中之至少一者。
第1溶質及第2溶質分別為鄰苯二甲酸酐、咖啡因、三聚氰胺、1,4-苯醌、樟腦、六亞甲基四胺、六氫-1,3,5-三甲基-1,3,5-三𠯤、1-金剛烷醇、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷、𦯉、(-)-𦯉、(±)-異𦯉、1,2-環己烷二酮、1,3-環己烷二酮、1,4-環己烷二酮、3-甲基-1,2-環戊烷二酮、(±)-樟腦醌、(-)-樟腦醌、(+)-樟腦醌、1-金剛烷胺中之任一者。
第1溶劑可不包含純水，亦可包含純水及除純水以外之1種以上之物質。第1溶劑亦可包含有機溶劑。有機溶劑可為單獨之物質，亦可為2種以上之物質之混合物。
作為有機溶劑之例，可列舉：甲醇(MeOH)、乙醇(EtOH)、異丙醇(IPA)等醇類；己烷、庚烷、辛烷等烷烴類；乙基丁基醚、二丁基醚、四氫呋喃(THF)等醚類；乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)等乳酸酯類；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、2-庚酮、環戊酮、環己酮等酮類；N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺類；y-丁內酯等內酯類等。
作為上述醚類，此外可列舉：乙二醇單甲醚、乙二醇單***等乙二醇單烷基醚類；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單***乙酸酯等乙二醇單烷基醚乙酸酯類；丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單***(PGEE)等丙二醇單烷基醚類；丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單***乙酸酯等丙二醇單烷基醚乙酸酯類。
如圖4(a)所示，於圖案P1之表面之全域、即圖案P1之上表面Pu之全域與圖案P1之側面Ps之全域為相同性質之情形時，只要圖案P1之表面之任一部分為親水性，則判斷圖案P1之表面為親水性。於圖案P1之表面之全域為相同性質之情形時，只要圖案P1之表面之任一部分為疏水性，則判斷圖案P1之表面為疏水性。於此情形時，若水相對於圖案P1之表面之接觸角例如為60度以下，則判斷圖案P1之表面為親水性。於圖案P1之表面之全域為相同性質之情形時，圖案P1可為單層膜及積層膜中之任一者。
另一方面，於如圖4(b)所示，圖案P1之表面中包含親水部及疏水部且圖案P1之側面Ps之上端部Px為親水性時，將圖案P1之表面視為親水性。於圖案P1之表面中包含親水部及疏水部且圖案P1之側面Ps之上端部Px為疏水性時，將圖案P1之表面視為疏水性。即，於圖案P1之表面中包含親水部及疏水部之情形時，基於圖案P1之側面Ps之上端部Px之性質，而判斷圖案P1之表面為親水性及疏水性中之何者。
圖5係表示控制裝置3之硬體之方塊圖。
控制裝置3係包含電腦本體3a、及連接於電腦本體3a之周邊裝置3d之電腦。電腦本體3a包含執行各種命令之CPU3b(central processing unit：中央處理裝置)、及記憶資訊之主記憶裝置3c。周邊裝置3d包含記憶程式P等資訊之輔助記憶裝置3e、自可移除式媒體RM讀取資訊之讀取裝置3f、及與主電腦等其他裝置通信之通信裝置3g。
控制裝置3連接於輸入裝置及顯示裝置。輸入裝置係於使用者或負責維護人員等操作者將資訊輸入至基板處理裝置1時***作。資訊顯示於顯示裝置之畫面。輸入裝置可為鍵盤、指向裝置、及觸控面板中之任一者，亦可為除該等以外之裝置。亦可將兼作輸入裝置及顯示裝置之觸控面板顯示器設置於基板處理裝置1。
CPU3b執行輔助記憶裝置3e中所記憶之程式P。輔助記憶裝置3e內之程式P可為預先安裝於控制裝置3者，亦可為通過讀取裝置3f自可移除式媒體RM傳送至輔助記憶裝置3e者，還可為自主電腦等外部裝置通過通信裝置3g傳送至輔助記憶裝置3e者。
輔助記憶裝置3e及可移除式媒體RM係即便不供給電力亦保持記憶之非揮發性記憶體。輔助記憶裝置3e例如為硬式磁碟機等磁記憶裝置。可移除式媒體RM例如為CD(compact disk)等光碟或記憶卡等半導體記憶體。可移除式媒體RM係記錄有程式P之電腦可讀取之記錄媒體之一例。可移除式媒體RM係非暫時之有形之記錄媒體(non-transitory tangible recording medium)。
輔助記憶裝置3e記憶有數個配方。配方係規定基板W之處理內容、處理條件、及處理順序之資訊。數個配方於基板W之處理內容、處理條件、及處理順序之至少一者中互不相同。控制裝置3以依照由主電腦指定之配方處理基板W之方式控制基板處理裝置1。控制裝置3以執行以下各步驟之方式被程式化。
圖6係用以對由基板處理裝置1進行之基板W之處理之一例進行說明的步驟圖。以下，參照圖2及圖6。
所處理之基板W例如為矽晶圓等半導體晶圓。基板W之表面相當於供形成電晶體或電容器等裝置之裝置形成面。基板W可為於作為圖案形成面之基板W之表面形成有圖案P1(參照圖7A)之基板W，亦可為於基板W之表面未形成圖案P1之基板W。於後者之情形時，亦可於下述藥液供給步驟中形成圖案P1。
於藉由基板處理裝置1處理基板W時，進行將基板W搬入至腔室4內之搬入步驟(圖6之步驟S1)。
具體而言，於阻斷構件51位於上位置，防護罩24全部位於下位置，且掃描噴嘴全部位於待機位置之狀態下，中心機器人CR(參照圖1A)一面藉由手H1支持基板W一面使手H1進入至腔室4內。繼而，中心機器人CR將手H1上之基板W以基板W之表面朝上之狀態放置於數個夾盤銷11之上。其後，將數個夾盤銷11壓抵於基板W之外周面，從而固持基板W。中心機器人CR將基板W放置於旋轉夾盤10之上之後，使手H1自腔室4之內部退避。
繼而，打開上氣體閥64及下氣體閥84，從而阻斷構件51之***開口61及旋轉基底12之下中央開口81開始噴出氮氣。藉此，基板W與阻斷構件51之間之空間由氮氣充滿。同樣地，基板W與旋轉基底12之間之空間由氮氣充滿。另一方面，防護罩升降單元27使至少一個防護罩24自下位置上升至上位置。其後，驅動旋轉馬達14，而開始基板W之旋轉(圖6之步驟S2)。藉此，基板W以液體供給速度旋轉。
繼而，進行藥液供給步驟(圖6之步驟S3)，該步驟係將藥液供給至基板W之上表面，而形成覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜。
具體而言，於阻斷構件51位於上位置且至少一個防護罩24位於上位置之狀態下，噴嘴移動單元34使藥液噴嘴31自待機位置移動至處理位置。其後，打開藥液閥33，從而藥液噴嘴31開始噴出藥液。若打開藥液閥33之後經過既定時間，則關閉藥液閥33，從而停止噴出藥液。其後，噴嘴移動單元34使藥液噴嘴31移動至待機位置。
自藥液噴嘴31噴出之藥液與以液體供給速度旋轉之基板W之上表面碰撞之後，藉由離心力而沿著基板W之上表面向外側流動。因此，將藥液供給至基板W之上表面全域，而形成覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜。於藥液噴嘴31噴出藥液時，噴嘴移動單元34可使藥液相對於基板W之上表面之著液位置以著液位置通過中央部及外周部之方式移動，亦可使著液位置於中央部靜止。
繼而，進行沖洗液供給步驟(圖6之步驟S4)，該步驟係將作為沖洗液之一例之純水供給至基板W之上表面而對基板W上之藥液進行沖洗。
具體而言，於阻斷構件51位於上位置且至少一個防護罩24位於上位置之狀態下，噴嘴移動單元38使沖洗液噴嘴35自待機位置移動至處理位置。其後，打開沖洗液閥37，從而沖洗液噴嘴35開始噴出沖洗液。於開始噴出純水之前，防護罩升降單元27亦可為了切換接住自基板W排出之液體之防護罩24，而使至少一個防護罩24鉛直地移動。若打開沖洗液閥37之後經過既定時間，則關閉沖洗液閥37，從而停止沖洗液之噴出。其後，噴嘴移動單元38使沖洗液噴嘴35移動至待機位置。
自沖洗液噴嘴35噴出之純水與以液體供給速度旋轉之基板W之上表面碰撞之後，藉由離心力而沿著基板W之上表面向外側流動。基板W上之藥液被置換為自沖洗液噴嘴35噴出之純水。藉此，形成覆蓋基板W之上表面全域之純水之液膜。於沖洗液噴嘴35噴出純水時，噴嘴移動單元38可使純水相對於基板W之上表面之著液位置以著液位置通過中央部及外周部之方式移動，亦可使著液位置於中央部靜止。
繼而，進行置換液供給步驟(圖6之步驟S5)，該步驟係將與沖洗液及含有昇華性物質的液體之兩者相溶之置換液供給至基板W之上表面，而將基板W上之純水置換為置換液。
具體而言，於阻斷構件51位於上位置且至少一個防護罩24位於上位置之狀態下，噴嘴移動單元46使置換液噴嘴43自待機位置移動至處理位置。其後，打開置換液閥45，從而置換液噴嘴43開始噴出置換液。於開始噴出置換液之前，防護罩升降單元27亦可為了切換接住自基板W排出之液體之防護罩24，而使至少一個防護罩24鉛直地移動。若打開置換液閥45之後經過既定時間，則關閉置換液閥45，從而停止噴出置換液。其後，噴嘴移動單元46使置換液噴嘴43移動至待機位置。
自置換液噴嘴43噴出之置換液與以液體供給速度旋轉之基板W之上表面碰撞之後，藉由離心力而沿著基板W之上表面向外側流動。基板W上之純水被置換為自置換液噴嘴43噴出之置換液。藉此，形成覆蓋基板W之上表面全域之置換液之液膜。於置換液噴嘴43噴出置換液時，噴嘴移動單元46可使置換液相對於基板W之上表面之著液位置以著液位置通過中央部及外周部之方式移動，亦可使著液位置於中央部靜止。又，亦可於覆蓋基板W之上表面全域之置換液之液膜形成之後，一面使置換液噴嘴43停止噴出置換液，一面使基板W以覆液速度(例如超過0且20 rpm以下之速度)旋轉。
繼而，進行含有昇華性物質的液體供給步驟(圖6之步驟S6)，該步驟係將含有昇華性物質的液體供給至基板W之上表面，而於基板W上形成含有昇華性物質的液體之液膜。
具體而言，於阻斷構件51位於上位置且至少一個防護罩24位於上位置之狀態下，噴嘴移動單元42使含有昇華性物質的液體噴嘴39自待機位置移動至處理位置。其後，打開含有昇華性物質的液體閥41，從而含有昇華性物質的液體噴嘴39開始噴出含有昇華性物質的液體。於開始噴出含有昇華性物質的液體之前，防護罩升降單元27亦可為了切換接住自基板W排出之液體之防護罩24，而使至少一個防護罩24鉛直地移動。若打開含有昇華性物質的液體閥41之後經過既定時間，則關閉含有昇華性物質的液體閥41，而停止噴出含有昇華性物質的液體。其後，噴嘴移動單元42使含有昇華性物質的液體噴嘴39移動至待機位置。
自含有昇華性物質的液體噴嘴39噴出之含有昇華性物質的液體與以液體供給速度旋轉之基板W之上表面碰撞之後，藉由離心力而沿著基板W之上表面向外側流動。基板W上之置換液被置換為自含有昇華性物質的液體噴嘴39噴出之含有昇華性物質的液體。藉此，形成覆蓋基板W之上表面全域之含有昇華性物質的液體之液膜。於含有昇華性物質的液體噴嘴39噴出含有昇華性物質的液體時，噴嘴移動單元42可使含有昇華性物質的液體相對於基板W之上表面之著液位置以著液位置通過中央部及外周部之方式移動，亦可使著液位置於中央部靜止。
繼而，進行膜厚減少步驟(圖6之步驟S7)，該步驟係將基板W上之含有昇華性物質的液體之一部分去除，而一面維持基板W之上表面全域由含有昇華性物質的液體之液膜覆蓋之狀態，一面使基板W上之含有昇華性物質的液體之膜厚(液膜之厚度)減少。
具體而言，於阻斷構件51位於下位置之狀態下，旋轉馬達14將基板W之旋轉速度維持於膜厚減少速度。膜厚減少速度可與液體供給速度相等，亦可不同。基板W上之含有昇華性物質的液體於停止噴出含有昇華性物質的液體之後，亦藉由離心力而自基板W向外側排出。因此，基板W上之含有昇華性物質的液體之液膜之厚度減少。若某種程度地排出基板W上之含有昇華性物質的液體，則每單位時間之含有昇華性物質的液體自基板W之排出量減少至零或大致減少至零。藉此，基板W上之含有昇華性物質的液體之液膜之厚度穩定於與基板W之旋轉速度相對應之值。
繼而，進行固化膜形成步驟(圖6之步驟S8)，該步驟係使溶劑自基板W上之含有昇華性物質的液體蒸發，而於基板W上形成包含昇華性物質之固化膜SF(參照圖7B)。
具體而言，於阻斷構件51位於下位置之狀態下，旋轉馬達14將基板W之旋轉速度維持於固化膜形成速度。固化膜形成速度可與液體供給速度相等，亦可不同。進而，打開上氣體閥57，使中心噴嘴55開始噴出氮氣。亦可除打開上氣體閥57以外，還變更流量調整閥65之開度，增加自阻斷構件51之***開口61噴出之氮氣之流量，或者代替打開上氣體閥57而變更流量調整閥65之開度，增加自阻斷構件51之***開口61噴出之氮氣之流量。
若開始使基板W以固化膜形成速度旋轉等，則促進含有昇華性物質的液體之蒸發，從而基板W上之含有昇華性物質的液體之一部分蒸發。由於溶劑之蒸氣壓高於相當於溶質之昇華性物質之蒸氣壓，故而溶劑以較昇華性物質之蒸發速度大之蒸發速度蒸發。因此，昇華性物質之濃度一面緩緩地增加，含有昇華性物質的液體之膜厚一面緩緩地減少。含有昇華性物質的液體之凝固點伴隨著昇華性物質之濃度之上升而上升。若含有昇華性物質的液體之凝固點與含有昇華性物質的液體之溫度一致，則含有昇華性物質的液體開始凝固，從而形成相當於覆蓋基板W之上表面全域之凝固體之固化膜SF。
繼而，進行昇華步驟(圖6之步驟S9)，該步驟係使基板W上之固化膜SF昇華而自基板W之上表面去除。
具體而言，於阻斷構件51位於下位置之狀態下，旋轉馬達14將基板W之旋轉速度維持於昇華速度。昇華速度可與液體供給速度相等，亦可不同。進而，於上氣體閥57正關閉之情形時，打開上氣體閥57，使中心噴嘴55開始噴出氮氣。亦可除打開上氣體閥57以外還變更流量調整閥65之開度，增加自阻斷構件51之***開口61噴出之氮氣之流量，或代替打開上氣體閥57而變更流量調整閥65之開度，增加自阻斷構件51之***開口61噴出之氮氣之流量。若開始使基板W以昇華速度旋轉之後經過既定時間，則旋轉馬達14停止，從而使基板W之旋轉停止(圖6之步驟S10)。
若開始使基板W以昇華速度旋轉等，則基板W上之固化膜SF開始昇華，從而自基板W上之固化膜SF產生包含昇華性物質之氣體。自固化膜SF產生之氣體(包含昇華性物質之氣體)於基板W與阻斷構件51之間之空間呈放射狀地流動，並自基板W之上方排出。繼而，若昇華開始之後經過某種程度之時間，則固化膜SF全部自基板W去除。
繼而，進行將基板W自腔室4搬出之搬出步驟(圖6之步驟S11)。
具體而言，阻斷構件升降單元54使阻斷構件51上升至上位置，且防護罩升降單元27使防護罩24全部下降至下位置。進而，關閉上氣體閥64及下氣體閥84，從而阻斷構件51之***開口61及旋轉基底12之下中央開口81停止噴出氮氣。其後，中心機器人CR使手H1進入至腔室4內。中心機器人CR於數個夾盤銷11解除基板W之固持之後，藉由手H1支持旋轉夾盤10上之基板W。其後，中心機器人CR一面藉由手H1支持基板W，一面使手H1自腔室4之內部退避。藉此，將經處理過之基板W自腔室4搬出。
圖7A～圖7F係用以對如下現象進行說明之示意圖，該現象係假定為於圖6所示之基板W之處理中將含有昇華性物質的液體供給至基板W之上表面之後至將固化膜SF自基板W之上表面去除之前的期間產生者。
以下，對圖案P1之表面之全域為親水性且含有昇華性物質的液體中包含含有親水基之昇華性物質、及作為溶劑之IPA之情形進行說明。於以下說明中，含有親水基之昇華性物質對水之溶解度設為大於IPA對水之溶解度。
如圖7A所示，含有昇華性物質的液體於基板W旋轉且基板W之上表面由置換液之液膜覆蓋之狀態下被供給至基板W之上表面。藉此，如圖7B所示，將置換液自圖案P1之間排出，而圖案P1之間由含有昇華性物質的液體充滿。圖7C示出供給至基板W之上表面之含有昇華性物質的液體中之昇華性物質之分佈。於圖7C中，以○表示昇華性物質。
IPA之1個分子含有作為親水基之一例之羥基、及作為疏水基之一例之2個甲基。因此，向圖案P1之表面拉近之引力施加於IPA，另一方面，自圖案P1之表面遠離之斥力亦施加於IPA。進而，含有親水基之昇華性物質對圖案P1之表面之親和性較IPA高。因此，認為相較於昇華性物質，IPA更難以保持於圖案P1之表面。
如圖7D所示，基板W之上表面由含有昇華性物質的液體之液膜覆蓋之後，使溶劑自基板W上之含有昇華性物質的液體蒸發。若溶劑蒸發，則昇華性物質之濃度升高。含有昇華性物質的液體之凝固點伴隨著昇華性物質之濃度之上升而上升。若含有昇華性物質的液體之凝固點與含有昇華性物質的液體之溫度一致，則如圖7E所示，含有昇華性物質的液體開始凝固，從而形成相當於覆蓋基板W之上表面全域之凝固體之固化膜SF。其後，如圖7F所示，使固化膜SF昇華而自基板W之上表面去除。
於形成固化膜SF時，溶劑自位於含有昇華性物質的液體之液膜之塊體部(參照圖7C)、即自含有昇華性物質的液體之液膜之上表面(液面)至圖案P1之上表面Pu為止之範圍內的液體層蒸發，從而液膜之塊體部中之昇華性物質之濃度上升。位於圖案P1之間之含有昇華性物質的液體所包含之IPA移動至液膜之塊體部，並自含有昇華性物質的液體之上表面釋出至空氣中。藉此，不僅於圖案P1之上方昇華性物質之濃度上升，而且於圖案P1之間昇華性物質之濃度亦上升。因此，認為如圖7E所示，形成固化膜SF之後，IPA之液體自圖案P1之間排出，從而鄰接之2個凸狀圖案P1之間由固化膜SF充滿。
圖8A～圖8D係用以對如下現象進行說明之基板W之剖面圖，該現象係假定為於圖6所示之基板W之處理中將含有昇華性物質的液體供給至基板W之上表面之後至將固化膜SF自基板W之上表面去除之前的期間產生者。
以下，對圖案P1之表面之全域為親水性且含有昇華性物質的液體中包含含有親水基之昇華性物質、及作為溶劑之甲醇之情形進行說明。除溶劑為甲醇而並非IPA以外，基板W之處理條件與參照圖7A～圖7F說明之基板W之處理條件相同。於以下說明中，含有親水基之昇華性物質對水之溶解度設為小於甲醇對水之溶解度。
與參照圖7A～圖7F說明之基板W之處理同樣地，包含作為溶劑之甲醇之含有昇華性物質的液體於基板W旋轉且基板W之上表面由置換液之液膜覆蓋之狀態下被供給至基板W之上表面。藉此，將置換液自圖案P1之間排出，而圖案P1之間由含有昇華性物質的液體充滿。圖8A示出圖案P1之間由包含昇華性物質及溶劑(甲醇)之含有昇華性物質的液體充滿之狀態。
甲醇之1個分子含有作為親水基之一例之羥基、及作為疏水基之一例之甲基。因此，向圖案P1之表面拉近之引力施加於甲醇，另一方面，自圖案P1之表面遠離之斥力亦施加於甲醇。然而，相較於IPA，1個分子中所含有之甲基之數量更少。因此，認為相較於IPA，甲醇更容易保持於圖案P1之表面。進而，含有親水基之昇華性物質對圖案P1之表面之親和性較甲醇低。因此，認為相較於昇華性物質，甲醇更容易保持於圖案P1之表面。
於形成固化膜SF時，位於圖案P1之間之含有昇華性物質的液體所包含之甲醇移動至含有昇華性物質的液體之液膜之塊體部(參照圖8A)，並自含有昇華性物質的液體之上表面釋出至空氣中。然而，由於將甲醇保持於圖案P1之表面之力相對較強，故而甲醇難以自圖案P1之間排出。因此，位於圖案P1之間之含有昇華性物質的液體中之昇華性物質之濃度難以上升。因此，認為存在如下情形：液膜之塊體部變化為固化膜SF之後，甲醇殘留於圖案P1之間。圖8B示出於圖案P1之上方形成固化膜SF之後圖案P1之間由甲醇充滿之例。
於圖8B所示之例之情形時，如圖8C所示，使固化膜SF昇華之後，甲醇仍殘留於圖案P1之間。殘留於圖案P1之間之甲醇藉由蒸發而自基板W消失。然而，於甲醇自基板W消失之前之期間，甲醇之液面(氣體與液體之界面)形成於鄰接之2個凸狀圖案P1之間，從而使圖案P1崩塌之崩塌力自甲醇施加至圖案P1。若圖案P1之強度較低，則如圖8D所示，圖案P1因此種崩塌力而崩塌。
如上所述，若圖案P1之表面為親水性且溶劑之親水性較強，則於形成固化膜SF時，溶劑不自圖案P1之間排出而殘留於圖案P1之間，從而使圖案P1崩塌之崩塌力自溶劑施加至圖案P1。同樣地，若圖案P1之表面為疏水性且溶劑之疏水性較強，則於形成固化膜SF時，溶劑不自圖案P1之間排出而殘留於圖案P1之間，從而使圖案P1崩塌之崩塌力自溶劑施加至圖案P1。因此，若亦不考慮溶劑與圖案P1之親和性而選擇溶劑，則會因圖案P1之強度，而產生圖案P1之崩塌。
如上所述，於本實施形態中，將包含相當於溶質之昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體供給至形成有圖案P1之基板W之表面。其後，使溶劑自含有昇華性物質的液體蒸發。藉此，於基板W之表面上形成包含昇華性物質之固化膜SF。其後，使基板W上之固化膜SF不經由液體而變化為氣體。藉此，將固化膜SF自基板W之表面去除。因此，可相較於旋轉乾燥等習知之乾燥方法，使圖案P1之崩塌率降低。
於圖案P1之表面為親水性之情形時，含有昇華性物質的液體中包含對水之溶解度小於昇華性物質之溶劑。若圖案P1之表面為親水性且溶劑之親水性較高，則容易將溶劑保持於圖案P1之表面，故而形成固化膜SF之後仍有較多之溶劑殘留於圖案P1之間。於此情形時，使圖案P1崩塌之崩塌力自溶劑施加至圖案P1。若使用親水性較低之溶劑，則可將形成固化膜SF之後殘留於圖案P1之間之溶劑減少至零或接近於零之值。
於圖案P1之表面為疏水性之情形時，含有昇華性物質的液體中包含對油之溶解度小於昇華性物質之溶劑。若圖案P1之表面為疏水性且溶劑之疏水性較高，則容易將溶劑保持於圖案P1之表面，故而形成固化膜SF之後仍有較多之溶劑殘留於圖案P1之間。於此情形時，使圖案P1崩塌之崩塌力自溶劑施加至圖案P1。若使用疏水性較低之溶劑，則可將形成固化膜SF之後殘留於圖案P1之間之溶劑減少至零或接近於零之值。
如此一來，無論圖案P1之表面為親水性及疏水性中之何者，含有昇華性物質的液體所包含之溶劑對圖案P1之表面之親和性均較含有昇華性物質的液體所包含之昇華性物質低。因此，可減少形成固化膜SF之後殘留於圖案P1之間之溶劑，從而可減弱形成固化膜SF時或形成之後施加於圖案P1之崩塌力。因此，無論圖案P1之表面為親水性及疏水性中之何者，均能夠以較低之圖案P1之崩塌率使基板W乾燥。
於本實施形態中，於圖案P1之表面中包含親水部及疏水部之情形時，若圖案P1之側面Ps之上端部Px為親水性，則將圖案P1之表面視為親水性。於圖案P1之表面中包含親水部及疏水部之情形時，若圖案P1之側面Ps之上端部Px為疏水性，則將圖案P1之表面視為疏水性。即，基於圖案P1之側面Ps之上端部Px之性質，而判斷圖案P1之表面為親水性及疏水性中之何者。
若於鄰接之2個凸狀圖案P1之間形成液面(氣體與液體之界面)，則因表面張力而產生之崩塌力施加於圖案P1。該崩塌力隨著自圖案P1之根部至液面之距離增加而增加。因此，即便在鄰接之2個凸狀圖案P1之間形成液面，只要自圖案P1之根部(下端)至液面之距離較短，則施加於圖案P1之崩塌力亦較弱。
於圖案P1之表面中包含親水部及疏水部且圖案P1之側面Ps之上端部Px為親水性時，若將圖案P1之表面視為疏水性，則有形成固化膜SF之後溶劑之液面形成於圖案P1之側面Ps之上端部Px從而有較大之崩塌力施加於圖案P1之可能性。若將圖案P1之表面視為親水性，則即便溶劑之液面形成於圖案P1之間，溶劑之液面亦配置於圖案P1之根部側。藉此，可縮短自圖案P1之根部至液面之距離。
根據同樣之原因，於圖案P1之表面中包含親水部及疏水部且圖案P1之側面Ps之上端部Px為疏水性時，若將圖案P1之表面視為疏水性，則即便溶劑之液面形成於圖案P1之間，亦可縮短自圖案P1之根部至液面之距離。藉此，可減弱施加於圖案P1之崩塌力，從而可使圖案P1之崩塌率降低。
其次，對第2實施形態進行說明。
第2實施形態相對於第1實施形態之主要不同點在於：於即將對基板W供給含有昇華性物質的液體之前製造含有昇華性物質的液體。
於以下圖9～圖10中，對與圖1～圖8D所示之構成同等之構成標註與圖1等相同之參照符號並省略其說明。
圖9係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置1所具備之含有昇華性物質的液體供給單元99之示意圖。
含有昇華性物質的液體供給單元99包含貯存包含昇華性物質之液體之第1原液罐87A、及貯存包含昇華性物質之液體之第2原液罐87B。第1原液罐87A內之液體包含含有親水基之昇華性物質。第2原液罐87B內之液體包含含有疏水基之昇華性物質。第1原液罐87A內之液體與第2原液罐87B內之液體係至少一種成分互不相同。第1原液罐87A內之液體亦可為昇華性物質之熔融液。若昇華性物質之濃度較高，則第1原液罐87A內之液體可為包含昇華性物質及溶劑之溶液，亦可包含除溶劑以外之物質及昇華性物質。第2原液罐87B內之液體亦相同。
含有昇華性物質的液體液供給單元99包含貯存溶劑之第1稀釋液罐93A、及貯存溶劑之第2稀釋液罐93B。第1稀釋液罐93A內之溶劑與第2稀釋液罐93B內之溶劑係至少一種成分互不相同。第1稀釋液罐93A內之溶劑可為溶劑之熔融液，亦可為溶劑之水溶液，還可包含除水以外之物質及溶劑。第2稀釋液罐93B內之溶劑亦相同。第1稀釋液罐93A內之溶劑及第2稀釋液罐93B內之溶劑亦可為醇。
第1原液罐87A內之液體藉由泵89A而輸送至循環配管88A，並自循環配管88A返回至第1原液罐87A。第2原液罐87B內之液體藉由泵89B而輸送至循環配管88B，並自循環配管88B返回至第2原液罐87B。循環配管88A連接於介裝有開閉閥91A及流量調整閥92A之個別配管90A。循環配管88B連接於介裝有開閉閥91B及流量調整閥92B之個別配管90B。個別配管90A及個別配管90B之下游端經由混合閥100而連接於含有昇華性物質的液體配管40。
第1稀釋液罐93A內之溶劑藉由泵95A而輸送至循環配管94A，並自循環配管94A返回至第1稀釋液罐93A。第2稀釋液罐93B內之溶劑藉由泵95B而輸送至循環配管94B，並自循環配管94B返回至第2稀釋液罐93B。循環配管94A連接於介裝有開閉閥97A及流量調整閥98A之個別配管96A。循環配管94B連接於介裝有開閉閥97B及流量調整閥98B之個別配管96B。個別配管96A及個別配管96B之下游端經由混合閥100而連接於含有昇華性物質的液體配管40。
混合閥100包含分別連接於個別配管90A、個別配管90B、個別配管96A、及個別配管96B之個別流路101、個別流路102、個別流路103、及個別流路104。混合閥100進而包含防止個別流路101中之液體之逆流之第1止回閥V1、防止個別流路102中之液體之逆流之第2止回閥V2、防止個別流路103中之液體之逆流之第3止回閥V3、防止個別流路104中之液體之逆流之第4止回閥V4、以及連接於個別流路101、個別流路102、個別流路103、及個別流路104之下游端之集合流路105。
開閉閥91A、開閉閥91B、開閉閥97A、及開閉閥97B之開閉、以及流量調整閥92A、流量調整閥92B、流量調整閥98A、及流量調整閥98B之開度由控制裝置3控制。若將開閉閥91A打開，則將第1原液罐87A內之包含昇華性物質之液體以對應於流量調整閥92A之開度之流量供給至混合閥100。於將開閉閥91B、開閉閥97A、及開閉閥97B之各者打開時亦相同。
若將開閉閥91A及開閉閥91B之至少一者、以及開閉閥97A及開閉閥97B之至少一者打開，則將包含昇華性物質之液體及溶劑供給至混合閥100，並於混合閥100之集合流路105內混合。藉此，包含昇華性物質之液體由溶劑稀釋，從而製造含有昇華性物質的液體。於混合閥100中製成之含有昇華性物質的液體自含有昇華性物質的液體配管40供給至含有昇華性物質的液體噴嘴39，並自含有昇華性物質的液體噴嘴39朝向基板W之上表面噴出。
於圖案P1之表面為親水性之情形時，將含有親水基之昇華性物質與對水之溶解度小於該昇華性物質之溶劑於混合閥100內混合。即，藉由控制裝置3將開閉閥91A、及開閉閥97A或開閉閥97B打開。於圖案P1之表面為疏水性之情形時，將含有疏水基之昇華性物質與對油之溶解度小於該昇華性物質之溶劑於混合閥100內混合。即，藉由控制裝置3將開閉閥91B、及開閉閥97A或開閉閥97B打開。
於將含有昇華性物質的液體供給至基板W時，將開閉閥91A及開閉閥91B之至少一者、以及開閉閥97A及開閉閥97B之至少一者打開。應打開之數個閥亦可由配方指定。於將用以判斷圖案P1之表面為親水性及疏水性中之何者之資訊輸入至控制裝置3之情形時，控制裝置3亦可選擇應打開之數個閥。此種資訊中例如包括表示圖案P1之表面之材質之資訊、或表示供給含有昇華性物質的液體之前供給至基板W之液體之種類的資訊等。
再者，於包含昇華性物質之液體包含除昇華性物質以外之物質(例如溶劑)之情形時，若將開閉閥91A及開閉閥91B之至少一者、以及開閉閥97A及開閉閥97B之至少一者打開，則包含昇華性物質之液體由溶劑稀釋。於此情形時，除昇華性物質以外之物質可為與稀釋用之溶劑同一名稱之溶劑，亦可為與稀釋用之溶劑不同之物質。於後者之情形時，若包含昇華性物質之液體由溶劑稀釋，則除昇華性物質以外之物質之濃度降低至可忽視該物質對基板W之處理產生之影響之值。
圖10係用以對圖6所示之含有昇華性物質的液體供給步驟之另一例進行說明之步驟圖。
於第2實施形態之基板處理裝置1中，與第1實施形態同樣地，執行圖6所示之各步驟。
於進行含有昇華性物質的液體供給步驟(圖6之步驟S6)時，控制裝置3判斷是否應使含有昇華性物質的液體噴嘴39噴出含有昇華性物質的液體(圖10之步驟S21)。於無需噴出之情形(於圖10之步驟S21中為否(No))時，控制裝置3於經過既定時間之後，再次判斷是否應噴出含有昇華性物質的液體(返回至圖10之步驟S21)。
於需要噴出含有昇華性物質的液體之情形(於圖10之步驟S21中為是(Yes))時，控制裝置3將開閉閥91A及開閉閥91B之至少一者、以及開閉閥97A及開閉閥97B之至少一者打開(圖10之步驟S22)。藉此，將包含昇華性物質之液體與溶劑混合，從而於混合閥100內製造含有昇華性物質的液體。繼而，將含有昇華性物質的液體自含有昇華性物質的液體噴嘴39噴出。
於開始噴出含有昇華性物質的液體之後，控制裝置3判斷是否經過了既定時間(圖10之步驟S23)。於未經過既定時間之情形(於圖10之步驟S23中為否(No))時，控制裝置3將再次判斷是否經過了既定時間(返回至圖10之步驟S23)。於經過了既定時間之情形(於圖10之步驟S23中為是(Yes))時，控制裝置3將於步驟S22中打開之數個閥關閉(圖10之步驟S24)。藉此，停止包含昇華性物質之液體與溶劑之混合、及含有昇華性物質的液體之噴出。 其他實施形態
本發明並不限定於上述實施形態之內容，可進行各種變更。
例如，於第1實施形態中，亦可設置：親水用之罐，其貯存圖案P1之表面為親水性時應供給至基板W之親水用之含有昇華性物質的液體；及疏水用之罐，其貯存圖案P1之表面為疏水性時應供給至基板W供給之疏水用之含有昇華性物質的液體。
於此情形時，無論圖案P1之表面為親水性及疏水性中之何者，均可將合適之含有昇華性物質的液體供給至基板W，從而可使圖案P1之崩塌率降低。將親水用之含有昇華性物質的液體及疏水用之含有昇華性物質的液體中之何者供給至基板W可由配方指定，亦可基於輸入至控制裝置3之資訊而由控制裝置3選擇。
於第1實施形態中，自原液罐87供給之含有昇華性物質的液體亦可於除含有昇華性物質的液體配管40以外之位置與自稀釋液罐93供給之稀釋液混合。例如，含有昇華性物質的液體亦可於除含有昇華性物質的液體配管40以外之配管、混合閥100等閥、及含有昇華性物質的液體噴嘴39中之至少一者之內部與稀釋液混合。含有昇華性物質的液體亦可於基板W之上表面與稀釋液混合。
同樣地，於第2實施形態中，自第1原液罐87A及第2原液罐87B之至少一者供給之包含昇華性物質之液體亦可於除混合閥100以外之位置與自第1稀釋液罐93A及第2稀釋液罐93B之至少一者供給之溶劑混合。例如，包含昇華性物質之液體亦可於除混合閥100以外之閥、配管、及含有昇華性物質的液體噴嘴39中之至少一者之內部與溶劑混合。包含昇華性物質之液體亦可於基板W之上表面與溶劑混合。亦可使昇華性物質之固體於箱CC內溶解於溶劑。
固化膜SF亦可由與濕式處理單元2w不同之處理單元2去除。去除固化膜SF之處理單元2可為基板處理裝置1之一部分，亦可為與基板處理裝置1不同之基板處理裝置之一部分。即，亦可將具備濕式處理單元2w之基板處理裝置1、及具備去除固化膜SF之處理單元2之基板處理裝置設置於相同基板處理系統，並於去除固化膜SF之前，將基板W自基板處理裝置1搬送至另一基板處理裝置。
於可藉由含有昇華性物質的液體置換純水等基板W上之沖洗液之情形時，亦可不進行將基板W上之沖洗液置換為置換液之置換液供給步驟，而進行含有昇華性物質的液體供給步驟。
阻斷構件51亦可與旋轉夾盤10一起繞旋轉軸線A1旋轉。例如，亦可將阻斷構件51以不與基板W接觸之方式放置於旋轉基底12上。於此情形時，阻斷構件51連結於旋轉基底12，故而阻斷構件51與旋轉基底12於相同之方向上以相同速度旋轉。
亦可省略阻斷構件51。但是，於將純水等液體供給至基板W之下表面之情形時，較佳為設置有阻斷構件51。其原因在於：藉由阻斷構件51可阻斷沿著基板W之外周面自基板W之下表面迴繞至基板W之上表面之液滴、或自處理承杯21向內側飛濺之液滴，從而可減少混入至基板W上之含有昇華性物質的液體之液體。
基板處理裝置1並不限於處理圓板狀之基板W之裝置，亦可為處理多邊形之基板W之裝置。
亦可將上述所有構成之2個以上組合。亦可將上述所有步驟之2個以上組合。
控制裝置3係昇華性物質選擇單元及溶劑選擇單元之一例。含有昇華性物質的液體供給單元99係含有昇華性物質的液體供給單元之一例。旋轉夾盤10及中心噴嘴55係固化膜形成單元之一例。旋轉夾盤10及中心噴嘴55亦為昇華單元之一例。含有昇華性物質的液體配管40及混合閥100係溶解單元之一例。
對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但該等僅為用以說明本發明之技術內容之具體例，本發明不應限定於該等具體例進行解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
1:基板處理裝置 1a:外壁 2:處理單元 2w:濕式處理單元 3:控制裝置 3a:電腦本體 3b:CPU 3c:主記憶裝置 3d:周邊裝置 3e:輔助記憶裝置 3f:讀取裝置 3g:通信裝置 4:腔室 5:間隔壁 5a:送風口 5b:搬入搬出口 6:FFU 7:擋板 8:排氣管 9:排氣閥 10:旋轉夾盤 11:夾盤銷 12:旋轉基底 12u,Pu:上表面 13:旋轉軸 14:旋轉馬達 21:處理承杯 22:外壁構件 23:承杯 24:防護罩 24u:上端 25:圓筒部 26:頂部 27:防護罩升降單元 31:藥液噴嘴 32:藥液配管 33:藥液閥 34,38,42,46:噴嘴移動單元 35:沖洗液噴嘴 36:沖洗液配管 37:沖洗液閥 39:含有昇華性物質的液體噴嘴 40:含有昇華性物質的液體配管 41:含有昇華性物質的液體閥 43:置換液噴嘴 44:置換液配管 45:置換液閥 51:阻斷構件 51L:下表面 52:圓板部 53:心軸 54:阻斷構件升降單元 55:中心噴嘴 56,63:上氣體配管 57,64:上氣體閥 58,65,74,78,85,92,92A,92B,98,98A,98B:流量調整閥 59,66:上溫度調節器 61:***開口 62:上氣體流路 71:下表面噴嘴 72:加熱流體配管 73:加熱流體閥 75:加熱器 76:冷卻流體配管 77:冷卻流體閥 79:冷卻器 81:下中央開口 82:下氣體流路 83:下氣體配管 84:下氣體閥 86:下溫度調節器 87:原液罐 87A:第1原液罐 87B:第2原液罐 88,88A,88B,94,94A,94B:循環配管 89,89A,89B,95,95A,95B:泵 90,90A,90B,96,96A,96B:個別配管 91,91A,91B,97,97A,97B:開閉閥 93:稀釋液罐 93A:第1稀釋液罐 93B:第2稀釋液罐 99:含有昇華性物質的液體供給單元 100:混合閥 101,102,103,104:個別流路 105:集合流路 A1:旋轉軸線 CA:載具 CC:箱 CR:中心機器人 FB:流體盒 H1,H2:手 IR:分度機器人 LP:負載埠 P:程式 P1:圖案 Ps:側面 Px:上端部 RM:可移除式媒體 SF:固化膜 TW:塔 V1:第1止回閥 V2:第2止回閥 V3:第3止回閥 V4:第4止回閥 W:基板
圖1A係自上方觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置之示意圖。 圖1B係自側方觀察基板處理裝置之示意圖。 圖2係水平地觀察基板處理裝置所具備之處理單元之內部之示意圖。 圖3係表示基板處理裝置所具備之含有昇華性物質的液體供給單元之示意圖。 圖4(a)及(b)係表示由基板處理裝置處理之基板之剖面之例的剖面圖。 圖5係表示控制裝置之硬體之方塊圖。 圖6係用以對藉由基板處理裝置進行之基板之處理之一例進行說明的步驟圖。 圖7A係用以對如下現象進行說明之示意圖，該現象係假定為於圖6所示之基板之處理中將含有昇華性物質的液體供給至基板之上表面之後至將固化膜自基板之上表面去除之前的期間產生者。 圖7B係用以對該現象進行說明之示意圖。 圖7C係用以對該現象進行說明之示意圖。 圖7D係用以對該現象進行說明之示意圖。 圖7E係用以對該現象進行說明之示意圖。 圖7F係用以對該現象進行說明之示意圖。 圖8A係用以對如下現象進行說明之示意圖，該現象係假定為於圖6所示之基板之處理中將含有昇華性物質的液體供給至基板之上表面之後至將固化膜自基板之上表面去除之前的期間產生者。 圖8B係用以對該現象進行說明之示意圖。 圖8C係用以對該現象進行說明之示意圖。 圖8D係用以對該現象進行說明之示意圖。 圖9係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置所具備之含有昇華性物質的液體供給單元之示意圖。 圖10係用以對圖6所示之含有昇華性物質的液體供給步驟之另一例進行說明之步驟圖。
1:基板處理裝置
2:處理單元
3:控制裝置
4:腔室
10:旋轉夾盤
21:處理承杯
23:承杯
24:防護罩
39:含有昇華性物質的液體噴嘴
40:含有昇華性物質的液體配管
41:含有昇華性物質的液體閥
87A:第1原液罐
87B:第2原液罐
88A,88B,94A,94B:循環配管
89A,89B,95A,95B:泵
90A,90B,96A,96B:個別配管
91A,91B,97A,97B:開閉閥
92A,92B,98B,98B:流量調整閥
93A:第1稀釋液罐
93B:第2稀釋液罐
99:含有昇華性物質的液體供給單元
100:混合閥
101,102,103,104:個別流路
105:集合流路
CC:箱
FB:流體盒
V1:第1止回閥
V2:第2止回閥
V3:第3止回閥
V4:第4止回閥
W:基板

Claims (4)

  1. 一種含有昇華性物質的液體之製造方法，其係製造使形成有圖案之基板之表面乾燥時自上述基板被去除之含有昇華性物質的液體之方法，且包括： 昇華性物質選擇步驟，其係基於上述圖案之表面為親水性及疏水性中之何者而選擇昇華性物質； 溶劑選擇步驟，其係於上述圖案之上述表面為親水性之情形時，選擇對水之溶解度小於上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質之親水用溶劑，於上述圖案之上述表面為疏水性之情形時，選擇對油之溶解度小於上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質之疏水用溶劑；及 溶解步驟，其係使上述昇華性物質選擇步驟中所選擇之上述昇華性物質溶解於上述溶劑選擇步驟中所選擇之上述溶劑。
  2. 如請求項1之含有昇華性物質的液體之製造方法，其進而包括性質判斷步驟，該性質判斷步驟係於上述圖案之上述表面中包含親水部及疏水部且於上述圖案之側面之上端部為親水性時，於選擇上述昇華性物質及溶劑之前將上述圖案之上述表面視為親水性，於上述圖案之上述表面中包含上述親水部及疏水部且上述圖案之上述側面之上述上端部為疏水性時，於選擇上述昇華性物質及溶劑之前將上述圖案之上述表面視為疏水性。
  3. 一種基板乾燥方法，其包括：含有昇華性物質的液體供給步驟，其係將藉由請求項1或2之含有昇華性物質的液體之製造方法製成之含有昇華性物質的液體供給至基板之表面； 固化膜形成步驟，其係藉由使溶劑自上述基板之上述表面上之上述含有昇華性物質的液體蒸發，而於上述基板之上述表面形成包含昇華性物質之固化膜；及 昇華步驟，其係藉由使上述固化膜昇華，而將上述固化膜自上述基板之上述表面去除。
  4. 一種基板處理裝置，其係使形成有圖案之基板之表面乾燥者，且包含： 昇華性物質選擇單元，其基於上述圖案之表面為親水性及疏水性中之何者而選擇昇華性物質； 溶劑選擇單元，其於上述圖案之上述表面為親水性之情形時，選擇對水之溶解度小於由上述昇華性物質選擇單元選擇之上述昇華性物質之親水用溶劑，於上述圖案之上述表面為疏水性之情形時，選擇對油之溶解度小於由上述昇華性物質選擇單元選擇之上述昇華性物質之疏水用溶劑； 溶解單元，其藉由使由上述昇華性物質選擇單元選擇之上述昇華性物質溶解於由上述溶劑選擇單元選擇之上述溶劑，而製造包含上述昇華性物質及溶劑之含有昇華性物質的液體； 含有昇華性物質的液體供給單元，其將藉由上述溶解單元製成之上述含有昇華性物質的液體供給至上述基板之上述表面； 固化膜形成單元，其藉由使上述溶劑自上述基板之上述表面上之上述含有昇華性物質的液體蒸發，而於上述基板之上述表面形成包含上述昇華性物質之固化膜；及 昇華單元，其藉由使上述固化膜昇華，而將上述固化膜自上述基板之上述表面去除。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021034491A1 (en) * 2019-08-21 2021-02-25 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Surface treatment compositions and methods
JP2023020501A (ja) * 2021-07-30 2023-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置
WO2023068133A1 (ja) * 2021-10-22 2023-04-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法と基板処理装置
JP2023123996A (ja) * 2022-02-25 2023-09-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理液、基板処理方法および基板処理装置
JP2023136723A (ja) * 2022-03-17 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法と処理液評価方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150155159A1 (en) * 2013-11-29 2015-06-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device
TWI584370B (zh) * 2013-08-27 2017-05-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium
US20170278726A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI651295B (zh) * 2016-12-26 2019-02-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TW201911366A (zh) * 2017-07-27 2019-03-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法、基板處理液及基板處理裝置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6259299B2 (ja) 2014-01-30 2018-01-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2018139331A (ja) 2018-06-13 2018-09-06 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥方法及び基板処理装置
JP7286359B2 (ja) * 2018-06-22 2023-06-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、基板処理装置、および乾燥前処理液

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI584370B (zh) * 2013-08-27 2017-05-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium
US20150155159A1 (en) * 2013-11-29 2015-06-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device
US20170278726A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI657521B (zh) * 2016-03-25 2019-04-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置、基板處理系統及基板處理方法
TWI651295B (zh) * 2016-12-26 2019-02-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TW201911366A (zh) * 2017-07-27 2019-03-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法、基板處理液及基板處理裝置

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