TWI762267B - 天線結構及具有該天線結構之電子設備 - Google Patents

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Abstract

一種電子設備之天線結構，包括框體、第一饋入點、第一切換點及第二切換點，所述框體至少部分由金屬材料製成，所述框體上開設有第一縫隙及有第二縫隙，所述第一縫隙與所述第二縫隙之間之所述框體形成一第一輻射部，所述第一饋入點電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號，所述第一切換點及所述第二切換點分別設置於所述框體並相鄰於所述第一縫隙之兩端，且分別藉由相應之切換電路接地。所述天線結構可藉由不同之切換方式涵蓋低頻、中頻、高頻等多個頻段，具寬頻效果。本發明還提供一種具有該天線結構之電子設備。

Description

天線結構及具有該天線結構之電子設備
本發明涉及一種天線結構及具有該天線結構之電子設備。
隨著無線通訊技術之進步，行動電話、個人數位助理等電子裝置不斷朝向功能多樣化、輕薄化、以及資料傳輸更快、更有效率等趨勢發展。然而其相對可容納天線之空間亦就越來越小，且隨著無線通訊技術之不斷發展，天線之頻寬需求不斷增加。因此，如何於有限之空間內設計出具有較寬頻寬之天線，是天線設計面臨之一項重要課題。
有鑑於此，有必要提供一種天線結構及具有該天線結構之電子設備，以解決上述問題。
一種電子設備之天線結構，包括框體、第一饋入點、第一切換點及第二切換點，所述框體至少部分由金屬材料製成，所述框體上開設有第一縫隙及第二縫隙，所述第一縫隙與所述第二縫隙之間之所述框體形成一第一輻射部，所述第一饋入點設置於所述第一輻射部上，且電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號，所述第一切換點及所述第二切換點分別設置於所述框體並相鄰於所述第一縫隙之兩端，且分別藉由相應之切換電路接地。
一種電子設備，包括上述所述之天線結構。
上述天線結構及具有該天線結構之電子設備藉由於所述第一縫隙之兩端設置相應之第一切換點及第二切換點。如此可藉由不同之切換方式涵蓋低頻、中頻、高頻等多個頻段，滿足LTE-A之載波聚合應用(Carrier Aggregation，CA)，並使得所述天線結構之輻射相較於一般之金屬背蓋天線更具寬頻效果。再者，所述天線結構藉由設置所述第一切換點及所述第二切換點，可有效控制兩輻射部間之互相耦合狀態，有效提升兩輻射部之隔離度並提升各輻射部之效率。
100:天線結構
11:殼體
111:邊框
112:背板
113:系統接地面
114:中框
115:第一部分
116:第二部分
117:第三部分
120:第一縫隙
121:第二縫隙
122:第三縫隙
123:開槽
124:第一狹縫
125:第二狹縫
F1:第一輻射部
F2:第二輻射部
12:第一饋入點
13:第二饋入點
15:第一切換點
17:第二切換點
18:第一接地點
19:第二接地點
150:第一切換電路
151:第一切換單元
153:第一切換元件
170:第二切換電路
200:電子設備
201:顯示單元
202:第一饋電點
203:第二饋電點
204:機殼
205:金屬件
20:電路板
21:第一電子元件
22:第二電子元件
23:第三電子元件
24:第四電子元件
圖1為本發明實施例之天線結構應用至電子設備之示意圖。
圖2為圖1所示電子設備另一角度下之示意圖。
圖3為圖1所示天線結構之電路圖。
圖4為圖3所示天線結構工作時之電流走向示意圖。
圖5為圖3所示天線結構中第一切換電路之電路圖。
圖6為當開設第一狹縫及未開設第一狹縫時，圖3所示天線結構工作於LTE B8頻段時之S參數(散射參數)曲線圖。
圖7為當開設第一狹縫及未開設第一狹縫時，圖3所示天線結構工作於LTE B8頻段時之總輻射效率曲線圖。
圖8為當開設第二狹縫及未開設第二狹縫時，圖3所示天線結構中第二輻射部之S參數(散射參數)曲線圖。
圖9為當開設第二狹縫及未開設第二狹縫時，圖3所示天線結構中第二輻射部之總輻射效率曲線圖。
圖10為圖3所示天線結構之S參數(散射參數)曲線圖。
圖11為圖3所示天線結構之總輻射效率曲線圖。
圖12為本發明實施例提供之另外之電子設備之示意圖。
下面將結合本發明實施例中之附圖，對本發明實施例中之技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述之實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部之實施例。基於本發明中之實施例，所屬領域具有通常知識者於沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例，均屬於本發明保護之範圍。
需要說明的是，當一個元件被稱為“電連接”另一個元件，它可直接於另一個元件上或者亦可存在居中之元件。當一個元件被認為是“電連接”另一個元件，它可是接觸連接，例如，可是導線連接之方式，亦可是非接觸式連接，例如，可是非接觸式耦合之方式。
除非另有定義，本文所使用之所有之技術與科學術語與屬於所屬領域具有通常知識者通常理解之含義相同。本文所使用之術語僅是為描述具體之實施例之目不是旨在於限制本發明。
下面結合附圖，對本發明之一些實施方式作詳細說明。於不衝突之情況下，下述之實施例及實施例中之特徵可相互組合。
請參閱圖1及圖2，本發明較佳實施方式提供一種天線結構100(參圖3)，其可應用於行動電話、平板電腦、個人數位助理(personal digital assistant，PDA)等電子設備200中，用以發射、接收無線電波以傳遞、交換無線訊號。
可理解，所述電子設備200可採用以下一種或多種通訊技術：藍 牙(bluetooth，BT)通訊技術、全球定位系統(global positioning system，GPS)通訊技術、無線保真(wireless fidelity，Wi-Fi)通訊技術、全球移動通訊系統(global system for mobile communications，GSM)通訊技術、寬頻碼分多址(wideband code division multiple access，WCDMA)通訊技術、長期演進(long term evolution，LTE)通訊技術、5G通訊技術、SUB-6G通訊技術以及未來其他通訊技術等。
請一併參閱圖3，所述電子設備200包括殼體11及顯示單元201。所述殼體11至少包括邊框111、背板112、系統接地面113及中框114。
所述邊框111大致呈環狀結構，其由金屬或其他導電材料製成。所述背板112設置於所述邊框111之邊緣。所述背板112可由金屬或其他導電材料製成。當然，所述背板112亦可由絕緣材料，例如玻璃、塑膠、陶瓷等材料製成。
可理解，於本實施例中，所述邊框111相對所述背板112之一側設置有一開口(圖未標)，用於容置所述顯示單元201。可理解，所述顯示單元201具有一顯示平面，該顯示平面裸露於該開口。可理解，所述顯示單元201可結合觸摸感測器組合成觸控屏。觸摸感測器又可稱為觸控面板或觸敏面板。
所述系統接地面113可由金屬或其他導電材料製成，用以為所述天線結構100提供接地。
所述中框114大致呈矩形片狀，其由金屬或其他導電材料製成。所述中框114之形狀及尺寸略小於所述系統接地面113。所述中框114疊設於所述系統接地面113上。可理解，於本實施例中，所述中框114為一金屬片，其用於支撐所述顯示單元201、提供電磁屏蔽、及提高所述電子設備200之機構強度。
請再次參閱圖3，所述天線結構100至少包括框體、第一饋入點12、第二饋入點13、第一切換點15及第二切換點17。
所述框體至少部分由金屬材料製成。於本實施例中，所述框體為所述電子設備200之邊框111。所述邊框111至少包括第一部分115、第二部分116以及第三部分117。於本實施例中，所述第一部分115為所述電子設備200之底端，即所述第一部分115為所述電子設備200之底部金屬邊框，所述天線結構100構成所述電子設備200之下天線。所述第二部分116與所述第三部分117相對設置，兩者分別設置於所述第一部分115之兩端，優選垂直設置。於本實施例中，所述第二部分116或所述第三部分117之長度大於所述第一部分115之長度。即所述第二部分116及第三部分117均為所述電子設備200之側邊金屬邊框。
所述邊框111上還開設有至少一縫隙。於本實施例中，所述邊框111上開設有三個縫隙，即第一縫隙120、第二縫隙121及第三縫隙122。其中，所述第一縫隙120開設於所述第一部分115上。所述第二縫隙121設置於所述第二部分116上。所述第三縫隙122設置於所述第三部分117上。所述第三縫隙122相對於所述第二縫隙121更靠近所述第一縫隙120。
於本實施例中，所述第一縫隙120、所述第二縫隙121、所述第三縫隙122均貫通且隔斷所述邊框111。所述至少一縫隙共同自所述邊框111上劃分出至少兩個輻射部。於本實施例中，所述第一縫隙120、所述第二縫隙121及所述第三縫隙122共同自所述邊框111劃分出第一輻射部F1及第二輻射部F2。其中，於本實施例中，所述第一縫隙120與所述第二縫隙121之間之所述邊框111形成所述第一輻射部F1。所述第三縫隙122與所述第一縫隙120之間之所 述邊框111形成所述第二輻射部F2。亦就是說，所述第一輻射部F1設置於所述電子設備200之右下角位置，即由部分所述第一部分115及部分所述第二部分116構成。所述第二輻射部F2設置於所述電子設備200之左下角位置，即由部分所述第一部分115及部分所述第三部分117構成。所述第一輻射部F1之電長度大於所述第二輻射部F2之電長度。
可理解，於本實施例中，當所述第二縫隙121與所述第三縫隙122之寬度小於2毫米(mm)時，會對所述天線結構100之效率有影響。因此，所述第二縫隙121與所述第三縫隙122之寬度通常不小於2mm。而所述第一縫隙120之寬度越大對所述天線結構100之效率越好。因此，於本實施例中，同時考慮到所述電子設備200之整體外觀美感及所述天線結構100之輻射效率，所述第二縫隙121與所述第三縫隙122之寬度均可設置為2mm。所述第一縫隙120之寬度可設置為7.25mm。
可理解，於本實施例中，所述第一饋入點12設置於所述第一輻射部F1上，且位於所述第二部分116。所述第一饋入點12可藉由彈片、微帶線、條狀線、同軸電纜等方式電連接至一第一饋電點202，以饋入電流訊號至所述第一輻射部F1。
所述第二饋入點13設置於所述第二輻射部F2上，且位於所述第三部分117。所述第二饋入點13可藉由彈片、微帶線、條狀線、同軸電纜等方式電連接至一第二饋電點203，以饋入電流訊號至所述第二輻射部F2。
所述第一切換點15設置於所述第一輻射部F1上，且位於所述第一部分115。所述第二切換點17設置於所述第二輻射部F2上，且位於所述第一部分115。於本實施例中，所述第一切換點15設置於所述第一輻射部F1靠近所 述第一縫隙120之末端，且藉由一第一切換電路150接地。所述第二切換點17設置於所述第二輻射部F2靠近所述第一縫隙120之末端，且藉由一第二切換電路170接地。即，於本實施例中，所述第一切換點15與所述第二切換點17間隔設置於所述第一部分115，且位於所述第一縫隙120之兩端，並分別藉由相應之切換電路接地。
可理解，請一併參閱圖4，為所述天線結構100之電流路徑圖。當電流自所述第一饋入點12饋入時，所述電流將流經所述第一輻射部F1，並流向所述第一縫隙120(參路徑P1)，進而激發一第一工作模態以產生第一輻射頻段之輻射訊號。當電流自所述第一饋入點12饋入時，所述電流還將流經所述第一輻射部F1位於所述第二部分116之部分，並流向所述第二縫隙121(參路徑P2)，進而激發一第二工作模態以產生第二輻射頻段之輻射訊號。
當電流自所述第二饋入點13饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2位於所述第一部分115之部分，並流向所述第一縫隙120(參路徑P3)，進而激發一第三工作模態以產生第三輻射頻段之輻射訊號。當電流自所述第二饋入點13饋入時，所述電流還將流經所述第二輻射部F2位於所述第三部分117之部分，並流向所述第三縫隙122(參路徑P4)，進而激發一第四工作模態以產生第四輻射頻段之輻射訊號。
於本實施例中，所述第一工作模態為長期演進技術升級版(Long Term Evolution Advanced，LTE-A)低頻模態，所述第二工作模態包括LTE-A中、高頻模態。所述第三工作模態包括LTE-A中頻模態及超中頻(ultra-middle frequency，UMB)模態。所述第四工作模態包括LTE-A中、高頻模態。
請一併參閱圖5，於本實施例中，所述第一切換電路150包括第一 切換單元151及至少一第一切換元件153。所述第一切換單元151可為單刀單擲開關、單刀雙擲開關、單刀三擲開關、單刀四擲開關、單刀六擲開關、單刀八擲開關等。所述第一切換單元151電連接至所述第一切換點15，以電連接至所述第一輻射部F1。所述第一切換元件153可為電感、電容、或者電感與電容之組合。所述第一切換元件153之間相互並聯，且其一端電連接至所述第一切換單元151，另一端接地。如此，藉由控制所述第一切換單元151之切換，可使得所述第一輻射部F1切換至不同之第一切換元件153，以調整所述第一輻射頻段之頻率，即低頻頻段之頻率，使得所述低頻頻段涵蓋至600-960MHz。
可理解，於本實施例中，所述第二切換電路170之電路結構及工作原理與第一切換電路150類似，其區別僅在於所述第二切換電路170用以調整所述第三輻射頻段之頻率，以控制所述第三輻射頻段之中頻頻偏，以使其涵蓋UMB頻段(1427-1510MHz，應用於日本)，於此不再贅述。
可理解，請再次參閱圖2，於本實施例中，所述背板112靠近所述邊框111之邊緣還設置有開槽123。所述開槽123大致呈U形，其開設於所述背板112靠近所述第一部分115之一側，且分別朝所述第二部分116及第三部分117所在方向延伸，並與所述第一縫隙120、第二縫隙121、第三縫隙122連通。
可理解，於本實施例中，所述第一縫隙120、所述第二縫隙121、所述第三縫隙122及所述開槽123均填充有絕緣材料，例如塑膠、橡膠、玻璃、木材、陶瓷等，但不以此為限。
可理解，請再次參閱圖3，於本實施例中，所述系統接地面113鄰近所述中框114之兩端分別沿平行所述第二部分116且靠近所述第一部分115 之方向開設有第一狹縫124及第二狹縫125。所述第一狹縫124與所述第二狹縫125平行設置，且分別與所述第二縫隙121及第三縫隙122連通。
可理解，於本實施例中，所述天線結構100還包括第一接地點18及第二接地點19。所述第一接地點18設置於所述邊框111對應所述第一狹縫124之第二部分116上，且一端跨過所述第一狹縫124並接地。所述第二接地點19設置於所述邊框111對應所述第二狹縫125之第三部分117上，且一端跨過所述第二狹縫125並接地。
可理解，請再次參閱圖4，當電流自所述第一饋入點12饋入，以流經所述第一輻射部F1位於所述第二部分116之部分，並流向所述第二縫隙121時，所述電流還藉由所述第二縫隙121耦合至所述第一狹縫124。如此，可利用所述第一狹縫124耦合共振出具有可調性及較佳天線效率之模態，使得所述第一輻射部F1之中高頻之頻率涵蓋至1710-2690MHz。同時，當電流自所述第二饋入點13饋入，以流經所述第二輻射部F2位於所述第三部分117之部分，並流向所述第三縫隙122時，所述電流還藉由所述第三縫隙122耦合至所述第二狹縫125。如此，可利用所述第二狹縫125耦合共振出具有可調性及較佳天線效率之模態，使得所述第二輻射部F2之頻率涵蓋至1427-2690MHz。
可理解，請一併參閱圖6，為當所述天線結構100開設所述第一狹縫124及未開設所述第一狹縫124時，所述天線結構100工作於LTE B8頻段時之S參數(散射參數)曲線圖。其中，曲線S601為當未開設所述第一狹縫124時，所述天線結構100工作於LTE B8頻段時之S11值。曲線S602為當開設所述第一狹縫124時，所述天線結構100工作於LTE B8頻段時之S11值。
圖7為當所述天線結構100開設所述第一狹縫124及未開設所述 第一狹縫124時，所述天線結構100工作於LTE B8頻段時之總輻射效率曲線圖。其中，曲線S701為當開設所述第一狹縫124時，所述天線結構100工作於LTE B8頻段時之總輻射效率。曲線S702為當未開設所述第一狹縫124時，所述天線結構100工作於LTE B8頻段時之總輻射效率。曲線S703為所述天線結構100中所述第一輻射部F1工作時之總輻射效率。
圖8為當所述天線結構100開設所述第二狹縫125及未開設所述第二狹縫125時，所述天線結構100中第二輻射部F2之S參數(散射參數)曲線圖。其中，曲線S801為當開設所述第二狹縫125時，所述第二輻射部F2工作於超中頻(UMB)頻段時之S11值。曲線S802為當未開設所述第二狹縫125時，所述第二輻射部F2工作於超中頻(UMB)頻段時之S11值。曲線S803為當開設所述第二狹縫125時，所述第二輻射部F2工作於中、高頻頻段時之S11值。曲線S804為當未開設所述第二狹縫125時，所述第二輻射部F2工作於中、高頻頻段時之S11值。
圖9為當所述天線結構100開設所述第二狹縫125及未開設所述第二狹縫125時，所述天線結構100中第二輻射部F2之總輻射效率曲線圖。其中，曲線S901為當開設所述第二狹縫125時，所述第二輻射部F2工作於超中頻(UMB)頻段時之總輻射效率。曲線S902為當未開設所述第二狹縫125時，所述第二輻射部F2工作於超中頻(UMB)頻段時之總輻射效率。曲線S903為當開設所述第二狹縫125時，所述第二輻射部F2工作於中、高頻頻段時之總輻射效率。曲線S904為當未開設所述第二狹縫125時，所述第二輻射部F2工作於中、高頻頻段時之總輻射效率。曲線S905為所述天線結構100中所述第二輻射部F2工作時之總輻射效率。
圖10為所述天線結構100之S參數(散射參數)曲線圖。其中，曲線S101為所述天線結構100工作於LTE B71頻段時之S11值。曲線S102為所述天線結構100工作於LTE B17頻段時之S11值。曲線S103為所述天線結構100工作於LTE B13頻段時之S11值。曲線S104為所述天線結構100工作於LTE B20頻段時之S11值。曲線S105為所述天線結構100工作於LTE B5頻段時之S11值。曲線S106為所述天線結構100工作於LTE B8頻段時之S11值。曲線S107為所述天線結構100工作於超中頻(UMB)頻段時之S11值。曲線S108為所述天線結構100工作於中、高頻頻段時之S11值。曲線S109為所述天線結構100之S11值。
圖11為所述天線結構100之總輻射效率曲線圖。其中，曲線S111為所述天線結構100工作於LTE B71頻段時之總輻射效率。曲線S112為所述天線結構100工作於LTE B17頻段時之總輻射效率。曲線S113為所述天線結構100工作於LTE B13頻段時之總輻射效率。曲線S114為所述天線結構100工作於LTE B20頻段時之總輻射效率。曲線S115為所述天線結構100工作於LTE B5頻段時之總輻射效率。曲線S116為所述天線結構100工作於LTE B8頻段時之總輻射效率。曲線S117為所述天線結構100工作於超中頻(UMB)頻段時之總輻射效率。曲線S118為所述天線結構100工作於中、高頻頻段時之總輻射效率。曲線S119為所述天線結構100中第一輻射部F1之總輻射效率。曲線S120為所述天線結構100中第二輻射部F2之總輻射效率。
顯然，由圖6至圖11可看出，所述天線結構100藉由設置所述第一切換電路150，以切換所述天線結構100之各低頻模態，可有效提升低頻頻寬並兼具較佳天線效率，使得所述天線結構100之低頻涵蓋 B71/B17/B13/B20/B5/B8頻段。再者，藉由設置雙狹縫，即第一狹縫124及第二狹縫125，可耦合能量以共振出額外之模態，進而有效增加中高頻之頻寬。具體地，藉由所述第一輻射部F1之中高頻輻射體(即所述第一饋入點12與所述第二縫隙121之間之輻射體)與所述第一狹縫124結合，所述第二輻射部F2中之中高頻輻射體(即所述第二饋入點13與所述第三縫隙122之間之輻射體)與所述第二狹縫125結合，可有效耦合能量以共振出額外之模態，進而有效增加中高頻之頻寬，進而涵蓋全球常用之4G通訊頻段，例如1710-2690MHz頻段。再者，與習知技術中未設置所述第一狹縫124及第二狹縫125之結構相比，本發明中所述天線結構100藉由設置所述第一狹縫124及第二狹縫125，可使得其共振出之模態之天線效率改善2-3dB。
可理解，於本實施例中，所述第一切換電路150及第二切換電路170位於所述第一縫隙120之兩側，可分別用於調節對應輻射部之共振頻率，進而有效提升所述天線結構100之頻率覆蓋範圍。例如，所述第一切換電路150用於調節所述第一輻射部F1之低頻頻段。所述第二切換電路170用於調節所述第二輻射部F2之中高頻頻段。
另外，所述第一切換電路150與所述第二切換電路170還用以有效提升兩輻射部之間之隔離度。通常，當兩個輻射部工作於相同之頻段時，彼此之間可能存於互相干擾。而於本實施例中，藉由設置所述第一切換電路150及所述第二切換電路170，當其中一個輻射部，例如所述第一輻射部F1工作於某一頻段，例如所述中高頻頻段時，可藉由所述切換電路，例如所述第二切換電路170來切換另一輻射部，例如所述第二輻射部F2之工作頻段，進而有效提升兩輻射部之間之隔離度。且與習知技術中藉由於饋電點直接設置相應之tuner (天線調諧器)來切換相應之頻率而言，本發明中之天線結構100之成本更低。
再者，於本實施例中，由於所述第一輻射部F1之中高頻輻射體設置於所述第二部分116，所述第二輻射部F2之中高頻輻射體設置於所述第三部分117，兩者間隔設置，即兩者之間設置有低頻輻射體，如此，亦可有效提升兩輻射部之間之隔離度。
可理解，於本實施例中，所述天線結構100可適應于具有全螢幕、窄邊框、折疊屏或雙螢幕之電子設備200。
可理解，於本實施例中，由於所述第一縫隙120設置於所述第一部分115上，其亦可有效降低手握對低頻之影響。
可理解，請再次參閱圖3，於本實施例中，所述電子設備200還包括電路板20及至少一電子元件。所述電路板20設置於所述邊框111、背板112、中框114圍成之空間內。所述電路板20可由環氧樹脂玻璃纖維(FR4)等介電材質製成。所述第一饋電點202、所述第二饋電點203、所述第一切換電路150及所述第二切換電路170均設置於所述電路板20上。於本實施例中，所述電子設備200至少包括四個電子元件，即第一電子元件21、第二電子元件22、第三電子元件23及第四電子元件24。所述第一電子元件21、第二電子元件22、第三電子元件23及第四電子元件24均設置於所述電路板20上。
於本實施例中，所述第一電子元件21為一通用序列匯流排(Universal Serial Bus，USB)介面模組。所述第一電子元件21位於所述第一縫隙120與所述第二部分116之間。所述第二電子元件22為一揚聲器。所述第二電子元件22設置於所述第一電子元件21與所述第二部分116之間。所述第三電子元件23為一麥克風。所述第三電子元件23對應所述第一縫隙120設置。 所述第四電子元件24為一振動器(Vibrator)。所述第四電子元件24設置於所述第一縫隙120與所述第三部分117之間。
可理解，如上所述，於本實施例中，所述天線結構100之框體直接由所述電子設備200之邊框111構成，即所述電子設備200之機殼(邊框)為金屬材質，所述天線結構100為金屬邊框天線。當然，於其他實施例中，所述天線結構100不局限於金屬邊框天線，其還可為模內裝飾天線(Mode decoration antenna，MDA)等其他天線形式。例如，請一併參閱圖12，當所述天線結構100為MDA天線時，其可利用所述電子設備200機殼204內之金屬件205作為框體，以實現輻射功能。而所述電子設備200之機殼204由塑膠、玻璃或陶瓷等絕緣材質製成，所述金屬件205採用模內注塑之方式與機殼204做成一個整體。
綜上，本發明之天線結構100藉由於所述邊框111上設置至少一縫隙(例如第一縫隙120、第二縫隙121及第三縫隙122)，以自所述邊框111劃分出至少兩輻射部。所述天線結構100還藉由於所述第一縫隙120之兩端設置相應之第一切換點15及第二切換點17。如此可藉由不同之切換方式涵蓋低頻、中頻、高頻等多個頻段，滿足LTE-A之載波聚合應用(Carrier Aggregation，CA)，並使得所述天線結構100之輻射相較於一般之金屬背蓋天線更具寬頻效果。具體而言，所述天線結構100於低頻可涵蓋600-960MHz，超中頻涵蓋1427-15100MHz、中頻涵蓋1710-2170MHz、高頻涵蓋2300-2690MHz。再者，所述天線結構100藉由設置所述第一切換點15及所述第二切換點17，可有效控制兩輻射部間之互相耦合狀態，有效提升兩輻射部之隔離度並提升各輻射部之效率。同時，藉由設置所述第一狹縫124及第二狹縫125，可透過耦合分別產生可調性且天線 效率佳之獨立模態。本發明之天線結構100可增加中頻頻寬並具有最佳天線效率，兼具MIMO特性，亦可涵蓋全球頻段之應用頻段。
以上所述，僅為本發明的較佳實施例，並非是對本發明作任何形式上的限定。另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其它變化，當然，這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
100:天線結構
113:系統接地面
114:中框
115:第一部分
116:第二部分
117:第三部分
120:第一縫隙
121:第二縫隙
122:第三縫隙
124:第一狹縫
125:第二狹縫
F1:第一輻射部
F2:第二輻射部
12:第一饋入點
13:第二饋入點
15:第一切換點
17:第二切換點
18:第一接地點
19:第二接地點
20:電路板
150:第一切換電路
170:第二切換電路
202:第一饋電點
203:第二饋電點
21:第一電子元件
22:第二電子元件
23:第三電子元件
24:第四電子元件

Claims (10)

  1. 一種電子設備之天線結構，其改良在於，所述天線結構包括框體、第一饋入點、第一切換點及第二切換點，所述框體至少部分由金屬材料製成，所述框體上開設有第一縫隙、第二縫隙及第三縫隙，所述第三縫隙比所述第二縫隙更靠近所述第一縫隙，所述第一縫隙與所述第二縫隙之間之所述框體形成一第一輻射部，所述第一縫隙與所述第三縫隙之間之框體形成一第二輻射部，所述第一饋入點設置於所述第一輻射部上，且電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號，所述第一切換點及所述第二切換點分別設置於所述框體並相鄰於所述第一縫隙之兩端，且分別藉由相應之切換電路接地。
  2. 如請求項1所述之天線結構，其中，所述天線結構還包括第二饋入點，所述第二饋入點設置於所述第二輻射部上，且電連接至一第二饋電點，以為所述第二輻射部饋入電流訊號，所述第一輻射部之電長度大於所述第二輻射部之電長度，所述第一饋入點與所述第一縫隙之間之所述框體之電長度大於所述第一饋入點與所述第二縫隙之間之所述框體之電長度，所述第二饋入點與所述第一縫隙之間之所述框體之電長度大於所述第二饋入點與所述第三縫隙之間之所述框體之電長度。
  3. 如請求項2所述之天線結構，其中所述第二切換點設置於所述第二輻射部上，且位於所述框體靠近所述第一縫隙之另一端部，所述第一切換點藉由一第一切換電路接地，所述第二切換點還藉由一第二切換電路接地，所述第二切換電路之電路結構與所述第一切換電路之電路結構相同。
  4. 如請求項2所述之天線結構，其中所述電子設備還包括系統接地面，所述系統接地面之兩側分別開設第一狹縫及第二狹縫，所述第一狹縫與所述第二狹縫平行設置，且分別貫通所述第二縫隙及第三縫隙。
  5. 如請求項4所述之天線結構，其中所述天線結構還包括第一接地點及第二接地點，所述第一接地點設置於所述框體對應所述第一狹縫之部分，且跨過所述第一狹縫並接地，所述第二接地點設置於所述框體對應所述第二狹縫之部分，且跨過所述第二狹縫並接地。
  6. 如請求項1所述之天線結構，其中所述框體為所述電子設備之金屬邊框，或者所述框體設置於所述電子設備之機殼內，且藉由模內注塑之方式與所述機殼做成整體。
  7. 如請求項2所述之天線結構，其中當電流自所述第一饋入點饋入時，所述第一輻射部激發LTE-A低、中、高頻模態，當電流自所述第二饋入點饋入時，所述第二輻射部激發LTE-A中頻模態、超中頻模態、LTE-A高頻模態。
  8. 如請求項5所述之天線結構，其中當電流自所述第一饋入點饋入時，所述電流藉由所述第二縫隙耦合至所述第一狹縫，所述第一狹縫產生耦合共振，以調整所述第一輻射部之頻率；當電流自所述第二饋入點饋入時，所述電流藉由所述第三縫隙耦合至所述第二狹縫，所述第二狹縫產生耦合共振，以調整所述第二輻射部之頻率。
  9. 一種電子設備，其改良在於，所述電子設備包括如請求項1至8中任一項所述之天線結構。
  10. 如請求項9所述之電子設備，其中所述電子設備還包括背板，所述框體設置於所述背板之邊緣，所述背板靠近所述框體之邊緣還設置有開槽，所述第一縫隙及第二縫隙與所述開槽連通。
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