TWI762146B - Heating apparatus for substrate, heating method for substrate and infrared heaters - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 385
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 318
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims abstract description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 43
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 51
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 30
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
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Abstract
目的在於提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。 本實施方式的基板加熱裝置，包括：減壓部，對塗布了溶液的基板的容納空間的氛圍進行減壓；及紅外線加熱器，能夠通過紅外線加熱所述基板；所述紅外線加熱器呈在多個部位彎折的管狀，並且包括：彎曲部，以向外側凸出的方式彎折；及蓋部，配置為從外側覆蓋所述彎曲部的至少一部分。The purpose is to improve the balance of the temperature distribution of the infrared heater. The substrate heating apparatus according to the present embodiment includes: a decompression unit that depressurizes the atmosphere of the accommodation space of the substrate to which the solution has been applied; and an infrared heater capable of heating the substrate by infrared rays; A tubular shape in which each portion is bent, and includes a bent portion bent so as to protrude outward, and a cover portion configured to cover at least a part of the bent portion from the outside.
Description
本發明關於基板加熱裝置、基板加熱方法以及紅外線加熱器。The present invention relates to a substrate heating apparatus, a substrate heating method, and an infrared heater.
近年來，存在以下的市場需求：代替玻璃基板而使用具有撓性的樹脂基板作為電子元件用的基板。這樣的樹脂基板例如使用聚醯亞胺膜。例如，聚醯亞胺膜是在基板上塗布聚醯亞胺的前驅體的溶液後、經過對所述基板進行加熱的工程（加熱工程）而形成的。作為聚醯亞胺的前驅體的溶液，例如存在由聚醯胺酸與溶劑構成的聚醯胺酸清漆（例如參照專利文獻1以及專利文獻2）。
現有技術文獻In recent years, there has been a market demand to use a flexible resin substrate as a substrate for electronic components instead of a glass substrate. As such a resin substrate, a polyimide film is used, for example. For example, a polyimide film is formed by applying a solution of a precursor of polyimide on a substrate, and then going through a process (heating process) of heating the substrate. As a solution of a precursor of polyimide, for example, there is a polyamic acid varnish composed of polyamic acid and a solvent (for example, refer to
專利文獻 專利文獻1：日本特開2001-210632號公報 專利文獻2：國際公開第2009/104371號 專利文獻3：日本特開2006-170524號公報Patent Literature Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2001-210632 Patent Document 2: International Publication No. 2009/104371 Patent Document 3: Japanese Patent Laid-Open No. 2006-170524
發明要解決的技術問題The technical problem to be solved by the invention
然而，上述的加熱工程包括：使溶劑在較低溫度下蒸發的第一工程與使聚醯胺酸在較高溫度下固化的第二工程。考慮在第二工程中，使用紅外線加熱器，能夠通過紅外線加熱基板。作為紅外線加熱器，例如已知有呈W型或U型的紅外線加熱器（例如參照專利文獻3）。但是，W型或U型的紅外線加熱器，露出以向外側凸出的方式彎折的部分，露出的部分與其他部分相比會降溫，因此在提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡方面存在問題。However, the above-mentioned heating process includes a first process of evaporating the solvent at a lower temperature and a second process of curing the polyamic acid at a higher temperature. In the second process, it is considered that an infrared heater is used, and the substrate can be heated by infrared rays. As an infrared heater, for example, a W-shaped or U-shaped infrared heater is known (for example, refer to Patent Document 3). However, in the W-shaped or U-shaped infrared heaters, a portion that is bent so as to protrude outward is exposed, and the exposed portion is lowered in temperature compared with other portions, so there is a problem in improving the balance of the temperature distribution of the infrared heater. .
鑒於以上那樣的情況，本發明的目的在於提供一種基板加熱裝置、基板加熱方法以及紅外線加熱器，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。 用於解決上述技術問題的方案In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a substrate heating apparatus, a substrate heating method, and an infrared heater capable of improving the balance of the temperature distribution of the infrared heater. Solutions for solving the above technical problems
本發明的一方案的基板加熱裝置，其特徵在於，包括：減壓部，對塗布了溶液的基板的容納空間的氛圍進行減壓；及紅外線加熱器，能夠通過紅外線加熱所述基板，所述紅外線加熱器呈在多個部位彎折的管狀，並且包括：彎曲部，以向外側凸出的方式彎折；及蓋部，配置為從外側覆蓋所述彎曲部的至少一部分。A substrate heating apparatus according to an aspect of the present invention is characterized by comprising: a decompression unit for depressurizing the atmosphere of the accommodation space of the substrate to which the solution has been applied; and an infrared heater capable of heating the substrate by infrared rays, and the The infrared heater has a tubular shape bent at a plurality of places, and includes a bent portion bent so as to protrude outward, and a cover portion arranged to cover at least a part of the bent portion from the outside.
根據該構成，因為紅外線加熱器包括配置為從外側覆蓋彎曲部的至少一部分的蓋部，所以能夠避免彎曲部露出，從而能夠抑制彎曲部與其他部分相比發生降溫。即，因為通過蓋部能夠從外側加熱彎曲部的至少一部分，所以能夠抑制彎曲部與其他部分產生溫度差。因此，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。According to this configuration, since the infrared heater includes the cover portion arranged to cover at least a part of the curved portion from the outside, exposure of the curved portion can be avoided, and the temperature of the curved portion can be suppressed from being lowered compared to other portions. That is, since at least a part of the curved portion can be heated from the outside by the cover portion, it is possible to suppress a temperature difference between the curved portion and other portions. Therefore, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述紅外線加熱器還包括多個直部，所述多個直部在第一方向上具有長邊，並且在與所述第一方向交叉的第二方向上並列配置，所述彎曲部連結相鄰的2個所述直部的端部，所述蓋部以從外側覆蓋多個所述彎曲部的方式在所述第二方向上直線狀地延伸。 根據該構成，蓋部以從外側覆蓋多個彎曲部的方式在第二方向上直線狀地延伸，由此能夠一併地避免多個彎曲部露出，因此能夠一併地抑制多個彎曲部與其他部分相比發生降溫。即，因為通過蓋部能夠從外側一併地加熱多個彎曲部，所以能夠抑制多個彎曲部與其他部分產生溫度差。因此，能夠有效地提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。此外，紅外線加熱器還包括多個直部，由此多個直部彼此相鄰，能夠提高相互的發熱溫度，因此能夠在較高溫度下提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡，所述多個直部在第一方向上具有長邊，並且並列地配置在與第一方向交叉的第二方向上。In the above-mentioned substrate heating device, the infrared heater may further include a plurality of straight portions having long sides in the first direction, and may be formed on a second portion intersecting the first direction. They are arranged in parallel in two directions, the curved portion connects the ends of the two adjacent straight portions, and the cover portion is linearly formed in the second direction so as to cover the plurality of curved portions from the outside. extend. According to this configuration, since the cover portion extends linearly in the second direction so as to cover the plurality of curved portions from the outside, exposure of the plurality of curved portions can be collectively avoided, and therefore, the plurality of curved portions can be collectively suppressed from being exposed to the Cooling compared to other parts. That is, since the plurality of curved portions can be collectively heated from the outside by the cover portion, it is possible to suppress a temperature difference between the plurality of curved portions and other portions. Therefore, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be effectively improved. In addition, the infrared heater further includes a plurality of straight portions, whereby the plurality of straight portions are adjacent to each other, and the mutual heat generation temperature can be increased, so that the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved at a higher temperature, the plurality of The straight portions have long sides in the first direction, and are arranged in parallel in the second direction intersecting with the first direction.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述蓋部與彎曲部之間的間隔比相鄰的2個所述直部之間的間隔小。 根據該構成，與使蓋部與彎曲部之間的間隔為相鄰的2個直部之間的間隔以上的情況相比較，能夠更可靠地避免彎曲部露出，因此能夠更可靠地抑制彎曲部與其他部分相比發生降溫。即，因為通過蓋部能夠從外側更可靠地加熱彎曲部的至少一部分，所以能夠更可靠地抑制彎曲部與其他部分產生溫度差。因此，能夠更可靠地提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the interval between the cover portion and the curved portion may be smaller than the interval between the two adjacent straight portions. According to this configuration, as compared with the case where the interval between the cover portion and the curved portion is set to be equal to or greater than the interval between two adjacent straight portions, exposure of the curved portion can be avoided more reliably, and thus the curved portion can be suppressed more reliably. Cooling occurs compared to other parts. That is, since at least a part of the curved part can be more reliably heated from the outside by the cover part, the temperature difference between the curved part and other parts can be suppressed more reliably. Therefore, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved more reliably.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述紅外線加熱器還包括：第一導入部，設置在所述紅外線加熱器的一端；第二導入部，設置在所述紅外線加熱器的另一端，所述第一導入部以及所述第二導入部的至少一方設置在所述蓋部的端部。 然而，若第一導入部與第二導入部過於接近，則存在該部分的溫度比其他部分的溫度更為降溫的傾向。但是，根據該構成，因為第一導入部與第二導入部一定程度地遠離，所以能夠抑制紅外線加熱器局部地降溫。因此，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。In the above-mentioned substrate heating device, the infrared heater may further comprise: a first introduction part provided at one end of the infrared heater; and a second introduction part provided at the other end of the infrared heater and at least one of the first introduction portion and the second introduction portion is provided at an end of the cover portion. However, when the first introduction part and the second introduction part are too close, the temperature of the part tends to drop more than the temperature of the other parts. However, according to this structure, since the 1st introduction part and the 2nd introduction part are spaced apart to some extent, it is possible to suppress the local temperature drop of the infrared heater. Therefore, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在俯視狀態下，所述紅外線加熱器的外形呈矩形形狀，所述第一導入部以及所述第二導入部在所述紅外線加熱器的一邊的中央部對置地配置。 根據該構成，因為第一導入部與第二導入部一定程度地遠離，所以能夠抑制紅外線加熱器局部地降溫。因此，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the outer shape of the infrared heater may be a rectangular shape in a plan view, and the first introduction portion and the second introduction portion may be on one side of the infrared heater. The central parts are arranged to face each other. According to this structure, since the 1st introduction part and the 2nd introduction part are spaced apart to some extent, it can suppress that an infrared heater is cooled locally. Therefore, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在俯視狀態下，所述紅外線加熱器的外形呈矩形形狀，所述第一導入部配置在所述紅外線加熱器的一邊的一側，所述第二導入部配置在所述一邊的另一側。 根據該構成，因為紅外線加熱器中的從第一導入部或者第二導入部中的任一個到彎曲部的部分為在2個部位彎折的U字管狀（即沿著除了紅外線加熱器的所述一邊以外的三邊的形狀），所以與直管狀以及L字管狀的情況相比較，能夠提高紅外線加熱器的柔軟性。因此，即便紅外線加熱器的所述一邊熱膨脹或者熱收縮，也能夠利用紅外線加熱器的柔軟性來容許所述一邊的膨脹或者收縮。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the outer shape of the infrared heater may be a rectangular shape in a plan view, the first introduction portion may be arranged on one side of the infrared heater, and the first introduction portion may be arranged on one side of the infrared heater. The two introduction parts are arranged on the other side of the one side. According to this configuration, the portion of the infrared heater from either the first introduction portion or the second introduction portion to the bent portion is in the shape of a U-shaped tube bent at two places (that is, along all parts except the infrared heater). The shape of the three sides other than the one side mentioned above), the flexibility of the infrared heater can be improved compared with the case of the straight tube shape and the L-shaped tube shape. Therefore, even if the one side of the infrared heater thermally expands or contracts, the flexibility of the infrared heater allows the expansion or contraction of the one side to be tolerated.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在俯視狀態下，所述紅外線加熱器的外形呈矩形形狀，所述第一導入部配置在所述紅外線加熱器的一角部，所述第二導入部配置在所述一角部的對角部。 根據該構成，在俯視狀態下，第一導入部以及第二導入部的配置位置是以紅外線加熱器的中心為基準成為點對稱，並且第一導入部以及第二導入部較遠地遠離。由此，即便在第一導入部以及第二導入部比其他部分降溫的情況下，也不會降低相互的降溫溫度，從而能夠避免紅外線加熱器局部地過度降溫，因此能夠盡可能地提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the outer shape of the infrared heater may be a rectangular shape in a plan view, the first introduction portion may be arranged at a corner of the infrared heater, and the second introduction may be The part is arranged at a diagonal part of the one corner part. According to this configuration, in a plan view, the arrangement positions of the first introduction portion and the second introduction portion are point-symmetrical with respect to the center of the infrared heater, and the first introduction portion and the second introduction portion are far away from each other. Thereby, even when the temperature of the first introduction part and the second introduction part is lower than that of the other parts, the mutual cooling temperature is not lowered, and the temperature of the infrared heater can be prevented from being locally excessively lowered, so that the infrared heating can be improved as much as possible. balance of the temperature distribution of the device.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在俯視狀態下，所述紅外線加熱器呈點對稱形狀。 根據該構成，與在俯視狀態下紅外線加熱器呈非對稱形狀的情況相比較，能夠更可靠地提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the infrared heater may have a point-symmetric shape in a plan view. According to this configuration, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved more reliably than when the infrared heater has an asymmetric shape in a plan view.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在俯視狀態下，所述紅外線加熱器的外形呈矩形形狀，所述第一導入部以及所述第二導入部鄰接地配置於所述紅外線加熱器的一角部。 根據該構成，因為第一導入部以及第二導入部之間的距離變得最小，所以能夠盡可能地抑制紅外線加熱器的熱膨脹或者熱收縮。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the infrared heater may have a rectangular shape in a plan view, and the first introduction portion and the second introduction portion may be arranged adjacent to the infrared heater. corner of . According to this configuration, since the distance between the first introduction portion and the second introduction portion is minimized, thermal expansion or thermal contraction of the infrared heater can be suppressed as much as possible.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在俯視狀態下，所述第一導入部以及所述第二導入部的至少一部分進入所述紅外線加熱器的外部形狀內。 根據該構成，因為在配置紅外線加熱器時能夠避免第一導入部以及第二導入部成為妨礙，所以能夠提高佈局的自由度。例如，在一表面上鋪設多個紅外線加熱器時，能夠避免相鄰的2個紅外線加熱器在第一導入部以及第二導入部處發生干涉，因此能夠整齊地鋪設多個紅外線加熱器。In the above-mentioned substrate heating apparatus, at least a part of the first introduction part and the second introduction part may enter into the outer shape of the infrared heater in a plan view. According to this configuration, the first introduction portion and the second introduction portion can be prevented from being obstructed when the infrared heater is arranged, so that the degree of freedom of layout can be improved. For example, when laying a plurality of infrared heaters on one surface, it is possible to avoid the interference of two adjacent infrared heaters in the first introduction part and the second introduction part, so that the plurality of infrared heaters can be arranged neatly.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括加熱器單元，所述加熱器單元構成為在一表面上鋪設多個所述紅外線加熱器。 根據該構成，因為具備上述紅外線加熱器，所以能夠提高加熱器單元的溫度分佈的平衡。此外，在能夠個別地控制多個紅外線加熱器的情況下，能夠使一部分的紅外線加熱器的輸出比其他的紅外線加熱器的輸出大，所以能夠對基板進行溫度分佈良好的加熱。例如，在基板的四角的溫度較低的情況下，使配置在與該部分對應的位置的紅外線加熱器的輸出比其他的紅外線加熱器的輸出大，由此僅提高該部分的溫度，能夠提高基板整體的溫度分佈。The above-mentioned substrate heating apparatus may further include a heater unit configured by laying a plurality of the infrared heaters on one surface. According to this configuration, since the above-described infrared heater is provided, the balance of the temperature distribution of the heater unit can be improved. In addition, when a plurality of infrared heaters can be individually controlled, the output of some of the infrared heaters can be made larger than the output of the other infrared heaters, so that the substrate can be heated with a favorable temperature distribution. For example, when the temperature of the four corners of the substrate is low, the output of the infrared heater arranged at the position corresponding to the portion is made larger than the output of the other infrared heaters, thereby increasing the temperature of only this portion, and it is possible to improve the The temperature distribution of the entire substrate.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述加熱器單元包括：多個第一紅外線加熱器，在一方向上鋪設配置；多個第二紅外線加熱器，在與所述一方向平行的方向上鋪設配置，所述第二紅外線加熱器以與相鄰的2個所述第一紅外線加熱器的邊界部鄰接的方式，在與所述一方向交叉的方向上與所述第一紅外線加熱器鋪設配置。 根據該構成，因為第一紅外線加熱器的溫度分佈與第二紅外線加熱器的溫度分佈能夠相互地補足，所以能夠更進一步地提高加熱器單元的溫度分佈的平衡。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the heater unit may include: a plurality of first infrared heaters, which are laid out in one direction; and a plurality of second infrared heaters, which are arranged in a direction parallel to the one direction. The second infrared heater is arranged to be laid on top of the first infrared heater in a direction intersecting with the one direction so as to be adjacent to the boundary portion of the two adjacent first infrared heaters. Lay configuration. According to this configuration, since the temperature distribution of the first infrared heater and the temperature distribution of the second infrared heater can complement each other, the balance of the temperature distribution of the heater unit can be further improved.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在俯視狀態下，所述第二紅外線加熱器具有與所述第一紅外線加熱器相同的形狀。 根據該構成，與在俯視狀態下第二紅外線加熱器具有與第一紅外線加熱器不同的形狀的情況相比，能夠更可靠地提高加熱器單元的溫度分佈的平衡。此外，即便改變基板尺寸，也能夠通過改變紅外線加熱器的個數，等間隔地配置紅外線加熱器，而對基板進行溫度分佈良好的加熱。然而，在紅外線加熱器為單純的直管的情況下，若基板尺寸變大，則需要使直管的長度伸長，因此存在難以容許紅外線加熱器的熱膨脹的可能性。但是，根據該構成，即便基板尺寸變大，紅外線加熱器的尺寸也不會改變，因此能夠容易地容許紅外線加熱器的熱膨脹。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the second infrared heater may have the same shape as the first infrared heater in a plan view. According to this configuration, the balance of the temperature distribution of the heater unit can be improved more reliably than when the second infrared heater has a shape different from that of the first infrared heater in a plan view. In addition, even if the size of the substrate is changed, by changing the number of infrared heaters and arranging the infrared heaters at equal intervals, the substrate can be heated with a favorable temperature distribution. However, when the infrared heater is a simple straight tube, if the size of the substrate increases, the length of the straight tube needs to be extended, so that it may be difficult to tolerate thermal expansion of the infrared heater. However, according to this configuration, even if the size of the substrate increases, the size of the infrared heater does not change, so that the thermal expansion of the infrared heater can be easily tolerated.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在俯視狀態下，所述第二紅外線加熱器具有使所述第一紅外線加熱器旋轉90度後的形狀。 根據該構成，因為能夠利用第一紅外線加熱器與第二紅外線加熱器來相互地補足由紅外線加熱器的形狀引起的溫度分佈，所以能夠更進一步地提高加熱器單元的溫度分佈的平衡。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the second infrared heater may have a shape obtained by rotating the first infrared heater by 90 degrees in a plan view. According to this configuration, since the temperature distribution caused by the shape of the infrared heater can be mutually complemented by the first infrared heater and the second infrared heater, the balance of the temperature distribution of the heater unit can be further improved.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括加熱部，所述加熱部隔著所述基板配置在與所述紅外線加熱器相反的一側，並且能夠加熱所述基板。 根據該構成，因為加熱部的加熱與紅外線加熱器的加熱相輔相成，能夠更有效地加熱基板。The above-mentioned substrate heating apparatus may further include a heating unit which is arranged on the opposite side of the infrared heater across the substrate and capable of heating the substrate. According to this structure, since the heating of the heating part and the heating of the infrared heater are complemented, the board|substrate can be heated more efficiently.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括能夠容納所述基板、所述加熱部以及所述紅外線加熱器的腔室。 根據該構成，因為能夠在腔室內管理基板的加熱溫度，所以能夠有效地加熱基板。The above-mentioned substrate heating apparatus may further include a chamber capable of accommodating the substrate, the heating unit, and the infrared heater. According to this configuration, since the heating temperature of the substrate can be managed in the chamber, the substrate can be efficiently heated.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述基板、所述加熱部以及所述紅外線加熱器被共用的所述腔室容納。 根據該構成，能夠在共用的腔室內一併地進行加熱部對基板的加熱處理與紅外線加熱器對基板的加熱處理。即，不必像加熱部以及紅外線加熱器被容納於相互不同的腔室的情況那樣地，需要用於使基板在不同的2個腔室之間輸送的時間。因此，能夠更高效地進行基板的加熱處理。此外，與具備不同的2個腔室的情況相比較，能夠使裝置整體小型化。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the substrate, the heating unit, and the infrared heater may be accommodated in the common chamber. According to this configuration, the heating process of the substrate by the heating unit and the heating process of the substrate by the infrared heater can be collectively performed in the common chamber. That is, as in the case where the heating unit and the infrared heater are accommodated in different chambers, time for transferring the substrate between the two different chambers is not necessary. Therefore, the heat treatment of the substrate can be performed more efficiently. Moreover, compared with the case where two different chambers are provided, the overall size of the apparatus can be reduced.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述溶液僅被塗布在所述基板的第一表面，所述加熱部被配置於與所述基板的第一表面相反的一側即第二表面的一側。 根據該構成，因為從加熱部產生的熱量從基板的第二表面的一側朝向第一表面的一側傳遞，所以能夠有效地加熱基板。此外，在利用加熱部加熱基板的期間，能夠高效地進行被塗布於基板的溶液的揮發或者醯亞胺化（例如成膜中的排氣）。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the solution may be applied only on the first surface of the substrate, and the heating portion may be disposed on the second surface, which is the opposite side to the first surface of the substrate. side. According to this configuration, since the heat generated from the heating unit is transferred from the second surface side of the substrate toward the first surface side, the substrate can be efficiently heated. In addition, while the substrate is being heated by the heating unit, volatilization or imidization of the solution applied to the substrate (eg, exhaust gas during film formation) can be efficiently performed.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述加熱部以及所述紅外線加熱器中的至少一方能夠階段性地加熱所述基板。 根據該構成，與加熱部以及紅外線加熱器僅能以恆定的溫度加熱基板的情況相比較，能夠高效地加熱基板以適合塗布於基板的溶液的成膜條件。因此，使塗布於基板的溶液階段性地乾燥，能夠良好地固化。In the above-mentioned substrate heating apparatus, at least one of the heating unit and the infrared heater may be capable of heating the substrate in steps. According to this structure, compared with the case where the heating unit and the infrared heater can only heat the substrate at a constant temperature, the substrate can be efficiently heated to suit the film-forming conditions of the solution applied to the substrate. Therefore, the solution applied to the substrate can be dried stepwise and cured well.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括位置調整部，所述位置調整部能夠調整所述加熱部以及所述紅外線加熱器中的至少一方與所述基板的相對位置。 根據該構成，與不具備所述位置調整部的情況相比較，容易調整基板的加熱溫度。例如，能夠在要使基板的加熱溫度變高的情況下，使加熱部以及紅外線加熱器接近基板，能夠在要使基板的加熱溫度變低的情況下，使加熱部以及紅外線加熱器遠離基板。因此，容易階段性地加熱基板。The above-mentioned substrate heating apparatus may further include a position adjustment unit capable of adjusting the relative position of at least one of the heating unit and the infrared heater and the substrate. According to this structure, it becomes easy to adjust the heating temperature of a board|substrate compared with the case where the said position adjustment part is not provided. For example, when the heating temperature of the substrate is to be increased, the heating unit and the infrared heater can be brought close to the substrate, and when the heating temperature of the substrate is decreased, the heating unit and the infrared heater can be moved away from the substrate. Therefore, it is easy to heat the substrate in steps.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述位置調整部包括能夠使所述基板在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間移動的移動部。 根據該構成，通過使基板在加熱部與紅外線加熱器之間移動，在將加熱部以及紅外線加熱器的至少一方配置在固定位置的狀態下，能夠調整基板的加熱溫度。因此，無需另外設置能夠使加熱部以及紅外線加熱器的至少一方移動的裝置，因此能夠以簡單的構成調整基板的加熱溫度。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the position adjustment unit may include a moving unit capable of moving the substrate between the heating unit and the infrared heater. According to this configuration, by moving the substrate between the heating unit and the infrared heater, the heating temperature of the substrate can be adjusted in a state where at least one of the heating unit and the infrared heater is arranged at a fixed position. Therefore, there is no need to separately provide a device capable of moving at least one of the heating unit and the infrared heater, so that the heating temperature of the substrate can be adjusted with a simple configuration.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在所述加熱部與所述紅外線加熱器之間設置有能夠輸送所述基板的輸送部，在所述輸送部形成有能夠使所述移動部通過的通過部。 根據該構成，因為使基板在加熱部與紅外線加熱器之間移動的情況下，能夠使基板通過通過部，所以無需使基板繞過輸送部而移動。因此，無需另外設置用於使基板繞過輸送部而移動的裝置，能夠以簡單的構成順暢地進行基板的移動。In the above-mentioned substrate heating apparatus, a conveying unit capable of conveying the substrate may be provided between the heating unit and the infrared heater, and the conveying unit may be formed with a conveying unit capable of passing the moving unit. of the passing department. According to this configuration, when the substrate is moved between the heating portion and the infrared heater, the substrate can be passed through the passage portion, so that the substrate does not need to be moved around the conveying portion. Therefore, there is no need to separately provide a device for moving the substrate around the conveyance unit, and the substrate can be moved smoothly with a simple configuration.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述移動部包括多個銷，所述多個銷能夠支承所述基板的與第一表面相反側的第二表面，並且能夠在所述第二表面的法線方向上移動，所述多個銷的前端被配置在與所述第二表面平行的面內。 根據該構成，因為能夠在穩定地支承基板的狀態下加熱基板，所以能夠使塗布於基板的溶液穩定地成膜。In the above-described substrate heating apparatus, the moving portion may include a plurality of pins capable of supporting a second surface of the substrate on the opposite side of the first surface and capable of being installed in the second surface. Moving in the normal direction of the surface, the tips of the plurality of pins are arranged in a plane parallel to the second surface. According to this configuration, since the substrate can be heated in a state where the substrate is stably supported, the solution applied to the substrate can be stably formed into a film.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，在所述加熱部形成有多個插通孔，使所述加熱部在所述第二表面的法線方向上開口，所述多個銷的前端能夠經由所述多個插通孔而抵接於所述第二表面。 根據該構成，因為能夠短時間地在多個銷與加熱部之間進行基板的交接，所以能夠高效地調整基板的加熱溫度。In the above-mentioned substrate heating device, a plurality of insertion holes may be formed in the heating portion, the heating portion may be opened in a direction normal to the second surface, and tips of the plurality of pins may be formed. It can abut on the second surface through the plurality of insertion holes. According to this configuration, since the substrate can be transferred between the plurality of pins and the heating portion in a short time, the heating temperature of the substrate can be adjusted efficiently.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，所述加熱部是電熱板。 根據該構成，因為能夠在基板的面內使基板的加熱溫度均勻化，所以能夠提高膜特性。例如，在使電熱板的一表面與基板的第二表面抵接的狀態下加熱基板，由此能夠提高基板的加熱溫度的面內均勻性。In the above-mentioned substrate heating apparatus, the heating unit may be a hot plate. According to this configuration, since the heating temperature of the substrate can be made uniform within the surface of the substrate, the film properties can be improved. For example, the in-plane uniformity of the heating temperature of the substrate can be improved by heating the substrate in a state where one surface of the hot plate is in contact with the second surface of the substrate.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括能夠檢測所述基板溫度的溫度檢測部。 根據該構成，能夠即時地掌握基板溫度。例如，基於溫度檢測部的檢測結果對基板進行加熱，從而能夠抑制基板溫度偏離目標值。The above-mentioned substrate heating apparatus may further include a temperature detection unit capable of detecting the temperature of the substrate. According to this configuration, the substrate temperature can be grasped in real time. For example, the substrate temperature can be suppressed from deviating from the target value by heating the substrate based on the detection result of the temperature detection unit.
也可以是，在上述的基板加熱裝置中，還包括回收部，能夠回收從塗布於所述基板的所述溶液揮發的溶劑。 根據該構成，能夠防止從溶液揮發的溶劑向工廠側排出。此外，在將回收部連接於減壓部（真空泵）的管線的情況下，能夠防止從溶液揮發的溶劑再次液化而逆流至真空泵內。進而，從溶液揮發的溶劑能夠作為清洗液再利用。例如，清洗液能夠用於噴嘴前端的清洗、附著於刮取構件的液體的清洗等，所述刮取構件對附著在噴嘴上的液體進行刮取。The above-mentioned substrate heating apparatus may further include a recovery unit capable of recovering the solvent volatilized from the solution applied to the substrate. According to this configuration, it is possible to prevent the solvent volatilized from the solution from being discharged to the factory side. In addition, when the recovery part is connected to the line of the decompression part (vacuum pump), the solvent volatilized from the solution can be prevented from being liquefied again and flowing back into the vacuum pump. Furthermore, the solvent volatilized from the solution can be reused as a cleaning solution. For example, the cleaning liquid can be used for cleaning the tip of the nozzle, cleaning the liquid adhering to the scraping member that scrapes the liquid adhering to the nozzle, and the like.
本發明的一方案的基板加熱方法，其特徵在於，包含以下工程：減壓工程，對塗布了溶液的基板的容納空間的氛圍進行減壓；加熱工程，通過紅外線加熱所述基板，在所述加熱工程中，使用紅外線加熱器，通過紅外線加熱所述基板，所述紅外線加熱器呈在多個部位彎折的管狀，並且包括：彎曲部，以向外側凸出的方式彎折；及蓋部，配置為從外側覆蓋所述彎曲部的至少一部分。A substrate heating method according to an aspect of the present invention is characterized by comprising the following steps: a decompression step of depressurizing the atmosphere of the accommodation space of the substrate to which the solution has been applied; and a heating step of heating the substrate with infrared rays, In the heating process, an infrared heater is used to heat the substrate by infrared rays. The infrared heater is in the shape of a tube bent at a plurality of places, and includes: a bending part, which is bent so as to protrude outward; and a cover part , which is configured to cover at least a part of the curved portion from the outside.
根據該方法，在加熱工程中，因為紅外線加熱器包括配置為從外側覆蓋彎曲部的至少一部分的蓋部，所以能夠避免彎曲部露出，從而能夠抑制彎曲部與其他部分相比發生降溫。即，因為通過蓋部能夠從外側加熱彎曲部的至少一部分，所以能夠抑制彎曲部與其他部分產生溫度差。因此，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。According to this method, in the heating process, since the infrared heater includes the cover portion arranged to cover at least a part of the curved portion from the outside, exposure of the curved portion can be avoided, and the temperature of the curved portion can be suppressed compared with other portions. That is, since at least a part of the curved portion can be heated from the outside by the cover portion, it is possible to suppress a temperature difference between the curved portion and other portions. Therefore, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved.
本發明的一方案的紅外線加熱器，是能夠通過紅外線加熱基板，其特徵在於，所述紅外線加熱器呈在多個部位彎折的管狀，並且包括：彎曲部，以向外側凸出的方式彎折；及蓋部，配置為從外側覆蓋所述彎曲部的至少一部分。An infrared heater according to an aspect of the present invention is capable of heating a substrate by infrared rays, wherein the infrared heater has a tubular shape that is bent at a plurality of places, and includes a bending portion that is bent so as to protrude outward. and a cover portion configured to cover at least a part of the curved portion from the outside.
根據該構成，因為紅外線加熱器包括配置為從外側覆蓋彎曲部的至少一部分的蓋部，所以能夠避免彎曲部露出，從而能夠抑制彎曲部與其他部分相比發生降溫。即，因為通過蓋部能夠從外側加熱彎曲部的至少一部分，所以能夠抑制彎曲部與其他部分產生溫度差。因此，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。 發明效果According to this configuration, since the infrared heater includes the cover portion arranged to cover at least a part of the curved portion from the outside, exposure of the curved portion can be avoided, and the temperature of the curved portion can be suppressed from being lowered compared to other portions. That is, since at least a part of the curved portion can be heated from the outside by the cover portion, it is possible to suppress a temperature difference between the curved portion and other portions. Therefore, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved. Invention effect
根據本發明，能夠提供一種基板加熱裝置以及紅外線加熱器，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。According to the present invention, it is possible to provide a substrate heating device and an infrared heater capable of improving the balance of the temperature distribution of the infrared heater.
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下的說明中，設定XYZ直角坐標系，一邊參照該XYZ直角坐標系，一邊對各構件的位置關係進行說明。將水平面內的規定方向作為X方向，將在水平面內與X方向正交的方向作為Y方向，將分別與X方向以及Y方向正交的方向（即垂直方向）作為Z方向。 (第一實施方式）Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the XYZ rectangular coordinate system is set, and the positional relationship of each member is demonstrated, referring this XYZ rectangular coordinate system. Let a predetermined direction in the horizontal plane be the X direction, let the direction orthogonal to the X direction in the horizontal plane be the Y direction, and let the directions orthogonal to the X direction and the Y direction (ie, the vertical direction) be the Z direction. (first embodiment)
＜基板加熱裝置＞
圖1是第一實施方式的基板加熱裝置1的立體圖。
如圖1所示，基板加熱裝置1具備：腔室2、減壓部3、氣體供給部4、加熱部5、紅外線加熱器6、位置調整部7、輸送部8、溫度檢測部9、回收部11、擺動部12以及控制部15。控制部15總體上控制基板加熱裝置1的構成要素。為了方便，在圖1中，以雙點虛線示出腔室2、減壓部3以及氣體供給部4。<Substrate heating device>
FIG. 1 is a perspective view of a
＜腔室＞
腔室2能夠容納基板10、加熱部5以及紅外線加熱器6。基板10、加熱部5以及紅外線加熱器6被容納於共用的腔室2。腔室2形成為長方體的箱狀。具體而言，腔室2由以下構件形成：矩形形狀的頂板21；矩形板狀的底板22，與頂板21對置；矩形框狀的周壁23，與頂板21以及底板22的外周邊緣相連。例如，在周壁23的-X方向側設置有基板搬入搬出口23a，用於相對於腔室2搬入以及搬出基板10。＜Chamber＞
The
腔室2構成為能夠以密閉空間容納基板10。例如，利用熔接等無間隙地接合頂板21、底板22以及周壁23的各連接部，由此能夠提高腔室2內的氣密性。The
＜減壓部＞
減壓部3被連接於底板22的-Y方向側的基板搬入搬出口23a附近的角部。減壓部3能夠對腔室2內進行減壓。例如，減壓部3具備泵機構等的減壓機構。減壓機構具備真空泵13。另外，減壓部3的連接部位並不限定於底板22的-Y方向側的基板搬入搬出口23a附近的角部。減壓部3也可以連接於腔室2。<Decompression section>
The
減壓部3能夠對基板10的容納空間的氛圍進行減壓，所述基板10塗布有用於形成聚醯亞胺膜（聚醯亞胺）的溶液（以下稱為“聚醯亞胺形成用液”）。聚醯亞胺形成用液例如包含聚醯胺酸或者聚醯亞胺粉末。聚醯亞胺形成用液僅塗布於呈矩形板狀的基板10的第一表面10a（上表面）。另外，溶液並不限定於聚醯亞胺形成用液。溶液只要是用於在基板10上形成規定的膜即可。The
＜氣體供給部＞
氣體供給部4被連接于周壁23的+X方向側的頂板21附近的角部。氣體供給部4能夠調整腔室2的內部氛圍的狀態。氣體供給部4向腔室2內供給氮氣（N2
）、氦氣（He）、氬氣（Ar）等的惰性氣體。另外，氣體供給部4的連接部位並不限定于周壁23的+X方向側的頂板21附近的角部。氣體供給部4只要被連接於腔室2即可。此外，也可以通過在基板降溫時供給氣體，用於基板冷卻。<Gas Supply Portion> The gas supply portion 4 is connected to a corner portion near the
能夠通過氣體供給部4調整腔室2的內部氛圍的氧氣濃度。腔室2的內部氛圍的氧濃度（質量基準）優選是越低越好。具體而言，優選是將腔室2的內部氛圍的氧濃度設為100ppm以下，更優選是設為20ppm以下。
例如，如後所述，在對塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液進行固化時的氛圍中，通過像這樣地使氧濃度為優選的上限以下，能夠容易地進行聚醯亞胺形成用液的固化。The oxygen concentration of the inner atmosphere of the
＜加熱部＞
加熱部5被配置在腔室2內的下方。加熱部5能夠以第一溫度加熱基板10。加熱部5能夠階段性地加熱基板10。包含第一溫度的溫度範圍例如是20℃以上並且300℃以下的範圍。加熱部5被配置在與基板10的第一表面10a相反側即第二表面10b（下表面）的一側。<Heating section>
The
加熱部5呈矩形板狀。加熱部5能夠從下方支承基板10。加熱部5的上表面呈沿著基板10的第一表面10a的平坦面。加熱部5例如是電熱板。The
＜紅外線加熱器＞
紅外線加熱器6被配置在腔室2內的上方。紅外線加熱器6能夠以比第一溫度高的第二溫度來加熱基板10。紅外線加熱器6與加熱部5分別獨立地設置。紅外線加熱器6能夠階段性地加熱基板10。包含第二溫度的溫度範圍例如是200℃以上並且600℃以下的範圍。紅外線加熱器6被配置在基板10的第一表面10a的一側。＜Infrared heater＞
The
紅外線加熱器6由頂板21支承。紅外線加熱器6被固定在腔室2內的頂板21附近的固定位置。紅外線加熱器6的峰值波長範圍例如是1.5μm以上並且4μm以下的範圍。另外，紅外線加熱器6的峰值波長範圍並不限於上述範圍，能夠根據要求規格而設定為各種範圍。The
圖2是第一實施方式的紅外線加熱器6的俯視圖。
如圖2所示，紅外線加熱器6呈在多個部位彎折的管狀。在俯視狀態下，紅外線加熱器6的外部形狀呈矩形形狀。紅外線加熱器6的外部形狀的一邊的長度例如是225mm左右。紅外線加熱器6的全長（管路全長）例如是2475mm左右。紅外線加熱器6例如由石英管形成。FIG. 2 is a plan view of the
紅外線加熱器6具備：直部組30、彎曲部組31、蓋部32、33、第一導入部34以及第二導入部35。
直部組30具備多個（例如，在本實施方式為9個）直部30a～30i。直部30a～30i呈在第一方向V1上具有長邊（長度）的直管狀。直部30a～30i在與第一方向V1正交（交叉）的第二方向V2上並列配置有多個。多個直部30a～30i在第二方向V2上隔開實質相同的間隔S1（中心軸間的間距）地配置。相鄰的2個直部30a～30i之間的間隔S1例如是25mm左右。另外，從第二方向V2的一側朝向另一側、以直部30a、30b、30c、30d、30e、30f、30g、30h、30i的順序進行配置。The
彎曲部組31具備多個（例如，在本實施方式為8個）彎曲部31a～31h。彎曲部31a～31h以呈向外側凸出的方式彎折。彎曲部31a～31h連結相鄰的2個直部30a～30i的端部。例如，彎曲部31a連結直部30a的一端部與直部30b的一端部。即，彎曲部31a～31h是以連結紅外線加熱器6中的相鄰的2個直部30a～30i的端部的方式彎曲的彎曲部。在俯視狀態下，彎曲部31a～31h呈向外側凸出的U字管狀。另外，從第二方向V2的一側朝向另一側、以彎曲部31a、31b、31c、31d、31e、31f、31g、31h的順序進行配置。The
蓋部32、33以從外側覆蓋多個彎曲部31a～31h的方式在第二方向V2上直線狀地延伸。具體而言，蓋部32、33具備：第一蓋部32，從第一方向V1的一側覆蓋4個彎曲部31b、31d、31f、31h；第二蓋部33，從第一方向V1的另一側覆蓋4個彎曲部31a、31c、31e、31g。The
第一蓋部32連結於第二方向V2的一側的直部30a的一端部。第一蓋部32呈在第二方向V2具有長邊的直管狀。第一蓋部32與彎曲部31b、31d、31f、31h之間的間隔S2（中心軸間的間距）、與相鄰的2個直部30a～30i之間的間隔S1為實質相同的大小。第一蓋部32與彎曲部31b、31d、31f、31h之間的間隔S2例如是25mm左右。The
第二蓋部33連結於第二方向V2的另一側的直部30i的一端部。第二蓋部33呈L字管狀。即，第二蓋部33具備：蓋主體33a，在第二方向V2上具有長邊；延伸部33b，連結于蓋主體33a的一端部，並且在第一方向V1上具有長邊。第二蓋部33與彎曲部31a、31c、31e、31g之間的間隔S3（中心軸間的間距）、與相鄰的2個直部30a～30i之間的間隔S1為實質相同的大小。第二蓋部33中的蓋主體33a與彎曲部31a、31c、31e、31g之間的間隔S3例如是25mm左右。另外，第二蓋部33中的延伸部33b與直部30a之間的間隔也是25mm左右。The
第一導入部34被設置於紅外線加熱器6的一端。第一導入部34被配置於紅外線加熱器6的一邊的一側。具體而言，第一導入部34被設置于第一蓋部32的一端。在俯視狀態下，第一導入部34的一部分進入紅外線加熱器6的外部形狀內。The
第二導入部35被設置於紅外線加熱器6的另一端。第二導入部35被配置於紅外線加熱器6的一邊的另一側。第二導入部35在第二方向V2上被配置於第一導入部34的相反側。具體而言，第二導入部35被設置于第二蓋部33中的延伸部33b的一端。在俯視狀態下，第二導入部35的一部分進入紅外線加熱器6的外部形狀內。The
＜位置調整部＞
如圖1所示，位置調整部7被配置在腔室2的下方。位置調整部7能夠調整加熱部5以及紅外線加熱器6與基板10的相對位置。位置調整部7具備移動部7a與驅動部7b。移動部7a是上下（Z方向）延伸的柱狀構件。移動部7a 的上端被固定於加熱部5的下表面。驅動部7b能夠使移動部7a上下移動。移動部7a能夠使基板10在加熱部5與紅外線加熱器6之間移動。具體而言，在基板10被載置在加熱部5的上表面的狀態下，移動部7a通過驅動部7b的驅動，能夠使基板10上下移動（參照圖5以及圖6）。<Position Adjustment Section>
As shown in FIG. 1 , the
驅動部7b配置在腔室2的外部。因此，即便假設隨著驅動部7b的驅動而產生微塵，通過使腔室2內為密閉空間，也能夠避免微塵向腔室2內的入侵。The
＜輸送部＞
輸送部8在腔室2內被配置在加熱部5與紅外線加熱器6之間。輸送部8能夠輸送基板10。在輸送部8形成有能夠使移動部7a通過的通過部8h。輸送部8具備沿著基板10的輸送方向即X方向配置的多個輸送輥8a。＜Conveying Department＞
The conveying
多個輸送輥8a遠離地配置在周壁23的+Y方向側與-Y方向側。即，通過部8h是周壁23的+Y方向側的輸送輥8a與周壁23的-Y方向側的輸送輥8a之間的空間。The plurality of
例如，在周壁23的+Y方向側以及-Y方向側，沿著X方向分別地配置有在Y方向上延伸的多個軸（未圖示）。各輸送輥8a由驅動機構（未圖示）驅動而繞各軸旋轉。For example, on the +Y direction side and the −Y direction side of the
圖3是用於說明輸送輥8a、基板10以及加熱部5的配置關係的圖。圖3相當於基板加熱裝置1的俯視圖。為了方便，在圖3中以雙點虛線示出腔室2。
在圖3中，附圖標記L1是周壁23的+Y方向側的輸送輥8a與周壁23的-Y方向側的輸送輥8a遠離（相距）的間隔（以下稱為“輥遠離間隔”）。此外，附圖標記L2是基板10的Y方向的長度（以下稱為“基板長度”）。此外，附圖標記L3是加熱部5的Y方向的長度（以下稱為“加熱部長度”）。3 : is a figure for demonstrating the arrangement|positioning relationship of the
如圖3所示，輥遠離間隔L1比基板長度L2小，並且比加熱部長度L3大（L3＜L1＜L2）。輥遠離間隔L1比加熱部長度L3大，由此移動部7a能夠與加熱部5一起通過通過部8h（參照圖5以及圖6）。As shown in FIG. 3 , the roller separation interval L1 is smaller than the substrate length L2 and larger than the heating portion length L3 ( L3 < L1 < L2 ). The roller distance interval L1 is larger than the heating portion length L3, whereby the moving
＜溫度檢測部＞
如圖1所示，溫度檢測部9被配置在腔室2外。溫度檢測部9能夠檢測基板10的溫度。具體而言，溫度檢測部9被設置在頂板21的上部。在頂板21中安裝有未圖示的窗戶。溫度檢測部9穿過頂板21的窗戶而檢測基板10的溫度。溫度檢測部9例如是放射溫度計等的非接觸溫度感測器。另外，雖然圖1中僅圖示了1個溫度檢測部9，但是溫度檢測部9的數量不限於1個，也可以是多個。例如，優選是將多個溫度檢測部9配置在頂板21的中央部以及四個角。<Temperature detection section>
As shown in FIG. 1 , the
＜回收部＞
回收部11連接於減壓部3（真空泵13）的管線。回收部11能夠回收從塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑。＜Recycling Department＞
The
＜擺動部＞
擺動部12在腔室2內被配置於基板10的-X方向側。擺動部12能夠擺動基板10。在基板10被加熱的狀態中，擺動部12例如使基板10在沿著XY平面的方向或者沿著Z方向的方向擺動。另外，擺動部12的配置位置並不限定於腔室2內的基板10的-X方向側。擺動部12例如也可以設置於位置調整部7。<Swing part>
The
＜基板加熱方法＞
接著對本實施方式的基板加熱方法進行說明。在本實施方式中，使用上述的基板加熱裝置1對基板10進行加熱。通過控制部15控制在基板加熱裝置1的各構件中進行的動作。<Substrate heating method>
Next, the substrate heating method of the present embodiment will be described. In the present embodiment, the
圖4是用於說明第一實施方式的基板加熱裝置1的動作的一例的圖。圖5是後續圖4的、第一實施方式的基板加熱裝置1的動作說明圖。圖6是後續圖5的、第一實施方式的基板加熱裝置1的動作說明圖。
為了方便，在圖4～圖6中，省略了基板加熱裝置1的構成要素之中的減壓部3、氣體供給部4、溫度檢測部9、回收部11、擺動部12以及控制部15的圖示。FIG. 4 is a diagram for explaining an example of the operation of the
本實施方式的基板加熱方法包括：減壓工程、第一加熱工程以及第二加熱工程。
在減壓工程中，對塗布了聚醯亞胺形成用液的基板10的容納空間的氛圍進行減壓。
如圖4所示，在減壓工程中，基板10被配置於輸送輥8a。此外，在減壓工程中，加熱部5位於底板22附近。在減壓工程中，加熱部5以及基板10以加熱部5的熱量不會傳遞至基板10的程度遠離。在減壓工程中，接通加熱部5的電源。加熱部5的溫度例如是250℃左右。另一方面，在減壓工程中，斷開紅外線加熱器6的電源。The substrate heating method of the present embodiment includes a decompression process, a first heating process, and a second heating process.
In the decompression process, the atmosphere of the accommodation space of the
在減壓工程中，使基板10的容納空間的氛圍從大氣壓減壓到500Pa以下。例如，在減壓工程中使腔室內壓力逐漸從大氣壓下降到20Pa。In the decompression process, the atmosphere of the accommodation space of the
在減壓工程中，使腔室2的內部氛圍的氧濃度盡可能地低。例如，在減壓工程中，使腔室2內的真空度為20Pa以下。由此，能夠使腔室2內的氧氣濃度為100ppm以下。In the decompression process, the oxygen concentration of the inner atmosphere of the
在減壓工程之後，在第一加熱工程中，以第一溫度加熱基板10。
如圖5所示，在第一加熱工程中，使加熱部5移動至上方，使基板10載置在加熱部5的上表面。由此，通過使加熱部5抵接基板10的第二表面10b，加熱部5的熱量直接傳遞至基板10。在第一加熱工程中，加熱部5的溫度例如維持在250℃。因此，基板溫度能夠上升到250℃。另一方面，在第一加熱工程中，紅外線加熱器6的電源一直處於斷開狀態。After the decompression process, in the first heating process, the
另外，在第一加熱工程中，加熱部5位於通過部8h（參照圖1）內。為了方便，在圖5中，以雙點虛線示出移動前（減壓工程時的位置）的加熱部5，以實線示出移動後（第一加熱工程時的位置）的加熱部5。In addition, in the 1st heating process, the
在第一加熱工程中，在保持減壓工程的氛圍的狀態下，基板溫度為150℃到300℃的範圍，將基板10加熱到使得塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發或者醯亞胺化。例如，在第一加熱工程中，對基板10進行加熱的時間為10min以下。具體而言，在第一加熱工程中，將對基板10進行加熱的時間設為3min。例如，在第一加熱工程中，使基板溫度從25℃緩慢地上升到250℃。In the first heating step, the
第一加熱工程之後，在第二加熱工程中，以比第一溫度高的第二溫度對基板10進行加熱。在第二加熱工程中，使用紅外線加熱器6加熱基板10，所述紅外線加熱器6與第一加熱工程中使用的加熱部5分別獨立地設置。另外，第二加熱工程相當於申請專利範圍所述的加熱工程。After the first heating process, in the second heating process, the
如圖6所示，在第二加熱工程中，使加熱部5移動到比第一加熱工程時的位置的更上方，使基板10接近紅外線加熱器6。例如，在第二加熱工程中，加熱部5的溫度維持在250℃。此外，在第二加熱工程中，接通紅外線加熱器6的電源。例如，紅外線加熱器6能夠以450℃對基板10進行加熱。因此，基板溫度能夠上升到450℃。在第二加熱工程中，基板10比在第一加熱工程時更接近紅外線加熱器6，因此紅外線加熱器6的熱量被充分地傳遞至基板10。As shown in FIG. 6 , in the second heating step, the
另外，在第二工程中，加熱部5位於輸送輥8a（圖1所示的通過部8h）的上方並且紅外線加熱器6的下方。為了方便，在圖6中，以雙點虛線示出移動前（第一加熱工程時的位置）的加熱部5，以實線示出移動後（第二加熱工程時的位置）加熱部5。In addition, in the 2nd process, the
在第二加熱工程中，在保持減壓工程的氛圍的狀態下，對基板10進行加熱，使基板溫度從第一加熱工程的溫度變為600℃以下。例如，在第二加熱工程中，使基板溫度從250℃急劇地上升到450℃。此外，在第二加熱工程中，使腔室內壓力維持在20Pa以下。In the second heating step, the
第二加熱工程包括使基板10冷卻的冷卻工程。例如，在冷卻工程中，在保持減壓工程的氛圍或者低氧氛圍的狀態下對基板10進行冷卻，使基板溫度從第二加熱工程的溫度變為能夠對基板10進行輸送的溫度。在冷卻工程中，斷開紅外線加熱器6的電源。The second heating process includes a cooling process of cooling the
通過經過以上的工程，進行塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的揮發或者醯亞胺化，並且進行塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時的分子鏈的再排列，能夠形成聚醯亞胺膜。Through the above process, the volatilization or imidization of the polyimide-forming liquid applied to the
如上所述，根據本實施方式，紅外線加熱器6包括配置為從外側覆蓋彎曲部31a～31h的至少一部分的蓋部32、33，所以能夠避免彎曲部31a～31h的露出，從而能夠抑制彎曲部31a～31h與其他部分相比發生降溫。即，因為通過蓋部32、33能夠從外側加熱彎曲部31a～31h的至少一部分，所以能夠抑制彎曲部31a～31h與其他部分產生溫度差。因此，能夠提高紅外線加熱器6的溫度分佈的平衡。As described above, according to the present embodiment, since the
此外，蓋部32、33以從外側覆蓋多個彎曲部31a～31h的方式在第二方向V2上直線狀地延伸，由此能夠一併地避免多個彎曲部31a～31h露出，因此能夠一併地抑制多個彎曲部31a～31h與其他部分相比發生降溫。即，因為通過蓋部32、33，能夠從外側一併地加熱多個彎曲部31a～31h，所以能夠抑制多個彎曲部31a～31h與其他部分產生溫度差。因此，能夠高效地提高紅外線加熱器6的溫度分佈的平衡。此外，紅外線加熱器6還包括在第一方向V1上具有長邊、並且在與第一方向V1交叉的第二方向V2上並列配置的多個直部30a～30i，由此通過多個直部30a～30i相互地相鄰，能夠提高相互的發熱溫度，因此能夠在較高溫度下提高紅外線加熱器6的溫度分佈的平衡。In addition, the
然而，若第一導入部34與第二導入部35過於接近，則存在該部分的溫度與其他部分的溫度相比降溫的傾向。但是，根據本實施方式，通過將第一導入部34以及第二導入部35的兩者設置在蓋部32、33的端部，因為第一導入部34與第二導入部35一定程度地遠離，所以能夠抑制紅外線加熱器6局部地降溫。因此，能夠提高紅外線加熱器6的溫度分佈的平衡。此外，根據本實施方式，通過使第一導入部34與第二導入部35的距離（紅外線加熱器6的外部形狀的一邊的長度）為225mm左右，即便腔室2的頂板21熱膨脹或者熱收縮，也能夠容許所述膨脹或者收縮。However, when the
此外，在俯視狀態下，紅外線加熱器6的外部形狀呈矩形形狀，第一導入部34配置在紅外線加熱器6的一邊的一側，第二導入部35配置在所述一邊的另一側，從而起到以下的效果。因為紅外線加熱器6中從第二導入部35到彎曲部31h的部分成為在2個部位彎折的U字管狀（即沿著除了紅外線加熱器6的所述一邊以外的三邊的形狀），所以與直管狀以及L字管狀的情況相比較，能夠提高紅外線加熱器6的柔軟性。因此，即便紅外線加熱器6的所述一邊熱膨脹或者熱收縮，由於紅外線加熱器6的柔軟性，也能夠容許所述一邊的膨脹或者收縮。In addition, in a plan view, the outer shape of the
此外，在俯視狀態下，第一導入部34以及第二導入部35的兩者都進入紅外線加熱器6的外部形狀內，由此在配置紅外線加熱器6時，因為能夠避免第一導入部34以及第二導入部35成為妨礙，所以能夠提高佈局的自由度。例如，在一表面上鋪設多個紅外線加熱器6時，能夠避免相鄰的2個紅外線加熱器6在第一導入部34以及第二導入部35處發生干涉，因此能夠整齊地鋪設多個紅外線加熱器6。In addition, in a plan view, both the
此外，還包括加熱部5，隔著基板10配置在與紅外線加熱器6相反的一側，並且能夠加熱基板10，由此因為加熱部5的加熱與紅外線加熱器6的加熱相輔相成，能夠更有效地加熱基板10。In addition, the
此外，還包括能夠容納基板10、加熱部5以及紅外線加熱器6的腔室2，由此能夠在腔室2內管理基板10的加熱溫度，因此能夠有效地加熱基板10。In addition, the
此外，基板10、加熱部5以及紅外線加熱器6被共用的腔室2容納，由此能夠在共用的腔室2內一併地進行加熱部5對基板10的加熱處理與紅外線加熱器6對基板10的加熱處理。即，不必像加熱部5以及紅外線加熱器6被容納於相互不同的腔室2的情況那樣地，需要用於使基板10在不同的2個腔室2之間輸送的時間。因此，能夠更高效地進行基板10的加熱處理。此外，與具備不同的2個腔室2的情況相比，能夠使裝置整體小型化。In addition, since the
此外，聚醯亞胺形成用液僅被塗布在基板10的第一表面10a，加熱部5被配置於基板10的第一表面10a的相反側即第二表面10b的一側，由此起到以下的效果。因為從加熱部5產生的熱量從基板10的第二表面10b的一側朝向第一表面10a的一側傳遞，所以能夠有效地加熱基板10。此外，在利用加熱部5加熱基板10的期間，能夠高效地進行被塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的揮發或者醯亞胺化（例如成膜中的排氣）。In addition, the liquid for forming polyimide is applied only on the
此外，加熱部5以及紅外線加熱器6都能夠階段性地加熱基板10，由此起到以下的效果。與加熱部5以及紅外線加熱器6僅能以恆定的溫度加熱基板10的情況相比較，能夠高效地加熱基板10以適合塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的成膜條件。因此，使塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液階段性地乾燥，能夠良好地固化。In addition, both the
此外，還包括位置調整部7，能夠調整加熱部5以及紅外線加熱器6與基板10的相對位置，由此，與不具備位置調整部7的情況相比較，容易調整基板10的加熱溫度。例如，能夠在要使基板10的加熱溫度變高的情況下，使加熱部5以及紅外線加熱器6接近基板10，能夠在要使基板10的加熱溫度變低的情況下，使加熱部5以及紅外線加熱器6遠離基板10。因此，容易階段性地加熱基板10。In addition, the
此外，位置調整部7包括能夠使基板10在加熱部5與紅外線加熱器6之間移動的移動部7a，從而通過使基板10在加熱部5與紅外線加熱器6之間移動，在將加熱部5以及紅外線加熱器6中的至少一方配置在固定位置的狀態下，能夠調整基板10的加熱溫度。因此，無需另外設置能夠使加熱部5以及紅外線加熱器6的至少一方移動的裝置，因此能夠以簡單的構成調整基板10的加熱溫度。In addition, the
此外，在加熱部5與紅外線加熱器6之間，設置有能夠輸送基板10的輸送部8，在輸送部8中形成有能夠使移動部7a通過的通過部8h，從而起到以下的效果。在使基板10在加熱部5與紅外線加熱器6之間移動的情況下，因為能夠使基板10通過通過部8h，所以無需使基板10繞過輸送部8而移動。因此，無需另外設置用於使基板10繞過輸送部8而移動的裝置，能夠以簡單的構成順暢地進行基板10的移動。In addition, between the
此外，加熱部5是電熱板，由此能夠在基板10的面內使基板10的加熱溫度均勻化，因此能夠提高膜特性。例如，在使電熱板的一表面與基板10的第二表面10b抵接的狀態下加熱基板10，由此能夠提高基板10的加熱溫度的面內均勻性。In addition, since the
此外，還包括能夠檢測基板10的溫度的溫度檢測部9，由此能夠即時地掌握基板10溫度。例如，通過基於溫度檢測部9的的檢測結果對基板10進行加熱，能夠抑制基板10溫度偏離目標值。Moreover, the
此外，還包括回收部11，能夠回收從塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑，由此能夠防止從聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑向工廠側排出。此外，在將回收部11連接於減壓部3（真空泵13）的管線的情況下，能夠防止從聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑再次液化而逆流至真空泵13內。進而，從聚醯亞胺形成用液揮發的溶劑能夠作為清洗液再利用。例如，清洗液能夠用於噴嘴前端的清洗、附著於刮取構件的液體的清洗等，所述刮取構件對附著在噴嘴上的液體進行刮取。In addition, the
此外，紅外線加熱器6被配置在基板10的第一表面10a的一側，由此從紅外線加熱器6產生的熱量從基板10的第一表面10a的一側傳遞至第二表面10b的一側，由此加熱部5的加熱與紅外線加熱器6的加熱相輔相成，能夠更有效地加熱基板10。Further, the
此外，通過紅外線加熱器6的紅外線加熱，能夠在短時間內將基板10升溫到第二溫度。此外，因為能夠在使紅外線加熱器6與基板10遠離的狀態下，對基板10進行加熱（所謂的非接觸加熱），所以能夠保持基板10的清潔（所謂的清潔加熱）。In addition, the temperature of the
此外，因為紅外線加熱器的峰值波長範圍是1.5μm以上並且4μm以下的範圍，而1.5μm以上並且4μm以下的範圍的波長與玻璃以及水等的吸收波長一致，因此能夠更有效地加熱基板10以及塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液。In addition, since the peak wavelength range of the infrared heater is in the range of 1.5 μm or more and 4 μm or less, and the wavelength in the range of 1.5 μm or more and 4 μm or less corresponds to the absorption wavelength of glass, water, etc., the
此外，還包括能夠擺動基板10的擺動部12，由此能夠一邊擺動基板10，一邊加熱基板10，因此能夠提高基板10的溫度均勻性。In addition, by including the
（第一變形例） 接著，使用圖7對第一實施方式的第一變形例進行說明。 圖7是示出第一實施方式的紅外線加熱器的第一變形例的俯視圖。 在第一變形例中，相對於第一實施方式，紅外線加熱器的形狀特別地不同。在圖7中，對與第一實施方式相同的構成賦予相同的附圖標記，省略其詳細說明。(first modification) Next, a first modification of the first embodiment will be described with reference to FIG. 7 . 7 is a plan view showing a first modification of the infrared heater according to the first embodiment. In the first modification, the shape of the infrared heater is particularly different from that of the first embodiment. In FIG. 7 , the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment, and detailed descriptions thereof will be omitted.
＜紅外線加熱器＞
如圖7所示，本變形例的紅外線加熱器6A的外部形狀的一邊的長度以及全長比第一實施方式的紅外線加熱器6（參照圖2）的長度短。例如，紅外線加熱器6A的外部形狀的一邊的長度為210mm左右。例如，紅外線加熱器6A的全長為1890mm左右。＜Infrared heater＞
As shown in FIG. 7 , the length of one side and the overall length of the outer shape of the
直部30a～30g在第二方向V2上並列配置有多個（例如在本變形例中為7個）。本變形例的相鄰的2個直部30a～30g之間的間隔S1比第一實施方式的相鄰的2個直部30a～30i之間的間隔S1大。例如，本變形例的相鄰的2個直部30a～30g之間的間隔S1為30mm左右。The
蓋部32、33以從外側覆蓋多個（例如在本變形例中為6個）彎曲部31a～31f的方式在第二方向V2上直線狀地延伸。具體而言，蓋部32、33具備：第一蓋部32，從第一方向V1的一側覆蓋3個彎曲部31b、31d、31f；第二蓋部33，從第一方向V1的另一側覆蓋3個彎曲部31a、31c、31e。The
第一蓋部32與彎曲部31b、31d、31f之間的間隔S2與相鄰的2個直部30a～30g之間的間隔S1為實質相同的大小。第一蓋部32與彎曲部31b、31d、31f之間的間隔例如是30mm左右。The space|interval S2 between the
第二蓋部33與彎曲部31a、31c、31e之間的間隔S3與相鄰的2個直部30a～30g之間的間隔S1為實質相同的大小。第二蓋部33中的蓋主體33a與彎曲部31a、31c、31e之間的間隔例如是30mm左右。另外，第二蓋部33中的延伸部33b與直部30a之間的間隔也是30mm左右。The space|interval S3 between the
如上所述，根據本變形例，通過使紅外線加熱器6A的外部形狀的一邊的長度以及全長比第一實施方式的紅外線加熱器6的長度短，能夠實現紅外線加熱器6A的輕量化以及輕巧化。此外，本變形例的紅外線加熱器6A能夠毫無問題地作為低溫用（例如350℃～400℃的加熱溫度）的紅外線加熱器來使用，因此能夠實現低成本化。As described above, according to this modification, the length of one side and the overall length of the outer shape of the
（第二變形例） 接著，使用圖8對第一實施方式的第二變形例進行說明。 圖8是示出第一實施方式的紅外線加熱器的第二變形例的俯視圖。 在第二變形例中，相對於第一變形例，紅外線加熱器的形狀特別地不同。在圖8中，對與第一變形例相同的構成賦予相同的附圖標記，省略其詳細說明。(Second modification) Next, a second modification of the first embodiment will be described with reference to FIG. 8 . 8 is a plan view showing a second modification of the infrared heater of the first embodiment. In the second modification, the shape of the infrared heater is particularly different from the first modification. In FIG. 8 , the same reference numerals are given to the same structures as those of the first modification, and the detailed description thereof will be omitted.
＜紅外線加熱器＞
如圖8所示，本變形例的紅外線加熱器6B的全長比第一變形例的紅外線加熱器6A（參照圖7）的長度要長。例如，紅外線加熱器6B的全長為2070mm左右。另外，紅外線加熱器6B的外部形狀的一邊的長度為210mm左右。＜Infrared heater＞
As shown in FIG. 8 , the entire length of the
第一蓋部32與彎曲部31b、31d、31f之間的間隔比相鄰的2個直部30a～30g之間的間隔S1小。第一蓋部32與彎曲部31b、31d、31f之間的間隔例如是15mm左右。The interval between the
第二蓋部33與彎曲部31a、31c、31e之間的間隔比相鄰的2個直部30a～30g之間的間隔S1小。第二蓋部33中的蓋主體33a與彎曲部31a、31c、31e之間的間隔S3例如是15mm左右。另外，第二蓋部33中的延伸部33b與直部30a之間的間隔是30mm左右。The interval between the
如上所述，根據本變形例，通過使蓋部32、33與彎曲部31a～31f之間的間隔S2、S3比相鄰的2個直部30a～30g之間的間隔S1小，起到以下的效果。與蓋部32、33與彎曲部31a～31f之間的間隔S2、S3為相鄰的2個直部30a～30g之間的間隔S1以上的情況相比較，能夠更可靠地避免彎曲部31a～31f的露出，因此能夠更可靠地抑制彎曲部31a～31f與其他部分相比發生降溫。即，因為通過蓋部32、33能夠從外側更可靠地加熱彎曲部31a～31f的至少一部分，所以能夠更可靠地抑制彎曲部31a～31f與其他部分產生溫度差。因此，能夠更可靠地提高紅外線加熱器6B的溫度分佈的平衡。As described above, according to the present modification, by making the intervals S2 and S3 between the
（第二實施方式）
接著，使用圖9～圖12對本發明的第二實施方式進行說明。
圖9是第二實施方式的紅外線加熱器206的俯視圖。
在第二實施方式中，相對於第一實施方式，紅外線加熱器的形狀特別地不同。在圖9中，對與第一實施方式相同的構成賦予相同的附圖標記，省略其詳細說明。(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 12 .
FIG. 9 is a plan view of the
＜紅外線加熱器＞
如圖9所示，在俯視狀態下，紅外線加熱器206的外部形狀呈矩形形狀。紅外線加熱器206在俯視狀態下呈點對稱形狀（軸對稱的形狀）。＜Infrared heater＞
As shown in FIG. 9 , in a plan view, the outer shape of the
第一蓋部32連結於第二方向V2的一側的直部30a的一端部。第一蓋部32呈在第二方向V2上具有長邊的直管狀。
第二蓋部233連結於第二方向V2的另一側的直部30i的一端部。第二蓋部233呈在第二方向V2上具有長邊的直管狀。The
第一導入部34被配置於紅外線加熱器206的一角部。具體而言，第一導入部34被設置于第一蓋部32的一端。
第二導入部35被配置於所述一角部的對角部。具體而言，第二導入部35被設置于第二蓋部233的一端。即，在第一方向V1以及第二方向V2上，第二導入部35被配置在第一導入部34的相反側。The
圖10是用於說明第二實施方式的基板加熱裝置201的動作的一例的圖。圖11是後續圖10的、第二實施方式的基板加熱裝置201的動作說明圖。圖12是後續圖11的、第二實施方式的基板加熱裝置201的動作說明圖。
為了方便，在圖10～圖12中，省略了基板加熱裝置201的構成要素之中的減壓部3、氣體供給部4、輸送部8、溫度檢測部9、回收部11、擺動部12以及控制部15的圖示。FIG. 10 is a diagram for explaining an example of the operation of the
在第二實施方式中，相對於第一實施方式，位置調整部207的構成特別地不同。在圖10～圖12中，對與第一實施方式相同的構成賦予相同的附圖標記，省略其詳細說明。In the second embodiment, the configuration of the position adjustment unit 207 is particularly different from that in the first embodiment. In FIGS. 10 to 12 , the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted.
＜位置調整部＞
如圖10所示，位置調整部207具備容納部270、移動部275以及驅動部279。
容納部270被配置在腔室2的下側。容納部270能夠容納移動部275以及驅動部279。容納部270形成為長方體的箱狀。具體而言，容納部270由以下構件形成：矩形板狀的第一支承板271；與第一支承板271對置的矩形板狀的第二支承板272；包圍板273，與第一支承板271以及第二支承板272的外周邊緣相連，並且以包圍移動部275以及驅動部279的周圍的方式覆蓋移動部275以及驅動部279。另外，也可以不設置包圍板273。即，位置調整部207至少具備第一支承板271、移動部275以及驅動部279即可。例如也可以設置有包圍裝置整體的外裝蓋。<Position Adjustment Section>
As shown in FIG. 10 , the position adjustment unit 207 includes a
第一支承板271的外周邊緣被連接於腔室2的周壁23的下端。第一支承板271也作為腔室2的底板起作用。在第一支承板271上配置有加熱部205。具體而言，加熱部205在腔室2內由第一支承板271支承。The outer peripheral edge of the
包圍板273與周壁23上下連續地相連。腔室2構成為能夠在密閉空間內容納基板10。例如通過利用熔接熔接等無間隙地接合頂板21、作為底板的第一支承板271以及周壁23的各連接部，能夠提高腔室2內的氣密性。The surrounding
移動部275具備銷276、伸縮管277以及基台278。
銷276能夠支承基板10的第二表面10b，並且能夠在第二表面10b的法線方向（Z方向）上移動。銷276是上下延伸的棒狀構件。銷276的前端（上端）能夠抵接於基板10的第二表面10b，並且能夠遠離基板10的第二表面10b。The moving part 275 includes a
在與第二表面10b平行的方向（X方向以及Y方向）上隔開間隔地設置有多個銷276。多個銷276分別形成為大致相同的長度。多個銷276的前端配置在與第二表面10b平行的面內（XY平面內）。A plurality of
伸縮管277被設置在第一支承板271與基台278之間。伸縮管277是以包圍銷276的周圍的方式進行覆蓋並且上下延伸的管狀構件。伸縮管277在第一支承板271與基台278之間上下自如地伸縮。伸縮管277例如是真空波紋管。The
伸縮管277設置有多個，與多個銷276的數量相同。多個伸縮管277的前端（上端）被固定于第一支承板271。具體而言，在第一支承板271上形成有使第一支承板271在厚度方向上開口的多個插通孔271h。各插通孔271h的內徑為與各伸縮管277的外徑大致相同大小。各伸縮管277的前端例如被嵌合固定于第一支承板271的各插通孔271h。A plurality of
基台278是與第一支承板271對置的板狀構件。基台278的上表面呈沿著基板10的第二表面10b的平坦面。在基台278的上表面固定有多個銷276的基端（下端）以及多個伸縮管277的基端（下端）。The
多個銷276的前端可插通加熱部205。在加熱部205中，在第二表面10b的法線方向上與第一支承板271的各插通孔271h（各伸縮管277的內部空間）重疊的位置，形成有使加熱部205在第二表面10b的法線方向（電熱板的厚度方向）開口的多個插通孔205h。The front ends of the plurality of
多個銷276的前端能夠經由各伸縮管277的內部空間以及加熱部205的各插通孔205h而抵接於基板10的第二表面10b。因此，通過多個銷276的前端能夠以平行於XY平面的方式支承基板10。多個銷276一邊支承容納在腔室2內的基板10，一邊沿腔室2內的Z方向移動（參照圖10～圖12）。The tips of the plurality of
驅動部279被配置在腔室2的外部即容納部270內。因此即便假設隨著驅動部279的驅動而產生微塵，通過使腔室2內為密閉空間，也能夠避免微塵向腔室2內的入侵。The
＜基板加熱方法＞
接著，對本實施方式的基板加熱方法進行說明。在本實施方式中，使用上述的基板加熱裝置201對基板10進行加熱。在基板加熱裝置201的各構件進行的動作由控制部15控制。另外，對於與第一實施方式相同的工程，省略了其詳細說明。<Substrate heating method>
Next, the substrate heating method of the present embodiment will be described. In this embodiment, the
本實施方式的基板加熱方法包括減壓工程、第一加熱工程以及第二加熱工程。
在減壓工程中，對塗布了聚醯亞胺形成用液的基板10進行減壓。
如圖10所示，在減壓工程中，基板10遠離加熱部205。具體而言，使多個銷276的前端經由各伸縮管277的內部空間以及加熱部205的各插通孔205h而抵接於基板10的第二表面10b，並且使基板10上升，由此使基板10遠離加熱部205。在減壓工程中，加熱部205以及基板10以加熱部205的熱量不會傳遞至基板10的程度遠離。在減壓工程中，接通加熱部205的電源。加熱部205的溫度，例如是250℃左右。另一方面，在減壓工程中，斷開紅外線加熱器206的電源。The substrate heating method of the present embodiment includes a decompression process, a first heating process, and a second heating process.
In the decompression process, the
在減壓工程之後，在第一加熱工程中，以加熱部205的溫度加熱基板10。
如圖11所示，在第一加熱工程中，通過使多個銷276的前端遠離基板10的第二表面10b，使基板10抵接加熱部205。即，使基板10載置在加熱部205的上表面。由此，因為加熱部205抵接基板10的第二表面10b，所以加熱部5的熱量會直接傳遞至基板10。加熱部205的溫度例如在第一加熱工程中維持在250℃。因此，基板溫度能夠上升到250℃。另一方面，在第一加熱工程中，紅外線加熱器206的電源一直處於斷開狀態。After the decompression process, in the first heating process, the
第一加熱工程之後，在第二加熱工程中，以第二溫度對基板10進行加熱。
如圖12所示，在第二加熱工程中，通過使基板10上升到比第一加熱工程時的位置更高的位置，使基板10接近紅外線加熱器206。例如，在第二加熱工程中，加熱部205的溫度維持在250℃。此外，在第二加熱工程中，接通紅外線加熱器206的電源。例如，紅外線加熱器206能夠以450℃對基板10進行加熱。因此，基板溫度能夠上升到450℃。在第二加熱工程中，基板10比在第一加熱工程時更接近紅外線加熱器206，因此紅外線加熱器206的熱量被充分地傳遞至基板10。After the first heating process, in the second heating process, the
之後，經過與第一實施方式相同的工程，進行塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的揮發或者醯亞胺化，並且進行塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時的分子鏈的再排列，能夠形成聚醯亞胺膜。After that, through the same process as in the first embodiment, volatilization or imidization of the polyimide-forming liquid applied to the
如上所述，根據本實施方式，在俯視狀態下，紅外線加熱器206的外部形狀呈矩形形狀，第一導入部34配置在紅外線加熱器206的一角部，第二導入部35配置在所述一角部的對角部，由此，在俯視狀態下，第一導入部34以及第二導入部35的配置位置以紅外線加熱器206的中心為基準而成為點對稱，並且第一導入部34以及第二導入部35較遠地遠離。由此，即便在第一導入部34以及第二導入部35與其他部分相比降溫的情況下，也不會降低相互的降溫溫度，從而能夠避免紅外線加熱器206局部地過度降溫，因此能夠盡可能地提高紅外線加熱器206的溫度分佈的平衡。As described above, according to the present embodiment, the outer shape of the
此外，在俯視狀態下，紅外線加熱器206呈點對稱形狀，由此與在俯視狀態下，紅外線加熱器206呈非對稱形狀的情況相比較，能夠更可靠地提高紅外線加熱器206的溫度分佈的平衡。In addition, since the
此外，移動部275包括能夠支承基板10的第二表面10b、並且能夠在第二表面10b的法線方向上移動的多個銷276，多個銷276的前端被配置在與第二表面10b平行的面內，從而起到以下的效果。能夠在穩定地支承基板10的狀態下對基板10進行加熱，因此能夠使塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液穩定地成膜。Further, the moving portion 275 includes a plurality of
此外，在加熱部205中，形成有使加熱部205在第二表面10b的法線方向開口的多個插通孔205h，各銷276的前端能夠經由各插通孔205h抵接第二表面10b，從而起到以下的效果。能夠在短時間內進行基板10在多個銷276與加熱部205之間的交接，因此能夠高效地調整基板10的加熱溫度。In addition, the
（第三實施方式）
接著，使用圖13對本發明的第三實施方式進行說明。
圖13是第三實施方式的紅外線加熱器306的俯視圖。
在第三實施方式中，相對於第一實施方式，紅外線加熱器的形狀特別地不同。在圖13中，對與第一實施方式相同的構成賦予相同的附圖標記，省略其詳細說明。(third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 13 .
FIG. 13 is a plan view of the
＜紅外線加熱器＞
如圖13所示，在俯視狀態下，紅外線加熱器306的外部形狀呈矩形形狀。
第一蓋部32連結於第二方向V2的一側的直部30a的一端部。第一蓋部32呈在第二方向V2具有長邊的直管狀。
第二蓋部333連結於第二方向V2的另一側的直部30i的一端部。第二蓋部333呈U字管狀。即，第二蓋部333具備：蓋主體333a，在第二方向V2上具有長邊；第一延伸部333b，連結于蓋主體333a的一端部，並且在第一方向V1上具有長邊；第二延伸部333c，連結於第一延伸部333b的一端部，並且以從外側覆蓋第一蓋部32的方式在第二方向V2上具有長邊。另外，第二蓋部333中的蓋主體333a與彎曲部31a、31c、31e、31g之間的間隔S3與第二蓋部333中的第二延伸部333c與第一蓋部32之間的間隔S4為實質相同的大小。＜Infrared heater＞
As shown in FIG. 13 , in a plan view, the outer shape of the
第一導入部34以及第二導入部35被鄰接地配置在紅外線加熱器306的一角部。在第一方向V1中，第一導入部34配置在比第二導入部35更內側。即，第一導入部34被配置在彎曲部31h與第二導入部35之間。The
如上所述，根據本實施方式，在俯視狀態下，紅外線加熱器306的外部形狀呈矩形形狀，第一導入部34以及第二導入部35被鄰接地配置在紅外線加熱器306的一角部，由此第一導入部34以及第二導入部35之間的距離變得最小，因此能夠盡可能地一直紅外線加熱器306的熱膨脹或者熱收縮。As described above, according to the present embodiment, the outer shape of the
（第四實施方式）
接著，使用圖14對本發明的第四實施方式進行說明。
圖14是第四實施方式的加熱器單元560的俯視圖。
在第四實施方式中，相對於第一實施方式，紅外線加熱器的配置方案特別地不同。在圖14中，對與第一實施方式相同的構成賦予相同的附圖標記，省略其詳細說明。(Fourth Embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 14 .
FIG. 14 is a plan view of a
＜加熱器單元＞
如圖14所示，本實施方式的基板加熱裝置具備加熱器單元560，所述加熱器單元560由鋪設多個（例如在本實施方式中為11台）紅外線加熱器6而構成。
加熱器單元560具備第一紅外線加熱器組561、第二紅外線加熱器組562以及第三紅外線加熱器組563。<Heater unit>
As shown in FIG. 14 , the substrate heating apparatus of the present embodiment includes a
第一紅外線加熱器組561具備多個（例如在本實施方式中為4台）第一紅外線加熱器561a～561d。多個第一紅外線加熱器561a～561d鋪設地配置於第一方向V1（一方向）。另外，從第一方向V1的一側朝向另一側、以第一紅外線加熱器561a、561b、561c、561d的順序進行配置。The first
第二紅外線加熱器組562具備多個（例如在本實施方式中為3台）第二紅外線加熱器562a～562c。多個第二紅外線加熱器562a～562c鋪設地配置於與第一方向V1平行的方向。另外，從與第一方向V1平行的方向的一側朝向另一側、以第二紅外線加熱器562a、562b、562c的順序進行配置。The second
第三紅外線加熱器組563具備多個（例如在本實施方式中為4台）第三紅外線加熱器563a～563d。多個第三紅外線加熱器563a～563d鋪設地配置於與第一方向V1平行的方向。另外，從與第一方向V1平行的方向的一側朝向另一側、以第三紅外線加熱器563a、563b、563c、563d的順序進行配置。The third
第二紅外線加熱器562a～562c，以與相鄰的2個第一紅外線加熱器561a～561d的邊界部鄰接的方式，在第二方向V2（與所述一方向交叉的方向）上與第一紅外線加熱器561a～561d鋪設地配置。進而，第二紅外線加熱器562a～562c，在第二方向V2上，以與相鄰的2個第三紅外線加熱器563a～563d的邊界部鄰接的方式，在第二方向V2上與第三紅外線加熱器563a～563d鋪設地配置。即，第二紅外線加熱器562a～562c在第二方向V2上配置為被夾於相鄰的2個第一紅外線加熱器561a～561d的邊界部與相鄰的2個第三紅外線加熱器563a～563d的邊界部之間。The second
在俯視狀態下，第二紅外線加熱器562a～562c具有與第一紅外線加熱器561a～561d以及第三紅外線加熱器563a～563d相同的形狀。另外，第一紅外線加熱器561a～561d、第二紅外線加熱器562a～562c以及第三紅外線加熱器563a～563d，相當於第一實施方式的紅外線加熱器6。The second
如上所述，根據本實施方式，具備加熱器單元560，所述加熱器單元560構成為在一表面鋪設多個紅外線加熱器6，從而起到以下的效果。因為具備上述紅外線加熱器6，能夠提高加熱器單元560的溫度分佈的平衡。此外，在能夠個別地控制多個紅外線加熱器6的情況下，因為能夠使一部分的紅外線加熱器6的輸出比其他的紅外線加熱器6的輸出大，所以相對於基板10能夠進行溫度分佈良好的加熱。例如，在基板10的四角的溫度較低的情況下，使配置在與該部分對應的位置的紅外線加熱器6的輸出比其他的紅外線加熱器6的輸出大，由此僅提高該部分的溫度，從而能夠提高基板10整體的溫度分佈。As described above, according to the present embodiment, the
此外，加熱器單元560包括：多個第一紅外線加熱器561a～561d，沿第一方向V1鋪設地配置；多個第二紅外線加熱器562a～562c，沿與第一方向V1平行的方向鋪設地配置，第二紅外線加熱器562a～562c，以與相鄰的2個第一紅外線加熱器561a～561d的邊界部鄰接的方式，在與第一方向V1交叉的第二方向V2上與第一紅外線加熱器561a～561d鋪設地配置，從而起到以下的效果。因為第一紅外線加熱器561a～561d的溫度分佈與第二紅外線加熱器562a～562c的溫度分佈能夠相互地補足，所以能夠更進一步地提高加熱器單元560的溫度分佈的平衡。
進而，在第二方向V2上，第二紅外線加熱器562a～562c與第三紅外線加熱器563a～563d鋪設地配置為使得第二紅外線加熱器562a～562c與相鄰的2個第三紅外線加熱器563a～563d的邊界部鄰接。因為第三紅外線加熱器563a～563d的溫度分佈與第二紅外線加熱器562a～562c的溫度分佈能夠相互地補足，所以能夠更進一步地提高加熱器單元560的溫度分佈的平衡。In addition, the
此外，在俯視狀態下，第二紅外線加熱器562a～562c具有與第一紅外線加熱器561a～561d以及第三紅外線加熱器563a～563d相同的形狀，從而起到以下的效果。與在俯視狀態下第二紅外線加熱器562a～562c具有第一紅外線加熱器561a～561d以及第三紅外線加熱器563a～563d不同的形狀的情況相比，能夠更可靠地提高加熱器單元560的溫度分佈的平衡。此外，即便改變基板尺寸，也能夠通過改變紅外線加熱器6的個數，等間隔地配置紅外線加熱器6，而能夠對基板10進行溫度分佈良好的加熱。然而，在紅外線加熱器為單純的直管的情況下，若基板尺寸變大，則須要使直管的長度伸長，因此存在難以容許紅外線加熱器的熱膨脹的可能性。但是，根據本實施方式之構成，即便基板尺寸變大，紅外線加熱器6的尺寸也不會改變，因此能夠容易地容許紅外線加熱器6的熱膨脹。In addition, the second
（第五實施方式）
接著，使用圖15對本發明的第五實施方式進行說明。
圖15是第五實施方式的加熱器單元660的俯視圖。
在第五實施方式中，相對於第四實施方式，紅外線加熱器的配置方案特別地不同。在圖15中，對與第四實施方式相同的構成賦予相同的附圖標記，省略其詳細說明。(Fifth Embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 15 .
FIG. 15 is a plan view of a
＜加熱器單元＞
如圖15所示，本實施方式的加熱器單元660，具備第一紅外線加熱器組561、第二紅外線加熱器組662以及第三紅外線加熱器組563。<Heater unit>
As shown in FIG. 15 , the
在俯視狀態下，第二紅外線加熱器662a～662c具有使第一紅外線加熱器561a～561d或者第三紅外線加熱器563a～563d旋轉90度後的形狀。具體而言，在俯視狀態下，第二紅外線加熱器662a～662c，具有使第一紅外線加熱器561a～561d或者第三紅外線加熱器563a～563d以其中心為起點向右（順時針）旋轉90度後的形狀。另外，第一紅外線加熱器561a～561d、第二紅外線加熱器662a～662c以及第三紅外線加熱器563a～563d相當於第一實施方式的紅外線加熱器6。The second
如上所述，根據本實施方式，在俯視狀態下，第二紅外線加熱器662a～662c具有使第一紅外線加熱器561a～561d或者第三紅外線加熱器563a～563d旋轉90度後的形狀，由此利用第一紅外線加熱器561a～561d、第二紅外線加熱器662a～662c與第三紅外線加熱器563a～563d，能夠相互地補足由紅外線加熱器6的形狀引起的溫度分佈，所以能夠更進一步地提高加熱器單元660的溫度分佈的平衡。As described above, according to the present embodiment, the second
另外，在上述的例子中示出的各構成構件的諸形狀或組合等為一例，基於設計要求等能夠進行各種變更。 此外，雖然在上述實施方式中，基板、加熱部以及紅外線加熱器被容納於共用的腔室內，但是本發明並不限定於此。例如，也可以是加熱部以及紅外線加熱器被容納於相互不同的腔室。In addition, the shapes, combinations, and the like of the respective constituent members shown in the above-mentioned examples are only examples, and various changes can be made based on design requirements and the like. In addition, in the above-mentioned embodiment, although the board|substrate, the heating part, and the infrared heater are accommodated in the common chamber, this invention is not limited to this. For example, the heating unit and the infrared heater may be accommodated in different chambers.
此外，雖然在上述實施方式中，加熱部以及紅外線加熱器兩者都能夠階段性地加熱基板，但是本發明並不限定於此。例如，也可以是加熱部以及紅外線加熱器的至少一方能夠階段性地加熱基板。此外，也可以是加熱部以及紅外線加熱器兩者都僅能以恆定的溫度加熱基板。In addition, in the said embodiment, although both the heating part and the infrared heater can heat a board|substrate in stages, this invention is not limited to this. For example, at least one of the heating unit and the infrared heater may be capable of heating the substrate in steps. In addition, both the heating unit and the infrared heater may heat the substrate only at a constant temperature.
此外，可以在上述實施方式中使腔室的內壁能夠反射紅外線。例如，可以是使腔室的內壁為由鋁等的金屬形成的鏡面（反射面）。由此，與使腔室的內壁能夠吸收紅外線的材質相比較，能夠提高腔室內的溫度均勻性。In addition, the inner wall of the chamber may be made to reflect infrared rays in the above-described embodiment. For example, the inner wall of the chamber may be a mirror surface (reflection surface) formed of metal such as aluminum. Thereby, the temperature uniformity in the chamber can be improved compared with the material which enables the inner wall of the chamber to absorb infrared rays.
此外，雖然在上述實施方式中，使用了多個輸送輥作為輸送部，但是本發明並不限定於此。例如，作為輸送部，可以使用傳送帶，也可以使用線性電機致動器。例如，也可為能夠在X方向上添加傳送帶以及線性電機致動器。由此，能夠調整X方向中的基板的輸送距離。In addition, in the said embodiment, although a some conveyance roller was used as a conveyance part, this invention is not limited to this. For example, as a conveying part, a conveyor belt may be used, and a linear motor actuator may be used. For example, it is also possible to add conveyor belts and linear motor actuators in the X direction. Thereby, the conveyance distance of the board|substrate in X direction can be adjusted.
此外，也可以在採用圖3所示的構成（在輸送部中形成有通過部的構成）以外的構成作為輸送部的情況下，使得加熱部在俯視狀態下的尺寸大於等於基板在俯視狀態下的尺寸。由此，與使加熱部在俯視狀態下的尺寸比基板在俯視狀態下的尺寸小的情況相比較，能夠更進一步提高基板的加熱溫度的面內均勻性。In addition, when a configuration other than the configuration shown in FIG. 3 (the configuration in which the passage portion is formed in the transfer portion) is used as the transfer portion, the size of the heating portion in a plan view may be equal to or greater than that of the substrate in a plan view size of. This makes it possible to further improve the in-plane uniformity of the heating temperature of the substrate compared to the case where the size of the heating portion in the plan view is smaller than the size of the substrate in the plan view.
此外，雖然在上述實施方式中，在減壓工程以及第一加熱工程中，接通加熱部的電源，斷開紅外線加熱器的電源，但是本發明並不限定於此。例如，也可以是，在減壓工程以及第一加熱工程中接通加熱部以及紅外線加熱器的電源。In addition, in the above-mentioned embodiment, in the decompression process and the first heating process, the power supply of the heating unit is turned on and the power supply of the infrared heater is turned off, but the present invention is not limited to this. For example, in the decompression process and the first heating process, the power of the heating unit and the infrared heater may be turned on.
此外，也可以是在上述實施方式中，在俯視狀態下紅外線加熱器的外部形狀呈矩形形狀，第一導入部以及第二導入部在紅外線加熱器的一邊的中央部對置地配置。根據該構成，因為第一導入部與第二導入部一定程度地遠離，所以能夠抑制紅外線加熱器局部地降溫。因此，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。In addition, in the above-described embodiment, the outer shape of the infrared heater may be a rectangular shape in plan view, and the first introduction portion and the second introduction portion may be arranged to face each other at the center portion of one side of the infrared heater. According to this structure, since the 1st introduction part and the 2nd introduction part are spaced apart to some extent, it can suppress that an infrared heater is cooled locally. Therefore, the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved.
另外，作為上述實施方式或者其變形例而記載的各構成要素，在不脫離本發明的主旨的範圍內，能夠進行適當組合，此外，也可以在組合得到的多個構成要素之中，適當地不使用一部分的構成要素。In addition, the respective constituent elements described as the above-described embodiment or its modification examples can be appropriately combined within the scope of not departing from the gist of the present invention, and further, among the plurality of constituent elements obtained by combining, appropriately Some components are not used.
（實施例） 以下，通過實施例對本發明更具體地進行說明，但是本發明並不受以下的實施例的限定。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited by the following examples.
本發明人通過以下的評價確認了：通過使紅外線加熱器包括以從外側覆蓋彎曲部的方式配置的蓋部，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。The inventors of the present invention have confirmed through the following evaluation that the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved by including the infrared heater with the cover portion arranged so as to cover the bent portion from the outside.
（比較例） 比較例的紅外線加熱器使用僅具備直部以及彎曲部的紅外線加熱器。即，在比較例中不具備蓋部。(Comparative example) As the infrared heater of the comparative example, an infrared heater having only a straight portion and a curved portion was used. That is, in the comparative example, the lid portion is not provided.
（實施例） 實施例的紅外線加熱器使用具備直部、彎曲部以及蓋部的紅外線加熱器。即，相對於比較例，實施例的紅外線加熱器還具備蓋部。另外，實施例的紅外線加熱器相當於第一實施方式的紅外線加熱器6（參照圖2）。(Example) The infrared heater of the Example used the infrared heater provided with a straight part, a curved part, and a cover part. That is, compared with the comparative example, the infrared heater of the Example is further provided with the cover part. In addition, the infrared heater of the Example corresponds to the infrared heater 6 (refer FIG. 2) of 1st Embodiment.
（評價條件） 以下，對比較例以及實施例中的、通過紅外線加熱器進行加熱時的基板的溫度分佈的評價條件進行說明。 使用玻璃基板作為基板。基板配置在紅外線加熱器的正下方。基板的溫度為450℃。 在基板中，對與直部的長度方向中央部對應的部分（即，在基板的法線方向重疊的部分）的溫度（以下稱為“直部溫度”）進行測量。此外，在基板中，對與彎曲部對應的部分（即，在基板的法線方向重疊的部分）的溫度（以下稱為“彎曲部溫度”）進行測量。而且，算出直部溫度與彎曲部溫度差(以下稱為“溫度差”)。(evaluation conditions) Hereinafter, the evaluation conditions of the temperature distribution of the board|substrate at the time of heating with an infrared heater in a comparative example and an Example are demonstrated. A glass substrate was used as the substrate. The substrate is arranged just below the infrared heater. The temperature of the substrate was 450°C. In the substrate, the temperature of the portion corresponding to the longitudinal center portion of the straight portion (ie, the portion overlapping in the normal line direction of the substrate) (hereinafter referred to as “straight portion temperature”) is measured. In addition, in the substrate, the temperature of the portion corresponding to the bent portion (ie, the portion overlapping in the normal line direction of the substrate) (hereinafter referred to as “curved portion temperature”) was measured. Then, the temperature difference between the straight portion and the curved portion (hereinafter referred to as "temperature difference") was calculated.
（通過紅外線加熱器進行加熱時的基板的溫度分佈的評價結果） 在比較例的情況下，彎曲部比直部暗。由此可知彎曲部溫度比直部溫度低。在比較例的情況下，溫度差為5.8℃。(Evaluation result of temperature distribution of substrate when heated by infrared heater) In the case of the comparative example, the curved portion is darker than the straight portion. From this, it can be seen that the temperature of the curved portion is lower than that of the straight portion. In the case of the comparative example, the temperature difference was 5.8°C.
在實施例的情況下，彎曲部比直部暗。但是，實施例的彎曲部比比較例的彎曲部亮。由此可知，即便在實施例中，彎曲部溫度比直部溫度低，但是其降低程度比比較例小。在實施例的情況下，溫度差為2.4℃。 如上所述可知，通過使紅外線加熱器包括以從外側覆蓋彎曲部的方式配置的蓋部，能夠提高紅外線加熱器的溫度分佈的平衡。此外，可知能夠提高基板的溫度分佈。In the case of the embodiment, the curved portion is darker than the straight portion. However, the curved portion of the example is brighter than the curved portion of the comparative example. From this, it can be seen that even in the examples, the temperature of the curved portion is lower than the temperature of the straight portion, but the degree of decrease is smaller than that of the comparative example. In the case of the examples, the temperature difference was 2.4°C. As described above, it was found that the balance of the temperature distribution of the infrared heater can be improved by including the cover portion arranged so as to cover the bent portion from the outside. Moreover, it turned out that the temperature distribution of a board|substrate can be improved.
1,201:基板加熱裝置
2:腔室
3:減壓部
5,205:加熱部
5a:載置面
6,6A,6B,206,306:紅外線加熱器
7,207:位置調整部
7a,275:移動部
8:輸送部
8h:通過部
9:溫度檢測部
10:基板
10a:第一表面
10b:第二表面
11:回收部
30a,30b,30c,30d,30e,30f,30g,30h,30i:直部
31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g,31h:彎曲部
32:第一蓋部（蓋部）
33,233,333:第二蓋部（蓋部）
34:第一導入部
35:第二導入部
205h:插通孔
276:銷
560,660:加熱器單元
561a,561b,561c,561d:第一紅外線加熱器
562a,562b,562c,662a,662b,662c:第二紅外線加熱器
S1:相鄰的2個直部之間的間隔
S2,S3:蓋部與彎曲部之間的間隔
V1:第一方向
V2:第二方向1,201: Substrate heating device
2: Chamber
3: Decompression part
5,205: Heating section
5a: Mounting
[圖1]是第一實施方式的基板加熱裝置的立體圖。 [圖2]是示出第一實施方式的紅外線加熱器的俯視圖。 [圖3]是用於說明輸送輥、基板以及加熱部的配置關係的圖。 [圖4]是用於說明第一實施方式的基板加熱裝置的動作的一例的圖。 [圖5]是後續圖4的、第一實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 [圖6]是後續圖5的、第一實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 [圖7]是示出第一實施方式的紅外線加熱器的第一變形例的俯視圖。 [圖8]是示出第一實施方式的紅外線加熱器的第二變形例的俯視圖。 [圖9]是第二實施方式的紅外線加熱器的俯視圖。 [圖10]是用於說明第二實施方式的基板加熱裝置的動作的一例的圖。 [圖11]是後續圖10的、第二實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 [圖12]是後續圖11的、第二實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 [圖13]是第三實施方式的紅外線加熱器的俯視圖。 [圖14]是第四實施方式的加熱器單元的俯視圖。 [圖15]是第五實施方式的加熱器單元的俯視圖。 1 is a perspective view of a substrate heating apparatus according to a first embodiment. [ Fig. 2 ] is a plan view showing the infrared heater according to the first embodiment. [ Fig. 3] Fig. 3 is a diagram for explaining the arrangement relationship of the conveying roller, the substrate, and the heating unit. 4 is a diagram for explaining an example of the operation of the substrate heating apparatus according to the first embodiment. [ Fig. 5] Fig. 5 is an explanatory diagram of the operation of the substrate heating apparatus according to the first embodiment, which follows Fig. 4 . [ Fig. 6] Fig. 6 is an explanatory diagram of the operation of the substrate heating apparatus according to the first embodiment, which follows Fig. 5 . 7] It is a top view which shows the 1st modification of the infrared heater of 1st Embodiment. 8 is a plan view showing a second modification of the infrared heater of the first embodiment. [ Fig. 9] Fig. 9 is a plan view of an infrared heater according to a second embodiment. 10 is a diagram for explaining an example of the operation of the substrate heating apparatus according to the second embodiment. [ Fig. 11] Fig. 11 is an explanatory diagram of the operation of the substrate heating apparatus according to the second embodiment, which follows Fig. 10 . [ Fig. 12] Fig. 12 is an explanatory diagram of the operation of the substrate heating apparatus according to the second embodiment, which follows Fig. 11 . 13 is a plan view of an infrared heater according to a third embodiment. 14 is a plan view of a heater unit according to a fourth embodiment. 15 is a plan view of a heater unit of a fifth embodiment.
1:基板加熱裝置 1: Substrate heating device
2:腔室 2: Chamber
3:減壓部 3: Decompression part
4:氣體供給部 4: Gas supply part
5:加熱部 5: Heating part
6:紅外線加熱器 6: Infrared heater
7:位置調整部 7: Position adjustment part
7a:移動部 7a: Mobile department
7b:驅動部 7b: drive part
8:輸送部 8: Conveying Department
8a:輸送輥 8a: Conveyor roller
8h:通過部 8h: Pass Ministry
9:溫度檢測部 9: Temperature detection section
10:基板 10: Substrate
10a:第一表面 10a: First surface
10b:第二表面 10b: Second surface
11:回收部 11: Recycling Department
12:擺動部 12: Swing part
13:真空泵 13: Vacuum pump
15:控制部 15: Control Department
21:頂板 21: Top plate
22:底板 22: Bottom plate
23:周壁 23: Zhou Wall
23a:基板搬入搬出口 23a: Substrate loading and unloading exit
Claims (12)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016167793A JP6757629B2 (en) | 2016-08-30 | 2016-08-30 | Substrate heating device, substrate heating method and infrared heater |
| JP2016-167793 | 2016-08-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202129767A TW202129767A (en) | 2021-08-01 |
| TWI762146B true TWI762146B (en) | 2022-04-21 |
Family
ID=61437446
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110100792A TWI762146B (en) | 2016-08-30 | 2017-07-14 | Heating apparatus for substrate, heating method for substrate and infrared heaters |
| TW106123574A TWI729167B (en) | 2016-08-30 | 2017-07-14 | Heating apparatus for substrate, heating method for substrate and infrared heaters |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106123574A TWI729167B (en) | 2016-08-30 | 2017-07-14 | Heating apparatus for substrate, heating method for substrate and infrared heaters |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6757629B2 (en) |
| KR (3) | KR102336748B1 (en) |
| CN (1) | CN107785240B (en) |
| TW (2) | TWI762146B (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111383944A (en) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 东京应化工业株式会社 | Substrate heating apparatus, substrate processing system, and substrate heating method |
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2016
- 2016-08-30 JP JP2016167793A patent/JP6757629B2/en active Active
-
2017
- 2017-07-14 TW TW110100792A patent/TWI762146B/en active
- 2017-07-14 TW TW106123574A patent/TWI729167B/en active
- 2017-07-14 CN CN201710573155.8A patent/CN107785240B/en active Active
- 2017-07-28 KR KR1020170096211A patent/KR102336748B1/en active IP Right Grant
-
2021
- 2021-08-03 KR KR1020210102169A patent/KR20210100054A/en not_active Application Discontinuation
-
2022
- 2022-07-22 KR KR1020220091268A patent/KR20220109367A/en active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180025177A (en) | 2018-03-08 |
| TW201807756A (en) | 2018-03-01 |
| KR102336748B1 (en) | 2021-12-07 |
| TWI729167B (en) | 2021-06-01 |
| CN107785240B (en) | 2023-06-20 |
| KR20220109367A (en) | 2022-08-04 |
| JP6757629B2 (en) | 2020-09-23 |
| JP2018037191A (en) | 2018-03-08 |
| KR20210100054A (en) | 2021-08-13 |
| CN107785240A (en) | 2018-03-09 |
| TW202129767A (en) | 2021-08-01 |
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