TWI758433B - 放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠容易進行電纜與基材連接時之重工之放射線
檢測器以及放射線圖像攝影裝置。一種放射線檢測器10,其具備:撓性基材14;複數個像素16,設置於基材14的第1面14A且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷;以及端子區域部55,形成有複數個端子區域50,前述複數個端子區域50分別具備與包含複數個像素16的一部分之特定的像素群組連接且形成於基材14的第1面14A之端子,前述特定的像素群組例如為由與相同之訊號配線24連接之複數個像素16組成之像素群組、或由與相同之掃描配線26連接之複數個像素16組成之像素群組等。
Description
本發明有關一種放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置。
一直以來,已知有以醫療診斷為目的而進行放射線拍攝之放射線圖像攝影裝置。該種放射線圖像攝影裝置中具備於基材上設置有包含蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷之複數個像素之像素群組之感測器基板,並且使用了藉由該感測器基板檢測透射了被攝體之放射線並生成放射線圖像之放射線檢測器。
該種放射線檢測器中,藉由將設置於感測器基板的外部之電路部與設置於感測器基板之像素群組進行電連接,從而蓄積於各像素之電荷藉由電路部的驅動而被讀取。藉由將柔性電纜等電纜與感測器基板的基材進行電連接來進行像素群組與電路部的連接。
已知有將電荷的讀取中使用之電路部搭載於連接電路部與像素群組之電纜上而設為COF(覆晶薄膜(Chip on Film))之放射線圖像攝影裝置(參閱專利文獻1和專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-152486號公報 [專利文獻2]日本特開2012-13315號公報
通常,於將電連接電路部和像素群組之電纜與感測器基板的基材進行連接時,因電纜的連接位置的偏移,或為搭載有電路部之電纜之情況下因所搭載之電路部的故障等,有時會拆卸與感測器基板的基材連接之電纜,並進行重新連接電纜之所謂重工(rework)。
於感測器基板中使用撓性基材為較佳。藉由使用撓性基材,例如有時能夠將放射線圖像攝影裝置(放射線檢測器)輕量化,並且會使被攝體的拍攝變得容易。
當感測器基板中使用之基材為撓性時,例如因基材的彎曲等,有時很難進行電纜與感測器基板連接時之重工。
本公開的目的為,提供一種能夠容易進行電纜與基材連接時之重工之放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置。
為了實現上述目的,本公開的放射線檢測器具備:撓性基材;複數個像素,設置於基材的第1面且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷;以及端子區域部,形成有複數個端子區域,前述複數個端子區域分別具備與包含複數個像素的一部分之特定的像素群組連接且形成於基材的第1面之端子。
又,亦可以為本公開的放射線檢測器的端子區域部設置於基材的外周部的區域,並且從基材的外緣朝向內側而並排形成有複數個端子區域。
又,亦可以為本公開的放射線檢測器的相鄰之端子區域中所含之端子彼此的排列偏離半個間距。
又,亦可以為本公開的放射線檢測器的端子區域部設置於基材的外周部的區域,並且沿著基材的外緣而並排形成有複數個端子區域。
又,亦可以為連接外部的電路部與像素群組之電纜從基材的外緣朝向內側而連接於本公開的放射線檢測器的複數個端子。
又,亦可以為本公開的放射線檢測器中,相對於基材的其他部分,設置有端子區域部之基材部分經由彎曲部而配置。
又,亦可以為本公開的放射線檢測器中,設置有端子區域部之基材部分藉由彎曲部而配置於基材的第1面側。
又,亦可以為本公開的放射線檢測器中,設置有端子區域部之基材部分藉由彎曲部而配置於基材的與第1面相反的第2面側。
又,亦可以為本公開的放射線檢測器中,藉由設置有端子區域部之基材部分彎折而覆蓋基材的其他部分之區域於設置有像素群組之區域之外。
又,本公開的放射線檢測器具備:撓性基材;複數個像素,設置於基材的第1面且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷;以及端子區域,針對包含複數個像素的一部分之特定的像素群組而設置有複數個。
又,本公開的放射線圖像攝影裝置具備:本公開的放射線檢測器;以及電纜,與放射線檢測器的端子區域的端子連接,且搭載有於讀取蓄積於複數個像素中的電荷時驅動之電路部,電纜的從與端子連接之連接部到電路部的長度為與放射線檢測器的基材上的端子區域的位置對應之長度。 [發明效果]
依本公開,能夠容易進行電纜與基材連接時之重工。
以下,參閱圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。另外,本實施形態並不限定本發明。
[第1實施形態] 本實施形態的放射線圖像攝影裝置藉由檢測透射了攝影對象亦即被攝體之放射線並輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資訊,從而具有拍攝攝影對象的放射線圖像之功能。
首先,參閱圖1,對本實施形態的放射線圖像攝影裝置中的電子系統的構成的一例的概略進行說明。圖1係表示本實施形態的放射線圖像攝影裝置中的電子系統的主要部分構成的一例之方塊圖。
如圖1所示,本實施形態的放射線圖像攝影裝置1具備放射線檢測器10、控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106以及電源部108。
放射線檢測器10具備感測器基板12(參閱圖2)以及將放射線轉換為光之轉換層(參閱圖2)。感測器基板12具備撓性基材14以及設置於基材14的第1面14A之複數個像素16。另外,以下,對於複數個像素16,有時簡稱為“像素16”。
如圖1所示,本實施形態的各像素16具備依據轉換層所轉換之光而產生並蓄積電荷之感測器部22、以及讀取蓄積於感測器部22中的電荷之開關元件20。本實施形態中,作為一例,使用薄膜電晶體(TFT:Thin Film Transistor)作為開關元件20。因此,以下,將開關元件20稱為“TFT20”。本實施形態中形成有感測器部22和TFT20,作為經平坦化之層而進一步設置有於基材14的第1面14A形成有像素16之層。
於感測器基板12的主動區域15,沿著一個方向(與圖1的橫向對應之掃描配線方向,以下亦稱為“行方向”)和與行方向交叉之方向(與圖1的縱向對應之訊號配線方向,以下亦稱為“列方向”)而二維狀地配置有像素16。圖1中,簡化顯示了像素16的排列,例如像素16於行方向和列方向上配置有1024個×1024個。
又,放射線檢測器10中相互交叉設置有針對像素16的每一行而設置且用於控制TFT20的開關狀態(導通和關斷)之複數個掃描配線26和針對像素16的每一列而設置且用於讀取蓄積於感測器部22中的電荷之複數個訊號配線24。複數個掃描配線26的每一個分別經由端子52(參閱圖4)而與驅動部102連接,藉此從驅動部102輸出且驅動TFT20而控制開關狀態之驅動訊號流入複數個掃描配線的每一個中。又,複數個訊號配線24的每一個分別經由端子52(參閱圖4)而與訊號處理部104連接,藉此從各像素16讀取之電荷作為電訊號而輸出至訊號處理部104。訊號處理部104生成並輸出與所輸入之電訊號對應之圖像資料。
訊號處理部104中連接有後述之控制部100,從訊號處理部104輸出之圖像資料依序輸出至控制部100。控制部100中連接有圖像記憶體106,從訊號處理部104依序輸出之圖像資料藉由由控制部100進行之控制而依序記憶於圖像記憶體106。圖像記憶體106具有能夠記憶特定數量的圖像資料之記憶容量,每當進行放射線圖像的拍攝時,藉由拍攝而得到之圖像資料依序記憶於圖像記憶體106。
控制部100具備CPU(中央處理單元(Central Processing Unit))100A、包含ROM(唯讀記憶體(Read Only Memory))和RAM(隨機存取記憶體(Random Access Memory))等之記憶體100B、以及快閃記憶體等非易失性記憶部100C。作為控制部100的一例,可舉出微電腦等。控制部100控制放射線圖像攝影裝置1的整體的動作。
另外,本實施形態的放射線圖像攝影裝置1中,圖像記憶體106和控制部100等形成於控制基板110(參閱圖3)上。又,驅動部102和訊號處理部104各自的功能藉由與搭載於控制基板110上的電路或元件等進行配合之IC等電路部130(參閱圖3)來實現。該些電路部130、控制基板110以及像素16藉由具備複數個訊號線之柔性之電纜200(參閱圖3)而電連接。另外,對用於將電路部130與像素16電連接之構成進行後述,因於驅動部102和訊號處理部104中為相同之構成,以下,於本實施形態中,將用於實現驅動部102之電路部和用於實現訊號處理部104之電路部統稱為“電路部130”。
又,為了對各像素16施加偏壓,各像素16的感測器部22中,於訊號配線24的配線方向上設置有共用配線28。共用配線28經由焊墊(省略圖示)而與感測器基板12的外部的偏壓電源(省略圖示)連接,藉此從偏壓電源對各像素16施加偏壓。
電源部108向控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108等各種元件和各種電路供電。另外,圖3中,為了避免複雜化,省略了將電源部108與各種元件和各種電路連接之配線的圖示。
進一步對本實施形態的放射線檢測器10進行詳細說明。圖2係表示本實施形態的放射線檢測器10的一例的概略之剖面圖。
如圖2所示,本實施形態的放射線檢測器10具備包含基材14和像素16之感測器基板12以及轉換層30,並且依序設置有基材14、像素16以及轉換層30。另外,以下,將基材14、像素16以及轉換層30所排列之方向(圖3中的上下方向)稱為積層方向。
基材14具有撓性,例如為包含聚醯亞胺等塑膠之樹脂片。作為基材14的具體例,可舉出XENOMAX(註冊商標)。另外,基材14只要具有期望之撓性即可,並不限定於樹脂片。例如,基材14亦可以為厚度比較薄之玻璃基板等。基材14的厚度為依據材質的硬度和感測器基板12的大小(第1面14A或第2面14B的面積)等而得到期望之撓性之厚度即可。例如當基材14為樹脂片時,只要係厚度為5μm~125μm者即可。又,例如當基材14為玻璃基板時,通常於一個邊為43cm以下的尺寸下,若厚度為0.3mm以下則具有撓性,因此係厚度為0.3mm以下者即可。
如圖2所示,複數個像素16設置於基材14的第1面14A中的內側的一部分區域。亦即,本實施形態的感測器基板12中,於基材14的第1面14A的外周部未設置有像素16。本實施形態中,將基材14的第1面14A中的設置有像素16的區域設為主動區域15。另外,本實施形態中,作為一例,於基材14的第1面14A隔著使用了SiN等的底塗層(省略圖示)而設置有像素16。
又,如圖2所示,於基材14的第1面14A的外周設置有端子區域部55,前述端子區域部55中形成有複數個具備與訊號配線24或掃描配線26電連接之端子之端子區域50,電路部130經由設置於端子區域50之端子而與訊號配線24或掃描配線26連接(後述詳細內容)。
又,如圖2所示,轉換層30覆蓋主動區域15。本實施形態中,作為轉換層30的一例,使用包含CsI(碘化銫)之閃爍器。作為該種閃爍器,例如包含X射線照射時之發射光譜為400nm~700nm之CsI:Tl(添加有鉈之碘化銫)或CsI:Na(添加有鈉之碘化銫)為較佳。另外,CsI:Tl的可見光區域中的發射峰值波長為565nm。
本實施形態中,藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD(化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition))法等氣相沉積法,於感測器基板12上作為柱狀晶體直接形成有CsI的轉換層30。該情況下,轉換層30中的與像素16接觸之一側成為柱狀晶體的生長方向基點側。
另外,如此,於感測器基板12上藉由氣相沉積法而直接形成有CsI的轉換層時,於與感測器基板12接觸之一側相反的一側的面上例如亦可以設置有具有反射由轉換層30轉換之光之功能之反射層(省略圖示)。反射層可以直接設置於轉換層30上,亦可以隔著黏著層等而設置。作為該情況下的反射層的材料,使用了有機類材料者為較佳,例如將白色PET(聚對酞酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate))、TiO2
、Al2
O3
、發泡白色PET、聚酯類高反射片及鏡面反射鋁等中的至少一個作為材料而使用者為較佳。從反射率的觀點考慮,將白色PET作為材料而使用者為特佳。
另外,白色PET係指於PET中添加有TiO2
或硫酸鋇等白色顏料而成者。又,聚酯類高反射片係指具有重疊有複數個薄聚酯片之多層構造之薄片(薄膜)。又,發泡白色PET係指表面成為多孔質之白色PET。
又,當作為轉換層30而使用CsI的閃爍器時,亦能夠藉由與本實施形態不同之方法而於感測器基板12上形成轉換層30。例如可以準備於鋁板等上藉由氣相沉積法蒸鍍了CsI者,並藉由黏著性薄片等來貼合CsI的不與鋁板接觸之一側和感測器基板12的像素16,從而於感測器基板12上形成轉換層30。
而且,與本實施形態的放射線檢測器10不同地,作為轉換層30,亦可以使用GOS(Gd2
O2
S:Tb)等來代替CsI。該情況下,例如準備將使GOS分散於樹脂等黏著劑的薄片,於藉由白色PET等形成之支撐體上藉由黏著層等貼合而成者,並藉由黏著性薄片等來貼合GOS的未貼合有支撐體的一側和感測器基板12的像素16,從而能夠於感測器基板12上形成轉換層30。
另外,亦可以設置有覆蓋放射線檢測器10的局部或全部或者轉換層30等之保護膜或抗靜電膜。作為保護膜,例如可舉出派瑞林(註冊商標)膜、聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等。又,作為抗靜電膜,例如可舉出於聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片(薄膜)上藉由接著鋁箔等而積層有鋁之ALPET(註冊商標)薄片、使用抗靜電塗料“COLCOAT”(商品名:COLCOAT CO., LTD.製)之膜等。
本實施形態的放射線圖像攝影裝置1設置於透射放射線且具有防水性、抗菌性以及密閉性之殼體內。
圖3中示出將本實施形態的放射線圖像攝影裝置1適用於表面讀取方式(ISS:Irradiation Side Sampling)之情況下放射線檢測器10被設置於殼體120內之狀態的一例。
如圖3所示,於殼體120內,放射線檢測器10、電源部108以及控制基板110並排設置於與積層方向交叉之方向上。放射線檢測器10設置成,基材14的第2面14B與被照射透射了被攝體之放射線之殼體120的攝影面120A側相對向。
控制基板110為形成有圖像記憶體106和控制部100等之基板,並且藉由包含複數個訊號線(訊號線227等)之複數個電纜200並經由各個端子52(參閱圖4)而與感測器基板12的像素16電連接。如圖3所示,電纜200上搭載有與電纜200內的訊號線連接之電路部130。
又,控制基板110與電源部108藉由電源線114而連接。
於本實施形態的放射線圖像攝影裝置1的殼體120內的透射了放射線檢測器10之放射線所出射之一側還設置有薄片116。作為薄片116,例如可舉出銅製薄片。銅製薄片很難藉由入射放射線而產生二次放射線,因此具有防止向後側亦即轉換層30側的散射之功能。另外,薄片116至少覆蓋轉換層30的放射線所出射之一側的整個面,又,覆蓋整個轉換層30為較佳,進而,覆蓋整個保護膜32為更佳。另外,薄片116的厚度依據放射線圖像攝影裝置1整體的撓性和重量等而選擇即可,例如,當薄片116為銅製薄片時,若厚度為0.1mm左右以上,則具有撓性,並且還具有屏蔽從外部侵入到放射線圖像攝影裝置1的內部之二次放射線之功能。又例如,當薄片116為銅製薄片時,從撓性和重量的觀點考慮,為0.3mm以下為較佳。
圖3所示之放射線圖像攝影裝置1能夠以將放射線檢測器10向基材14的第2面14B的面外方向稍微彎曲之狀態、例如將中央部彎曲1mm~5mm左右的狀態拍攝放射線圖像。例如,依據被攝體的拍攝部位等,能夠將放射線檢測器10維持於彎曲之狀態而拍攝放射線圖像。另外,於將放射線圖像攝影裝置1(放射線檢測器10)整體彎曲而拍攝放射線圖像時,能夠藉由對圖像進行校正來抑制因彎曲而對圖像產生之影響。
接著,對本實施形態的放射線圖像攝影裝置1中的電路部130與感測器基板12(像素16)的電連接進行詳細說明。另外,如上所述,用於實現驅動部102之電路部130與像素16之間的藉由電纜200進行之電連接、與用於實現訊號處理部104之電路部130與像素16之間的藉由電纜200進行之電連接相同。因此,以下,不限定於電路部130係用於實現驅動部102和訊號處理部104中的哪一個者而進行說明。又,為了方便說明,將訊號配線24和掃描配線26統稱為“訊號線27”。
圖4中示出表示設置於感測器基板12的基材14的外周之端子區域部55的一例的概略之平面圖。又,圖5中示出表示搭載有電路部130之狀態的電纜200的一例的概略之平面圖。另外,圖5示出作為電纜200而被沖壓之前的帶盤201的狀態,實際上,如後述般,藉由沖壓帶盤201而得到電纜200。另外,本實施形態中,作為一例,對能夠進行2次電纜200的重工之情況、具體而言能夠於基材14的端子區域部55將電纜200的安裝進行3次為止之情況進行說明。
另外,本實施形態中,將因電纜200的連接位置的偏移或所搭載之電路部130的故障等,而拆卸與感測器基板12的基材14連接之電纜200並重新連接電纜200之情況稱為“重工”。
本實施形態的放射線檢測器10中,如上述般複數個電纜200與基材14連接,因此針對各電纜200,沿著基材14的外緣而具備圖4所示之端子區域部55。端子區域部55中,作為複數個端子區域,包含第1端子區域50A、第2端子區域50B以及第3端子區域50C。另外,以下,於不分別對第1端子區域50A、第2端子區域50B以及第3端子區域50C進行區分而進行統稱時,簡稱為“端子區域50”。
圖4和圖5所示之例子中,像素16(訊號線27)與電路部130藉由設置於基材14之端子52(52A~52C)與設置於電纜200之連接部252(252A~252C)分別進行熱壓接而電連接。本實施形態中,每個訊號線27上設置有端子52,圖4中示出針對n(n為1以上的整數)根訊號線27於每個端子區域50中設置有n個端子52之情況。另外,本實施形態中,於不分別對n根訊號線27以及n個端子52進行區分而進行統稱時,稱為“訊號線27”以及“端子52”,僅於分別進行區分時,標註分別進行區分之1~n的符號來稱呼。又,對於與訊號線27和端子52對應之記載,亦同樣僅於分別進行區分時,標註分別進行區分之1~n的符號來稱呼。
另外,圖4中示出於相鄰之端子區域50之間各端子區域50的端子52彼此與訊號線27相同地藉由比端子52細之訊號線而連接之形態,但將端子區域50之間的端子52彼此連接之配線等當然並不限定於圖4所示之形態。例如,亦可以設為藉由與各端子52具有相同線寬之訊號線來將端子區域50之間的端子52彼此進行連接之形態。
如圖4所示,設置於基材14的第1面14A的外周部的區域之端子區域部55中,從外緣朝向內側而並排設置有第1端子區域50A、第2端子區域50B以及第3端子區域50C。
第1端子區域50A為設置有首次(第1次)將電纜200與基材14進行連接時使用之端子52A之區域。如圖4所示,設置有n個之端子52A以與訊號線27的配線間隔(間距)對應之間隔沿著基材14的外緣而設置。又,第1端子區域50A中設置有於與電纜200進行連接時用於對位之對準標記56。而且,第1端子區域50A中設置有表示從基材14切斷第1端子區域50A時之切斷位置之切斷標記58。
又,第2端子區域50B為設置有第2次、亦即第1次重工時將電纜200與基材14進行連接時使用之端子52B之區域。如圖4所示,設置有n個之端子52B以與訊號線27的配線間隔(間距)對應之間隔而與端子52A並排設置。又,第2端子區域50B中設置有於與電纜200進行連接時用於對位之對準標記56。而且,第2端子區域50B中設置有表示從基材14切斷第2端子區域50B時之切斷位置之切斷標記58。
而且,第3端子區域50C為設置有200第3次、亦即第2次重工時將電纜與基材14進行連接時使用之端子52C之區域。如圖4所示,設置有n個之端子52C以與訊號線27的配線間隔(間距)對應之間隔而與端子52A和端子52B並排設置。又,第3端子區域50C中設置有於與電纜200進行連接時用於對位之對準標記56。而且,第3端子區域50C中設置有表示從基材14切斷第3端子區域50C時之切斷位置之切斷標記58。
另一方面,電纜200(帶盤201)上搭載有電路部130,並且設置有將電路部130與控制基板110進行電連接之複數個訊號配線210。另外,本實施形態中,訊號配線210的配線間距比訊號線227(訊號線27)的配線間距寬。
電纜200的連接區域部255中從靠近電路部130之一側開始依序並排設置有第1連接區域250A、第2連接區域250B以及第3連接區域250C。另外,以下,於不分別對第1連接區域250A、第2連接區域250B以及第3連接區域250C進行區分而進行統稱時,簡稱為“連接區域250”。
第1連接區域250A中設置有用於將與電路部130連接之訊號線227電連接於端子52A之n個第1連接部252A。又,第1連接區域250A中設置有與基材14進行連接時使用之對準標記256。
又,第2連接區域250B中與第1連接部252A並排設置有用於將與電路部130連接之訊號線227電連接於端子52B之第2連接部252B。又,第2連接區域250B中設置有與基材14進行連接時使用之對準標記256。
而且,第3連接區域250C中與第1連接部252A和第2連接部252B並排設置有用於將與電路部130連接之訊號線227電連接於端子52C之第3連接部252C。又,第3連接區域250C中設置有與基材14進行連接時使用之對準標記256。
本實施形態中,與基材14電連接之電纜200中所含之連接區域250的數量依據重工的次數而不同。因此,藉由將帶盤201沖壓成包含與重工的次數對應之連接區域250之長度,從而形成與重工的次數對應之電纜200。另外,為了容易進行從帶盤201上的沖壓,將各連接區域250彼此的間隔設為鏈輪202的間距的N分之1(N為與連接區域250的數量等對應之整數)為較佳。
圖6A中示出用於於重工次數為第0次時、亦即首次將基材14與電路部130進行電連接之電纜200的一例亦即電纜200A。又,圖6B中示出用於於重工次數為第1次時將基材14與電路部130進行電連接之電纜200的一例亦即電纜200B。又,圖6C中示出用於於重工次數為第2次時將基材14與電路部130進行電連接之電纜200的一例亦即電纜200C。
如圖6A所示,電纜200A上僅設置有連接區域250中的第1連接區域250A。將電纜200A與基材14進行連接時,電纜200A的各第1連接部252A1
~252An
與基材14的第1端子區域50A的各端子52A1
~52An
藉由熱壓接而連接。
如圖6B所示,電纜200B上設置有連接區域250中的第1連接區域250A和第2連接區域250B。將電纜200B與基材14進行連接時,將電纜200B連接於從基材14切斷並去除第1端子區域50A之狀態的基材14。將電纜200B與基材14進行連接時,電纜200B的第2連接區域250B的各第2連接部252B1
~252Bn
與基材14的第2端子區域50B的各端子52B1
~52Bn
藉由熱壓接而連接。
如圖6C所示,電纜200C上設置有連接區域250中的全部第1連接區域250A、第2連接區域250B以及第3連接區域250C。將電纜200C與基材14進行連接時,將電纜200C連接於從基材14切斷並去除第1端子區域50A以及第2端子區域50B之狀態的基材14。將電纜200C與基材14進行連接時,電纜200C的第3連接區域250C的各第3連接部252C1
~252Cn
與基材14的第3端子區域50C的各端子52C1
~52Cn
藉由熱壓接而連接。
如此,本實施形態的放射線檢測器10中,端子區域部55中具備複數個端子區域50(例如,第1端子區域50A、第2端子區域50B以及第3端子區域50C、或第1端子區域50A以及第2端子區域50B)。於對將像素16與電路部130進行電連接之電纜200進行連接和重工時,從設置於基材14的外緣之端子區域50開始依序使用。
亦即,本實施形態的放射線檢測器10中,於進行重工時,電纜200連接於與已拆卸電纜200之基材14的端子區域50不同之基材14的端子區域50。因此,藉由於重工時拆卸與基材14連接之電纜200,從而可以不考慮原本連接有電纜200之各端子52或端子區域50的損傷等。
因此,依據本實施形態的放射線檢測器10,能夠容易進行電纜200與基材14連接時之重工。
又,本實施形態的放射線檢測器10中,與基材14連接之電纜200依據重工的次數而不同。具體而言,本實施形態的放射線檢測器10中,連接有如下電纜200,亦即,重工的次數越增加,從設置於連接區域250一側的電纜200的端部到電路部130的間隔越長之電纜。
通常,電路部130於進行驅動時大多引起發熱。與本實施形態的放射線檢測器10不同地,若因反覆進行重工,藉由電纜200而連接之電路部130的位置靠近像素16(主動區域15),則電路部130的發熱傳遞至像素16,例如有時會於放射線圖像中產生偽影等、對畫質產生影響。又例如,因電路部130的驅動而產生之干擾有時亦會對放射線圖像的拍攝產生影響。又,當電路部130的位置靠近像素16(主動區域15)時,例如圖3所示之放射線圖像攝影裝置1中,電路部130會靠近殼體120的攝影面120A。若電路部130靠近攝影面120A,則可能會導致電路部130中產生之熱量經由殼體120而傳遞至被攝體,因此係不適宜的。
相對於此,本實施形態的放射線檢測器10中,與重工的次數無關地,換言之,與和電纜200連接之連接區域250的位置(距離基材14的外緣的位置)無關地,能夠將電路部130與像素16(主動區域15)之間的距離設為恆定。另外,此處的“恆定”係指,能夠無視誤差或容許範圍內的偏移而視為恆定之情況。
因此,依據本實施形態的放射線檢測器10,能夠如上述般抑制放射線圖像的畫質下降,並且能夠抑制電路部130的熱量傳遞到殼體120的攝影面120A。
另外,作為端子區域部55從基材14的外緣朝向內側而具備複數個端子區域50之情況的例子,並不限定於上述圖4所示之形態。例如,如圖7所示,亦可以於相鄰之其他端子區域50之間,各自所具備之複數個端子52的排列間距偏離半個間距。圖7所示之形態中示出端子區域部55具備以排列間距L設置有n個端子52A之第1端子區域50A、以及以排列間距L設置有n個端子52B之第2端子區域50B這兩個端子區域50之情況。該情況下,如圖7所示,將端子52A與端子52B之間的排列間距偏離半個間距。
如此,針對端子區域部55所具備之每個端子區域50,藉由將各自所具備之複數個端子52的排列間距偏離半個間距,能夠於重工時容易從基材14拆卸電纜200或連接電纜200。
另外,如此,即使於第1端子區域50A和第2端子區域50B中,端子52A與端子52B的排列間距偏離半個間距程度時,電纜200的訊號配線210的配線間距亦足夠寬於訊號線227(訊號線27)的配線間距,因此能夠吸收上述半個間距的偏離。
[第2實施形態] 本實施形態的放射線檢測器10中,端子區域部55與第1實施形態不同,因此對本實施形態的端子區域部55進行說明。圖8中示出表示設置於本實施形態的放射線檢測器10中的感測器基板12的基材14的外周之端子區域部55的一例的概略之平面圖。
如圖8所示,本實施形態的放射線檢測器10的端子區域部55具備沿著基材14的外緣排列之第1端子區域50A和第2端子區域50B。
如圖8所示,沿著基材14的外緣而排列有第1端子區域50A和第2端子區域50B時,與上述第1實施形態的放射線檢測器10不同地,即使反覆進行重工,從端子52到像素16(主動區域15)的距離亦不會發生變化。因此,本實施形態的放射線檢測器10中,與上述第1實施形態的放射線檢測器10不同地,能夠與重工的次數無關地使用相同之電纜200,具體而言,從電路部130到連接部252的距離相同之電纜200。
因此,依據本實施形態的放射線檢測器10,能夠更容易進行電纜200與基材14連接時之重工。
如上述說明,上述各實施形態的放射線檢測器10具備:撓性基材14;複數個像素16,設置於基材14的第1面14A且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷;以及端子區域部55,形成有複數個端子區域50,前述複數個端子區域50分別具備與包含複數個像素16的一部分之特定的像素群組(例如,由與相同之訊號配線24連接之複數個像素16組成之像素群組、或由與相同之掃描配線26連接之複數個像素16組成之像素群組等)連接且形成於基材14的第1面14A之端子。
又,上述各實施形態的放射線圖像攝影裝置具備:放射線檢測器10;以及電纜200,與放射線檢測器10的端子區域50的端子52連接,且搭載有讀取蓄積於複數個像素16中的電荷時驅動之電路部130,電纜200的從與端子52連接之連接部252到電路部130的長度為,與放射線檢測器10的基材14中的端子區域50的位置對應之長度。
上述各實施形態的放射線檢測器10中,因基材14容易彎曲,因此為了重工而從基材14剝離電纜200時,導致原本連接有電纜200之端子區域損傷之風險高於基材14不彎曲之情況。
因此,上述各實施形態的放射線檢測器10中,端子區域部55具備複數個端子區域50,於進行重工時,將電纜200連接於與已拆卸電纜200之基材14的端子區域50不同之基材14的端子區域50。因此,藉由於重工時拆卸與基材14連接之電纜200,可以不考慮原本連接有電纜200之各端子52或端子區域50的損傷等。
因此,依據本實施形態的放射線檢測器10,能夠容易進行電纜200與基材14連接時之重工。又,依據上述各實施形態的放射線檢測器10,藉由重工,能夠抑制基材14或電纜200損傷而無法使用之情況。
另外,上述第1實施形態的放射線檢測器10中,設置於基材14之端子區域部55從基材14的外緣朝向內側而具有複數個端子區域50,因此至少於具有設置有端子區域部55之外緣之感測器基板12(基材14)側,從像素16(主動區域15)的端部到外緣的長度有時會變長。亦即,感測器基板12(基材14)的寬度有時會變大。通常,放射線圖像攝影裝置1多為從殼體120的側面(與攝影面120A交叉之面)到基材14的端部的距離短之所謂窄邊框。
因此,為了盡可能減小連接有電纜200之狀態的感測器基板12(基材14)整體的寬度,例如,如圖9所示,於連接電纜200時,亦可以向與圖3所示之形態相反之方向、從基材14的外緣朝向內側而延伸之方向而進行連接。換言之,亦可以以使電纜200的端部朝向基材14的端部之狀態,將電纜200連接於基材14。與圖3所示之形態相比,圖9所示之形態中,電纜200不會向殼體120側凸起而連接於基材14和控制基板110,因此能夠抑制連接有電纜200之狀態的感測器基板12(基材14)整體的寬度變大。另外,圖9所示之形態中,亦可以於電纜200與轉換層30之間設置用於防止電纜200與轉換層30的接觸之防止構件。又,於藉由反覆進行重工而逐漸去除端子區域50,從而基材14的寬度變窄時,亦可以與圖3所示之形態相同(與圖9所示之形態相反)地,以使電纜200的端部朝向主動區域15側之狀態,將電纜200連接於基材14。
又例如,放射線檢測器10中,基材14的設置有端子區域部55之部分亦可以彎折。例如,如圖10和圖11所示,相對於基材14的其他部分,設置有端子區域部55之基材14的端部區域14H亦可以經由彎曲部14C而配置。圖10所示之情況中示出藉由彎曲部14C,端部區域14H配置於基材14的第1面14A側,藉此端部區域14H朝向第1面14A側彎折之狀態的一例。又例如,圖11所示之情況中示出藉由彎曲部14C,端部區域14H配置於基材14的第2面14B側,藉此端部區域14H朝向第2面14B側彎折之狀態的一例。如圖11所示,當端部區域14H配置於基材14的第2面14B側時,彎折之端部區域14H不覆蓋主動區域15為較佳。
尤其,當放射線檢測器10用於ISS方式的放射線圖像攝影裝置1時,端部區域14H不覆蓋主動區域15為較佳。又,如圖11所示,當放射線檢測器10用於ISS方式的放射線圖像攝影裝置1時,以使電纜200的端部朝向與基材14的外緣對應之端部區域14H的端部之狀態,將電纜200連接於基材14的端部區域14H為較佳。例如與如圖10所示般於將電纜200連接於端部區域14H之狀態下,將端部區域14H向第1面14A側彎折之形態相比,圖11所示之形態能夠縮短電纜200的長度。
另外,將放射線檢測器10用於背面讀取方式(PSS:Penetration Side Sampling)的放射線圖像攝影裝置1時,於基材14的第2面14B側設置有控制基板110。因此,例如,即使係如圖10所示般於將電纜200連接於端部區域14H之狀態下,將端部區域14H向第1面14A側彎折之形態,因至控制基板110的距離較短,因此與ISS方式相比,電纜200的長度亦不會變長。
又,如圖1所示,上述各實施形態中,對像素16二維排列成矩陣狀之態樣進行了說明,但並不限定於此,例如可以係一維排列,亦可以係蜂窩排列。又,像素的形狀亦並沒有限定,可以係矩形,亦可以係六邊形等多邊形。進而,主動區域15的形狀當然亦並沒有限定。
此外,上述各實施形態中說明之放射線圖像攝影裝置1以及放射線檢測器10等的構成和製造方法等為一例,於不脫離本發明的宗旨之範圍內,當然能夠依據狀況而進行變更。
1:放射線圖像攝影裝置
10:放射線檢測器
12:感測器基板
14:基材
14A:第1面
14B:第2面
14C:彎曲部
14H:端部區域
15:主動區域
16:像素
20:TFT(開關元件)
22:感測器部
24:訊號配線
26:掃描配線
27、271~27n:訊號線
28:共用配線
30:轉換層
50:端子區域
50A:第1端子區域
50B:第2端子區域
50C:第3端子區域
52、52A1~52An、52B1~52Bn、52C1~52Cn:端子
55:端子區域部
56:對準標記
58:切斷標記
100:控制部
100A:CPU
100B:記憶體
100C:記憶部
102:驅動部
104:訊號處理部
106:圖像記憶體
108:電源部
110:控制基板
114:電源線
116:薄片
120:殼體
120A:攝影面
130:電路部
200、200A、200B、200C:電纜
201:帶盤
202:鏈輪
210:訊號配線
227、2271~227n:訊號線
250:連接區域
250A:第1連接區域
250B:第2連接區域
250C:第3連接區域
252:連接部
252A1~252An:第1連接部
252B1~252Bn:第2連接部
252C1~252Cn:第3連接部
255:連接區域部
256:對準標記
L:排列間距
圖1係表示第1實施形態的放射線圖像攝影裝置中的電子系統的主要部分構成的一例之方塊圖。係表示放射線檢測器中的感測器基板的構成的一例之構成圖。 圖2係表示第1實施形態的放射線檢測器的一例的概略之剖面圖。 圖3係將第1實施形態的放射線檢測器適用於表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置之情況下放射線檢測器被設置於殼體內之狀態的一例之剖面圖。 圖4係表示設置於第1實施形態的感測器基板的基材的外周之端子區域的一例的概略之平面圖。 圖5係表示第1實施形態中的搭載有電路部之狀態的電纜的一例的概略之平面圖。 圖6A係表示用於於重工次數為第0次時、亦即首次將基材與電路部進行電連接之電纜的一例之平面圖。 圖6B係表示用於於重工次數為第1次時將基材與電路部進行電連接之電纜的一例之平面圖。 圖6C係表示用於於重工次數為第2次時將基材與電路部進行電連接之電纜的一例之平面圖。 圖7係表示設置於第1實施形態的感測器基板的基材的外周之端子區域的另一例的概略之平面圖。 圖8係表示設置於第2實施形態的感測器基板的基材的外周之端子區域的一例的概略之平面圖。 圖9係用於說明電纜與基材的連接的一例之放射線檢測器的剖面圖。 圖10係用於說明於基材的端部區域彎折時電纜與基材的連接的一例之放射線檢測器的剖面圖。 圖11係用於說明於基材的端部區域彎折時電纜與基材的連接的另一例之放射線檢測器的剖面圖。
14:基材
14A:第1面
15:主動區域
16:像素
27、271、27n:訊號線
50A:第1端子區域
50B:第2端子區域
50C:第3端子區域
52、52A1~52An、52B1~52Bn、52C1~52Cn:端子
55:端子區域部
56:對準標記
58:切斷標記
Claims (11)
- 一種放射線檢測器,其具備:撓性基材;複數個像素,設置於前述基材的第1面且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷;以及端子區域部,在前述基材的前述第1面形成有複數個端子區域,前述複數個端子區域分別具備與包含前述複數個像素的一部分之特定的像素群組各自由複數個訊號線分別地連接複數個端子。
- 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器,其中前述端子區域部設置於前述基材的外周部的區域,並且從前述基材的外緣朝向內側而並排形成有複數個前述端子區域。
- 如申請專利範圍第2項所述之放射線檢測器,其中相鄰之端子區域中所含之前述端子彼此的排列偏離半個間距。
- 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器,其中前述端子區域部設置於前述基材的外周部的區域,並且沿著前述基材的外緣而並排形成有複數個前述端子區域。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之放射線檢測器,其中連接外部的電路部與前述像素群組之電纜從前述基材的外緣朝向內側而連接於前述端子。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之放射線檢測器,其中 相對於前述基材的其他部分,設置有前述端子區域部之前述基材部分經由彎曲部而配置。
- 如申請專利範圍第6項所述之放射線檢測器,其中設置有前述端子區域部之前述基材部分藉由前述彎曲部而配置於前述基材的前述第1面側。
- 如申請專利範圍第6項所述之放射線檢測器,其中設置有前述端子區域部之前述基材部分藉由前述彎曲部而配置於前述基材的與前述第1面相反的第2面側。
- 如申請專利範圍第5項所述之放射線檢測器,其中藉由設置有前述端子區域部之前述基材部分彎折而覆蓋前述基材的其他部分之區域於設置有前述像素群組之區域之外。
- 一種放射線檢測器,其具備:撓性基材;複數個像素,設置於前述基材的第1面且蓄積依據從放射線轉換之光而產生之電荷;以及複數個端子區域,前述複數個端子區域分別具備與包含前述複數個像素的一部分之特定的像素群組各自由複數個訊號線分別地連接複數個端子。
- 一種放射線圖像攝影裝置,其具備:申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之放射線檢測器;以及電纜,與前述放射線檢測器的端子區域的端子連接,且搭載有於讀取蓄積於複數個像素中的電荷時驅動之電路部,前述電纜的從與前述端子連接之連接部到前述電路部的長度為與前述 放射線檢測器的基材上的前述端子區域的位置對應之長度。
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