TWI757585B - 檢查裝置、檢查方法及檢查程式 - Google Patents

檢查裝置、檢查方法及檢查程式 Download PDF

Info

Publication number
TWI757585B
TWI757585B TW108105391A TW108105391A TWI757585B TW I757585 B TWI757585 B TW I757585B TW 108105391 A TW108105391 A TW 108105391A TW 108105391 A TW108105391 A TW 108105391A TW I757585 B TWI757585 B TW I757585B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
image
image data
defect detection
shift amount
inspection
Prior art date
Application number
TW108105391A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201945723A (zh
Inventor
平野亮一
白土昌孝
橋本英昭
森野剛志
岡野英明
本宮佳典
Original Assignee
日商紐富來科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商紐富來科技股份有限公司 filed Critical 日商紐富來科技股份有限公司
Publication of TW201945723A publication Critical patent/TW201945723A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI757585B publication Critical patent/TWI757585B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
    • G03F9/7061—Scanning probe microscopy, e.g. AFM, scanning tunneling microscopy
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T5/00—Image enhancement or restoration
    • G06T5/70—Denoising; Smoothing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T5/00—Image enhancement or restoration
    • G06T5/90—Dynamic range modification of images or parts thereof
    • G06T5/92—Dynamic range modification of images or parts thereof based on global image properties
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/10—Segmentation; Edge detection
    • G06T7/11—Region-based segmentation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/97—Determining parameters from multiple pictures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N2021/1765—Method using an image detector and processing of image signal
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20—Special algorithmic details
    • G06T2207/20021—Dividing image into blocks, subimages or windows
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

本發明之實施形態係提供可一邊減低計算機負荷，一邊抑制缺陷的誤檢測的檢查裝置、檢查方法及程式。
實施形態之檢查裝置係具備有：畫像生成裝置，其係生成對應第1畫像的第2畫像；及畫像缺陷檢測裝置，其係根據上述第1畫像及上述第2畫像內之彼此相對應的部分區域，推定非線性的偏移，檢測上述第2畫像對上述第1畫像的缺陷。

Description

檢查裝置、檢查方法及檢查程式
本發明之實施形態係關於可檢測被使用在製造半導體裝置的遮罩的缺陷的檢查裝置及程式。
伴隨半導體裝置及被使用在製造半導體裝置的曝光裝置用遮罩的微細化，進行開發該半導體裝置及遮罩的檢查的檢查裝置。
一般而言，在半導體裝置及遮罩的檢查中，係進行藉由將成為正確狀態的基準的基準畫像、與實際取得的被檢查畫像進行比較、運算，生成兩者的差分畫像的處理。若在被檢查畫像完全不存在缺陷，差分畫像係成為具有大致一定階調的平坦畫像。另一方面，若存在缺陷，在差分畫像係在與該缺陷相同的位置，出現相對周圍具有顯著明暗變化的型樣。
在檢查裝置中所生成的被檢查畫像，係因在原理上無法避免的原因、或檢查時的環境，而包含位置偏移、及空間上的變形。此時，在如上所述所生成的差分畫像，無關於原本非為缺陷，可產生相對周圍具有顯著明暗變化之被稱為擬似缺陷的型樣。
因此，已提出藉由計測、推定該位置偏移及變形來補正被檢查畫像或基準畫像，且抑制因擬似缺陷所致之誤檢測的各種技術。
但是，為了以不會使因擬似缺陷所致之誤檢測發生的程度，以高精度計測、推定位置偏移及變形，必須要有龐大運算量。因此，在畫像缺陷檢測用的計算機發生極大成本，有該成本成為半導體裝置製造中無法忽略的成本要因的可能性。
本發明之實施形態係提供可一邊減低計算機負荷，一邊抑制缺陷的誤檢測的檢查裝置、檢查方法及程式。
實施形態的檢查裝置係具備有：畫像生成裝置、及畫像缺陷檢測裝置。上述畫像生成裝置係生成對應第1畫像的第2畫像。上述畫像缺陷檢測裝置係根據上述第1畫像及上述第2畫像內之彼此相對應的部分區域，推定非線性的偏移，檢測前述第2畫像對前述第1畫像的缺陷。
以下參照圖示，說明實施形態。其中，在以下說明中，關於具有相同功能及構成的構成要素，係標註共通的元件符號。 1.　第1實施形態 說明第1實施形態之檢查裝置。 第1實施形態之檢查裝置係包含例如檢查被使用在製造半導體裝置的遮罩的缺陷的遮罩缺陷檢查裝置。半導體裝置係包含例如NAND型快閃記憶體等半導體記憶裝置。 1.1　關於硬體構成 首先，說明第1實施形態之檢查裝置的硬體構成。 1.1.1　關於全體構成 說明第1實施形態之檢查裝置的全體構成。 圖1係顯示第1實施形態之檢查裝置的全體構成之一例的區塊圖。如圖1所示，檢查裝置1係具備有：實際畫像資料生成裝置10、設計畫像資料生成裝置30、及畫像缺陷檢測裝置50。 實際畫像資料生成裝置10係具有例如生成被使用在製造半導體裝置(未圖示)的光罩或光柵的光學畫像作為實際畫像資料之作為掃描器的功能。在以下說明中，光罩或光柵係亦僅稱為「遮罩」。實際畫像資料生成裝置10係將針對遮罩所生成的實際畫像資料送出至畫像缺陷檢測裝置50。 設計畫像資料生成裝置30係具有根據在製造遮罩時所作成的設計資料，生成對應該遮罩的設計畫像資料的功能。設計資料係例如以CAD(Computer-aided design，電腦輔助設計)資料的形式預先被記憶在設計畫像資料生成裝置30內。設計畫像資料生成裝置30係將該設計資料轉換成畫像缺陷檢測裝置50中可適用於畫像缺陷處理的資料形式(設計畫像資料)之後，送出至畫像缺陷檢測裝置50。 畫像缺陷檢測裝置50係分別由實際畫像資料生成裝置10接受實際畫像資料，由設計畫像資料生成裝置30接受設計畫像資料。畫像缺陷檢測裝置50係將針對相同遮罩所生成的複數實際畫像資料彼此的成組、或實際畫像資料與設計畫像資料的成組，視為被檢查畫像資料與參照畫像資料的成組。被檢查畫像資料係表示成為缺陷檢測的對象的畫像資料。參照畫像資料係表示成為針對被檢查畫像資料進行缺陷檢測時的基準的畫像資料。畫像缺陷檢測裝置50係藉由比較被檢查畫像資料、及對應該被檢查畫像資料的參照畫像資料，來檢測存在於被檢查畫像資料的缺陷。接著，畫像缺陷檢測裝置50係根據在被檢查畫像資料所被檢測到的缺陷，特定存在於遮罩的缺陷。 1.1.2　關於實際畫像資料生成裝置的硬體構成 接著，說明第1實施形態之檢查裝置的實際畫像資料生成裝置的硬體構成。 圖2係用以說明第1實施形態之實際畫像資料生成裝置的硬體構成的模式圖。在圖2中，以實際畫像資料生成裝置10之一例而言，顯示可生成遮罩114的光學畫像(透過光畫像及/或反射光畫像)作為實際畫像資料的光學掃描器。 如圖2所示，實際畫像資料生成裝置10係具備有：光源101、複數半鏡102、103、104、105、106及107、複數接物鏡108、109及110、載台111、透過光感測器112、及反射光感測器113。 光源101係例如可射出紫外雷射光的雷射光源。由光源101被出射的雷射光係透過半鏡102～107以及接物鏡108及109，被照射在被載置於載台111的遮罩114。更具體而言，半鏡102～105及接物鏡108係構成透過光學系，半鏡102、106及107、以及接物鏡109係構成反射光學系。藉由如以上所示之構成，可由上下照明遮罩114，遮罩114的透過光及反射光係可分別透過接物鏡110而被輸入至透過光感測器112及反射光感測器113。 透過光感測器112及反射光感測器113係分別檢測遮罩114的透過光及反射光。實際畫像資料生成裝置10係在未圖示的處理器中處理所被檢測出的透過光及反射光，且生成遮罩114的實際畫像資料。所生成的實際畫像資料係被送出至畫像缺陷檢測裝置50。 其中，如上所述，藉由實際畫像資料生成裝置10所生成的實際畫像資料係在畫像缺陷檢測裝置50中，可作為被檢查畫像資料、亦可作為參照畫像資料來使用。亦即，若比較形成在遮罩114上的相同型樣彼此，針對該相同型樣所生成的複數實際畫像資料的成組可視為被檢查畫像資料、與參照資料的成組。如上所示之實際畫像資料的使用方法亦被稱為晶粒與晶粒的比較(DD(Die to die)比較)。另一方面，若比較形成在遮罩114上的型樣、與設計資料上的型樣，藉由實際畫像資料生成裝置10所生成的實際畫像資料、與藉由設計畫像資料生成裝置30所生成的設計畫像資料的成組可視為被檢查畫像資料、與參照資料的成組。如上所示之實際畫像資料及設計畫像資料的使用方法亦被稱為晶粒與資料庫的比較(DB(Die to database)比較)。 1.1.3　關於畫像缺陷檢測裝置的硬體構成 接著，說明第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置的硬體構成。圖3係用以說明第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置的硬體構成的區塊圖。 如圖3所示，畫像缺陷檢測裝置50係具備有：控制部51、記憶部52、顯示部53、驅動器54、及通訊部55。 控制部51係包含：CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)等，控制畫像缺陷檢測裝置50全體的動作。 記憶部52係例如HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動機)、SSD(Solid State Drive，固體狀態驅動機)等輔助記憶裝置。在記憶部52係記憶在畫像缺陷檢測裝置50被執行的畫像缺陷檢測程式521。此外，在記憶部52係例如記憶參照畫像資料522及被檢查畫像資料523，作為執行畫像缺陷檢測程式521時所需的輸入資訊。 畫像缺陷檢測程式521係用以使畫像缺陷檢測裝置50執行由被檢查畫像資料523檢測相對參照畫像資料522為有意不同的點作為缺陷的畫像缺陷檢測處理的程式。其中，關於畫像缺陷檢測處理的詳細內容，容後敘述。 顯示部53係包含例如顯示畫面(例如LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)或EL(Electroluminescence，電激發光)顯示器等)等。顯示部53係將藉由控制部51所執行的畫像缺陷檢測程式521的執行結果輸出至使用者。 驅動器54係例如CD(Compact Disc，光碟)驅動器、DVD(Digital Versatile Disc，數位影音光碟)驅動器等，用以讀入被記憶在記憶媒體541的程式的裝置。驅動器54的種類亦可按照記憶媒體541的種類來適當選擇。上述畫像缺陷檢測程式521亦可記憶在該記憶媒體541。 記憶媒體541係以可讀取電腦等裝置、機械等所記錄的程式等資訊的方式，藉由電性、磁性、光學性、機械性或化學性作用，蓄積該程式等資訊的媒體。畫像缺陷檢測裝置50亦可由該記憶媒體541取得畫像缺陷檢測程式521。 通訊部55係擔任畫像缺陷檢測裝置50、與包含實際畫像資料生成裝置10及設計畫像資料生成裝置30的外部的通訊的通訊介面。通訊部55係例如由外部接受實際畫像資料及設計畫像資料，且記憶在記憶部52。此外，通訊部55係將作為畫像缺陷檢測程式521的執行結果所生成的比較結果輸出至外部。 1.2　關於功能構成 接著，說明第1實施形態之檢查裝置的功能構成。 1.2.1　關於畫像缺陷檢測裝置的功能構成 說明第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置的功能構成。 畫像缺陷檢測裝置50的控制部51係例如將被記憶在記憶部52的畫像缺陷檢測程式521在RAM展開。接著，控制部51係將在RAM被展開的畫像缺陷檢測程式521，藉由CPU進行解釋及執行，而控制各構成要素。 圖4係在第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置的功能構成之中，用以說明有關畫像缺陷檢測處理的部分的區塊圖。 如圖4所示，畫像缺陷檢測裝置50係當根據參照畫像資料522及被檢查畫像資料523執行畫像缺陷檢測處理時，作為具備全域移位量推定部501、區域移位量推定部502、變形量推定部503、補正部504、及比較部505的電腦發揮功能。其中，在以下說明中，參照畫像資料522及被檢查畫像資料523係作為在由彼此交叉的X軸及Y軸所構成的XY平面上所展開的畫素的亮度值的集合者來進行說明。更具體而言，參照畫像資料522的座標(x、y)中的亮度值係表示為IR (x、y)，被檢查畫像資料523的座標(x、y)中的亮度值係表示為IS (x、y)。 全域移位量推定部501及區域移位量推定部502係具有推定將2個畫像資料間的誤差成為最小的移位量S的功能。更具體而言，例如，全域移位量推定部501及區域移位量推定部502係按照以下式(1)來算出評估值E。
Figure 02_image001
在此，2個畫像資料的評估範圍係設為藉由N×N個畫素所構成的範圍(0≦x、y≦N-1)。 全域移位量推定部501及區域移位量推定部502係推定將所算出的評估值E成為最小的移位量S=(sx 、sy )。藉此，若將其中一方畫像資料使另一方畫像資料移位，推定2個畫像資料的評估範圍全體中的亮度差最為整合的移位量S。如上所示之2個畫像資料間的線性匹配手法亦稱為SSD(Sum of squared difference，差值平方和)匹配。其中，如以下說明所示，移位量S係包含例如全域移位量S1及區域移位量S2。 全域移位量推定部501係將上述SSD匹配適用於參照畫像資料522及被檢查畫像資料523的全體，來推定全域移位量S1=(s1x 、s1y )。全域移位量推定部501係將全域移位量S1送出至補正部504。 區域移位量推定部502係將上述SSD匹配適用於由補正部504所接收到的第1補正完畢參照畫像資料及被檢查畫像資料523所包含的部分區域，來推定區域移位量S2。例如，區域移位量推定部502係將第1補正完畢參照畫像資料及被檢查畫像資料523等分割成M個部分區域，針對該經分割的第1補正完畢參照畫像資料及被檢查畫像資料523的成組的各個，適用SSD匹配(M為自然數)。藉此，區域移位量推定部502係推定M個區域移位量S2(S21 =(s2x1 、s2y1 )、S22 =(s2x2 、s2y2 )、…、及S2M =(s2xM 、s2yM ))。區域移位量推定部502係將區域移位量S2送出至變形量推定部503。 變形量推定部503係根據由區域移位量推定部502所接收到的M個區域移位量S2，推定變形量向量Cd 。變形量向量Cd 係以向量形式來表現以任意次數的多項式來表現2個畫像資料間相對應的畫素間的位置的變形量d時的係數者。具體而言，例如，若變形量d以二次多項式表現時，變形量向量Cd 係形成為由6個係數(cd1 、cd2 、cd3 、cd4 、cd5 、cd6 )所成之列向量來表現。此時，畫像資料內的任意位置(x、y)的畫素的位置的變形量d=(dx (x、y)、dy (x、y))係使用係數cd1 ～cd6 ，按照以下式(2)來算出。
Figure 02_image003
變形量推定部503係將所推定出的變形量向量Cd 送出至補正部504。其中，變形量向量Cd 的推定手法容後詳述。 補正部504係若由全域移位量推定部501接受全域移位量S1，將該全域移位量S1適用於參照畫像資料522，生成第1補正完畢參照畫像資料。補正部504係將第1補正完畢參照畫像資料送出至區域移位量推定部502。此外，補正部504若由變形量推定部503接受變形量向量Cd ，將該變形量向量Cd 及全域移位量S1適用於參照畫像資料522，生成第2補正完畢參照畫像資料。補正部504係將第2補正完畢參照畫像資料送出至比較部505。 其中，補正部504亦可以第1補正完畢參照畫像資料及第2補正完畢參照畫像資料成為整數網格的畫像資料的方式進行重新映射(再配置)。以重新映射手法而言，並非侷限於正順方向的重新映射，而可適用反方向的重新映射。正順方向的重新映射係例如將補正完畢參照畫像資料由實數網格以成為整數網格的方式進行轉換的手法。此外，反方向的重新映射係由整數網格的補正前參照畫像資料，藉由內插求出實數的亮度值，將此轉換成整數網格的補正完畢參照畫像資料的手法。反方向的重新映射係可一邊與正順方向的重新映射同等地使運算量減輕，一邊比正順方向的重新映射更加減低量化誤差。 比較部505係若由補正部504接受第2補正完畢參照畫像資料，比較該第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料523，且將該比較結果提示給使用者。更具體而言，例如，比較部505係將第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料523之每個畫素的亮度值的差分映射在XY平面上，且抽出該亮度值的差分大於預定臨限值的點作為缺陷部分。比較部505係連同所被抽出的缺陷部分，一起將被映射在XY平面上的亮度值的差分的畫像資料作為比較結果而提示給使用者。 1.2　關於動作 接著，說明第1實施形態之檢查裝置旳動作。 1.2.1　關於檢查裝置的全體動作 首先，說明第1實施形態之檢查裝置的全體動作。 圖5係用以說明第1實施形態之檢查裝置的全體動作的流程圖。如圖5所示，檢查裝置1亦可對應DD比較與DB比較的任意者。 在步驟ST1中，實際畫像資料生成裝置10係將檢查對象的遮罩114載置於載台111，且由光源101射出雷射光，藉此生成遮罩114的實際畫像資料。實際畫像資料生成裝置10係將所生成的實際畫像資料送出至畫像缺陷檢測裝置50。 在步驟ST2中，檢查裝置1係判定遮罩114的檢查方法為DD比較、或DB比較。若執行DD比較，亦即，將實際畫像資料彼此作比較時(步驟ST2；yes)，係進至步驟ST3。另一方面，若執行DB比較，亦即，將實際畫像資料彼此不作比較時(步驟ST2；no)，無須進行步驟ST3而進至步驟ST4。 在步驟ST3中，設計畫像資料生成裝置30係根據檢查對象的遮罩114的設計資料，生成設計畫像資料。設計畫像資料生成裝置30係將所生成的設計畫像資料送出至畫像缺陷檢測裝置50。 在步驟ST4中，畫像缺陷檢測裝置50係若執行DD比較時，將步驟ST1中所生成的實際畫像資料作為參照畫像資料522及被檢查畫像資料523而記憶在記憶部52，且執行畫像缺陷檢測處理。此外，畫像缺陷檢測裝置50係若執行DB比較，將步驟ST1中所生成的實際畫像資料作為被檢查畫像資料523，將步驟ST3中所生成的設計畫像資料作為參照畫像資料522而記憶在記憶部52，且執行畫像缺陷檢測處理。 綜上，全體動作即結束。 1.2.2　關於畫像缺陷檢測動作 接著，在上述第1實施形態之檢查裝置中的全體動作之中，說明畫像缺陷檢測動作。 1.2.2.1　關於流程圖 使用圖6，說明第1實施形態之畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作的流程圖。圖6係說明圖5中所示之步驟ST4的詳細內容者。 如圖6所示，在步驟ST11中，控制部51係作為全域移位量推定部501發揮功能，對參照畫像資料522及被檢查畫像資料523的全體，執行SSD匹配，且推定全域移位量S1。 在步驟ST12中，控制部51係作為補正部504發揮功能，根據在步驟ST11中被推定出的全域移位量S1，進行參照畫像資料522的補正，生成第1補正完畢參照畫像資料。 在步驟ST13中，控制部51係作為區域移位量推定部502發揮功能，將步驟ST12中所生成的第1補正完畢參照畫像資料、及被檢查畫像資料523分割成M個部分區域。控制部51係對所分割的M個部分區域的各個，進行SSD匹配，且推定M個區域移位量S2。 在步驟ST14中，控制部51係作為變形量推定部503發揮功能，根據在步驟ST13中被推定出的M個區域移位量S2，推定對第1補正完畢參照畫像資料的全體的變形量向量Cd 。 在步驟ST15中，控制部51係作為補正部504發揮功能，根據在步驟ST11中被推定出的全域移位量S1、與在步驟ST14中被推定出的變形量向量Cd ，進行參照畫像資料522的補正，且生成第2補正完畢參照畫像資料。 在步驟ST16中，控制部51係作為比較部505發揮功能，比較在步驟ST15中所生成的第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料523，且將比較結果提示給使用者。 綜上，畫像缺陷檢測動作即結束。 1.2.2.2　關於補正動作 接著，在第1實施形態之畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作之中，說明補正動作。 圖7係用以模式說明第1實施形態之畫像缺陷檢測裝置中的參照畫像資料的補正動作的圖表。圖7係對應圖6中所說明的步驟ST12及ST15。在圖7中，以一例而言，針對1次元(x軸方向)以模式顯示針對參照畫像資料522執行2次補正時之補正前後的畫素的位置的變化。在圖7之例中，在橫軸表示被檢查畫像資料523的畫素的位置x，在縱軸表示對應被檢查畫像資料523的參照畫像資料522(包含第1補正完畢參照畫像資料、及第2補正完畢參照畫像資料)的畫素的位置x’。 如圖7所示，在補正前的參照畫像資料522與被檢查畫像資料523之間，係可存在線L1所示之位置偏移。亦即，位置偏移的要因係被大致區分為移位量sx 與變形量dx (x、y)之2個，使用該等，位置x及x’係如以下式(3)所示建立對應。
Figure 02_image005
在此，移位量sx 並未取決於畫素的位置，遍及畫像資料全體，顯示一樣產生的偏移量，變形量dx (x、y)係表示取決於畫素的位置所產生的(相對畫素的位置為非線性的)偏移量。 補正部504係藉由將上述移位量sx 去除，生成第1補正完畢參照畫像資料。亦即，在第1補正完畢參照畫像資料與被檢查畫像資料523之間，係如線L2所示，可存在變形量dx (x、y)。 補正部504係藉由將上述變形量dx (x、y)另外去除，來生成第2補正完畢參照畫像資料。若去除移位量sx 及變形量dx (x、y)，理想上如線L3所示，成為x’=x，第2補正完畢參照畫像資料與被檢查畫像資料可完全一致。 1.2.2.3　關於變形量推定動作 圖8係用以說明第1實施形態之畫像缺陷檢測裝置中的變形量推定動作的模式圖。在圖8中係以模式顯示第1補正完畢參照畫像資料之每個部分區域之具代表性的變形量d、與區域移位量S2的關係。在圖8之例中，顯示第1補正完畢參照畫像資料被分割為M=9個部分區域R1 、R2 、…、R9 ，針對該部分區域R1 ～R9 的各個，推定區域移位量S2((s2x1 、s2y1 )、(s2x2 、s2y2 )、…、(s2x9 、s2y9 ))的情形。 如圖8所示，變形量推定部503係將區域移位量(s2x1 、s2y1 )～(s2x9 、s2y9 )的各個，視為相對應的部分區域R1 ～R9 的代表位置(x1 、y1 )～(x9 、y9 )中的變形量(dx1 、dy1 )～(dx9 ～dy9 )。亦即，變形量推定部503係在變形量(dx1 、dy1 )～(dx9 ～dy9 )、與區域移位量(s2x1 、s2y1 )～(s2x9 、s2y9 )之間，假定以下式(4)所示的對應關係。
Figure 02_image007
如上所述，在第1實施形態中，係在任意位置(x、y)，變形量d被假定為滿足式(2)。因此，第1補正完畢參照畫像資料係在至少9點代表位置(x1 、y1 )～(x9 、y9 )，滿足上述式(2)。因此，將式(2)針對9點代表位置(x1 、y1 )～(x9 、y9 )進行聯立，藉此可得以下的線性方程式(5)及(6)。
Figure 02_image009
在此，根據代表位置的座標(x1 、y1 )～(x9 、y9 )的行列Z、以及包含變形量dx1 ～dx9 、及dy1 ～dy9 的向量Dx 及Dy 係規定為具體的數值。因此，變形量推定部503係對上述式(5)及(6)，根據最小平方法，執行以下式(7)所示之運算，藉此可分別推定變形量向量Cdx 及Cdy 。
Figure 02_image011
其中，推定時，為了以超定系統取得最小平方解，以所分割的部分區域的數M大於變形量向量Cd 的要素數(式(5)及(6)之例中為6個)為宜。更佳為若所分割的區域的數M的平方根m(m^2=M)決定，構成變形量向量Cd 的多項式係以(m-1)次以下的多項式為宜。 1.3　本實施形態之效果 藉由第1實施形態，可一邊減低計算機負荷，一邊抑制畫像的缺陷的誤檢測。關於本效果，說明如下。 第1實施形態之實際畫像資料生成裝置10及設計畫像資料生成裝置30係分別生成實際畫像資料及設計畫像資料，且送出至畫像缺陷檢測裝置50。藉此，畫像缺陷檢測裝置50係可按照要執行DD比較、或執行DB比較，來適當選擇要使用哪個畫像資料。亦即，畫像缺陷檢測裝置50係若執行DD比較時，將實際畫像資料記憶作為參照畫像資料及被檢查畫像資料，若執行DB比較，則分別將實際畫像資料記憶作為被檢查畫像資料，將設計畫像資料記憶作為參照畫像資料。 此外，全域移位量推定部501係進行參照畫像資料的全體區域與被檢查畫像資料的全體區域的SSD匹配，推定全域移位量S1。藉此，補正部504係在參照畫像資料與被檢查畫像資料之間的偏移量之中，可生成全域移位量S1經補正的第1補正完畢參照畫像資料。 此外，區域移位量推定部502係進行對參照畫像資料適用全域移位量S1的第1補正完畢參照畫像資料的部分區域、與被檢查畫像資料的部分區域的SSD匹配，來推定每個部分區域的區域移位量S2。一般而言，變形量d係非按照畫像資料的位置而一樣地分布的偏移量。但是，變形量d係局部地不取決於畫像資料的位置而一樣地分布的移位量S的成分可成為具支配性。藉此，變形量推定部503係將畫像資料的部分區域中被推定出的區域移位量S2，視為該部分區域中具代表性的變形量(亦即，代表位置中的變形量)。因此，變形量推定部503係可根據表示座標轉換的線性方程式D=ZCd ，來推定變形量向量Cd 。因此，補正部504係可生成參照畫像資料與被檢查畫像資料之間的變形量d另外被補正後的第2補正完畢參照畫像資料。 此外，變形量推定部503係可藉由執行上述式(7)所示之單純的行列運算，來推定變形量向量Cd 。在此，行列Z的尺寸至多為(部分區域的數量M)×(所推定的變形量向量Cd 的要素數)。此外，補正部504係可藉由進行上述式(2)及(3)所示之移位量S與變形量d的單純相加，來生成第2補正完畢參照畫像資料。因此，藉由第1實施形態，畫像缺陷檢測裝置50係與例如使用作為型樣匹配的手法而被典型使用的摺積運算的推定手法作比較，可以較少的運算量，生成位置偏移及變形被補正的參照畫像資料。 此外，比較部505係比較第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料523的畫素的亮度值。如上所述，第2補正完畢參照畫像資料係可以較少的運算量，精度佳地去除移位量S與變形量d。藉此，比較部505係可由被檢查畫像資料，檢測並不存在於參照畫像資料的特異點作為缺陷，並且可抑制誤檢測。以下使用圖9～圖13，說明本效果。 圖9係用以說明第1實施形態之參照畫像資料及被檢查畫像資料之一例的模式圖。圖9(A)及圖9(B)係分別顯示參照畫像資料522及被檢查畫像資料523。在圖9之例中，係顯示被檢查畫像資料523相對參照畫像資料522產生微小的位置偏移及變形，而且存在以目視並無法確認的缺陷的情形。圖10係用以說明第1實施形態之第1補正完畢參照畫像資料與被檢查畫像資料的差分畫像資料的模式圖，圖11係顯示圖10所示之差分畫像資料的亮度差的直方圖。圖12係用以說明第1實施形態之第2補正完畢參照畫像資料與被檢查畫像資料的差分畫像資料的模式圖，圖13係顯示圖12所示之差分畫像資料的亮度差的直方圖。在圖10及圖12中係表示是否可藉由取得補正前後的差分來視認缺陷。在圖11及圖13中係表示藉由在橫軸顯示亮度值的差分、在縱軸顯示其頻度，是否可識別缺陷之有無。 如圖9所示，在參照畫像資料522與被檢查畫像資料523之間，係存在以目視並無法視認的程度般微小的偏移。若推定如上所示之參照畫像資料522與被檢查畫像資料523之間的全域移位量S1，且作成第1補正完畢參照畫像資料時，可得圖10所示之差分畫像資料diff_a及圖11所示之直方圖hist_a。 如上所述，在圖9之例中，係顯示在被檢查畫像資料523存在有意缺陷的情形。因此，在差分畫像資料diff_a及直方圖hist_a，係以表現有意亮度值的差分為宜。但是，如圖10所示，在差分畫像資料diff_a，由於原本應去除的參照畫像資料522的型樣表現為差分，因此難以視認是否有缺陷。此外，如圖11所示，直方圖hist_a係分布連續擴展至亮度值的差分大的區域。因此，難以根據直方圖hist_a，來特定表示缺陷的分布。因此，差分畫像資料diff_a及直方圖hist_a係有無關於有缺陷而誤判定為正常的可能性、或無關於正常而誤判定為有缺陷的可能性。 另一方面，若根據區域移位量S2，另外推定參照畫像資料522與被檢查畫像資料523之間的變形量d，且作成第2補正完畢參照畫像資料時，可得圖12所示之差分畫像資料diff_b及圖13所示之直方圖hist_b。如圖12所示，在差分畫像資料diff_b，參照畫像資料522的型樣幾乎消失，並且可視認有意亮度值的差分P1。此外，如圖13所示，直方圖hist_b係連續分布在亮度值的差分小的區域。接著，直方圖hist_b係不連續地表現對應有意亮度值的差分P1之亮度值的差分大的區域。因此，差分畫像資料diff_b及直方圖hist_b係可一邊去除因位置偏移或變形所致之畫像資料的偏移，一邊識別有意缺陷。其中，差分畫像資料diff_b及直方圖hist_b係例如表示與藉由上述之利用摺積運算所為之推定手法所得的差分畫像資料及直方圖為同等的性能者。因此，藉由第1實施形態，不會減低缺陷檢測精度，可減低計算機負荷。 1.4　第1實施形態之變形例 其中，第1實施形態並非侷限於上述例，可為各種變形。 上述第1實施形態係說明使用生成根據光學像的畫像資料的掃描器作為實際畫像資料生成裝置10的情形，惟不限於此。例如，實際畫像資料生成裝置10亦可適用生成根據電子像的畫像資料的掃描型電子顯微鏡(SEM：Scanning electron Microscope)。此時，實際畫像資料生成裝置10係如在第1實施形態中說明所示，並非將遮罩114的光學像作為畫像資料而送出至畫像缺陷檢測裝置50，而是可將藉由遮罩114而轉印有型樣的半導體裝置的電子像作為畫像資料而送出至畫像缺陷檢測裝置50。 其中，在以下說明中，針對與第1實施形態相同的構成及動作，係省略其說明，且主要說明與第1實施形態不同的構成及動作。 1.4.1　關於實際畫像資料生成裝置的硬體構成 說明第1實施形態之變形例之實際畫像資料生成裝置的硬體構成。 圖14係用以說明第1實施形態之變形例之檢查裝置的實際畫像資料生成裝置的硬體構成的模式圖。在圖14中，以實際畫像資料生成裝置10之一例而言，顯示可將被轉印在半導體裝置129上的型樣的電子畫像生成作為實際畫像資料的SEM。 如圖14所示，實際畫像資料生成裝置10係例如具備：電子源121、複數聚光透鏡122及123、複數掃描線圈124及125、接物鏡126、載台127、及感測器128，該等被儲存在腔室120內而構成。 由電子源121被射出的電子線係在被加速後，藉由聚光透鏡122及123、以及接物鏡126，形成為電子點(spot)而集束在被載置於載台127上的半導體裝置129的表面。掃描線圈124及125係控制半導體裝置129上的電子點的位置。 感測器128係例如檢測由半導體裝置129上作反射的電子。實際畫像資料生成裝置10係在未圖示的處理器處理被檢測出的電子，生成有關半導體裝置129上的型樣的實際畫像資料。所生成的實際畫像資料係被送出至畫像缺陷檢測裝置50。 1.4.2　關於畫像缺陷檢測裝置的功能構成 接著，說明第1實施形態之變形例之畫像缺陷檢測裝置的功能構成。 圖15係用以說明第1實施形態之變形例之畫像缺陷檢測裝置的功能構成的區塊圖。圖15係對應第1實施形態中所說明的圖4。如圖15所示，畫像缺陷檢測裝置50係作為除了在圖4中所說明的全域移位量推定部501、區域移位量推定部502、變形量推定部503、補正部504、及比較部505之外，另外具備推定用前處理部506、及比較用前處理部507的電腦來發揮功能。 推定用前處理部506係在藉由全域移位量推定部501所為之全域移位量S1的推定、藉由區域移位量推定部502所為之區域移位量S2的推定、及藉由變形量推定部503所為之變形量向量Cd 的推定之前，針對被使用在該等推定的參照畫像資料522及被檢查畫像資料523，施行推定用前處理。推定用前處理部506係推定用前處理的結果，生成第1前處理完畢畫像資料，且例如送出至全域移位量推定部501。第1前處理完畢畫像資料係包含：第1前處理完畢參照畫像資料、及第1前處理完畢被檢查畫像資料。 比較用前處理部507係在藉由比較部505所為之比較之前，針對被使用在該等比較的第2補正完畢參照畫像資料及被檢查畫像資料523，施行比較用前處理。比較用前處理部507係比較用前處理的結果，生成第2前處理完畢畫像資料，且例如送出至比較部505。第2前處理完畢資料係包含：第2前處理完畢參照畫像資料、及第2前處理完畢被檢查畫像資料。 推定用前處理及比較用前處理係均主要作為減低2個畫像資料所包含的雜訊的雜訊濾波器發揮功能。具體而言，例如，在推定用前處理係可適用高斯模糊(Gaussian blur)處理，在比較用前處理係可適用NLM(Non-local means，非區域均值演算法)處理。 1.4.3　關於畫像缺陷檢測動作 接著，說明第1實施形態之變形例之畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作。 圖16係用以說明第1實施形態之變形例之畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作的流程圖。圖16係對應第1實施形態中所說明的圖6。 如圖16所示，在步驟ST21中，控制部51係作為推定用前處理部506發揮功能，執行推定用前處理。具體而言，控制部51係針對參照畫像資料522及被檢查畫像資料523的各個，適用高斯模糊處理，且生成第1前處理完畢參照畫像資料及第1前處理完畢被檢查畫像資料。 在步驟ST22中，控制部51係作為全域移位量推定部501發揮功能，對第1前處理完畢參照畫像資料及第1前處理完畢被檢查畫像資料523的全體，執行SSD匹配，且推定全域移位量S1。 在步驟ST23中，控制部51係作為補正部504發揮功能，且根據在步驟ST11中所推定出的全域移位量S1，進行第1前處理完畢參照畫像資料的補正，生成第1補正完畢參照畫像資料。 在步驟ST24中，控制部51係作為區域移位量推定部502發揮功能，將步驟ST23中所生成的第1補正完畢參照畫像資料、及第1前處理完畢被檢查畫像資料分割成M個部分區域。控制部51係對經分割的M個部分區域的各個執行SSD匹配，且推定M個區域移位量S2。 在步驟ST25中，控制部51係作為變形量推定部503發揮功能，根據步驟ST24中被推定出的M個區域移位量S2，推定對第1補正完畢參照畫像資料的全體的變形量向量Cd 。 在步驟ST26中，控制部51係作為補正部504發揮功能，根據步驟ST22中被推定出的全域移位量S1、與步驟ST25中被推定出的變形量向量C，進行參照畫像資料522的補正，且生成第2補正完畢參照畫像資料。 在步驟ST27中，控制部51係作為比較用前處理部507發揮功能，執行比較用前處理。具體而言，控制部51係針對第2補正完畢參照畫像資料及被檢查畫像資料523的各個，適用NLM處理，且生成第2前處理完畢參照畫像資料及第2前處理完畢被檢查畫像資料。其中，生成第1前處理完畢補正資料時所適用的雜訊去除處理(例如高斯模糊處理)、與生成第2前處理完畢補正資料時所適用的雜訊去除處理(例如NLM處理)並未被重複適用。 在步驟ST28中，控制部51係作為比較部505發揮功能，將步驟ST26中所生成的第2前處理完畢參照畫像資料、與第2前處理完畢被檢查畫像資料作比較，且將比較結果提示給使用者。 綜上，畫像缺陷檢測動作即結束。 1.4.4　關於本變形例之效果 藉由第1實施形態之變形例，即使在生成電子像作為實際畫像資料的情形下，亦可執行畫像缺陷檢測處理。以下使用圖17～圖21，說明本效果。 圖17係用以說明第1實施形態之變形例之參照畫像資料及被檢查畫像資料之一例的模式圖。圖17(A)及圖17(B)係分別顯示在實際畫像資料生成裝置10適用SEM時的參照畫像資料522及被檢查畫像資料523。在圖17之例中係顯示被檢查畫像資料523相對參照畫像資料522產生微小的位置偏移及變形，而且存在以目視並無法確認的缺陷的情形。圖18係用以說明第1實施形態之變形例之第1補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料523的差分畫像資料的模式圖，圖19係顯示圖18所示之差分畫像資料的亮度差的直方圖。圖20係用以說明第1實施形態之第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料523的差分畫像資料的模式圖，圖21係顯示圖20所示之差分畫像資料的亮度差的直方圖。在圖18及圖20中係表示是否可藉由取得補正前後的差分來視認缺陷。在圖19及圖21中係表示藉由在橫軸顯示亮度值的差分、在縱軸顯示其頻度，是否可識別缺陷之有無。 如圖17所示，在參照畫像資料522與被檢查畫像資料523之間，係以目視並無法視認的程度存在微小的偏移。此外，參照畫像資料522及被檢查畫像資料523係均遍及畫像資料全體包含雜訊。若推定如上所示之參照畫像資料522與被檢查畫像資料523之間的全域移位量S1，且作成第1補正完畢參照畫像資料時，可得圖18所示之差分畫像資料diff_c及圖19所示之直方圖hist_c。 如上所述，在圖17之例中，係顯示在被檢查畫像資料523存在有意缺陷的情形。因此，在差分畫像資料diff_c及直方圖hist_c係以表現有意亮度值的差分為宜。但是，如圖18所示，在差分畫像資料diff_c，原本應去除的參照畫像資料522的型樣連同雜訊一起表現為差分，因此難以視認是否有缺陷。此外，如圖19所示，直方圖hist_c係基於上述殘留型樣與雜訊的影響，分布連續擴展至亮度值的差分大的區域。因此，難以根據直方圖hist_c，來特定表示缺陷的分布。因此，差分畫像資料diff_c及直方圖hist_c係有無關於有缺陷而誤判定為正常的可能性、或無關於正常而誤判定為有缺陷的可能性。 另一方面，若根據區域移位量S2，另外推定參照畫像資料522與被檢查畫像資料523之間的變形量d，且作成第2補正完畢參照畫像資料時，可得圖20所示之差分畫像資料diff_d及圖21所示之直方圖hist_d。如圖20所示，在差分畫像資料diff_d，參照畫像資料522的型樣幾乎消失，並且可視認有意亮度值的差分P2及P3。此外，如圖21所示，直方圖hist_d係連續分布在亮度值的差分小的區域。接著，直方圖hist_d係不連續地表現對應有意亮度值的差分P2及P3之亮度值的差分大的區域。因此，差分畫像資料diff_d及直方圖hist_d係可一邊去除因位置偏移或變形所致之畫像資料的偏移，一邊識別有意缺陷。 因此，在將藉由SEM所生成的電子畫像資料輸入至畫像缺陷檢測裝置50的情形下，亦可達成與第1實施形態相同的效果。 2.　第2實施形態 接著，說明第2實施形態之檢查裝置。 第2實施形態係除了第1實施形態之外，藉由將存在於2個畫像資料間的亮度值的不均去除，以更加提高缺陷檢測的精度者。在以下說明中，針對與第1實施形態相同的構成及動作，省略其說明，且主要說明與第1實施形態不同的構成及動作。 2.1　關於畫像缺陷檢測裝置的功能構成 說明第2實施形態之畫像缺陷檢測裝置的功能構成。 圖22係用以說明第2實施形態之畫像缺陷檢測裝置的功能構成的區塊圖。圖22係對應第1實施形態中所說明的圖4。如圖22所示，畫像缺陷檢測裝置50係作為除了在圖4中所說明的全域移位量推定部501、區域移位量推定部502、變形量推定部503、補正部504、及比較部505之外，另外具備亮度不均推定部508的電腦發揮功能。 亮度不均推定部508係若由補正部504接受第2補正完畢參照畫像資料，推定可補正該第2補正完畢參照畫像資料與被檢查畫像資料523之間的亮度不均的增益向量Cg 及偏差向量Co 。 在第2實施形態中，按照以下所示式(8)，來補正參照畫像資料522與被檢查畫像資料523之間的亮度值的不均。
Figure 02_image013
在此，bg (x、y)及bo (x、y)係將位置(x、y)的2個畫像資料間的亮度值的差進行補正的係數，分別被稱為全域增益及全域偏差。增益向量Cg 及偏差向量Co 係分別以向量形式表現以任意次數的多項式表現該全域增益bg (x、y)及全域偏差bo (x、y)時的係數者。具體而言，例如，若全域增益bg (x、y)以二次多項式表現，增益向量Cg 係被表現為由6個係數(cg1 、cg2 、cg3 、cg4 、cg5 、cg6 )所成的列向量。同樣地，若全域偏差bo (x、y)以二次多項式表現，偏差向量Co 係被表現為由6個係數(co1 、co2 、co3 、co4 、co5 、co6 )所成的列向量。此時，全域增益bg (x、y)及全域偏差bo (x、y)係分別使用係數cg1 ～cg6 、及co1 ～co6 ，按照以下式(9)來算出。
Figure 02_image015
亮度不均推定部508係將所推定出的增益向量Cg 及偏差向量Co 送出至補正部504。其中，增益向量Cg 及偏差向量Co 的推定手法的詳細內容，容後詳述。 補正部504係若由亮度不均推定部508接受增益向量Cg 及偏差向量Co ，將該增益向量Cg 及偏差向量Co 、變形量向量Cd 、以及全域移位量S1適用在參照畫像資料522，且生成第3補正完畢參照畫像資料。補正部504係將第3補正完畢參照畫像資料送出至比較部505。 比較部505係若由第3補正完畢參照畫像資料接受補正部504，將該第3補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料523作比較，且將該比較結果提示給使用者。 2.2　關於畫像缺陷檢測動作 接著，說明第2實施形態之畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作。 圖23係用以說明第2實施形態之變形例之畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作的流程圖。圖23係對應第1實施形態中所說明的圖6。 如圖23所示，步驟ST31～ST35的動作係與圖6中所說明的步驟ST11～ST15相同，故省略說明。 在步驟ST36中，控制部51係作為亮度不均推定部508發揮功能，執行亮度不均推定處理。具體而言，控制部51係推定可補正第2補正完畢參照畫像資料與被檢查畫像資料523之間的亮度值的不均的增益向量Cg 及偏差向量Co 。 在步驟ST37中，控制部51係作為補正部504發揮功能，根據步驟ST31中被推定出的全域移位量S1、步驟ST34中被推定出的變形量向量Cd 、及步驟ST36中被推定出的增益向量Cg 及偏差向量Co ，進行參照畫像資料522的補正，且生成第3補正完畢參照畫像資料。 在步驟ST38中，控制部51係作為比較部505發揮功能，將步驟ST37中所生成的第3補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料523作比較，且將比較結果提示給使用者。 綜上，畫像缺陷檢測動作即結束。 2.3　關於亮度不均推定動作 圖24係用以說明第2實施形態之畫像缺陷檢測裝置中的亮度不均推定動作的模式圖。在圖24中係以模式顯示針對第2補正完畢參照畫像資料，按每個部分區域所算出的亮度值的標準偏差IRstd 及平均值IRave 、及針對被檢查畫像資料523，按每個部分區域所算出的亮度值的標準偏差ISstd 及平均值ISave 。在圖24之例中係顯示第2補正完畢參照畫像資料及被檢查畫像資料523被分割成M=9個部分區域R1 、R2 、…、R9 的情形。 如圖24所示，亮度不均推定部508係針對部分區域R1 ～R9 的各個，算出標準偏差IRstd 及平均值IRave 的成組((IR1std 、IR1ave )、(IR2std 、IR2ave )、…、(IR9std 、IR9ave ))、以及標準偏差ISstd 及平均值ISave 的成組((IS1std 、IS1ave )、(IS2std 、IS2ave )、…、(IS9std 、IS9ave ))。亮度不均推定部508係根據按每個部分區域所對應的標準偏差IRstd 及平均值IRave 的成組、以及標準偏差ISstd 及平均值ISave 的成組，按照以下所示之式(10)，算出在該部分區域的各個單義規定的區域增益bg1 ～bg9 及區域偏差bo1 ～bo9 。
Figure 02_image017
此外，亮度不均推定部508係如以下式(11)所示，將所算出的區域增益bg1 ～bg9 及區域偏差bo1 ～bo9 的各個，視為相對應的部分區域R1 ～R9 的代表位置(x1 、y1 )～(x9 、y9 )的全域增益bg (x1 、y1 )～bg (x9 、y9 )及全域偏差bo (x1 、y1 )～bo (x9 、y9 )。
Figure 02_image019
如上所述，在第2實施形態中，在任意位置(x、y)，亮度不均係假定滿足上述式(8)。因此，第2補正完畢參照畫像資料係在至少9點代表位置(x1 、y1 )～(x9 、y9 )，滿足上述式(8)。因此，將式(8)針對9點代表位置(x1 、y1 )～(x9 、y9 )進行聯立，藉此可得以下線性方程式(12)及(13)。
Figure 02_image021
在此，根據代表位置的座標(x1 、y1 )～(x9 、y9 )的行列Z、以及包含區域增益bg1 ～bg9 的向量Bg 及包含區域偏差bo1 ～bo9 的向量Bo 係規定為具體的數值。因此，亮度不均推定部508係對上述式(12)及(13)，根據最小平方法，執行以下式(14)所示之運算，藉此可分別推定增益向量Cg 及偏差向量Co 。
Figure 02_image023
2.3　本實施形態之效果 藉由第2實施形態，亮度不均推定部508係根據式(10)，使用每個部分區域的標準偏差及平均值(IRstd 、IRave )及(ISstd 、ISave )，算出按每個該部分區域可適用的區域增益bg1 ～bg9 、及區域偏差bo1 ～bo9 。亮度不均推定部508係根據式(11)，將區域增益bg1 ～bg9 、及區域偏差bo1 ～bo9 ，視為代表位置(x1 、y1 )～(x9 、y9 )的全域增益bg (x1 、y1 )～bg (x9 、y9 )及全域偏差bo (x1 、y1 )～bo (x9 、y9 )。 藉此，亮度不均推定部508係可僅以部分區域的數量M獲得式(12)及(13)中的向量Bg 及Bo 、以及行列Z的具體值。因此，亮度不均推定部508係可按照式(14)，來推定增益向量Cg 及偏差向量Co ，補正部504係可按照式(8)及(9)，生成在任意位置補正2個畫像資料間的亮度值的不均的第3補正完畢參照畫像資料。 此外，亮度不均推定部508係可藉由執行上述式(14)所示之單純的行列運算，來推定增益向量Cg 及偏差向量Co 。在此，行列Z的尺寸至多為(部分區域數)×(所推定的變形量向量的要素數)。此外，補正部504係針對全域增益bg (x、y)與全域偏差bo (x、y)，進行與亮度值IR (x、y)的單純四則運算，藉此可生成第3補正完畢參照畫像資料。因此，藉由第2實施形態，畫像缺陷檢測裝置50係可以較少的運算量，生成亮度不均經補正的參照畫像資料。 此外，藉由亮度不均推定部508所為之亮度不均推定處理係可與第1實施形態中所說明的移位量推定處理及變形量推定處理一併執行。因此，除了第1實施形態之效果之外，可更加達成上述效果。 3　其他 其中，上述第1實施形態及第2實施形態係說明對參照畫像資料522進行補正的情形，惟不限於此，亦可對被檢查畫像資料523進行補正。 此外，上述第1實施形態及第2實施形態係說明進行藉由全域移位量推定部501所為之全域移位量S1的推定的情形，但是該動作亦可省略。此時，全域移位量S1係可藉由變形量向量Cd 的無次元的係數(Cdx6 、及Cdy6 )而大致替代。 此外，上述第2實施形態係說明針對第1實施形態中所說明的構成，更加適用亮度不均補正的情形，惟不限於此，亦可適用第1實施形態之變形例中所說明的構成。 此外，在上述第1實施形態及在第2實施形態中，畫像缺陷檢測裝置50的控制部51係說明藉由CPU進行動作的情形，惟不限於此。例如，控制部51亦可包含由1個或複數GPU、ASIC、FPGA等所構成的專用電路(專用處理器)。控制部51係可藉由該專用處理器，實現藉由全域移位量推定部501、區域移位量推定部502、變形量推定部503、補正部504、比較部505、推定用前處理部506、比較用前處理部507、及亮度不均推定部508所得之功能。 以上說明本發明之若干實施形態，惟該等實施形態係提示為例者，並非意圖限定發明範圍。該等實施形態係可以其他各種形態實施，可在未脫離發明要旨的範圍內，進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變形係與包含在發明範圍或要旨同樣地，為包含在申請專利範圍所記載的發明及其均等範圍者。
1‧‧‧檢查裝置 10‧‧‧實際畫像資料生成裝置 30‧‧‧設計畫像資料生成裝置 50‧‧‧畫像缺陷檢測裝置 51‧‧‧控制部 52‧‧‧記憶部 53‧‧‧顯示部 54‧‧‧驅動器 55‧‧‧通訊部 101‧‧‧光源 102、103、104、105、106、107‧‧‧半鏡 108、109、110‧‧‧接物鏡 111、127‧‧‧載台 112‧‧‧透過光感測器 113‧‧‧反射光感測器 114‧‧‧遮罩 120‧‧‧腔室 121‧‧‧電子源 122、123‧‧‧聚光透鏡 124、125‧‧‧掃描線圈 126‧‧‧接物鏡 128‧‧‧感測器 129‧‧‧半導體裝置 501‧‧‧全域移位量推定部 502‧‧‧區域移位量推定部 503‧‧‧變形量推定部 504‧‧‧補正部 505‧‧‧比較部 506‧‧‧推定用前處理部 507‧‧‧比較用前處理部 508‧‧‧亮度不均推定部 521‧‧‧畫像缺陷檢測程式 522‧‧‧參照畫像資料 523‧‧‧被檢查畫像資料 541‧‧‧記憶媒體
圖1係用以說明第1實施形態之檢查裝置的全體構成之一例的區塊圖。
圖2係用以說明第1實施形態之檢查裝置的實際畫像資料生成裝置的硬體構成之一例的模式圖。
圖3係用以說明第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置的硬體構成之一例的區塊圖。
圖4係用以說明第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置的功能構成之一例的區塊圖。 圖5係用以說明第1實施形態之檢查裝置的全體動作之一例的流程圖。 圖6係用以說明第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作之一例的流程圖。 圖7係用以模式說明第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置中的補正動作之一例的圖表。 圖8係用以說明第1實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置中的變形量推定動作之一例的模式圖。 圖9(A)、(B)係用以說明第1實施形態之參照畫像資料及被檢查畫像資料之一例的模式圖。 圖10係用以說明第1實施形態之第1補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料的差分畫像資料之一例的模式圖。 圖11係用以說明第1實施形態之第1補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料的差分畫像資料的直方圖。 圖12係用以說明第1實施形態之第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料的差分畫像資料之一例的模式圖。 圖13係用以說明第1實施形態之第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料的差分畫像資料的直方圖。 圖14係用以說明第1實施形態之變形例之檢查裝置的實際畫像資料生成裝置的硬體構成之一例的模式圖。 圖15係用以說明第1實施形態之變形例之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置的功能構成之一例的區塊圖。 圖16係用以說明第1實施形態之變形例之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作之一例的流程圖。 圖17(A)、(B)係用以說明第1實施形態之變形例之參照畫像資料及被檢查畫像資料之一例的模式圖。 圖18係用以說明第1實施形態之變形例之第1補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料的差分之一例的模式圖。 圖19係用以說明第1實施形態之變形例之第1補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料的差分畫像資料的直方圖。 圖20係用以說明第1實施形態之變形例之第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料的差分之一例的模式圖。 圖21係用以說明第1實施形態之變形例之第2補正完畢參照畫像資料、與被檢查畫像資料的差分畫像資料的直方圖。 圖22係用以說明第2實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置的功能構成之一例的區塊圖。 圖23係用以說明第2實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置中的畫像缺陷檢測動作之一例的流程圖。 圖24係用以說明第2實施形態之檢查裝置的畫像缺陷檢測裝置中的亮度不均推定動作之一例的模式圖。
50:畫像缺陷檢測裝置
501:全域移位量推定部
502:區域移位量推定部
503:變形量推定部
504:補正部
505:比較部
522:參照畫像資料
523:被檢查畫像資料

Claims (7)

  1. 一種檢查裝置，其係具備有：畫像生成裝置，其係生成對應第1畫像的第2畫像；及畫像缺陷檢測裝置，其係根據前述第1畫像及前述第2畫像內之彼此相對應的複數部分區域，推定非線性的偏移，檢測前述第2畫像對前述第1畫像的缺陷，前述非線性的偏移係包含前述第1畫像與前述第2畫像之間的變形，前述畫像缺陷檢測裝置係藉由適用作為包含畫素的位置的變數的座標轉換來推定前述變形，前述畫像缺陷檢測裝置係包含：移位量推定部，其係將前述第1畫像的全體區域、與前述第2畫像的全體區域進行匹配，且推定前述全體區域中的亮度誤差成為最小的第2移位量，根據對前述第1畫像內、及前述第2移位量被補正的前述第2畫像內之彼此相對應的複數前述部分區域的各個的匹配，針對複數前述部分區域的各個，推定前述部分區域全體的亮度的誤差成為最小的第1移位量；及變形量推定部，其係將前述第1移位量，視為相對應的部分區域的代表位置的前述變形，且推定變形量。
  2. 如申請專利範圍第1項之檢查裝置，其中，前述座標轉換係包含將前述第1畫像或前述第2畫像的位置座標作為 變數的多項式。
  3. 如申請專利範圍第2項之檢查裝置，其中，前述第1畫像及前述第2畫像內的部分區域的數量的平方根係比前述多項式的次數為更多。
  4. 如申請專利範圍第1項之檢查裝置，其中，前述畫像缺陷檢測裝置係另外具備：第1雜訊濾波器，其係在前述第1移位量及前述座標轉換的係數推定前，將前述第1畫像及前述第2畫像的雜訊去除；及第2雜訊濾波器，其係當檢測前述缺陷時，將前述第1畫像及前述第2畫像的雜訊去除。
  5. 如申請專利範圍第1項之檢查裝置，其中，前述畫像生成裝置係包含：光學掃描器或掃描型電子顯微鏡。
  6. 一種檢查方法，其係具備：生成對應第1畫像的第2畫像的畫像生成裝置；及根據前述第1畫像及前述第2畫像內之彼此相對應的複數部分區域，推定非線性的偏移，檢測前述第2畫像對前述第1畫像的缺陷的畫像缺陷檢測裝置的檢查裝置所執行的檢查方法，前述非線性的偏移係包含前述第1畫像與前述第2畫像之間的變形， 前述畫像缺陷檢測裝置具備：將前述第1畫像的全體區域、與前述第2畫像的全體區域進行匹配，且推定前述全體區域中的亮度誤差成為最小的第2移位量；根據對前述第1畫像內、及前述第2移位量被補正的前述第2畫像內之彼此相對應的複數前述部分區域的各個的匹配，針對複數前述部分區域的各個，推定前述部分區域全體的亮度的誤差成為最小的第1移位量；將前述第1移位量，視為相對應的部分區域的代表位置的前述變形，且推定變形量。
  7. 一種檢查程式，其係具備：生成對應第1畫像的第2畫像的畫像生成裝置；及根據前述第1畫像及前述第2畫像內之彼此相對應的複數部分區域，推定非線性的偏移，檢測前述第2畫像對前述第1畫像的缺陷的畫像缺陷檢測裝置的檢查裝置所使用的檢查程式，前述非線性的偏移係包含前述第1畫像與前述第2畫像之間的變形，該檢查程式係用以使前述畫像缺陷檢測裝置的處理器作為以下手段來發揮功能：將前述第1畫像的全體區域、與前述第2畫像的全體區域進行匹配，且推定前述全體區域中的亮度誤差成為最小的第2移位量；根據對前述第1畫像內、及前述第2移位量被補正的前 述第2畫像內之彼此相對應的複數前述部分區域的各個的匹配，針對複數前述部分區域的各個，推定前述部分區域全體的亮度的誤差成為最小的第1移位量；將前述第1移位量，視為相對應的部分區域的代表位置的前述變形，且推定變形量的手段。
TW108105391A 2018-03-08 2019-02-19 檢查裝置、檢查方法及檢查程式 TWI757585B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-042048 2018-03-08
JP2018042048A JP7042118B2 (ja) 2018-03-08 2018-03-08 検査装置、検査方法、及びプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201945723A TW201945723A (zh) 2019-12-01
TWI757585B true TWI757585B (zh) 2022-03-11

Family

ID=67841972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108105391A TWI757585B (zh) 2018-03-08 2019-02-19 檢查裝置、檢查方法及檢查程式

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10997713B2 (zh)
JP (1) JP7042118B2 (zh)
KR (1) KR102266136B1 (zh)
TW (1) TWI757585B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020110224A1 (ja) * 2018-11-28 2020-06-04 Eizo株式会社 情報処理方法及びコンピュータプログラム
US11039089B2 (en) * 2019-03-27 2021-06-15 Indian Institute Of Technology Ropar Thermal imaging for identifying a defect in a material
JP7237872B2 (ja) * 2020-02-14 2023-03-13 株式会社東芝 検査装置、検査方法、及びプログラム
JP7273748B2 (ja) 2020-02-28 2023-05-15 株式会社東芝 検査装置、検査方法、及びプログラム
JP2022114331A (ja) * 2021-01-26 2022-08-05 日東電工株式会社 検査システム、検査方法及び検査プログラム
JP2022168944A (ja) * 2021-04-27 2022-11-09 株式会社日立ハイテク 欠陥を検出するシステム、及びコンピュータ可読媒体
CN116452586B (zh) * 2023-06-15 2023-09-26 山东飞宏工程机械有限公司 一种隧道小导管余料自动对焊质量检测***
CN117218114B (zh) * 2023-11-06 2024-01-30 山东滨州安惠绳网集团有限责任公司 一种基于图像数据处理的网状织物缺陷快速检测方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0835936A (ja) * 1994-01-14 1996-02-06 Gerber Syst Corp プリント回路基板の自動光学検査装置における歪み補正方法及び装置
JPH10253544A (ja) * 1997-01-10 1998-09-25 Hitachi Ltd 外観検査方法及びその装置
JPH11251377A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置並びに欠陥の観察または分析方法およびそのシステム
JPH11312716A (ja) * 1998-01-09 1999-11-09 Seiko Instruments Inc ウェ―ハ形状自動観察方法
JPH11328410A (ja) * 1998-05-13 1999-11-30 Nippon Avionics Co Ltd パターンの位置合わせ方法
JP2005292016A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法
US20120076410A1 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 Takafumi Sonoura Alignment method and examination apparatus
TW201612504A (en) * 2014-09-29 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Inspection apparatus and inspection method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3998334B2 (ja) * 1997-09-22 2007-10-24 株式会社東芝 欠陥検査方法
JP3397101B2 (ja) * 1997-10-29 2003-04-14 株式会社日立製作所 欠陥検査方法および装置
JP3666267B2 (ja) 1998-09-18 2005-06-29 株式会社日立製作所 荷電粒子ビーム走査式自動検査装置
US6868175B1 (en) 1999-08-26 2005-03-15 Nanogeometry Research Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium
JP4160880B2 (ja) 2003-08-28 2008-10-08 株式会社トプコン 電子線測定装置及び電子線測定方法
JP4771714B2 (ja) * 2004-02-23 2011-09-14 株式会社Ｎｇｒ パターン検査装置および方法
JP4533689B2 (ja) 2004-07-15 2010-09-01 株式会社東芝 パターン検査方法
JP3965189B2 (ja) 2005-03-24 2007-08-29 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 画像補正方法
JP4554691B2 (ja) 2008-02-25 2010-09-29 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 補正パターン画像生成装置、パターン検査装置および補正パターン画像生成方法
JP5417306B2 (ja) 2010-11-29 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP2014035326A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Toshiba Corp 欠陥検査装置
JP6315419B2 (ja) 2013-12-12 2018-04-25 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 半導体検査方法、半導体検査装置及び半導体製造方法
TWI581213B (zh) * 2015-12-28 2017-05-01 力晶科技股份有限公司 物品缺陷檢測方法、影像處理系統與電腦可讀取記錄媒體
US10522376B2 (en) * 2017-10-20 2019-12-31 Kla-Tencor Corporation Multi-step image alignment method for large offset die-die inspection

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0835936A (ja) * 1994-01-14 1996-02-06 Gerber Syst Corp プリント回路基板の自動光学検査装置における歪み補正方法及び装置
JPH10253544A (ja) * 1997-01-10 1998-09-25 Hitachi Ltd 外観検査方法及びその装置
JPH11312716A (ja) * 1998-01-09 1999-11-09 Seiko Instruments Inc ウェ―ハ形状自動観察方法
JPH11251377A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置並びに欠陥の観察または分析方法およびそのシステム
JPH11328410A (ja) * 1998-05-13 1999-11-30 Nippon Avionics Co Ltd パターンの位置合わせ方法
JP2005292016A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法
US20120076410A1 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 Takafumi Sonoura Alignment method and examination apparatus
TW201612504A (en) * 2014-09-29 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Inspection apparatus and inspection method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190106697A (ko) 2019-09-18
JP7042118B2 (ja) 2022-03-25
US10997713B2 (en) 2021-05-04
US20190279349A1 (en) 2019-09-12
JP2019158405A (ja) 2019-09-19
KR102266136B1 (ko) 2021-06-17
TW201945723A (zh) 2019-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI757585B (zh) 檢查裝置、檢查方法及檢查程式
JP5559957B2 (ja) パターン測定方法及びパターン測定装置
JP4554691B2 (ja) 補正パターン画像生成装置、パターン検査装置および補正パターン画像生成方法
US6040911A (en) Reference image forming method and pattern inspection apparatus
JP3965189B2 (ja) 画像補正方法
JP3028945B2 (ja) 多階調丸め補正処理方法およびパターン検査装置
JP2001175857A (ja) 参照画像作成方法、パターン検査装置及び参照画像作成プログラムを記録した記録媒体
JP2008051617A (ja) 画像検査装置、その方法、及びその記録媒体
JP2009036572A (ja) パターン測定方法及びパターン測定装置
TWI620032B (zh) 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄媒體
JP7273748B2 (ja) 検査装置、検査方法、及びプログラム
US11593930B2 (en) Inspection apparatus, inspection method and storage medium that detects defects in images
TW202046248A (zh) 圖型匹配方法
JP4629086B2 (ja) 画像欠陥検査方法および画像欠陥検査装置
JP4817861B2 (ja) パターン寸法測定方法及び寸法測定装置
TWI600898B (zh) 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體
JP4960404B2 (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法
TWI817922B (zh) 圖案匹配裝置、圖案測定系統、圖案匹配程式
US20230280646A1 (en) Corner rounding method of opc pattern based on deep learning, and opc method and mask manufacturing method including the corner rounding method
WO2024142524A1 (ja) 検査装置及び検査画像の生成方法
JP2023030539A (ja) 検査装置及び検査方法
JP2024043072A (ja) 検査装置、方法およびプログラム
TW202309513A (zh) 檢查裝置及參照影像生成方法