TWI752508B

TWI752508B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI752508B
Application number: TW109117440A
Authority: TW
Inventors: 戴名柔; 蔡嘉豪
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2020-05-26
Filing date: 2020-05-26
Publication date: 2022-01-11
Also published as: TW202144875A

Abstract

一種顯示裝置，包括基板、電晶體、第一絕緣層、轉接墊、第二絕緣層以及畫素電極。電晶體設置於基板上且包括汲極。第一絕緣層設置於電晶體上且包括第一接觸孔。轉接墊設置於第一絕緣層上且透過第一接觸孔接觸汲極。轉接墊填入第一接觸孔的底部以形成第一接觸區。第一接觸區具有第一接觸面積。第二絕緣層設置於轉接墊上且包括第二接觸孔。第二接觸孔的底部暴露出部分的轉接墊以形成第二接觸區。第二接觸區具有第二接觸面積。畫素電極設置於第二絕緣層上且透過第二接觸孔接觸轉接墊。在顯示裝置的上視圖中，轉接墊包含第一接觸區與第二接觸區。第二接觸面積大於第一接觸面積。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種可增加畫素電極與汲極之間的電子傳輸的顯示裝置。

平面顯示面板已廣泛地應用於電子設備例如行動電話、電視、監視器、平板電腦、車用顯示器、穿戴裝置以及桌上型電腦中。隨電子產品蓬勃發展，對於電子產品上的顯示品質的要求越來越高，使得用於顯示的電子裝置不斷朝向更大及更高解析度的顯示效果改進。

本發明提供一種顯示裝置，其可提高及穩定畫素電極與汲極之間的電子傳輸。

本發明的顯示裝置包括基板、電晶體、第一絕緣層、轉接墊、第二絕緣層以及畫素電極。電晶體設置於基板上且包括汲極。第一絕緣層設置於電晶體上且包括第一接觸孔。轉接墊設置於第一絕緣層上且透過第一接觸孔接觸汲極。轉接墊填入第一接觸孔的底部以形成第一接觸區。第一接觸區具有第一接觸面積。第二絕緣層設置於轉接墊上且包括第二接觸孔。第二接觸孔的底部暴露出部分的轉接墊以形成第二接觸區，第二接觸區具有第二接觸面積。畫素電極設置於第二絕緣層上且透過第二接觸孔接觸轉接墊。在顯示裝置的上視圖中，轉接墊包含第一接觸區與第二接觸區。第二接觸面積大於第一接觸面積。

基於上述，在本發明的實施例的顯示裝置中，由於畫素電極可透過第二接觸孔於第二接觸區接觸轉接墊，且轉接墊可透過第一接觸孔於第一接觸區接觸汲極，因而使得畫素電極可透過轉接墊的第二接觸區以及第一接觸區電性連接至汲極。此外，由於轉接墊的第二接觸區大於第一接觸區，因而可增加畫素電極與轉接墊之間的接觸面積。因此，本實施例的顯示裝置可藉由轉接墊的第二接觸區的設置來增加畫素電極與轉接墊之間的接觸面積，以使得畫素電極可透過轉接墊的第二接觸區來提高並穩定畫素電極與汲極之間的電子傳輸，並降低畫素電極與汲極之間的阻值而達到提升高像素的顯示裝置的顯示品質。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

在下文說明書與權利要求書中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

應了解到，當元件或膜層被稱為在另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或層，或者兩者之間存在有***的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有***的元件或膜層。

雖然術語第一、第二、第三…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。權利要求中可不使用相同術語，而依照權利要求中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在權利要求中可能為第二組成元件。

在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。此外，用語「耦接」包含任何直接及間接的電性連接手段。

在本揭露中，長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。

本揭露的電子裝置可包括顯示裝置、天線裝置、感測裝置、觸控電子裝置（touch display）、曲面電子裝置(curved display)或非矩形電子裝置(free shape display)，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。電子裝置可例如包括發光二極體、液晶（liquid crystal）、螢光（fluorescence）、磷光（phosphor）、其它合適的顯示介質、或前述之組合，但不以此為限。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、無機發光二極體(inorganic light-emitting diode，LED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot，QD，可例如為QLED、QDLED)、或其他適合之材料或上述的任意排列組合，但不以此為限。顯示裝置可例如包括拼接顯示裝置，但不以此為限。天線裝置可例如是液晶天線，但不以此為限。天線裝置可例如包括天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統…等週邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。下文將以顯示裝置說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

現將詳細地參考本揭露的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1A為本揭露一實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖1B為圖1A的顯示裝置沿剖面線A-A’的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖1A省略繪示了顯示裝置中的若干元件。

請同時參照圖1A與圖1B，本實施例的顯示裝置100包括基板110、電晶體120、第一絕緣層130、轉接墊140、第二絕緣層150以及畫素電極160。在本實施例中，基板110可包括硬性基板或軟性基板。舉例而言，基板110的材料可包括玻璃、石英、藍寶石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合適的基板材料、或前述之組合，但不以此為限。

電晶體120設置於基板110上，且電晶體120包括閘極GE、閘極絕緣層GI、半導體層SE、源極SD1以及汲極SD2，但不以此為限。在本實施例中，閘極絕緣層GI可具有開孔GIa、GIb，以暴露出部分的半導體層SE。在一些實施例中，源極SD1及/或汲極SD2的材料可包含透明導電材料或非透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、金屬材料(例如鋁、鉬、銅、銀等)、其它合適材料或上述組合，但不以此為限。在一些實施例中，半導體層SE的材料可包括非晶質矽(amorphous silicon)、低溫多晶矽(LTPS)、金屬氧化物(例如氧化銦鎵鋅IGZO)、其他合適之材料或上述之組合，但不以此為限。在本實施例中，雖然電晶體120的閘極GE為頂閘極結構，但本揭露不以此為限，也就是說，在其他實施例中，電晶體的閘極也可以為底閘極結構。此外，在本實施例的上視示意圖中，顯示裝置100更包括掃描線SL以及讀取線DL。掃描線SL以及讀取線DL設置於基板110上，且掃描線SL沿方向X延伸，讀取線DL則沿方向Y延伸，其中方向X不同於方向Y。由於電晶體120的閘極GE可電性連接至掃描線SL，且電晶體120的源極SD1可電性連接至讀取線DL，因而使得電晶體120可分別與掃描線SL以及讀取線DL電性連接。

在本實施例中，顯示裝置100更包括緩衝層170、遮蔽層171以及介電層172。緩衝層170以及遮蔽層171設置於電晶體120與基板110之間，且遮蔽層171對應於閘極GE設置。介電層172設置於源極SD1(或汲極SD2)與閘極絕緣層GI之間，以覆蓋閘極GE以及閘極絕緣層GI。介電層172可具有開孔172a、172b。其中，開孔172a連通開孔GIa以暴露出部分的半導體層SE，且開孔172b連通開孔GIb以暴露出部分的半導體層SE。

在本實施例中，源極SD1與汲極SD2分別設置於介電層172上。源極SD1還可填入於介電層172的開孔172a以及閘極絕緣層GI的開孔GIa內，以使源極SD1可電性連接至半導體層SE。汲極SD2還可填入於介電層172的開孔172b以及閘極絕緣層GI的開孔GIb內，以使汲極SD2可電性連接至半導體層SE。

第一絕緣層130設置於電晶體120上。第一絕緣層130覆蓋源極SD1、汲極SD2以及介電層172。第一絕緣層130與基板110分別設置於電晶體120的相對兩側。第一絕緣層130包括第一接觸孔131，且第一接觸孔131暴露出部分的汲極SD2。

轉接墊140設置於第一絕緣層130上，且位於畫素電極160與汲極SD2之間。轉接墊140還可填入於第一絕緣層130的第一接觸孔131內，以使轉接墊140可電性連接至汲極SD2。在本實施例中，轉接墊140對應於汲極SD2設置。轉接墊140於基板110上的正投影重疊於汲極SD2於基板110上的正投影，且轉接墊140於基板110上的正投影大於汲極SD2於基板110上的正投影。在顯示裝置100的上視圖中(如圖1A所示)，轉接墊140的面積大於汲極SD2的面積。在本實施例中，轉接墊140的材料可包括金屬材料(例如鋁、鉬、銅、銀等)，其它合適材料或上述組合，但不以此為限。

第二絕緣層150設置於轉接墊140上。第二絕緣層150覆蓋轉接墊140以及第一絕緣層130。第二絕緣層150與電晶體120分別設置於第一絕緣層130的相對兩側。第二絕緣層150包括第二接觸孔151，且第二接觸孔151暴露出部分的轉接墊140。

畫素電極160設置於第二絕緣層150上，且位於第三絕緣層180與第二絕緣層150之間。畫素電極160還可填入於第二接觸孔151內，以使畫素電極160可電性連接至轉接墊140。畫素電極160於基板110上的正投影重疊於轉接墊140於基板110上的正投影。

在顯示裝置100的上視圖中，轉接墊140具有第一接觸區141以及第二接觸區142。第一接觸區141對應於第一絕緣層130的第一接觸孔131設置。第二接觸區142對應於第二絕緣層150的第二接觸孔151設置。具體來說，可將轉接墊140填入於第一接觸孔131的底部的部分視為是轉接墊140的第一接觸區141，轉接墊140於第一接觸區141內具有一第一接觸面積，並將由第二接觸孔151的底部暴露出的部分的轉接墊140視為是轉接墊140的第二接觸區142，轉接墊140於第二接觸區142具有一第二接觸面積，於本實施例中，第一接觸區141的面積可等於第一接觸孔131的面積，第二接觸區142的面積可等於第二接觸孔151的面積，但不以此為限。因此，轉接墊140可透過第一接觸區141透過第一接觸孔131接觸汲極SD2，且畫素電極160可透過第二接觸區142透過第二接觸孔151接觸轉接墊140。即，畫素電極160可透過轉接墊140的第二接觸區142以及第一接觸區141電性連接至汲極SD2。此外，在本實施例中，在顯示裝置100的上視圖中(如圖1A所示)，由於轉接墊140的第二接觸面積大於轉接墊140的第一接觸面積，因而可藉由第二接觸區142的設置來增加畫素電極160與轉接墊140之間的接觸面積，藉此，使得畫素電極160可透過轉接墊140的第二接觸區142來提升並穩定畫素電極160與汲極SD2之間的電子傳輸。

在本實施例中，在顯示裝置100的上視圖中(如圖1A所示)，第一絕緣層130的第一接觸孔131與第二絕緣層150的第二接觸孔151之間具有一距離D，且第一絕緣層130的第一接觸孔131不重疊於第二絕緣層150的第二接觸孔151。此外，在本實施例中，電晶體120的閘極GE可位於第一絕緣層130的第一接觸孔131與第二絕緣層150的第二接觸孔151之間，但不以此為限。

在本實施例中，在顯示裝置100的上視圖中(如圖1A所示)，轉接墊140更包括與第一接觸孔131對應的第一部分143以及與第二接觸孔151對應的第二部分144。具體而言，在顯示裝置100的上視圖中(如圖1A所示) ，轉接墊140包含填入第一接觸孔131的轉接墊140形成的第一接觸區141與圍繞第一接觸區141設置的第一部分143，以及第二接觸孔151暴露出部分的轉接墊140形成的第二接觸區142與圍繞第二接觸區142設置的第二部分144。其中，第一部分143的寬度W1可以小於第二部分144的寬度W2，但不以此為限。在本實施例中，在顯示裝置100的上視圖中(如圖1A所示)，當轉接墊140的第一部分143的寬度W1小於轉接墊140的第二部分144的寬度W2時，詳細而言，本實施例的轉接墊140的第一部分143與第二部分144可位於掃描線SL的不同側，且第一部分143的寬度W1小於第二部分144的寬度W2，而形成類似葫蘆型(gourd shape)的輪廓，以減少轉接墊140與源極SD1之間的互相干擾(cross-talk)，但不以此為限。此外，在顯示裝置100的上視圖中(如圖1A所示)，轉接墊140的第二部分144的寬度W2可以大於第二接觸孔151的寬度W3，轉接墊140的第一部分143的寬度W1也可以大於第一接觸孔131的寬度W4。在本實施例中，第一部分143的寬度W1、第二部分144的寬度W2、第二接觸孔151的寬度W3以及第一接觸孔131的寬度W4例如是沿著掃描線SL的大致延伸方向(即方向X)進行量測。

在本實施例中，顯示裝置100更包括第三絕緣層180以及共用電極181。第三絕緣層180設置於畫素電極160上以及第二接觸孔151內。共用電極181設置於第三絕緣層180上以及第二接觸孔151內，以使第三絕緣層180位於共用電極181與畫素電極160之間。

簡言之，在本實施例顯示裝置100的上視圖中，由於畫素電極160可接觸轉接墊140的第二接觸區142，且轉接墊140的第一接觸區141可接觸汲極SD2，因而使得畫素電極160可透過轉接墊140的第二接觸區142以及第一接觸區141電性連接至汲極SD2。此外，由於轉接墊140的第二接觸區142大於第一接觸區141，因而可增加畫素電極160與轉接墊140之間的接觸面積，藉此，使得畫素電極160可透過轉接墊140的第二接觸區142來提升並穩定畫素電極160與汲極SD2之間的電子傳輸，並降低畫素電極160與汲極SD2之間的阻值。

以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2A為本揭露另一實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖2B為圖2A的顯示裝置沿剖面線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖1A與圖2A，本實施例的顯示裝置100a大致相似於圖1A的顯示裝置100，因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100a不同於顯示裝置100之處主要在於，本實施例的轉接墊140a的材料可包括透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、其它合適材料或上述組合，但不以此為限。

詳細來說，請參照圖2A，在顯示裝置100a的上視圖中，顯示裝置100a的轉接墊140a包括與第一接觸孔131對應的第一部分143a以及與第二接觸孔151對應的第二部分144a，其中第一部分143a的寬度W1’等於第二部分144a的寬度W2’，具體而言，本實施例的轉接墊140的第一部分143a與第二部分144a可位於掃描線SL的不同側，且第一部分143a的寬度W1’與第二部分144a的寬度W2’可相同，而形成類似長方型的輪廓，但不以此為限。轉接墊140a的第二部分144a的寬度W2’大於第二接觸孔151的寬度W3。此時，轉接墊140a的輪廓可以為長方形，但不以此為限。在本實施例中，第一部分143a的寬度W1’、第二部分144a的寬度W2’ 以及第二接觸孔151的寬度W3例如是沿著掃描線SL的大致延伸方向(即方向X)進行量測。

請同時參照圖2A與圖2B，在本實施例中，由於轉接墊140a與源極SD1(DL)之間具有一距離D’，因而可降低轉接墊140a與源極SD1(DL)之間的寄生電容，並減少轉接墊140a與源極SD1之間的互相干擾(cross-talk)。此外，請再參照圖2B，在顯示裝置100a的剖面圖中，由於轉接墊140a的第二部分144a的寬度W2’大於第二接觸孔151的寬度W3且轉接墊140a於基板110上的正投影可與第二絕緣層150於基板110上的正投影有部分重疊，因而使得第二接觸孔151中的第三絕緣層180可形成在畫素電極160與共用電極181之間，藉此可避免因畫素電極160與共用電極181接觸而有造成短路的風險，在本實施例中，轉接墊140a的寬度W2’也可以大於畫素電極160的寬度W6，但不以此為限。反之，當轉接墊140a的第二部分144a的寬度W2’小於第二接觸孔151的寬度W3且轉接墊140a於基板110上的正投影未與第二絕緣層150於基板110上的正投影有部分重疊時，第二接觸孔151中的第三絕緣層180則可能會有破裂的情形，因而使得畫素電極160可與共用電極181接觸而造成短路。在本實施例中，第二接觸孔151的寬度W3、轉接墊140a的寬度W2’以及畫素電極160的寬度W6例如是沿著方向X進行量測。

圖2C為圖2A的另一實施例的顯示裝置沿剖面線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖2B與圖2C，本實施例的顯示裝置100b大致相似於圖2B的顯示裝置100a，因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100b不同於顯示裝置100a之處主要在於，在本實施例的顯示裝置100b中，轉接墊140b的寬度W5小於第二絕緣層150b的第二接觸孔151b的寬度W3。

詳細來說，請參照圖2C，由於轉接墊140b的寬度W5小於第二絕緣層150b的第二接觸孔151b的寬度W3，藉此可增加轉接墊140b與源極SD1之間的距離，因而可進一步地降低轉接墊140b與源極SD1之間的寄生電容，並進一步地減少轉接墊140b與源極SD1之間的互相干擾(cross-talk)。此外，在第二絕緣層150b的第二接觸孔151b中，轉接墊140b的寬度W5也可以小於畫素電極160b的寬度W6，但不以此為限。在本實施例中，由於轉接墊140b的寬度W5也可以小於畫素電極160b的寬度W6，因而使得後續形成的畫素電極160b以及第三絕緣層180能配置在轉接墊140b上，並使得第三絕緣層180能在第二接觸孔151b中完全覆蓋轉接墊140b以及畫素電極160b，但不以此為限。在本實施例中，第二接觸孔151b的寬度W3、轉接墊140b的寬度W5以及畫素電極160b的寬度W6例如是沿著方向X進行量測。

圖2D為圖2A的另一實施例的顯示裝置沿剖面線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖2C與圖2D，本實施例的顯示裝置100c大致相似於圖2C的顯示裝置100b，因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100c不同於顯示裝置100b之處主要在於，在本實施例的顯示裝置100c的第二絕緣層150c的第二接觸孔151c中，轉接墊140c的寬度W5大於畫素電極160c的寬度W6’。在本實施例中，轉接墊140c的寬度W5以及畫素電極160c的寬度W6’例如是沿著方向X進行量測。

圖3A為本揭露另一實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖3B為圖3A的顯示裝置沿剖面線C-C’的剖面示意圖。請同時參照圖1B、2A與圖3A-3B，本實施例的顯示裝置100d大致相似於圖1B的顯示裝置100以及圖2A的顯示裝置100a，因此兩實施例中相同與相似的構件於此不再重述。本實施例的顯示裝置100d不同於顯示裝置100、100a之處主要在於，在本實施例的顯示裝置100d更包括讀取線DL’以及第四絕緣層190。

詳細來說，請同時參照圖3A與圖3B，讀取線DL’設置於第一絕緣層130上，且位於第四絕緣層190與第一絕緣層130之間。讀取線DL’對應於源極SD1(讀取線DL)設置。讀取線DL’於基板110上的正投影重疊於源極SD1(讀取線DL)於基板110上的正投影。在本實施例中，讀取線DL’的材料可包括金屬材料(例如鋁、鉬、銅、銀等)，其它合適材料或上述組合，但不以此為限。

第四絕緣層190設置於讀取線DL’上。第四絕緣層190覆蓋讀取線DL’以及第一絕緣層130。第四絕緣層190與電晶體120分別設置於第一絕緣層130的相對兩側。第四絕緣層190包括第三接觸孔191，其中第三接觸孔191與第一接觸孔131連通，以暴露出部分的汲極SD2。

轉接墊140d設置於第四絕緣層190上，且填入於第三接觸孔191以及第一接觸孔131內。轉接墊140d設置於第二絕緣層150與第四絕緣層190之間。轉接墊140d對應於汲極SD2設置。轉接墊140d於基板110上的正投影重疊於汲極SD2於基板110上的正投影，且轉接墊140於基板110上的正投影大於汲極SD2於基板110上的正投影。在顯示裝置100d的上視圖中(如圖3A所示)，轉接墊140d的面積大於汲極SD2的面積。在本實施例中，轉接墊140d的材料可包括透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、其它合適材料或上述組合，但不以此為限。

在本實施例中，藉由將讀取線DL’設置於源極SD1(讀取線DL)上，且使讀取線DL’對應於源極SD1(讀取線DL)設置，因而使得本實施例的顯示裝置100d具有雙層的讀取線DL、DL’。因此，本實施例的顯示裝置100d可藉由雙層的讀取線DL、DL’的設置，其中可透過DL與DL’的電性連接(圖上未標示)而降低阻抗，進而增加面板驅動能力。具體來說，在像素尺寸小的顯示面板中，由於其讀取線的寬度小於像素尺寸大的顯示面板的讀取線的寬度，因此當要使像素尺寸小的顯示面板仍具有高解析度時，會使得其讀取線的負載(Loading)明顯高於像素尺寸大的顯示面板的讀取線的負載，進而可能會因為讀取線的負載過大而導致畫面顯示異常。因此，若能依據本實施的教示，在像素尺寸小的顯示面板中設置雙層的讀取線並透過雙層讀取線的電性連接設計，則可以降低阻抗並增加面板驅動能力，以同時滿足像素尺寸小且解析度高的需求。舉例來說，在像素尺寸小的虛擬實境(virtual reality，VR)的顯示面板中，當其於更高解析度(例如3K，但不限於此)的畫面刷新率驅動或電玩等需要更高頻率(例如大於60Hz，但不限於此)畫面刷新率的應用時，其可能會因為讀取線負載過大而導致畫面顯示異常，因此，其需要使用雙層讀取線的設計，以降低阻抗並提升面板驅動能力。

綜上所述，在本揭露實施例的顯示裝置中，由於畫素電極可接觸轉接墊的第二接觸區，且轉接墊的第一接觸區可接觸汲極，因而使得畫素電極可透過轉接墊的第二接觸區以及第一接觸區電性連接至汲極。此外，由於轉接墊的第二接觸區大於第一接觸區，因而可增加畫素電極與轉接墊之間的接觸面積。因此，本實施例的顯示裝置可藉由轉接墊的第二接觸區的設置來增加畫素電極與轉接墊之間的接觸面積，以使得畫素電極可透過轉接墊的第二接觸區來提升並穩定畫素電極與汲極之間的電子傳輸，並降低畫素電極與汲極之間的阻值而達到提升高像素的顯示裝置的顯示品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100a、100b、100c、100d:顯示裝置 110:基板 120:電晶體 130:第一絕緣層 131:第一接觸孔 140、140a、140b、140c、140d:轉接墊 141:第一接觸區 142:第二接觸區 143、143a:第一部分 144、144a:第二部分 150、150b、150c:第二絕緣層 151、151b、151c:第二接觸孔 160、160b、160c:畫素電極 170:緩衝層 171:遮蔽層 172:介電層 172a、172b:開孔 180:第三絕緣層 181:共用電極 190:第四絕緣層 191:第三接觸孔 D、D’:距離 DL、DL’:讀取線 GE:閘極 GI:閘極絕緣層 GIa、GIb:開孔 SD1:源極 SD2:汲極 SE:半導體層 SL:掃描線 W1、W1’、W2、W2’、W3、W4、W5、W6、W6’:寬度 X、Y:方向

圖1A為本揭露一實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖1B為圖1A的顯示裝置沿剖面線A-A’的剖面示意圖。圖2A為本揭露另一實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖2B為圖2A的顯示裝置沿剖面線B-B’的剖面示意圖。圖2C為圖2A的另一實施例的顯示裝置沿剖面線B-B’的剖面示意圖。圖2D為圖2A的另一實施例的顯示裝置沿剖面線B-B’的剖面示意圖。圖3A為本揭露另一實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖3B為圖3A的顯示裝置沿剖面線C-C’的剖面示意圖。

100:顯示裝置 110:基板 131:第一接觸孔 140:轉接墊 141:第一接觸區 142:第二接觸區 143:第一部分 144:第二部分 151:第二接觸孔 160:畫素電極 D:距離 DL:讀取線 SD2:汲極 SE:半導體層 SL:掃描線 W1、W2、W3、W4:寬度 X、Y:方向

Claims

一種顯示裝置，包括：基板；電晶體，設置於所述基板上，且包括汲極；第一絕緣層，設置於所述電晶體上，且包括第一接觸孔；轉接墊，設置於所述第一絕緣層上，且透過所述第一接觸孔接觸所述汲極；第二絕緣層，設置於所述轉接墊上，且包括第二接觸孔；以及畫素電極，設置於所述第二絕緣層上，且透過所述第二接觸孔接觸所述轉接墊；其中在所述顯示裝置的上視圖中，所述轉接墊的面積大於所述汲極的面積，且所述轉接墊包含第一接觸區與第二接觸區，其中，所述轉接墊填入第一接觸孔的底部以形成第一接觸區，所述第二接觸孔的底部暴露出部分的所述轉接墊以形成第二接觸區，其中所述第一接觸區具有第一接觸面積，所述第二接觸區具有第二接觸面積，所述第二接觸面積大於所述第一接觸面積。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在所述顯示裝置的上視圖中，所述第一接觸孔不重疊於所述第二接觸孔。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述轉接墊包括金屬材料。
如請求項3所述的顯示裝置，在所述顯示裝置的上視圖中，所述轉接墊更包括第一部分以及第二部分，其中所述第一部分與所述第一接觸孔對應設置，所述第二部分與所述第一接觸孔對應設置，且所述第一部分的寬度小於所述第二部分的寬度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述轉接墊包括透明導電材料。
如請求項5所述的顯示裝置，其中在所述顯示裝置的上視圖中，所述轉接墊更包括第一部分以及第二部分，其中所述第一部分與所述第一接觸孔對應設置，所述第二部分與所述第一接觸孔對應設置，且所述第一部分的寬度等於所述第二部分的寬度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在所述顯示裝置的上視圖中，所述轉接墊的寬度大於所述第二接觸孔的寬度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在所述顯示裝置的剖視圖中，所述第二接觸孔中，所述轉接墊的寬度小於所述畫素電極的寬度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在所述顯示裝置的剖視圖中，所述第二接觸孔中，所述轉接墊的寬度大於所述畫素電極的寬度。