TWI751838B - 用於探測系統的屏蔽 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種探測系統，包括一卡盤，其配置成支撐一待測件(Device under test，DUT)；一探針卡，其布置在該卡盤上面，並包括從該探針卡朝向該卡盤突出的複數探針；以及一壓板，其布置在該卡盤和該探針卡之間，並配置成支撐該探針卡，其中該卡盤包括一屏蔽構件，其布置在該壓板和該卡盤之間。

Description

用於探測系統的屏蔽

本發明所揭示內容係關於一種探測系統(probing system)，包括一卡盤，該卡盤用以支撐配置在其上的一待測件(DUT)，尤其係關於具有可從該卡盤之一圓周夾具(circumferential fixture)延伸並設置其中或係該卡盤之一部分且圍繞該待測件的一屏蔽構件。又，本發明所揭示內容係關於一種操作於探測系統之方法，係探測配置在該卡盤上的該待測件，尤其係關於一種在廣泛變化的溫度、壓力、濕度或氣體填充環境下，探測具有可從該卡盤延伸並設置其中係該卡盤之一部分的該屏蔽構件所圍繞的該待測件之方法。這種卡盤之屏蔽構件可小化以乾燥空氣、氣體或任何測試所需之環境進行沖洗排淨(purging)所需腔室之體積空間。

在製造之後，半導體器件(如晶圓)由探測系統加以測試。在該測試或探測過程中，該半導體器件必須在指定條件(如預定溫度、壓力、濕度或氣體填充環境)下。然而，這樣的指定條件可能在該測試或探測過程中，難以對該半導體晶圓維持一致。因此導致該半導體器件之測試準確度可能降低。

舉例來說，外殼用於圍繞和屏蔽整個探測系統。然而，由該外殼屏蔽該探測系統的大型屏蔽腔室非常困難或事實上在技術上不可能。在另一範例中，外殼用於圍繞和屏蔽卡盤及該卡盤上的半導體晶圓。儘管這樣的屏蔽腔室空間小於用於該整個探測系統的大型屏蔽腔室，但仍然難以可靠屏蔽該卡盤和該半導體晶圓。

據此，本領域亟需不斷改進該探測系統之配置。在不同環境下進行測試很難以現有探測系統達成，或可能需求高氣體流量、需要高能耗的設備、使用大量氣體等，才能以大型腔室填充或沖洗排淨該探測系統之環境。對該卡盤之整體操作移動而言，需要在該大型腔室內進行。

此先前技術段落僅為了背景資訊而提供。此先前技術中的陳述並非承認此先前技術段落中所揭示主旨對本發明所揭示內容構成先前技術，且此先前技術段落之任何部分皆無法用於承認本申請案之任何部分(包括此先前技術段落)對本發明所揭示內容構成先前技術。

本發明所揭示內容之一個態樣提供一種探測系統。該探測系統包括一卡盤，其配置成支撐一待測件(DUT)；一探針卡，其布置在該卡盤上面，並包括從該探針卡朝向該卡盤突出的複數探針或附帶單一探針的複數探針操縱器；以及一壓板，其布置在該卡盤和該探針卡或探針操縱器之間，並配置成支撐該探針卡或探針操縱器，其中該卡盤包括一屏蔽構件，其圍繞該待測件，並布置在該壓板和該卡盤之間。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件環繞該卡盤之周圍並從其朝向該壓板突出。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件可從該卡盤延伸並可縮進其中，且若應用需求，則將具有真空抽吸，從而提高該待測件和周圍環境之間的屏蔽。

在一些具體實施例中，該卡盤包括一狹槽，其凹入該卡盤邊緣，並配置成使得該屏蔽構件之部分或全部能夠布置在該狹槽內。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件與該壓板接觸以提供該待測件與該周圍環境之完全隔離。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件實質上與該卡盤之表面正交。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件之高度可延伸或壓低，該高度實質上與該卡盤和該壓板之間的距離相同。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件之高度實質上大於該待測件之厚度，從而確保該晶圓和該壓板之間的足夠隔距。

在一些具體實施例中，該待測件布置在由該卡盤、該屏蔽構件、該壓板及該探針卡或探針操縱器所界定的腔室內。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件包括一第一端以及相對於該第一端的一第二端，該第一端與該壓板接觸，且該第二端與該卡盤接觸。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件與該探針卡或該壓板隔離。

在一些具體實施例中，封圍該探針卡或探針操縱器的蓋體(cover)確保待測件與該周圍環境之完全屏蔽。

本發明所揭示內容之另一態樣提供一種操作探測系統之方法。該方法包括提供包括可從一卡盤之圓周夾具延伸並設置一屏蔽構件；在該卡盤上布置一待測件(DUT)並由該屏蔽構件所圍繞；在該待測件和該卡盤上面提供一探針卡；在該探針卡與該卡盤之間設置一壓板；以及將該屏蔽構件從該卡盤朝向該壓板延伸，使得該屏蔽構件與該壓板或該探針卡接觸。

在一些具體實施例中，該方法更包含將該屏蔽構件縮進卡盤之圓周夾具中並遠離該壓板。這可擇一自動或透過將該卡盤升高進入該壓板完成。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件之延伸在該屏蔽構件之縮進之前進行。

在一些具體實施例中，由該卡盤、該屏蔽構件、該壓板及該探針卡或附帶蓋體的探針操縱器所界定的腔室在該屏蔽構件之延伸之後形成。

在一些具體實施例中，該方法更包含提高或降低該腔室之溫度，或以惰性氣體填充該腔室。

在一些具體實施例中，該方法更包含透過以變化濕度之空氣填充來提高或降低該腔室之濕度。

在一些具體實施例中，該方法更包含透過以較高或較低壓力之空氣或氣體填充來提高或降低該腔室之壓力。

在一些具體實施例中，該方法更包含在該屏蔽構件之縮進之前將該卡盤朝向該探針卡移動。

在一些具體實施例中，該方法更包含在該屏蔽構件之延伸之後探測該待測件。

在一些具體實施例中，該屏蔽構件在該待測件之探測之後縮進該卡盤中。

前述已相當廣泛概述特徵與技術優勢，特別是在將該屏蔽腔室之體積空間減少本發明所揭示內容之90%以上方面，以便接下來所揭示內容之實施方式可更好理解。所揭示內容之附加特徵與優勢將在以下說明，並形成所揭示內容之申請專利範圍之主題。熟習此領域技術者應可瞭解，所揭示的概念與具體實施例可容易作為為了執行本發明所揭示內容之相同目的而修改或設計其他結構或程序的基礎。熟習此領域技術者也應可意識到，這樣的等同構造並未悖離如所附申請專利範圍中所闡述的所揭示內容之精神與範疇。

下列所揭示內容之說明伴隨併入本說明書中且構成其一部分的各圖式，並例示所揭示內容之各具體實施例，但所揭示內容不限於該等具體實施例。此外，下列各具體實施例可適當整合以完成另一具體實施例。

參照「一個具體實施例」(one embodiment)、「一具體實施例」(an embodiment)、「示例性具體實施例」(exemplary embodiment)、「其他具體實施例」(other embodiments)、「另一具體實施例」(another embodiment)等指示如此所說明的所揭示內容之該(等)具體實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但並非每個具體實施例皆有必要包括該特定特徵、結構或特性。又，儘管可能，但該片語「在該具體實施例中」(in the embodiment)之重複使用不一定指稱同一具體實施例。

為了使本發明所揭示內容完全可理解，在下列說明中提供詳細步驟和結構。顯然，本發明所揭示內容之實作不限於熟習此領域技術者已知的特殊細節。此外，已知的結構和步驟並非詳細地說明，以免非必要限制本發明所揭示內容。以下將詳細說明本發明所揭示內容之各較佳具體實施例。然而，除了實施方式以外，本發明所揭示內容也可能廣泛實行在其他具體實施例中。本發明所揭示內容之範疇不限於實施方式，並由申請專利範圍所界定。

在本發明所揭示內容中，揭示一種探測系統。該探測系統包括一卡盤，其配置成支撐一待測件(DUT)；以及一探針卡，其布置在該卡盤上面。該卡盤包括一屏蔽構件，其可從該卡盤延伸並可縮進其中。該屏蔽構件從該卡盤延伸以形成圍繞該待測件的腔室。如此，該腔室之形成使得該待測件能夠在測試或探測過程中，穩定維持在指定條件(如預定溫度或壓力)下。所以，可改進對該待測件之測試或探測。再者，由該屏蔽構件形成的腔室係非常小型的腔室(如與用於該整個探測系統的屏蔽腔室或用於該卡盤及該卡盤上的半導體晶圓的屏蔽腔室相比)，將可更容易將該待測件控制和維持在指定條件下，因此成本也可減少。

圖1係依據本發明所揭示內容之各種具體實施例的第一探測系統100之示意剖面圖。在一些具體實施例中，第一探測系統100配置成對待測件(DUT) 103進行測試。在一些具體實施例中，第一探測系統100包括一殼體101；一卡盤102，其布置在殼體101內；以及一探針卡104，其布置在卡盤102上方。

在一些具體實施例中，殼體101界定第一腔室101a，且卡盤102布置在第一腔室101a中。在一些具體實施例中，殼體101包括一壓板101b，其在殼體101之頂部上方。在一些具體實施例中，壓板101b係用於在其上托住和支撐探針卡104的平台。在一些具體實施例中，壓板101b包括一平坦表面，其用於在其上支撐探針卡104。在一些具體實施例中，壓板101b布置在卡盤102和探針卡104之間。

在一些具體實施例中，卡盤102配置成托住和支撐待測件 103。在一些具體實施例中，卡盤102可繞著卡盤102之中心旋轉，並可朝向探針卡104移動且從其遠離。在一些具體實施例中，卡盤102具有圓形、四邊形或多邊形的形狀。在一些具體實施例中，卡盤102包括一表面102a，其面向探針卡104。

在一些具體實施例中，待測件103在探測或測試操作過程中布置在卡盤102上。在一些具體實施例中，透過使用抽吸將待測件103朝向卡盤102吸住(draw)，在卡盤102上托住待測件103。在一些具體實施例中，待測件103包括形成在其上的電路。在一些具體實施例中，用於測試操作的幾個測試焊墊形成在待測件103上方。

在一些具體實施例中，待測件103包括一正面側103a以及相對於正面側103a的一背面側103b。在一些具體實施例中，電路或器件形成在正面側103a上方。在一些具體實施例中，該等測試焊墊形成在正面側103a上方。在一些具體實施例中，待測件103之背面側103b接觸卡盤102。在一些具體實施例中，背面側103b接觸卡盤102之表面102a。在一些具體實施例中，背面側103b係實質上平坦的表面。在一些具體實施例中，待測件103係半導體器件、半導體結構、晶圓、晶片或其類似物。

在一些具體實施例中，探針卡104布置在壓板101b上方以及在卡盤102和待測件103上面。在一些具體實施例中，探針卡104包括一電路板，其用於測試待測件103。在一些具體實施例中，探針卡104係操縱器、***或其類似物。在一些具體實施例中，支撐件布置在該電路板上，且幾個探針104a以環氧樹脂固定在該支撐件上，並從探針卡104朝向卡盤102突出。在一些具體實施例中，探針卡104包括幾個探針操縱器，其附帶一單一探針。在一些具體實施例中，每個探針104a之尖端皆配置成接觸布置在待測件103上方的測試焊墊。在一些具體實施例中，待測件103之電路透過該等探針104a電連接到探針卡104之電路板。在一些具體實施例中，蓋體布置在探針卡104上方以封圍探針卡104，以確保卡盤102和待測件103與該等周圍環境之完全屏蔽。

在一些具體實施例中，卡盤102包括一屏蔽構件105，其布置在壓板101b和卡盤102之間。在一些具體實施例中，屏蔽構件105從卡盤102朝向壓板101b突出。在一些具體實施例中，屏蔽構件105從卡盤102之周圍突出。在一些具體實施例中，屏蔽構件105從卡盤102之表面102a突出。在一些具體實施例中，屏蔽構件105實質上與卡盤102之表面102a正交。在一些具體實施例中，屏蔽構件105與壓板101b接觸。在一些具體實施例中，屏蔽構件105在卡盤102之表面102a和壓板101b之間延伸。在一些具體實施例中，屏蔽構件105環繞卡盤102。在一些具體實施例中，探針卡104之該等探針104a可碰觸待測件103。在一些具體實施例中，屏蔽構件105與該壓板101b接觸以提供卡盤102與該等周圍環境之完全隔離。

在一些具體實施例中，屏蔽構件105包括一第一端105a以及相對於第一端105a的一第二端105b。第一端105a與壓板101b接觸，且第二端105b與卡盤102接觸。在一些具體實施例中，第二端105b布置在卡盤102之表面102a下方或其上。在一些具體實施例中，屏蔽構件105與探針卡104隔離。在一些具體實施例中，屏蔽構件105與壓板101b隔離。

在一些具體實施例中，屏蔽構件105之高度H實質上與卡盤102和壓板101b之間的距離D相同。在一些具體實施例中，屏蔽構件105之高度H實質上大於待測件103之厚度T。在一些具體實施例中，屏蔽構件105可沿著其高度延伸或壓低。在一些具體實施例中，該高度H實質上大於該厚度T以便確保待測件103和壓板101b之間的足夠隔距。在一些具體實施例中，屏蔽構件105沿著線AA'之剖面具有圓形形狀(如圖2中所示)、四邊形形狀(如圖3中所示)或多邊形形狀。

在一些具體實施例中，第二腔室106由卡盤102、屏蔽構件105、壓板101b及探針卡104所界定。在一些具體實施例中，待測件103布置在第二腔室106內，並由屏蔽構件105圍繞。在一些具體實施例中，第二腔室106之溫度實質上不同於或大於第一腔室101a之溫度。在一些具體實施例中，第二腔室106中的壓力實質上不同於或大於第一腔室101a之壓力。在一些具體實施例中，第一腔室101a和第二腔室106藉由屏蔽構件105彼此隔離。在一些具體實施例中(例如圖1、圖4及圖6至圖10中所例示)，第二腔室106比第一腔室101a更小許多。

在一些具體實施例中，屏蔽構件105可相對於卡盤102移動。在一些具體實施例中，屏蔽構件105可從卡盤102延伸並可縮進其中。在一些具體實施例中，屏蔽構件105可從卡盤102朝向壓板101b延伸，直到屏蔽構件105與壓板101b接觸且第二腔室106形成。在一些具體實施例中，屏蔽構件105可縮進以與壓板101b分開，直到屏蔽構件105布置在卡盤102中。在一些具體實施例中，屏蔽構件105係卡盤102之圓周夾具。在一些具體實施例中，屏蔽構件105係卡盤102之一部分。

在一些具體實施例中，卡盤102包括一狹槽102b，其形成在卡盤102中，並配置成使得屏蔽構件105能夠全部或部分布置在狹槽102b內。在一些具體實施例中，狹槽102b凹入卡盤102之邊緣。在一些具體實施例中，當屏蔽構件105處於延伸狀態時，屏蔽構件105幾乎完全延伸出狹槽102b。在一些具體實施例中，當屏蔽構件105處於縮進狀態時，屏蔽構件105完全布置在狹槽102b內。

由於第二腔室106在屏蔽構件105處於該延伸狀態時與第一腔室101a隔離，因此在對待測件103之測試或探測過程中，待測件103可維持在指定條件(如預定溫度或壓力)下。所以，可改進對待測件103之測試或探測。再者，由於第二腔室106係小型腔室(如與第一腔室101a相比)，因此將待測件103控制和維持在指定條件下將更輕鬆，因此成本也可減少。在一些具體實施例中，若應用需求，則施加真空抽吸以便提高卡盤102和該等周圍環境之間的屏蔽。

圖4係依據本發明所揭示內容之各種具體實施例的第二探測系統200之示意剖面圖。在一些具體實施例中，第二探測系統200以與如圖1中所例示的第一探測系統100相似的方式配置。

在一些具體實施例中，第二探測系統200之屏蔽構件105布置在探針卡104和卡盤102之間。在一些具體實施例中，屏蔽構件105可從卡盤102朝向探針卡104延伸。在一些具體實施例中，屏蔽構件105與探針卡104接觸。在一些具體實施例中，屏蔽構件105之高度H實質上大於卡盤102和壓板101b之間的距離D。

在本發明所揭示內容中，揭示操作探測系統100或200之方法S300。方法S300包括若干操作，且該說明和各例示圖並不視為對該等操作之順序的限制。圖5係描繪操作探測系統100或200之方法S300之具體實施例的流程圖。該方法包括步驟S301、S302、S303及S304。

在步驟S301中，如圖6中所示提供包括一屏蔽構件105的卡盤102。在一些具體實施例中，探測系統100包括卡盤102，其布置在殼體101或第一腔室101a內。在一些具體實施例中，屏蔽構件105處於縮進狀態且最初布置在卡盤102內。在一些具體實施例中，屏蔽構件105布置在卡盤102之狹槽102b內。

在步驟S302中，待測件103如圖6中所示布置在卡盤102上。在一些具體實施例中，包括一待測件103的半導體晶圓布置在卡盤102上。在一些具體實施例中，透過使用抽吸將待測件103朝向卡盤102吸住來布置待測件103。在一些具體實施例中，待測件103之背面側103b與卡盤102之表面102a接觸。

在步驟S303中，如圖6中所示提供探針卡104。在一些具體實施例中，探針卡104或探針操縱器布置在壓板101b上以及在待測件103和卡盤102上面。在一些具體實施例中，探針卡104包括幾個探針104a，其從探針卡104突出，並配置成探測待測件103。在一些具體實施例中，探測卡104布置在待測件103之正面側103a上面。

在一些具體實施例中，卡盤102如圖7中所示，在待測件103之布置之後朝向探針卡104移動。在一些具體實施例中，在待測件103布置在卡盤102上之後，卡盤102朝向探針卡104移動以使卡盤102和待測件103靠近探針卡104。

在步驟S304中，屏蔽構件105如圖8中所示，從卡盤102朝向壓板101b延伸。在一些具體實施例中，在待測件103之布置或卡盤102之移動之後，屏蔽構件105從卡盤102朝向壓板101b延伸。在一些具體實施例中，屏蔽構件105可從卡盤102延伸並可縮進其中。在一些具體實施例中，屏蔽構件105從卡盤102延伸，直到屏蔽構件105與壓板101b接觸以形成由卡盤102、屏蔽構件105、壓板101b及探針卡104所界定的第二腔室106。

在一些具體實施例中，屏蔽構件105如圖9中所示，從卡盤102朝向探針卡104延伸。在一些具體實施例中，在待測件103之布置或卡盤102之移動之後，屏蔽構件105從卡盤102朝向探針卡104延伸。在一些具體實施例中，屏蔽構件105從卡盤102延伸，直到屏蔽構件105與探針卡104接觸以形成由卡盤102、屏蔽構件105及探針卡104所界定的第二腔室106。

在一些具體實施例中，卡盤102在屏蔽構件105之延伸之後進一步朝向探針卡104移動。在一些具體實施例中，屏蔽構件105並未在卡盤102之進一步移動過程中移動。在一些具體實施例中，透過將卡盤102朝向探針卡104進一步移動，使得探針卡104之該等探針104a接觸待測件103。在一些具體實施例中，卡盤102在屏蔽構件105之延伸或縮進之前朝向探針卡104移動。

在屏蔽構件105之延伸以及卡盤102之進一步移動之後，待測件103由該等探針104a探測。在一些具體實施例中，該等探針104a為了測試待測件103而接觸待測件103之正面側103a。在一些具體實施例中，待測件103上的幾個測試焊墊接觸該等對應探針104a。在該探測或測試過程中，測試信號透過該等探針104a傳輸到待測件103，且來自待測件103的回應信號傳輸回到該等探針104a。

在一些具體實施例中，在第二腔室106形成之後以及在對待測件103之探測或測試之前，提高或降低第二腔室106之溫度。在一些具體實施例中，提高或降低第二腔室106之壓力。在一些具體實施例中，第二腔室106以惰性氣體(如氮氣)填充。在一些具體實施例中，透過以相對於該等周圍環境較高或較低壓力之空氣或(多種)氣體填充，提高或降低第二腔室106之壓力。在一些具體實施例中，透過以變化濕度之空氣填充，提高或降低第二腔室106之濕度。如此，待測件103可在指定條件(如第二腔室106內的高溫、高壓等)下加以測試或探測。第二腔室106可輕鬆維持在預定條件下。

在一些具體實施例中，在對待測件103之探測或測試之後，屏蔽構件105如圖10中所示縮進卡盤102中。在一些具體實施例中，屏蔽構件105縮進，直到屏蔽構件105布置在卡盤102或狹槽102b中。在一些具體實施例中，自動進行屏蔽構件105之縮進。在一些具體實施例中，屏蔽構件105之縮進係透過將卡盤102朝向壓板101b升高或進入其中來進行。在一些具體實施例中，卡盤102在屏蔽構件105之縮進之前遠離探針卡104移動。卡盤102遠離探針卡104移動使得該等探針104a不再碰觸待測件103，然後屏蔽構件105縮進卡盤102中。

儘管已詳細說明本發明所揭示內容及其優勢，但應可理解，各種改變、代換及變更皆可在文中做到，而不悖離如後附申請專利範圍所界定的所揭示內容之精神與範疇。舉例來說，以上所討論的許多程序可透過不同方法、由其他程序替代或其組合實行。

而且，本發明所申請內容之範疇不欲限於本說明書中所說明的程序、機器、製造、物質之成分、手段、方法及步驟之該等特定具體實施例。如此領域一般技術者之一將很容易從本發明所揭示內容之揭示內容瞭解，進行與文中所說明該等對應具體實施例實質上相同的功能或達成實質上相同的結果之現存或日後將開發出的程序、機器、製造、物質之成分、手段、方法或步驟，可根據本發明所揭示內容加以利用。據此，後附申請專利範圍欲在其範疇內包括這樣的程序、機器、製造、物質之成分、手段、方法及步驟。

100:第一探測系統；探測系統 101:殼體 101a:第一腔室 101b:壓板 102:卡盤 102a:表面 102b:狹槽 103:待測件(DUT) 103a:正面側 103b:背面側 104:探針卡 104a:探針 105:屏蔽構件 105a:第一端 105b:第二端 106:第二腔室 200:第二探測系統；探測系統 S300:方法 S301~S304:步驟 AA':線

當與所附圖式(其中類似的參考號碼在整個所附圖式中指稱相似的元件)有關加以考慮時，對本發明所揭示內容之更完整的理解可能透過參照實施方式與申請專利範圍推導出。

圖1係依據本發明所揭示內容之一些具體實施例的第一探測系統之示意剖面圖。

圖2和圖3係沿著圖1中的線AA'的屏蔽構件之剖面圖之示例性具體實施例。

圖4係依據本發明所揭示內容之一些具體實施例的第二探測系統之示意剖面圖。

圖5係表示在一個或多個具體實施例中，根據本發明所揭示內容之各態樣操作探測系統之方法的流程圖。

圖6至圖10係依據本發明所揭示內容之一些具體實施例，透過圖5之方法操作探測系統之示意圖。

無

100:第一探測系統；探測系統

101:殼體

101a:第一腔室

101b:壓板

102:卡盤

102a:表面

102b:狹槽

103:待測件(DUT)

103a:正面側

103b:背面側

104:探針卡

104a:探針

105:屏蔽構件

105a:第一端

105b:第二端

106:第二腔室

Claims (19)

1. 一種探測系統，包含：一卡盤，其配置成支撐一待測件(DUT)；一探針卡，其布置在該卡盤上面，並包括從該探針卡朝向該卡盤和該待測件突出的複數探針；以及一壓板，其布置在該卡盤和該探針卡之間，並配置成支撐該探針卡，其中該卡盤包括一屏蔽構件，其布置在該壓板和該卡盤之間，其中該屏蔽構件圍繞該待測件，該屏蔽構件可從該卡盤延伸並可縮進其中。
2. 如請求項1之探測系統，其中該屏蔽構件從該卡盤朝向該壓板突出。
3. 如請求項1之探測系統，其中該卡盤包括一狹槽，其凹入該卡盤，並配置成使得該屏蔽構件能夠全部或部分布置在該狹槽內。
4. 如請求項1之探測系統，其中該屏蔽構件與該壓板接觸。
5. 如請求項1之探測系統，其中該屏蔽構件與該卡盤之一表面正交。
6. 如請求項1之探測系統，其中該屏蔽構件之一高度與該卡盤和該壓板之間的一距離相同。
7. 如請求項1之探測系統，其中該屏蔽構件之一高度大於該待測件之一厚度。
8. 如請求項1之探測系統，其中該待測件布置在由該卡盤、該屏蔽構件、該壓板及該探針卡所界定的一腔室內。
9. 如請求項1之探測系統，其中該屏蔽構件包括一第一端以及相對於該第一端的一第二端，該第一端與該壓板接觸，且該第二端與該卡盤接觸。
10. 如請求項1之探測系統，其中該屏蔽構件與該探針卡接觸。
11. 如請求項1之探測系統，其中該屏蔽構件與該探針卡隔離。
12. 一種操作探測系統之方法，包含：提供一卡盤，包括可從該卡盤延伸並設置其中的一屏蔽構件；在該卡盤上布置一待測件(DUT)，並由該屏蔽構件所圍繞；在在該待測件和該卡盤上面提供一探針卡，並在該探針卡與該卡盤之間設置一壓板；以及將該屏蔽構件從該卡盤朝向該壓板延伸，使得該屏蔽構件與該壓板或該探針卡接觸。
13. 如請求項12之方法，更包含將該屏蔽構件縮進該卡盤中並遠離該壓板。
14. 如請求項13之方法，其中該屏蔽構件之該延伸在該屏蔽構件之該縮進之前進行。
15. 如請求項12之方法，其中由該卡盤、該屏蔽構件、該壓板及該探針卡所界定的一腔室在該屏蔽構件之延伸之後形成。
16. 如請求項15之方法，更包含提高或降低該腔室之一溫度；或以一惰性氣體填充該腔室。
17. 如請求項12之方法，更包含在該屏蔽構件之延伸之前將該卡盤朝向該探針卡移動。
18. 如請求項12之方法，更包含在該屏蔽構件之延伸之後探測該待測件。
19. 如請求項18之方法，其中該屏蔽構件在該待測件之該探測之後縮進該卡盤中。

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