TWI742522B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板，其包括陣列基板、第一子畫素、第二子畫素以及第一發光二極體。陣列基板包括第一連接墊以及第二連接墊。第一子畫素包括電性連接於第一連接墊的第一驅動單元。第二子畫素包括電性連接於第二連接墊的第二驅動單元。第一發光二極體完全重疊且物理性絕緣於第二連接墊。第一發光二極體不完全重疊且電性連接於第一連接墊。一種顯示面板的製造方法亦被提出。

Description

顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一種面板及其製造方法，且特別是有關於一種顯示面板及其製造方法。
發光二極體(light emitting diode；LED)具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。因此，發光二極體常做為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
然而，若顯示面板的發光二極體損壞、失效或效能低落，常會造成顯示品質的降低。因此，如何提升顯示面板的顯示品質，實已成目前亟欲解決的課題。
本發明提供一種顯示面板及其製造方法，可以使顯示面 板具有較佳的顯示品質。
本發明的顯示面板包括陣列基板、第一子畫素、第二子畫素以及第一發光二極體。陣列基板包括第一連接墊以及第二連接墊。第一子畫素包括電性連接於第一連接墊的第一驅動單元。第二子畫素包括電性連接於第二連接墊的第二驅動單元。第一發光二極體完全重疊且物理性絕緣於第二連接墊，且第一發光二極體不完全重疊且電性連接於第一連接墊。
本發明提供一種顯示面板的製造方法，其包括以下步驟。提供陣列基板，其包括第一連接墊以及第二連接墊。配置第一發光二極體於該陣列基板上，且使第一發光二極體完全重疊第一連接墊且不完全重疊於第二連接墊。電性連接第一發光二極體與第二連接墊。
基於上述，藉由上述的佈線設計、配置方式或修補方式，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而可以使顯示面板具有較佳的顯示品質。
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100:顯示面板
110、410、510:陣列基板
111R:第一子畫素接墊
111G:第二子畫素接墊
111B:第三子畫素接墊
112R:第一連接墊
112G:第二連接墊
112B:第三連接墊
113、113R、113G、113B、113P、513P:共用連接墊
121、122R、122G、122B、123、123P、124R、124G、124B、125G、125B、523P:連接線路
D1、D1’、D6:第一方向
L1:第一距離
P1:第一畫素間距
D2、D2’、D7:第二方向
L2:第二距離
P2:第二畫素間距
D3、D3’、D8:第三方向
L3:第三距離
P3:第三畫素間距
D4:第一尺寸方向
D5:第二尺寸方向
PU、PU1、PU2、PU3、PU4、PU5、PU6:畫素區
SP1:第一子畫素
130R:第一驅動單元
140R、141R、541R:第一發光二極體
SP2:第二子畫素
130G:第二驅動單元
140G、141G、142G、541G:第二發光二極體
SP3:第三子畫素
130B:第三驅動單元
140B、141B、142B、541B:第三發光二極體
131:開關元件
132:驅動元件
133:電容
143a、543a:第一電極
143b、543b:第一型半導體層
143c、543c:第一導線連接面
143d、543d:發光區
143e、543e:第二型半導體層
143f、543f:第二導線連接面
143g、543g:第二電極
143h、143k、543h:絕緣層
143m:導電層
118a:基板
118b、118e、118g:導電層
118c、118f、118h:絕緣層
118d、118k:開口
117a:第一訊號線
117b、117c、117d:第二訊號線
117e:第一電源線
117f:第二電源線
R1、R2、R3、R4:區域
X0、Y0:物件
X1、Y1、Y2、Y3、Y4:垂直投影
圖1A及圖1B是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分上視示意圖。
圖1C是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分剖視示意圖。
圖1D是依照本發明的第一實施例的另一種顯示面板的部分製造方法的部分剖視示意圖。
圖1E是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分電路示意圖。
圖1F至圖1I是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖1J是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分上視示意圖。
圖1K是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖1L是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分剖視示意圖。
圖2是依照本發明的第二實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖3是依照本發明的第三實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖4A是依照本發明的第四實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分上視示意圖。
圖4B至圖4D是依照本發明的第四實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖5A至圖5C是依照本發明的第五實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖5D是依照本發明的第五實施例的一種顯示面板的部分剖視示意圖。
圖6是依照本發明的第六實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖7是依照本發明的第七實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖8是依照本發明的第八實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖9是依照本發明的第九實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖10是依照本發明的第十實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖11是依照本發明的第十一實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。
圖12A是一物件完全重疊另一物件的立體示意圖。
圖12B是一物件部分重疊另一物件的立體示意圖。
圖12C是一物件完全不重疊另一物件的立體示意圖。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫 離本發明的精神或範圍。
在附圖中，為了清楚起見，放大了各元件等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在“另一元件上”、或“連接到另一元件”、“重疊於另一元件”時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電連接。
在附圖中，相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。
應當理解，儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式，包括“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，術語“及/ 或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其它元件“上方”。因此，示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“基本上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的 含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
於電路連接示意圖的繪示上盡可能地採用IEEE、IEC、GB/T、JIS及/或CNS的標準。當然，電路圖符號的標準有數個，依地區而異，有些微差異，但本發明所屬領域的普通技術人員應可理解其含義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1A及圖1B是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分上視示意圖。圖1C是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分剖視示意圖。圖1D是依照本發明的第一實施例的另一種顯示面板的部分製造方法的部分剖視示意圖。圖1E是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分電路示意圖。圖1F至圖1I是依照本發 明的第一實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。圖1J是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分上視示意圖。圖1K是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。圖1L是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的部分剖視示意圖。
請參照圖1A，提供陣列基板110。陣列基板110包括第一連接墊112R以及第二連接墊112G。
舉例而言，陣列基板110可以具有畫素區PU。在圖1A中，僅示例性地繪示了六個畫素區PU，但本發明對於畫素區PU的數量並不加以限制。舉例而言，畫素區PU例如包括畫素區PU1、畫素區PU2、畫素區PU3、畫素區PU4、畫素區PU5及畫素區PU6。這些畫素區PU內的構件配置方式或電路佈局方式可能相同或相似。因此，為求清楚表示，並未在所有畫素區PU內標示每個構件的標號。
在本實施例中，於陣列基板110的其中一個畫素區PU中可以包括第一連接墊112R、第二連接墊112G、第三連接墊112B、第一子畫素接墊111R、第二子畫素接墊111G、第三子畫素接墊111B以及至少一共用連接墊113。
在一實施例中，共用連接墊113可以包括共用連接墊113R、共用連接墊113G、共用連接墊113B以及共用連接墊113P。共用連接墊113R可以對應於第一子畫素接墊111R配置，共用連接墊113G可以對應於第二子畫素接墊111G配置，共用連接墊 113B可以對應於第三子畫素接墊111B配置，且共用連接墊113P可以對應於第一連接墊112R、第二連接墊112G及第三連接墊112B配置。也就是說，於陣列基板110的其中一畫素區PU中，共用連接墊113的數量可以為四個。舉例而言，共用連接墊113可以包括共用連接墊113R、共用連接墊113G、共用連接墊113B及共用連接墊113P，但本發明不限於此。
以圖1B為例，第一連接墊112R可以電性連接於第一子畫素接墊111R。第二連接墊112G可以電性連接於第二子畫素接墊111G。第三連接墊112B可以電性連接於第三子畫素接墊111B。
以第一連接墊112R以及第一子畫素接墊111R為例，第一連接墊112R與第一子畫素接墊111R可以藉由對應的連接線路121R而電性連接。
以圖1C為例，第一連接墊112R、第一子畫素接墊111R以及連接線路121可以是相同的導電層。舉例而言，構成第一連接墊112R、第一子畫素接墊111R以及連接線路121的導電層118b可以位於基板118a上，且前述的導電層118b可以位於絕緣層118c及基板118a之間。絕緣層118c可以具有多個開口118d，以暴露出第一連接墊112R及第一子畫素接墊111R。
以圖1D為例，第一連接墊112R以及第一子畫素接墊111R相同的導電層，而連接線路121與第一連接墊112R以及第一子畫素SP1可以是不同的導電層。舉例而言，構成連接線路121的導電層118e可以位於基板118a上，且前述的導電層118e可以 位於絕緣層118f及基板118a之間。構成第一連接墊112R以及第一子畫素接墊111R的導電層118g可以位於絕緣層118f上，且前述的導電層118g的一部分可以貫穿絕緣層118f，以連接導電層118e。絕緣層118h可以覆蓋於導電層118g上且具有多個開口118k，以暴露出第一連接墊112R及第一子畫素接墊111R。
第二連接墊112G與第二子畫素接墊111G可以藉由對應的連接線路121G而電性連接，且第二連接墊112G、第二子畫素接墊111G及連接線路121G的結構或配置方式可以相同或相似於第一連接墊112R、第一子畫素接墊111R及連接線路121R，故於此不加以贅述。
第三連接墊112B與第三子畫素接墊111B可以藉由對應的連接線路121B而電性連接，且第三連接墊112B、第三子畫素接墊111B及連接線路121B的結構或配置方式可以相同或相似於第一連接墊112R、第一子畫素接墊111R及連接線路121R，故於此不加以贅述。
在俯視狀態下(如：圖1A或圖1B所繪示的狀態)，第一連接墊112R、第二連接墊112G及第三連接墊112B的排列方式可以不呈一直線。舉例而言，第一連接墊112R、第二連接墊112G及第三連接墊112B可以呈三角狀(delta-type)的排列方式。又舉例而言，第一連接墊112R、第二連接墊112G及第三連接墊112B彼此相連所呈現的輪廓可以是一銳角三角形(acute triangle)。
請繼續參照圖1A，可以配置一發光二極體(如：第一發 光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B中的至少其中之一)於陣列基板110上，且使前述的發光二極體連接(可包括直接地或間接地物理性連接或電性連接)於對應的子畫素接墊(如：對應的第一子畫素接墊111R、第二子畫素接墊111G或第三子畫素接墊111B)與及對應的共用連接墊113。
舉例而言，請參照圖1A及圖1E，可以配置一第一發光二極體140R於陣列基板110上。然後，使連接線路122R連接第一子畫素接墊111R及第一發光二極體140R的一端，且使連接線路123連接共用連接墊113R及第一發光二極體140R的另一端。如此一來，可以使第一發光二極體140R與對應的第一子畫素接墊111R與共用連接墊113R連接。
舉例而言，請參照圖1A及圖1E，可以配置一第二發光二極體140G於陣列基板110上。然後，使連接線路122G連接第二子畫素接墊111G及第二發光二極體140G的一端，且使連接線路123連接共用連接墊113G及第二發光二極體140G的另一端。如此一來，可以使第二發光二極體140G與對應的第二子畫素接墊111G與共用連接墊113G連接。
舉例而言，請參照圖1A及圖1E，可以配置一第三發光二極體140B於陣列基板110上。然後，使連接線路122B連接第三子畫素接墊111B及第三發光二極體140B的一端，且使連接線路123連接共用連接墊113B及第三發光二極體140B的另一端。如此一來，可以使第三發光二極體140B與對應的第三子畫素接墊 111B與共用連接墊113B連接。
值得注意的是，於本發明中並未限定第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的配置順序。
在本實施例中，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B的可發光顏色可以彼此不同。舉例而言，第一發光二極體140R可能可以被驅動而發出紅色光，第二發光二極體140G可能可以被驅動而發出綠色光，且/或第三發光二極體140B可能可以被驅動而發出藍色光，但本發明不限於此。
請參照圖1E，在本實施例中，陣列基板110可以更包括驅動單元(如：第一驅動單元130R、第二驅動單元130G或第三驅動單元130B)及電性連接於前述的驅動單元的第一訊號線117a以及第二訊號線117b、117c或117d。發光二極體(如：第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的至少其中之一)可以藉由而對應的子畫素接墊(如：對應的第一子畫素接墊111R、第二子畫素接墊111G或第三子畫素接墊111B)而電性連接至對應的驅動單元。
舉例來說，各個畫素區PU(如：畫素區PU1、畫素區PU2、畫素區PU3、畫素區PU4、畫素區PU5及畫素區PU6)可以更包括第一子畫素SP1、第二子畫素SP2及第三子畫素SP3。第一子畫素SP1至少包括第一驅動單元130R。第二子畫素SP2至少包括第二驅動單元130G。第三子畫素SP3至少包括第三驅動單元130B。 陣列基板110可以更包括第一訊號線117a、第二訊號線117b、117c、117d、第一電源線117e以及第二電源線117f。第一驅動單元130R、第二驅動單元130G及第三驅動單元130B可以電性連接於第一訊號線117a。第一驅動單元130R、第二驅動單元130G及第三驅動單元130B可以電性連接於第一電源線117e。第一驅動單元130R可以電性連接於一第二訊號線117b，第二驅動單元130G可以電性連接於另一第二訊號線117c，且第三驅動單元130B可以電性連接於又一第二訊號線117d。
在一實施例中，第一訊號線(如：第一訊號線117a)可以被稱為掃描線(scan line)，且第二訊號線(如：第二訊號線117b、117c、117d)可以被稱為資料線(data line)。在一實施例中，不同的畫素區之間(如：畫素區PU1、畫素區PU2、畫素區PU3、畫素區PU4、畫素區PU5及畫素區PU6的其中兩者之間)可以藉由連接於不同的第一訊號線及/或第二訊號線而被區分。舉例而言，畫素區PU1與畫素區PU2可以連接於不同的第二訊號線。再舉例而言，畫素區PU1與畫素區PU6可以連接於不同的第一訊號線。又舉例而言，畫素區PU1與畫素區PU5可以連接於不同的第一訊號線及不同的第二訊號線。
在本實施例中，子畫素(如：第一子畫素SP1、第二子畫素SP2或第三子畫素SP3)的驅動單元(如：第一驅動單元130R、第二驅動單元130G或第三驅動單元130B)可以包括開關元件131、驅動元件132與電容133，而可以被簡稱為二個主動元件與一個電 容(可表示為2T1C)。於其他實施例中，子畫素也可更包含其他的主動元件，且驅動單元中所包含的開關元件131、驅動元件132以及其他的主動元件與電容之個數可依設計變更，而可例如被簡稱為三個主動元件和一個或兩個電容(可表示為3T1C/2C)、四個主動元件和一個或兩個電容(可表示為4T1C/2C)、五個主動元件和一個或兩個電容(可表示為5T1C/2C)、六個主動元件和一個或兩個電容(可表示為6T1C/2C)、或是其他適合的電路配置。
在一實施例中，開關元件131、驅動元件132其中至少一者可採用薄膜電晶體(TFT)，例如底閘型電晶體、頂閘型電晶體、立體型電晶體、或其它適宜的電晶體。底閘型的電晶體之閘極或位於半導體層(未繪示)之下方，頂閘型電晶體之閘極或位於半導體層(未繪示)之上方，而立體型電晶體之半導體層通道(未繪示)延伸非位於一平面。
在驅動單元(如：第一驅動單元130R、第二驅動單元130G或第三驅動單元130B)的操作上，藉由對應的第一訊號線(如：第一訊號線117a)與對應的第二訊號線(如：第二訊號線117b、117c、117d)所傳遞的訊號，可以致能(enable)對應的驅動單元，以允許第一電源線(如：第一電源線117e)所提供的驅動電位至對應的發光二極體。
以第一子畫素SP1及對應的第一發光二極體140R為例，開關元件131的閘極電性連接至對應的第一訊號線117a，開關元件131的源極電性連接至對應的第二訊號線117b，開關元件131 的汲極電性連接至驅動元件132的閘極，驅動元件132的源極電性連接至第一電源線117e。藉由第一訊號線117a與第二訊號線117b所傳遞的訊號，可以使開關元件131控制驅動元件132的開啟(導通)與關閉(斷路)。當驅動元件132為開啟(導通)的情形下，驅動元件132可以允許其源極傳遞第一電源線117e所提供的驅動電位至其汲極，以允許第一發光二極體140R可能可以被驅動而發光。
其他子畫素(如：第二子畫素SP2或第三子畫素SP3)及對應於其的發光二極體(如：第二發光二極體140G或第三發光二極體140B)的配置或驅動方式可以相同或相似於第一子畫素SP1及對應於其的第一發光二極體140R，故於此不加以贅述。
在本實施例中，並未限定第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B為已知合格晶片(known good die；KGD)。也就是說，在一可能的實施例中，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的其中之一可能會有損壞、失效或效能低落的狀況。換句話說，若發光二極體具有無法預期的損壞、失效或效能低落的狀況，縱使藉由上述的配置方式驅動發光二極體，仍可能不會具有預期的發光或發光亮度。因此，在配置對應的發光二極體(如：第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的至少其中之一)之後，可以對前述配置後的發光二極體進行測試步驟或檢測步驟。
測試步驟可以相同或相似於一般常用的測試步驟，檢測步驟可以相同或相似於一般常用的檢測步驟，故於此不詳細地說明。簡單地舉例來說，可以藉由驅動單元驅動對應的發光二極體(如：第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的至少其中之一)，以確認前述被驅動的發光二極體是否具有預期的發光或發光亮度。又簡單地舉例來說，可以藉由外觀檢測(如：光學顯微鏡(Optical microscope；OM)檢測)，以確認被檢測的發光二極體(如：第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的至少其中之一)外觀是否正常。
在經由前述的測試步驟或檢測步驟之後，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補。前述的修補方式，可以包括：配置一發光二極體(如：第一發光二極體141R、第二發光二極體141G或第三發光二極體141B的至少其中之一)於陣列基板110上，且使前述的發光二極體完全重疊一連接墊(如：第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中之一)且不完全重疊於另一連接墊(如：第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中另一)。並且，電性連接前述的發光二極體與前述的另一連接墊。
前述的修補方式詳述並舉例如下。
<以修補畫素區PU1為例>
舉例來說，請參照圖1A、圖1F、圖1G及圖1L，其中圖 1F可以是至少對圖1A中的結構的部分畫素區PU1進行修補的部分上視示意圖，圖1G可以是圖1F中區域R1的放大上視示意圖，且圖1L可以是圖1G中A-A’剖線上的剖視示意圖。另外，在圖1G及圖1L中，部分的構件可能不會位於A-A’剖線的剖面上。但為容易地表示或說明，仍可能繪示出部分的構件於剖面上的投影。舉例來說，第一連接墊112R並不位於圖1G中的A-A’剖線上，但為容易地表示或說明，仍將第一連接墊112R投影於剖面上的位置繪示於圖1L中。
在本實施例中，在對配置於畫素區PU1中的第二發光二極體140G進行測試步驟或檢測步驟之後，若第二發光二極體140G被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第二發光二極體141G。第二發光二極體141G的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第二發光二極體140G的顏色或亮度。第二發光二極體141G完全重疊第三連接墊112B及第一連接墊112R，且第二發光二極體140G不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第二連接墊112G。然後，可以使第二連接墊112G及第二發光二極體141G的一端電性連接，且可以使共用連接墊113P及第二發光二極體141G的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第二發光二極體140G的驅動方式，可以允許第二發光二極體141G可能可以被驅動而發光。
在本實施例中，第二發光二極體141G可以是水平式(lateral)發光二極體。舉例而言，第二發光二極體141G可以包 括第一電極143a、第一型半導體層143b、發光區143d、第二型半導體層143e、第二電極143g以及絕緣層143h。發光區143d位於第一型半導體層143b以及第二型半導體層143e之間。第一型半導體層143b具有第一導線連接面143c。第二型半導體層143e具有第二導線連接面143f。第一型半導體層143b的第一導線連接面143c與第二型半導體層143e的第二導線連接面143f基本上面向相同的方向。第一電極143a位於第一型半導體層143b的第一導線連接面143c上且電性連接至第一型半導體層143b。第二電極143g位於第二型半導體層143e的第二導線連接面143f上且電性連接至第二型半導體層143e。絕緣層143h覆蓋第一電極143a、第一型半導體層143b、發光區143d、第二型半導體層143e以及第二電極143g，且絕緣層143h可以暴露出部分的第一電極143a及部分的第二電極143g。
在本實施例中，第一型半導體層143b為N型(N-type)半導體層，且第二型半導體層143e為P型(P-type)半導體層，但本發明不限於此。N型(N-type)半導體層的材料例如是具有IVA族元素(如：矽)摻雜的N型氮化鎵(n-GaN)，P型半導體層的材料例如是具有IIA族元素(如：鎂)摻雜的P型氮化鎵(p-GaN)，但本發明不限於此。發光區143d例如具有多層量子井(Multiple Quantum Well；MQW)結構。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子阱層(quantum well)和多個量子阻障層(quantum barrier)。進一步來說，發光區143d的材料例如 是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵以及多層氮化鎵(InGaN/GaN)，藉由設計發光區中銦或鎵的比例，可使發光區發出不同的發光波長範圍。第一型半導體層143b、發光區143d及第二型半導體層143e例如可以有機金屬氣相沉積法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)形成。值得注意的是，關於上述的第一型半導體層143b、發光區143d或第二型半導體層143e的材質或形成方式僅為舉例，本發明並不以此為限。舉例來說，發光區143d也可以為第一型半導體層143b及第二型半導體層143e所構成的發光介面(light emitting interface)。換句話說，藉由調整發光區143d的材料、組成、結構或參雜濃度，可以使第二發光二極體140G具有對應的可發光顏色。
在本實施例中，連接線路124G可以覆蓋第二發光二極體141G，以藉由連接線路124G連接第二連接墊112G及第二發光二極體140G的一端，但本發明不限於此。
在本實施例中，連接線路123P可以覆蓋第二發光二極體141G，以藉由連接線路123P連接共用連接墊113P及第二發光二極體141G的另一端，但本發明不限於此。舉例而言，第二發光二極體141G可以藉由連接線路123P及連接線路123電性連接至共用連接墊113P。
在本實施例中，第二發光二極體141G與陣列基板110之間可以具有絕緣層143k。絕緣層143k可以是沉積(deposit)於第一型半導體層143b上的無機絕緣層；或是，絕緣層143k可以是 塗佈或黏貼於第一型半導體層143b上的有機絕緣層，但本發明不限於此。第二發光二極體140G可以藉由絕緣層143k以物理分離或電性絕緣於第三連接墊112B及第一連接墊112R。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖1F所繪示的狀態)，位於畫素區PU1內的第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓可以相似於位於畫素區PU1內的第一發光二極體140R、第二發光二極體141G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓。也就是說，在畫素區PU1的範圍內，在藉由第二發光二極體141G以修補、替換或取代第二發光二極體140G後，在視覺上的差異可以不會太明顯，而可以使顯示面板100具有較佳的顯示品質。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖1F所繪示的狀態)，位於畫素區PU1內的第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓內不具有其他的發光二極體，且/或位於畫素區PU1內的第一發光二極體140R、第二發光二極體141G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓內不具有其他的發光二極體。
<以修補畫素區PU2為例>
舉例來說，請參照圖1A、圖1F及圖1H，其中圖1F可以是至少對圖1A中的結構的部分畫素區PU2進行修補的部分上視示意圖，圖1H可以是圖1F中區域R2的放大上視示意圖，在本實施例中，在對配置於畫素區PU2中的第一發光二 極體140R進行測試步驟或檢測步驟之後，若第一發光二極體140R被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第一發光二極體141R。第一發光二極體141R的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第一發光二極體140R的顏色或亮度。第一發光二極體141R完全重疊第二連接墊112G及第三連接墊112B，且第一發光二極體140R不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第一連接墊112R。然後，可以使第一連接墊112R及第一發光二極體140R的一端電性連接，且可以使共用連接墊113P及第一發光二極體141R的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第一發光二極體140R的驅動方式，可以允許第一發光二極體141R可能可以被驅動而發光。
在本實施例中，第一發光二極體141R可以是類似於第二發光二極體141G的水平式發光二極體。差別在於：第一發光二極體141R的發光區的材料、組成、結構或參雜濃度不同於第二發光二極體141G的發光區的材料、組成、結構或參雜濃度。如此一來，可以使第一發光二極體141R可以具有不同於第二發光二極體141G的可發光顏色。
在本實施例中，連接線路124R可以覆蓋第一發光二極體141R，以藉由連接線路124R連接第一連接墊112R及第一發光二極體141R的一端，但本發明不限於此。
在本實施例中，連接線路123P可以覆蓋第一發光二極體141R，以藉由連接線路123P連接共用連接墊113P及第一發光二 極體141R的另一端，但本發明不限於此。舉例而言，第一發光二極體141R可以藉由連接線路123P及連接線路123電性連接至共用連接墊113P。
在本實施例中，第一發光二極體141R與陣列基板110之間可以具有絕緣層(未繪示，如：類似於第二發光二極體141G與陣列基板110之間的絕緣層143k)。第一發光二極體141R可以藉由前述的絕緣層以物理分離或電性絕緣於第二連接墊112G及第三連接墊112B。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖1F所繪示的狀態)，位於畫素區PU2內的第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓可以相似於位於畫素區PU2內的第一發光二極體141R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓。也就是說，在畫素區PU2的範圍內，在藉由第一發光二極體141R以修補、替換或取代第一發光二極體140R後，在視覺上的差異可以不會太明顯，而可以使顯示面板100具有較佳的顯示品質。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖1F所繪示的狀態)，位於畫素區PU2內的第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓內不具有其他的發光二極體，且/或位於畫素區PU2內的第一發光二極體141R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓內不具有其他的發光二極體。
<以修補畫素區PU3為例>
舉例來說，請參照圖1A、圖1F及圖1I，其中圖1F可以是至少對圖1A中的結構的部分畫素區PU3進行修補的部分上視示意圖，圖11可以是圖1F中區域R3的放大上視示意圖。
在本實施例中，在對配置於畫素區PU3中的第三發光二極體140B進行測試步驟或檢測步驟之後，若第三發光二極體140B被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第三發光二極體141B。第三發光二極體141B的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第三發光二極體140B的顏色或亮度。第三發光二極體141B完全重疊第一連接墊112R及第二連接墊112G，且第三發光二極體141B不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第三連接墊112B。然後，可以使第三連接墊112B及第三發光二極體141B的一端電性連接，且可以使共用連接墊113P及第三發光二極體141B的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第三發光二極體140B的驅動方式，可以允許第三發光二極體141B可能可以被驅動而發光。
在本實施例中，第三發光二極體141B可以是類似於第一發光二極體141R或第二發光二極體141G的水平式發光二極體。差別在於：第三發光二極體141B的發光區的材料、組成、結構或參雜濃度不同於第一發光二極體141R或第二發光二極體141G的發光區的材料、組成、結構或參雜濃度。如此一來，可以使第三發光二極體141B可以具有不同於第一發光二極體141R或第二發 光二極體141G的可發光顏色。
在本實施例中，連接線路124B可以覆蓋第三發光二極體141B，以藉由連接線路124B連接第三連接墊112B及第三發光二極體141B的一端，但本發明不限於此。
在本實施例中，連接線路123P可以覆蓋第三發光二極體141B，以藉由連接線路123P連接共用連接墊113P及第三發光二極體141B的另一端，但本發明不限於此。舉例而言，第三發光二極體141B可以藉由連接線路123P及連接線路123電性連接至共用連接墊113P。
在本實施例中，第三發光二極體141B與陣列基板110之間可以具有絕緣層(未繪示，如：類似於第二發光二極體141G與陣列基板110之間的絕緣層143k)。第三發光二極體141B可以藉由前述的絕緣層以物理分離或電性絕緣於第一連接墊112R及第二連接墊112G。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖1F所繪示的狀態)，位於畫素區PU3內的第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓可以相似於位於畫素區PU3內的第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體141B彼此相連所呈現的輪廓。也就是說，在畫素區PU3的範圍內，在藉由第三發光二極體141B以修補、替換或取代第三發光二極體140B後，在視覺上的差異可以不會太明顯，而可以使顯示面板100具有較佳的顯示品質。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖1F所繪示的狀態)，位於畫素區PU1內的第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓內不具有其他的發光二極體，且/或位於畫素區PU1內的第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體141B彼此相連所呈現的輪廓內不具有其他的發光二極體。
<以修補畫素區PU4為例>
舉例來說，請參照圖1A、圖1F、圖1J及圖1K，其中圖1F可以是至少對圖1A中的結構的部分畫素區PU4進行修補的部分上視示意圖，圖1J可以是對應於圖1F中區域R4的顯示面板的部分製造方法的部分上視示意圖，圖1K可以是圖1F中區域R4的放大上視示意圖。
在本實施例中，在對配置於陣列基板110上的第二發光二極體140G及第三發光二極體140B進行測試步驟或檢測步驟之後，若第二發光二極體140G及第三發光二極體140B被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第二發光二極體142G及另一第三發光二極體142B。第二發光二極體142G的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第二發光二極體140G的顏色或亮度。第三發光二極體142B的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第三發光二極體140B的顏色或亮度。第二發光二極體142G完全重疊第一連接墊112R，且第二發光二極體142G不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊) 於第二連接墊112G，且第二發光二極體142G完全不重疊於第三連接墊112B。第三發光二極體142B不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第三連接墊112B，且第三發光二極體142B完全不重疊於第二連接墊112G。然後，可以使第二連接墊112G及第二發光二極體142G的一端電性連接，可以使第三連接墊112B及第三發光二極體142B的一端電性連接，且可以使共用連接墊113P、第二發光二極體142G的另一端及第三發光二極體142B的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第二發光二極體140G的驅動方式，可以允許第二發光二極體142G可能可以被驅動而發光；且，藉由相同或相似於對第三發光二極體140B的驅動方式，可以允許第三發光二極體142B可能可以被驅動而發光。
請參照圖1J至圖1K。舉例而言，如圖1J所示，可以先在第二發光二極體142G及第三發光二極體142B上形成導電層143m。然後，可以藉由雷射切割技術(laser cutting technology)移除部分的導電層143m(標示於圖1J)，以形成如圖1K所示的連接線路125G及連接線路125B。連接線路125G及連接線路125B可以彼此物理分離或電性絕緣。連接線路125G可以覆蓋第二發光二極體142G，以藉由連接線路125G連接第二連接墊112G及第二發光二極體142G的一端。連接線路125B可以覆蓋第三發光二極體142B，以藉由連接線路125B連接第三連接墊112B及第三發光二極體142B的一端。
在本實施例中，連接線路123P可以覆蓋第二發光二極體 142G及第三發光二極體142B，以藉由連接線路123P連接共用連接墊113P、第二發光二極體142G的另一端及第三發光二極體142B的另一端，但本發明不限於此。舉例而言，第二發光二極體142G及第三發光二極體142B可以藉由連接線路123P及連接線路123電性連接至共用連接墊113P。
在本實施例中，第二發光二極體142G與陣列基板110之間可以具有絕緣層(未繪示，如：類似於第二發光二極體141G與陣列基板110之間的絕緣層143k)。第二發光二極體142G可以藉由前述的絕緣層以物理分離或電性絕緣於第一連接墊112R。
在本實施例中，於同一畫素區PU內，第一連接墊112R與第二連接墊112G之間的連線具有第一距離L1(標示於圖1B)，第二連接墊112G與第三連接墊112B之間的連線具有第二距離L2(標示於圖1B)，第三連接墊112B與第一連接墊112R之間的連線具有第三距離L3(標示於圖1B)，第一發光二極體140R與第二發光二極體140G之間的連線具有第一畫素間距P1(可以被視為第一子畫素SP1與第二子畫素SP2之間的距離；標示於圖1A)，第二發光二極體140G與第三發光二極體140B之間的連線具有第二畫素間距P2(可以被視為第二子畫素SP2與第三子畫素SP3之間的距離；標示於圖1A)，第三發光二極體140B與第一發光二極體140R之間的連線具有第三畫素間距P3(可以被視為第三子畫素SP3與第一子畫素SP1之間的距離；標示於圖1A)，且第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3小於第一畫素間距P1、第二畫 素間距P2及第三畫素間距P3。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以使第一發光二極體141R、第二發光二極體141G或第三發光二極體141B的至少其中之一較容易被配置。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以使第二發光二極體142G及第三發光二極體142B較容易被配置。
在本實施例中，第一連接墊112R與第二連接墊112G之間的連線具有第一方向D1，第二連接墊112G與第三連接墊112B之間的連線具有第二方向D2，第三連接墊112B與第一連接墊112R之間的連線具有第三方向D3，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B的最小尺寸處具有第一尺寸方向D4，且第一方向D1、第二方向D2及第三方向D3的其中之一基本上平行於第一尺寸方向D4。舉例而言，在俯視狀態下(如：圖1F所繪示的狀態)，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B的外觀輪廓基本上可以相同或相似於矩形(rectangle)，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的寬度處具有第一尺寸方向D4，且第三方向D3基本上平行於第一尺寸方向D4。在一實施例中，第一發光二極體141R、第二發光二極體141G或第三發光二極體141B的最小尺寸處具有第二尺寸方向D5，且第二尺寸方向D5基本上平行於第一尺寸方向D4。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以使第一發光二極體141R、第二發光二極體141G或第三發光二極體141B的至少其中之一的配置方向(replaced orientation) 相同或相似於第三發光二極體140B的配置方向，而可以使連接線路123P的佈線設計(layout design)上較為簡單。
在本實施例中，於一方向(如：第二尺寸方向D5)上，第一發光二極體141R、第二發光二極體141G或第三發光二極體141B的最大尺寸大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以在配置第一發光二極體141R、第二發光二極體141G或第三發光二極體141B的其中之一時，較容易完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中之一，且不完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中另一。
藉由上述的佈線設計(layout design)、配置方式或修補方式，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而可以使顯示面板100具有較佳的顯示品質。
圖2是依照本發明的第二實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖2省略繪示部分的膜層或構件。第二實施例的顯示面板200與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第二實施例的顯示面板200的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，第一連接墊112R與第二連接墊112G之間的連線具有第一方向D1’，第二連接墊112G與第三連接墊112B之間的連線具有第二方向D2’，第三連接墊112B與第一連接墊 112R之間的連線具有第三方向D3’，且第一方向D1’、第二方向D2’及第三方向D3’的其中之一基本上平行於第一尺寸方向D4。舉例而言，在俯視狀態下(如：類似於圖1F所繪示的狀態)，第二方向D2’基本上平行於第一尺寸方向D4。在一實施例中，第一發光二極體141R、第二發光二極體141G及第三發光二極體141B的最小尺寸處具有第二尺寸方向D5，且第二尺寸方向D5基本上平行於第一尺寸方向D4。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以使第一發光二極體141R、第二發光二極體141G或第三發光二極體141B的至少其中之一的配置方向(replaced orientation)相同或相似於第三發光二極體140B的配置方向，而可以使連接線路123P的佈線設計(layout design)上較為簡單。
藉由上述的佈線設計、配置方式或修補方式，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而可以使顯示面板200具有較佳的顯示品質。
圖3是依照本發明的第三實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖3省略繪示部分的膜層或構件。第三實施例的顯示面板300與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第三實施例的顯示面板300的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：類似於圖3所繪示的狀態)，部分的連接線路121可以位於第一連接墊112R、第二 連接墊112G及第三連接墊112B的其中兩者之間。以圖3為例，用於連接第二連接墊112G的連接線路121G可以位於第一連接墊112R及第三連接墊112B之間。
藉由上述的佈線設計、配置方式或修補方式，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而可以使顯示面板300具有較佳的顯示品質。
圖4A是依照本發明的第四實施例的一種顯示面板的部分製造方法的部分上視示意圖。圖4B至圖4D是依照本發明的第四實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖4A至圖4D省略繪示部分的膜層或構件。第四實施例的顯示面板400與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第四實施例的顯示面板400的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
請參照圖4A，在本實施例中，於陣列基板410的其中一個畫素區PU中可以包括第一連接墊112R、第二連接墊112G、第三連接墊112B、第一子畫素接墊111R、第二子畫素接墊111G、第三子畫素接墊111B以及至少一共用連接墊113。第一連接墊112R與第二連接墊112G之間的連線具有第一方向D6，第二連接墊112G與第三連接墊112B之間的連線具有第二方向D7，第三連接墊112B與第一連接墊112R之間的連線具有第三方向D8，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的最小尺寸處具有第一尺寸方向D4，且第一方向D6、第二方向 D7及第三方向D8的其中之一基本上垂直於第一尺寸方向D4。舉例而言，在俯視狀態下(如：圖4A所繪示的狀態)，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B的外觀輪廓基本上可以相同或相似於長方型，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的寬度處具有第一尺寸方向D4，且第三方向D8基本上垂直於第一尺寸方向D4。在一實施例中，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的最小尺寸處具有第二尺寸方向D5，且第二尺寸方向D5基本上平行於第一尺寸方向D4。
在本實施例中，在經由前述的測試步驟或檢測步驟之後，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而修補方式可以相同或相似於前述的修補方式，故不詳述。並且，對於本實施例的修補方式簡述並舉例如下。
<以修補第一發光二極體140R為例>
在本實施例中，在對配置於陣列基板110上的第一發光二極體140R進行測試步驟或檢測步驟之後，若第一發光二極體140R被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第一發光二極體141R。第一發光二極體141R的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第一發光二極體140R的顏色或亮度。第一發光二極體141R完全重疊第二連接墊112G及第三連接墊112B，且第一發光二極體141R不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第一連接墊112R。然後，可以使第一連 接墊112R及第一發光二極體141R的一端電性連接，且可以使共用連接墊113P及第一發光二極體141R的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第一發光二極體140R的驅動方式，可以允許第一發光二極體141R可能可以被驅動而發光。
<以修補第二發光二極體140G為例>
在本實施例中，在對配置於陣列基板110上的第二發光二極體140G進行測試步驟或檢測步驟之後，若第二發光二極體140G被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第二發光二極體141G。第二發光二極體141G的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第二發光二極體140G的顏色或亮度。第二發光二極體141G完全重疊第三連接墊112B及第一連接墊112R，且第二發光二極體141G不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第二連接墊112G。然後，可以使第二連接墊112G及第二發光二極體140G的一端電性連接，且可以使共用連接墊113P及第二發光二極體141G的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第二發光二極體140G的驅動方式，可以允許第二發光二極體141G可能可以被驅動而發光。
<以修補第三發光二極體140B為例>
在本實施例中，在對配置於陣列基板110上的第三發光二極體140B進行測試步驟或檢測步驟之後，若第三發光二極體140B被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第三發光二極體141B。第三發光二極體141B的可發光顏色或 亮度基本上可以相同或相似於原預期的第三發光二極體140B的顏色或亮度。第三發光二極體141B完全重疊第一連接墊112R及第二連接墊112G，且第三發光二極體141B不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第三連接墊112B。然後，可以使第三連接墊112B及第三發光二極體141B的一端電性連接，且可以使共用連接墊113P及第三發光二極體141B的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第三發光二極體140B的驅動方式，可以允許第三發光二極體141B可能可以被驅動而發光。
藉由上述的佈線設計、配置方式或修補方式，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而可以使顯示面板400具有較佳的顯示品質。
圖5A至圖5C是依照本發明的第五實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。圖5D是依照本發明的第五實施例的一種顯示面板的部分剖視示意圖。舉例來說，圖5D可以是圖5A中B-B’剖線上的剖視示意圖。為求清晰，圖5A至圖5D省略繪示部分的膜層或構件。第五實施例的顯示面板500與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第五實施例的顯示面板500的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，於陣列基板510的其中一畫素區PU中可以包括第一連接墊112R、第二連接墊112G、第三連接墊112B、第一子畫素接墊111R、第二子畫素接墊111G、第三子畫素接墊 111B以及至少一共用連接墊113。共用連接墊113可以包括共用連接墊513P。共用連接墊513P可以對應於第一連接墊112R、第二連接墊112G及第三連接墊112B配置。在俯視狀態下(如：圖5A所繪示的狀態)，共用連接墊113可以位於第一連接墊112R、第二連接墊112G及第三連接墊112B彼此相連所呈現的輪廓內。
在本實施例中，在經由前述的測試步驟或檢測步驟之後，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而修補方式可以相同或相似於前述的修補方式，故不詳述。並且，對於本實施例的修補方式簡述並舉例如下。
<以修補第一發光二極體140R為例>
在本實施例中，在對配置於陣列基板110上的第一發光二極體140R進行測試步驟或檢測步驟之後，若第一發光二極體140R被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第一發光二極體541R。第一發光二極體541R的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第一發光二極體140R的顏色或亮度。第一發光二極體541R完全重疊第二連接墊112G、第三連接墊112B及共用連接墊513P，且第一發光二極體541R不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第一連接墊112R。然後，可以使第一連接墊112R及第一發光二極體541R的一端電性連接，且可以使共用連接墊513P及第一發光二極體541R的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第一發光二極體140R的驅動方式，可以允許第一發光二極體541R可能可以被驅動而發 光。
在本實施例中，第一發光二極體541R可以是垂直式(vertical)發光二極體。舉例而言，第一發光二極體541R可以包括第一電極543a、第一型半導體層543b、發光區543d、第二型半導體層543e、第二電極543g以及絕緣層543h。發光區543d位於第一型半導體層543b以及第二型半導體層543e之間。第一型半導體層543b具有第一導線連接面543c。第二型半導體層543e具有第二導線連接面543f。第一型半導體層543b的第一導線連接面543c與第二型半導體層543e的第二導線連接面543f基本上面向相反的方向。第一電極543a位於第一型半導體層543b的第一導線連接面543c上且電性連接至第一型半導體層543b。第二電極543g位於第二型半導體層543e的第二導線連接面543f上且電性連接至第二型半導體層543e。絕緣層543h覆蓋第一電極543a、第一型半導體層543b、發光區543d、第二型半導體層543e以及第二電極543g，且絕緣層543h可以暴露出部分的第一電極543a及部分的第二電極543g。藉由調整發光區543d的材料、組成、結構或參雜濃度，可以使第一發光二極體541R具有對應的可發光顏色。
在本實施例中，連接線路124R可以覆蓋第一發光二極體541R，以藉由連接線路124R連接第一連接墊112R及第一發光二極體541R的一端，但本發明不限於此。
在本實施例中，連接線路523P可以位於第一發光二極體 541R與共用連接墊513P之間，以藉由連接線路523P連接共用連接墊513P及第一發光二極體541R的另一端。在一實施例中，連接線路523P的材質可以包括焊料。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：類似於圖1F所繪示的狀態)，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓可以相似於第一發光二極體541R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓。也就是說，在一畫素區PU的範圍內，在藉由第一發光二極體541R以修補、替換或取代第一發光二極體140R後，在視覺上的差異可以不會太明顯，而可以使顯示面板具有較佳的顯示品質。
<以修補第二發光二極體140G為例>
在本實施例中，在對配置於陣列基板110上的第二發光二極體140G進行測試步驟或檢測步驟之後，若第二發光二極體140G被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第二發光二極體541G。第二發光二極體541G的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第二發光二極體140G的顏色或亮度。第二發光二極體541G完全重疊第三連接墊112B、第一連接墊112R及共用連接墊513P，且第二發光二極體541G不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第二連接墊112G。然後，可以使第二連接墊112G及第二發光二極體541G的一端電性連接，且可以使共用連接墊513P及第二發光二極體541G的另一 端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第二發光二極體140G的驅動方式，可以允許第二發光二極體541G可能可以被驅動而發光。
在本實施例中，第二發光二極體541G可以是類似於第一發光二極體541R的垂直式發光二極體。差別在於：第二發光二極體541G的發光區的材料、組成、結構或參雜濃度不同於第一發光二極體541R的發光區的材料、組成、結構或參雜濃度。如此一來，可以使第二發光二極體541G可以具有不同於第一發光二極體541R的可發光顏色。
在本實施例中，連接線路124G可以覆蓋第二發光二極體541G，以藉由連接線路124R連接第二連接墊112G及第二發光二極體541G的一端，但本發明不限於此。
在本實施例中，連接線路(如：類似於連接線路523P的連接線路)可以位於第二發光二極體541G與共用連接墊513P之間，以藉由前述的連接線路連接共用連接墊513P及第二發光二極體541G的另一端。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：類似於圖1F所繪示的狀態)，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓可以相似於第一發光二極體140R、第二發光二極體541G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓。也就是說，在一畫素區PU的範圍內，在藉由第二發光二極體541G以修補、替換或取代第二發光二極體140G後， 在視覺上的差異可以不會太明顯，而可以使顯示面板具有較佳的顯示品質。
<以修補第三發光二極體140B為例>
在本實施例中，在對配置於陣列基板110上的第三發光二極體140B進行測試步驟或檢測步驟之後，若第三發光二極體140B被認為不具有預期的發光，則可以於陣列基板110上配置另一第三發光二極體541B。第三發光二極體541B的可發光顏色或亮度基本上可以相同或相似於原預期的第三發光二極體140B的顏色或亮度。第三發光二極體541B完全重疊第一連接墊112R、第二連接墊112G及共用連接墊513P，且第三發光二極體541B不完全重疊(如：部分重疊或完全不重疊)於第三連接墊112B。然後，可以使第三連接墊112B及第三發光二極體541B的一端電性連接，且可以使共用連接墊513P及第三發光二極體541B的另一端電性連接。如此一來，藉由相同或相似於對第三發光二極體140B的驅動方式，可以允許第三發光二極體541B可能可以被驅動而發光。
在本實施例中，第三發光二極體541B可以是類似於第一發光二極體541R或第二發光二極體541G的垂直式發光二極體。差別在於：第三發光二極體541B的發光區的材料、組成、結構或參雜濃度不同於第一發光二極體541R或第二發光二極體541G的發光區的材料、組成、結構或參雜濃度。如此一來，可以使第三發光二極體541B可以具有不同於第一發光二極體541R或第二發 光二極體541G的可發光顏色。
在本實施例中，連接線路124B可以覆蓋第三發光二極體541B，以藉由連接線路124B連接第三連接墊112B及第三發光二極體541B的一端，但本發明不限於此。
在本實施例中，連接線路(如：類似於連接線路523P的連接線路)可以位於第三發光二極體541B與共用連接墊513P之間，以藉由前述的連接線路連接共用連接墊513P及第三發光二極體541B的另一端。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：類似於圖1F所繪示的狀態)，第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體140B彼此相連所呈現的輪廓可以相似於第一發光二極體140R、第二發光二極體140G及第三發光二極體541B彼此相連所呈現的輪廓。也就是說，在一畫素區PU的範圍內，在藉由第三發光二極體541B以修補、替換或取代第三發光二極體140B後，在視覺上的差異可以不會太明顯，而可以使顯示面板500具有較佳的顯示品質。
藉由上述的佈線設計、配置方式或修補方式，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而可以使顯示面板500具有較佳的顯示品質。
圖6是依照本發明的第六實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖6省略繪示部分的膜層或構件。第六實施例的顯示面板600與第一實施例的顯示面板100類似。因此， 在第六實施例的顯示面板600的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖6所繪示的狀態)，發光二極體640的外觀輪廓基本上可以相同或相似於六角形(hexagonal)。並且，於一方向上640a，發光二極體640的一尺寸640b大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。也就是說，於方向上640a，發光二極體640的最大尺寸可以大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以在配置發光二極體640時，較容易完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中之一，且不完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中另一。
發光二極體640的配置方式可以相同或相似於前述的第一發光二極體141R或541R、第二發光二極體141G或541G或第三發光二極體141B或541B。舉例而言，發光二極體640可以完全重疊於第一連接墊112R及第三連接墊112B，且不完全重疊於第二連接墊112G。
圖7是依照本發明的第七實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖7省略繪示部分的膜層或構件。第七實施例的顯示面板700與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第七實施例的顯示面板700的說明或圖式中，相同或相似的標 號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖7所繪示的狀態)，發光二極體740的外觀輪廓基本上可以相同或相似於圓形(circle)、橢圓型(Oval)或其他具有弧狀(arc)的形狀。並且，於一方向上740a，發光二極體740的一尺寸740b大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。也就是說，於方向上740a，發光二極體740的最大尺寸可以大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以在配置發光二極體740時，較容易完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中之一，且不完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中另一。
發光二極體740的配置方式可以相同或相似於前述的第一發光二極體141R或541R、第二發光二極體141G或541G或第三發光二極體141B或541B。舉例而言，發光二極體740可以完全重疊於第一連接墊112R及第三連接墊112B，且不完全重疊於第二連接墊112G。
圖8是依照本發明的第八實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖8省略繪示部分的膜層或構件。第八實施例的顯示面板800與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第八實施例的顯示面板800的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於 此不再贅述。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖8所繪示的狀態)，發光二極體840的外觀輪廓基本上可以相同或相似於菱形(diamond)。並且，於一方向上840a，發光二極體840的一尺寸840b大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。也就是說，於方向上840a，發光二極體840的最大尺寸可以大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以在配置發光二極體840時，較容易完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中之一，且不完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中另一。
發光二極體840的配置方式可以相同或相似於前述的第一發光二極體141R或541R、第二發光二極體141G或541G或第三發光二極體141B或541B。舉例而言，發光二極體840可以完全重疊於第一連接墊112R及第三連接墊112B，且不完全重疊於第二連接墊112G。
圖9是依照本發明的第九實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖9省略繪示部分的膜層或構件。第九實施例的顯示面板900與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第九實施例的顯示面板900的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖9所繪示的狀態)，發光二極體940的外觀輪廓基本上可以相同或相似於十字形(Cross)。並且，於一方向上940a，發光二極體940的一尺寸940b大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。也就是說，於方向上940a，發光二極體940的最大尺寸可以大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以在配置發光二極體940時，較容易完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中之一，且不完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中另一。
發光二極體940的配置方式可以相同或相似於前述的第一發光二極體141R或541R、第二發光二極體141G或541G或第三發光二極體141B或541B。舉例而言，發光二極體940可以完全重疊於第一連接墊112R及第三連接墊112B，且不完全重疊於第二連接墊112G。
圖10是依照本發明的第十實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖10省略繪示部分的膜層或構件。第十實施例的顯示面板1000與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第十實施例的顯示面板1000的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖10所繪示的狀態)， 發光二極體1040的外觀輪廓基本上可以相同或相似於箭形(Arrow)。並且，於一方向上1040a，發光二極體1040的一尺寸1040b大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。也就是說，於方向上1040a，發光二極體1040的最大尺寸可以大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以在配置發光二極體1040時，較容易完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中之一，且不完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中另一。
發光二極體1040的配置方式可以相同或相似於前述的第一發光二極體141R或541R、第二發光二極體141G或541G或第三發光二極體141B或541B。舉例而言，發光二極體1040可以完全重疊於第一連接墊112R及第三連接墊112B，且不完全重疊於第二連接墊112G。
圖11是依照本發明的第十一實施例的一種顯示面板的部分上視示意圖。為求清晰，圖11省略繪示部分的膜層或構件。第十一實施例的顯示面板1100與第一實施例的顯示面板100類似。因此，在第十一實施例的顯示面板1100的說明或圖式中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對第一實施例中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，在俯視狀態下(如：圖11所繪示的狀態)，發光二極體1140的外觀輪廓基本上可以相同或相似於梯形 (Trapezoid)。並且，於一方向上1140a，發光二極體1140的一尺寸1140b大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。也就是說，於方向上1140a，發光二極體1140的最大尺寸可以大於第一距離L1、第二距離L2及第三距離L3。在一實施例中，藉由上述的配置方式，可以在配置發光二極體1140時，較容易完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中之一，且不完全重疊於第一連接墊112R、第二連接墊112G或第三連接墊112B的其中另一。
發光二極體1140的配置方式可以相同或相似於前述的第一發光二極體141R或541R、第二發光二極體141G或541G或第三發光二極體141B或541B。舉例而言，發光二極體1140可以完全重疊於第一連接墊112R及第三連接墊112B，且不完全重疊於第二連接墊112G。
前述實施例中，如未特別限定或說明，發光二極體(如：第一發光二極體140R、第二發光二極體140G或第三發光二極體140B的至少其中之一)之尺寸例如小於100微米，較佳地，小於50微米，但大於0微米。微型發光元件可例如是有機發光元件或無機發光元件，較佳地，可為無機發光元件，但不限於此。微型發光元件之結構可為P-N二極體、P-I-N二極體、或其它適宜的結構。微型發光元件之類型可以是垂直式微型發光元件、水平式微型發光元件或者是覆晶式微型發光元件。微型發光元件可為有機材料(例如：有機高分子發光材料、有機小分子發光材料、有機 配合物發光材料、或其它適宜的材料、或前述材料之組合)、無機材料(例如：鈣鈦礦材料、稀土離子發光材料、稀土螢光材料、半導體發光材料、或其它適宜的材料、或前述材料之組合)、或其它適宜的材料、或前述材料之組合。
前述實施例中，導電層可為單層或多層結構。而若為多層結構的導電層，則前述的多層結構之間可以不具有絕緣材質。
前述實施例中，絕緣層可為單層或多層結構。而若為多層結構的絕緣層，則前述的多層結構之間可以不具有導電材質。
前述實施例中，術語「第一」、「第二」和「第三」等可以用於描述不同的元素，但這些元素不應被這些術語限制。這些術語僅用於將元素彼此區分。
以圖1E、圖1F及1G為例，顯示面板100包括陣列基板110。陣列基板110具有第二連接墊112G(可被稱為：第一連接墊)、第三連接墊112B(可被稱為：第二連接墊)及第一連接墊112R(可被稱為：第三連接墊)。第二連接墊112G(可被稱為：第一連接墊)電性連接於第二驅動單元130G(可被稱為：第一驅動單元)。第三連接墊112B(可被稱為：第二連接墊)電性連接於第三驅動單元130B(可被稱為：第二驅動單元)。第一連接墊112R(可被稱為：第三連接墊)電性連接於第一驅動單元130R(可被稱為：第三驅動單元)。第二發光二極體141G(可被稱為：第一發光二極體)完全重疊且物理性絕緣(physically isolated from)於第三連接墊112B或第一連接墊112R(至少其中之一可被稱為： 第二連接墊)。第二發光二極體141G(可被稱為：第一發光二極體)不完全重疊且電性連接於第二連接墊112G(可被稱為：第一連接墊)。
以圖1E、圖1F及1H為例，顯示面板100包括陣列基板110。陣列基板110具有第一連接墊112R(可被稱為：第一連接墊)、第二連接墊112G(可被稱為：第二連接墊)及第三連接墊112B(可被稱為：第三連接墊)。第一連接墊112R(可被稱為：第一連接墊)電性連接於第一驅動單元130R(可被稱為：第一驅動單元)。第二連接墊112G(可被稱為：第二連接墊)電性連接於第二驅動單元130G(可被稱為：第二驅動單元)。第三連接墊112B(可被稱為：第三連接墊)電性連接於第三驅動單元130B(可被稱為：第三驅動單元)。第一發光二極體141R(可被稱為：第一發光二極體)完全重疊且物理性絕緣於第二連接墊112G或第三連接墊112B(至少其中之一可被稱為：第二連接墊)。第一發光二極體141R(可被稱為：第一發光二極體)不完全重疊且電性連接於第一連接墊112R(可被稱為：第一連接墊)。
以圖1E、圖1F及1I為例，顯示面板100包括陣列基板110。陣列基板110具有第三連接墊112B(可被稱為：第一連接墊)、第一連接墊112R(可被稱為：第二連接墊)及第二連接墊112G(可被稱為：第三連接墊)。第三連接墊112B(可被稱為：第一連接墊)電性連接於第三驅動單元130B(可被稱為：第一驅動單元)。第一連接墊112R(可被稱為：第二連接墊)電性連接於第 一驅動單元130R(可被稱為：第二驅動單元)。第二連接墊112G(可被稱為：第三連接墊)電性連接於第二驅動單元130G(可被稱為：第三驅動單元)。第三發光二極體141B(可被稱為：第一發光二極體)完全重疊且物理性絕緣於第一連接墊112R或第二連接墊112G(至少其中之一可被稱為：第二連接墊)。第三發光二極體141B(可被稱為：第一發光二極體)不完全重疊且電性連接於第三連接墊112B(可被稱為：第一連接墊)。
前述實施例中，「完全重疊」(completely overlap)的定義範圍如下：若物件X0完全重疊物件Y0，表示物件Y0的垂直投影Y1完全位於物件X0的垂直投影X1內或重合。
以圖1G為例，第一發光二極體140R完全重疊第二連接墊112G，表示第二連接墊112G於基板118a的表面上的垂直投影完全位於第一發光二極體140R於基板118a的表面上的垂直投影內或重合。以圖1G為例，第一發光二極體140R完全重疊第三連接墊112B，表示第三連接墊112B於基板118a的表面上的垂直投影完全位於第一發光二極體140R於基板118a的表面上的垂直投影內或重合。
前述實施例中，「部分重疊」(partially overlap)的定義範圍如下：若物件X0部分重疊物件Y0，表示物件Y0的部分垂直投影Y2完全位於物件X0的垂直投影X1內或重合，且物件Y0的部分垂直投影Y3完全位於物件X0的垂直投影X1外。
前述實施例中，「完全不重疊」(completely non-overlap) 的定義範圍如下：若物件X0完全不重疊物件Y0，表示物件Y0的垂直投影Y4完全位於物件X0的垂直投影X1外。
以圖1G為例，第一發光二極體140R完全不重疊第一連接墊112R，表示第一連接墊112R於基板118a的表面上的垂直投影完全位於第一發光二極體140R於基板118a的表面上的垂直投影外。
前述實施例中，「不完全重疊」(not completely overlap)的定義範圍即為不包含「完全重疊」的定義範圍的組合。也就是說，「不完全重疊」的定義範圍與「完全重疊」的定義範圍互斥。舉例來說，「不完全重疊」的定義範圍包括「部分重疊」的定義範圍及「完全不重疊」的定義範圍。
綜上所述，藉由上述的佈線設計、配置方式或修補方式，可以依據損壞、失效或效能低落的發光二極體進行修補，而可以使顯示面板具有較佳的顯示品質。
112R:第一連接墊 112G:第二連接墊 112B:第三連接墊 113P:共用連接墊 123、123P、124G:連接線路 141G:第二發光二極體 143a:第一電極 143g:第二電極 R1:區域

Claims (14)

  1. 一種顯示面板，包括：一陣列基板，包括一第一連接墊以及一第二連接墊；一第一子畫素，包括電性連接於該第一連接墊的第一驅動單元；一第二子畫素，包括電性連接於該第二連接墊的第二驅動單元；以及一第一發光二極體，完全重疊且物理性絕緣於該第二連接墊，且不完全重疊且電性連接於該第一連接墊。
  2. 如請求項1所述的顯示面板，其中該陣列基板更包括一第三連接墊，且該顯示面板更包括：一第三子畫素，包括電性連接於該第三連接墊的第三驅動單元，其中該第一發光二極體完全重疊且物理性絕緣於該第三連接墊。
  3. 如請求項2所述的顯示面板，其中該第一連接墊、該第二連接墊及該第三連接墊兩兩之間的距離小於該第一子畫素、該第二子畫素及該該第三子畫素兩兩之間的距離。
  4. 如請求項2所述的顯示面板，其中於一方向上，該第一發光二極體的最大尺寸大於該第一連接墊、該第二連接墊及該第三連接墊兩兩之間的距離。
  5. 如請求項2所述的顯示面板，其中該第一連接墊、該第二連接墊及該第三連接墊於該陣列基板的垂直投影方向上之幾何圖形中心連接為一三角形。
  6. 如請求項1所述的顯示面板，更包括：一連接線路，覆蓋該第一發光二極體且電性連接於該第一發光二極體及該第一連接墊。
  7. 如請求項1所述的顯示面板，其中該陣列基板更包括一第三連接墊，且該顯示面板更包括：一第三子畫素，包括電性連接於該第三連接墊的第三驅動單元，其中該第一發光二極體完全不重疊且物理性絕緣於該第三連接墊；以及一第三發光二極體，完全不重疊且物理性絕緣於該第一連接墊，且不完全重疊且電性連接於該第三連接墊。
  8. 如請求項1所述的顯示面板，其中：該陣列基板更包括一共用連接墊；該第一發光二極體包括垂直式(Vertical type)發光二極體；且該垂直式發光二極體重疊且電性連接於該共用連接墊。
  9. 如請求項1所述的顯示面板，其中該陣列基板更包括一第四連接墊以及一第五連接墊，且該顯示面板更包括：一第四子畫素，包括電性連接於該第四連接墊的第四驅動單元；一第五子畫素，包括電性連接於該第五連接墊的第五驅動單 元；以及一第二發光二極體，完全重疊且物理性絕緣於該第五連接墊，且不完全重疊且電性連接於該第四連接墊，其中該第一發光二極體的發光顏色不同於該第二發光二極體的發光顏色。
  10. 一種顯示面板的製造方法，包括：提供一陣列基板，包括一第一連接墊以及一第二連接墊；配置一第一發光二極體於該陣列基板上，且使該第一發光二極體完全重疊該第一連接墊且不完全重疊於該第二連接墊；以及電性連接該第一發光二極體與該第二連接墊。
  11. 如請求項10所述的顯示面板的製造方法，更包括：於配置該第一發光二極體於該陣列基板上之前，對該陣列基板進行一測試步驟或檢測步驟。
  12. 如請求項10所述的顯示面板的製造方法，其中該陣列基板更包括一第三連接墊，且於配置該第一發光二極體於該陣列基板上的步驟中該第一發光二極體完全不重疊於該第三連接墊，該製造方法更包括：配置一第二發光二極體於該陣列基板上，且使該第二發光二極體不完全重疊於該第三連接墊；以及電性連接該第二發光二極體與該第三連接墊。
  13. 如請求項12所述的顯示面板的製造方法，其中電性連接該第一發光二極體與該第二連接墊的步驟及電性連接該第二發光二極體與該第三連接墊的步驟包括：形成電性連接於該第二發光二極體、該第二連接墊、該第三發光二極體及該第三連接墊的一導電層；以及分離該導電層，以形成彼此物理分離或電性絕緣的一第一連接線路及一第二連接線路，其中該第一發光二極體藉由該第一連接線路與該第二連接墊電性連接，且該第二發光二極體藉由該第二連接線路與該第三連接墊電性連接。
  14. 如請求項13所述的顯示面板的製造方法，其中分離該導電層的方法包括藉由雷射切割。
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