TWI735712B

TWI735712B - 分割裝置及分割方法

Info

Publication number: TWI735712B
Application number: TW106142562A
Authority: TW
Inventors: 植木篤; 服部篤; 川口吉洋
Original assignee: 日商迪思科股份有限公司
Priority date: 2017-01-12
Filing date: 2017-12-05
Publication date: 2021-08-11
Also published as: JP6846205B2; KR102327107B1; KR20180083267A; JP2018113350A; TW201828347A

Abstract

在利用簡易的裝置構成且不使冷卻效率降低的情形下，良好地分割晶圓並且去除膠帶的鬆弛。

一種分割裝置，是將透過黏晶薄膜膠帶(DAF膠帶)被環狀框架所支撐的晶圓，藉由DFA膠帶的擴張而以改質層為起點來分割晶圓，該分割裝置是形成為具備下述之構成：工作台，隔著DAF膠帶來保持晶圓；框架保持機構，保持晶圓之周圍的環狀框架；分割箱，收容工作台以及框架保持機構；冷氣供給機構，對分割箱內供給冷氣以設為冷氣氣體環境；升降機構，使工作台與框架保持機構相對地接近及遠離；及收縮機構，在冷氣氣體環境中藉由遠紅外線來使晶圓之周圍的已鬆弛的DAF膠帶熱收縮，以將晶片的間隔固定。

Description

分割裝置及分割方法

發明領域

本發明是有關於一種將晶圓分割成一個個的晶片的分割裝置及分割方法。

發明背景

以往，作為分割裝置，已知有一種將透過膠帶而被支撐在環狀框架上的晶圓，藉由擴張膠帶而沿著形成於晶圓的分割起點來分割的裝置(例如，參照專利文獻1、2)。在這些分割裝置中，是將晶圓保持於分割工作台上，並將環狀框架保持於環狀工作台上，且相對於環狀框架而將晶圓相對地上推。藉此，朝徑方向擴張膠帶，而從膠帶對晶圓的分割起點施加外力，以沿著分割起點將晶圓分割成一個個的晶片。

先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2016-004832號公報

專利文獻2：日本專利特開2007-027250號公報

發明概要

然而，即使在常溫氣體環境中將膠帶擴張，仍會有將晶圓留下而僅膠帶被拉伸，而未良好地分割晶圓的情況。於是，已有下述方法之方案被提出：在分割裝置中設置冷卻設備，以在冷氣氣體環境中將膠帶擴張來分割晶圓。又，雖然為了在晶圓的分割後將晶片的間隔固定，必須使因膠帶的擴張所產生之晶圓的周圍的膠帶之鬆弛熱收縮，但是考慮冷卻效率的降低，通常是與冷卻設備分開而在其他單元去除膠帶的鬆弛。但是，從冷卻設備搬送分割後的晶圓時，會有因晶片彼此的擦撞等而在晶片側面產生傷痕或缺陷的問題。

本發明是有鑒於所述問題點而作成的發明，其目的之一是提供一種分割裝置及分割方法，該分割裝置及分割方法能夠在利用簡易的裝置構成且不使冷卻效率降低的情形下，良好地分割晶圓並且去除膠帶的鬆弛。

本發明之一態樣的分割裝置，是使於膠帶上貼附已形成有分割起點的晶圓而一體化之工件組的該膠帶擴張，而以該分割起點為起點來分割晶圓，其中該膠帶是將環狀框架的開口堵塞來貼附，該分割裝置之特徵在於具備：框架保持機構，保持該環狀框架；工作台，具有保持面，該保持面是隔著該框架保持機構所保持的工件組之該膠帶來保持晶圓；分割室，收容該框架保持機構與該工作台；開閉機構，開閉該分割室的一部分而可對該分割室內進行工件組的搬入及搬出；冷氣供給機構，對該分割室內供給冷氣以將該分割室內設為冷氣氣體環境；升降機構，在該分割室內使該工作台與該框架保持機構在相對於該保持面正交的方向上相對地接近及遠離；及收縮機構，朝貼附在已在該分割室內擴張之該膠帶上的晶圓的外周與該環狀框架的內周之間的該膠帶照射遠紅外線而使其收縮，以將相鄰的晶片之間隔固定，在冷氣氣體環境的該分割室內，使該工作台與該框架保持機構相遠離而擴張該膠帶以分割晶圓，並使該保持面保持已擴張的該膠帶來使該工作台與該框架保持機構相接近，且對該晶圓的外周與該環狀框架的內周之間的已鬆弛的該膠帶照射遠紅外線來使其收縮，而將相鄰的晶片之間隔固定。

根據此構成，可在已將分割室內設為冷氣氣體環境的狀態下擴張膠帶，並以分割起點為起點來將晶圓分割成一個個的晶片。此時，由於將膠帶和晶圓一起冷卻，因此在晶圓的貼附位置上膠帶會變得難以伸長，使膠帶之擴張時的外力直接施加在晶圓上，而變得容易進行***。又，在晶圓的分割後，在分割室內可藉由遠紅外線的照射，對晶圓的周圍的膠帶之鬆弛進行熱收縮。由於是藉由遠紅外線來將膠帶部分地加熱，因此可以一邊抑制分割室內的溫度上升，一邊在冷卻氣體環境中良好地去除膠帶的鬆弛。又，由於是在分割室內實施晶圓的分割與膠帶的熱收縮，所以可在分割後的晶片之間隔為已固定的狀態下來進行搬送，因而可防止因晶片彼此的擦撞等所造成的品質降低。

本發明之一態樣的分割方法，是利用了上述之分割裝置的晶圓的分割方法，該分割方法具備：保持步驟，將該工件組搬入該分割室，且以該框架保持機構來保持工件組；冷卻步驟，對該分割室內供給冷氣來冷卻該工件組；分割步驟，在該冷卻步驟之後，使該工作台與該框架保持機構朝相遠離的方向動作，而使該膠帶擴張來分割晶圓；及收縮步驟，在該分割步驟之後，在該分割室內以該保持面保持該膠帶，並對晶圓的外周與環狀框架的內周之間的已鬆弛的該膠帶照射遠紅外線，使該膠帶收縮。

根據本發明，可在冷氣氣體環境中分割晶圓並且以遠紅外線來使膠帶之鬆弛熱收縮，藉此能夠利用簡易的裝置構成來抑制冷卻效率的降低，並且可以防止因分割後的晶圓之擦撞等所造成的品質降低。

1:分割裝置

10:分割箱

11:上箱

12:下箱

13、67:分割室

14:開閉機構

15、68:冷氣供給機構

20:工作台

21:支柱部

22:多孔板

23:保持面

24:開關閥

25:滾輪部

26:吸引源

30:框架保持機構

31:載置工作台

32:蓋板

33、34:開口

36、61:升降機構

37:汽缸桿

40、64:收縮機構

41:旋繞臂

42:照射部

43:上下動作部

44、65:旋轉馬達

50:控制機構

55:改質層(分割起點)

56:DAF(黏晶薄膜)

62:驅動部分

C:晶片

F:環狀框架

L:分割預定線

T:DAF膠帶

W:晶圓

WS:工件組

圖1是本實施形態之分割裝置的立體圖。

圖2是比較例之分割裝置的分割動作及熱收縮動作的說明圖。

圖3是由本實施形態之分割裝置進行的分割動作的說明圖。

圖4是變形例之分割裝置的側面示意圖。

用以實施發明之形態

以下，參照附加圖式，說明本實施形態的分割裝置。圖1是本實施形態之分割裝置的立體圖。再者，分割裝置並不限定於圖1所記載的構成，且可作適當變更。

如圖1所示，分割裝置1是構成為將透過黏晶薄膜(Dai Attach Film，DAF)膠帶T而被支撐於環狀框架F上的晶圓W，在冷氣氣體環境中藉由DAF膠帶T的擴張而分割成一個個的晶片C(參照圖3B)。又，分割裝置1是構成為藉由熱收縮(Heat Shrink)來去除在DAF膠帶T的擴張之解除時，在晶圓W的外周與環狀框架F的內周之間產生的DAF膠帶T之鬆弛。像這樣，僅使DAF膠帶T被拉伸並鬆弛的位置熱收縮，可維持晶片C的間隔，以使得晶圓W的分割後之晶片C彼此不相接觸而破損。

在晶圓W的表面設有格子狀的分割預定線L，在藉由分割預定線L所區劃出的各區域中形成有各種元件(未圖示)。再者，晶圓W也可以是在矽、砷化鎵等半導體基板上形成有IC，LSI等元件的半導體晶圓，也可以是在陶瓷、玻璃、藍寶石系的無機材料基板上形成有LED等光元件的光元件晶圓。晶圓W是貼附於已貼附在環狀框架 F的DAF膠帶T上，並將已使晶圓W、環狀框架F及DAF膠帶T一體化而成之工件組WS搬入分割裝置1。

工件組WS的環狀框架F是藉由具有熱收縮性的DAF膠帶T來將開口部堵塞，且在開口部的內側之DAF膠帶T上貼附有晶圓W。在晶圓W的內部，形成有改質層55(參照圖3A)來作為沿著分割預定線L的分割起點。再者，改質層55是指藉由雷射的照射而使得晶圓W內部的密度、折射率、機械性強度和其他物理特性變得與周圍不同的狀態，且導致強度比周圍更低的區域。改質層55可以是例如，熔融處理區域、裂痕(crack)區域、絕緣破壞區域、或折射率變化區域，也可以是混合了這些區域的區域。

又，在以下的說明中，雖然作為分割起點而以形成於晶圓W的內部之改質層55(參照圖3A)來例示說明，但並不限定於此構成。分割起點只要是能成為晶圓W的分割時之起點即可，以例如雷射加工溝、切削溝、或刻劃線(scribe line)來構成亦可。此外，DAF膠帶T只要是在表面積層有DAF56，而具有伸縮性並具有熱收縮性的膠帶即可，材質並沒有特別限定。DAF膠帶T的膠帶基材宜以例如容易因遠紅外線而收縮的PO(聚烯烴，Polyolefin)、PVC(聚氯乙烯，Polyvinyl Chloride)來形成。

在分割裝置1中設有由上箱11與下箱12構成的分割箱10，在分割箱10內形成有用於分割晶圓W的分割室13。上箱11與下箱12是透過開閉機構14相連結，可藉由以開閉機構14打開上箱11與下箱12，而形成為可進行工件組WS的搬入及搬出。開閉機構14是以汽缸所構成，且將上箱11連結於從設置於下箱12的汽缸突出之汽缸桿。在上箱11中設置有冷氣供給機構15，該冷氣供給機構15是對分割室13內供給冷氣，以將分割室13內形成為冷氣氣體環境。

在分割室13(下箱12)內配置有工作台20，該工作台20可隔著工件組WS的DAF膠帶T來吸引保持晶圓W，在工作台20的周圍配置有框架保持機構30，該框架保持機構30是用以保持工件組WS的環狀框架F。工作台20是由複數個支柱部21所支撐，且工作台20的上表面配置有多孔質的多孔板22。藉由此多孔質的多孔板22，而在工作台20的上表面形成有吸引保持晶圓W的保持面23。在保持面23上，是通過工作台20內的流路而連接於吸引源26(參照圖3A)，並藉由於保持面23產生之負壓來吸引保持晶圓W。

又，從保持面23連通到吸引源26的流路上設有開關閥24(參照圖3A)，並可藉由開關閥24來切換保持面23對晶圓W的吸引保持與吸引解除。在工作台20之外周邊緣，是涵蓋全周而將複數個滾輪部25可旋轉地設置。複數個滾輪部25，可在已將晶圓W保持在保持面23的狀態下，從下側對晶圓W的周圍之DAF膠帶T進行旋轉接觸。藉由複數個滾輪部25旋轉接觸於DAF膠帶T，可抑制在DAF膠帶T的擴張時在工作台20的外周邊緣產生的DAF膠帶T之摩擦。

框架保持機構30是形成以蓋板32從上方將載置工作台31上的環狀框架F夾入，以將環狀框架F保持於載置工作台31上。在載置工作台31及蓋板32的中央，各自形成有直徑比工作台20更大的圓形開口33、34。當已將蓋板32覆蓋於載置工作台31上時，是藉由蓋板32與載置工作台31來保持環狀框架F，並且將晶圓W與DAF膠帶T的一部分從載置工作台31及蓋板32的圓形開口33、34露出於外部。

框架保持機構30是在已將蓋板32覆蓋於載置工作台31上的環狀框架F上的狀態下，藉由例如未圖示之夾具部來將蓋板32固定於載置工作台31。框架保持機構30是被升降機構36所支撐，該升降機構36是在分割室13內使工作台20與框架保持機構30在相對於保持面23正交的方向上相對地遠離及接近。升降機構36是以4個電動汽缸所構成，該等4個電動汽缸是對載置工作台31的四個角落進行支撐。藉由控制升降機構36之汽缸桿37的突出量，可調節工作台20上的晶圓W與框架保持機構30的距離。

在分割室13(上箱11)內設有收縮機構40，該收縮機構40是用以使於DAF膠帶T產生之鬆弛收縮。收縮機構40是設置在晶圓W的中心軸上，且以包夾晶圓W之中心而相向的方式在旋繞臂41的兩端配置有一對照射部42。照射部42是構成為例如將遠紅外線進行點(spot)照射，且該遠紅外線是將難以被金屬材料吸收之3μm~25μm設為峰值波形的遠紅外線。藉此，可抑制裝置各部分的加熱，而將晶圓W的外周與環狀框架F的內周之間的DAF膠帶T之鬆弛部分地加熱來進行熱收縮。

又，在收縮機構40的旋繞臂41上設置有上下動作部43及旋轉馬達44，該上下動作部43是使一對照射部42上下移動，該旋轉馬達44是使一對照射部42以繞著晶圓W的中心軸的方式旋轉。上下動作部43是配合框架保持機構30的升降動作，來調整一對照射部42相對於DAF膠帶T之高度。旋轉馬達44是將一對照射部42旋繞，以涵蓋全周來將晶圓W的周圍之DAF膠帶T的鬆弛加熱。可藉由上下動作部43及旋轉馬達44，將一對照射部42相對於DAF膠帶T適當地定位，藉此可良好地加熱晶圓W之周圍的DAF膠帶T。

又，在分割裝置1中設有用以統合控制裝置各部的控制機構50。控制機構50是以執行各種處理的處理器及記憶體等所構成。記憶體是因應於用途而由ROM(唯讀記憶體，Read Only Memory)、RAM(隨機存取記憶體，Random Access Memory)等的一個或複數個儲存媒體所構成。可藉由控制機構50來相對移動工作台20與框架保持機構30，以控制DAF膠帶T的擴張動作，並且以收縮機構40的一對照射部42來去除DAF膠帶T的鬆弛，以控制DAF膠帶T的收縮動作。

在像這樣的分割裝置1中，是在分割室13內的冷氣氣體環境中，將框架保持機構30以已保持環狀框架F的狀態來進行下降，藉此將工作台20從蓋板32及載置工作台31的圓形開口33、34突出。藉由相對於框架保持機構30來將工作台20相對地上推，可朝徑方向擴張DAF膠帶T而將晶圓W分割成一個個的晶片C(參照圖3B)。又，當將框架保持機構30上升而解除DAF膠帶T的擴張時，會放鬆DAF膠帶T的張力。此時，可藉由來自照射部42的遠紅外線將DAF膠帶T加熱而進行熱收縮，以免晶圓W之周圍的DAF膠帶T鬆弛。

然而，如圖2A所示，若想要在常溫氣體環境中分割晶圓W時，在DAF膠帶T的擴張時會因DAF56伸長而無法良好地分割晶圓W。亦即，於DAF膠帶T的擴張時會留下晶圓W而將DAF56與膠帶基材一起拉伸，並無法對晶圓W傳達由DAF膠帶T的擴張所產生的外力。又，由於即使是DAF膠帶T以外的其他膠帶，也是將晶圓W貼附於膠帶基材上的黏著膠上，因此會留下晶圓W而僅將黏著膠與膠帶基材一起拉伸，因而未能良好地分割晶圓W。尤其在常溫氣體環境中，由於是將晶圓的外周與環狀框架的內周之間的DAF膠帶、或DAF膠帶以外的其他膠帶擴張，因此膠帶的擴張並未對晶圓的分割作出貢獻。

因此，可考慮的構成是：如圖2B所示，在冷氣氣體環境中抑制DAF56的伸長，以將晶圓W與DAF56一體地分割。藉由在冷氣氣體環境中的DAF膠帶T的擴張，而使DAF膠帶T在貼附有晶圓W的位置比未貼附有晶圓W的位置變得更難以延伸。藉此，在DAF膠帶T的擴張時，在貼附有晶圓W的位置上DAF56變得難以延伸，而可將晶圓W與DAF56一體地分割。同樣地在其他的膠帶中，由於也可藉由將膠帶的黏著膠冷卻來使得黏著膠不軟化，因此可藉由膠帶的擴張而良好地分割晶圓W。

但是，在冷氣氣體環境中，在DAF膠帶T的熱收縮時無法使用吹送熱風之類的一般的加熱器。因此，考慮到冷卻效率，通常是形成為在與製造冷氣氣體環境的冷卻設備分開獨立的區域中，設置使DAF膠帶T的鬆弛熱收縮的加熱設備。但是，由於是在還未將DAF膠帶T的鬆弛去除的情形下將晶圓W從冷卻設備搬送到加熱設備，因此會因DAF膠帶T的鬆弛而使得晶片C彼此擦撞，並在晶片C的側面產生傷痕或缺陷。又，有裝置構成變得複雜且裝置大型化的問題。

於是，在本實施形態中，是形成為：藉由在冷氣氣體環境中擴張DAF膠帶T來將晶圓W與DAF56一起分割，並進一步在相同的室內於晶圓W的分割後從照射部42將遠紅外線對DAF膠帶T的鬆弛進行點照射。由於遠紅外線本身不具有熱，也不會將空氣加溫，因此能夠不使室內的溫度上升而僅將DAF膠帶T的照射位置加熱。藉此，就可以在冷氣氣體環境中良好地分割晶圓W，並且一邊維持冷氣氣體環境一邊使DAF膠帶T的鬆弛熱收縮，且可以抑制冷卻效率的降低並且防止因分割後的晶圓W之擦撞等所造成的品質降低。

以下，參照圖3，說明由本實施形態的分割裝置所進行的分割動作。圖3是由本實施形態的分割裝置所進行的分割動作之說明圖。各自顯示的是，圖3A是保持步驟及冷卻步驟的一例，圖3B是分割步驟的一例，圖3C是膠帶收縮步驟的一例。

如圖3A所示，首先實施保持步驟。在保持步驟中，是將工件組WS搬入分割箱10的分割室13內，且隔著DAF膠帶T將晶圓W載置於工作台20上，並將晶圓W之周圍的環狀框架F保持於框架保持機構30。又，當將工件組WS搬入分割箱10時，是藉由開閉機構14來關閉分割箱10，且將分割室13氣密地密封成不讓外部空氣進入。此時，是將連通於工作台20的開關閥24關閉，而將從吸引源26對工作台20的吸引力遮斷。

接著，在保持步驟之後實施冷卻步驟。在冷卻步驟中，是從分割箱10的冷氣供給機構15之供給口對分割室13內供給冷氣，而將工件組WS曝露於分割室13內的冷氣中並冷卻。此時，由於分割箱10的壁面是藉由隔熱材等所形成，因此變得可良好地將分割室13內冷卻。藉此，可將晶圓W及DAF膠帶T硬化，而使DAF膠帶T在貼附有晶圓W的位置比未貼附有晶圓W的位置變得更難以延伸。亦即，在晶圓W的貼附位置上是將晶圓W與DAF56一體化。

如圖3B所示，在冷卻步驟之後實施分割步驟。在分割步驟中，是在冷氣氣體環境中將框架保持機構30下降，以使得工作台20與框架保持機構30相遠離。藉此，可朝放射方向擴張DAF膠帶T，而使外力作用在強度已降低的改質層55(參照圖3A)，並以改質層55為起點來將晶圓W與DAF56一起分割成一個個的晶片C。此時，由於藉由分割室13內的冷氣氣體環境，已將DAF56與晶圓W一體化，因此不會有伴隨著DAF膠帶T的擴張而將DAF56拉伸之情形，而可將DAF56與晶圓W一起分割。

如圖3C所示，在分割步驟之後實施收縮步驟。在收縮步驟中，當將晶圓W分割成一個個的晶片C時，會打開開關閥24以在工作台20上產生吸引力。可在已藉由工作台20並隔著DAF膠帶T吸引保持晶片C的狀態下，將框架保持機構30上升，而使工作台20與框架保持機構30相接近。因此，一方面在工作台20上，是以晶片C已間隔有間隔的狀態來吸引保持DAF膠帶T，另一方面，在晶圓W的外周與環狀框架F的內周之間，是將DAF膠帶T的張力放鬆而產生鬆弛。

此時，將收縮機構40定位於晶圓W的上方，藉由旋轉馬達44(參照圖1)來旋繞一對照射部42，以開始進行DAF膠帶T的鬆弛之熱收縮。可配合框架保持機構30的移動，藉由上下動作部43(參照圖1)來調整照射部42的高度，並且從一對照射部42來對晶圓W的外周與環狀框架F的內周之間的鬆弛的DAF膠帶T照射遠紅外線。由於只有晶圓W的周圍之DAF膠帶T被熱收縮，因此即使將工作台20的吸引保持解除，仍可將相鄰的晶片C之間隔以已維持的狀態來固定。

又，由於不會有因不具有熱的遠紅外線而對周圍的空氣加溫之情形，而是只將DAF膠帶T部分地加熱，因此變得可抑制分割室13內的溫度上升。像這樣，可在已將分割箱10內維持在冷氣氣體環境的狀態下，連續地實施晶圓W的分割與DAF膠帶T的熱收縮。據此，可以將裝置構成簡化，並且可以防止在晶圓W的分割後因晶片C的擦撞等所造成的品質降低。再者，雖然是形成為在冷卻步驟中對分割室13供給冷氣的構成，但亦可形成為在分割步驟或保持步驟中也對分割室13持續供給冷氣。藉此，可以更加確實地做到已相遠離的晶片之固定。

如以上，在本實施形態的分割裝置1中，可在已將分割室13內設為冷氣氣體環境的狀態下擴張DAF膠帶T，並以分割起點為起點將晶圓W分割成一個個的晶片C。此時，由於將DAF膠帶T與晶圓W一起冷卻，因此在晶圓的黏貼位置上DAF膠帶T變得難以伸長，使DAF膠帶T之擴張時的外力直接地施加在晶圓W上，而變得容易進行***。又，在晶圓W的分割後，在分割室13中可藉由遠紅外線的照射，將晶圓W之周圍的DAF膠帶T之鬆弛熱收縮。由於是藉由遠紅外線來將DAF膠帶T部分地加熱，因此可以抑制分割室13的溫度上升並且在冷卻氣體環境中良好地去除DAF膠帶T的鬆弛。又，由於是在分割室13中實施晶圓W的分割與DAF膠帶T的熱收縮，因此可在分割後的晶片C之間隔為已固定的狀態下來進行搬送，因而可防止因晶片C彼此的擦撞等所造成的品質降低。

再者，在本實施形態中，雖然是形成為在分割室內收容升降機構及收縮機構之構成，但並不限定於此構成。升降機構只要是可在分割室內讓框架保持機構與工作台相遠離及搬出的構成即可，亦可將升降機構的驅動部分設置於分割室的外部。又，收縮機構只要是可在分割室內對膠帶照射遠紅外線的構成即可，亦可將收縮機構的旋轉馬達設置在分割室的外部。如圖4所示，升降機構61的驅動部分62或收縮機構64的旋轉馬達65是設置在分割室67的外部，藉此不會有因驅動熱而將分割室67內加溫的情形，而可以將分割室67變小並縮短冷氣供給機構68所進行的冷卻時間。

又，在本實施形態中，雖然是形成為升降機構使框架保持機構相對於工作台升降的構成，但並不限定於此構成。升降機構只要是能使工作台與框架保持機構相對地接近及遠離的構成即可，亦可形成為例如使工作台相對於框架保持機構來升降的構成。又，升降機構並不限定於電動汽缸，亦可由其他致動器來構成。

又，在本實施形態中，雖然作為膠帶而以在膠帶基材上積層有DAF之DAF膠帶來例示並說明，但並不限定於此構成。膠帶只要是在會進行熱收縮的膠帶基材上形成有黏著層的膠帶即可。

又，在本實施形態中，雖然是形成為以上箱及下箱來形成分割室的構成，但並不限定於此構成。分割室只要是可收容框架保持機構與工作台即可，無論以何種形式形成皆可。

又，在本實施形態中，雖然是形成為開閉機構為汽缸的構成，但並不限定於此構成。開閉機構只要是可將分割室的一部分開閉而可做到對分割室內進行工件組的搬入及搬出的構成即可。

又，在本實施形態中，雖然是形成為在分割箱的上部設置冷氣供給機構的構成，但並不限定於此構成。冷氣供給機構只要是能對分割室內供給冷氣，以將分割室內設為冷氣氣體環境的構成即可，相對於分割箱的設置位置或分割室內的冷卻方法並沒有特別限定。

又，雖然已說明本發明的實施形態，但作為本發明的其他實施形態，亦可為將上述實施形態及變形例整體地或者部分地組合而成之形態。

又，本發明之實施形態並不限定於上述之實施形態及變形例，且亦可在不脫離本發明之技術思想的主旨的範圍內進行各種變更、置換、變形。此外，若能經由技術之進步或衍生之其他技術而以其他的方式來實現本發明之技術思想的話，亦可使用該方法來實施。從而，申請專利範圍涵蓋了可包含在本發明之技術思想範圍內的所有的實施形態。

又，在本實施形態中，雖然是針對適用於分割裝置的構成來說明本發明，但是亦可為適用於適當地擴張膠帶的其他擴張裝置。

產業上之可利用性

如以上說明，本發明具有可以在利用簡易的裝置構成且不使冷卻效率降低的情形下，良好地分割晶圓並且去除膠帶的鬆弛之效果，尤是在將已貼附於DAF膠帶的晶圓分割之分割裝置及分割方法上特別有用。