TWI734438B

TWI734438B - 熱控系統、熱控方法與溫度校正裝置

Info

Publication number: TWI734438B
Application number: TW109111888A
Authority: TW
Inventors: 方育麟; 李浚榮; 陳亭彣
Original assignee: 台達電子工業股份有限公司
Priority date: 2020-04-09
Filing date: 2020-04-09
Publication date: 2021-07-21
Also published as: TW202138810A

Abstract

一種熱控系統，包括一溫度校正裝置與一熱控裝置。溫度校正裝置包括多個電阻器。熱控裝置用以量測多個電阻器以取得對應的多個量測電阻值，並且依據多個量測電阻值與多個電阻器的多個電阻值產生多個電阻校正參數。熱控裝置更用以依據該多個電阻校正參數調整熱控裝置中的多個第一位置所對應的多個第一量測溫度值，以取得多個第一位置所對應的多個第一溫度值。此外，亦揭露一種熱控方法與一種溫度校正裝置。

Description

熱控系統、熱控方法與溫度校正裝置

本發明是關於一種熱控系統，特別是有關於一種熱控系統中的溫度校正裝置。

隨著科技進步，交通工具的便利加速了傳染性疾病的傳播速率。如SARS、禽流感、登革熱等疾病的傳染，是現今全球所需面對的挑戰。如何建構有效的防治策略，快速地進行疑似病例的檢測與確認，進行早期隔離或確認治療的方式，是現在檢測醫學所努力的目標。因此真對傳染性疾病的「即時就地檢測手段」的研發，是一個相當重要的議題。

目前多使用快篩免疫學，雖然能在30分鐘內進行初步篩檢，但僅適合檢測高濃度抗原檢體，且僅適用於少數傳染性疾病，因此有其限制性。若採以分子檢測方法，相對來說能夠提供高準確度的檢測分析，但就目前技術上，由於需要多種大型昂貴機台才能操作，而且需要專業人員操作複雜程序，故此種技術僅能在少部分大型的研發中心與臨床分析實驗室才能夠進行檢測。再者，目前的校正技術需要透過電腦校正軟體同時連結機台與外部校正裝置傳輸校正數據，進行校正工作時的設置複雜且操作繁瑣。因此，要如何發展能夠克服上述問題之相關技術為本領域重要之課題。

本發明的一實施例揭露一種熱控系統，包括一溫度校正裝置與一熱控裝置。溫度校正裝置包括多個電阻器。熱控裝置用以量測多個電阻器以取得對應的多個量測電阻值，並且依據多個量測電阻值與多個電阻器的多個電阻值產生多個電阻校正參數。熱控裝置更用以依據多個電阻校正參數調整熱控裝置中的多個第一位置所對應的多個第一量測溫度值，以取得多個第一位置所對應的多個第一溫度值。

本發明的另一實施例揭露一種熱控方法，包括以下操作。藉由多個溫度感測器量測一熱控裝置中的多個位置，以取得多個量測溫度值。基於一溫度校正裝置中的多個電阻器對應的多個電阻值與藉由熱控裝置量測多個電阻器所得之多個量測電阻值取得多個電阻校正參數。對多個電阻校正參數以及多個量測溫度值進行運算，以取得多個位置對應的多個溫度值。

本發明的又另一實施例揭露一種溫度校正裝置，應用於一熱控裝置，溫度校正裝置包括多個第一溫度感測器與多個電阻器。多個第一溫度感測器用以量測熱控裝置中多個第一位置以取得多個第一量測溫度值。多個電阻器具有多個電阻值與由熱控裝置量測多個電阻器而得之多個量測電阻值。其中熱控裝置用以依據多個電阻值與多個量測電阻值產生多個電阻校正參數，並且依據多個電阻校正參數調整多個第一量測溫度值，以取得熱控裝置中多個第一位置對應的多個第一溫度值。

於本文中，除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。此外，雖然本文中使用「第一」、「第二」、…等用語描述不同元件，該用語僅是用以區別以相同技術用語描述的元件或操作。除非上下文清楚指明，否則該用語並非特別指稱或暗示次序或順位，亦非用以限定本發明。

以下將以圖式揭露本案之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本案。也就是說，在本揭示內容部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。

第1圖為根據本案之一實施例所繪示之分析儀器的功能方塊圖。如第1圖所示，分析儀器10包括熱控系統100，熱控系統100包括溫度校正裝置110與熱控裝置120。在一些實施例中，分析儀器10可為核酸檢測儀或全自動核酸分析儀或其他分析儀器。在一些實施例中，熱控系統100不限於應用於分析儀器10，熱控系統100也可以應用於其他需要控制溫度的任何種類的儀器。

溫度校正裝置110包括電阻器組112與溫度感測器組114。在一些實施例中，溫度感測器組114用以量測熱控裝置120中的多個位置以取得對應的多個量測溫度值。在一些實施例中，熱控裝置120藉由量測溫度感測器組114中的多個熱敏電阻器以取得對應的多個量測電阻值，並且對該多個熱敏電阻器的該多個量測電阻值進行運算以取得該多個量測溫度值。

在一般的作法中，前述熱控裝置120量測溫度感測器組114、電阻器組112或其他電阻器時所得之量測電阻值不一定準確。舉例來說，上述量測熱敏電阻器所得之量測電阻值可能大於或小於該熱敏電阻器實際的電阻值。

相較於上述的作法，本發明實施例依據多個電阻校正參數調整多個量測電阻值以取得對應的多個電阻值，然後再對多個電阻值進行運算以取得多個溫度值。換言之，在一些實施例中，本發明實施例對多個電阻校正參數與多個量測溫度值進行運算，以取得實際的多個溫度值，具體方式將參照第2圖所示實施例進行以下說明。

在一些實施例中，電阻器組112的多個電阻值為已知資訊，舉例來說可以透過購買電阻器組112時廠商提供的資訊而得知，也可以透過其他準確的三用電表量測電阻器組112而得知。在一些實施例中，熱控裝置120用以量測電阻器組112以取得多個量測電阻值，並且依據多個量測電阻值與電阻器組112的多個電阻值產生多個電阻校正參數。在一些實施例中，多個電阻校正參數可以包括多個電阻值與多個量測電阻值的差值，也可以包括其他能夠表述多個電阻值與多個量測電阻值之間關係的參數。在一些實施例中，電阻器組112可以包含多個高精密電阻器或其他類型的電阻器。

在一些實施例中，電阻值與溫度值可以互相換算，只要知道其中一者便可透過兩者間的數學關係計算得出另一者。在一些實施例中，多個量測溫度值是換算自多個量測電阻值，而實際的多個溫度值是換算自實際的多個電阻值，其中多個電阻值可能不同於多個量測電阻值，因此多個溫度值可能不同於多個量測溫度值。

第2圖為根據本案之一實施例所繪示之熱控系統的功能方塊圖。如第2圖所示，熱控系統100包括溫度校正裝置110與熱控裝置120，其中溫度校正裝置110與熱控裝置120的功能及相互操作關係如上所述，故於此不再贅述。在一些實施例中，如第2圖所示，熱控裝置120包括加熱致冷單元210與控制單元220。加熱致冷單元210用以加熱或冷卻基板212上的多個位置。控制單元220用以控制加熱致冷單元210，使得基板212上的多個位置之溫度值到達使用者所欲之溫度值。控制單元220更用以量測多個位置之多個量測溫度值，並且依據多個量測溫度值產生實際的多個溫度值。

其次，如第2圖所示，在一些實施例中，控制單元220包括處理器222、控制器224與記憶體單元226。控制器224用以接收來自加熱致冷單元210與溫度校正裝置110的多個信號，並且傳輸控制信號至加熱致冷單元210，其中多個信號包含電阻組112的多個量測電阻值與基板212的多個量測溫度值。處理器222用以對多個信號以及記憶體單元226中的多個參數進行運算以取得多個溫度值。記憶體單元226用以儲存多個參數，並且提供多個參數至處理器222。

在一些實施例中，控制器224可以是一微控制器(microcontroller)，但本發明不限於此，控制器224也可以是其他有控制功能的電子元件。在一些實施例中，處理器222可以是一中央處理器(central processing unit)、一通用處理器(general-purpose processor)或一數位信號處理器(digital signal processor，DSP)，但本發明並不限於此。在一些實施例中，處理器222之功能可由控制器224執行。

在一些實施例中，控制器224包括類比數位轉換器224a。類比數位轉換器224a用以轉換前述多個信號，特別是將類比信號轉換為數位信號，以利處理器222進行運算之操作。

在一些實施例中，記憶體單元226包括揮發性記憶體226a及非揮發性記憶體226b。在一些實施例中，揮發性記憶體226a可以是靜態隨機存取記憶體(SRAM)或是動態隨機存取記憶體(DRAM)，但本發明並不限於此。在一些實施例中，非揮發性記憶體226b可以是唯讀記憶體(ROM)、電子可抹除式可程式化唯讀記憶體(EEPROM)、硬碟(hard disk)或固態硬碟(solid-state disk)，但本發明並不限於此。

在一些實施例中，加熱致冷單元210包括基板(heating base)212、多個加熱致冷器(thermoelectric cooling device，TEC device)T1~Tj以及溫度感測器組212a。在一些實施例中，溫度感測器組212a包含多個溫度感測器Z1~Zk，其中j與k皆為正整數。上述溫度感測器Z1~Zk用以量測基板212中多個位置Q1~Qk，以取得對應位置Q1~Qk之多個量測溫度值TQ1~TQk。舉例來說，溫度感測器Z1用以量測位置Q1以取得對應位置Q1之量測溫度值TQ1，溫度感測器Z2用以量測位置Q2以取得對應位置Q2之量測溫度值TQ2，以此類推，溫度感測器Zk用以量測位置Qk以取得對應位置Qk之量測溫度值TQk。

在一些實施例中，基板212亦可稱為加熱基板，可以是由易於導熱之材質所製成，例如金屬，但本發明並不限定於此。在一些實施例中，加熱致冷器T1~Tj依據來自控制器224之控制信號加熱或冷卻基板212。在一些實施例中，加熱致冷器T1~Tj可以是加熱致冷晶片(thermoelectric cooling IC)、也可以是利用傳統的電熱器及風扇所實現之加熱致冷裝置或者是其他具有調整溫度功能的裝置。

在一些實施例中，加熱致冷器的數量T1~Tj與位置Q1~Qk的數量相等，也就是j與k相等，加熱致冷器T1用以加熱位置Q1，加熱致冷器T2用以加熱位置Q2，以此類推，加熱致冷器Tj用以加熱位置Qj。

需說明的是，加熱致冷器T1~Tj的位置不一定要對應位置Q1~Qk。在本發明實施例中，加熱致冷器T1~Tj的位置與位置Q1~Qk的關係並不限於上述實施例。加熱致冷器T1~Tj的位置與位置Q1~Qk的其他關係亦在本案思及的範圍內。舉例來說，在一些實施例中，位置Q1與Q2可以共同被加熱致冷器T1加熱。在一些實施例中，加熱致冷器T1與T2可以共同加熱位置Q1。在一些實施例中，位置Q1~Qk都由同一個加熱致冷器T1加熱。

在一些實施例中，溫度校正裝置110包括電阻器組112與溫度感測器組114。在一些實施例中，電阻器組112包含多個電阻器R1~Rn。在一些實施例中，溫度感測器組114包含多個溫度感測器S1~Sm。其中n與m皆為正整數。

在一些實施例中，溫度感測器S1~Sm用以量測基板212中多個位置P1~Pm，以取得對應位置P1~Pm之多個量測溫度值TP1~TPm。舉例來說，溫度感測器S1用以量測位置P1以取得對應位置P1之量測溫度值TP1，溫度感測器S2用以量測位置P2以取得對應位置P2之量測溫度值TP2，以此類推，溫度感測器Sm用以量測位置Pm以取得對應位置Pm之量測溫度值TPm。

在一些實施例中，位置P1~Pm用以放置一些實驗物體，位置P1~Pm例如是各別試管的各別底部的位置，然而本發明並不限制於此。在一些實施例中，位置Q1~Qk用以被加熱致冷器T1~Tj加熱，並且將熱能傳導至位置P1~Pm。在一些實施例中，可以藉由一數學模型從位置Q1~Qk之溫度值計算而得出位置P1~Pm之溫度值。

需說明的是，如前所述，在本發明實施例中，加熱致冷器T1~Tj的位置與位置Q1~Qk的關係不限於本文所述之實施例。在本發明實施例中，電阻器R1~Rn的位置、加熱致冷器T1~Tj的位置、位置Q1~Qk與位置P1~Pm之間的關係亦不限於本文所述之實施例。電阻器R1~Rn的位置、加熱致冷器T1~Tj的位置、位置Q1~Qk與位置P1~Pm之間的其他關係亦在本案思及的範圍內。此外，在本發明實施例中，加熱致冷器T1~Tj的數量、位置Q1~Qk的數量、位置P1~Pm與電阻器R1~Rn的數量亦不限於本文所述之實施例。在不同的實施例中，m、n、j、k可以是相同的正整數也可以是不同的正整數。

在一些實施例中，非揮發性記憶體226b用以儲存電阻校正參數組b1、內部溫度校正參數組b2與外部溫度校正參數組b3。在一些實施例中，溫度感測器是藉由熱敏電阻的電阻值會隨溫度變化此一特性達成量測溫度之功能，因此熱控裝置120量測溫度感測器中熱敏電阻以取得對應的量測電阻值，並且換算該量測電阻值以取得量測溫度值。在一些實施例中，外部溫度校正參數組b3用以表述溫度感測器S1~Sm中熱敏電阻的量測電阻值與其量測溫度值TP1~TPm的對應關係。換而言之，依據溫度感測器S1~Sm中熱敏電阻的量測電阻值與外部溫度校正參數組b3進行運算便可以得到量測溫度值TP1~TPm，而依據量測溫度值TP1~TPm與外部溫度校正參數組b3進行運算也可以得到熱控裝置120量測溫度感測器S1~Sm中熱敏電阻所得之量測電阻值。類似的，在一些實施例中，內部溫度校正參數組b2表述溫度感測器Z1~Zk中熱敏電阻的量測電阻值與對應的位置Q1~Qk之量測溫度值TQ1~TQk的對應關係。在一些實施例中，上述換算與運算之操作由處理器222執行。

在一般的作法中，熱控裝置120量測溫度感測器中熱敏電阻而取得的量測電阻值可能不準確，使得對應的量測溫度值不準確。相較於上述的作法，本發明實施例藉由電阻校正參數組b1調整量測電阻值，也就是調整對應的量測溫度值，以取得正確的溫度值。在一些實施例中，溫度感測器可以是溫度感測器Z1~Zk，也可以是溫度感測器S1~Sm。

在一些實施例中，電阻器R1~Rn對應的多個電阻值為已知資訊，依據該多個電阻值與熱控裝置120量測電阻器R1~Rn所得之多個量測電阻值產生電阻校正參數組b1，對電阻校正參數組b1與量測溫度值進行運算可以取得實際的溫度值。在一些實施例中，上述運算之操作由處理器222執行。

舉例來說，在一些實施例中，電阻器R1之電阻值為10k歐姆(10千歐姆)，但熱控裝置120量測電阻器R1所取得之量測電阻值為12k歐姆，因此電阻校正參數組b1便儲存了當量測電阻值為12k歐姆時，對應實際的電阻值應為10k歐姆此一資訊，接著，熱控裝置120量測溫度感測器S1中的熱感電阻取得之量測電阻值為12k歐姆，藉由外部溫度校正參數組b3可以換算出當該量測電阻值為12k歐姆時，溫度感測器S1量測位置P1所得之對應的量測溫度值TP1為攝氏28度，但透過電阻校正參數組b1可以得知，當該量測電阻值為12k歐姆時，實際的電阻值為10k歐姆，所以透過外部溫度校正參數組b3換算出10k歐姆所對應的實際溫度值為攝氏25度，綜上所述可以得知位置P1的實際溫度值為攝氏25度而非攝氏28度。總結來說，在一些實施例中，藉由電阻校正參數組b1調整量測溫度值可以得到實際的溫度值。

在一些實施例中，處理器222用以存取記憶體226所儲存之電阻校正參數組b1，並接收溫度校正裝置110所傳送的多個量測溫度值TP1~TPm或TQ1~TQk，且對電阻校正參數組b1以及該多個量測溫度值TP1~TPm或TQ1~TQk進行運算，以產生多個溫度值。

在一些實施例中，熱控系統100包含溫度感測器Z1~Zk，而不包含溫度感測器S1~Sm。在一些實施例中，熱控系統100包含溫度感測器S1~Sm，而不包含溫度感測器Z1~Zk。在一些實施例中，熱控系統100既包含溫度感測器S1~Sm，也包含溫度感測器Z1~Zk。

在一些實施例中，控制單元220藉由一校正程序控制加熱致冷單元210，將基板上的一個或多個位置加熱或冷卻至多個目標溫度。在一些實施例中，上述一或多個位置可以是位置P1~Pm中的至少一位置，也可以是位置Q1~Qk中的至少一位置。表1的第一列呈現該多個目標溫度。表1的第二列呈現對應上述一或多個位置的溫度感測器所量測到的多個量測溫度值。表1的第三列呈現藉由電阻校正參數組b1調整多個量測溫度值所得出的多個溫度值。如表1所示，在一些實施例中，藉由電阻校正參數組b1調整所得出的溫度值比起量測溫度值更接近目標溫度值。

目標溫度值	95.0	50.0	58.0	60.0	42.0
量測溫度值	94.9	50.8	58.5	60.5	42.8
調整後之溫度值	94.9	49.9	57.9	59.9	41.9

表1

綜上所述，在一些實施例中，溫度校正裝置110可以協助熱控裝置120進行校正工作。在一些實施例中，溫度校正裝置110具有可以輕鬆攜帶之尺寸，因此可以提升維護熱控裝置120時的便利性。在一些實施例中，使用者僅須執行分析儀器10內建之自動化校正程序即可完成檢測與校正工作，因此可以提升熱控裝置120維護的簡易性。

第3圖為根據本案之一實施例所繪示之熱控方法的流程圖。在一些實施例中，第3圖所示之熱控方法可以應用於第2圖所示之熱控系統100。請參照第3圖與第2圖，在步驟S310，藉由多個溫度感測器量測熱控裝置120中的多個位置，以取得多個量測溫度值。在一些實施例中，前述多個溫度感測器可以是溫度感測器S1~Sm也可以是溫度感測器Z1~Zk。在一些實施例中，前述多個位置可以是位置P1~Pm也可以是位置Q1~Qk。在一些實施例中，前述多個量測溫度值可以是量測溫度值TP1~TPm也可以是量測溫度值TQ1~TQk。

在步驟S320，基於溫度校正裝置110中的多個電阻器R1~Rn對應的多個電阻值與藉由該熱控裝置120量測多個電阻器R1~Rn所得之多個量測電阻值取得多個電阻校正參數。在一些實施例中，電阻校正參數組b1包括前述多個電阻校正參數。

在步驟S330，對多個電阻校正參數以及多個量測溫度值進行運算，以取得多個位置對應的多個溫度值。

在一些實施例中，第3圖所示之熱控方法更包括藉由多個加熱致冷器T1~Tj加熱或冷卻多個位置Q1~Qk，藉由熱控裝置120中的多個溫度感測器Z1~Zk量測熱控裝置120中的多個位置Q1~Qk以取得多個量測溫度值TQ1~TQk。

在一些實施例中，第3圖所示之熱控方法更包括藉由溫度校正裝置110中的多個溫度感測器S1~Sm量測熱控裝置120中的多個位置P1~Pm以取得多個量測溫度值TP1~TPm。

綜上所述，本發明之實施例的熱控系統、熱控方法及溫度校正裝置，可以提升控制溫度時的精準度，並且提升維護熱控裝置時的便利性與簡易性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:分析儀器 100:熱控系統 110:溫度校正裝置 120:熱控裝置 112:電阻器組 114、212a:溫度感測器組 210:加熱致冷單元 220:控制單元 222:處理器 224:控制器 224a:類比數位轉換器 226:記憶體單元 226a:揮發性記憶體 226b:非揮發性記憶體 212:基板 Z1~Zk、S1~Sm:溫度感測器 Q1~Qk、P1~Pm:位置 TQ1~TQk、TP1~TPm:量測溫度值 T1~Tj:加熱致冷器 R1~Rn:電阻器 b1:電阻校正參數組 b2:內部溫度校正參數組 b3:外部溫度校正參數組 S310、S320、S330:步驟

第1圖為根據本案之一實施例所繪示之分析儀器的功能方塊圖。第2圖為根據本案之一實施例所繪示之熱控系統的功能方塊圖。第3圖為根據本案之一實施例所繪示之熱控方法的流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:熱控系統

110:溫度校正裝置

120:熱控裝置

112:電阻器組

114:溫度感測器組

210:加熱致冷單元

220:控制單元

222:處理器

224:控制器

224a:類比數位轉換器

226:記憶體單元

226a:揮發性記憶體

226b:非揮發性記憶體

212:基板

212a:溫度感測器組

Z1~Zk:溫度感測器

Q1~Qk:位置

T1~Tj:加熱致冷器

R1~Rn:電阻器

S1~Sm:溫度感測器

P1~Pm:位置

b1:電阻校正參數組

b2:內部溫度校正參數組

b3:外部溫度校正參數組

Claims

一種熱控系統，包括：一溫度校正裝置，包括多個電阻器；以及一熱控裝置，用以量測該多個電阻器以取得對應的多個量測電阻值，並且依據該多個量測電阻值與該多個電阻器的多個電阻值產生多個電阻校正參數；其中該熱控裝置更用以依據該多個電阻校正參數調整該熱控裝置中的多個第一位置所對應的多個第一量測溫度值，以取得該多個第一位置所對應的多個第一溫度值。
如請求項1所述之熱控系統，其中該溫度校正裝置用以量測該多個第一位置，以取得該多個第一量測溫度值。
如請求項2所述之熱控系統，其中該熱控裝置包括: 一記憶體，用以儲存該多個電阻校正參數；以及一處理器，用以存取該記憶體所儲存之該多個電阻校正參數，並接收該溫度校正裝置所傳送的該多個第一量測溫度值，且對該多個電阻校正參數以及該多個第一量測溫度值進行運算，以產生該多個第一溫度值。
如請求項1所述之熱控系統，其中該熱控裝置包括：多個加熱致冷器，用以加熱或冷卻該多個第一位置；以及多個第一溫度感測器，用以量測該多個第一位置以取得該多個第一量測溫度值。
如請求項4所述之熱控系統，其中該溫度校正裝置更包括：多個第二溫度感測器，用以量測該熱控裝置中的多個第二位置，以取得多個第二量測溫度值；其中該熱控裝置更用以依據該多個電阻校正參數調整該多個第二量測溫度值，以取得該多個第二位置所對應的多個第二溫度值。
一種熱控方法，包括：藉由多個溫度感測器量測一熱控裝置中的多個位置，以取得多個量測溫度值；基於一溫度校正裝置中的多個電阻器對應的多個電阻值與藉由該熱控裝置量測該多個電阻器所得之多個量測電阻值取得多個電阻校正參數；以及對該多個電阻校正參數以及該多個量測溫度值進行運算，以取得該多個位置對應的多個溫度值。
如請求項6所述之熱控方法，更包括：藉由多個加熱致冷器加熱或冷卻該多個位置；以及藉由該熱控裝置中的該多個溫度感測器量測該多個位置以取得該多個量測溫度值。
如請求項6所述之熱控方法，更包括：藉由該溫度校正裝置中的該多個溫度感測器量測該多個位置以取得該多個量測溫度值。
一種溫度校正裝置，應用於一熱控裝置，該溫度校正裝置包括：多個第一溫度感測器，用以量測該熱控裝置中多個第一位置以取得多個第一量測溫度值；以及多個電阻器，具有多個電阻值與由該熱控裝置量測該多個電阻器而得之多個量測電阻值；其中該熱控裝置用以依據該多個電阻值與該多個量測電阻值產生多個電阻校正參數，並且依據該多個電阻校正參數調整該多個第一量測溫度值，以取得該熱控裝置中該多個第一位置對應的多個第一溫度值。
如請求項9所述之溫度校正裝置，該熱控裝置包括：多個加熱致冷器，用以加熱或冷卻該熱控裝置中多個第二位置；以及多個第二溫度感測器，用以量測該多個第二位置以取得多個第二量測溫度值；其中該熱控裝置更用以對該多個第二量測溫度值與該多個電阻校正參數進行運算，以產生該多個第二位置對應的多個第二溫度值。