TWI733522B - 觸控面板及其製造方法 - Google Patents

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大陸商業成光電（深圳）有限公司
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Abstract

在此揭示一種觸控面板及其製造方法，該觸控面板包括至少一導線，該導線由至少一導線高阻抗部以及至少一導線低阻抗部所組成；其中，該導線高阻抗部之薄膜電阻大於該導線低阻抗部之薄膜電阻，藉此可避免觸控面板周邊線路遭受彎折破壞的情形。

Description

觸控面板及其製造方法
本發明係關於一種觸控面板，特別是一種可避免彎折破壞之觸控面板及其製造方法。
在觸控面板領域中，習用的投射電容式觸控面板主要包含設置於基材上之單層或雙層觸控電極，該觸控電極與人體手指或導電體之間因接觸而產生電容感應，進一步經過控制電路的運算後，獲取可供作業系統判讀的座標資料。進一步而言，投射電容式觸控面板通常包含觸控驅動(Tx)電極以及觸控感應(Rx)電極，兩者可分別設置在不同的基板上，亦可設置於同一基板的相對二表面上；而觸控驅動電極以及觸控感應電極皆與多條金屬導線(或稱引線)電性對應連接，並透過其金屬引線與控制電路相連。
隨著科技的進步，可彎折式以及窄邊框觸控面板的需求隨之提高；而因應需求所設置的金屬導線當具備可彎折的特性；然習用的產品時常在彎折處因訊號線斷開而導致彎折破壞(Bending failure)的情形，進而對觸控面板的運作產生負面影響。是故，習知的觸控面板有所缺失。
鑒於上述內容，本案之目的在於提供一種觸控面板，其具有良善的周邊線路設置，得以在具備可彎折特性的同時，亦能避免彎折破壞的情形。
本案發明人基於長期在觸控面板領域之經驗以及持續的測試，發現容易造成彎折破壞之原因之一為周邊的導線之銀緻密程度較高，而其阻抗較低，並發現銀引線阻抗與其彎折前後阻抗變化率之關聯。基於此等發現，本案發明人為本案發想許多不同的態樣以及實施方式。
本揭露之一態樣，係提供一種觸控面板。該觸控面板包括一感測單元以及一基板，該感測單元包括至少一導電網格層以及至少一導線，該導線與該導電網格層電性連接，且其中該導線由至少一導線高阻抗部以及至少一導線低阻抗部所組成，且該導線高阻抗部之薄膜電阻大於該導線低阻抗部以及該導電網格層之薄膜電阻；該基板用以令該感測單元設置於該基板之至少一表面上。
根據本揭露之一個或多個實施方式，該感測單元包括一第一導電網格層，其包括複數觸控感應電極；以及一第二導電網格層，其包括複數觸控驅動電極；而該導線係與該第一導電網格層或該第二導電網格層電性連接。
根據本揭露之一個或多個實施方式，該觸控面板定義有一顯示區以及一邊框區；該顯示區包括一疊構，該疊構包括該第一導電網格層、該第二導電網格層、至少一絕緣層、該基板之一顯示部以及一液晶顯示模組(LCM)；而該邊框區包括該基板之一周邊部。
根據本揭露之一個或多個實施方式，該周邊部與至少一該導線自該邊框區以相同方向延伸至該顯示區並包覆部分該液晶顯示模組；更進一步而言，該周邊部與至少一該導線自該邊框區以相同方向延伸至該顯示區並貼附於該顯示模組下方。
根據本揭露之一個或多個實施方式，該導線高阻抗部之薄膜電阻至少為該導線低阻抗部以及該導電網格層之薄膜電阻的1.1倍，較佳地為1.1~1.25倍；且進一步而言，該導線高阻抗部及該導線低阻抗部皆係由銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料之中不同的任二者所組成。
根據本揭露之一個或多個實施方式，該導線高阻抗部之薄膜電阻至少為該導線低阻抗部以及該導電網格層之薄膜電阻的1.1倍，較佳地為1.1~1.25倍；且進一步而言，該導線高阻抗部及該導線低阻抗部皆係由銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料之中的任一者所組成。
根據本揭露之一個或多個實施方式，該導線高阻抗部係由奈米銀線、銀粒子或導電高分子PEDOT:PSS所組成。
進一步而言，該導線高阻抗部定義有一第一側面以及其相對之一第二側面，該第一側面以及該第二側面之表面與該基板之表面的夾角皆不大於30度；較佳地，該第一側面以及該第二側面之表面與該基板之表面的夾角皆為20~30度。
本揭露之一態樣，係提供一種觸控面板之製造方法，包括一曝光製程，其特徵在於進一步包括下列步驟：以至少一第一光罩以及至少一第二光罩分別對應於一奈米銀材料之至少一低阻抗區以及至少一高阻抗區設置並曝光，並且其中該第一光罩之光穿透率大於該第二光罩之光穿透率；該步驟用以透過曝光製程中曝光程度之差異，造成該高阻抗區之銀緻密程度小於該低阻抗區之銀緻密程度；進一步而言，該第二光罩係多灰階製程光罩或半色調光罩。
本揭露之一態樣，係提供一種觸控面板之製造方法，包括一濺鍍鍍膜製程，其特徵在於進一步包括下列步驟：將至少一遮罩對應一銀靶材之至少一高阻抗區設置，以一具第一能量之電子束轟擊該銀靶材，接著將該遮罩對應該銀靶材之至少一低阻抗區設置，以一具第二能量之電子束轟擊，並且其中該第一能量小於該第二能量；該步驟用以透過濺鍍鍍膜製程中電子束之能量差異，造成該高阻抗區之銀緻密程度小於該低阻抗區之銀緻密程度。
以下揭露提供不同的實施例或示例，以建置所提供之標的物的不同特徵。以下敘述之成分以及排列方式的特定示例是為了簡化本公開，目的不在於構成限制；元件的尺寸和形狀亦不被揭露之範圍或數值所限制，但可以取決於元件之製程條件或所需的特性。例如，利用剖面圖描述本發明的技術特徵，這些剖面圖是理想化的實施例示意圖。因而，由於製造工藝和/公差而導致圖示之形狀不同是可以預見的，不應為此而限定。
再者，空間相對性用語，例如「下方」、「在…之下」、「低於」、「在…之上」以及「高於」等，是為了易於描述圖示中所繪示的元素或特徵之間的關係；此外，空間相對用語除了圖示中所描繪的方向，還包含元件在使用或操作時的不同方向。
第1圖係依據本揭露一實施方式之觸控面板所繪示，其係該觸控面板之立體外觀圖，第2圖則係沿第1圖之I-I線段之剖面結構示意圖；請先共同參閱第1-2圖，一觸控面板10定義有一顯示區11以及一邊框區12，該顯示區11為使用者主要的可觀看區域，該邊框區12圍繞該顯示區11，主要提供以令使用者握持，亦用以遮蔽該觸控面板10之周邊線路。以本實施例而言，該邊框區12外觀以弧面呈現，然而本案並不為此予以限定，邊框區可依據本揭露所屬領域之通常知識進行變更。
第3圖係依據本揭露另一實施方式之觸控面板所繪示，其係該觸控面板之剖面結構示意圖，請共同參閱第2以及第3圖，該顯示區11包括一第一覆蓋層111，而該邊框區12包括一第二覆蓋層121，該第二覆蓋層121圍繞該第一覆蓋層111，依據本揭露所屬領域之通常知識可理解，該第一覆蓋層111與該第二覆蓋層121係以一體成形製成，並且以玻璃製成以達到透光目的；然而以本揭露另一實施方式而言，該邊框區12包括一非透光蓋板122，該非透光蓋板122圍繞該第一覆蓋層111；其中該非透光蓋板122之形狀或施作細節並不為本案所限定，因此可依據本發明所屬領域之通常知識進行調變。
請參閱第2-3圖，該顯示區11又包括第一絕緣層112、一第二絕緣層113、一第一金屬網格層21、一第二金屬網格層22、一基板之顯示部20以及一液晶顯示模組114(LCM)；上述結構與該第一覆蓋層111以疊構形式結合並且可以理解該第一金屬網格層21以及該第二金屬網格層22分別設置於該顯示部20之二相對表面；更具體而言，該層疊由位於表面之第一覆蓋層111往遠離使用者之方向延伸，依序為：該第一絕緣層112、該第一金屬網格層21、該顯示部20、該第二金屬網格層22、該第二絕緣層113以及該液晶顯示模組114；然而此順序可在能達成相似目的的基礎上，依據本揭露所屬領域之通常知識進行調變。
請再參閱第2-3圖，該邊框區12包括一第二覆蓋層121、一基板之周邊部30、複數第一延伸導線31以及複數第二延伸導線32。必須注意的是，依據觸控面板領域之習用製程以及第2圖之繪示內容可理解，該第一絕緣層112較佳地，會由顯示區11延伸至邊框區12，並設置於該第二覆蓋層121以及該複數第一延伸導線31之間；此外，可由第2圖理解，該複數第一延伸導線31以及該複數第二延伸導線32貼附於該周邊部30之二相對表面，並且該複數第一延伸導線31、該複數第二延伸導線32以及該周邊部30可以相同方向彎折，並延伸至該顯示區並貼附液晶顯示模組114之底部表面，進一步達成窄邊框觸控面板之特性。
具體而言，該第一絕緣層112以及該第二絕緣層113皆可以為，但不限於光學透明膠(Optical Clear Adhesive，OCA)或液態光學透明膠(Liquid Optical Clear Adhesive，LOCA)等具有高透光率的不導電黏著膠。
具體而言，該基板之顯示部20以及該周邊部30皆可透光，並皆為可彎折的基板，其材質可以為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、環烯烴化合物(COP)或上述至少任二者以上之組合材質。
第4圖係依據本揭露一實施方式之觸控面板所繪示，係該觸控面板之部分立體示意圖；請參閱第4圖，該第一金屬網格層21設置於該顯示部20之一表面，而該第二金屬網格層22設置於該顯示部20相對之另一表面。該第一金屬網格層21設有複數第一觸控電極210，該複數第一觸控電極210沿第一方向D1排列成複數電極串，而該第二金屬網格層22設有複數第二觸控電極220，沿第二方向D2排列成複數電極串；該第一方向D1以及該第二方向D2不平行，較佳為正交。再者，以本實施方式而言，該複數第一觸控電極210分別為一觸控感應(Rx)電極，而該複數第二觸控電極220分別為一觸控驅動(Tx)電極，依據本揭露所屬領域之通常知識，上述二者可在能達成相似目的的基礎上調換實施；此外，該複數第一觸控電極210以及該複數第二觸控電極220以彼此隔離的矩形條狀排列設置，亦皆可以依照本揭露所屬領域之通常知識進行變更設置。
請繼續參閱第4圖，該複數第一延伸導線31設置於該周邊部30之一表面，而相對地該周邊部30之另一表面設有該複數第二延伸導線32。該複數第一延伸導線31分別以一端與該第一觸控電極210電性連接，以另一端延伸至一綁定區40，並與一控制電路41連接；而該複數第二延伸導線32分別以一端與該第二觸控電極220電性連接，另一端則延伸至該綁定區40並與該控制電路41連接。據此可以理解，該綁定區40設置有該控制電路41(較佳為一軟性電路板FPC)，而第一延伸導線31以及該第二延伸導線32共同綁定於該綁定區40。
請再參閱第4圖，該觸控面板10具有一第一彎折線42以及一第二彎折線43，在實際製程中可將該觸控面板10沿該第一彎折線42以及該第二彎折線43彎折，以獲得一可撓性觸控面板或是一窄邊框觸控面板之技術特徵。
具體而言，該第一金屬網格層21以及該第二金屬網格層22之導電材料皆可以為金屬或其氧化物，且較佳地，可為銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料。
具體而言，該第一延伸導線31以及該第二延伸導線32之導電材料皆可以為金屬或其氧化物，且較佳地，可為銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料；此外，該第一延伸導線31與該第一金屬網格層21可以為相同導電材料亦可以由不同導電材料製成；且該第二延伸導線32與該第二金屬網格層22可以為相同導電材料亦可以由不同導電材料製成。
實驗結果
本揭露包括一實驗(實驗1)，測試並比較彎折後因斷線造成彎折破壞(Bending failure)之導線樣本(樣本1)，以及彎折後未產生彎折破壞之導線(樣本2)，在此實驗中，該樣本1以及該樣本2之材料皆為銀；第5A以及5B圖分別為該樣本1以及該樣本2之剖面掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)圖。請共同參閱第5A以及5B圖，可理解該樣本1具備較該樣本2為高之緻密度；此外，第5A以及5B圖右下角皆標示有一比例尺，並皆表示為1微米(Micrometer, µm)。
本揭露包括另一實驗(實驗2)，其將彎折後因斷線造成彎折破壞之觸控感應延伸導線以及觸控驅動延伸導線樣本，與彎折後未產生彎折破壞之觸控感應延伸導線以及觸控驅動延伸導線樣本進行阻抗比較；在此註明，實驗2所指之觸控感應延伸導線以及觸控驅動延伸導線分別指定為與觸控感應電極電性連接以及與觸控驅動電極電性連接之導線，且其材料於實驗2中皆理解為銀。
實驗2之比較結果揭示於表1，其中所使用之阻抗單位係千歐(kΩ)。
Figure 02_image001
表1
請共同參閱第5A、5B以及表1之內容，可進一步理解並推知觸控面板之銀線的緻密程度影響其阻抗，而其阻抗進一步影響該導線經彎折後產生彎折破壞之特性。
基於實驗1以及實驗2之變因，在此進一步提供一實驗(實驗3)結果，實驗3測定觸控面板導線之薄膜電阻與其彎折前後阻抗變化率之關聯性，所採取之實驗方法為四點探針量測法。其結果以折線圖繪示於第6圖。請參閱第6圖，圖中縱軸參數顯示阻抗變化率(後/前)，而其橫軸參數顯示該引線之薄膜電阻(Sheet Resistance)，單位係Ω/sq(歐姆/平方)。依據第6圖所示結果可理解，當該導線之薄膜電阻在0.35-0.4Ω/sq之範圍內，其彎折前後阻抗變化率(後/前)即可控制在1-1.1之間；然而當該導線之薄膜電阻小於0.3Ω/sq，其彎折前後阻抗變化率(後/前)即大幅上升，進而造成斷線以及彎折破壞。
第7圖係沿第1圖之I-I線段所繪示的部分剖面細部結構示意圖，其中揭露之內容可理解為細部顯示第2圖之部分內容。請參閱第7圖，鑒於實驗1-3之結果與教示，該周邊部30定義有複數彎折部301以及複數非彎折部302，以本實施方式而言，包括二個彎折部301以及二個非彎折部302，其具體施作數量可依照本揭露所屬領域之通常知識以及彎折需求進行調變；第一延伸導線31定義有複數第一導線高阻抗部311以及複數第一導線低阻抗部312，以本實施方式而言，包括二個第一導線高阻抗部311以及二個第一導線低阻抗部312，其具體施作數量可依照本揭露所屬領域之通常知識以及彎折需求進行調變；第二延伸導線32定義有複數第二導線高阻抗部321以及複數第二導線低阻抗部322，以本實施方式而言，包括二個第二導線高阻抗部321以及二個第二導線低阻抗部322，其具體施作數量可依照本揭露所屬領域之通常知識以及彎折需求進行調變。必須特別注意的是，該複數第一導線高阻抗部311以及該複數第二導線高阻抗部321皆對應該複數彎折部301之形狀設置。
進一步而言，該第一導線高阻抗部311之薄膜電阻至少為該第一導線低阻抗部312薄膜電阻之1.1倍，較佳地可為1.1-1.25之倍數範圍；而該第二導線高阻抗部321之薄膜電阻至少為該第二導線低阻抗部322之1.1倍，較佳地亦可為1.1-1.25之倍數範圍。
以材料而言，該第一導線高阻抗部311與第一導線低阻抗部312之材料皆可為金屬或其氧化物，且較佳地，可為銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料；而該第一導線高阻抗部311可與該第一導線低阻抗部312以不同材料製成，亦可以相同材料製成；在一些實施例中，該第二導線高阻抗部321與第二導線低阻抗部322之材料皆可為金屬或其氧化物，且較佳地，可為銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料；而該第二導線高阻抗部321可與該第二導線低阻抗部322以不同材料製成，亦可以相同材料製成。
具體而言，依據不同的實施方示，該第一導線高阻抗部311以及該第二導線高阻抗部322可由奈米銀線、銀粒子或導電高分子PEDOT:PSS所組成。
依據不同實施方式之內容，該複數第一延伸導線31以及該複數第二延伸導線32皆為複數條銀線。並且，該第一導線高阻抗部311之銀緻密程度不超過該第一導線低阻抗部312之銀金屬密度的0.9倍；而該第二導線高阻抗部321之銀金屬密度不超過該第二導線低阻抗部322之銀緻密程度的0.9倍。
第8A圖係習用觸控面板引線之剖面示意圖，而8B圖係依據本揭露一實施方式之一觸控面板所呈現，其為一導線高阻抗部之剖面示意圖。該導線高阻抗部定義有一第一側面51以及一第二側面52，並且底面貼附於一基板之表面(未標示於圖示中) ；具體而言，可由第8A圖理解該習用觸控面板引線之側面與底面之夾角大於30度，更具體來說其夾角為90度；而依據本案之實施方式，該第一側面51與底面之夾角，以及該第二側面52與底面之夾角皆不超過30度，較佳地約為26度。
製造方法
為了調控導線高阻抗部以及導線低阻抗部不同的薄膜電阻，本說明提供數種可據以實施的觸控面板製造方法。
在此提供一可據以實施的曝光製程，其特徵在於進一步包括下列步驟：以至少一第一光罩以及至少一第二光罩分別對應於一奈米銀材料之至少一低阻抗區以及至少一高阻抗區設置並曝光，並且其中該第一光罩之光穿透率大於該第二光罩之光穿透率；該步驟用以透過曝光製程中曝光程度之差異，造成該高阻抗區之銀緻密度小於該低阻抗區之銀緻密度；藉此，該奈米銀材料之高阻抗區的薄膜電阻即大於該低阻抗區的薄膜電阻，達到本案所請之技術特徵。
具體而言，該奈米銀可採多元醇合成法製備，其中高分子的添加比例、反應溫度或是前驅物的晶種濃度可依照本案所屬領域之通常知識以及需求進行調變，且不為本案實施方式所限。
具體而言，該第二光罩可採習用低穿透率之光罩，例如多灰階製程光罩(Gray Tone Mask)或半色調光罩(Half Tone Mask)；然而實際施作方式，本揭露所屬領域之技術者可基於相同目的與結果而依通常知識變更。
在此另提供一可據以實施的濺鍍鍍膜製程，其特徵在於進一步包括下列步驟：將至少一遮罩對應一銀靶材之至少一高阻抗區設置，以一具第一能量之電子束轟擊該銀靶材，接著將至少一該遮罩對應該銀靶材之至少一低阻抗區設置，以一具第二能量之電子束轟擊，並且其中該第一能量小於該第二能量；該步驟用以透過濺鍍鍍膜製程中電子束之能量差異，造成該高阻抗區之銀緻密度小於該低阻抗區之銀緻密度。
具體而言，該第一能量小於該第二能量可理解為透過前者轟擊時使用低於後者的濺射功率，藉此令沉積的該高阻抗區之銀緻密度小於該低阻抗區之銀緻密度；此外，該製程中所使用之靶材的面尺寸、沉積時間以及沉積厚度等參數可依照本案所屬領域之通常知識以及需求進行調變，且不為本案實施方式所限。
在不同的實施方式中，亦可透過一種可據以實施的塗佈製程達成本案所請的技術特徵；該塗佈製程較佳地為一狹縫塗布製程，其特徵在於包括下列步驟：將至少一遮罩對應至少一導電高阻抗區設置，並將一銀粉材料塗佈於至少一導電低阻抗區；接著將至少一該遮罩對應至少一該導電低阻抗區設置，並將一銀複合材料塗佈於至少一該導電高阻抗區；其中該銀複合材料包括銀以及樹脂；該步驟用以透過塗佈材料的差異，造成該導電高阻抗區之薄膜電阻大於該導電低阻抗區之薄膜電阻。
具體而言，該樹脂可為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
以上實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施方式對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神和範圍。
10:觸控面板 11:顯示區 111:第一覆蓋層 112:第一絕緣層 113:第二絕緣層 114:液晶顯示模組 12:邊框區 121:第二覆蓋層 122:非透光蓋板 20:顯示部 21:第一金屬網格層 210:第一觸控電極 22:第二金屬網格層 220:第二觸控電極 30:周邊部 301:彎折部 302:非彎折部 31:第一延伸導線 311:第一導線高阻抗部 312:第一導線低阻抗部 321:第二導線高阻抗部 322:第二導線低阻抗部 40:綁定區 41:控制電路 42:第一彎折線 43:第二彎折線 51:第一側面 52:第二側面 D1:第一方向 D2:第二方向
為讓本發明的上述與其他目的、特徵、優點與實施例能更淺顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖係依據本揭露一實施方式之觸控面板所繪示的立體外觀圖； 第2圖係沿第1圖之I-I線段所繪示的剖面結構示意圖； 第3圖係依據本揭露一實施方式之觸控面板所繪示的剖面結構示意圖； 第4圖係依據本揭露一實施方式之觸控面板所繪示的部分立體示意圖； 第5A以及第5B圖分別係習用引線樣本以及本揭露一實施方式之觸控面板的引線樣本SEM圖； 第6圖係依據本揭露一實驗所繪示的薄膜電阻與阻抗變化率之比較折線圖； 第7圖係沿第1圖之I-I線段所繪示的部分剖面細部結構示意圖； 第8A圖係習用觸控面板引線之剖面示意圖，而8B圖係本揭露一實施方式之一觸控面板引線的剖面示意圖。
根據慣常的作業方式，圖中各種特徵與元件並未依實際比例繪製，其繪製方式是為了以最佳的方式呈現與本發明相關的具體特徵與元件。此外，在不同圖式間，以相同或相似的元件符號指稱相似的元件及部件。
111:第一覆蓋層
112:第一絕緣層
113:第二絕緣層
114:液晶顯示模組
121:第二覆蓋層
20:顯示部
21:第一金屬網格層
22:第二金屬網格層
301:彎折部
302:非彎折部
311:第一導線高阻抗部
312:第一導線低阻抗部
321:第二導線高阻抗部
322:第二導線低阻抗部

Claims (14)

  1. 一種觸控面板，包括：一感測單元，其包括至少一導電網格層以及至少一導線，該導線與該導電網格層電性連接，且其中該導線由至少一導線高阻抗部以及至少一導線低阻抗部所組成，該導線高阻抗部之薄膜電阻大於該導線低阻抗部以及該導電網格層之薄膜電阻；以及一基板，用以令該感測單元設置於該基板之至少一表面上；其中該觸控面板定義有一顯示區以及一邊框區，該顯示區為使用者主要的可觀看區域，該邊框區圍繞該顯示區，而該邊框區包括該基板之一周邊部，該周邊部與至少一該導線自該邊框區以相同方向延伸至該顯示區的底部，該周邊部定義有複數彎折部以及複數非彎折部，各該導線高阻抗部皆對應各該彎折部之形狀設置。
  2. 如請求項1所述之觸控面板，其中該感測單元包括：一第一導電網格層，其包括複數觸控感應電極；以及一第二導電網格層，其包括複數觸控驅動電極；其中，該導線係與該第一導電網格層或該第二導電網格層電性連接。
  3. 如請求項2所述之觸控面板，其中該顯示區包括一疊構，該疊構包括該第一導電網格層、該第二導電網格層、至少一絕緣層、該基板之一顯示部以及一液晶顯示模組(LCM)。
  4. 如請求項3所述之觸控面板，其中該周邊部與至少一該導線自該邊框區以相同方向延伸至該顯示區並包覆部分該液晶顯示模組的底部。
  5. 如請求項1所述之觸控面板，其中該導線高阻抗部之薄膜電阻至少為該導線低阻抗部以及該導電網格層之薄膜電阻的1.1倍。
  6. 如請求項1所述之觸控面板，其中該導線高阻抗部之薄膜電阻為該導線低阻抗部以及該導電網格層之薄膜電阻的1.1~1.25倍。
  7. 如請求項1所述之觸控面板，其中該導線高阻抗部及該導線低阻抗部皆係由銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料之中不同的任二者所組成。
  8. 如請求項1所述之觸控面板，其中該導線高阻抗部及該導線低阻抗部皆係由銅、金、銀、鋁、錫、鐵、鎳或氧化銦錫(ITO)材料之中的任一者。
  9. 如請求項1所述之觸控面板，其中該導線高阻抗部係由奈米銀線、銀粒子或導電高分子PEDOT：PSS所組成。
  10. 如請求項1所述之觸控面板，其中該導線高阻抗部定義有一第一側面以及其相對之一第二側面，該第一側面以及該第二側面之表面與該基板之表面的夾角皆不大於30度。
  11. 如請求項1所述之觸控面板，其中該導線高阻抗部定義有一第一側面以及其相對之一第二側面，該第一側面以及該第二側面之表面與該基板之表面的夾角皆為20~30度。
  12. 一種觸控面板之製造方法，包括一曝光製程，其特徵在於進一步包括下列步驟：以至少一第一光罩以及至少一第二光罩分別對應於一奈米銀材料之至少一低阻抗區以及至少一高阻抗區設置並曝光，並且其中該第一光罩之光穿透率大 於該第二光罩之光穿透率；該步驟用以透過曝光製程中曝光程度之差異，造成該高阻抗區之銀緻密程度小於該低阻抗區之銀緻密程度。
  13. 如請求項13所述之製造方法，其中該第二光罩係多灰階製程光罩或半色調光罩。
  14. 一種觸控面板的製造方法，包括一濺鍍鍍膜製程，其特徵在於進一步包括下列步驟：將至少一遮罩對應一銀靶材之至少一高阻抗區設置，以一具第一能量之電子束轟擊該銀靶材，接著將至少一該遮罩對應該銀靶材之至少一低阻抗區設置，以一具第二能量之電子束轟擊，並且其中該第一能量小於該第二能量；該步驟用以透過濺鍍鍍膜製程中電子束之能量差異，造成該高阻抗區之銀緻密程度小於該低阻抗區之銀緻密程度。
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