TWI733227B - 具有結合結構之殼體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係為一種具有結合結構之殼體裝置，其第一殼體包括第一殼座及第一結合結構。第一殼座具有第一底面、第一牆體及延伸壁，第一牆體及延伸壁分別自第一底面朝遠離第一底面的方向延伸，延伸壁位在第一牆體之內側並高於第一牆體；第一結合結構包含卡勾、基座及設置作為超音波熔接線的第一凸塊，卡勾設置在延伸壁面向第一牆體的一側，基座凸設於第一牆體並對應位在卡勾的下方，且第一凸塊設置在基座上；藉此，殼座的全周緣可進行超音波結合，進而提高殼體裝置的可靠度。

Description

具有結合結構之殼體裝置
本發明係有關於塑料殼體，尤指一種具有結合結構之殼體裝置。
按，產品的殼體裝置除了維持產品外形的美觀之外，還提供容納電氣零組件等功能。又，一般殼體裝置主要可區分金屬或塑料材質。以塑料材質來說，殼體裝置大多是由相互蓋合的兩殼座所構成，其中，兩殼座是分別透過射出成型方式形成，待兩殼座相互蓋合後，再利用卡合、鎖固或黏合等方式作結合，據此完成產品的組設。
再者，傳統殼體裝置的鎖固方式在組裝程序中非常耗時且不易拆卸，因此，目前已有利用卡勾及超音波結合的方式作固定。然而，傳統殼座的卡勾結構是直接凸設在殼座牆體，為避免在射出成型時形成倒勾或產生干涉而無法脫模，故傳統殼座無法在卡勾的位置下方形成超音波結合結構，因此，傳統殼座在進行超音波結合時需跳過卡勾的部分，造成無法在殼座的全周緣進行超音波結合，導致殼座在卡勾位置處的結構強度較弱而容易發生毀損。
有鑑於此，本發明人遂針對上述現有技術，特潛心研究並配合學理的運用，盡力解決上述之問題點，即成為本發明人之研究動機。
本發明之一目的，在於提供一種具有結合結構之殼體裝置，其殼座的全周緣可進行超音波結合並可加強卡勾位置處的結構強度，進而提高殼體裝置的可靠度。
為了達成上述之目的，本發明係為一種具有結合結構之殼體裝置，包含第一殼體，第一殼體包括第一殼座及第一結合結構。第一殼座具有第一底面、第一牆體及延伸壁，第一牆體及延伸壁分別自第一底面朝遠離第一底面的方向延伸，延伸壁位在第一牆體之內側並高於第一牆體；第一結合結構包含卡勾、基座及設置作為超音波熔接線的第一凸塊，卡勾設置在延伸壁面向第一牆體的一側，基座凸設於第一牆體並對應位在卡勾的下方，且第一凸塊設置在基座上。
為了達成上述之目的，本發明係為一種具有結合結構之殼體裝置，包含第一殼體，第一殼體包括第一殼座及第一結合結構。第一殼座具有第一底面及第一牆體，第一牆體自第一底面朝遠離第一底面的方向延伸；第一結合結構包含卡勾、基座、及設置作為超音波熔接線的第一凸塊，卡勾凸出第一牆體，基座凸設於第一牆體並對應位在卡勾的下方，且第一凸塊設置在基座上。
相較於習知，本發明之殼體裝置的第一殼座係成型有第一牆體及延伸壁，延伸壁位在第一牆體的內側並高於第一牆體，另外，第一殼座還設置有第一結合結構，包含卡勾、基座及設置作為超音波熔接線的第一凸塊；又，卡勾設置在延伸壁，基座凸設於第一牆體並對應位在卡勾的下方，且將第一凸塊設置在基座上。再者，殼體裝置還包括與第一殼體相互蓋合的第二殼體；又，第二殼座還設置有第二結合結構，包含設置卡槽及抵掣塊；據此，第一殼 體與第二殼體在未設置有卡勾的地方，其第二殼體的第二凸塊會插置在第一殼體的溝槽而進行超音波熔合，並透過第二凸塊的熔化而黏合；另一方面，第一殼體及第二殼體在設置有卡勾之處亦可進行超音波熔合，第二殼體透過卡槽卡合第一殼體的卡勾並透過抵掣塊抵接第一殼體的基座而定位，當殼體裝置的第一殼體透過超音波熔合方式結合第二殼體時，其基座與抵掣塊係透過第一凸塊的熔化而黏合；藉此，第一殼體及第二殼體之間可進行全周緣的超音波熔合而增強兩者之間的結合強度，進而提高殼體裝置的可靠度，增加本發明的實用性。
1、1a:殼體裝置
10、10a:第一殼體
11、11a:第一殼座
110、110a:溝槽
111、111a:第一底面
112、112a:第一牆體
113:延伸壁
12、12a:第一結合結構
121、121a:卡勾
122、122a:基座
1221、1221a:傾斜面
123、123a:第一凸塊
124、124a:加強肋
20、20a:第二殼體
21、21a:第二殼座
211、211a:第二底面
212、212a:第二牆體
213、213a:第二凸塊
22、22a:第二結合結構
221、221a:卡槽
222、222a:抵掣塊
圖1係為本發明之具有結合結構之殼體裝置的立體分解示意圖。
圖2係為本發明之第一殼體的立體外觀示意圖。
圖3係圖1中沿3-3線組裝前的剖面示意圖。
圖4係為圖3中的部分放大示意圖。
圖5係圖1中沿5-5線組裝前的剖面示意圖。
圖6係為圖5中的部分放大示意圖。
圖7係為圖3組裝後的剖面示意圖。
圖8係為圖7中的部分放大示意圖。
圖9係為圖5組裝後的剖面示意圖。
圖10係為圖9中的部分放大示意圖。
圖11係為本發明第一殼體之卡勾的另一實施態樣。
圖12係為本發明第一殼體之卡勾的另一實施態樣應用在殼體裝置時的結合示意圖。
有關本發明之詳細說明及技術內容，配合圖式說明如下，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
請參照圖1，係為本發明之具有結合結構之殼體裝置的立體分解示意圖。本發明為一種具有結合結構之殼體裝置1，包括一第一殼體10及一第二殼體20。該第一殼體10包括一第一殼座11及一第一結合結構12；該第二殼體20包括一第二殼座21及一第二結合結構22。又，該第一殼體10及該第二殼體20係透過該第一結合結構12及該第二結合結構22的設置並利用超音波結合的方式作固定。本實施例中，該殼體裝置1係為一電源轉換器的殼體，實際實施時不以此為限制。更詳細描述該殼體裝置1的結構如後。要說明的是，圖1中的殼體裝置在周緣具有卡勾之處繪有3-3之剖面線，並在殼體裝置周緣未設置有卡勾之處另繪有5-5之剖面線。
請另參照圖2，係為本發明之第一殼體的立體外觀示意圖。該第一殼體10包括一第一殼座11及設置在該第一殼座11的一第一結合結構12。本實施例中，該第一殼座11為一矩形座體，該第一殼座11具有一第一底面111、一第一牆體112及一延伸壁113。又，該第一牆體112及該延伸壁113分別自該第一底面111朝遠離該第一底面111的方向延伸，且該延伸壁113位在該第一牆體112之一內側並高於該第一牆體112。
要說明的是，於本發明的一實施例中，該第一殼座11具有位在該延伸壁113與該第一牆體112之間的一溝槽110，該溝槽110的設置係用以結合並定位相互蓋合的另一殼體，並於後詳述。
再者，該第一結合結構12包含一卡勾121、一基座122及設置作為超音波熔接線(Ultrasonic welding flash trap)的一第一凸塊123。又，該卡勾121設置在該延伸壁113面向該第一牆體112的一側。該基座122係凸設於該第一牆體112並對應位在該卡勾121的下方；另外，該第一凸塊123係設置在該基座122上。
較佳地，該第一結合結構12更包含一加強肋124，該加強肋124係位在該延伸壁113遠離該第一牆體112的一側並對應該卡勾121的位置而設置。本實施例中，該加強肋124係自該第一底面111沿著該延伸壁113延伸至該卡勾121的後側。
此外，該基座122有一傾斜面1221；又，該第一凸塊123設置於該傾斜面1221上。本實施例中，該基座122係設置在該溝槽110中而連接在該第一牆體112的一側邊，該基座122係自該溝槽110延伸而突出該第一牆體112。
值得注意的是，於本實施例中，該第一殼座11的周緣設置有複數卡勾121及對應該些卡勾121設置的複數基座122，此外，該溝槽110係設置在該第一殼座11的周緣且未設置有卡勾121之處。請續參照圖3及圖4，係分別為圖1中沿3-3線組裝前的剖面示意圖(本發明之殼體裝置組裝前在卡勾之處的剖面示意圖)及部分放大示意圖。如圖3所示，本發明之殼體裝置1包括與該第一殼體10相互蓋合的第二殼體20。該第二殼體20包括一第二殼座21及設置在該第二殼座21的一第二結合結構22。
再者，該第二殼座21具有一第二底面211及一第二牆體212，該第二牆體212自該第二底面211朝遠離該第二底面211的方向延伸。另外，該第二殼體20係於第二牆體212的頂面設置有用於作為超音波熔接線的一第二凸塊213。
請參照圖4，該第二結合結構22包含設置在該第二牆體212上的一卡槽221及位在該卡槽221一側的一抵掣塊222。更詳細描述該第一殼體10及該第二殼體20的結合方式於後。
請同時參照圖5及圖6，係分別為圖1中沿5-5線組裝前的剖面示意圖(本發明之殼體裝置組裝前在未設置卡勾之處的剖面示意圖)及部分放大示意圖。於本發明的一實施例中，該第二殼體20係於第二牆體212的頂面設置有第二凸塊213；另一方面，該第一殼體10係在該延伸壁113與該第一牆體112之間設置有溝槽110。據此，當該第一殼體10與該第二殼體20相互蓋合時，該第二殼體20的第二凸塊213會插置在該第一殼體10的溝槽110並定位。
請另參照圖7及圖8，係分別為圖1中沿3-3線組裝後的剖面示意(本發明之殼體裝置組裝後的剖面示意圖)及部分放大示意圖。如圖7所示，當該第一殼體10蓋合該第二殼體20時，該第一殼體10及該第二殼體20係透過該第一結合結構12及該第二結合結構22而定位，以利進行超音波結合。於本實施例中，該第二殼體20透過該卡槽221與該第一殼體10的卡勾121卡合，並透過該抵掣塊222抵接該第一殼體10的基座122而與該第一殼體10相互定位。
後續，如圖8所示，該第一殼體10及該第二殼體20透過超音波熔合方式作結合。此時，該基座122與該抵掣塊222係透過該第一凸塊123的熔化而黏合。因此要說明的是，本發明之第一殼體10及第二殼體20結合時，在第一殼體10設置有卡勾121之處仍可進行超音波熔合。
請同時參照圖9及圖10，係分別為圖1中沿5-5線組裝後的剖面示意(本發明之殼體裝置組裝後在未設置有卡勾之處的剖面示意圖)及部分放大示意圖。承上述，該第一殼體10及該第二殼體20透過超音波熔合方式結合時，該第一牆體112與該第二牆體212在未設置有卡勾121的地方，其第二殼體20的第二凸塊213會插置在該第一殼體10的溝槽110而進行超音波熔合，並透過該第二凸塊213的熔化而黏合。據此，該第一殼體10及該第二殼體20之間可進行全周緣的超音波熔合，進而增強兩者之間的結合強度。
請另參照圖11及圖12，係分別為本發明第一殼體之卡勾的另一實施態樣及其應用在殼體裝置時的結合示意圖。於本發明的一實施例中，殼體裝置1a包括一第一殼體10a及一第二殼體20a。該第一殼體10a包括一第一殼座11a及一第一結合結構12a。該第一殼座11a具有一第一牆體112a。該第一結合結構12a包含一卡勾121a、一基座122a及設置作為超音波熔接線的一第一凸塊123a。又，本實施例與前一實施例大致相同，其不同的地方在於該卡勾121a的設置方式。
於本實施例中，該卡勾121a係凸出該第一牆體112a。該基座122a係凸設於該第一牆體112a並對應位在該卡勾121a的下方，此外，該第一凸塊123a係設置在該基座122a上。較佳地，該基座122a具有一傾斜面1221a，且該第一凸塊123a設置於該傾斜面1221a上。
具體而言，該第一殼座11a具有位在該第一牆體112a之一外側的一溝槽110a；又，該第一結合結構12a更包含一加強肋124a，該加強肋124a係對應該卡勾121a的位置而設置，藉以增加該卡勾121a的結構強度。
如圖12所示，本實施例中，該第二殼體20a包括一第二殼座21a及一第二結合結構22a。該第二殼座21a具有一第二底面211a及一第二牆體212a，該第二牆體212a自該第二底面211a朝遠離該第二底面211a的方向延伸。此外，該第二牆體212a的頂面設置有用於作為超音波熔接線的一第二凸塊213a，該第二凸塊213a嵌入該第一殼體10a的該溝槽110a中。
再者，該第二結合結構22a包含設置在該第二牆體212a的一卡槽221a及位在該卡槽221a一側的一抵掣塊222a。
於本實施例中，該第二殼體20a透過該卡槽221a卡合該第一殼體10a的該卡勾121a，並透過該抵掣塊222a抵接該第一殼體10a的該基座122a而與該第一殼體10a相互定位。後續，該第一殼體10a及該第二殼體20a利用超音波熔合方式結合時與前一實施例大致相同，於此不再贅述。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，非用以定本發明之專利範圍，其他運用本發明之專利精神之等效變化，均應俱屬本發明之專利範圍。
1:殼體裝置
10:第一殼體
11:第一殼座
111:第一底面
112:第一牆體
12:第一結合結構
121:卡勾
122:基座
123:第一凸塊
20:第二殼體
21:第二殼座
211:第二底面
212:第二牆體
213:第二凸塊
22:第二結合結構
221:卡槽
222:抵掣塊

Claims (10)

  1. 一種具有結合結構之殼體裝置，包含一第一殼體，該第一殼體包括：一第一殼座，具有一第一底面、一第一牆體及一延伸壁，該第一牆體及該延伸壁分別自該第一底面朝遠離該第一底面的方向延伸，該延伸壁位在該第一牆體之一內側並高於該第一牆體，該第一殼座具有位在該延伸壁與該第一牆體之間的一溝槽；以及一第一結合結構，包含一卡勾、一基座及設置作為超音波熔接線的一第一凸塊，該卡勾設置在該延伸壁面向該第一牆體的一側，該基座係設置在該溝槽中且凸設於該第一牆體並對應位在該卡勾的下方，且該第一凸塊係設置在該基座上。
  2. 如請求項1所述之具有結合結構之殼體裝置，其中該基座具有一傾斜面，該第一凸塊設置於該傾斜面上。
  3. 如請求項1所述之具有結合結構之殼體裝置，其中該第一結合結構更包含一加強肋，該加強肋係位在該延伸壁遠離該第一牆體的一側並對應該卡勾的位置而設置。
  4. 如請求項3所述之具有結合結構之殼體裝置，其更包括一第二殼體，該第二殼體包括：一第二殼座，具有一第二底面及一第二牆體，該第二牆體自該第二底面朝遠離該第二底面的方向延伸，該第二牆體的頂面設置有用於作為超音波熔接線的一第二凸塊，該第二凸塊嵌入該第一殼體的該溝槽中；以及 一第二結合結構，包含設置在該第二牆體上的一卡槽及位在該卡槽一側的一抵掣塊；其中，該第二殼體透過該卡槽卡合該第一殼體的該卡勾並透過該抵掣塊抵接該第一殼體的該基座。
  5. 如請求項4所述之具有結合結構之殼體裝置，其中該第一殼體及該第二殼體透過超音波熔合方式作結合，該基座與該抵掣塊係透過該第一凸塊的熔化而黏合，該第一牆體與該第二牆體係透過該第二凸塊的熔化而黏合。
  6. 一種具有結合結構之殼體裝置，包含一第一殼體，該第一殼體包括：一第一殼座，具有一第一底面及一第一牆體，該第一牆體係自該第一底面朝遠離該第一底面的方向延伸，該第一殼座具有位在該第一牆體外側的一溝槽；以及一第一結合結構，包含一卡勾、一基座、及設置作為超音波熔接線的一第一凸塊，該卡勾係凸出該第一牆體，該基座係設置在該溝槽中且凸設於該第一牆體並對應位在該卡勾的下方，該第一凸塊設置在該基座上。
  7. 如請求項6所述之具有結合結構之殼體裝置，其中該基座具有一傾斜面，該第一凸塊設置於該傾斜面上。
  8. 如請求項6所述之具有結合結構之殼體裝置，其中該第一結合結構更包含一加強肋，該加強肋係對應該卡勾的位置而設置。
  9. 如請求項8所述之具有結合結構之殼體裝置，其更包括一第二殼體，該第二殼體包括： 一第二殼座，具有一第二底面及一第二牆體，該第二牆體自該第二底面朝遠離該第二底面的方向延伸，該第二牆體的頂面設置有用於作為超音波熔接線的一第二凸塊，該第二凸塊嵌入該第一殼體的該溝槽中；以及一第二結合結構，包含設置在該第二牆體上的一卡槽及位在該卡槽一側的一抵掣塊；其中，該第二殼體透過該卡槽卡合該第一殼體的該卡勾並透過該抵掣塊抵接該第一殼體的該基座。
  10. 如請求項9所述之具有結合結構之殼體裝置，其中該第一殼體及該第二殼體利用超音波熔合方式作結合，該基座與該抵掣塊係透過該第一凸塊的熔化而黏合，該第一牆體與該第二牆體係透過該第二凸塊的熔化而黏合。
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