TWI732953B - 具可調整周邊之靜電夾具 - Google Patents
具可調整周邊之靜電夾具 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI732953B TWI732953B TW106133932A TW106133932A TWI732953B TW I732953 B TWI732953 B TW I732953B TW 106133932 A TW106133932 A TW 106133932A TW 106133932 A TW106133932 A TW 106133932A TW I732953 B TWI732953 B TW I732953B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- peripheral
- electrostatic
- electrostatic chuck
- workpiece
- surrounding
- Prior art date
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 230000009471 action Effects 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/31—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for cutting or drilling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Robotics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本揭示案提供一種用於夾緊具有不同直徑之工件的靜電夾具。提供與第一工件相關聯的中心靜電夾具構件及與第二工件相關聯的第一周圍靜電夾具構件。升降機在收回位置與延伸位置之間相對於中心靜電夾具構件平移第一周圍靜電夾具構件。在收回位置中,第一工件僅接觸第一表面。在延伸位置中,第二工件接觸第一表面及第二表面。當第一周圍靜電夾具構件處於收回位置中時,第一周圍屏蔽大體上屏蔽第二表面。可增添額外周圍靜電夾具構件及周圍屏蔽以適應額外工件直徑。
Description
本申請案主張2016年9月30日申請之標題名稱為「ADJUSTABLE CIRCUMFERENCE ELECTROSTATIC CLAMP」之美國專利申請案第15/281,540號之權益,該美國專利申請案之內容以引用方式整體併入本文。
本發明大體而言係關於工件運搬系統,且更具體而言係關於用於在離子植入系統中處置變化直徑之工件之系統及方法。
在半導體工業中,諸如半導體晶圓或基板的工件通常藉由工件處置系統在製程步驟之間機器人地傳送。離子注入系統通常利用工件處置系統來在大氣工件載體與真空製程腔室之間傳送工件,該真空製程腔室與離子注入機相關聯。習知工件處置系統包含機器人,該機器人具有耦接至該機器人的抓手,其中該抓手經組配來選擇性地抓住工件之邊緣。
在典型離子注入系統中,例如,工件處置照慣例對於特定工件大小為固定的,其中撞擊在工件上的離子束之大小適應工件之大小。例如,當將離子注入200mm直徑之晶圓中時,200mm寬之離子束通常經利
用於注入。然而,若希望將離子注入150mm直徑之晶圓中,工件處置系統及離子注入系統之各種組件照慣例經修改以便適應不同大小之工件。例如,抓手及靜電夾具通常經設計來用於將離子注入單個工件大小中。然而,當工件大小改變時,抓手、靜電夾具及/或整個機器人處置組件照慣例亦改變。
因此,習知離子注入系統基於正注入的工件之大小以及撞擊在工件上的離子束之大小來利用預定處理裝備大小。當不同大小之工件經注入或不同大小之離子束經利用於注入時,亦做出對工件處置裝備之各種改變,因此增加成本且遭受生產力損失。
本發明藉由提供用於在離子注入系統中處置各種大小之工件之系統、設備及方法來克服先前技術之限制。因此,以下呈現本揭示案之簡化概述以便提供對本發明之一些態樣之基本理解。此概述並非本發明之廣泛綜述。既不欲識別本發明之關鍵或決定性元件又不欲描繪本發明之範疇。其目的將作為稍後呈現的更詳細描述之前奏以簡化形式呈現本發明之一些概念。
大體而言,提供用於夾緊具有不同直徑之工件之靜電夾具。在一實例中,中心靜電夾具構件與第一直徑之第一工件相關聯且第一周圍靜電夾具構件與大於該第一直徑的第二直徑之第二工件相關聯。升降機在收回位置與延伸位置之間相對於中心靜電夾具構件平移第一周圍靜電夾具構件。在該收回位置中,該第一工件僅接觸該第一表面。在亦稱為注入位置的延伸位置中,第二工件接觸第一表面及第二表面。當該第一周圍靜電
夾具構件處於該收回位置中時,第一周圍屏蔽大體上屏蔽該第二表面。可增添額外周圍靜電夾具構件及周圍屏蔽以適應額外工件直徑。
根據一示範性態樣,本揭示案之靜電夾具系統包含中心靜電夾具構件,該中心靜電夾具構件具有與第一工件之直徑相關聯的第一直徑,其中該中心靜電夾具構件可操作地耦接至掃描臂基底且具有第一表面,該第一表面經組配來支撐第一工件。第一周圍靜電夾具構件具有與該第一直徑相關聯的第一內徑及與該第二工件之直徑相關聯的第一外徑。該第一周圍靜電夾具構件亦可操作地耦接至該掃描臂基底且具有第二表面,該第二表面經組配來支撐該第二工件之周圍區域。
升降機經組配來沿大體上垂直於該第一表面的軸線在收回位置與延伸位置之間相對於中心靜電夾具構件平移該第一周圍靜電夾具構件。在該收回位置中,該第一工件僅接觸該第一表面。在本實例中之延伸位置中,該第二工件接觸該第一表面及該第二表面。
此外,提供具有與第一內徑相關聯的第一屏蔽內徑及與第一外徑相關聯的第一屏蔽外徑的第一周圍屏蔽。當第一周圍靜電夾具構件處於收回位置中時,第一周圍屏蔽例如經組配來屏蔽第二表面。
根據一實例,中心靜電夾具相對於掃描臂基底固定,且其中升降機經組配來在收回位置與延伸位置之間平移第一周圍靜電夾具構件。
在另一實例中,提供第二周圍靜電夾具構件,該第二周圍靜電夾具構件具有與第一外徑相關聯的第二內徑及與第三工件之直徑相關聯的第二外徑。第三工件之直徑例如大於第二工件之直徑。該第二周圍靜電夾具構件可操作地耦接至該掃描臂基底且具有第三表面,該第三表面經組
配來支撐該第三工件之周圍區域,且該升降機進一步經組配來在該收回位置與該延伸位置之間相對於該中心靜電夾具構件平移該第二周圍靜電夾具構件。在此實例中之延伸位置中,第三工件接觸第一表面、第二表面及第三表面。
根據另一實例,控制器經組配來經由升降機之控制單獨地控制第一周圍靜電夾具構件及第二周圍靜電夾具構件中之一或多個之收回位置及延伸位置。在另一實例中,電源可操作地耦接至該中心靜電夾具構件、第一周圍靜電夾具構件及第二周圍靜電夾具構件中之一或多個。該控制器例如因此進一步經組配來選擇性地供給能量予該中心靜電夾具構件、第一周圍靜電夾具構件及第二周圍靜電夾具構件。
在另一實例中,進一步提供具有與第二內徑相關聯的第二內屏蔽直徑及與第二外徑相關聯的第二外屏蔽直徑的第二周圍屏蔽。當該第一周圍靜電夾具構件處於該延伸位置中且該第二周圍靜電夾具構件處於該收回位置中時,該第二周圍屏蔽經組配來屏蔽第三表面。例如,第二外屏蔽直徑大於或等於第二外徑。
第一周圍屏蔽及第二周圍屏蔽中之一或多個例如包含由半導體材料組成的表面,諸如塗佈有矽的鋁圓盤。在一實例中,第一周圍屏蔽及/或第二周圍屏蔽由諸如半導體晶圓的半導體材料組成。
一或多個後側氣體孔口可進一步提供於中心靜電夾具構件、第一周圍靜電夾具構件、第二周圍靜電夾具構件等之第一表面及第二表面中之一或多個中。後側氣體源因此經組配來將後側氣體提供至一或多個後側氣體孔口以用於正處理的工件之後側氣體冷卻或加熱。一或多個氣
體分配通道例如界定於中心靜電夾具構件及第一周圍靜電夾具構件中,其中氣體分配通道中之一或多個處於與一或多個後側氣體孔口流體連通中。
根據另一實例,一或多個側壁孔口界定於中心靜電夾具構件及第一周圍靜電夾具構件之各別側壁中,其中該一或多個側壁孔口處於與該一或多個氣體分配通道流體連通中。在另一實例中,動態密封件與該等複數個該一或多個側壁孔口相關聯中每一個相關聯,其中該動態密封件大體上容許該第一周圍靜電夾具構件相對於中心靜電夾具構件之該平移,同時防止該後側氣體自該一或多個側壁孔口至外部環境之洩漏。
在另一實例中,後側氣體源可操作地耦接至該中心靜電夾具構件,其中氣體分配通道中之一或多個經由該一或多個側壁孔口將後側氣體提供至至少第一周圍靜電夾具構件。
根據又一實例,一或多個傳送設備經組配來選擇性地傳送第一工件、第二工件及第一周圍屏蔽往返於該第一表面及第二表面。在另一實例中,進一步提供離子注入系統,其中離子束之大小為可組配的,以注入夾緊在靜電夾具上的任何大小之工件。
根據本揭示案之另一示範性態樣,提供用於將離子注入不同直徑之第一工件及第二工件中之方法。例如,當希望將離子注入第一工件中時,第一周圍屏蔽經置放於第一周圍靜電夾具構件之第二表面上。第一周圍靜電夾具構件相對於中心靜電夾具構件收回,其中第二表面自第一表面凹入,且第一工件經置放於中心靜電夾具構件之第一表面上。因此,藉由相對於第一工件傳遞離子束將離子注入第一工件中。
當希望將離子注入第二工件中時,自中心靜電夾具構件移除
第一工件,且相對於中心靜電夾具構件舉升第一周圍靜電夾具構件。因此,第二表面大體上與第一表面共面。自第一周圍靜電夾具構件之第二表面移除第一周圍屏蔽,且第二工件經置放於中心靜電夾具構件之第一表面及第一周圍靜電夾具構件之第二表面上且以離子注入。當注入完成時,自中心靜電夾具構件及第一周圍靜電夾具構件移除第二工件。
以上概述僅意欲給出本發明之一些實施例之一些特徵之簡要綜述,且其他實施例可包含相較於以上提到之特徵的額外及/或不同特徵。特定而言,此概述不應解釋為限制本申請案之範疇。因此,為實現先前及相關目標,本發明包含下文所描述且尤其在申請專利範圍中指出的特徵。以下描述及所附圖式詳細地闡述本發明之某些例示性實施例。然而,此等實施例指示可使用本發明之原理的各種方式中之數個。本發明之其他目的、優點及新穎特徵在結合圖式考慮時將自本發明之以下詳述描述變得顯而易見。
100:真空系統
101:離子注入系統
102:終端
104:射束線路總成
106:末端站
108:離子源
110:電源
112:離子束
114:射束轉向設備
116:孔
118:工件
120:夾具系統
122:製程腔室
124:真空腔室
126:製程環境
128:真空源
130:後側氣體源
134:電源
136:負載鎖定腔室
138:外部環境
142:負載鎖定門
144:真空傳送設備
146:負載鎖定支撐件
148:大氣傳送設備
150:工件運輸容器
152:控制器
200:夾具系統
202:基底
203:掃描臂
204:中心靜電夾具構件
206:中心夾具表面
208:第一工件
210:第一中心直徑
212:直徑
214:第一周圍靜電夾具構件
216:第一內徑
218:第一外徑
220:直徑
222:第二工件
224:第一周圍夾具表面
226:周圍區域
227:升降機
228:收回位置
230:延伸位置
232:軸線
234:第一周圍屏蔽
236:第一屏蔽內徑
238:第一屏蔽外徑
240:後側氣體孔口
242:氣體分配通道
244:側壁孔口
246:側壁
300:靜電夾具系統
302:第二周圍靜電夾具構件
304:第二內徑
306:第二外徑
308:直徑
310:第三工件
312:第二周圍夾具表面
314:周圍區域
316:第二周圍屏蔽
318:第二屏蔽內徑
320:第二屏蔽外徑
400:抓手機構
402:抓手臂
404:抓緊位置
406:釋放位置
450:支撐構件
452:支撐板
454:第一支撐結構
456:第二支撐結構
472:額外第三支撐結構
474A:工件
474B:工件
474C:工件
500:方法
502:動作
504:動作
506:動作
508:動作
510:動作
512:動作
514:動作
516:動作
518:動作
520:動作
522:動作
圖1為根據本揭示案之若干態樣之示範性離子注入系統的方塊圖。
圖2A至圖2B例示根據本揭示案之各種態樣之定位於示範性夾具系統上的各別第一工件及第二工件的透視圖。
圖3A至圖3B例示根據本揭示案之各種態樣之定位於示範性夾具系統上的各別第一工件及第二工件的橫截面側視圖。
圖4例示根據本揭示案之各種態樣之裝配至掃描臂的示範性夾具系統的橫截面側視圖。
圖5A至圖5C例示根據本揭示案之各種態樣之定位於示範性夾具系統上的各別第一工件、第二工件及第三工件的橫截面側視圖。
圖6A至圖6C例示根據本揭示案之各種態樣之與第一工件之處理相關聯的示範性夾具系統的橫截面側視圖。
圖7A至圖7B例示根據本揭示案之各種態樣之與第二工件之處理相關聯的示範性夾具系統的橫截面側視圖。
圖8A至圖8B例示根據本揭示案之各種態樣之其中抓緊有各別第二工件及第一工件的示範性抓手機構的平面圖。
圖8C例示圖8A至圖8B之示範性抓手機構的透視圖。
圖9A至圖9B例示根據本揭示案之各種態樣之處於各別夾緊位置及釋放位置中的示範性抓手機構的平面圖。
圖10例示根據本揭示案之各種態樣之示範性負載鎖定支撐件的透視圖。
圖11A至圖11B例示根據本揭示案之各種態樣之支撐各別第一工件及第二工件的示範性負載鎖定支撐件的平面圖。
圖12A為根據本揭示案之各種態樣之用於支撐三個不同大小之工件的示範性支撐構件的平面圖。
圖12B為根據本揭示案之各種態樣之支撐各別第一工件、第二工件及第三工件的圖12A之示範性支撐構件的側視圖。
圖12C為根據本揭示案之各種態樣之支撐各別第一工件、第二工件及第三工件的複數個支撐構件的平面圖。
圖13例示根據本案之另一態樣之用於夾緊及注入離子至變化直徑之工
件中的方法論。
本揭示案大體而言針對用於在離子注入系統中夾緊各種直徑之工件的系統、設備及方法。因此,現將參考圖式描述本發明,其中相同參考數字可始終用來指代相同元件。將理解,此等態樣之描述僅為例示性的,且該等態樣不應在限制性意義上予以解釋。在以下描述中,出於解釋之目的,闡明許多特定細節以便提供對本發明之徹底理解。然而,熟習此項技術者將明白,本發明可在無此等特定細節的情況下實踐。此外,本發明之範疇不欲受下文參考伴隨圖式描述之實施例或實例限制,但意欲僅受所附申請專利範圍及其等效物限制。
亦應注意,圖式經提供來給出本揭示案之實施例之一些態樣之圖解且因此僅被視為示意性的。特定而言,圖式中所示之元件未必彼此成比例,且圖式中之各種元件之置放經選擇來提供對各別實施例之清楚理解且不被視為必然為根據本發明之一實施例之實行方案中的各種組件之實際相對位置之表示。此外,本文所描述之各種實施例及實例之特徵可彼此組合,除非另有具體說明。
亦應理解,在以下描述中,圖式中所示或本文所描述之功能塊、裝置、組件、電路元件或其他實體或功能單元之間的任何直接連接或耦接亦可藉由間接連接或耦接實行。此外,將瞭解,圖式中所示之功能塊或單元在一實施例中可實行為單獨特徵或電路,且在另一實施方案中亦可或替代地完全或部分地實行於共用特徵或電路中。例如,若干功能塊可實行為在諸如訊號處理器的共用處理器上運行的軟體。進一步應理解,在以
下說明書中描述為基於導線的任何連接亦可實行為無線通訊,除非相反地說明。
根據本揭示案之一態樣,圖1例示示範性真空系統100。本實例中之真空系統100包含離子注入系統101,然而,亦設想各種其他類型的真空系統,諸如電漿處理系統或其他半導體處理系統。離子注入系統101例如包含終端102、射束線路總成104及末端站106。
一般而言,終端102中之離子源108耦接至電源110以將摻雜氣體電離成複數個離子且形成離子束112。本實例中之離子束112經導向穿過射束轉向設備114,且朝向末端站106導向出孔116。在末端站106中,離子束112轟擊工件118(例如,半導體諸如矽晶圓、顯示面板等),該工件選擇性地夾緊或裝配至夾具系統120(例如,靜電夾具或ESC)。一旦嵌入工件118之晶格中,注入離子改變工件之物理性質及/或化學性質。因此,離子注入經使用於半導體裝置製造中及金屬表面處理以及材料科學研究中之各種應用中。
本揭示案之離子束112可採取任何形式,諸如筆形或點束、帶狀束、掃描束,或離子經朝向末端站106導向的任何其他形式,且所有此類形式經設想為屬於本揭示案之範疇內。
根據一示範性態樣,末端站106包含製程腔室122,諸如真空腔室124,其中製程環境126與製程腔室相關聯。製程環境126通常存在於製程腔室122內,且在一實例中,包含藉由真空源128(例如,真空泵)產生的真空,該真空源耦接至製程腔室且經組配來大體上抽空製程腔室。
在利用離子注入系統101的注入期間,當帶電離子與工件碰
撞時,能量可以熱之形式累積在工件118上。在無對策下,此熱可潛在地使工件118翹曲或裂縫,此在一些實行方案中可使工件無價值(或價值顯著地較小)。其他不合需要的效應亦可由於工件118之不合需要的加熱發生。
因此,根據另一實例,夾具系統120包含後側氣體源130,其中後側氣體源130經組配來在工件曝光於離子束112期間將後側氣體132提供至製程腔室122內的工件118之後側。在一實例中,後側氣體包含惰性氣體,諸如乾氮。因而,提供後側氣體的後側氣體源130可包含用於保持/儲存後側氣體的壓力槽或容器(未示出)。根據另一實例,提供電源134,其中電源可操作地耦接至夾具系統120以用於工件118至夾具系統之靜電夾緊。以下將更詳細地論述夾具系統120。
根據另一態樣,負載鎖定腔室136進一步可操作地耦接至製程腔室122,其中負載鎖定腔室經組配來隔離製程環境126與外部環境138。負載鎖定腔室136進一步包含工件支撐件140,該工件支撐件經組配來在工件於製程腔室122與外部環境138之間的傳送期間支撐工件118。複數個負載鎖定門142將負載鎖定腔室136可操作地耦接至各別製程腔室122及外部環境138。因此,負載鎖定腔室136經由負載鎖定腔室環境之變化維持真空系統100內的製程環境126(例如,乾、真空環境)。負載鎖定腔室136內的壓力例如經組配來在與製程環境126相關聯的真空和與外部環境138相關聯的外部壓力(例如,大氣壓力)之間變化。因此,負載鎖定腔室136容許工件118傳送至離子注入系統101中及傳送出離子注入系統101,而不使離子注入系統內的真空(例如,製程環境126)之品質折衷。
在一實例中,如下文將更詳細地論述,提供真空傳送設備
144(例如,真空機器人),其中真空傳送設備經組配來在負載鎖定腔室136內的負載鎖定支撐件146與夾具系統120之間傳送工件118在又一實例中,大氣傳送設備148(例如,大氣機器人)經組配來在工件運輸容器150(例如,FOUP)與負載鎖定腔室136內的負載鎖定支撐件146之間傳送工件118。例如,大氣傳送設備148經組配來自工件運輸容器150移除工件118且/或將工件118返回至工件運輸容器150。以下將亦更詳細地論述真空傳送設備144及大氣傳送設備148。
根據另一實例,提供控制器152,其中控制器經組配來控制真空系統100之一或多個組件,諸如離子注入系統101、夾具系統120、真空源128、後側氣體源130、電源134、真空傳送設備144、大氣傳送設備148,以及真空系統內的其他組件。應理解,雖然本文描述一個控制器152,但可利用分離的或多個控制器達成真空系統100內的各種組件之控制,並且所有控制器被視為屬於本揭示案之範疇內。
一般地參考圖2A至圖2B、圖3A至圖3B、圖4,現將根據本揭示案之另一示範性態樣更詳細地論述示範性夾具系統200。將瞭解,圖1之夾具系統120及夾具系統200(亦稱為靜電夾具系統)可實行於圖1之真空系統100中,以便有效地處理多大小之工件118。例如,下文所描述之夾具系統120、200在處理具有多個直徑諸如100mm、150mm、200mm及300mm等之工件118中具有特定用途。雖然本文描述工件118之特定大小,但應注意,本揭示案不限於工件之特定大小,且可容易地進行本揭示案之各種更改以處理較大/較小大小之工件,且所有此類更改經設想為屬於本揭示案之範疇內。
如圖2A至圖2B中可看出,例如,夾具系統200包含基底202,該基底可操作地耦接至掃描臂203,其中掃描臂經組配來以本領域一般技術者已知且本文將不進一步詳述的各種方式藉由圖1之離子束112選擇性地掃描基底。根據一實例,圖3A之中心靜電夾具構件204可操作地耦接至基底202,其中中心靜電夾具構件具有中心夾具表面206,該中心夾具表面經組配來支撐至少一第一工件208且將該至少一第一工件靜電式夾緊至該中心夾具表面。中心靜電夾具構件204例如具有與第一工件208之直徑212相關聯的第一中心直徑210。例如,第一中心直徑210比第一工件208之直徑212稍微較小(例如,2mm)。
根據一實例,進一步提供第一周圍靜電夾具構件214,其中第一周圍靜電夾具構件進一步可操作地耦接至基底202。第一周圍靜電夾具構件214例如大體包圍中心靜電夾具構件204。在本實例中,第一周圍靜電夾具構件214具有與第一中心直徑210相關聯的第一內徑216及與第二工件222之直徑220相關聯的第一外徑218,如圖3B中所例示。第二工件222之直徑220例如大於圖3A之第一工件208之直徑212。例如,第二工件222之直徑220為150mm,而第一工件208之直徑212為100mm。
第一周圍靜電夾具構件214例如進一步可操作地耦接至基底202且具有第一周圍夾具表面224,該第一周圍夾具表面經組配來支撐第二工件222之至少一周圍區域226,如圖3B中所例示。在一實例中,第一周圍靜電夾具構件214經組配來將至少該第二工件222之周圍區域226靜電式夾緊至該第一周圍靜電夾具構件。
升降機227例如進一步經提供且經組配來沿大體垂直(例
如,正交)於至少該中心夾具表面206的軸線232在圖3A中所示的收回位置228與圖3B中所示延伸位置230(亦稱為注入位置)之間相對於中心靜電夾具構件204選擇性地平移第一周圍靜電夾具構件214。第一周圍夾具表面224例如在處於圖3A之收回位置228處時大體上駐留於中心夾具表面206以下,且在處於圖3B之延伸位置處時大體上與中心夾具表面206共面。
因此,在圖3A中所例示之實例之收回位置228中,第一工件208僅接觸中心夾具表面206,且在圖3B中所例示之實例之延伸位置230中,第二工件222接觸中心夾具表面206及第一周圍夾具表面224兩者。因而,升降機227可操作以平移第一周圍靜電夾具構件214,使得第一工件208或第二工件222可經單獨地適應且夾緊至夾具系統200,如以下將進一步論述。
根據另一示範性態樣,第一周圍屏蔽234進一步經提供且例示於圖3A中,其中第一周圍屏蔽經組配以在第一周圍靜電夾具構件214處於收回位置228處時選擇性地覆蓋第一周圍夾具表面224。第一周圍屏蔽234例如具有與第一周圍靜電夾具構件214之第一內徑216相關聯(例如,與該第一內徑間隔開)的第一屏蔽內徑236。第一周圍屏蔽234例如進一步具有與圖3B之第一周圍靜電夾具構件214之第一外徑218相關聯的第一屏蔽外徑238。因此,在一實例中,當第一周圍靜電夾具構件214處於圖3A之收回位置228中時(例如,當夾具系統200正夾緊第一工件208時),第一周圍屏蔽234經組配來屏蔽第一周圍夾具表面224以免受圖1之離子束112。
第一周圍屏蔽234例如包含塗佈有半導體材料(例如,矽)的金屬圓盤(例如,鋁)。替代地,第一周圍屏蔽234包含類似於正在圖1之離
子注入系統101中處理的半導體材料的半導體材料諸如矽晶圓或由該半導體材料組成。因而,半導體材料以類似於工件之方式的方式吸收來自離子束112的離子,因此最小化來自製程腔室122內的濺射材料之不希望有的污染。
在另一實例中,圖3A及圖3B之中心靜電夾具構件204大體上沿軸線232相對於基底202固定,其中升降機227經組配來在圖3A之收回位置228與圖3B之延伸位置230之間平移第一周圍靜電夾具構件214。替代地,中心靜電夾具構件204亦經容許沿軸線232相對於掃描臂基底202行進,且其中升降機227進一步經組配來平移中心靜電夾具構件。
夾具系統200例如可藉由圖1之控制器152控制,其中第一周圍靜電夾具構件214相對於中心靜電夾具構件204的位置(例如,圖3A之收回位置228及圖3B之延伸位置230)經由升降機227之控制來控制。此外,根據另一示範性態樣,圖1之電源134進一步可操作地耦接至圖3A及圖3B之中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214,其中控制器152進一步經組配來選擇性地供給能量予中心靜電夾具構件及第一周圍靜電夾具構件以將各別第一工件208、第二工件222及第一周圍屏蔽234選擇性地夾緊至各別中心靜電夾具構件及第一周圍靜電夾具構件。在一實例中,控制器152經組配來單獨地及/或並行地供給能量予中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214。替代地,多個控制器152及電源134可經實行來用於夾具系統200之控制,且經設想為屬於本揭示案之範疇內。
根據又一實例,在圖4中所例示之更詳細視圖中,一或多個後側氣體孔口240進一步提供於中心夾具表面206及第一周圍夾具表面224
中之一或多個中,其中圖1之後側氣體源130經組配來將後側氣體提供至一或多個後側氣體孔口以用於圖3A至圖3B之各別第一工件208、第二工件222及第一周圍屏蔽234之後側冷卻。圖4中所例示之一或多個氣體分配通道242可進一步界定於中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214中,其中氣體分配通道中之一或多個處於與一或多個後側氣體孔口240流體連通中。
例如,一或多個側壁孔口244可界定於中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214之各別側壁246中,其中一或多個側壁孔口基於第一周圍靜電夾具構件相對於中心靜電夾具構件之位置(例如,圖3A之收回位置228及圖3B之延伸位置230)處於與一或多個氣體分配通道242選擇性流體連通中,該一或多個氣體分配通道與各別一或多個後側氣體孔口240相關聯。例如,動態密封件(未示出)可與一或多個側壁孔口244中每一個相關聯,其中動態密封件通常容許第一周圍靜電夾具構件214相對於中心靜電夾具構件204之平移,同時防止後側氣體自一或多個側壁孔口至圖1之製程腔室環境126之洩漏。
圖1之後側氣體源130例如可為可操作地耦接至圖4之中心靜電夾具構件204,其中氣體分配通道242中之一或多個經由一或多個側壁孔口將後側氣體選擇性地提供至中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214中之一或多個。電磁閥或其他裝置(未示出)可進一步經提供來選擇性地將各別一或多個側壁孔口244流體耦接至圖1之氣體源130。
根據本揭示案之又一示範性態樣,如圖5A至圖5C中所例示,例示類似於圖4A至圖4B之夾具系統200的另一靜電夾具系統300,
增添了可操作地耦接至基底202的第二周圍靜電夾具構件302。第二周圍靜電夾具構件302例如具有與第一周圍靜電夾具構件214之第一外徑218相關聯(例如,與該第一外徑間隔開)的第二內徑304。第二周圍靜電夾具構件302例如進一步具有與第三工件310之直徑308相關聯的第二外徑306,如圖5C中所例示。如所例示,第三工件310之直徑308大於圖5B之第二工件222之直徑220,該第二工件之直徑轉而進一步大於圖5A之第一工件208之直徑218。因此,第二周圍靜電夾具構件302大體上包圍第一周圍靜電夾具構件214且具有第二周圍夾具表面312,該第二周圍夾具表面經組配來支撐圖5C之第三工件310之周圍區域314。第二周圍靜電夾具構件302例如進一步經組配來選擇性地將第三工件310之周圍區域314靜電式吸引至該第二周圍靜電夾具構件。
升降機227例如進一步經組配來在收回位置228與延伸位置230之間沿軸線232相對於中心靜電夾具構件204平移第二周圍靜電夾具構件302。第二周圍夾具表面312例如在處於圖5C之延伸位置230處時大體上與中心夾具表面206共面,且其中第二周圍夾具表面在處於圖5A至圖5B之收回位置228處時駐留於中心夾具表面以下。在圖5C中所例示之延伸位置230中,例如,第三工件310可接觸中心夾具表面206、第一周圍夾具表面224及第二周圍夾具表面312。
類似於以上所論述內容,圖1之控制器152可進一步經組配來經由升降機227之控制單獨地控制第一周圍靜電夾具構件214及第二周圍靜電夾具構件302之收回位置228及延伸位置230。升降機227例如可包含單獨地控制的升降機,該等單獨地控制的升降機可操作地耦接第一周圍
靜電夾具構件214及第二周圍靜電夾具構件302以用於相關聯延伸位置230及收回位置228之單獨控制。此外,電源134可為可操作地耦接至中心靜電夾具構件204、第一周圍靜電夾具構件214及第二周圍靜電夾具構件302,其中控制器152進一步經組配來選擇性地供給能量予中心靜電夾具構件、第一周圍靜電夾具構件及第二周圍靜電夾具構件。在一實例中,圖1之控制器152經組配來單獨地及/或並行地供給能量予圖5A至圖5C之中心靜電夾具構件204、第一周圍靜電夾具構件214及第二周圍靜電夾具構件302。
根據又一實例,在圖5B中提供第二周圍屏蔽316,其中第二周圍屏蔽經組配來在第一周圍靜電夾具構件214處於延伸位置230處且第二周圍靜電夾具構件302處於收回位置228處時選擇性地覆蓋或屏蔽第二周圍夾具表面312,如圖5B中所例示。第二周圍屏蔽316例如可由與第一周圍屏蔽234之材料類似的材料形成。
因此,在圖5A中所例示之實例中,第一周圍屏蔽234之第一屏蔽內徑236與第一周圍靜電夾具構件214之第一內徑216相關聯。第一屏蔽內徑236例如與第一工件208之第一直徑218相關聯。此外,在圖5A之實例中,第一周圍屏蔽234之第一屏蔽外徑238與第二周圍靜電夾具構件302之第二外徑306相關聯。例如,第一屏蔽外徑238與圖5C之第三工件310之直徑308相關聯。
此外,圖5B之第二周圍屏蔽316例如具有與圖5A之第一周圍靜電夾具構件214之第一外徑218相關聯的第二屏蔽內徑318。圖5B之第二屏蔽內徑318例如與第二工件222之第二直徑220相關聯。此外,
第二周圍屏蔽316具有與第二周圍靜電夾具構件302之第二外徑306相關聯的第二屏蔽外徑320。因此,可基於將要支撐且夾緊的工件之所要的數目及大小,根據任何數目及大小的周圍靜電夾具構件利用任何數目及大小的周圍屏蔽。因此,本揭示案提供用於選擇性地夾緊各種大小之工件,同時屏蔽未由工件覆蓋的夾緊表面之部分的各種選擇及組態。
根據本揭示案之又一示範性態樣,一或多個傳送設備進一步經提供且組配來將至少第一工件208、第二工件222及第一周圍屏蔽234選擇性地傳送至圖3A至圖3B之中心夾具表面206及第一周圍夾具表面224。例如,圖1之真空傳送設備144經組配來在負載鎖定支撐件146與夾具系統200之間傳送圖3A至圖3B之第一工件208及第二工件222。在又一實例中,圖1之真空傳送設備144進一步經組配來在第一周圍夾具表面224與諸如製程腔室122或負載鎖定腔室136內的儲存位置(未示出)之間傳送圖3A至圖3B之第一周圍屏蔽234。
圖6A至圖6C例如例示正經由示範性抓手機構400置放於各別中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214上的第一工件208及第一周圍屏蔽234。例如,在圖6A中,當中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214兩者處於延伸位置230中時,第一周圍屏蔽234首先經由抓手機構400置放(藉由箭頭例示)於第一周圍靜電夾具構件214上。在圖6B中,第一周圍靜電夾具構件214經置放於收回位置228中,且第一工件208進一步經由抓手機構400置放(藉由箭頭例示)於中心靜電夾具構件204上。圖6C例示處於適當位置的第一工件208及第一周圍屏蔽234,其中夾具系統200準備好離子注入或其他處理。
圖7A至圖7B例如例示正經由示範性抓手機構400置放於各別中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214上的第二工件222。例如,在圖7A中,當中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214兩者處於延伸位置230中時,第二工件222首先經由抓手機構400置放(藉由箭頭例示)於中心靜電夾具構件204及第一周圍靜電夾具構件214上。圖7B因此例示處於適當位置的第二工件222,其中夾具系統200準備好離子注入或其他處理。
根據本揭示案之另一態樣,圖6A至圖6C及圖7A至圖7B之抓手機構400進一步例示於圖8A至圖8C中以用於單獨地抓緊不同大小之複數個工件。抓手機構400例如包含複數個抓手臂402(例如,兩個抓手臂),該等複數個抓手臂經組配來在抓緊位置404與釋放位置406之間平移,如分別在圖9A及圖9B中所例示。該等複數個抓手臂402例如可相對於彼此線性地平移,或繞軸線(未示出)旋轉。
如圖8A至圖8C中所例示,抓手機構400進一步包含複數個導件408,該等複數個導件可操作地耦接至該等複數個抓手臂402,其中當該等複數個抓手臂處於抓緊位置404中時,該等複數個導件中每一個之第一抓緊部分410與第一工件208之直徑相關聯。因此,當該等複數個抓手臂402處於抓緊位置404中時,該等複數個導件408之第一抓緊部分410(例如,凹口)經組配來選擇性地將第一工件208抓緊在該第一抓緊部分之間,如圖8A中所例示。第二抓緊部分412提供於例如該等複數個導件408中每一個上,且在該等複數個抓手臂402處於抓緊位置404中時與第二工件222之直徑相關聯,如圖8B中所例示。因此,當該等複數個抓手臂402
處於抓緊位置404中時,該等複數個導件408之第二抓緊部分412經組配來選擇性地抓緊第二工件222。此外,當該等複數個抓手臂處於圖9B之釋放位置406中時,該等複數個導件408之第一抓緊部分410及第二抓緊部分412經組配來選擇性地釋放各別第一工件208及第二工件222。
圖10及圖11A至圖11B例示本揭示案之另一示範性態樣,其中示範性負載鎖定支撐件146經提供來用於將第一工件208及第二工件222支撐在圖1之負載鎖定腔室136內。圖10之負載鎖定支撐件146例如包含固定地耦接至支撐板452的複數個支撐構件450。每一支撐構件450例如包含與第一工件208(例如,例示於圖11A中)之直徑相關聯的第一支撐結構454,及與第二工件222(例如,例示於圖11B中)之直徑相關聯的第二支撐結構456。第一支撐結構454及第二支撐結構456例如各自包含梯級458或其他特徵,其中當第一工件208置放於第一支撐結構上時,第一工件大體上駐留於低於第二工件222置放於第二支撐結構上時的平面上。因此,圖9A至圖9B之抓手機構400有利地能夠在無負載鎖定支撐件146之修改的情況下將各別第一工件208及第二工件222拾取且置放在圖1之負載鎖定腔室136內。
支撐構件450之數目、形狀及定向例如可取決於將要支撐的工件之數目、形狀及大小變化。例如,圖12A至圖12C例示經組配來支撐三個不同大小之工件的支撐構件470,其中除第一支撐結構454及第二支撐結構456之外,提供額外第三支撐結構472。因此,如圖12C中所例示,示範性支撐構件470經組配來支撐三個不同大小之工件474A-474C(例如具有100mm、150mm、200mm之直徑的工件)。
根據本揭示案之另一示範性態樣,圖13例示用於在離子注入系統中處置及夾緊可變大小之工件的示範性方法500。應注意,雖然示範性方法在本文中經例示且描述為一系列動作或事件,但將瞭解,本發明不受此等動作或事件之所例示排序限制,因為根據本發明,一些步驟可以不同次序且/或與除本文所示且描述的步驟之外的其他步驟並行地發生。另外,並非需要所有例示之步驟來實行根據本發明之方法論。此外,將瞭解,可與本文所例示且描述之系統相關聯並且與未例示的其他系統相關聯地實行方法。
圖13之方法500自動作502開始,其中提供具有第一表面之中心靜電夾具構件、具有第二表面之第一周圍靜電夾具構件,及第一周圍屏蔽。在動作504中,將第一周圍屏蔽置放於第一周圍靜電夾具構件之第二表面上,且在動作506中,相對於中心靜電夾具構件收回第一周圍靜電夾具構件。在動作508中,將第一工件置放於中心靜電夾具構件之第一表面上,且在動作510中,可藉由相對於第一工件傳遞離子束將離子注入第一工件中。
在動作512中,自中心靜電夾具構件移除第一工件,且在動作514中,相對於中心靜電夾具構件舉升第一周圍靜電夾具構件,其中將第二表面置放成大體上與第一表面共面。在動作516中,自第一周圍靜電夾具構件之第二表面移除第一周圍屏蔽,且在動作518中,將第二工件置放於中心靜電夾具構件之第一表面及第一周圍靜電夾具構件之第二表面上。在動作520中,可藉由相對於第二工件傳遞離子束將離子注入第二工件中,且在動作522中,自中心靜電夾具構件及第一周圍靜電夾具構件移
除第二工件。
儘管本發明已相對於一定實施例或多個實施例予以展示且描述,但應注意,以上所描述之實施例僅用作用於本發明之一些實施例之實行方案之實例,且本發明之應用不限於此等實施例。特定而言,關於藉由以上所描述之組件(總成、裝置、電路等)執行的各種功能,除非另有指示,否則用來描述此等組件的術語(包括對「手段」之涉及)意欲對應於執行所描述組件之指定功能(亦即,功能等效)的任何組件,即使並非在結構上等效於執行本發明之本文所例示示範性實施例中之功能的所揭示結構。另外,雖然已關於若干實施例中之僅一個揭示本發明之特定特徵,但此特徵可與其他實施例之一或多個其他特徵組合,如可對於任何給定或特定應用希望的及有利的。因此,本發明不限於以上所描述之實施例,但意欲僅受所附申請專利範圍及其等效物限制。
200:夾具系統
202:基底
204:中心靜電夾具構件
206:中心夾具表面
208:第一工件
210:第一中心直徑
212:直徑
214:第一周圍靜電夾具構件
224:第一周圍夾具表面
227:升降機
228:收回位置
230:延伸位置
232:軸線
234:第一周圍屏蔽
236:第一屏蔽內徑
238:第一屏蔽外徑
Claims (26)
- 一種靜電夾具系統,其包含:一掃描臂基底;一中心靜電夾具構件,其具有與一第一工件之一直徑相關聯的第一直徑,其中該中心靜電夾具構件可操作地耦接至該掃描臂基底且具有一第一表面,該第一表面經組配來支撐該第一工件且將該第一工件靜電式夾緊至該第一表面;一第一周圍靜電夾具構件,其具有一第一內徑及一第一外徑,其中該第一周圍靜電夾具構件可操作地耦接至該掃描臂基底且具有一第二表面,該第二表面經組配來支撐一第二工件之一周圍區域,其中該第二工件之直徑大於該第一工件之該直徑;一升降機,其經組配來沿大體垂直於該第一表面的一軸線在一收回位置與一延伸位置之間相對於該中心靜電夾具構件平移該第一周圍靜電夾具構件,其中當該第一周圍靜電夾具構件處於該收回位置中時,該第一表面高於該第二表面,且其中當該第一周圍靜電夾具構件處於該延伸位置中時,該第一表面及該第二表面為大體上共面的;以及一第一周圍屏蔽,其經組配以當該第一周圍靜電夾具構件處於該收回位置中時駐留於該第二表面上且屏蔽該第二表面。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具系統,其中該中心靜電夾具構件相對於該基底固定,且其中該升降機經組配來在該延伸位置與該收回位置之間平移該第一周圍靜電夾具構件。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具系統,其進一步包含: 一第二周圍靜電夾具構件,其具有一第二內徑及一第二外徑,其中該第二周圍靜電夾具構件可操作地耦接至該掃描臂基底且具有一第三表面,該第三表面經組配來支撐一第三工件之一周圍區域,其中該第三工件之一直徑大於該第二工件之該直徑,且其中該升降機進一步經組配來在該收回位置與該延伸位置之間相對於該中心靜電夾具構件平移該第二周圍靜電夾具構件,其中當該第二周圍靜電夾具構件處於該收回位置中時,該第一表面高於該第三表面,且其中當該第二周圍靜電夾具構件處於該延伸位置中時,該第一表面及該第三表面為大體上共面的;以及一第二周圍屏蔽,其經組配以當該第二周圍靜電夾具構件處於該收回位置中且該第一周圍靜電夾具構件處於該延伸位置中時屏蔽駐留於該第三表面上且屏蔽該第三表面。
- 如申請專利範圍第3項之靜電夾具系統,其進一步包含一控制器,該控制器經組配來經由該升降機之一控制單獨地控制該第一周圍靜電夾具構件及該第二周圍靜電夾具構件在各別該收回位置與該延伸位置之間的平移。
- 如申請專利範圍第4項之靜電夾具系統,其進一步包含一電源,該電源可操作地耦接至該中心靜電夾具構件、該第一周圍靜電夾具構件及該第二周圍靜電夾具構件,且其中該控制器經組配來經由該電源之一控制選擇性地供給能量予該中心靜電夾具構件、該第一周圍靜電夾具構件及該第二周圍靜電夾具構件。
- 如申請專利範圍第5項之靜電夾具系統,其中該控制器經組配來僅供給能量予該中心靜電夾具構件以將該第一工件靜電式夾緊至該中心靜電 夾具構件,並行地供給能量予該中心靜電夾具構件及該第一周圍靜電夾具構件以將該第二工件靜電式夾緊至該中心靜電夾具構件及該第一周圍靜電夾具構件,且並行地供給能量予該中心靜電夾具構件、該第一周圍靜電夾具構件及該第二周圍靜電夾具構件以將該第三工件靜電式夾緊至該中心靜電夾具構件、該第一周圍靜電夾具構件及該第二周圍靜電夾具構件。
- 如申請專利範圍第3項之靜電夾具系統,其中該第一周圍屏蔽進一步經組配以當該第一周圍靜電夾具構件及該第二周圍靜電夾具構件處於該收回位置中時駐留於該第三表面上且屏蔽該第三表面。
- 如申請專利範圍第7項之靜電夾具系統,其中該第二周圍屏蔽包含由一半導體材料組成的一表面。
- 如申請專利範圍第7項之靜電夾具系統,其中該第二周圍屏蔽由一半導體材料組成。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具系統,其進一步包含一控制器,該控制器經組配來經由該升降機之一控制來控制該第一周圍靜電夾具構件之該收回位置及該延伸位置。
- 如申請專利範圍第10項之靜電夾具系統,其進一步包含一電源,該電源可操作地耦接至該中心靜電夾具構件及該第一周圍靜電夾具構件,其中該控制器經組配來並行地供給能量予該中心靜電夾具構件及該第一周圍靜電夾具構件。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具系統,其中該第一周圍屏蔽塗佈有一半導體材料。
- 如申請專利範圍第12項之靜電夾具系統,其中該第一周圍屏蔽包 含塗佈有矽的一鋁圓盤。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具系統,其中該第一周圍屏蔽由一半導體材料組成。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具系統,其進一步包含:該第一表面及該第二表面中之一或多個中之一或多個後側氣體孔口;以及一後側氣體源,其經組配來將一後側氣體提供至該一或多個後側氣體孔口。
- 如申請專利範圍第15項之靜電夾具系統,其進一步包含一或多個氣體分配通道,該一或多個氣體分配通道界定於該中心靜電夾具構件及該第一周圍靜電夾具構件中,其中氣體分配通道中之該一或多個處於與該一或多個後側氣體孔口流體連通中。
- 如申請專利範圍第15項之靜電夾具系統,其進一步包含:一或多個側壁孔口,其界定於該中心靜電夾具構件及該第一周圍靜電夾具構件之一各別側壁中,其中該一或多個側壁孔口處於與該一或多個氣體分配通道流體連通中;以及一動態密封件,其與該等複數個該一或多個側壁孔口中之每一個相關聯,其中該動態密封件大體上容許該第一周圍靜電夾具構件相對於中心靜電夾具構件之平移,同時防止該後側氣體自該一或多個側壁孔口至一外部環境之一洩漏。
- 如申請專利範圍第17項之靜電夾具系統,其中該後側氣體源可操作地耦接至該中心靜電夾具構件,其中氣體分配通道中之該一或多個經由 該一或多個側壁孔口將該後側氣體提供至至少該第一周圍靜電夾具構件。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具系統,其進一步包含一或多個傳送設備,該一或多個傳送設備經組配來選擇性地傳送該第一工件、該第二工件及該第一周圍屏蔽往返於該第一表面及該第二表面。
- 如申請專利範圍第1項之靜電夾具系統,其中該掃描臂基底操作性地耦接至一掃描臂,其中該掃描臂經組配來選擇性地平移至少該第一工件穿過一離子束。
- 一種用於將離子注入一第一工件及一第二工件中之方法,其中該第一工件相較於該第二工件具有一較小直徑;該方法包含:提供具有一第一表面之一中心靜電夾具構件、具有一第二表面之一第一周圍靜電夾具構件,及一第一周圍屏蔽;將該第一周圍屏蔽置放於該第一周圍靜電夾具構件之該第二表面上;相對於該中心靜電夾具構件收回該第一周圍靜電夾具構件,其中該第二表面自該第一表面凹入;將該第一工件置放於該中心靜電夾具構件之一第一表面上;藉由相對於該第一工件傳遞一離子束來將離子注入該第一工件中;自該中心靜電夾具構件移除該第一工件;相對於該中心靜電夾具構件舉升該第一周圍靜電夾具構件,其中該第二表面大體上與該第一表面共面;自該第一周圍靜電夾具構件之該第二表面移除該第一周圍屏蔽;將該第二工件置放於該中心靜電夾具構件之該第一表面及該第一周圍靜電夾具構件之一第二表面上; 藉由相對於該第二工件傳遞一離子束來將離子注入該第二工件中;以及自該中心靜電夾具構件及該第一周圍靜電夾具構件移除該第二工件。
- 一種靜電夾具系統,其包含:一基底;一中心靜電夾具構件,其可操作地耦接至該基底,其中該中心靜電夾具構件具有一中心夾具表面,該中心夾具表面經組配來支撐具有一第一直徑之一第一工件且將該第一工件靜電式夾緊至該中心夾具表面;一第一周圍靜電夾具構件,其可操作地耦接至該基底,其中該第一周圍靜電夾具構件大體上包圍該中心靜電夾具構件,且其中該第一周圍靜電夾具構件具有一第一周圍夾具表面,該第一周圍夾具表面經組配來支撐且靜電式夾緊至少一第二工件之一周圍區域,其中該第二工件具有大於該第一工件之該第一直徑的一第二直徑;一升降機,其經組配來在一延伸位置與一收回位置之間沿大體上垂直於該中心夾具表面的一軸線相對於該中心靜電夾具構件選擇性地平移該第一周圍靜電夾具構件,其中當處於該延伸位置處時,該第一周圍夾具表面大體上與該中心夾具表面共面,且其中當處於該收回位置處時,該第一周圍夾具表面駐留於該中心夾具表面以下;以及一第一周圍屏蔽,其中該第一周圍屏蔽經組配以在該第一周圍靜電夾具構件處於該收回位置處時選擇性地覆蓋該第一周圍夾具表面。
- 如申請專利範圍第22項之靜電夾具系統,其進一步包含:一第二周圍靜電夾具構件,其可操作地耦接至該基底,其中該第二周圍靜電夾具構件大體上包圍該第一周圍靜電夾具構件,且其中該第二周圍 靜電夾具構件具有一第二周圍夾具表面,該第二周圍夾具表面經組配來支撐且靜電式吸引至少一第三工件之一周圍區域,其中該第三工件具有大於該第二工件之該第二直徑的一第三直徑,且其中該升降機進一步經組配來在該延伸位置與該收回位置之間沿該軸線相對於該中心靜電夾具構件選擇性地平移該第二周圍靜電夾具構件,其中當處於該延伸位置處時,該第二周圍夾具表面大體上與該中心夾具表面共面,且其中當處於該收回位置處時,該第二周圍夾具表面駐留於該中心夾具表面以下;以及一第二周圍屏蔽,其中該第二周圍屏蔽經組配以當該第一周圍靜電夾具構件處於該延伸位置處且該第二周圍夾具構件處於該收回位置處時選擇性地覆蓋該第二周圍夾具表面,且其中該第一周圍屏蔽進一步經組配以當該第一周圍靜電夾具構件及該第二周圍夾具構件處於該收回位置處時選擇性地覆蓋該第一周圍夾具表面及該第二周圍夾具表面兩者。
- 如申請專利範圍第23項之靜電夾具系統,其中在該等各別延伸位置處,該第二周圍靜電夾具構件經組配來僅接觸該第三工件,該第一周圍靜電夾具構件經組配來僅接觸該第二工件及該第三工件,且該中心靜電夾具構件經組配來接觸該第一工件、該第二工件及該第三工件中之任一者。
- 如申請專利範圍第23項之靜電夾具系統,其中當該第一周圍靜電夾具構件及該第二周圍夾具構件處於該等各別延伸位置處時,該第三工件接觸該中心夾具表面、該第一周圍夾具表面及該第二周圍夾具表面。
- 如申請專利範圍第23項之靜電夾具系統,其中該第一周圍靜電夾具構件具有與該第一工件之該第一直徑相關聯的一第一內徑及與該第二工件之一第二直徑相關聯的一第一外徑。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/281,540 | 2016-09-30 | ||
US15/281,540 US10186446B2 (en) | 2016-09-30 | 2016-09-30 | Adjustable circumference electrostatic clamp |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201816933A TW201816933A (zh) | 2018-05-01 |
TWI732953B true TWI732953B (zh) | 2021-07-11 |
Family
ID=60081311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106133932A TWI732953B (zh) | 2016-09-30 | 2017-09-30 | 具可調整周邊之靜電夾具 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10186446B2 (zh) |
JP (1) | JP7183151B2 (zh) |
KR (2) | KR20190053916A (zh) |
CN (1) | CN109831924B (zh) |
TW (1) | TWI732953B (zh) |
WO (1) | WO2018064302A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11011397B2 (en) | 2018-12-20 | 2021-05-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer soak temperature readback and control via thermocouple embedded end effector for semiconductor processing equipment |
US11688623B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer inspection apparatuses |
KR102437146B1 (ko) * | 2020-12-18 | 2022-08-29 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 그리고 척 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011155987A1 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | Axcelis Technologies Inc. | Heated annulus chuck |
WO2014157014A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | チャック装置 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297266A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Fujitsu Ltd | 静電チャックとウェハ吸着方法 |
JP3423186B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2003-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
JPH11219939A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台表面保護板、処理室内部のクリーニング方法及び基板載置台のクリーニング方法 |
US6313469B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-06 | Ebara Corporation | Substrate handling apparatus and ion implantation apparatus |
JP3720613B2 (ja) | 1999-02-03 | 2005-11-30 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法ならびに位置決め方法 |
JP2002353099A (ja) | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Canon Inc | 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870824B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-01-24 | 住友電気工業株式会社 | 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置 |
US6794664B1 (en) * | 2003-12-04 | 2004-09-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Umbilical cord facilities connection for an ion beam implanter |
US7057192B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-06-06 | Kaim Robert E | Radial scan arm and collimator for serial processing of semiconductor wafers with ribbon beams |
KR20080039380A (ko) | 2005-08-29 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판처리유닛, 기판이송방법, 기판세정처리유닛 및기판도금장치 |
KR100754245B1 (ko) | 2006-02-06 | 2007-09-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 웨이퍼 이송로봇 및 그를 구비한 반도체제조설비 |
CN101517725B (zh) * | 2006-08-17 | 2011-09-07 | 艾克塞利斯科技公司 | 用于离子注入***的工件处理扫描臂 |
US8422193B2 (en) * | 2006-12-19 | 2013-04-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck |
JP5317424B2 (ja) | 2007-03-28 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2008311351A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
CN101419929A (zh) * | 2007-10-23 | 2009-04-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘 |
US9036326B2 (en) * | 2008-04-30 | 2015-05-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Gas bearing electrostatic chuck |
US9558980B2 (en) * | 2008-04-30 | 2017-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Vapor compression refrigeration chuck for ion implanters |
JP2010056353A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US8902560B2 (en) * | 2008-10-31 | 2014-12-02 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic chuck ground punch |
SG162642A1 (en) | 2009-01-06 | 2010-07-29 | Frontken Singapore Pte Ltd | Techniques for maintaining a substrate processing system |
DE102010006433B4 (de) * | 2010-02-01 | 2012-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung zweier verschiedener radioaktiver Isotope |
CN102934218B (zh) * | 2010-06-08 | 2016-05-04 | 艾克塞利斯科技公司 | 高温下具有机械夹持能力的受热静电夹头 |
US8941968B2 (en) * | 2010-06-08 | 2015-01-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Heated electrostatic chuck including mechanical clamp capability at high temperature |
US8691702B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-04-08 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
US8709528B2 (en) * | 2011-12-28 | 2014-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer processing method and system using multi-zone chuck |
KR101940564B1 (ko) | 2012-02-22 | 2019-01-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 캐리어 자동 이송 장치와 이를 이용한 기판 캐리어 이송방법 |
US9064673B2 (en) | 2012-06-12 | 2015-06-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Workpiece carrier |
KR102127883B1 (ko) * | 2012-11-02 | 2020-06-29 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 포토패터닝-가능 연성 돌기 접촉면을 갖는 정전 척 |
JP5733333B2 (ja) | 2013-04-05 | 2015-06-10 | 日新イオン機器株式会社 | エネルギー線照射システム |
JP6119430B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-04-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
CN105336561B (zh) | 2014-07-18 | 2017-07-21 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀装置 |
US9911636B1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-03-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Multiple diameter in-vacuum wafer handling |
-
2016
- 2016-09-30 US US15/281,540 patent/US10186446B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-28 JP JP2019515370A patent/JP7183151B2/ja active Active
- 2017-09-28 CN CN201780057116.0A patent/CN109831924B/zh active Active
- 2017-09-28 KR KR1020197010917A patent/KR20190053916A/ko active Application Filing
- 2017-09-28 KR KR1020237001068A patent/KR102645372B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-28 WO PCT/US2017/053959 patent/WO2018064302A1/en active Application Filing
- 2017-09-30 TW TW106133932A patent/TWI732953B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011155987A1 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | Axcelis Technologies Inc. | Heated annulus chuck |
WO2014157014A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | チャック装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230010848A (ko) | 2023-01-19 |
KR20190053916A (ko) | 2019-05-20 |
WO2018064302A1 (en) | 2018-04-05 |
JP2019537243A (ja) | 2019-12-19 |
CN109831924B (zh) | 2024-02-13 |
US20180096875A1 (en) | 2018-04-05 |
KR102645372B1 (ko) | 2024-03-07 |
TW201816933A (zh) | 2018-05-01 |
JP7183151B2 (ja) | 2022-12-05 |
CN109831924A (zh) | 2019-05-31 |
US10186446B2 (en) | 2019-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9064673B2 (en) | Workpiece carrier | |
KR101901460B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20150066511A (ko) | 피가공재 캐리어 | |
TWI732953B (zh) | 具可調整周邊之靜電夾具 | |
JP2007533167A5 (zh) | ||
TWI538092B (zh) | 受熱環狀夾盤 | |
US20060237138A1 (en) | Apparatuses and methods for supporting microelectronic devices during plasma-based fabrication processes | |
US20200161162A1 (en) | Systems and methods for workpiece processing | |
TWM588883U (zh) | 半導體製程模組的中環 | |
TWI756267B (zh) | 一種離子植入系統與一種用於個別地夾緊具有不同大小之複數個工件之夾緊器機構 | |
CN110176427B (zh) | 基板处理设备及使用该基板处理设备的基板处理方法 | |
KR20150016388A (ko) | 불활성 대기 압력 예냉 및 후열처리 | |
US11430679B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
KR20180045053A (ko) | 대면적 듀얼 기판 가공 시스템 | |
TWI838579B (zh) | 晶圓處理系統 | |
KR20210107292A (ko) | 정렬 장치, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR20220039886A (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN116730018A (zh) | 输送要配置在基板处理室内的构件的装置 | |
JP2022534564A (ja) | 均一性調整のためのシャワーヘッドインサート |