TWI731195B - 配線基板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種配線基板的製造方法，具有：準備在支撐基板上依次層疊第1金屬層和上表面為粗糙表面或由顆粒構成的第2金屬層並可相對於該第1金屬層選擇性蝕刻該第2金屬層的支撐體的步驟；在該第2金屬層的上表面上選擇性形成第3金屬層的步驟；藉由蝕刻液對該第3金屬層進行粗糙化並同時對未被該第3金屬層覆蓋的該第2金屬層進行溶解，形成在該第2金屬層上層疊了該第3金屬層的第1配線層的步驟；在該第1金屬層上形成覆蓋該第1配線層的絕緣層的步驟；以及去除該支撐基板再藉由蝕刻去除該第1金屬層的步驟。

Description

配線基板的製造方法
本發明涉及配線基板的製造方法。
在支撐基板上依次層疊了由銅構成的厚箔、剝離層及由銅構成的薄箔的支撐體為周知者。當使用該支撐體製造配線基板時，首先，在薄箔上形成具有開口部的光阻(resist)層。接著，在開口部內所露出的薄箔上形成由銅構成的配線層，並在去除光阻層之後，在薄箔上形成覆蓋配線層的絕緣層。根據需要在絕緣層上再依次層疊配線層和絕緣層之後，藉由剝離層機械去除支撐基板和厚箔，再藉由蝕刻去除薄箔(例如，參照專利文獻1)。
此外，在支撐基板上依次層疊了由銅構成的厚箔、剝離層及由相對於配線層可選擇性進行蝕刻的金屬構成的薄箔的支撐體也為周知者。當使用該支撐體製造配線基板時，在薄箔上形成具有開口部的光阻層。接著，在開口部內所露出的薄箔上形成配線層，並在去除光阻層之後，在薄箔上形成覆蓋配線層的絕緣層。根據需要在絕緣層上再依次層疊配線層和絕緣層之後，藉由剝離層機械去除支撐基板和厚箔，再藉由蝕刻去除薄箔(例如，參照專利文獻2)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕(日本)專利第4273895號
〔專利文獻2〕(日本)特開2002-76578號公報
然而，在專利文獻1所述的配線基板的製造方法中，薄箔和配線層可溶於相同蝕刻液，故當藉由蝕刻去除薄箔時，過度蝕刻使配線層的端部也被蝕刻，導致配線層的表面從絕緣層的表面窪下。一旦配線層的表面從絕緣層的表面窪下，當採用焊料連接配線層和半導體晶片(chip)等時，焊料難以進入凹部，存在配線基板和半導體晶片等的連接信賴性下降的風險。
在專利文獻2所述的配線基板的製造方法中，可相對於配線層對薄箔進行選擇性蝕刻，故在薄箔去除步驟中不會出現過度蝕刻導致配線層的厚度減小的問題。然而，例如在薄箔為鎳的情況下，鎳表面發生氧化容易形成鈍化膜(passive film)，故存在無法獲得鎳和配線層的密著，進而引起鎳和配線層的界面發生剝離的情況。其結果導致配線基板的良率(yield rate)降低。
本發明是鑑於上述問題而提出的，其目的在於提供一種可提高連接信賴性和良率的配線基板的製造方法。
本配線基板的製造方法具有：準備在支撐基板上依次層疊第1金屬層和上表面為粗糙表面或由顆粒構成的第2金屬層並可相對於該第1金屬層對該第2金屬層進行選擇性蝕刻的支撐體的步驟；在該第2金屬層的上表面上選擇性形成第3金屬層的步驟；形成藉由蝕刻液對該第3金屬層進行粗糙化並同時對未被該第3金屬層覆蓋的該第2金屬層進行溶解以在該第2金屬層上層疊了該第3金屬層的第1配線層的步驟；在該第1金屬層上形成覆蓋該第1配線層的絕緣層的步驟；以及去除該支撐基板再藉由蝕刻去除該第1金屬層的步驟。
根據公開的技術，能夠提供一種可提高連接信賴性和良率的配線基板的製造方法。
1、2‧‧‧配線基板
10‧‧‧配線層
11、31、51‧‧‧第1層
12、32、52‧‧‧第2層
20、40、60、70‧‧‧絕緣層
20x、40x‧‧‧導通孔
33、53‧‧‧第3層
60x、70x‧‧‧開口部
100、100A、100B‧‧‧支撐體
110、110A、120、130、130A、150、320‧‧‧金屬層
111‧‧‧一次顆粒
112‧‧‧二次顆粒
140‧‧‧支撐基板
310‧‧‧金屬箔
〔圖1〕第1實施方式的配線基板的例示圖。
〔圖2(a)~(d)〕第1實施方式的配線基板的製造步驟的例示圖(其1)。
〔圖3(a)~(e)〕第1實施方式的配線基板的製造步驟的例示圖(其2)。
〔圖4〕第2實施方式的配線基板的例示圖。
〔圖5(a)~(d)〕第2實施方式的配線基板的製造步驟的例示圖(其1)。
〔圖6(a)~(c)〕第2實施方式的配線基板的製造步 驟的例示圖(其2)。
〔圖7(a)~(c)〕第2實施方式的配線基板的製造步驟的例示圖(其3)。
〔圖8(a)~(c)〕支撐體的變形例的剖面圖。
以下參照圖示對用於實施發明的方式進行說明。這裡需要說明的是，各圖中，存在對相同構成部分賦予相同符號並省略重複說明的情況。
〈第1實施方式〉
〔第1實施方式的配線基板的結構〕
首先，對第1實施方式的配線基板的結構進行說明。圖1是第1實施方式的配線基板的例示剖面圖。
參照圖1，配線基板1為具有1層配線層10和1層絕緣層60的無核(coreless)配線基板。配線層10為在第1層11上層疊了第2層12的層疊結構。
配線基板1中，配線層10嵌入絕緣層60的下表面側。配線層10的下表面從絕緣層60的下表面露出，配線層10的上表面的一部分和側面被絕緣層60覆蓋。配線層10的上表面在絕緣層60的開口部60x內選擇性露出。就從絕緣層60的下表面露出的配線層10的下表面而言，例如，其平面形狀被形成為圓形，並可作為用於與半導體晶片連接的墊(pad)來使用。就在絕緣層60的開口部60x內選擇性露出的配線層10的上表面而言，例如，其平面形狀被形成為圓形，並可作為用於與其他配線基板等連接的墊來使用。
配線層10也可具有下表面從絕緣層60的下表面露出並且上表面和側面被絕緣層60覆蓋的配線圖案。
這裡需要說明的是，本實施方式中，為了方便起見，配線基板1中絕緣層60的開口部60x進行開口的一側被稱為一側或上側，配線層10的第1層11從絕緣層60露出的一側被稱為下側或另一側。此外，各部位的絕緣層60的開口部60x進行開口的一側的面被稱為一個面或上表面，第1層11從絕緣層60露出的一側的面被稱為另一個面或下表面。然而，配線基板1也可在上下顛倒的狀態下進行使用或者可在任意角度下進行配置。此外，平面觀察是指沿從絕緣層60的一個面的法線方向觀察對象物，平面形狀是指沿絕緣層60的一個面的法線方向觀察對象物時的形狀。
構成配線層10的第1層11例如可使用銅(Cu)等來形成。第1層11的厚度例如可為0．01~1．0μm左右。第1層11的上表面為粗糙表面。第1層11的上表面的表面粗糙度Ra例如可為0．3~0．6μm左右。第1層11的下表面例如可與絕緣層60的下表面同面。這裡需要說明的是，第1層11的下表面與上表面不同，並非粗糙表面，而是平坦面。
構成配線層10的第2層12例如可使用銅(Cu)等來形成。第2層12的厚度例如可為30μm左右。第2層12的上表面在絕緣層60的開口部60x內選擇性露出。第2層12的上表面和側面為粗糙表面。第2層12的上表面和側面的表面粗糙度Ra例如為0．3~0．6μm左右。
這樣，藉由使第1層11的上表面為粗糙表面，可提高與第2層12的下表面之間的密著性。其結果為可防止第1層11和第2層12發生剝離。此外，藉由使第2層12的上表面和側面(配線層10的上表面和側面)為粗糙表面，可提高與絕緣層60之間的密著性。此外，藉由提高與後述的光阻層900之間的密著性，可進行信賴性較高的圖案化，並可進行配線的精細化。
絕緣層60為形成配線層10的層，並也發揮阻焊(solder resist)層的功能。作為絕緣層60的材料，例如可使用感光性環氧系絕緣樹脂、丙烯系絕緣樹脂等。然而，作為絕緣層60的材料，例如也可使用非感光性(熱硬化性樹脂)環氧系絕緣樹脂、聚酰亞胺系絕緣樹脂。絕緣層60的厚度例如可為10~50μm左右。這裡需要說明的是，絕緣層60的厚度是指從第2層12的上表面至絕緣層60的上表面的距離(其他絕緣層也同樣)。絕緣層60具有在上表面側進行開口的開口部60x，開口部60x內露出了配線層10的第2層12的上表面的一部分。
根據需要，在開口部60x內所露出的第2層12的上表面上也可設置焊料球等外部連接端子。此外，根據需要，還可在第1層11的下表面、開口部60x內所露出的第2層12的上表面上形成金屬層。作為金屬層的例子，可列舉出Au層、Ni/Au層(Ni層和Au層依此順序進行了層疊的金屬層)、Ni/Pd/Au層(Ni層、Pd層及Au層依此順序進行了層疊的金屬層)等。此外，取代形成金屬層， 還可實施OSP(Organic Solderability Preservative)處理等防氧化處理。這裡需要說明的是，藉由OSP處理所形成的表面處理層是由唑(azole)化合物、咪唑(imidazole)化合物等構成的有機膜。
〔第1實施方式的配線基板的製造方法〕
接著對第1實施方式的配線基板的製造方法進行說明。圖2和圖3為第1實施方式的配線基板的製造步驟的例示圖。本實施方式中，示出了在支撐體上製作成為複數個配線基板的部分並在去除支撐體之後進行划片(singulation)以使其作為各配線基板的步驟的例子，然而，也可為在支撐體上1個接1個地製作配線基板並去除支撐體的步驟。
首先，在圖2(a)所示的步驟中，準備在支撐基板140上依次層疊了金屬層130、金屬層120及金屬層110的支撐體100。
作為支撐基板140，例如可採用使預浸料(prepreg)硬化了的基板。預浸料例如可為使環氧系絕緣樹脂等含侵於玻璃纖維、芳綸(aramid)纖維等織布或不織布(未圖示)的預浸料。支撐基板140的厚度例如可為18~100μm左右。
金屬層130例如是由銅構成的厚度為10~50μm左右的金屬箔(載體(carrier)箔)。在金屬層130上藉由剝離層(未圖示)在可剝離的狀態下貼著了由鎳等構成的厚度為1．5~5μm左右的金屬層120。在金屬層120上層疊了由銅等構成的厚度為0．01~1．0μm左右的金 屬層110。金屬層110的上表面為粗糙表面，其表面粗糙度大於下表面。金屬層110的粗糙表面可藉由在電解鍍法中調整鍍液的組成成分而形成，也可藉由蝕刻而形成。金屬層110的上表面的表面粗糙度Ra例如可為0．3~0．6μm左右。這裡需要說明的是，金屬層110和金屬層120的組合並不限於銅和鎳，還可使用互相都能進行選擇性蝕刻的金屬。
接著，在圖2(b)所示的步驟中，在支撐體100的金屬層110的上表面上形成光阻層900。具體而言，例如，在金屬層110的上表面上層壓(laminate)由感光性樹脂構成的乾膜(dry film)光阻作為光阻層900。由於金屬層110的上表面為粗糙表面，故可提高與光阻層900之間的密著性。
接著，在圖2(c)所示的步驟中，藉由曝光和顯影對由乾膜光阻等構成的光阻層900進行圖案化，以在形成配線層10的部分處形成選擇性露出金屬層110的上表面(粗糙表面)的開口部900x。
接著，在圖2(d)所示的步驟中，藉由將金屬層110使用為電鍍供電層的電解鍍法，在光阻層900的開口部900x內所露出的金屬層110的上表面(粗糙表面)上選擇性形成第2層12。第2層12的下表面與金屬層110的上表面相接，上表面在開口部900x內露出。作為第2層12，藉由形成和金屬層110同樣可溶於相同蝕刻液的金屬層，在圖3(b)所示的步驟中可同時對第2層12和金屬 層110的表面進行粗糙化。第2層12和金屬層110例如可為銅層。
接著，在圖3(a)所示的步驟中，對圖2(d)所示的光阻層900進行剝離。光阻層900例如可使用含有氫氧化鈉等的剝離液進行剝離。
接著，在圖3(b)所示的步驟中，藉由蝕刻液對第2層12進行粗糙化並同時對未被第2層12覆蓋的金屬層110進行溶解和去除。據此，金屬層110的剩餘部分成為第1層11，並形成在第1層11上層疊了第2層12的配線層10。例如，在第1層11和第2層12為銅層的情況下，例如可使用過氧化氫/硫酸系水溶液、過硫酸鈉水溶液、過硫酸銨水溶液等蝕刻液。此時，在金屬層120由鎳構成的情況下，金屬層120為蝕刻阻止(stop)層，故金屬層130不會被蝕刻。
藉由蝕刻去除未被第2層12覆蓋的金屬層110，與此同時，第2層12的上表面和側面被粗糙化(即，配線層10的上表面和側面被粗糙化)。配線層10的上表面和側面的表面粗糙度Ra優選為0．3~0．6μm左右，此情況下的蝕刻量為0．35~1．5μm左右。
也就是說，在圖2(a)所示的步驟中，事先使金屬層110形成為能以蝕刻量0．35~1．5μm進行去除的厚度(例如，厚度為0．01~1．0μm左右)。據此，在圖3(b)所示的步驟中，可在對配線層10的上表面和側面進行蝕刻以使Ra為0．3~0．6μm左右的同時，還對 未被第2層12覆蓋的金屬層110進行去除。
接著，在圖3(c)所示的步驟中，在金屬層120的上表面上形成覆蓋配線層10的絕緣層60。絕緣層60例如可藉由絲網印刷法(screen printing)、輥塗法(roll coating)或旋塗法(spin coating)等以覆蓋配線層10的方式塗敷液狀或膏(paste)狀絕緣樹脂而形成。或者，也可採用覆蓋配線層10的方式層壓(laminate)膜狀絕緣樹脂。作為絕緣樹脂，例如可使用感光性或非感光性環氧系絕緣樹脂、丙烯系絕緣樹脂、聚酰亞胺系絕緣樹脂等。
之後，對塗敷或層壓了的絕緣樹脂進行曝光和顯影，由此在絕緣層60上形成選擇性露出配線層10的上表面的開口部60x(光刻(photolithography)法)。在使用非感光性環氧系絕緣樹脂、聚酰亞胺系絕緣樹脂等作為絕緣層60的材料的情況下，也可藉由鐳射(laser)加工法、噴砂(blast)處理等形成開口部60x。在藉由鐳射加工法形成開口部60x的情況下，優選進行表面去污(desmear)處理，以對開口部60x內所露出的配線層10的上表面上附著的絕緣層60的樹脂殘渣進行去除。
接著，在圖3(d)所示的步驟中，從圖3(c)所示的結構體上去除支撐體100的一部分。具體而言，對支撐體100施加機械力，以對金屬層120和金屬層130的界面進行剝離。如前所述，金屬層120藉由剝離層(未圖示)在可剝離的狀態下貼著在金屬層130上，故可容易地對金屬層120和金屬層130的界面進行剝離。據此，金屬層12 0殘留在絕緣層60側，而構成支撐體100的其他部件(金屬層130和支撐基板140)都被去除。
接著，在圖3(e)所示的步驟中，去除金屬層120(參照圖3(d))。在金屬層120由鎳(Ni)構成且配線層10的第1層11由銅構成的情況下，選擇不去除銅而去除鎳(Ni)的蝕刻液。例如，可使用過氧化氫/硝酸系水溶液等蝕刻液。據此，可不蝕刻配線層10的第1層11而蝕刻金屬層120。其結果為，在絕緣層60的下表面上露出了配線層10的第1層11的下表面。配線層10的第1層11的下表面例如可與絕緣層60的下表面同面。
這裡需要說明的是，在絕緣層60的下表面的露出了第1層11的下表面以外的區域內存在金屬層110的殘渣的情況下，可藉由蝕刻對其進行去除。此時，由於殘渣僅是微量，故基本上不存在蝕刻會導致第1層11的下表面窪下的風險。當然，在圖3(b)的步驟中，也可完全去除未被第2層12覆蓋的金屬層110。
根據需要，還可在絕緣層60的下表面所露出的配線層10的第1層11的下表面和/或開口部60x內所露出的配線層10的第2層12的上表面上例如藉由無電解鍍法等形成金屬層。作為金屬層的例子，如前所述。此外，還可在絕緣層60的下表面所露出的配線層10的第1層11的下表面和/或開口部60x內所露出的配線層10的第2層12的上表面上實施OSP處理等防氧化處理。
在圖3(e)所示的步驟之後，對圖3(e)所 示的結構體藉由切刀(slicer)等在切斷位置C處進行切斷以進行划片，由此製成複數個配線基板1(參照圖1)。根據需要，也可在開口部60x內所露出的配線層10的第2層12的上表面上設置焊料球等外部連接端子。
這樣，根據第1實施方式的配線基板的製造方法，使用在支撐基板140上依次層疊金屬層120和相對於金屬層120可進行選擇性蝕刻的金屬層110且金屬層110的上表面為粗糙表面的支撐體100。接著，在金屬層110的粗糙表面上選擇性形成第2層12，然後藉由蝕刻液對第2層12進行粗糙化並同時對未被第2層12覆蓋的金屬層110進行溶解和去除，由此形成在第1層11上層疊了第2層12的配線層10。
據此，由於不需要象先前方法那樣在去除支撐基板140和金屬層120、130之後再對金屬層110進行蝕刻的步驟，故配線層10的下表面不會從絕緣層60的下表面窪下。為此，藉由焊料對配線層10和半導體晶片等進行連接時，由於不會出現焊料難以進行凹部的問題，故可提高配線基板1和半導體晶片等的連接信賴性。
此外，先前方法中，需要考慮配線層下表面從絕緣層下表面窪下所引起的配線層厚度的減少量，以事先增厚原來的配線層的厚度。在此情況下，由於選擇性形成配線層時所使用的光阻層的厚度變厚，故難以實現配線層的高密度化(精細圖案化)。根據第1實施方式的配線基板的製造方法，與先前方法相比，由於可使光阻層的厚度薄化，故可實現配線層的 高密度化(精細圖案化)。
此外，根據第1實施方式的配線基板的製造方法，在成為蝕刻阻止層的金屬層120上形成了金屬層110，故可為金屬層120和金屬層110選擇不同的材料。為此，即使在作為成為蝕刻阻止層的金屬層120的材料而選擇了鎳的情況下，由於鎳的表面被金屬層110所覆蓋，故可抑制表面氧化所引起的鈍化膜的形成。此外，藉由選擇難以形成鈍化膜的銅等作為金屬層110的材料，還可避免鈍化膜所引起的金屬層110和第2層12的密著性的下降。其結果為，金屬層110和第2層12的界面不會發生剝離，進而可提高配線基板1的良率。
此外，在第1實施方式的配線基板的製造方法中，作為第2層12，優選形成和金屬層110同樣可溶於相同蝕刻液的金屬層。據此，可在對未被第2層12覆蓋的金屬層110進行去除的同時，對被第2層12覆蓋的金屬層110的側面和第2層12的上表面、側面進行粗糙化。也就是說，由於可同時進行不需要的金屬層110的去除和用於提高與絕緣層60之間的密著性的粗糙化，故可實現配線基板1的製造步驟的簡化和低成本化。
〈第2實施方式〉
第2實施方式中示出3層結構的配線基板的例子。這裡需要說明的是，第2實施方式中存在對與已述的實施方式相同的構成部分的說明進行省略的情況。
〔第2實施方式的配線基板的結構〕
首先，對第2實施方式的配線基板的結構進行說明。圖4是對第2實施方式的配線基板進行例示的剖面圖。參照圖4，第2實施方式的配線基板2在追加了絕緣層20、配線層30、絕緣層40、配線層50及絕緣層70這點上與配線基板1(參照圖1)不同。
絕緣層20被形成為覆蓋配線層10的上表面和側面。作為絕緣層20的材料，例如可使用非感光性(熱硬化性樹脂)環氧系絕緣樹脂、聚酰亞胺系絕緣樹脂等。然而，作為絕緣層60的材料，例如還可使用感光性環氧系絕緣樹脂、丙烯系絕緣樹脂等。絕緣層20也可含有石英(SiO2)等填充物(filler)。絕緣層20的厚度例如可為10~50μm左右。絕緣層20具有在上表面側進行開口的導通孔(via hole)20x，導通孔20x內露出了配線層10的第2層12的上表面的一部分。
配線層30形成在絕緣層20上。配線層30以包含在貫穿絕緣層20並露出配線層10的上表面的導通孔20x內所填充的導通(via)配線和在絕緣層20的上表面上所形成的配線圖案的方式而被構成。導通孔20x為在絕緣層40側進行開口的開口部的直徑大於由配線層10的上表面所形成的開口部的底面的直徑的逆(倒)圓錐台狀凹部。配線層30與導通孔20x的底部所露出的配線層10電連接。
配線層30具有第1層31、第2層32及第3層33。第1層31形成在絕緣層20的上表面的導通孔20x的周圍。第2層32形成在第1層31上，從第1層31上 開始延伸並沿著導通孔20x的內壁而形成，此外還覆蓋在導通孔20x內所露出的配線層10的上表面。第3層33形成在第2層32上，並對內壁上形成了第2層32的導通孔20x內進行充填。
作為第1層31、第2層32及第3層33的材料，例如可使用銅等。第1層31的厚度例如可為0．5~5μm左右。第2層32的厚度例如可為0．3~1．5μm左右。第3層33的厚度例如可為4~30μm左右。
第1層31的側面為粗糙表面。此外，第2層32的側面為粗糙表面。另外，第3層33的上表面和側面也為粗糙表面。也就是說，配線層30的上表面和側面都為粗糙表面。第1層31的側面、第2層32的側面及第3層33的上表面、側面的表面粗糙度Ra例如可為0．3~0．6μm左右。
絕緣層40被形成為覆蓋配線層30的上表面和側面。絕緣層40的材料和/或厚度例如可與絕緣層20相同。絕緣層40具有在上表面側進行開口的導通孔40x，導通孔40x內露出了配線層30的第3層33的上表面的一部分。
配線層50形成在絕緣層40上。配線層50以包括在貫穿絕緣層40並露出配線層30的上表面的導通孔40x內所充填的導通配線和在絕緣層40的上表面上所形成的配線圖案的方式而構成。導通孔40x為在絕緣層60側進行開口的開口部的直徑大於由配線層30的上表面所形成 的開口部的底面的直徑的逆(倒)圓錐台狀凹部。配線層50與導通孔40x的底部所露出的配線層30電連接。
配線層50具有第1層51、第2層52及第3層53。配線層50的第1層51、第2層52及第3層53的結構、材料等可與配線層30的第1層31、第2層32及第3層33相同。
第1層51的側面為粗糙表面。此外，第2層52的側面為粗糙表面。另外，第3層53的上表面和側面也為粗糙表面。也就是說，配線層50的上表面和側面都為粗糙表面。第1層51的側面、第2層52的側面及第3層53的上表面、側面的表面粗糙度Ra例如可為0．3~0．6μm左右。
絕緣層60被形成為覆蓋配線層50的上表面和側面。絕緣層60的開口部60x內露出了配線層50的第3層53的上表面的一部分。就在絕緣層60的開口部60x內選擇性露出的配線層50的上表面而言，例如，其平面形狀被形成為圓形，可作為用於與其他配線基板等連接的墊來使用。
絕緣層70形成在絕緣層20的下表面以覆蓋配線層10，並發揮阻焊層的功能。絕緣層70具有開口部70x，開口部70x選擇性地露出了配線層10。就在開口部70x內露出的配線層10的下表面而言，例如，其平面形狀被形成為圓形，可作為用於與半導體晶片連接的墊來使用。絕緣層70的材料和/或厚度例如可與絕緣層60相同。
〔第2實施方式的配線基板的製造方法〕
接著，對第2實施方式的配線基板的製造方法進行說明。圖5~圖7是第2實施方式的配線基板的製造步驟的例示圖。本實施方式中示出了在支撐體上製作複數個成為配線基板的部分並在去除支撐體之後進行划片以使其作為各配線基板的步驟的例子，然而，也可為在支撐體上1個接1個地製作配線基板並去除支撐體的步驟。
首先，實施第1實施方式的圖2(a)~圖3(b)所示的步驟。接著，在圖5(a)所示的步驟中，在絕緣層20上層疊銅箔等金屬箔310。具體而言，例如，準備在預浸料的一個表面上接著了金屬箔310的帶有金屬箔的預浸料。之後，以預浸料覆蓋配線層10的方式在金屬層120的上表面上層疊帶有金屬箔的預浸料，並一邊進行加熱處理一邊藉由模具進行壓力成形。據此，預浸料發生硬化，形成在上表面上層疊了金屬箔310的絕緣層20。這裡需要說明的是，並不限於預浸料，還可使用不含玻璃布(glass cloth)的感光性．非感光性樹脂。
接著，在圖5(b)所示的步驟中，形成貫穿金屬箔310和絕緣層20並露出配線層10的上表面的導通孔20x。導通孔20x例如可藉由向金屬箔310和絕緣層20照射鐳射光的鐳射加工法而形成。在藉由鐳射加工法形成導通孔20x的情況下，優選實施表面去污處理，以去除在導通孔20x內所露出的配線層10的上表面上付著的絕緣層20的樹脂殘渣。
接著，在圖5(c)所示的步驟至圖6(b)所 示的步驟中，形成配線層30。配線層30例如可藉由半添加法(semi-additive process)而形成。為了採用半添加法形成配線層30，首先，如圖5(c)所示，採用無電解鍍法或濺射法，作為種子(seed)層形成由銅等構成的金屬層320。金屬層320被形成為連續覆蓋金屬箔310的整個上表面、導通孔20x的內壁面、及導通孔20x內所露出的配線層10的上表面。金屬層320的厚度例如可為0．3~1．5μm左右。
這裡需要說明的是，在圖5(a)所示的步驟中，不層疊金屬箔310而層疊成為絕緣層20的預浸料，在圖5(c)所示的步驟中，還可在絕緣層20上直接形成金屬層320。然而，在使用帶有金屬箔的預浸料的情況下，由於可提高絕緣層20和金屬箔310的密著性，故，如果在金屬箔310上形成金屬層320，則作為結果也可提高金屬層320和絕緣層20的密著性，在此點上係較佳者。
接著如圖5(d)所示，在金屬層320上形成具有與配線層30對應的開口部910x的光阻層910(乾膜光阻等)。之後如圖6(a)所示，藉由將金屬層320使用為供電層的電解鍍法，使光阻層910的開口部910x內析出銅等，進而選擇性地形成作為電解鍍層的第3層33。
接著如圖6(b)所示，去除光阻層910之後，以第3層33為掩膜(mask)並藉由蝕刻，對未被第3層33覆蓋的金屬箔310和金屬層320進行去除。據此，基於金屬箔310形成第1層31，基於金屬層320形成第2層3 2，並形成具有第1層31、第2層32及第3層33的配線層30。例如，在第1層31和第2層32由銅構成的情況下，例如可使用過氧化氫/硫酸系水溶液、過硫酸鈉水溶液、過硫酸銨水溶液等蝕刻液。
藉由蝕刻對未被第3層33覆蓋的金屬箔310和金屬層320進行去除的同時，第1層31和第2層32的側面及第3層33的上表面和側面被進行粗糙化(即，配線層30的上表面和側面被進行粗糙化)。藉由對配線層30的上表面和側面進行粗糙化，可提高配線層30和後續步驟中所形成的絕緣層40之間的密著性。配線層30的上表面和側面的表面粗糙度Ra優選為0．3~0．6μm左右，此情況下的蝕刻量為0．35~1．5μm左右。
也就是說，在圖5(a)和圖5(c)所示的步驟中，事先形成金屬箔310和金屬層320，以使金屬箔310和金屬層320的總厚為能以蝕刻量0．35~1．5μm進行去除的厚度(例如，厚度為0．8μm)。據此，在圖6(b)所示的步驟中，可在對配線層30的上表面和側面進行蝕刻以使Ra為0．3~0．6μm左右的同時，還對未被第3層33覆蓋的金屬箔310和金屬層320進行去除。此外，種子層的去除和粗糙化也可在不同的步驟中進行。
接著，在圖6(c)所示的步驟中，實施與圖5(a)~圖6(b)同樣的步驟，以形成絕緣層40和配線層50。具體而言，在絕緣層20上形成覆蓋配線層30的絕緣層40，並在絕緣層40上形成露出配線層30的上表面的導 通孔40x，之後，在絕緣層40上形成藉由導通孔40x與配線層30電連接的配線層50。配線層50的上表面和側面與配線層30的上表面和側面同樣地被進行粗糙化。藉由對配線層50的上表面和側面進行粗糙化，可提高配線層50和後續步驟中所形成的絕緣層60之間的密著性。
接著，在圖7(a)所示的步驟中，與圖3(d)所示的步驟同樣地，從圖6(c)所示的結構體中去除支撐體100的一部分。具體而言，對支撐體100施加機械力，以對金屬層120和金屬層130的界面進行剝離。據此，金屬層120殘留在絕緣層20側，而構成支撐體100的其他部件(金屬層130和支撐基板140)都被去除。
接著，在圖7(b)所示的步驟中，與圖3(e)所示的步驟同樣地，去除金屬層120(參照圖7(a))。據此，在絕緣層20的下表面上露出配線層10的第1層11的下表面。配線層10的第1層11的下表面例如可與絕緣層20的下表面同面。
這裡需要說明的是，在絕緣層20的下表面的露出了第1層11的下表面以外的區域內存在金屬層110的殘渣的情況下，可藉由蝕刻對其進行去除。此時，由於殘渣為微量，故不存在蝕刻會導致第1層11的下表面窪下的風險。
接著，在圖7(c)所示的步驟中，在絕緣層40的上表面上形成覆蓋配線層50的絕緣層60。此外，在絕緣層20的下表面上形成覆蓋配線層10的絕緣層70。絕緣層60、70是發揮阻焊層的功能的層。之後，在絕緣層60 上形成選擇性地使配線層50的上表面露出的開口部60x。此外，在絕緣層70上形成選擇性地使配線層10的下表面露出的開口部70x。絕緣層60、70和開口部60x、70x例如可採用與圖3(c)所示的步驟中的絕緣層60和開口部60x同樣的方法來形成。
根據需要，還可在絕緣層20的下表面上所露出的配線層10的第1層11的下表面和/或開口部60x內所露出的配線層50的第3層53的上表面上例如藉由無電解鍍法等形成金屬層。作為金屬層的例子，如前所述。此外，還可在絕緣層20的下表面所露出的配線層10的第1層11的下表面和/或開口部60x內所露出的配線層50的第3層53的上表面上實施OSP處理等防氧化處理。
這裡需要說明的是，絕緣層60可在圖6(c)所示的步驟中形成了配線層50之後再形成。此外，絕緣層7可根據需要進行形成。
圖7(c)所示的步驟之後，針對圖7(c)所示的結構體藉由切刀等在切斷位置C處進行切斷以進行划片，由此製成複數個配線基板2(參照圖4)。根據需要，還可在開口部60x內所露出的配線層50的第3層53的上表面上設置焊料球等外部連接端子。
這樣，可實現3層結構的配線基板2。另外，在配線層50上交互層疊必要數量的絕緣層和配線層，由此也可製得4層結構以上的配線基板。配線基板2具有與第1實施方式同樣的效果。此外，就第2層以後的配線層而言，由於可同 時進行不需要的金屬層的去除和用於提高與絕緣層之間密著性的配線層的粗糙化，故也可實現配線基板2的製造步驟的簡化和低成本化。
〈支撐體的變形例〉
這裡示出支撐體的變形例。需要說明的是，支撐體的變形例中存在對與已述的實施方式相同的構成部的說明進行省略的情況。
圖8是表示支撐體的變形例的剖面圖。如圖8(a)所示，支撐體100A中，金屬層120和金屬層110之間層疊了藉由濺射法所形成的金屬層150。作為金屬層150的材料，例如可使用銅、鎳等。金屬層150的厚度例如可為0．1μm以下左右。
例如，在金屬層120由鎳箔構成並且金屬層110由電解鍍銅層構成的情況下，存在無法確保兩者間的密著性的情況。此情況下，藉由在兩者間配置藉由濺射法而形成的金屬層150，可提高兩者間的密著性。
如圖8(b)所示，支撐體100B中，支撐基板140和金屬層120之間層疊了金屬層130A，金屬層130A的與支撐基板140相接的下表面為粗糙表面。金屬層130A的下表面的表面粗糙度Ra例如可為0．3~1．0μm左右。這樣，藉由使金屬層130A的與支撐基板140相接的表面為粗糙表面，可提高金屬層130A和支撐基板140的密著性。支撐體100B中，與支撐體100A同樣地，也可在金屬層120和金屬層110之間層疊藉由濺射法 而形成的金屬層150。
如圖8(c)所示，支撐體100C中，在金屬層120上設置了由顆粒構成的金屬層110A。金屬層110A由一次顆粒111和基於一次顆粒111而形成的二次顆粒112構成。
一次顆粒111的直徑例如可為10~200nm左右。更佳可為10~40nm左右。此外，二次顆粒112的直徑φ1例如可為1μm以下左右。更佳可為400nm以下左右。然而，就一次顆粒111和二次顆粒112的剖面形狀而言，並不限於圓形，還可為橢圓形、多邊形等各種形狀。
金屬層110A的上表面的表面粗糙度可為Rz≦2．0μm(十個點的平均粗糙度)。這裡需要說明的是，該Rz也包括追隨(基於)成為下層的金屬層120的表面粗糙度而生成的凹凸。
就金屬層110A而言，例如，可藉由在硫酸銅溶液中於極限電流密度附近進行陰極電解，以在金屬層120的表面上析出樹突(dendrite)狀或微顆粒狀的銅析出物而形成。這裡需要說明的是，為了防止銅析出物的脫落，還可對金屬層110A的上表面藉由鍍銅等進行覆蓋。就此時的表面粗糙度而言，可追隨(遵循)被鍍銅等覆蓋之前的金屬層110A的上表面的表面粗糙度，還可對覆蓋了金屬層110A的上表面的鍍銅等的表面重新進行粗糙化。
以上盡管對較佳實施方式等進行了詳細說明，但並不限於上述實施方式等，只要不脫離申請專利範圍記載的範 圍，還可對上述實施方式等進行各種各樣的變形和置換。
例如，在配線基板1或配線基板2的製造方法中，還可使用在支撐基板140的兩個表面都依次層疊了金屬層130、金屬層120及金屬層110的支撐體。此情況下，可為在支撐體的兩個表面側形成成為配線基板的各構成部分，然後對支撐體的不需要的部分進行分離或去除的步驟。
此外，支撐體中，並非一定要設置剝離層。例如，支撐體中，可為不設置剝離層而僅在外緣部分處對金屬層120和金屬層130進行接著的結構。該結構中，外緣部分之外處，金屬層120和金屬層130僅進行相接。此情況下，在圖3(d)所示的步驟中，藉由對圖3(c)所示的結構體的金屬層120和金屬層130進行了接著的外緣部分進行切斷和去除，即可容易地使金屬層130和支撐基板140與金屬層120進行分離。
此外，盡管存在形成絕緣層70時的配線層10的表面粗糙化步驟會導致第1層11藉由蝕刻被去除的情況，然而，此情況下，由於窪下量微小，故基本上也不會影響電子部件的安裝性。
基於上述，提供一種製造配線基板的方法，包括：準備支撐體的步驟，該支撐體包括支撐基板、該支撐基板上的第1金屬層及該第1金屬層上的第2金屬層，該第2金屬層的與該第1金屬層相反側的表面為粗糙表面或由顆粒構成，該第2金屬層相對於該第1金屬層可進行選擇性蝕刻；在該第2金屬層的該表面上選擇性形成第3金屬層的步驟；藉由蝕刻液對 該第3金屬層進行粗糙化並同時對未被該第3金屬層覆蓋的該第2金屬層進行溶解，以形成第1配線層的步驟，該第1配線層是該第2金屬層和該第3金屬層的層疊體；在該第1金屬層上形成覆蓋該第1配線層的絕緣層的步驟；去除該支撐基板的步驟；及藉由蝕刻去除該第1金屬層的步驟。
該方法中，還包括在該絕緣層上形成第2配線層的步驟。
該方法中，形成該第2配線層的步驟包括：在該絕緣層上形成種子層；在該種子層上選擇性形成電解鍍層；及藉由蝕刻去除未被該電解鍍層覆蓋的該種子層，以形成第2配線層，該第2配線層是該種子層和該電解鍍層的層疊體。
該方法中，還包括藉由蝕刻去除該第1金屬層的步驟之後藉由蝕刻去除該第2金屬層的殘渣的步驟。
該方法中，在藉由該蝕刻液對未被該第3金屬覆蓋的該第2金屬層進行溶解的步驟中，完全去除未被該第3金屬覆蓋的該第2金屬層。
該方法中，在選擇性形成該第3金屬層的步驟中，形成和該第2金屬層同樣可溶於相同蝕刻液的第3金屬層。
該方法中，該第1金屬層為鎳，該第2金屬層和該第3金屬層為銅。
該方法中，在準備該支撐體的步驟中，準備在該第1金屬層和該第2金屬層之間包括藉由濺射法而形成的第4金屬層的支撐體。
該方法中，在準備該支撐體的步驟中，準備在該支撐基本和該第1金屬層之間具有第4金屬層的支撐體。
該方法中，該第4金屬層的與該支撐基板相接的表面為粗糙表面。
該方法中，在形成該第1配線層的步驟中，形成第1配線層，該第1配線層在該第1金屬層的相反側具有粗糙表面並具有粗糙側面；在形成該絕緣層的步驟中，形成覆蓋該第1配線層的該粗糙表面和該粗糙側面的絕緣層。
該方法中，在去除該第1金屬層的步驟中，使相互同面的該絕緣層的表面和該第1配線層的表面露出。
1‧‧‧配線基板
10‧‧‧配線層
11‧‧‧第1層
12‧‧‧第2層
60‧‧‧絕緣層
60x‧‧‧開口部

Claims (12)

  1. 一種製造配線基板的方法，包括：準備支撐體的步驟，該支撐體包括支撐基板、該支撐基板上的第1金屬層及該第1金屬層上的第2金屬層，該第2金屬層的與該第1金屬層相反側的表面為粗糙表面或由顆粒構成，該第2金屬層相對於該第1金屬層可進行選擇性蝕刻；在該第2金屬層的該表面上選擇性形成第3金屬層的步驟；藉由蝕刻液對該第3金屬層進行粗糙化並同時對未被該第3金屬層覆蓋的該第2金屬層進行溶解，以形成第1配線層的步驟，該第1配線層是該第2金屬層和該第3金屬層的層疊體；在該第1金屬層上形成覆蓋該第1配線層的絕緣層的步驟；去除該支撐基板的步驟；及藉由蝕刻去除該第1金屬層的步驟。
  2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，還包括在該絕緣層上形成第2配線層的步驟。
  3. 根據申請專利範圍第2項之方法，其中，形成該第2配線層的步驟包括在該絕緣層上形成種子層；在該種子層上選擇性形成電解鍍層；及藉由蝕刻去除未被該電解鍍層覆蓋的該種子層，以形 成第2配線層，該第2配線層是該種子層和該電解鍍層的層疊體。
  4. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，還包括藉由蝕刻去除該第1金屬層的步驟之後藉由蝕刻去除該第2金屬層的殘渣的步驟。
  5. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，在藉由該蝕刻液對未被該第3金屬覆蓋的該第2金屬層進行溶解的步驟中，完全去除未被該第3金屬覆蓋的該第2金屬層。
  6. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，在選擇性形成該第3金屬層的步驟中，形成和該第2金屬層同樣可溶於相同蝕刻液的第3金屬層。
  7. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，該第1金屬層為鎳，該第2金屬層和該第3金屬層為銅。
  8. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，在準備該支撐體的步驟中，準備在該第1金屬層和該第2金屬層之間包括藉由濺射法而形成的第4金屬層的支撐體。
  9. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，在準備該支撐體的步驟中，準備在該支撐基板和該第1金屬層之間具有第4金屬層的支撐體。
  10. 根據申請專利範圍第9項之方法，其中，該第4金屬層的與該支撐基板相接的表面為粗糙表 面。
  11. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，在形成該第1配線層的步驟中，形成第1配線層，該第1配線層在該第1金屬層的相反側具有粗糙表面並具有粗糙側面，在形成該絕緣層的步驟中，形成覆蓋該第1配線層的該粗糙表面和該粗糙側面的絕緣層。
  12. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中，在去除該第1金屬層的步驟中，使相互同面的該絕緣層的表面和該第1配線層的表面露出。
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