TWI727860B - 晶圓橫向撞擊測試裝置及晶圓強度測試方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種晶圓橫向撞擊測試裝置及一種晶圓強度測試方法。晶圓橫向撞擊測試裝置包括一承載座以及一撞擊器。晶圓強度測試方法包括一第一準備步驟以及一第一撞擊步驟。第一準備步驟將一待測晶圓平躺地設置於承載座上,並使待測晶圓的一預擊邊緣區對應於承載座的一撞擊口。第一撞擊步驟以撞擊器沿著垂直待測晶圓的一晶圓面法向量的一預定平面穿過撞擊口、並撞擊在待測晶圓的預擊邊緣區,以使待測晶圓沿一晶向而碎裂成兩個半晶圓。每個半晶圓包含有平行晶向的一碎裂邊緣,並且兩個半晶圓分別定義為一第一半晶圓與一第二半晶圓。
Description
本發明涉及一種晶圓測試裝置及一種晶圓測試方法,特別是涉及一種晶圓橫向撞擊測試裝置及晶圓強度測試方法。
如圖1所示,習知的晶圓強度測試裝置及晶圓強度測試方法在測試單片晶圓的機械強度時,往往是以垂直晶圓表面的方向進行抗折測試(請參酌中國公告專利號CN105181462A以及圖1),但此種測試已逐漸無法滿足現今的晶圓強度測試需求。故,如何通過晶圓撞擊測試裝置的結構設計的改良或是晶圓強度測試方法的設計或改良,來克服上述的缺陷,已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明針對現有技術的不足提供一種晶圓橫向撞擊測試裝置,其包括:一承載座,具有位在一預定平面上的一撞擊口;其中,所述承載座用以供一待測晶圓平躺設置而落在所述預定平面上,並且所述待測晶圓定義有穿過其中心的一晶向;以及一撞擊器,其對應於所述撞擊口設置,並且所述撞擊器能沿著所述預定平面運作;其中,所述撞擊器的撞擊方向與所述晶向呈平行;其中,當所述待測晶圓平躺地設置於所述承載座時,所述撞
擊器能沿所述預定平面穿過所述撞擊口、並沿所述晶向撞擊在所述待測晶圓的一預擊邊緣區,以使所述待測晶圓沿所述晶向而碎裂成兩個半晶圓;其中,所述預擊邊緣區為位於所述撞擊口的所述待測晶圓的邊緣部分。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的其中一技術方案是提供一種晶圓強度測試方法,其包括:一第一準備步驟:將一待測晶圓平躺地設置於一承載座上,並使所述待測晶圓的一預擊邊緣區對應於所述承載座的一撞擊口;其中,所述待測晶圓包含一第一晶向、及與所述第一晶向相夾形成非平行的一第二晶向;以及一第一撞擊步驟:以一撞擊器沿著垂直所述待測晶圓的一晶圓面法向量的一預定平面穿過所述撞擊口、並沿所述第一晶向撞擊在所述待測晶圓的所述預擊邊緣區,以使所述待測晶圓沿所述第一晶向而碎裂成兩個半晶圓;其中,所述撞擊器的撞擊方向與所述第一晶向呈平行;其中,每個所述半晶圓包含有平行所述第一晶向的一碎裂邊緣,並且兩個所述半晶圓分別定義為一第一半晶圓與一第二半晶圓;其中,所述預擊邊緣區為位於所述撞擊口的所述待測晶圓的邊緣部分。
本發明的其中一有益效果在於,所述晶圓橫向撞擊測試裝置及晶圓強度測試方法能將以撞擊器沿著所述待測晶圓所處的所述預定平面而撞擊在所述預擊邊緣區,據以測試所述待測晶圓沿所述晶向而碎裂所需的測試強度。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明,並非用來對本發明加以限制。
100:晶圓橫向撞擊測試裝置
1:承載座
11:晶圓載台
111:撞擊口
112:底面
113:側壁
114:承載凸塊
115:安裝塊
12:撞擊器載台
121:凹陷部
1211:***板
1212:支撐部
122:承載部
1221:撞擊器承載軌道
12211:凹部
13:預定平面
2:撞擊器
21:撞擊頭
22:撞擊桿
3:力道控制器
31:拉力彈簧
32:力道刻度標示計
33:掛勾
4:晶向感測器
5:支撐架
51:鎖固件
52:支撐臂
53:頂抵桿
200:待測晶圓
201:第一晶向
202:第二晶向
203:第三晶向
204:第一半晶圓
205:第二半晶圓
S1:第一準備步驟
S2:第一撞擊步驟
S3:第二準備步驟
S4:第二撞擊步驟
S5:第三準備步驟
S6:第三撞擊步驟
圖1為習知的晶圓強度測試裝置的動作示意圖。
圖2為本發明第一實施例的晶圓橫向撞擊測試裝置的立體示意圖。
圖3為本發明第一實施例的晶圓橫向撞擊測試裝置的分解示意圖。
圖4為本發明第一實施例的晶圓載台的立體示意圖。
圖5A為本發明第一實施例的待測晶圓的平面示意圖。
圖5B為本發明第一實施例的另一待測晶圓的平面示意圖。
圖6為本發明第一實施例的撞擊器載台的立體示意圖。
圖7為本發明第一實施例的撞擊器撞擊待測晶圓的立體示意圖。
圖8為本發明第一實施例的撞擊器的示意圖。
圖9為圖6的VIII部分的放大示意圖。
圖10為本發明第一實施例的撞擊器撞擊待測晶圓的撞擊力道變化示意圖。
圖11為本發明第二實施例的晶圓強度測試方法的流程圖。
圖12為本發明第二實施例的支撐架抵頂半晶圓的示意圖。
圖13A為本發明第二實施例的撞擊器撞擊第一半晶圓的示意圖。
圖13B為本發明第二實施例的撞擊器撞擊第二半晶圓的示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“晶圓橫向撞擊測試裝置及晶圓強度測試方法”的實施方式,本領域技術人員可
由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是,雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號,但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件,或者一信號與另一信號。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
請參閱圖2至圖10所示,其為本發明的第一實施例,需先說明的是,本實施例對應附圖所提及的相關數量與外型,僅用來具體地說明本發明的實施方式,以便於了解本發明的內容,而非用來侷限本發明的保護範圍。
參閱圖2及圖3所示,本實施例公開一種晶圓橫向撞擊測試裝置100,其包括:一承載座1、對應所述承載座1設置的一撞擊器2、連接於所述撞擊器2的一力道控制器3、安裝於所述承載座1的一晶向感測器4、及可活動地安裝於所述承載座1的一支撐架5。
如圖2及圖7所示,所述承載座1具有一晶圓載台11以及連接所述晶圓載台11的一撞擊器載台12。其中,所述晶圓載台11形成有位在一預定平面13上的一撞擊口111,並且所述承載座1(的所述晶圓載台11)用以供一待測晶圓200平躺設置而落在所述預定平面13上。其中,所述待測晶圓200具有一預擊邊緣區用以供所述撞擊器2進行晶圓橫向撞擊測試。需要說明的是,
所述預擊邊緣區為位於所述撞擊口的所述待測晶圓的邊緣部分。
如圖5A所示,所述待測晶圓200包含穿過其中心的兩個晶向,於本實施例中,其中一個所述晶向定義為一第一晶向201,另一個所述晶向定義為一第二晶向202,並且所述第一晶向201與所述第二晶向202相夾呈非平行。進一步地說,所述第一晶向201與所述第二晶向202相夾較佳呈90度,但本發明並不限於此,舉例來說,所述如圖5B所示,所述待測晶圓200可以包含穿過其中心的所述第一晶向201、及各與所述第一晶向201相夾形成有不大於90度的所述第二晶向202與一第三晶向203。其中,所述第一晶向201、所述第二晶向202、以及所述第三晶向203相交於所述待測晶圓200的圓心。
需要說明的是,於本實施例中,所述第一晶向201與所述第二晶向202相夾的角度呈60度,所述第一晶向201與所述第三晶向203相夾的角度呈60度,所述第二晶向202與所述第三晶向203相夾的角度呈120度。
需要說明的是,所述待測晶圓200於本實施例中較佳是一磊晶晶圓片(Epitaxial Wafer)。其中,所述待測晶圓200的尺寸較佳是6吋(inch),但本實施例並不限於此。舉例來說,所述待測晶圓200也可以是一拋光矽晶圓片(Polished Wafer)或是其他種類的矽晶圓片,而所述待測晶圓200的尺寸也可以是8吋或12吋等其他尺寸。
如圖3及圖4所示,所述晶圓載台11具有呈圓形的一底面112、環繞設置於所述底面112邊緣的一側壁113、設置於所述底面112的邊緣且貼靠所述側壁113的多個承載凸塊114、以及設置於所述側壁113相對遠離多個所述承載凸塊114一側的一安裝塊115。其中,所述預定平面13位於多個所述承載凸塊114的上方,所述撞擊口111形成於所述側壁113。多個所述承載凸塊114位於所述底面112與所述預定平面13之間,且所述底面112與所述預定平面13
彼此相互平行。所述安裝塊115用以供所述支撐架5鎖入固定,但本發明不以上述為限。
需要說明的是,所述底面112於本實施例中具有一厚度以及多個鎖入孔,其用以與所述撞擊器載台12相互鎖入固定。其中,所述底面112鄰近所述撞擊口111的一邊緣呈直線狀,且所述鎖入孔的數量較佳是4個,但本發明並不以此為限。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述撞擊口111的所述邊緣也可以呈圓弧狀,且所述鎖入孔的數量也可以是3個以上。
如圖3及圖6所示,所述撞擊器載台12固定有所述撞擊器2。所述撞擊器載台12具有一凹陷部121以及一承載部122。更詳細地說,所述凹陷部121的一端與所述晶圓載台11卡合連接(***所述晶圓載台11的所述撞擊口111並卡合於所述底面112),所述凹陷部121的另一端與所述承載部122連接。需要說明的是,所述撞擊器載台12於本實施例中是一體成形。也就是說,所述凹陷部121與所述承載部122的連接處沒有間隙,但本發明並不以此為限。舉例來說,所述撞擊器載台12也可以不是一體成形,因此所述凹陷部121與所述承載部122可以以組合的方式相互連接。
更詳細地說,所述凹陷部121具有一***板1211以及與所述承載部122連接的一支撐部1212。其中,所述***板1211具有多個鎖固孔且相對於所述支撐部1212懸空於地面,所述支撐部1212與所述承載部122之間呈階梯狀。進一步地說,所述支撐部1212懸空於地面的距離大致等於所述晶圓載台11的所述底面112的所述厚度。
當所述凹陷部121***所述撞擊口111時,所述***板1211位於所述晶圓載台11的所述底面112上,且所述底面112中呈直線的所述邊緣與所述支撐部1212相互卡合。多個所述鎖固孔與所述底面112的多個所述鎖入孔相互對應且可經由多個螺絲相互固定。所述鎖固孔的數量較佳是4個,但本發明
並不以此為限。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述鎖固孔的數量也可以是3個以上。
如圖6及圖7所示,所述承載部122是一長方體且具有一撞擊器承載軌道1221。所述撞擊器承載軌道1221自所述承載部122的長度方向的兩端凹陷並形成長條凹陷狀的一軌道。其中,所述撞擊器承載軌道1221於本實施例中較佳可容納所述撞擊器2的一半體積,而且所述撞擊器承載軌道1221具有一凹部12211,用以供所述撞擊器2卡合固定,但本發明並不以此為限。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述撞擊器承載軌道1221也可以容納所述撞擊器2一半以上的體積。
如圖3及圖10所示,所述撞擊器2對應於所述撞擊口111設置於所述撞擊器載台12上,並且所述撞擊器2能沿著所述預定平面13運作(如:所述撞擊器2撞擊設置於所述預定平面13上的所述待測晶圓200)。更詳細地說,當所述待測晶圓200平躺地設置於所述承載座1時,所述撞擊器2能沿所述預定平面13穿過所述撞擊口111、並沿所述第一晶向201撞擊在所述待測晶圓200的所述預擊邊緣區(也就是說,所述撞擊器2的撞擊方向與所述第一晶向201呈平行),以使所述待測晶圓200沿所述第一晶向201而碎裂成兩個半晶圓204、205。
如圖7及圖8所示,所述撞擊器2包含有面向所述撞擊口111的一撞擊頭21、以及與所述撞擊頭21一體成形的一撞擊桿22。其中,所述撞擊桿22與所述力道控制器3組合。當所述撞擊器2設置於所述撞擊器載台12上時,所述撞擊頭21與所述撞擊桿22呈懸空狀。
所述撞擊桿22用來被所述力道控制器3推動,進而使所述撞擊頭21撞擊所述待測晶圓200的所述預擊邊緣區。其中,所述撞擊桿22的一端連接所述撞擊頭21,所述撞擊桿22的另一端與所述力道控制器3組合。所述撞擊
桿22的撞擊路徑與所述第一晶向201呈一直線。
如圖7及圖9所示,所述撞擊頭21的外表面呈球面狀,以使所述撞擊頭21在撞擊所述待測晶圓200的瞬間能保持以點接觸的方式撞擊所述待測晶圓200的所述預擊邊緣區(也就是,撞擊點)。其中,所述撞擊點與所述撞擊頭21的圓心位在所述撞擊桿22的兩端相連所延伸的一直線上。需要說明的是,所述撞擊頭21的半徑大於所述待測晶圓200的厚度。
如圖8及圖10所示,所述力道控制器3能用來控制所述撞擊器2運作時所釋放的力量。更詳細的說,所述撞擊器2可藉由所述力道控制器3逐次控制撞擊所述待測晶圓200的力道,以精準地測量所述待測晶圓200的強度。於本實施例中,所述力道控制器3可經由逐次增加50公克(g)的撞擊力道以測量相應的所述待測晶圓200的強度數值。如圖10所示,所述力道控制器3首次控制所述撞擊器2以600公克(g)的撞擊力道撞擊所述待測晶圓200,而後逐次增加50公克(g)的撞擊力道,直到所述力道控制器3控制所述撞擊器2以700公克(g)的撞擊力道撞擊所述待測晶圓200並使所述待測晶圓200破裂,同時也測得所述待測晶圓200的強度。但本發明並不限於此,所述力道控制器3可依操作人員需求調整每次的撞擊力道,並不限於每次調整50公克(g)的撞擊力道。
如圖8所示,所述力道控制器3具有一拉力彈簧31、一力道刻度標示計32、以及一掛勾33。其中,所述拉力彈簧31的一端與所述撞擊桿22連接,所述拉力彈簧31的另一端與所述掛勾33相連接,所述力道刻度標示計32設置於所述掛勾33上。於本實施例中,操作人員可藉由所述掛勾33拉長所述拉力彈簧31使其長度對應所述力道刻度標示計32上的特定刻度以控制所述拉力彈簧31釋放時的力量,但本發明並不限於此。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述力道控制器3也可以是可控制撞擊力道的一齒輪電控裝
置,且所述齒輪電控裝置還進一步包含一防止二次碰撞裝置,其可避免所述撞擊器2在撞擊時的二次碰撞影響測試結果。
如圖4及圖5所示,所述晶向感測器4於本實施例中是一紅外線感測器且其數量為3個,但本發明並不以此為限。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述晶向感測器4的數量也可以是3個以上。所述晶向感測器4設置於(或埋置於)所述晶圓載台11的所述側壁113並對應於撞擊口111。進一步地說,所述晶向感測器4與所述撞擊口111分別位於所述承載座1的所述晶圓載台11的所述側壁113。其中,當所述待測晶圓200平躺地設置於所述承載座1時,所述晶向感測器4能沿所述預定平面13測得所述待測晶圓200的所述第一晶向201、所述第二晶向202、以及所述第三晶向203。
如圖7及圖12所示,所述支撐架5具有兩個鎖固件51、被兩個所述鎖固件51鎖合的一支撐臂52、以及設置於所述支撐臂52上的一頂抵桿53。其中,所述頂抵桿53能用來頂抵與定位任一個所述半晶圓204、205的一碎裂邊緣(為方便說明,所述頂抵桿53於圖12中定位所述半晶圓204的所述碎裂邊緣)。需要說明的是,於本實施例中,所述頂抵桿53是頂抵與定位所述半晶圓204,並且所述支撐架5透過任一個鎖固件51鎖合固定於所述晶圓載台11的所述安裝塊115上,另一個所述鎖固件51與所述頂抵桿53鎖合固定於所述支撐臂52相對遠離所述安裝塊115的一端,但本發明並不限於此。舉例來說,在本發明未繪示的其他實施例中,所述另一個所述鎖固件51與所述頂抵桿53也可以依所述半晶圓204的大小而在所述支撐臂52上移動而後固定。
參閱圖11至圖13B所示,其為本發明的第二實施例,需先說明的是,本實施例類似於上述第一實施例,所以兩個實施例的相同處則不再加以贅述;再者,本實施例對應附圖所提及的相關數量與外型,僅用來具體地
說明本發明的實施方式,以便於了解本發明的內容,而非用來侷限本發明的保護範圍。
本實施例公開一種晶圓強度測試方法,其至少可對同一片所述待測晶圓200進行三次晶圓強度測試。如圖11所示,所述晶圓強度測試方法依序包括下列幾個步驟:一第一準備步驟S1、一第一撞擊步驟S2、一第二準備步驟S3、一第二撞擊步驟S4、一第三準備步驟S5、一第三撞擊步驟S6。其中,第一次晶圓強度測試進行所述第一準備步驟S1以及所述第一撞擊步驟S2,第二次晶圓強度測試進行所述第二準備步驟S3以及所述第二撞擊步驟S4,第三次晶圓強度測試進行所述第三準備步驟S5以及所述第三撞擊步驟S6。
需要說明的是,所述晶圓強度測試方法於本實施例中是通過上述第一實施例中的所述晶圓橫向撞擊測試裝置100來實施,所以在本實施例中有關於所述晶圓橫向撞擊測試裝置100的描述還請一併參考第一實施例及其圖2至圖10,但本發明的晶圓強度測試方法並不侷限以所述晶圓橫向撞擊測試裝置100來實現。
所述第一準備步驟S1:將所述待測晶圓200平躺地設置於所述承載座1(的所述晶圓載台11)上,並使所述待測晶圓200的所述預擊邊緣區對應於所述承載座1的所述撞擊口111以供所述撞擊器2撞擊。其中,所述待測晶圓200具有所述第一晶向201、及各與所述第一晶向201相夾形成有不大於90度的所述第二晶向202與所述第三晶向203,但本發明並不限於此,舉例來說,如圖5B所示,所述待測晶圓200也可以僅包含所述第一晶向201、及與所述第一晶向201相夾形成非平行的所述第二晶向202。
所述第一撞擊步驟S2:以所述撞擊器2沿著垂直所述待測晶圓200的一晶圓面法向量的所述預定平面13穿過所述撞擊口111、並沿所述第一晶向201撞擊在所述待測晶圓200的所述預擊邊緣區,並且所述第一晶向201
位於所述預擊邊緣區,以使所述待測晶圓200沿所述第一晶向201而碎裂成兩個半晶圓204、205。其中,所述撞擊器2的撞擊方向與所述第一晶向201呈平行。其中,所述待測晶圓200所碎裂形成的兩個所述半晶圓204、205呈彼此鏡像對稱設置。每個所述半晶圓204、205包含有平行所述第一晶向201的一碎裂邊緣,並且兩個所述半晶圓204、205分別定義為一第一半晶圓204與一第二半晶圓205。
如圖12及圖13A所示,所述第二準備步驟S3:將所述第一半晶圓204平躺地設置於所述承載座1(的所述晶圓載台11)上,並以安裝於所述承載座1的所述支撐架5頂抵與定位所述第一半晶圓204的所述碎裂邊緣,以使所述第一半晶圓204的一預擊邊緣區對應於所述承載座1的所述撞擊口111。其中,部分所述預擊邊緣區抵頂於所述晶圓載台11的所述側壁113。
所述第二撞擊步驟S4:以所述撞擊器2沿著所述預定平面13穿過所述撞擊口111、並沿所述第二晶向202撞擊在所述第一半晶圓204的所述預擊邊緣區,並且所述第二晶向202位於所述預擊邊緣區,以使所述第一半晶圓204沿所述第二晶向202而碎裂。其中,所述撞擊器2的撞擊路徑與所述第二晶向202呈一直線,且所述撞擊器2於所述第二撞擊步驟S4中的撞擊力道與所述撞擊器2於所述第一撞擊步驟S2中的撞擊力道不同。
如圖12及圖13B所示,所述第三準備步驟S5:將所述第二半晶圓205平躺地設置於所述承載座1(所述晶圓載台11)上,並以所述支撐架5抵頂與定位所述第二半晶圓205的所述碎裂邊緣,以使所述第二半晶圓205的一預擊邊緣區對應於所述承載座1的所述撞擊口111。其中,部分所述預擊邊緣區抵頂於所述晶圓載台11的所述側壁113。
所述第三撞擊步驟S6:以所述撞擊器2沿著所述預定平面13穿過所述撞擊口111、並沿所述第三晶向203撞擊在所述第二半晶圓205的所述
預擊邊緣區,並且所述第三晶向203位於所述預擊邊緣區,以使所述第二半晶圓205沿所述第三晶向203而碎裂。其中,所述撞擊器2的所述撞擊路徑與所述第三晶向203呈一直線,且所述撞擊器2於所述第三撞擊步驟S6中的撞擊力道與所述撞擊器2於所述第一撞擊步驟S2與所述第二撞擊步驟S4中的撞擊力道不同。
本發明的其中一有益效果在於,所述晶圓橫向撞擊測試裝置及晶圓強度測試方法能將以撞擊器沿著所述待測晶圓所處的所述預定平面而撞擊在所述預擊邊緣區,據以測試所述待測晶圓沿所述晶向而碎裂所需的測試強度。
再者,本發明所提供的晶圓橫向撞擊測試裝置及晶圓強度測試方法,其能通過“具有位在所述預定平面上的所述撞擊口的所述承載座與對應於所述撞擊口設置的所述撞擊器”、“所述第一準備步驟中將所述待測晶圓平躺地設置於所述承載座上,並使所述待測晶圓的所述預擊邊緣區對應於所述承載座的所述撞擊口”、以及“所述第一撞擊步驟中以所述撞擊器沿著垂直所述待測晶圓的一晶圓面法向量的所述預定平面穿過所述撞擊口、並撞擊在所述待測晶圓的所述預擊邊緣區,以使所述待測晶圓沿所述第一晶向而碎裂成兩個半晶圓”的技術方案,以提升所述晶圓橫向撞擊測試裝置的測試次數,並大量節省所述晶圓強度測試方法所需花費的時間與費用。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例,並非因此侷限本發明的申請專利範圍,所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的申請專利範圍內。
100:晶圓橫向撞擊測試裝置
1:承載座
11:晶圓載台
111:撞擊口
113:側壁
115:安裝塊
12:撞擊器載台
13:預定平面
2:撞擊器
22:撞擊桿
3:力道控制器
32:力道刻度標示計
33:掛勾
4:晶向感測器
5:支撐架
51:鎖固件
52:支撐臂
53:頂抵桿
Claims (10)
- 一種晶圓橫向撞擊測試裝置,其包括:一承載座,具有位在一預定平面上的一撞擊口;其中,所述承載座用以供一待測晶圓平躺設置而落在所述預定平面上,並且所述待測晶圓定義有穿過其中心的一晶向;以及一撞擊器,其對應於所述撞擊口設置,並且所述撞擊器能沿著所述預定平面運作;其中,所述撞擊器的撞擊方向與所述晶向呈平行;其中,當所述待測晶圓平躺地設置於所述承載座時,所述撞擊器能沿所述預定平面穿過所述撞擊口、並沿所述晶向撞擊在所述待測晶圓的一預擊邊緣區,以使所述待測晶圓沿所述晶向而碎裂成兩個半晶圓;其中,所述預擊邊緣區為位於所述撞擊口的所述待測晶圓的邊緣部分。
- 如請求項1所述的晶圓橫向撞擊測試裝置,其中,所述晶圓橫向撞擊測試裝置進一步包括有可活動地安裝於所述承載座的一支撐架,並且所述支撐架能用來頂抵與定位任一個所述半晶圓的一碎裂邊緣。
- 如請求項1所述的晶圓橫向撞擊測試裝置,其中,所述晶圓橫向撞擊測試裝置進一步包括有安裝於所述承載座的一晶向感測器,並且所述晶向感測器與所述撞擊口分別位於所述承載座的側壁;其中,當所述待測晶圓平躺地設置於所述承載座時,所述晶向感測器能沿所述預定平面測得所述待測晶圓的所述晶向。
- 如請求項1所述的晶圓橫向撞擊測試裝置,其中,所述撞擊 器包含有面向所述撞擊口的一撞擊頭,並且所述撞擊頭的外表面呈球面狀,以使所述撞擊頭能用來保持以點接觸的方式撞擊在所述預擊邊緣區。
- 如請求項4所述的晶圓橫向撞擊測試裝置,其中,所述撞擊頭的半徑大於所述待測晶圓的厚度。
- 如請求項4所述的晶圓橫向撞擊測試裝置,其中,所述承載座包含有形成有所述撞擊口的一晶圓載台及連接所述晶圓載台的一撞擊器載台,並且所述撞擊器固定於所述撞擊器載台,而所述撞擊頭呈懸空狀。
- 如請求項1所述的晶圓橫向撞擊測試裝置,其中,所述晶圓橫向撞擊測試裝置進一步包括有連接於所述撞擊器的一力道控制器,並且所述力道控制器能用來控制所述撞擊器運作時所釋放的力量。
- 一種晶圓強度測試方法,其包括:一第一準備步驟:將一待測晶圓平躺地設置於一承載座上,並使所述待測晶圓的一預擊邊緣區對應於所述承載座的一撞擊口;其中,所述待測晶圓包含一第一晶向、及與所述第一晶向相夾形成非平行的一第二晶向;以及一第一撞擊步驟:以一撞擊器沿著垂直所述待測晶圓的一晶圓面法向量的一預定平面穿過所述撞擊口、並沿所述第一晶向撞擊在所述待測晶圓的所述預擊邊緣區,以使所述待測晶圓沿所述第一晶向而碎裂成兩個半晶圓;其中,所述撞擊器的撞擊方向與所述第一晶向呈平行; 其中,每個所述半晶圓包含有平行所述第一晶向的一碎裂邊緣,並且兩個所述半晶圓分別定義為一第一半晶圓與一第二半晶圓;其中,所述預擊邊緣區為位於所述撞擊口的所述待測晶圓的邊緣部分。
- 如請求項8所述的晶圓強度測試方法,其中,所述晶圓強度測試方法進一步包括:一第二準備步驟:將所述第一半晶圓平躺地設置於所述承載座上,並以安裝於所述承載座的一支撐架頂抵與定位所述第一半晶圓的所述碎裂邊緣,以使所述第一半晶圓的一預擊邊緣區對應於所述承載座的所述撞擊口;其中,所述第二晶向位於所述預擊邊緣區;及一第二撞擊步驟:以所述撞擊器沿著所述預定平面穿過所述撞擊口、並沿所述第二晶向撞擊在所述第一半晶圓的所述預擊邊緣區,以使所述第一半晶圓沿所述第二晶向而碎裂。
- 如請求項9所述的晶圓強度測試方法,其中,所述待測晶圓進一步包含一第三晶向,而且所述第三晶向分別與所述第一晶向以及所述第二晶向相夾不大於90度,所述晶圓強度測試方法進一步包括:一第三準備步驟:將所述第二半晶圓平躺地設置於所述承載座上,並以所述支撐架頂抵與定位所述第二半晶圓的所述碎裂邊緣,以使所述第二半晶圓的一預擊邊緣區對應於所述承載座的所述撞擊口;及一第三撞擊步驟:以所述撞擊器沿著所述預定平面穿過所述撞擊口、並沿所述第三晶向撞擊在所述第二半晶圓的所述 預擊邊緣區,以使所述第二半晶圓沿所述第三晶向而碎裂。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200520017A (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Ind Tech Res Inst | Wafer-cracking device |
TW200931510A (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Horng Terng Automation Co Ltd | Wafer cleaver with high-precision cutting |
TW201241903A (en) * | 2011-04-15 | 2012-10-16 | Lextar Electronics Corp | Die breaking process |
TW201316425A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-16 | Horng Terng Automation Co Ltd | 晶圓劈裂檢知方法 |
US20140367015A1 (en) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer |
CN105181462A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-23 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种单晶片机械强度测试装置及检测方法 |
TW201715595A (zh) * | 2015-05-08 | 2017-05-01 | Disco Corp | 晶圓的加工方法 |
US20180358256A1 (en) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | Disco Corporation | Wafer dividing method and dividing apparatus |
US20200171707A1 (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Disco Corporation | Wafer dividing apparatus |
-
2020
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200520017A (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Ind Tech Res Inst | Wafer-cracking device |
TW200931510A (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Horng Terng Automation Co Ltd | Wafer cleaver with high-precision cutting |
TW201241903A (en) * | 2011-04-15 | 2012-10-16 | Lextar Electronics Corp | Die breaking process |
TW201316425A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-16 | Horng Terng Automation Co Ltd | 晶圓劈裂檢知方法 |
US20140367015A1 (en) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer |
TW201715595A (zh) * | 2015-05-08 | 2017-05-01 | Disco Corp | 晶圓的加工方法 |
CN105181462A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-23 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种单晶片机械强度测试装置及检测方法 |
US20180358256A1 (en) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | Disco Corporation | Wafer dividing method and dividing apparatus |
US20200171707A1 (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Disco Corporation | Wafer dividing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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