TWI725448B - 具備有害氣體處理裝置的配管裝置、其設計方法以及具有其以處理有害氣體的設備 - Google Patents

具備有害氣體處理裝置的配管裝置、其設計方法以及具有其以處理有害氣體的設備 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種配管裝置，從製程腔室經真空泵排出的廢氣流動於該配管裝置內，該配管裝置包含提供從真空泵排出的廢氣流動於其上的通路的排氣管，以及設置於真空泵的後端和排氣管的前端之間或安裝在排氣管上以處理包含在廢氣中的有害氣體的有害氣體處理裝置，有害氣體處理裝置包括用來升高廢氣溫度的加熱單元，以防止廢氣中所含成分中的可昇華成分反昇華並積聚在排氣管的內側上，加熱單元設置於包括排氣管的昇華條件構成位置以及其上游側的一部份上，可昇華成分於昇華條件構成位置出現昇華條件，昇華條件是與可昇華成分的壓力有關的溫度條件。

Description

具備有害氣體處理裝置的配管裝置、其設計方法以及具有 其以處理有害氣體的設備
本申請要求在韓國知識產權局於2018年7月11日提交的韓國專利申請案10-2018-0080624以及於2019年1月28日提交的韓國專利申請案10-2019-0010579的優先權，其公開內容透過引用整體併入本文。
本發明涉及處理從製程腔室排出的廢氣中所含的有害氣體的技術，更具體地說，涉及一種具備有害氣體處理裝置的配管裝置、該配管裝置的設計方法、以及包含該配管裝置以處理有害氣體的設備，其中該有害氣體處理裝置能夠透過處理在製程腔室中產生並透過排氣管排出的廢氣中所包含的有害氣體來抑制排氣管中粉末的產生。
通常，為了製造半導體或顯示器，各種材料被注入到具有低壓的製程腔室中，並且執行諸如灰化、沉積蝕刻、光刻、清潔和硝化的處理。在這些過程中產生或使用了包含有對應於環境法規材料(environment regulation materials)的材料的有害氣體，例如各種揮發性有機化合物、酸、引起氣味的氣體、點火材料、溫室氣體或全氟化碳(PFC)。
尤其，被稱為PFC的氣體如CF4、SF6、C2F6、C3F8以及其他類似氣體廣泛用於蝕刻製程、薄膜沉積和反應器清潔步驟。這些PFC氣體主要是惰性氣體，並且在大氣中具有非常長的自然分解時間，並且被認為是破壞臭氧層的主要原因，因此對於這些氣體在半導體製程的使用執行了強硬的法規。
藉由洗滌器來處理包含有害氣體且在製程腔室中產生並通過真空泵排出的廢氣。粉末產生在配管中以將真空泵連接到洗滌器。由於溫度下降或壓力升高引起的昇華，產生了包含在通過配管的廢氣中的諸如氯化銨(NH4Cl)的氣體。
本發明提供一種配管裝置、其設計方法和包含其以處理有害氣體的設備，當從真空泵排出的廢氣的部分成分昇華，該配管裝置能夠避免在排氣管中產生粉末。
根據本發明的一個態樣，提供了一種配管裝置，透過真空泵從製程腔室排出的廢氣在配管裝置內流動，該配管裝置包括：排氣管，用於提供從真空泵排出的廢氣流過的通道；有害氣體處理裝置，位於真空泵的後端與排氣管的前端之間或安裝在排氣管上，用於處理廢氣中所含的有害氣體，其中，有害氣體處理裝置包括加熱單元，加熱單元用來提高廢氣的溫度，以防止廢氣中所含的成分中的可昇華成分反昇華並積聚在排氣管的內側上，加熱單元位於包括有排氣管的昇華條件構成位置及昇華條件構成位置的上游側的部分上，可昇 華成分就是在昇華條件構成位置處出現昇華條件，而且昇華條件是與可昇華成分的壓力相關的溫度條件。
根據本發明的另一個態樣，提供了一種用於處理有害氣體的設備，其包括：真空泵，用於排出包含有在製程腔室中產生的有害氣體的廢氣；排氣管，用於提供從真空泵排出的廢氣流過的通道；有害氣體處理裝置，位於真空泵的後端與排氣管的前端之間或安裝在排氣管上，以提高廢氣的溫度，以防止廢氣中所含的成分中的可昇華成分反昇華並積聚在排氣管的內側上，加熱單元位於包括有排氣管的昇華條件構成位置及昇華條件構成位置的上游側的部分上，可昇華成分就是在昇華條件構成位置處出現昇華條件，而且昇華條件是與可昇華成分的壓力相關的溫度條件。
根據本發明的另一個態樣，提供一種配管裝置的設計方法，透過真空泵從製程腔室排出的廢氣流動在配管裝置內，該配管裝置包括排氣管，以提供從真空泵排出的廢氣流動的通道。有害氣體處理裝置位於真空泵的後端和排氣管的前端之間或安裝在排氣管上，以處理廢氣中所含的有害氣體，該配管裝置的設計方法包括：在安裝有害氣體處理裝置之前，藉由使用電腦來進行廢氣的排放模擬，以測量流過通道的廢氣溫度和壓力；利用電腦計算廢氣中所含成分中可昇華成分的分壓；利用電腦計算出一模擬位置，廢氣的溫度在該模擬位置處係達到與可昇華成分的壓力相關的昇華溫度；並將包括有昇華位置和昇華位置的上游側的排氣管的一部分設定為有害氣體處理裝置的可安裝位置。
10:配管裝置
100、200:有害氣體處理裝置
100a:排氣管
110:電漿反應部
111:廢氣入口
120:電漿放電部
121:放電空間
125:廢氣入口
127:點火氣體入口
130:點火電極
140:氣體引入流路
150:通道延伸部
160:催化劑處理部
161:催化劑容納空間
162:氣體引入部
163:氣體排出部
170:催化劑
210:加熱器
C:製程腔室
P:真空泵
P1:壓力水平
Ps:位置
S:洗滌器
Ts:昇華溫度
S10、S20、S30、S40:步驟
透過參考所附圖式詳細描述本發明的示例性實施例，本發明的上述和其他特徵和優點將變得更加明顯，其中：第1圖是示意性地繪示利用根據本發明的一個實施例的有害氣體處理裝置來處理有害氣體的設備之配置圖。
第2圖是表示沒有第1圖的有害氣體處理裝置時，廢氣在用來連接真空泵和洗滌器的排氣管中的流動距離和廢氣的溫度之間的關係圖。
第3圖是表示沒有第1圖的有害氣體處理裝置時，廢氣在用來連接真空泵和洗滌器的排氣管中的流動距離和廢氣的壓力之間的關係圖。
第4圖係繪示第1圖所示的有害氣體處理裝置的一個實施例的縱向剖視圖。
第5圖係繪示氯化銨的昇華條件的溫度與壓力關係圖。
第6圖係圖示根據本發明一實施例之配管裝置的設計方法的流程圖。
第7圖係繪示根據本發明另一實施例之第1圖所示的有害氣體處理裝置的縱向剖視圖。
在下文中，將參考所附圖式詳細描述本發明的實施例的配置和操作。
第1圖係繪示使用根據本發明的一個實施例之有害氣體處理裝置來處理有害氣體的設備的配置方塊圖。如第1圖所示，用於處理有害氣體的設備，包括了產生待處理的有害氣體的製程腔室C；用於排出在製程腔室C中產生且包括了有害氣體的廢氣的真空泵P；用於處理從真空泵P排出的廢氣的洗滌器 S；以及安裝在真空泵P和洗滌器S之間的配管裝置10。本發明的特徵是安裝在真空泵P和洗滌器S之間的配管裝置10，而該設備中除了配管裝置10之外用來處理有害氣體的其餘配置(製程腔室C、真空泵P和洗滌器S)可以在與本發明相關的廣義技術範圍內進行改變和修改。
配管裝置10連接到真空泵P的後端，使得透過真空泵P從製程腔室C排出的廢氣在配管裝置10中流動。在本實施例中，配管裝置10連接到真空泵P的後端。然而，實施例不限於此。可以在真空泵P的後端和配管裝置10之間設置其他的配置，這也屬於本發明的範圍。配管裝置10包括用來將真空泵P連接到洗滌器S的排氣管100a，以及安裝在排氣管100a上的有害氣體處理裝置100。
排氣管100a將真空泵P連接到洗滌器S，並提供從真空泵P的後端排出的廢氣流過的路徑。從真空泵P經排氣管100a排出的廢氣被引入洗滌器S。有害氣體處理裝置100安裝在排氣管100a上。
第2圖係繪示當在排氣管100a中沒有有害氣體處理裝置100時通過排氣管100a的廢氣溫度曲線圖。在第2圖中，橫軸表示排氣管100a上離真空泵P的距離，即廢氣在排氣管100a上的流動距離，縱軸則表示對應位置處的廢氣溫度。如第2圖所示，通過排氣管100a的廢氣溫度隨著遠離真空泵P而降低。
第3圖係繪示當排氣管100a中沒有有害氣體處理裝置100時通過排氣管100a的廢氣壓力曲線圖。在第3圖中，橫軸表示排氣管100a上離真空泵P的距離，即排氣管100a上的廢氣的流動距離，縱軸則表示對應位置處的廢氣壓力。如第3圖所示，通過排氣管100a的廢氣的壓力主要保持在恆定的壓力水平P1。
根據廢氣的溫度和壓力狀況，將有害氣體處理裝置100安裝在排氣管100a的適當位置處。在本實施例中，「在排氣管100a上」表示排氣管100a的前端和後端。將有害氣體處理裝置100安裝在排氣管100a上不僅意味著有害氣體處 理裝置100位於排氣管100a的中間的情況，如第1圖所示，還有將有害氣體處理裝置100連接到排氣管100a的前端或後端的情況。
有害氣體處理裝置100安裝在排氣管100a上，處理流過排氣管100a的廢氣中所含的有害氣體，並防止在排氣管100a中產生粉末。第4圖係繪示有害氣體處理裝置100的實施例的縱向剖視圖。如第4圖所示，根據本發明實施例的有害氣體處理裝置100包括電漿反應部110和催化劑處理部160，在電漿反應部110中發生用來處理有害氣體的電漿反應，且電漿反應部110係用作為一加熱單元，催化劑處理部160所處位置比電漿反應部110所處的位置更下游，並利用催化劑來處理有害氣體。
相較於催化劑處理部160，電漿反應部110位於氣體流動路徑的上游。電漿反應部110產生電漿反應以進行有害氣體處理。電漿反應部110包括廢氣入口111、電漿放電部120、氣體引入流路140以及通道延伸部150，包含有待處理的有害氣體的廢氣通過廢氣入口111被引入排氣管(見第1圖的排氣管100a)，電漿放電部120所處的位置較廢氣入口111所處的位置更下游，並且在電漿放電部120內發生電漿放電的情況，在氣體引入流路140上包含有待處理有害氣體且透過廢氣入口111引入的廢氣則待引入電漿放電部120，通道延伸部150所處位置比電漿放電部120所處位置更下游，並且具有隨著接近下游而增加的通道面積。
廢氣入口111位於電漿反應部110的前端，並且包含有待處理的有害氣體的廢氣則經由廢氣入口111被引入到氣體引入流路140中。在本實施例中，透過廢氣入口111引入的廢氣包含了全氟化碳(PFC)，例如四氟化碳(CF4)和氯化銨(NH4Cl)氣體。然而，實施例不限於此。氯化銨(NH4Cl)氣體係藉由將廢氣中所含的氮氣(N2)與其他成分結合而形成。
電漿放電部120所處位置比廢氣入口111所處位置更下游，並且產生電漿放電以用於電漿反應。電漿放電部120包括安裝在放電空間121中的點火電極130。放電空間121具有幾乎水平延伸的圓柱形狀，且點火電極130被安裝在放電空間121中，並且放電空間121在廢氣流動的方向上與放電空間121後端的通道延伸部150連通。廢氣從氣體引入流路140引入放電空間121。由於點火電極130，在放電空間121中發生電漿放電，而廢氣中所含的有害氣體因為電漿放電而分解。待處理的有害氣體在放電空間121中與氣體引入流路140連通，並且經由位於放電空間121的內周表面處的多個廢氣入口125引入。雖然未示出，但是多個廢氣入口125中的每一個都是延伸以偏離放電空間121的中心軸線，使得被引入放電空間121的廢氣形成渦流。廢氣在放電空間121中形成渦流，從而可以均勻地形成電漿反應區域。此外，點火氣體(本實施例中的氮氣(N2)氣體)經由點火氣體入口127被引入到放電空間121中。雖然未示出，但是點火氣體入口127係配置以在放電空間121中形成渦流。點火電極130設置於放電空間121的中心並造成電漿放電。在本實施例中，將具有低功率的直流(DC)電源施加到點火電極130，從而發生電漿放電。然而，實施例不限於此。由於點火電極130所引起的電漿放電，在點火電極130的頂端形成強電漿。
在氣體引入流路140上，經由廢氣入口111引入的廢氣以圓周方向移動於放電空間121外。由於氣體引入流路140而在放電空間121外沿圓周方向移動的廢氣透過廢氣入口125噴射到放電空間121中以形成渦流。
通道延伸部150所處位置比電漿放電部120所處位置更下游，並且連接到放電空間121。通道延伸部150具有漏斗的形狀，其通道面積隨著越來越近下游而增大。在通道延伸部150中產生具有渦旋形狀的電漿，以最大化電漿可 移動性，且溫度可以取決於催化劑處理部160而被完全轉移。通過通道延伸部150的氣體被引入催化劑處理部160。
催化劑處理部160利用催化劑分解透過電漿反應部110處理的有害氣體，並進一步處理有害氣體。催化劑處理部160包括填充在催化劑容納空間161中的催化劑170。
催化劑容納空間161具有幾乎水平延伸的圓柱形狀，並且氣體引入部162和氣體排出部163形成在水平設置的催化劑容納空間161的兩端。氣體引入部162與通道延伸部150連接，使得包含低濃度有害氣體的廢氣經由氣體引入部162通過通道延伸部150流入催化劑容納空間161。
催化劑170填充在催化劑容納空間161中。通常用於處理有害氣體的催化劑係透過選擇性吸附以及有害氣體的表面化學反應來分解有害氣體。
有害氣體處理裝置100安裝在排氣管100a的適當位置，使得在排氣管100a中不會產生粉末。在下文中，將描述有害氣體處理裝置100的安裝位置。在目前的實施例中，氯化銨(NH4Cl)氣體在排氣管100a中反昇華，從而可以產生粉末。第5圖示出了溫度和壓力(分壓)狀況，其中氯化銨(NH4Cl)氣體在排氣管100a中反昇華，從而可以產生粉末。例如，在700托的壓力下，氯化銨(NH4Cl)氣體在等於或低於250℃的溫度下將反昇華，從而可以產生粉末。基於氯化銨(NH4Cl)氣體的昇華條件，有害氣體處理裝置100安裝的位置(參見第1圖和第2圖中的位置Ps)滿足廢氣在排氣管100a中的溫度對應氯化銨(NH4Cl)氣體的昇華溫度(參見第2圖中的溫度Ts)。例如，當排氣管100a中的氯化銨(NH4Cl)氣體壓力為700托時，有害氣體處理裝置100的安裝位置處的氯化銨(NH4Cl)氣體溫度對應於250℃，250℃是氯化銨(NH4Cl)氣體的昇華溫度，使得廢氣的溫度由於有害氣體 處理裝置100的電漿反應而上升，因此防止了氯化銨(NH4Cl)氣體的反昇華。在本實施例中，有害氣體處理裝置100安裝在排氣管100a的位置Ps，位置Ps對應於氯化銨(NH4Cl)氣體的昇華溫度。然而，與此不同，有害氣體處理裝置100也可以安裝在真空泵P的後端和對應於氯化銨(NH4Cl)氣體的昇華溫度的位置Ps之間。這也屬於本發明的範圍。即，有害氣體處理裝置100可以位於包括昇華條件構成位置Ps及其上游的部分中，該昇華條件構成位置Ps構成在排氣管100a中出現可昇華成分的昇華條件。而且，在本實施例中，整個有害氣體處理裝置100安裝在真空泵P的後端和排氣管100a的位置Ps之間，位置Ps對應於氯化銨(NH4Cl)氣體的昇華溫度。然而，與此不同，作為加熱單元的有害氣體處理裝置100的電漿反應部110也可以安裝在真空泵P的後端和排氣管100a的對應於氯化銨(NH4Cl)氣體的昇華溫度的位置Ps之間。這也屬於本發明的範圍。
在本實施例中，有害氣體處理裝置100包括電漿反應部110和催化劑處理部160。然而，與此不同，有害氣體處理裝置100僅包括電漿反應部110，這也屬於本發明。
在本實施例中，昇華而產生粉末的氣體是氯化銨(NH4Cl)氣體。然而，實施例不限於此，而是適用於產生粉末的不同類型的氣體。這也屬於本發明的範圍。
在上述實施例中，有害氣體處理裝置100位於排氣管100a上。然而，與此不同，有害氣體處理裝置100可以位於真空泵P的後端和排氣管100a的前端之間。這也屬於本發明的範圍。當有害氣體處理裝置位於排氣管的前端時，有害氣體處理裝置100可以與真空泵P一體成形製造並在真空泵P中調製。
在本實施例中，有害氣體處理裝置100安裝在真空泵P的外部。與此不同，有害氣體處理裝置100也可以安裝在真空泵P的內部(這意味著真空泵P的殼體內部)。這也屬於本發明的範圍。
當有害氣體處理裝置安裝在真空泵外部時，有害氣體處理裝置可以安裝在水平延伸的排氣管上、安裝在垂直延伸的排氣管上、或者相對於水平延伸的排氣管傾斜安裝。當有害氣體處理裝置安裝在真空泵外部時，在諸如更換有害氣體處理裝置的維護方面是有利的。當有害氣體處理裝置安裝在水平延伸的排氣管上時，排氣管的長度可以最小化。當有害氣體處理裝置安裝在真空泵內部時，元件的尺寸可以最小化。
下面將描述具有根據本發明實施例的上述結構的配管裝置的操作。
如第2圖所示，從真空泵P排出的廢氣沿著排氣管100a流動，且廢氣的溫度逐漸降低。因為廢氣在其溫度降低到可昇華成分的昇華溫度Ts之前進入所安裝的有害氣體處理裝置100，所以在廢氣的溫度降低到昇華溫度Ts之前，廢氣受到作為加熱單元的電漿反應部110加熱。
由於廢氣的溫度因電漿反應部110而再次上升，所以廢氣不會達到昇華溫度Ts。因此，可以防止可昇華成分的反昇華，從而可以防止在排氣管100a內產生粉末。
因此，在本發明中，有害氣體處理裝置100安裝在可昇華成分可能昇華的昇華位置Ps之先前位置，從而可以預先防止反昇華現象。
第6圖是表示根據本發明的一個實施例的上述配管裝置的設計方法的流程圖。參考第6圖，配管裝置的設計方法包括測量溫度和壓力(步驟S10)、計算分壓(步驟S20)、計算昇華位置(步驟S30)、以及設定安裝位置(步驟S40)。
在溫度和壓力的測量中(步驟S10)，在安裝有害氣體處理裝置(參見第1圖的有害氣體處理裝置100)之前，測量流過排氣管(參見第1圖的排氣管100a)的廢氣的溫度和壓力。在溫度和壓力的測量中(步驟S10)，進行排氣模擬，其中廢氣通過真空泵(參見第1圖的真空泵P)的排氣管(參見第1圖的排氣管100a)排出，藉由傳感器測量廢氣的溫度和壓力，並在電腦中收集所測量的溫度和壓力數據。
在計算分壓(步驟S20)時，透過電腦計算廢氣中包含的成分中的可昇華成分(在本實施例中，氯化銨(NH4Cl))的壓力。
在昇華位置的計算中(步驟S30)，就步驟S20的分壓計算所計算出的可昇華成分(在本實施方式中，氯化銨(NH4Cl))的壓力來說，透過電腦來計算廢氣的溫度達到昇華溫度的位置，作為昇華位置。
在安裝位置的設定(步驟S40)中，將包含有在昇華位置的計算步驟(步驟S30)中所得到的昇華位置及其上游側的部分設定為有害氣體處理裝置(參見第1圖中的有害氣體處理裝置100)的可安裝位置。
第7圖係繪示根據本發明的另一個實施例的有害氣體處理裝置的縱向剖視圖。參考第7圖，有害氣體處理裝置200包括加熱器210和催化劑處理部160，催化劑處理部160所處位置比加熱器210所處位置更下游，且其利用催化劑來處理包含在廢氣中的有害氣體。
作為加熱單元，加熱器210被安裝在排氣管100a上，並加熱流過排氣管100a的廢氣，在本實施例中已被描述為加熱器。然而，實施例不限於此，可以使用用於將廢氣溫度升高到等於或高於所設定溫度的所有類型的加熱器。
催化劑處理部160位於比加熱器210所在位置更下游的位置，並利用催化劑處理由加熱器210加熱的廢氣中所包含的有害氣體。催化劑處理部160 包括填充在催化劑容納空間161中的催化劑170。催化劑容納空間161具有幾乎水平延伸的圓柱形狀，並包括氣體引入部162和氣體排出部163，它們水平安裝在催化劑容納空間161兩端處。包含有害氣體的廢氣經由氣體引入部162被引入催化劑容納空間161中。
催化劑170填充在催化劑容納空間161中。催化劑通常用於處理有害氣體、利用選擇性吸附和有害氣體的表面化學反應來分解有害氣體。
第7圖所示的有害氣體處理裝置200安裝在廢氣所包含的可昇華成分出現昇華條件的先前位置處，如第6圖所描述的方法。
如上所述，根據本發明，可以實現本發明的上述目的。詳細地，根據本發明，將有害氣體處理裝置安裝在真空泵的後端以及廢氣中的可昇華成分不構成反昇華的位置之間，其中有害氣體處理裝置包括配管上的電漿反應部和催化劑處理部以將真空泵連接到洗滌器。使得廢氣的部分成分不會在配管內反昇華，因此可以避免粉末形成。
雖然已經參考本發明的示例性實施例具體示出和描述了本發明，但是本領域普通技術人員將理解，可以在形式和細節上進行各種改變，而不脫離由以下申請專利範圍所限定的發明的精神和範圍。
10:配管裝置
100:有害氣體處理裝置
100a:排氣管
C:製程腔室
P:真空泵
Ps:位置
S:洗滌器

Claims (12)

  1. 一種配管裝置，其中透過一真空泵從一製程腔室排出的一廢氣流動在該配管裝置內，該配管裝置包括：一排氣管，係設置以提供從該真空泵排出的該廢氣流動於其上的一通道；以及一有害氣體處理裝置，係設置於該真空泵的一後端和該排氣管的一前端之間，或安裝在該排氣管上，以處理該廢氣中所含的一有害氣體；其中該有害氣體處理裝置包括一加熱單元，用於在排出該廢氣的過程中升高該廢氣的溫度，以防止該廢氣中所含的成分中的一可昇華成分反昇華並積聚在該排氣管的一內側上，且該加熱單元位於包括該排氣管的一昇華條件構成位置或該昇華條件構成位置的一上游側的一部份上，該可昇華成分於該昇華條件構成位置出現一昇華條件，該昇華條件是與該可昇華成分的壓力有關的一溫度條件。
  2. 如請求項1所述的配管裝置，其中，該可昇華成分是氯化銨(NH4Cl)氣體。
  3. 如請求項1所述的配管裝置，其中該加熱單元包括一電漿反應部，用於利用一電漿反應以分解該有害氣體。
  4. 如請求項1所述的配管裝置，其中該有害氣體處理裝置進一步包括一催化劑處理部，用於利用一催化劑分解該有害氣體。
  5. 一種處理有害氣體的設備，其包括：一真空泵，係設置以排出在一製程腔室中產生且包含一有害氣體的一 廢氣；一排氣管，係設置以提供從該真空泵排出的該廢氣流動於其上的一通道；以及一有害氣體處理裝置，設置於該真空泵的一後端和該排氣管的一前端之間，或安裝在該排氣管上，以處理該廢氣中所含的該有害氣體；其中該有害氣體處理裝置包括一加熱單元，用來在排出該廢氣的過程中升高該廢氣的溫度，以防止該廢氣中所含的成分中的一可昇華成分反昇華並積聚在該排氣管的一內側上，以及該加熱單元係設置於包括該排氣管的一昇華條件構成位置或該昇華條件構成位置的一上游側的一部份上，該可昇華成分於該昇華條件構成位置出現一昇華條件，該昇華條件是與該可昇華成分的壓力有關的一溫度條件。
  6. 如請求項5所述的設備，其中該可昇華成分是氯化銨(NH4Cl)氣體。
  7. 如請求項6所述的設備，其中該有害氣體處理裝置安裝在該排氣管的一部分中，在該部分中，氯化銨(NH4Cl)氣體的壓力等於或小於700Torr，且該廢氣的溫度等於或高於250℃。
  8. 如請求項5所述的設備，其中該加熱單元包括一電漿反應部，以利用一電漿反應分解該有害氣體。
  9. 如請求項5所述的設備，其中該有害氣體處理裝置進一步包括一催化劑處理部，以利用一催化劑分解該有害氣體。
  10. 如請求項5所述的設備，進一步包括一洗滌器，以處理從該排氣管排出的該廢氣。
  11. 一種配管裝置，其中透過一真空泵從一製程腔室排出的一廢氣流動在該配管裝置內，該配管裝置包括：一排氣管，提供從該真空泵排出的該廢氣流動於其上的一通道；以及一有害氣體處理裝置，位於該真空泵的一後端和該排氣管的一前端之間，或安裝在該排氣管上，以處理該廢氣中所含的一有害氣體；其中該有害氣體處理裝置包括一加熱單元，用於在排出該廢氣的過程中升高該廢氣的溫度，以防止該廢氣中所含的成分中的一可昇華成分反昇華並積聚在該排氣管的一內側上，以及該加熱單元位於包括該排氣管的一昇華條件構成位置或該昇華條件構成位置的一上游側的一部份上，該可昇華成分於該昇華條件構成位置出現一昇華條件。
  12. 一種配管裝置的設計方法，其中透過一真空泵從一製程腔室排出的一廢氣流動在該配管裝置內，該配管裝置包括提供從該真空泵排出的該廢氣流動於其上的一通道的一排氣管，以及設置於該真空泵的一後端和該排氣管的一前端之間或安裝在該排氣管上的一有害氣體處理裝置，以處理該廢氣中所含的一有害氣體，並在排出該廢氣的過程中升高該廢氣的溫度，以防止該廢氣中所含的成分中的一可昇華成分反昇華並積聚在該排氣管的一內側上，該設計方法包括：在安裝該有害氣體處理裝置之前，利用電腦對該廢氣進行一排放模擬，來測量流過該通道的該廢氣的溫度和壓力；以電腦計算該廢氣中所含成分中一可昇華成分的分壓；利用電腦計算一昇華位置，其中該廢氣的溫度在該昇華位置處達到與該可昇華成分的壓力相關的一昇華溫度；以及將包括該昇華位置或該昇華位置的一上游側的排氣管的一部分設定 為該有害氣體處理裝置的一可安裝位置。
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