TWI721756B

TWI721756B - 陣列基板、顯示面板及顯示裝置

Info

Publication number: TWI721756B
Application number: TW109101007A
Authority: TW
Inventors: 歐陽祥睿; 陳維成
Original assignee: 鴻海精密工業股份有限公司
Priority date: 2020-01-11
Filing date: 2020-01-11
Publication date: 2021-03-11
Also published as: TW202127117A

Abstract

一種陣列基板定義有顯示區以及被所述顯示區圍繞的相機孔區，所述相機孔區包括透光區以及圍繞所述透光區的走線區。所述陣列基板包括基底、第一導電層、第二導電層。所述第一導電層包括繞開所述透光區設置的複數第一導線。所述第二導電層包括繞開所述透光區設置的複數第二導線。所述第一導電層還包括複數第一電容補償圖案，每一所述第一電容補償圖案位於相鄰的兩條所述第一導線之間。沿所述陣列基板的厚度方向，每一所述第一電容補償圖案在所述基底上的投影至少與一條所述第二導線的投影重疊。還提供一種顯示面板及一種顯示裝置。

Description

陣列基板、顯示面板及顯示裝置

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、應用該陣列基板的顯示面板以及應用該顯示面板的顯示裝置。

顯示裝置諸如手機、平板電腦等，隨著使用者對其功能的多樣化的需求日益增加，往往需要結合具有其他功能的元件。其中，結合有攝像模組的顯示裝置已經被廣泛地生產及應用。

以顯示裝置中包括複數導線的陣列基板為例，陣列基板需設置暴露攝像模組的相機孔區域。然，相機孔區域會影響陣列基板上的導線的排佈方式，甚至影響電子裝置的性能。

本發明一方面提供一種陣列基板，所述陣列基板定義有顯示區以及被所述顯示區圍繞的相機孔區，所述相機孔區包括透光區以及圍繞所述透光區的走線區，所述陣列基板包括：基底；第一導電層，位於所述基底上，所述第一導電層包括複數第一導線，每一所述第一導線繞開所述透光區設置；第二導電層，位於所述第一導電層遠離所述基底的一側，所述第二導電層包括複數第二導線，每一所述第二導線繞開所述透光區設置；其中，所述第一導電層還包括與所述第一導線絕緣間隔設置的複數第一電容補償圖案，每一所述第一電容補償圖案位於相鄰的兩條所述第一導線之間；沿所述陣列基板的厚度方向，每一所述第一電容補償圖案在所述基底上的投影至少與一條所述第二導線的投影重疊。

上述陣列基板中，由於第一電容補償圖案的設置，與該第一電容補償圖案重疊的第二導線的電容耦合量增加、耦合電壓減小，進而耦合電壓對第二導線的原始電壓的影響減弱，從而改善了由於陣列基板的相機孔區域走線排佈緊密，導致相鄰走線之間的寄生電容較大，影響顯示效果的現象。

本發明另一方面提供一種顯示面板，包括彩色濾光片基板、液晶層以及陣列基板，所述液晶層夾設於所述彩色濾光片基板與所述陣列基板之間，所述陣列基板為上述的陣列基板。

該顯示面板應用上述的陣列基板，其亦具有改善相機孔區域走線排佈緊密，導致的相鄰走線之間的寄生電容較大而影響顯示的現象。

本發明再一方面提供一種顯示裝置，其包括：上述的顯示面板；背光模組，所述背光模組位於所述顯示面板背離其顯示面的一側，所述背光模組定義有貫穿所述背光模組的安裝孔，所述安裝孔對準所述透光區；以及攝像模組，所述攝像模組安裝於所述安裝孔內並藉由所述透光區採集影像信息。

該顯示裝置應用上述的顯示面板，其亦具有改善相機孔區域走線排佈緊密，導致的相鄰走線之間的寄生電容較大而影響顯示的現象。

10:陣列基板

A:顯示區

B:相機孔區

B1:透光區

B2:走線區

X:第一方向

Y:第二方向

L1:第一對稱軸

L2:第二對稱軸

AL:左側區

AR:右側區

AT:上側區

AB:下側區

12:掃描線

122:第一掃描線

124:第二掃描線

14:數據線

142:第一數據線

144:第二數據線

144a:輔助數據線

144b:數據線引線

146:第三數據線

148:第四數據線

16:子像素

162:薄膜晶體管

GE:閘極

SE:源極

DE:汲極

164:像素電極

11:基底

13:第一導電層

120:第一導線

110:第一電容補償圖案

15:第二導電層

140:第二導線

130:第二電容補償圖案

17:絕緣層

19:過孔

20:彩色濾光片基板

30:液晶層

40:顯示面板

40a:顯示面

50:攝像模組

60:背光模組

60a:出光側

62:安裝孔

100:顯示裝置

圖1為本發明一實施例的陣列基板的俯視示意圖。

圖2為圖1中陣列基板的走線的排佈示意圖。

圖3為圖2中輔助數據線及數據線引線在連接位置處的剖面示意圖。

圖4為圖2中IV處的放大示意圖。

圖5為圖2中陣列基板的第一導電層在基底上的投影示意圖。

圖6為圖2中陣列基板的第二導電層在基底上的投影示意圖。

圖7為圖2中VII處的放大示意圖。

圖8為本發明一實施例中第二補償電容圖案與四條第一導線上下層疊時的等效電路圖。

圖9為本發明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。

圖10為本發明一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。

如圖1所示，本發明實施例的陣列基板10定義有顯示區A以及被顯示區A環繞的相機孔區B。相機孔區B定義有透光區B1以及圍繞透光區B1 的走線區B2。相機孔區B為透光的區域。本實施例中，相機孔區B以及透光區B1大致為圓形，走線區B2為圓環。

於其他實施例中，相機孔區B亦可為其他形狀。例如，相機孔區B亦可為橢圓形、多邊形等。

如圖2所示，走線區B2具有第一對稱軸L1以及第二對稱軸L2。沿第一方向X上，走線區B2關於第二對稱軸L2呈軸對稱分佈。沿第二方向Y上，走線區B2關於第一對稱軸L1呈軸對稱分佈。第二方向Y與第一方向X交叉。

如圖2所示，沿第一方向X上，顯示區A被第二對稱軸L2劃分為分別位於第二對稱軸L2的相對兩側的左側區AL及右側區AR。沿第二方向Y上，顯示區A被第一對稱軸L1劃分為分別位於第一對稱軸L1的相對兩側的上側區AT及下側區AB。即，左側區AL及右側區AR構成整個顯示區A。上側區AT及下側區AB亦構成整個顯示區A。左側區AL與上側區AT、下側區AB均有重疊區域，右側區AR域上側區AT、下側區AB均有重疊區域。於一實施例中，第二方向Y垂直於第一方向X。

如圖2所示，陣列基板10包括基底11以及位於基底11上的掃描線12及數據線14。

如圖2所示，掃描線12包括複數第一掃描線122。複數第一掃描線122延伸跨越走線區B2並沿第二方向Y依次間隔設置。部分第一掃描線122在上側區AT及走線區B2內延伸，另一部分第一掃描線122在下側區AB及走線區B2內延伸。複數第一掃描線122關於第一對稱軸L1呈軸對稱分佈。每一第一掃描線122在走線區B2內的部分關於第二對稱軸L2呈軸對稱分佈。每一第一掃描線122在左側區AL沿第一方向X延伸至走線區B2，在走線區B2內圍繞透光區B1的外圍輪廓彎折延伸，然後在右側區AR內繼續沿第一方向X延伸。即，每一第一掃描線122的佈置均繞開透光區B1、跨越走線區B2並在顯示區A內沿第一方向X延伸。其中，位於上側區AT及走線區B2內的第一掃描線122沿透光區B1的上半部分彎折延伸，位於下側區AB及走線區B2內的第一掃描線122沿透光區B1的下半部分彎折延伸。

每一第一掃描線122包括在左側區AL內沿第一方向X延伸的直線段部分、在走線區B2內圍繞透光區B1的外圍輪廓彎折延伸的曲線部分(圖2中為圓弧)以及在右側區AR內沿第一方向X延伸的直線段部分。其中，第一掃描線122的曲線部分的長度隨著其距離第一對稱軸L1的距離的遠近而改變。距離第一對稱軸L1越近的第一掃描線122，其曲線部分的長度越長；距離第一對稱軸L1越遠的第一掃描線122，其曲線部分的長度越短。於一實施例中，複數第一掃描線122等間距間隔排列。

如圖2所示，數據線14包括延伸跨越走線區B2的複數第一數據線142。複數第一數據線142沿第一方向X依次間隔設置。部分第一數據線142在左側區AL及走線區B2內延伸，另一部分第一數據線142在右側區AR及走線區B2內延伸。複數第一數據線142關於第二對稱軸L2均呈軸對稱分佈。

每一第一數據線142在走線區B2內的部分關於第一對稱軸L1呈軸對稱分佈。每一第一數據線142在上側區AT沿第二方向Y延伸至走線區B2，然後在走線區B2內圍繞透光區B1的外圍輪廓彎折延伸後在下側區AB內繼續沿第二方向Y延伸。即，每一第一數據線142的佈置均繞開透光區B1、跨越走線區B2並在顯示區A內沿第二方向Y延伸。其中，位於左側區AL及走線區 B2內的第一數據線142沿透光區B1的左半部分彎折延伸，位於右側區AR及走線區B2內的第一數據線142沿透光區B1的右半部分彎折延伸。

每一第一數據線142包括在上側區AT內沿第二方向Y延伸的直線段部分、在走線區B2內圍繞透光區B1的外圍輪廓彎折延伸的曲線部分(圖2中為圓弧)以及在下側區AB內沿第二方向Y延伸的直線段部分。第一數據線142的曲線部分的長度隨著其距離第二對稱軸L2的距離的遠近而改變。距離第二對稱軸L2越近的第一數據線142，其曲線部分的長度越長；距離第一對稱軸L1越遠的第一數據線142，其曲線部分的長度越短。於一實施例中，複數第一數據線142等間距間隔排列。

如圖2所示，數據線14還包括複數第二數據線144。複數第二數據線144延伸跨越走線區B2。部分第二數據線144在左側區AL及走線區B2內延伸，部分第二數據線144在右側區AR及走線區B2內延伸。複數第二數據線144關於第二對稱軸L2均呈軸對稱分佈。複數第一數據線142及複數第二數據線144沿第一方向X上為一條第一數據線142、一條第二數據線144依次交替排佈。

每一第二數據線144在上側區AT沿第二方向Y延伸至走線區B2，然後在走線區B2內圍繞透光區B1的外圍輪廓彎折延伸，然後在下側區AB內繼續沿第二方向Y延伸。即，每一第二數據線144的佈置均繞開透光區B1、跨越走線區B2並在顯示區A內沿第二方向Y延伸。位於左側區AL及走線區B2內的第二數據線144沿透光區B1的左半部分彎折延伸，位於右側區AR及走線區B2內的第二數據線144沿透光區B1的右半部分彎折延伸。

每一第二數據線144包括在上側區AT內沿第二方向Y延伸的直線段部分、在走線區B2內圍繞透光區B1的外圍輪廓彎折延伸的曲線部分(圖2中為圓弧)以及在下側區AB內沿第二方向Y延伸的直線段部分。

定義每一第二數據線144的曲線部分為輔助數據線144a。每一輔助數據線144a關於第一對稱軸L1呈軸對稱分佈。每一第一數據線142位於相鄰的兩條輔助數據線144a之間，相鄰的兩條第一數據線142之間具有一條輔助數據線144a。複數輔助數據線144a及複數第一數據線142的曲線部分在第一方向X上為一條輔助數據線144a、一條第一數據線142依次交替排佈。複數輔助數據線144a的長度隨著其距離第二對稱軸L2的距離的遠近而改變。距離第二對稱軸L2越近的輔助數據線144a的長度越長；距離第一對稱軸L1越遠的輔助數據線144a的長度越短。

定義每一第二數據線144的直線段部分為數據線引線144b。複數數據線引線144b及複數第一數據線142的直線段部分在第一方向X上依次交替排佈。在第二方向Y上，第一掃描線122位於輔助數據線144a遠離透光區B1的一側。每一數據線引線144b在基底11上的投影與所有的第一掃描線122重疊。

如圖3所示，陣列基板10包括基底11、位於基底11的一表面上的第一導電層13、位於第一導電層13遠離基底11一側的第二導電層15以及位於第一導電層13及第二導電層15之間的絕緣層17。絕緣層17可為一層或多層。第一掃描線122、輔助數據線144a由第一導電層13定義。第一數據線142、數據線引線144b由第二導電層15定義。輔助數據線144a及數據線引線144b藉由過孔19電性連接。即，輔助數據線144a及第一數據線142分別位於不同的導電層。

請再次參閱圖2，每一條第一數據線142在基底11上的投影位於相鄰的兩條輔助數據線144a之間，相鄰的兩條第一數據線142之間具有一條輔助數據線144a。相較於相鄰的導線(例如，第一數據線142及第二數據線144)位於同一導電層的排佈方式，走線區B2內相鄰的導線(例如，第一數據線142及第二數據線144的輔助數據線144a)位於不同的導電層，使得導線的排佈可以更加緊密而不會短路，有利於減小走線區B2的佈線面積。

請繼續參閱圖2，數據線14還包括複數第三數據線146。複數第三數據線146延伸跨越走線區B2並位於第一數據線142及第二數據線144遠離透光區B1的一側的。複數第三數據線146沿第一方向X依次間隔設置。部分第三數據線146在左側區AL及走線區B2內延伸，另一部分第三數據線146在右側區AR及走線區B2內延伸。複數第三數據線146關於第二對稱軸L2均呈軸對稱分佈。

每一第三數據線146在走線區B2內的部分關於第一對稱軸L1呈軸對稱分佈。每一第三數據線146在上側區AT沿第二方向Y延伸至走線區B2，然後在走線區B2內圍繞透光區B1的外圍輪廓彎折延伸後在下側區AB內繼續沿第二方向Y延伸。即，每一第三數據線146的佈置均繞開透光區B1、跨越走線區B2並在顯示區A內沿第二方向Y延伸。其中，位於左側區AL及走線區B2內的第一數據線142沿透光區B1的左半部分彎折延伸，位於右側區AR及走線區B2內的第一數據線142沿透光區B1的右半部分彎折延伸。

每一第三數據線146包括在上側區AT內沿第二方向Y延伸的直線段部分、在走線區B2內圍繞透光區B1的外圍輪廓彎折延伸的曲線部分(圖2中為圓弧)以及在下側區AB內沿第二方向Y延伸的直線段部分。第三數據線146的曲線部分的長度隨著其距離第二對稱軸L2的距離的遠近而改變。距離第二對稱軸L2越近的第三數據線146，其曲線部分的長度越長；距離第一對稱軸L1越遠的第三數據線146，其曲線部分的長度越短。於一實施例中，複數第三數據線146等間距間隔排列。

如圖2所示，延伸跨越走線區B2的數據線14包括第一數據線142、第二數據線144、以及第三數據線146。沿第一方向X上，走線區B2內的數據線14的排佈依次為：複數第三數據線146(靠近左側區AL)、交替排佈的第二數據線144及第一數據線142、複數第三數據線146(靠近右側區AR)。其中，最靠近透光區B1的數據線14可為第一數據線142亦可為第二數據線144。

於一實施例中，第三數據線146由第二導電層15定義。即，第一數據線142、第二數據線144的數據線引線144b以及第三數據線146均有同一導電層定義形成。第二數據線144的輔助數據線144a由不同與第二導電層15的第一導電層13形成，較佳地，與第三數據線146緊鄰的為第二數據線144。藉此，延伸跨越走線區B2的數據線14中，在不同種類的數據線14的交界處，採用不同的導電層製作，使得導線的排佈可以更加緊密而不會造成短路，進一步地減小走線區B2的內外徑之差。

請繼續參閱圖2，數據線14還包括複數第四數據線148。第四數據線148在顯示區A內延伸，而不會延伸至走線區B2。部分第四數據線148位於左側區AL，部分第四數據線148位於右側區AR。在左側區AL內，複數第四數據線148依次間隔設置，每一第四數據線148均沿第二方向Y延伸。在右側區AR內，複數第四數據線148依次間隔設置，每一第四數據線148均沿第二方向Y延伸。在下側區AB內(或上側區AT內)，沿第一方向X上，第一數據線142、第二數據線144、第三數據線146以及第四數據線148的排佈依次為：複數第四數據線148、複數第三數據線146、交替排佈的第一數據線142及第二數據線144、複數第三數據線146、以及複數第四數據線148。

請繼續參閱圖2，掃描線12還包括僅對應顯示區A設置的複數第二掃描線124。第二掃描線124僅在顯示區A內延伸，而不會延伸至走線區B2。部分第二掃描線124位於上側區AT，部分第二掃描線124位於下側區AB。在上側區AT內，複數第二掃描線124依次間隔設置，每一第二掃描線124均沿第一方向X延伸。在下側區AB內，複數第二掃描線124依次間隔設置，每一第二掃描線124均沿第一方向X延伸。沿第二方向Y上，第一掃描線122以及第二掃描線124的排佈依次為：位於上側區AT內的複數第二掃描線124、位於上側區AT的複數第一掃描線122、位於下側區AB的複數第一掃描線122以及位於下側區AB的複數第二掃描線124。

於一實施例中，複數第一掃描線122、複數第二掃描線124以及複數第二數據線144的輔助數據線144a由第一導電層13定義。複數第一數據線142、複數第二數據線144的數據線引線144b、複數第三數據線146以及複數第四數據線148由第二導電層15定義。亦即，所有的掃描線12均由第一導電層13形成。所有的數據線14中除去第二數據線144的輔助數據線144a均由第二導電層15形成。定義第一導電層13形成的走線(第一掃描線122、第二掃描線124及輔助數據線144a)為第一導線120。定義第二導電層15形成的走線(第一數據線142、數據線引線144b、第三數據線146以及第四數據線148)為第二導線140。

由於相鄰的導線(如，第一數據線142及第二數據線144的輔助數據線144a、第三數據線146及第二數據線144的輔助數據線144a)之間採用不同的導電層製備，使得相鄰的導線之間可以排佈的更加密集而不會短路，有利於走線區B2的窄化設計。另，輔助數據線144a相較於採用相同導電層製備的第一掃描線122更靠近透光區B1，而不會影響第一掃描線122的佈線。

請再次參閱圖2，所有的掃描線12及所有的數據線14均避開相機孔區B域設置，以使相機孔區B域透光。第一掃描線122、第一數據線142、第二數據線144、第三數據線146中的至少一部分形成圍繞透光區B1的環形。所有的掃描線12在顯示區A內的部分均沿第一方向X延伸，所有的數據線14在顯示區A內的部分均沿第二方向Y延伸。每一數據線14在基底11上的投影與所有的掃描線12上下重疊。

於一實施例中，相機孔區B不用於顯示圖像。複數第一掃描線122、複數第二掃描線124中任意相鄰的兩條與複數第一數據線142、複數第二數據線144、複數第三數據線146、複數第四數據線148中任意相鄰的兩條在顯示區A內交叉定義一個子像素16。

如圖4所示，每一個子像素16包括一個薄膜晶體管162及一個像素電極164。薄膜晶體管162包括一閘極GE、一源極SE、一汲極DE。閘極GE電性連接第一掃描線122及第二掃描線124中的一條。源極SE電性連接第一數據線142、第二數據線144、第三數據線146及第四數據線148中的一條，汲極DE電性連接像素電極164。

可以理解的，雖然本實施例中示例性地描述了掃描線12及數據線14在陣列基板10上的排佈，但並不限於掃描線12及數據線14，在其他實施例中，還可以是定義有相機孔區B的陣列基板10上的其他導線的排佈，例如，可以是作為觸控面板的陣列基板10上的觸控走線避開相機孔區B的設置。

於一實施例中，基底11的材質為透明的硬質材料，例如玻璃、石英、或塑料。在其他的實施例中，基底11可為一柔性材料製成，如聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚乙烯(PE)、聚醯亞胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)中的一種或兩種以上。第一導電層13、第二導電層15的材質為可選自鋁、銀、金、鉻、銅、銦、錳、鉬、鎳、釹、鈀、鉑、鈦、鎢、及鋅中的至少一種。絕緣層17的材質可選自氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧氮化矽(SiOxNy)等。

圖5為圖2中陣列基板10的第一導電層13在基底11上的投影示意圖。如圖5所示，第一導電層13還包括與所述第一導線120絕緣間隔設置的複數第一電容補償圖案110。每一所述第一電容補償圖案110位於相鄰的兩條所述第一導線120之間。部分第一電容補償圖案110位於相鄰的兩條所述第一掃描線122之間且位於走線區B2靠近顯示區A的位置。部分第一電容補償圖案110位於相鄰的兩條輔助數據線144a之間且位於走線區B2靠近透光區B1的位置。圖5中，第一電容補償圖案110的形狀大致為中空的矩形。於其他實施例中，第一電容補償圖案110的形狀不作限定。

圖6為圖2中陣列基板10的第二導電層15在基底11上的投影示意圖。如圖6所示，第二導電層15還包括與所述第二導線140絕緣間隔設置的複數第二電容補償圖案130。每一所述第二電容補償圖案130位於相鄰的兩條所述第二導線140之間。對準走線區B2內，複數第一數據線142、複數輔助數據線144a、複數第三數據線146、複數第四數據線148中任意相鄰的兩條之間可以設置一個或複數第二電容補償圖案130。即，對準走線區B2，任意相鄰的兩條第二導線140之間(如，相鄰的兩條第一數據線142之間、輔助數據線144a及與其相鄰的第一數據線142或第三數據線146之間、相鄰的兩條第三數據線146之間、第三數據線146及與其相鄰的第四數據線148之間)可以設置一個或複數第二電容補償圖案130。複數第二電容補償圖案130位於走線區B2靠近顯示區A的一側大致環繞透光區B1一圈設置。

圖6中，第二電容補償圖案130的形狀大致為中空的矩形。於其他實施例中，第二電容補償圖案130可為其他形狀，且複數第二導線140中，可以部分相鄰的兩條第二導線140之間設置第二電容補償圖案130，而另一部分相鄰的兩條第二導線140之間未設置有第二電容補償圖案130。

圖7為圖2中VII處的放大示意圖。如圖7所示，沿所述陣列基板10的厚度方向，每一所述第一電容補償圖案110在所述基底11上的投影至少與一條所述第二導線140的投影重疊，以用於實現相鄰第一導線120之間的訊號補償。沿所述陣列基板10的厚度方向，每一所述第二電容補償圖案130在所述基底11上的投影至少與一條所述第一導線120的投影重疊，以用於實現相鄰的第二導線140之間的訊號補償。

圖8為本發明一實施例中第二補償電容圖案與四條第一導線120上下層疊時的等效電路圖。如圖8所示，相鄰第一導線120之間寄生電容為C1，第一導線120原本的電容為Cs，四條第一導線120因第二電容補償圖案130的設置增加的電容耦合量分別為Cp1、Cp2、Cp3及Cp4，第一導線120的耦合電壓Vc1為：Vc1=dV*(C1+Cp1*Cp2/(Cp1+Cp2))/(C1+Cs+Cp1(Cp2+Cp3+Cp4)/(Cp1+Cp2+Cp3+Cp4))。

而若陣列基板10未設置有第二電容補償圖案130，第一導線120的的耦合電壓Vc2為：Vc2=dV*C1/(C1+Cs)。

可見，當第一導線120及第二電容補償圖案130投影重疊時的耦合電壓Vc1小於沒有設置第二電容補償圖案130時的耦合電壓Vc2，當第一導線120的耦合電壓減小時，耦合電壓對第一導線120的原始電壓的影響減弱，進而改善由於陣列基板10上的走線(第一導線120及第二導線140)排佈緊密，導致的相鄰走線之間的寄生電容較大，影響顯示效果的現象。

由上述公式可知，第二電容補償圖案130對第一導線120的原始電壓的影響與其上下重疊的第一導線120的數量有關係。於一實施例中，每一所述第二電容補償圖案130在所述基底11上的投影至少與三條所述第一導線120的投影重疊，以更佳地降低寄生電容對第一導線120上的原始電壓的影響。

第一電容補償圖案110與第二導線140上下層疊時的電容補償原理與此類似，在此不再贅述。同理，於一實施例中，每一所述第一電容補償圖案110在所述基底11上的投影至少與三條所述第二導線140的投影重疊，以更佳地降低寄生電容對第二導線140上的原始電壓的影響，進而避免由於陣列基板10上的走線(第一導線120及第二導線140)排佈緊密，導致的相鄰走線之間的寄生電容較大，影響顯示效果的現象。

圖9為本發明一實施例提供的顯示面板40的剖視圖。如圖9所示，顯示面板40包括相對設置的陣列基板10及彩色濾光片基板20以及夾設在陣列基板10及彩色濾光片基板20之間的液晶層30。

彩色濾光片基板20包括透明的基底(圖未示)、設置在基底靠近液晶層30一側的黑矩陣(圖未示)、濾光層(圖未示)及保護層(圖未示)等。對應相機孔區B的透光區B1的黑矩陣、濾光層等被去除掉。液晶層30對應顯示區A及相機孔區B設置。

陣列基板10還包括對應顯示區A設置的公共電極(圖未示)。像素電極164及公共電極之間產生電場以驅動液晶層30中的液晶分子轉動，使顯示區A內進行畫面顯示，而相機孔區B不顯示畫面。

圖10為本發明一實施例提供的顯示裝置100的剖視圖。如圖10所示，顯示裝置100包括顯示面板40、背光模組60及攝像模組50。顯示面板40定義有顯示面40a。背光模組60及攝像模組50位於顯示面板40背離顯示面40a的一側。背光模組60定義有出光側60a。顯示面板40位於背光模組60的出光側60a。攝像模組50對應相機孔區B設置以藉由相機孔區B採集圖像信息。

背光模組60為直下式背光源。背光模組60包括光源(圖未示)、光學膜片組(圖未示)以及背板(圖未示)等。背光模組60對應相機孔區B定義有貫穿背光模組60的安裝孔62。安裝孔62的尺寸大於或大致等於相機孔區B的尺寸。攝像模組50設置於安裝孔62內。由於攝像模組50對應被顯示區A環繞的相機孔區B設置，相較於將攝像模組50設置在圍繞顯示區A的邊框區的方式相比，提高了顯示裝置100的屏占比。顯示裝置100可為手機、平板電腦等。

以上實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施方式對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神及範圍。