TWI719702B - 三氯矽烷生成設備 - Google Patents

Abstract

本發明所提供的三氯矽烷生成設備，可以回收再利用反應槽內未完全反應的四氯化矽材料與氫氣材料而減少材料的浪費，並可將反應槽內未完全反應的冶金級矽材料析出，而避免反應產物的輸出管路受到反應槽內未完全反應的冶金級矽材料的堵塞，藉以增加三氯矽烷生成設備的使用壽命。另外，本發明還可以將反應產物中的次產物析出，以留下三氯矽烷的主產物，藉以提高三氯矽烷的生成物的純度。

Description

三氯矽烷生成設備

本發明係為一種三氯矽烷生成設備，詳言之，係為一種具有可以去除金屬固廢及矽粉的三氯矽烷生成設備。

按照現有三氯矽烷生成設備及其方法中，一般都會將冶金級矽材料(矽含量90%以上，又稱MGS)、氫氣材料(H₂)及四氯化矽材料(SiCl₄)三者分別置入反應槽，進行反應式為Si+2H₂+3SiCl₄→4SiHCl₃的反應而生成三氯矽烷(SiHCl₃)，由於冶金級矽材料包含有其他也會參與反應的非含矽材料，所以除了生成三氯矽烷之外也會產生例如為重沸物或輕沸物的次產物，且反應槽中未完全反應的冶金級矽材料、氫氣材料、四氯化矽材料常會伴隨著已經生成的三氯矽烷及次產物離開反應槽而進入輸出管路中，如此，可能會造成未完全反應的四氯化矽材料與氫氣材料的浪費、輸出管路受到冶金級矽材料的堵塞、以及生成物夾雜次產物的液體混合物而影響純度，這些議題都是現有三氯矽烷生成設備經常發生的問題，如此，不僅增加了三氯矽烷生成設備反應槽及輸出管路的保養費用、無法回收再利用未完全反應就離開氫氯化反應槽的四氯化矽材料與氫氣材料，更因無其相關設備能夠將次產物與三氯矽烷分離而降低了三氯矽烷的生成物的純度。

因此，如何提供一種三氯矽烷生成設備，以解決上述種種問題，遂為現在業界亟欲挑戰克服的技術議題。

鑒於上述先前技術之缺點，本發明係提供一種三氯矽烷生成設備，係包括：一反應槽，該反應槽係具有一槽內空間，該槽內空間係提供導入一冶金級矽材料、一氫氣材料與一四氯化矽材料，並使導入的該冶金級矽材料、該氫氣材料與該四氯化矽材料反應而生成一反應產物；一輸出管路，該輸出管路係連通該槽內空間，以輸出來自於該槽內空間的一第一二流體，其中，該第一二流體包含該反應產物的部分、該冶金級矽材料的部分、該氫氣材料的部分與該四氯化矽材料的部分，而該反應產物係包含一三氯矽烷與一次產物；一第一流體分離構件，該第一流體分離構件係連通該輸出管路以接收該第一二流體，並對該第一二流體提供流體分離，而將該第一二流體分離出一第二七流體與一第二三流體，其中，該第二七流體包含該冶金級矽材料的部分；一第一流體處理構件，該第一流體處理構件係連通該第一流體分離構件以接收該第二三流體，並對該第二三流體提供氫氣回收，而回收該第二三流體中的該氫氣材料的部分以生成一第三四流體；一第二流體分離構件，該第二流體分離構件係連通該第一流體處理構件以接收該第三四流體，並對該第三四流體提供流體分離，而將該第三四流體分離出一第四五流體與一第四六流體；一第二流體處理構件，該第二流體處理構件係連通該第二流體分離構件以接收該第四五流體，並對該第四五流體提供四氯化矽回收，而回收該第四五流體中的該四氯化矽材料的部分，以生成一第五六流體與該三氯矽烷的成品；以及一第三流體處理構 件，該第三流體處理構件係分別連通該第二流體分離構件與該第二流體處理構件以接收該第四六流體與該第五六流體，並對該第四六流體與該第五六流體提供四氯化矽回收，而回收該第四六流體與該第五六流體中的該四氯化矽材料的部分，以生成一第六七流體，其中，該第六七流體包含該第四六流體與該第五六流體中的該次產物的部分；以及一三氯矽烷成品槽，該三氯矽烷成品槽E係提供收容該三氯矽烷的成品。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，還包括一固廢處理構件，該固廢處理構件係連通該第一流體分離構件，以對該第二七流體中的固廢提供收集處理；該固廢處理構件還連通該第三流體處理構件，以對該第六七流體中的固廢提供收集處理。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，其中，該第二流體處理構件係具有一第一階段析出構件、一第二階段析出構件，該第一階段析出構件係接收該第四五流體，以提供析出該第四五流體中具有一第一沸點的該次產物的部分與一階段析出流體；該第二階段析出構件係接收該階段析出流體，以提供析出該階段析出流體中具有一第二沸點的該次產物的部分，而生成一第五八流體與該三氯矽烷的成品，其中，該第一沸點與該第二沸點不同使該三氯矽烷的成品純化。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，其中，該第一階段析出構件係包含有一回收塔，該回收塔係接收該第四五流體中的該四氯化矽材料的部分以提供四氯化矽的回收，並回收具有該第一沸點的該次產物的部分以生成該第五六流體，該回收塔係連通該第三流體處理構件，以將該第五六流體導入該第三流體處理構件中。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，還包括一廢氣處理構件，該廢氣處理構件係連通該第二流體處理構件以接收該第五八流體，並對該第五八流體提供酸鹼中和，以產生符合排放標準的廢氣；該廢氣處理構件還連通該固廢處理構件，以接收該固廢處理構件中的廢氣，並對該固廢處理構件中的廢氣提供酸鹼中和，以產生符合排放標準的廢氣。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，還包括一四氯化矽材料回收構件，該四氯化矽材料回收構件係連通該槽內空間與該第二流體處理構件，以將該第四五流體中的該四氯化矽材料的部分與該第一沸點的該次產物的四氯化矽的部分導入該槽內空間再利用，而參與該槽內空間中的反應生成該反應產物；該四氯化矽材料回收構件還連通該槽內空間與該第三流體處理構件，以將該第四六流體與該第五六流體中的該四氯化矽材料的部分導入該槽內空間再利用，而參與該槽內空間中的反應生成該反應產物。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，其中，該第一流體處理構件係具有一氫氣回收構件，該氫氣回收構件係分別連通該槽內空間與該第一流體分離構件，以將該第二三流體中的該氫氣材料的回收部分導入該槽內空間再利用，而參與該槽內空間中的反應生成該反應產物。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，還包括一預加熱構件，該預加熱構件係預加熱該氫氣材料與該四氯化矽材料，使導入該槽內空間的該氫氣材料與該四氯化矽材料符合一預定反應溫度。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，還包括一預加壓構件，該預加壓構件係預加壓該氫氣材料與該四氯化矽材料，使導入該槽內空間的該氫氣材料與該四氯化矽材料符合一預定反應壓力。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，其中，該第一流體處理構件係具有一結晶構件，該結晶構件係使該第二三流體中的該次產物的部分冷卻結晶轉換成固體。

可選擇性地，針對前述的三氯矽烷生成設備，其中，該第一流體分離構件與該第二流體分離構件係為離心式分離器。

相較於先前技術，本發明所提供的三氯矽烷生成設備，係利用四氯化矽回收構件與氫氣回收構件可以回收再利用反應槽內未完全反應的四氯化矽材料與氫氣材料而減少材料的浪費，並利用離心式分離器將反應槽內未完成反應的冶金級矽材料與反應產物做分離，而避免反應產物的輸出管路受到反應槽內未完全反應的冶金級矽材料的堵塞，因此，可以增加三氯矽烷生成設備的使用壽命。另外，本發明還可以將反應產物中的次產物析出，以純化三氯矽烷的主產物，藉以提高三氯矽烷的生成物的純度。

1:反應槽

11:槽內空間

12:輸出管路

2:第一流體分離構件

3:第一流體處理構件

31:氫氣回收構件

32:結晶構件

4:第二流體分離構件

5:第二流體處理構件

511:回收塔

51:第一階段析出構件

52:第二階段析出構件

6:第三流體處理構件

7:固廢處理構件

8:廢氣處理構件

9:四氯化矽材料回收構件

C:冷凝器

E:三氯矽烷成品槽

F12:第一二流體

F23:第二三流體

F27:第二七流體

F34:第三四流體

F45:第四五流體

F46:第四六流體

F5:階段析出流體

F56:第五六流體

F58:第五八流體

F67:第六七流體

H:預加熱構件

P:預加壓構件

P1:泵浦

P2:氫氣壓縮機

SH:蒸氣加熱構件

圖1，係本發明三氯矽烷生成設備的第一系統架構圖。

圖2，係本發明三氯矽烷生成設備的第二系統架構圖。

圖3，係本發明三氯矽烷生成設備的第三系統架構圖。

以下內容將搭配圖式，藉由特定的具體實施例說明本發明之技術內容，熟悉此技術之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用。本說明 書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不背離本發明之精神下，進行各種修飾與變更。尤其是，於圖式中各個元件的比例關係及相對位置僅具示範性用途，並非代表本發明實施的實際狀況。

針對本發明三氯矽烷生成設備的技術思想，請一併參閱圖1至圖3的揭露。

如圖1所示，本發明的三氯矽烷生成設備係包括：反應槽1、輸出管路12、第一流體分離構件2、第一流體處理構件3、第二流體分離構件4、第二流體處理構件5、第三流體處理構件6與三氯矽烷成品槽E。

具體而言，反應槽1係具有槽內空間11，如圖1至圖3所示，反應槽1係例如為氫氯化反應槽，而槽內空間11係提供導入冶金級矽材料、氫氣材料與四氯化矽材料，以使導入的冶金級矽材料、氫氣材料與四氯化矽材料可以在槽內空間11反應，而生成包含反應產物的第一二流體F12。輸出管路12係連通槽內空間11，以輸出來自於槽內空間11的第一二流體F12。應說明的是，槽內空間11內的材料可能不會完全反應(即槽內空間11內的部分材料不會參與反應)，所以由槽內空間11輸出的第一二流體F12除了包含反應產物的部分，還具有槽內空間11內未完全反應的包含冶金級矽材料的部分等固體材料以及氫氣材料的部分與四氯化矽材料的部分等氣體材料。另外，於本發明的一實施例中，反應產物係包含三氯矽烷(即主產物)與次產物，其中，次產物具有包含三氯化鋁(AlCl3)、四氯化鈦(TiCl4)等重沸物以及包含氫氯酸(HCl)等輕沸物。

於本發明中，第一流體分離構件2係例如為旋風分離器，如圖2及圖3所示，第一流體分離構件2係連通輸出管路12以接收第一二流體F12，而後對第一二流體F12提供流體分離，將第一二流體F12分離出第二七流體F27 與第二三流體F23，其中，第二七流體F27具有槽內空間11內未完全反應的包含冶金級矽材料的部分等固體材料，而第二三流體F23具有包含反應產物的部分以及槽內空間11內未完全反應的氫氣材料的部分與四氯化矽材料的部分等氣體材料，因此，第一流體分離構件2係為可提供上述固體材料與上述氣體材料分離的離心式分離器。

第一流體處理構件3具有氫氣回收構件31與結晶構件32，如圖2及圖3所示，氫氣回收構件31係包含分別連通槽內空間11與第一流體分離構件2的除氣槽，用以接收第二三流體F23並接著將第二三流體F23的氫氣分離(去除)以提供氫氣回收，而後再經過結晶構件32的結晶以生成一第三四流體F34，俾將第二三流體F23中的氫氣材料的回收部分導入槽內空間11再利用，而參與槽內空間11中反應生成的反應物，以減少氫氣材料的浪費。

針對結晶構件32，具體而言，結晶構件32係例如包含攪拌結晶桶，主要係利用降溫冷卻的方式將第二三流體F23中的氣體材料液化成包含有多種不同熔點成分的液體材料，而當結晶攪拌桶的溫度持續降溫冷卻而低於液體中某成分的熔點時，該成分會從液體材料中結晶固化，舉例而言，當攪拌結晶桶的溫度低於次產物中重沸物的熔點時，則由第二三流體F23液化的液體材料中的次產物中重沸物的部分則會結晶固化進而生成第三四流體F34，其中，第三四流體F34包含重沸物與冶金級矽的部分等固體材料以及包含三氯矽烷的部分、四氯化矽的部分與次產物中的輕沸物的部分等液體材料。

第二流體分離構件4係例如為旋風分離器，如圖2及圖3所示，第二流體分離構件4係連通第一流體處理構件3以接收第三四流體F34，並對第三四流體F34提供流體分離，而將第三四流體F34分離出第四五流體F45與第 四六流體F46，於一實施例中，第四五流體F45包含有三氯矽烷的部分、四氯化矽的部分與次產物中的輕沸物的部分等液體材料，而第四六流體F46包含有次產物中的重沸物的部分與冶金級矽的部分等固體材料，因此，可選擇性地，第二流體分離構件4係為可提供上述液體材料與上述固體材料分離的離心式分離器。

另外，第二流體處理構件5係透過例如蒸餾方式析出第四五流體F45中不同成分的材料，如圖2及圖3所示，第二流體處理構件5包含有第一階段析出構件51與第二階段析出構件52。具體而言，第一階段析出構件51係連通第二流體分離構件4，以接收第四五流體F45，進而對第四五流體F45提供四氯化矽的回收，以回收第四五流體F45中的四氯化矽材料的部分，除此之外，如圖3所示，第一階段析出構件51可包含重沸物分離塔(例如為可分離重沸物的蒸餾塔)，藉以析出第四五流體F45中具有第一沸點的次產物的部分與階段析出流體F5，其中，所述具有第一沸點的次產物的部分係包含重沸物等液體材料，階段析出流體F5係包含三氯矽烷與輕沸物等氣體材料。如圖2及圖3所示，第一階段析出構件51還可包含回收塔511，其中，回收塔511係接收第四五流體F45中的四氯化矽材料的部分以提供四氯化矽的回收，進而析出具有第一沸點的次產物的部分以生成第五六流體F56。另外，回收塔511係連通第三流體處理構件6，以將第五六流體F56導入第三流體處理構件6中。

如圖3所示，第二階段析出構件52係可包含連通第一階段析出構件51的輕沸物分離塔(例如為可分離輕沸物的蒸餾塔)，藉以接收階段析出流體F5，進而提供析出階段析出流體F5中具有第二沸點的次產物的部分，而生成第五八流體F58與三氯矽烷的成品，所述具有第二沸點的次產物的部分係包含輕 沸物等氣體材料。另外應說明的是，三氯矽烷成品槽E係連接第二階段析出構件52，以接收第二階段析出構件52所生成的三氯矽烷的成品並提供收容。

另言之，由於材料的溫度到達熔點或沸點時可由固體液化成液體或液體氣化成氣體，因此，若改變流體的溫度則可以析出流體不同熔點或沸點的材料，所以，第一階段析出構件51可將第四五流體F45中具有第一沸點的次產物的部分(例如重沸物)析出，而第二階段析出構件52係可將階段析出流體F5中具有第二沸點的次產物的部分(例如輕沸物)析出，其中，第一沸點與第二沸點係不同，如此使三氯矽烷的成品得以純化。

相應地，本發明的三氯矽烷生成設備還包括第三流體處理構件6，如圖3所示，第三流體處理構件6係例如包含有蒸氣加熱構件SH的重沸物收集桶，其係分別連通第二流體分離構件4與第二流體處理構件5，以分別接收第四六流體F46與第五六流體F56，並藉由蒸氣加熱構件SH分別對第四六流體F46與第五六流體F56加熱，使第四六流體F46與第五六流體F56的溫度到達四氯化矽材料的沸點，使第四六流體F46與第五六流體F56中的四氯化矽材料的部分氣化析出，藉以提供回收四氯化矽材料的部分，而第四六流體F46與第五六流體F56中未氣化的部分係成為第六七流體F67，其中，第六七流體F67係包含第四六流體F46與第五六流體F56中的次產物的重沸物的部分。

於本發明中，三氯矽烷生成設備還包括四氯化矽材料回收構件9，如圖2及圖3所示，四氯化矽材料回收構件9係例如包含四氯化矽回收槽，且可將槽內空間11與第二流體處理構件5連通，以將第四五流體F45中回收的四氯化矽材料的部分導入槽內空間11再利用，而參與該槽內空間11中的反應生成反應產物，如此可以減少四氯化矽材料的浪費。此外，四氯化矽材料回收構件9 還可將槽內空間11與第三流體處理構件6連通，以將第四六流體F46與第五六流體F56中回收的四氯化矽材料的部分導入槽內空間11再利用，而參與該槽內空間11中的反應生成反應產物，如此可以減少四氯化矽材料的浪費。另外值得一提的是，如圖2及圖3所示，本發明的三氯矽烷生成設備還設有冷凝器C與泵浦P1，冷凝器C可冷凝液化回收的四氯化矽材料，泵浦P1可提供壓力將液化的四氯化矽材料導入槽內空間11再利用。

如圖1所示，於本發明中，三氯矽烷生成設備還包括固廢處理構件7，固廢處理構件7係分別連通第一流體分離構件2與第三流體處理構件6，以對第二七流體F27中的固廢(包含槽內空間11內未完全反應的包含冶金級矽材料的部分等固體材料)與第六七流體F67中的固廢(包含第四六流體F46與第五六流體F56中的次產物的重沸物的部分)提供收集。

此外，可選擇性地，如圖2及圖3所示，固廢處理構件7包含固廢收集桶及具有蒸氣加熱構件SHH的固廢接收桶，且可利用攪拌器攪拌固廢接收桶的固廢，並藉由蒸氣加熱構件SH提供蒸氣加熱，使固廢接收桶時內的固廢釋出具腐蝕性酸性的氯矽烷廢氣，接著，再將氮氣通入固廢接收桶中以迫使氯矽烷廢氣離開固廢接收桶，而後，將固廢接收桶內的固廢送入固廢收集桶中收集。

於本發明中，三氯矽烷生成設備還包括廢氣處理構件8，如圖1所示，廢氣處理構件8係連通固廢處理構件7，以接收具腐蝕性酸性的氯矽烷廢氣，並對具腐蝕性酸性的氯矽烷等廢氣提供酸鹼中和以使廢氣符合排放標準。另外，廢氣處理構件8還可連通第二流體處理構件5，以接收該第五八流體F58中的廢氣，並對第五八流體F58中的具腐蝕性酸性廢氣提供酸鹼中和，以使廢氣符合排放標準。

可選擇性地，在本發明中，三氯矽烷生成設備還包括預加壓構件P與預加熱構件H。如圖2及圖3所示，預加壓構件P係例如包含有四氯化矽材料用的泵浦P1以及氫氣材料用的氫氣壓縮機P2等，可以預加壓氫氣材料與四氯化矽材料，使導入槽內空間11的氫氣材料與四氯化矽材料符合預定反應壓力，而提高三氯矽烷的生成效率(即提升三氯矽烷的轉化率)。優選地，所述預定反應壓力係介於20-30kg/cm²之間。

預加熱構件H係預加熱氫氣材料與四氯化矽材料，使導入槽內空間11的氫氣材料與四氯化矽材料符合預定反應溫度，而提高三氯矽烷的生成效率(即提升三氯矽烷的轉化率)。優選地，如圖2及圖3所示，預加熱構件H係例如包含有四氯化矽預熱器與電熱式交換器，其中，四氯化矽預熱器係例如包含有蒸氣加熱構件SH，藉由蒸氣加熱構件SH的蒸氣加熱使液態的四氯化矽材料到達沸點而氣化，而後，氫氣材料與氣化的四氯化矽材料再通過電熱式交換器加熱，使符合預定反應溫度。

綜上所述，本發明係提供一種三氯矽烷生成設備，係透過四氯化矽回收構件與氫氣回收構件回收再利用反應槽內未完全反應的四氯化矽材料與氫氣材料，而減少反應槽內未完全反應的材料的浪費。另外，還透過流體分離構件，將反應槽內未完全反應的冶金級矽材料與反應產物做分離，而避免反應產物的輸出管路受到反應槽內未完全反應的冶金級矽材料的堵塞，如此，可以增加三氯矽烷生成設備的使用壽命，也降低了清除堵塞輸出管路的維護成本。再者，本發明還透過流體處理構件，將反應產物中的次產物析出，以純化三氯矽烷的主產物，藉以提高三氯矽烷的純度。

上述實施例僅例示性說明本發明之原理及功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技術之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發明之權利保護範圍，應如本發明申請專利範圍所列。

1:反應槽

11:槽內空間

12:輸出管路

2:第一流體分離構件

3:第一流體處理構件

4:第二流體分離構件

5:第二流體處理構件

6:第三流體處理構件

7:固廢處理構件

8:廢氣處理構件

9:四氯化矽材料回收構件

E:三氯矽烷成品槽

F12:第一二流體

F23:第二三流體

F27:第二七流體

F34:第三四流體

F45:第四五流體

F46:第四六流體

F56:第五六流體

F58:第五八流體

F67:第六七流體

H:預加熱構件

P:預加壓構件

Claims (9)

1. 一種三氯矽烷生成設備，係包括：一反應槽，該反應槽係具有一槽內空間，該槽內空間係提供導入一冶金級矽材料、一氫氣材料與一四氯化矽材料，並使導入的該冶金級矽材料、該氫氣材料與該四氯化矽材料反應而生成一反應產物；一輸出管路，該輸出管路係連通該槽內空間，以輸出來自於該槽內空間的一第一二流體，其中，該第一二流體包含該反應產物的部分、該冶金級矽材料的部分、該氫氣材料的部分與該四氯化矽材料的部分，而該反應產物係包含一三氯矽烷與一次產物；一第一流體分離構件，該第一流體分離構件係連通該輸出管路以接收該第一二流體，並對該第一二流體提供流體分離，而將該第一二流體分離出一第二七流體與一第二三流體，其中，該第二七流體包含該冶金級矽材料的部分；一第一流體處理構件，該第一流體處理構件係連通該第一流體分離構件以接收該第二三流體，並對該第二三流體提供氫氣回收，而回收該第二三流體中的該氫氣材料的部分以生成一第三四流體，其中，該第三四流體包含該冶金級矽材料的部分；一第二流體分離構件，該第二流體分離構件係連通該第一流體處理構件以接收該第三四流體，並對該第三四流體提供流體分離，而將該第三四流體分離出一第四五流體與一第四六流體，其中，該第二流體分離構件係為提供該冶金級矽材料分離的離心式分離器；一第二流體處理構件，該第二流體處理構件係連通該第二流體分離構件以接收該第四五流體，並對該第四五流體提供四氯化矽回收，而回收該第四 五流體中的該四氯化矽材料的部分，以生成一第五六流體與該三氯矽烷的成品；以及一第三流體處理構件，該第三流體處理構件係分別連通該第二流體分離構件與該第二流體處理構件以接收該第四六流體與該第五六流體，其中，該第三流體處理構件還具有一蒸氣加熱構件，係分別對該第四六流體與該第五六流體加熱，並對該第四六流體與該第五六流體提供四氯化矽回收，而回收該第四六流體與該第五六流體中的該四氯化矽材料的部分，以生成一第六七流體，其中，該第六七流體包含該第四六流體與該第五六流體中的該次產物的部分；其中，該第二流體處理構件係具有一第一階段析出構件、一第二階段析出構件，該第一階段析出構件係接收該第四五流體，以提供析出該第四五流體中具有一第一沸點的該次產物的部分與一階段析出流體；該第二階段析出構件係接收該階段析出流體，以提供析出該階段析出流體中具有一第二沸點的該次產物的部分，而生成一第五八流體與該三氯矽烷的成品，其中，該第一沸點與該第二沸點不同使該三氯矽烷的成品純化；以及一三氯矽烷成品槽，該三氯矽烷成品槽係提供收容該三氯矽烷的成品。
2. 如請求項1所述的三氯矽烷生成設備，還包括一固廢處理構件，該固廢處理構件係連通該第一流體分離構件，以對該第二七流體中的固廢提供收集處理；該固廢處理構件還連通該第三流體處理構件，以對該第六七流體中的固廢提供收集處理。
3. 如請求項1所述的三氯矽烷生成設備，其中，該第一階段析出構件係包含有一回收塔，該回收塔係接收該第四五流體中的該四氯化矽材料的部 分以提供四氯化矽的回收，並回收具有該第一沸點的該次產物的部分以生成該第五六流體，該回收塔係連通該第三流體處理構件，以將該第五六流體導入該第三流體處理構件中。
4. 如請求項1所述的三氯矽烷生成設備，還包括一廢氣處理構件，該廢氣處理構件係連通該第二流體處理構件以接收該第五八流體，並對該第五八流體提供酸鹼中和，以產生符合排放標準的廢氣；該廢氣處理構件還連通該固廢處理構件，以接收該固廢處理構件中的廢氣，並對該固廢處理構件中的廢氣提供酸鹼中和，以產生符合排放標準的廢氣。
5. 如請求項1所述的三氯矽烷生成設備，還包括一四氯化矽材料回收構件，該四氯化矽材料回收構件係連通該槽內空間與該第二流體處理構件，以將該第四五流體中的該四氯化矽材料的部分與該第一沸點的該次產物的四氯化矽的部分導入該槽內空間再利用，而參與該槽內空間中的反應生成該反應產物；該四氯化矽材料回收構件還連通該槽內空間與該第三流體處理構件，以將該第四六流體與該第五六流體中的該四氯化矽材料的部分導入該槽內空間再利用，而參與該槽內空間中的反應生成該反應產物。
6. 如請求項1所述的三氯矽烷生成設備，其中，該第一流體處理構件係具有一氫氣回收構件，該氫氣回收構件係分別連通該槽內空間與該第一流體分離構件，以將該第二三流體中的該氫氣材料的回收部分導入該槽內空間再利用，而參與該槽內空間中的反應生成該反應產物。
7. 如請求項1所述的三氯矽烷生成設備，還包括一預加熱構件，該預加熱構件係預加熱該氫氣材料與該四氯化矽材料，使導入該槽內空間的該氫氣材料與該四氯化矽材料符合一預定反應溫度。
8. 如請求項1所述的三氯矽烷生成設備，還包括一預加壓構件，該預加壓構件係預加壓該氫氣材料與該四氯化矽材料，使導入該槽內空間的該氫氣材料與該四氯化矽材料符合一預定反應壓力。
9. 如請求項1所述的三氯矽烷生成設備，其中，該第一流體處理構件係具有一結晶構件，該結晶構件係使該第二三流體中的該次產物的部分冷卻結晶轉換成固體；該第一流體分離構件係為離心式分離器。

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