TWI716598B - 氣體分析裝置 - Google Patents

Abstract

本發明的課題，在於減輕因分析對象氣體中的水氣或是灰塵所造成的影響。

本發明的解決手段，是在於提供一種氣體分析裝置，其具備：照射部，係對在煙道內流動的分析對象氣體照射雷射光、及受光部，係以隔著煙道之方式與照射部相向地配置，並接受已通過分析對象氣體的雷射光線、以及一體的筒，係以使雷射光通過內部之方式配置在照射部與上述受光部之間，並於煙道內，該筒形成有面向分析對象氣體之上游側的第1孔與面向分析對象氣體之下游側的第2孔。

Description

氣體分析裝置

本發明，是關於氣體分析裝置。

以往，周知有雷射式的氣體分析裝置。氣體分析裝置，是具備：將雷射光照射於分析對象氣體的照射部、以及接受通過分析對象氣體後之雷射光光線的受光部。氣體分析裝置，是依據在受光部的受光量來分析吸收光譜。氣體分析裝置，係依據吸收光譜，分析對象氣體中之對象物質的濃度(例如，請參照專利文獻1)。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開2009-270917號公報

於雷射式氣體分析裝置，在分析對象氣體中含有水氣或是灰塵之情形時，雷射光就會受到水氣或是灰塵而散射或是被吸收。並依水氣或是灰塵的量，會有減少 在受光部之雷射光的受光量，而使得對象物質的濃度難以測量的情形。

於本發明之一樣態，氣體分析裝置，係具備：照射部、受光部、以及筒為佳；照射部，係對在煙道內流動的分析對象氣體照射雷射光為佳；受光部，係以隔著上述煙道之方式與上述照射部相向配置為佳；受光部，係接受已通過分析對象氣體的雷射光線為佳；筒，係以使上述雷射光通過內部之方式配置在上述照射部與上述受光部之間之一體的筒為佳；於煙道內，使第1孔與第2孔形成於筒為佳。第1孔，係面向分析對象氣體之上游側為佳；第2孔，係面向分析對象氣體的下游側為佳。

氣體分析裝置，係具備照射部側導入部與受光部側導入部為佳；照射部側導入部，係將清洗氣體從筒之照射部側的端部導入於筒內為佳；受光部側導入部，係將清洗氣體從筒之受光部側的端部導入於筒內為佳。

第2孔，是以與第1孔相向之方式配置在分析對象氣體的下游側為佳；第2孔的開口面積是比第1孔更大為佳。

第1孔及第2孔，係具有長軸為佳；長軸，係朝向筒的長邊方向延伸為佳。

氣體分析裝置，更具備罩蓋部為佳；罩蓋部，是與筒分開形成為佳；罩蓋部，是將第1孔局部性地 覆蓋為佳。

罩蓋部，是將第1孔在長軸方向上的中央部予以覆蓋為佳；罩蓋部，是沒有將第1孔在長軸方向上的端部予以覆蓋為佳；第1孔，係具有朝向筒之長邊方向延伸的長軸。

孔部形成於罩蓋部為佳；孔部，係使分析對象氣體通過為佳。

罩蓋部，係將第1孔之整體予以覆蓋為佳；孔部，係形成於罩蓋部為佳。

於罩蓋部，形成有複數個孔部為佳。

罩蓋部，是被分割成複數個為佳。

罩蓋部的下端，是延伸至比第1孔更下側為止為佳。

又，上述之發明的內容概要，並不是將本發明之必要的特徵所有全都予以列舉者。又，此等特徵群之次組合(subcombination)亦當然得以成為發明。

1‧‧‧分析對象氣體

2‧‧‧雷射光

6‧‧‧清洗氣體

8‧‧‧清洗氣體

10‧‧‧照射部

12‧‧‧雷射元件

14‧‧‧準直透鏡

16‧‧‧框體

18‧‧‧照射部側透光窗

20‧‧‧受光部

22‧‧‧集光透鏡

24‧‧‧受光元件

25‧‧‧信號處理部

26‧‧‧框體

28‧‧‧受光部側透光窗

30‧‧‧筒

30a‧‧‧照射部側連結管

30b‧‧‧受光部側連結管

32‧‧‧第1孔

34‧‧‧第2孔

36‧‧‧凸緣

37‧‧‧凸緣

38‧‧‧端部

42‧‧‧照射部側導入部

44‧‧‧受光部側導入部

50‧‧‧罩蓋部

52‧‧‧支撐部

54‧‧‧下端

56‧‧‧孔部

60‧‧‧煙道

62‧‧‧側壁

100‧‧‧氣體分析裝置

第1圖是顯示本發明第1實施形態中之氣體分析裝置100之概要的立體圖。

第2圖是本發明第1實施形態中之氣體分析裝置100的剖視圖。

第3圖是筒30的側視圖。

第4圖是筒30的上視圖。

第5圖是本發明第2實施形態中之氣體分析裝置100的側視圖。

第6圖是沿著本發明第2實施形態中之氣體分析裝置100之AA’線的剖視圖。

第7圖是顯示第2實施形態中之氣體分析裝置100之變形例的側視圖。

第8圖是顯示第2實施形態中之氣體分析裝置100之其他變形例的側視圖。

第9圖是顯示第2實施形態中之氣體分析裝置100之其他變形例的側視圖。

〔用以實施發明的實施形態〕

以下，透過發明的實施形態來說明本發明，不過，以下的實施形態並非是用來限定申請專利範圍中所述之發明。又，並無限定在實施形態中所說明之特徵的所有組合是發明之解決手段所必須者。

在本專利說明書中，是使用X軸、Y軸、以及Z軸之直角座標系來說明技術性事項。直角座標系，只不過是用來特定構成要件的相對位置，而並非是用以限定特定之方向者。例如，Z軸並不表示是用來限定相對於地面之高度方向者。又，+Z軸方向與-Z軸方向為相互逆向的方向。在沒有記載正負，而記載Z軸方向之情形時，是 指與+Z軸及-Z軸平行的方向。

第1圖，是顯示本發明第1實施形態中之氣體分析裝置100之概要的立體圖。氣體分析裝置100，是用以分析在煙道60內流動的分析對象氣體1。在本例中，分析對象氣體1，是朝向Z軸方向流動。煙道60，可以是從鍋爐或是燃燒爐所排出之氣體的流路。鍋爐或是燃燒爐，可以是燃燒煤、重油、或是燃燒垃圾。不過在此，煙道60，並不限定為氣體流路。在本專利說明書中之煙道60，可以是包含有可供分析對象氣體1流動之內部空間的機器，也可以是容器、煙囪、排氣導管、脫硝裝置、化學廠設備，鐵鋼廠設備、以及加熱爐等之各種機器。

氣體分析裝置100，可以是將測量用的氣體抽出至煙道60外部不要的直接***式的雷射式氣體分析計。氣體分析裝置100，係具備照射部10及受光部20。照射部10及受光部20，是被配置在煙道60的外部。照射部10及受光部20，是以隔著煙道60的方式相向地配置。在本例中，照射部10及受光部20，是沿著X軸方向而配置。照射部10，是對在煙道60內流動的分析對象氣體1照射雷射光2。受光部20，是接受通過分析對象氣體1後之雷射光2光線。

本例的氣體分析裝置100，係具備：配置在照射部10與受光部20之間之一體的筒30。所謂一體的筒30，是指將照射部10與受光部20之間予以連結的管狀體。一體的筒30，只要在照射部10與受光部20之間不 被分斷開，是可以使複數個筒相接合而構成。筒30，是以使雷射光2通過內部之方式所配置。本例的筒30，其長邊方向是以平行於X軸方向之方式所配置。為了使雷射光2不會受到筒30的內壁所干涉，雷射光2以通過筒30的中心軸附近為佳。

於筒30的管壁，形成有第1孔32及第2孔34。第1孔32，是面向分析對象氣體1的上游側。另一方面，第2孔34，是面向分析對象氣體1的下游側。第2孔34，是設在與第1孔32相向的位置。分析對象氣體1，是從第1孔32流入後從第2孔34流出。因此，被第1孔32與第2孔34所夾隔的空間區域，是顯露於分析對象氣體環境中。於被第1孔32與第2孔34所夾隔的空間區域中，雷射光2，通過分析對象氣體1。又，為了不使分析對象氣體1流入至照射部10側及受光部20側，亦可以從位於筒30之X軸方向的兩端朝向中央將清洗氣體6及清洗氣體8導入於筒30內。

氣體分析裝置100，是依據由受光部20所接受的受光量來分析吸收光譜。氣體分析裝置100，是從吸收光譜，來分析分析對象氣體1中所含有之對象物質的濃度。對象物質，可以是HCl、NH₃、O₂、CO、CO₂、HF、CH₄、NOX及H₂O等之氣體成分。於本專利說明書中，分析對象氣體1，並沒有特別地限定。分析對象氣體1，可以是乾餾氣體、產生的氣體、排放氣體、鐵鋼廠氣體、製程氣體、以及爐內氣體等之各種氣體。

氣體分析裝置100，是可以依據在特定的波長中之雷射光2的衰減量來分析對象物質的濃度。具體而言，依據藍伯特-比爾(Lambert-Beer)定律，雷射光2的衰減量，是取決於對象物質的濃度以及存在有該對象物質之區域的測量光路長。將藍伯特-比爾的數式顯示於〔數式1〕。在本例中，測量光路長Ls，是由位於第1孔32之X軸方向上的長度所限定。依氣體分析裝置100所進行的處理本身，由於是與以往的雷射式氣體分析裝置相同，故詳細說明省略之。

〔數式1〕I(L)=I(O)．exp〔-ks．Ns．Ls〕

在此，I(L)為受光量。

I(O)為照射光量(發光量)。

Ks是氣體常數。

Ns是對象物質的濃度(vol/%)。

Ls是測量光路長。

第2圖，是本發明第1實施形態中之氣體分析裝置100的剖視圖。第2圖，是顯示被安裝於煙道60之狀態的氣體分析裝置100。在本例中，煙道60，是形成為朝向Z軸方向延伸的圓筒管狀。煙道60的形狀，並不限定於圓筒形狀。安裝氣體分析裝置100的煙道60，係具有0.5m以上的煙道寬度。在其一例中，煙道寬度為2m以上20m以下。煙道寬度，可以是與分析對象氣體1的 流動方向垂直之方向上之煙道的側壁間的間隔。

於煙道60中，於相互相向的側壁62a及側壁62b的各部分形成有孔。側壁62a及側壁62b，是分別為照射部10側及受光部20側的側壁。筒30是被***於：在側壁62a及側壁62b所形成的孔，筒30以被固定於煙道60為佳。筒30，從防蝕性的觀點而言，以不鏽鋼所形成為佳。不過，筒30的材料並沒有限定。筒30的內徑，是以大可大至通過筒30之中的雷射光2不會與筒30的內側面產生干涉的程度，小可小至在筒30內流動的清洗氣體6、8的流速不會變得過低的程度為佳。在其一例中，筒30的內徑為1cm以上5cm以下。

筒30，是從煙道60的側壁62a及側壁62b突出於煙道60的外部。筒30，以於照射部10側的突出部分具備凸緣36a為佳。於凸緣36a與照射部10之間，以設置照射部側連結管30a為佳。於本例的照射部側連結管30a，設置有凸緣37a。在本例中，藉由連結凸緣36a與凸緣37a，使筒30與照射部側連結管30a連通。

筒30，於受光部20側的部分，亦具有與照射部10側的部分相同的構成。具體而言，筒30，以於受光部20側的突出部分具備凸緣36b為佳。於凸緣36b與受光部20之間，以設置受光部側連結管30b為佳。在本例中，藉由連結凸緣36b與凸緣37b，使筒30與受光部側連結管30b連通。又，由於照射部側連結管30a、凸緣37a、凸緣36a、筒30、凸緣36b、凸緣37b、以及受光部 側連結管30b，是依排列順序，構成將照射部10與受光部20之間予以連結的管狀體，故可說是此等整體構成一體的筒。

如以上說明，藉由使用凸緣36(36a、36b)及凸緣37(37a、37b)，對於筒30對煙道60的安裝、以及經由凸緣37之照射部10與受光部20的安裝可以分別進行施工。因此，可以將本例的氣體分析裝置100容易地安裝於煙道60。不過，氣體分析裝置100，並不並限於此種施工情形，其筒30亦可以直接地連接於照射部10及受光部20。

照射部10，係包含：雷射元件12、準直透鏡(collimated lens)14、框體16、以及照射部側透光窗18。雷射元件12，可以是分散回饋型(DFB)雷射，亦可以是垂直共振腔面射型雷射(Vertical Cavity Surface Emitting LASER)。雷射元件12，可以是能夠變更輸出之雷射光2波長的波長可調雷射元件。準直透鏡14，是將從雷射元件12所出射的雷射光2作為平行光線。

框體16，是用以將雷射元件12及準直透鏡14收納於內部。於框體16的一部分，設有照射部側透光窗18。通過準直透鏡14的雷射光2，通過照射部側透光窗18後朝框體16的外部前進。照射部側透光窗18，是以從相對於雷射光2之光軸的垂直面傾斜地設置為佳。照射部側連結管30a，是以包圍照射部側透光窗18的方式固定於框體16。照射部側連結管30a的端部，是以藉由 照射部側透光窗18及框體16所封止為佳。

受光部20，係包含：集光透鏡22、受光元件24、信號處理部25、框體26、及受光部側透光窗28。集光透鏡22，是用以將通過分析對象氣體1後的雷射光2集光於受光元件24。受光元件24，是對應受光量來輸出電氣信號的元件。例如，受光元件24，具有光二極體或是光電晶體。受光元件24，是以輸出對應受光量的電流為佳。信號處理部25，是以接受來自受光元件24的電流，並將接受到的電流變換成電壓為佳。信號處理部25，是以將變換後的電壓予以檢波及濾波處理，產生去除雜訊後的信號。信號處理部25，是以使用去除雜訊後的信號，來算出對象物質的濃度為佳。

框體26，是用以將集光透鏡22、受光元件24、以及信號處理部25收納於內部。於框體26的一部分，設有受光部側透光窗28。通過受光部側透光窗28的雷射光2入射於框體26內。受光部側透光窗28，是以從相對於雷射光2之光軸的垂直面傾斜地設置為佳。受光部側連結管30b，是以包圍受光部側透光窗28的方式固定於框體26。受光部側連結管30b的端部，是以藉由受光部側透光窗28及框體26所封止為佳。

氣體分析裝置100，係具備：用以導入清洗氣體6、8的照射部側導入部42及受光部側導入部44。照射部側導入部42，是從筒30之照射部10側的端部，將清洗氣體6導入於筒30內。另一方面，受光部側導入部 44，是從筒30之受光部20側的端部，將清洗氣體8導入於筒30內。清洗氣體6、8可以是空氣或是氮氣。

於本專利說明書中，所謂筒30之照射部10側的端部，是指以第1孔32為基準之位在照射部10側之筒30的區域，特別是指：位在側壁62a與照射部10之間之筒30(或是照射部側連結管30a)的區域。於本專利說明書中，所謂筒30之受光部20側的端部，是指以第1孔32為基準之位在受光部20側位於之筒30的區域，特別是指：位在側壁62b與受光部20之間之筒30(或是受光部側連結管30b)的區域。

照射部側導入部42及受光部側導入部44，亦可以分別是清洗氣體流入口。在本例中，照射部側導入部42及受光部側導入部44，是設在煙道60的外部。本例的照射部側導入部42，是設在照射部側連結管30a；本例的受光部側導入部44，是設在受光部側連結管30b。從照射部側導入部42所導入的清洗氣體6，係一面充滿於筒30內，且同時朝向煙道60的中央流動。同樣地，從受光部側導入部44所導入的清洗氣體8，是朝向煙道60的中央流動。清洗氣體6及清洗氣體8，係從第2孔34而排出至筒30之外。

第3圖，是筒30的側視圖。第2孔34，是以與第1孔32相向之方式配置在分析對象氣體1的下游側。第2孔34，從Z軸方向來觀察筒30的外形，是以包含第1孔32的外形之方式來配置為佳。第2孔34，其開 口面積是比第1孔32更大。藉由如此地形成第1孔32及第2孔34，可以降低已通過第1孔32的分析對象氣體1在通過第2孔34時的壓力損失。因此，分析對象氣體1是難以不通過第2孔34就在筒30內流入至照射部10側及受光部20側。

第1孔32與第2孔34，以使其位於X軸方向的中心位置一致為佳，並使其位於Y軸方向的中心位置一致為佳。第1孔32之位於X軸方向(長軸方向)的長度L1，是以比第2孔34之位於X軸方向的長度L2還短為佳。第1孔32之長軸方向的長度L1可以是0.3m以上1m以下。作為其一例，長度L1為0.5m。於本例的氣體分析裝置100，其及於第1孔32之長軸方向的長度L1的區域，是暴露在分析對象氣體1中。並對應長度L1來決定測量光路長Ls。

第1孔32，亦可以是筒30之表面的切缺。從Y軸方向觀察筒30之情形下，第1孔32的切缺厚度D2，作為其一例，是筒30之外徑D1的1/4。第2孔34的切缺厚度D3，也可以是筒30之外徑D1的1/4。不過，厚度D3亦可以比厚度D2更大。此情形時，第2孔34之Y軸方向的寬度就會比第1孔32更大，而可以減低通過第1孔32時的壓力損失。

第4圖，是筒30的上視圖。第1孔32，是以形成為長方形狀為佳。不過，不同於本例，第1孔32是形成為橢圓形亦可。第1孔32，以具有延伸於筒30之長 邊方向(X軸方向)的長軸，並具有延伸於Y軸方向的短軸為佳。第2孔34，亦是以形成為具有延伸於X軸方向之長軸的長方形或是橢圓形為佳。藉由第1孔32及第2孔34的長軸朝向筒30的長邊方向延伸，即使筒30的直徑較細之情形時，亦可以確保有能夠維持分析感應精度的測量光路長Ls。

根據本例的氣體分析裝置100，可以減輕由存在於分析對象氣體1中的水氣及灰塵所造成之對分析結果的影響。在本例中，由水氣及灰塵所造成的影響，是被限定在由第1孔32及第2孔34所開口的區域。特別是，即使是在煙道60的寬度較大，若不採取增大照射部10與受光部20的距離就無法設置氣體分析裝置100的環境下，可以將測量光路長Ls設為比煙道60的寬度還短的長度，藉此，可以減輕水氣及灰塵的影響。由於水氣及灰塵的影響被減輕，所以氣體分析裝置100，可以安定地分析對象物質的濃度。

根據本例的本例之氣體分析裝置100，在從照射部10到第1孔32所遍及的區域中，筒30內是被清洗氣體6所充滿。同樣地，在從受光部20到第1孔32所遍及的區域中，筒30內是被清洗氣體8所充滿。因此，分析對象氣體1，由於不會從第1孔32及第2孔34流入於照射部10側及受光部20側，故可以防止位於測量光路長Ls以外區域中之雷射光2的衰減。

由於第1孔32及第2孔34是以整齊排列於 煙道60內之分析對象氣體1的流動方向(Z軸方向)之方式所配置，所以分析對象氣體1有效地從第1孔32流入並從第2孔34流出。因此，於筒30內，在與測量光路長Ls相對應的區域中，分析對象氣體1產生從第1孔32朝向往第2孔34方向的流動。藉此，在與測量光路長Ls相對應的區域中，清洗氣體6、8，受到分析對象氣體1的流動而被流往Z軸方向，然後從第2孔34被排出。由此緣故，可以防止清洗氣體6、8深入地侵入於與測量光路長Ls相對應的區域。

根據本例的氣體分析裝置100，筒30，由於是以雷射光2通過內部之方式配置在照射部10與受光部20之間之一體的筒，所以是在煙道60之照射部10側的側壁62a與受光部20側的側壁62b之間被兩側支承地支撐。因此，相較於筒30被懸臂支撐之情形，可以減輕筒30的撓曲及彎曲，而可以防止雷射光2之光軸的偏離。

第5圖是本發明第2實施形態中之氣體分析裝置100的側視圖。第6圖是沿著本發明第2實施形態中之氣體分析裝置100之AA’線的剖視圖。本例的氣體分析裝置100，具有罩蓋部50。其他的構造，是與第1實施形態的氣體分析裝置100相同。罩蓋部50，是為了減輕灰塵及水氣之影響的遮蔽物。罩蓋部50，從防蝕性的觀點而言，以不鏽鋼形成為佳。不過，筒30的材料並沒有限定。

罩蓋部50，是與筒30分開形成。所謂罩蓋部 50是與筒30分開形成，是指罩蓋部50與筒30於Z軸方向上分離地設置。在本例中，如第6圖所示，筒30的外側面與罩蓋部50的內側面於Z軸方向上分隔有一間隔距離H1。作為其一例者，間隔距離H1，可以是筒30的直徑以上。罩蓋部50，是以中介支撐部52地固定在筒30為佳。

罩蓋部50，由於是與筒30分開形成，所以分析對象氣體1藉由擴散可以充分地進入設有第1孔32的區域，也就是與測量光路長Ls相對應的區域。因此，在與測量光路長Ls相對應的區域中，可以防止對象物質的濃度與本來的濃度造成差異。另一方面，灰塵及水氣，相較於作為對象物質的分子，粒徑較大且重。由此緣故，灰塵及水氣，相較於作為對象物質的分子，由於擴散不易，所以難以充分地進入設有第1孔32的區域。因此，藉由設置罩蓋部50，可以減輕灰塵及水氣的影響，同時可以正確地分析對象物質的濃度。

罩蓋部50的下端54，是以延伸至比第1孔32更下側為止為佳。在本例中，是以分析對象氣體1的上游側為上，以分析對象氣體1的下游側為下。在本例中，罩蓋部50之下端54的位置P2，是比第1孔32之切缺的上表面的位置P1更低。如此地，藉由罩蓋部50的下端54，延伸至比第1孔32更下側為止，可以防止堆積於罩蓋部50的灰塵掉落於第1孔32內。

如第5圖所示，本例的罩蓋部50，是將第1 孔32在長軸方向(X軸方向)上的中央部予以覆蓋。罩蓋部50，沒有將第1孔32在長軸方向上的端部38a、38b予以覆蓋。由於罩蓋部50沒有覆蓋第1孔32的端部38a，所以在第1孔32的端部38a，分析對象氣體1的流動不會受到罩蓋部50所阻絕，而可確保分析對象氣體1的流動。因此，清洗氣體6，係受到第1孔32之端部38a附近的分析對象氣體1的流動而被流往Z軸方向，然後從第2孔34被排出。由此緣故，可以防止清洗氣體6深入地侵入於與測量光路長Ls相對應的區域。同樣地，也可以防止清洗氣體8，深入地侵入於與測量光路長Ls相對應的區域。

第7圖，是顯示第2實施形態中之氣體分析裝置100之變形例的側視圖。在本例的氣體分析裝置100中，罩蓋部50是將第1孔32的整體予以覆蓋。於本專利說明書中，所謂罩蓋部50是將第1孔32的整體予以覆蓋，意思是指罩蓋部50之X軸方向上的長度是比第1孔32之X軸方向上的長度更長，並且，罩蓋部50之Y軸方向上的長度是比第1孔32之Y軸方向上的長度更長。於罩蓋部50，係形成有使分析對象氣體1通過的孔部56。除了罩蓋部50的差異之外，其他的構造，是與第5圖所示的氣體分析裝置100相同。

孔部56，是以形成於罩蓋部50在X軸方向上的中央部為佳。本例之孔部56的大小，是比第1孔32在Y軸方向上的寬度還小。孔部56的大小，是以不會因 灰塵及水氣而阻塞孔目之方式來決定。

根據本例的氣體分析裝置100，作為遮蔽物發揮功能的罩蓋部50是比第1孔32更大，罩蓋部50是將第1孔32的整體予以覆蓋。因此，可以更進一步地降低水氣及灰塵的影響。藉由孔部56，由於可以確保分析對象氣體1從第1孔32往第2孔34的流動，所以可以防止清洗氣體6、8深入地侵入於形成有第1孔32的區域。

於本例的氣體分析裝置100，亦可以如第5圖所示地，罩蓋部50以將第1孔32在長軸方向上的中央部予以覆蓋，而不會將第1孔32在長軸方向上的端部38予以覆蓋之方式形成，且同時又設有孔部56為佳。

第8圖，是顯示第2實施形態中之氣體分析裝置100之其他變形例的側視圖。本例的氣體分析裝置100，於罩蓋部50係形成有：孔部56a、孔部56b、以及孔部56c。其他的構造，是與第7圖所示的例子相同。複數個孔部56之中，孔部56b，是形成於罩蓋部50在X軸方向上的中央部。孔部56a及孔部56c，是以形成在：與第1孔32在長軸方向上的端部38a及端部38b相向的位置為佳。不過，形成於罩蓋部50的複數個孔部的數量及位置，並沒有限制。於罩蓋部50，亦可以是形成有孔部56a和孔部56c，而不形成有孔部56b。

於罩蓋部50，藉由孔部56形成複數個，相較於孔部56為一個之情形，易於防止清洗氣體6、8深入地侵入於形成有第1孔32的區域。特別是，藉由孔部56a 及孔部56c是形成在：與第1孔32在長軸方向上的端部38a、38b相向的位置，可易於防止清洗氣體6、8深入地侵入於與測量光路長Ls相對應的區域。

於第1孔32的端部38a中，係藉由罩蓋部50並沒有阻絕分析對象氣體1的流動，而可以確保分析對象氣體1的流動。因此，清洗氣體6，係受到通過孔部56a後之分析對象氣體1的流動而被流往Z軸方向，然後從第2孔34被排出。由此緣故，清洗氣體6不會深入地侵入於與測量光路長Ls相對應的區域。同樣地，清洗氣體8，也不會深入地侵入於與測量光路長Ls相對應的區域。

第9圖，是顯示第2實施形態中之氣體分析裝置100之其他變形例的側視圖。在本例的氣體分析裝置100中，罩蓋部50是被分割成複數個罩蓋部50a、50b。複數個罩蓋部50a及罩蓋部50b，是以空出事先決定好的間隙沿著X軸方向排列為佳。其他的構造，是與第5圖所示的例子相同。鄰接的複數個罩蓋部50a、50b之間的間隙，是不會阻絕分析對象氣體1的流動地發揮於孔部56b相同的功能。因此，藉由本變形例亦可防止清洗氣體6及清洗氣體8深入地侵入於與測量光路長相對應的區域。在本例中，罩蓋部50雖是被分割成2個罩蓋部50a及50b，不過罩蓋部50，也可以被分割成3個以上的罩蓋部。

以上，雖已使用實施形態來說明本發明，但本發明的技術性範圍並不侷限在記載於上述實施形態的範 圍。各實施形態及各變形例是可以相互地組合。於上述實施形態中，對於本業業者明顯能夠施加各種的變更或是改良。由申請專利範圍之記載可明確得知，施加有該各種的變更或是改良的形態亦被包含於本發明的技術性範圍。

1‧‧‧分析對象氣體

2‧‧‧雷射光

6‧‧‧清洗氣體

8‧‧‧清洗氣體

10‧‧‧照射部

20‧‧‧受光部

30‧‧‧筒

32‧‧‧第1孔

34‧‧‧第2孔

60‧‧‧煙道

100‧‧‧氣體分析裝置

Claims (10)

1. 一種氣體分析裝置，其特徵為具備：照射部，係對在煙道內流動的分析對象氣體照射雷射光、及受光部，係以隔著上述煙道之方式與上述照射部相向地配置，並接受已通過上述分析對象氣體的上述雷射光、及一體的筒，係以使上述雷射光通過內部之方式配置在上述照射部與上述受光部之間，並於上述煙道內，形成有面向上述分析對象氣體之上游側的第1孔與面向上述分析對象氣體之下游側的第2孔、以及罩蓋部，其是與上述筒分離，並將上述第1孔局部性地覆蓋。
2. 如申請專利範圍第1項所述的氣體分析裝置，其中，具備：照射部側導入部，係將清洗氣體從上述筒之照射部側的端部導入於上述筒內、以及受光部側導入部，係將清洗氣體從上述筒之受光部側的端部導入於上述筒內。
3. 如申請專利範圍第1項所述的氣體分析裝置，其中，上述第2孔，是以與上述第1孔相向之方式配置在上述分析對象氣體的下游側，並且其開口面積比上述第1孔更大。
4. 如申請專利範圍第1項所述的氣體分析裝置，其中，上述第1孔及上述第2孔，具有朝向上述筒之長邊方向延伸的長軸。
5. 如申請專利範圍第1項所述的氣體分析裝置，其中，上述罩蓋部，是將上述第1孔在長軸方向上的中央部予以覆蓋，而沒有將上述第1孔在長軸方向上的端部予以覆蓋，且上述第1孔具有朝向上述筒的長邊方向延伸的長軸。
6. 如申請專利範圍第1項所述的氣體分析裝置，其中，於上述罩蓋部，形成有使上述分析對象氣體通過的孔部。
7. 如申請專利範圍第6項所述的氣體分析裝置，其中，上述罩蓋部，是將上述第1孔之整體予以覆蓋，並形成有上述孔部。
8. 如申請專利範圍第6項所述的氣體分析裝置，其中，於上述罩蓋部，形成有複數個上述孔部。
9. 如申請專利範圍第1項所述的氣體分析裝置，其中，上述罩蓋部，是被分割成複數個。
10. 如申請專利範圍第1項所述的氣體分析裝置，其中，上述罩蓋部的下端，是延伸至比上述第1孔更下側為止。

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