TWI715727B - 封裝基板之處置方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為，將個片化後之晶片的對於收容托盤之收容時間縮短，並且對實施後續處理之處理裝置的大型化作抑制。

本發明之解決手段，係為將為可收容於收容托盤(50)中的規格尺寸之數倍之封裝基板(W)分割成各個晶片(C)並分成複數個收容托盤來進行收容的封裝基板之處置方法，並構成為：具有將封裝基板沿著分割預定線來分割而分割成複數個晶片的步驟、和將封裝基板之分割後的全部晶片中之可收容於收容托盤中的個數之晶片整批吸引保持在晶片移送墊(45)並收容於收容托盤的步驟、以及將收容有複數個晶片的收容托盤進行搬送的步驟。

Description

封裝基板之處置方法
本發明係關於被分割成各個晶片的封裝基板之處置方法。
行動電話或個人電腦等之電子機器係被要求輕量化、小型化，針對半導體元件之封裝，亦開發有被稱為CSP(Chip Size Package)之可小型化的封裝技術。以往，作為CSP基板等之封裝基板的分割後之處置方法，已知有將分割後的晶片個別地處置的方法(例如，參照專利文獻1)。於專利文獻1所記載之處置方法中，係在以切削刃將封裝基板分割成各個晶片(顆粒)之後，使晶片1個個地被拾取而從保持台被收容於搬送托盤。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2000-150427號公報
然而，於專利文獻1所記載之處置方法中，由於是個別地拾取晶片，因此直到將全部的晶片收容於收容托盤結束為止需要相當的時間。今後，若伴隨著封裝基板的大型化而晶片的拾取數目增加，則可想定對於收容托盤之晶片的***需要的時間會進一步增長。再者，在如同封裝基板之尺寸對角線超過450mm、600mm一般之大片基板的情況時，係存在有關於對分割後之封裝基板實施後續的處理之各處理裝置亦不得不大型化的問題。
本發明係鑑於該點而完成者，其目的為，提供可將個片化後之晶片的對於收容托盤之收容時間縮短，並且對實施後續處理之處理裝置的大型化作抑制的封裝基板之處置方法。
本發明之封裝基板之處置方法，係將形成有複數之分割預定線之封裝基板分割成複數個晶片，並收容於具備有具有規定外形的晶片收容部及被配設於該晶片收容部的黏著材之收容托盤中，其特徵為，具備有：分割步驟，係沿著分割預定線來將比該收容托盤之該規定外形更大形尺寸的該封裝基板分割成複數個晶片；和整批接著步驟，係在實施該分割步驟之後，將該封裝基板之全部晶片中之可收容於該晶片收容部的個數之晶片吸引保持於與該 晶片收容部相對應之尺寸的晶片移送墊，並朝該晶片收容部之該黏著材的黏著面按壓，使一部分的複數晶片整批接著於該黏著面；以及搬送步驟，係在實施該整批接著步驟之後，將於該晶片收容部內接著有該一部分的複數晶片的該收容托盤進行搬送。
若依據此構成，則藉由晶片移送墊，封裝基板之全部晶片中可收容於晶片收容部的個數之晶片被吸引保持，而複數個晶片整批被接著於晶片收容部的黏著面。由於是將封裝基板之全部晶片分成複數次來整批收容於收容托盤中，因此相較於晶片1個個地收容於收容托盤的構成，可大幅地縮短收容時間。又，即使在封裝基板為大片基板的情況，由於封裝基板之全部晶片被分在複數個收容托盤中來被搬送至後續的處理裝置，因此沒有必要使後續的處理裝置配合封裝基板的尺寸而大型化。如此般，封裝基板之分割前，係可藉由將基板尺寸加大而增加晶片的拾取數目，封裝基板之分割後，係可藉由分在規定外形之搬送托盤中來進行搬送而抑制對既有的生產線之影響。
若依據本發明，則藉由將封裝基板之全部晶片分成複數次來整批收容於收容托盤中，而可將個片化後之晶片的對於收容托盤之收容時間縮短，並且對實施後續處理之處理裝置的大型化作抑制。
1‧‧‧切削裝置
40‧‧‧切削手段
45‧‧‧晶片移送墊
50‧‧‧收容托盤
51‧‧‧晶片收容部
52‧‧‧黏著材
53‧‧‧黏著面
60‧‧‧搬送機構
65‧‧‧處理裝置
C‧‧‧晶片
W‧‧‧封裝基板
[第1圖]係本實施形態之切削裝置的立體圖。
[第2圖]係將比較例之封裝基板之處置方法作展示的圖。
[第3圖]係將本實施形態之分割步驟之一例作展示的圖。
[第4圖]係將本實施形態之整批接著步驟之一例作展示的圖。
[第5圖]係將本實施形態之搬送步驟之一例作展示的圖。
以下，參照所添附圖式，針對本實施形態之切削裝置進行說明。第1圖係本實施形態之切削裝置的立體圖。第2圖係將比較例之封裝基板之處置方法作展示的圖。另外，以下所示之切削裝置係為展示一例者，並不限定於此構造。切削裝置，係只要可適用本實施形態之封裝基板之處置方法，則亦可適當變更。又，封裝基板，並不限於CSP基板或晶圓級CSP基板等之小型的封裝基板，亦可為相較於CSP基板等而尺寸更大的封裝基板。
如第1圖所示般，切削裝置1係構成為：藉由將被保持在吸盤台25的矩形板狀之封裝基板W以一對的切削手段40進行切削，而將封裝基板W分割成各個晶 片C(參照第3圖)。封裝基板W的表面，係藉由複數條分割預定線L而被區劃成格子狀，在此等以分割預定線所區劃的各區域係形成有複數個元件D。另外，作為封裝基板W之元件D，係可配設有半導體元件，亦可配設有LED(Light Emitting Diode)元件。
於切削裝置1之基座10上，係設置有將吸盤台25在X軸方向上進行移動之切削進送手段20。切削進送手段20，係具有：被配置於基座10上之與X軸方向平行的一對的導軌21、和可滑動地設置在一對的導軌21之馬達驅動的X軸台22。於X軸台22的背面側，係形成有未圖示的螺帽部，於此螺帽部係螺合有滾珠螺桿23。並且，藉由使被連結於滾珠螺桿23之一端部處的驅動馬達24被旋轉驅動，吸盤台25會沿著一對的導軌21在X軸方向上進行切削進送。
於X軸台22的上部，係可在Z軸周圍旋轉地設置有將封裝基板W作保持的吸盤台25。於吸盤台25的台基底26上，係可裝卸地安裝有封裝基板W用之保持治具27。保持治具27，係為因應於封裝基板W之種類所準備的板狀治具，每次加工對象之封裝基板W之種類改變時，可相對於台基底26來作更換安裝。又，保持治具27，係於不鏽鋼板的表面以胺基甲酸酯樹脂等形成樹脂層，藉由樹脂層來提高對於封裝基板W之保持性能。
於保持治具27的表面，係在與封裝基板W之分割預定線相對應的位置處形成讓切削手段40之切削刃 42的刀鋒退避的退避溝28(參照第3圖)，在藉由退避溝28區劃成格子狀的各區域形成複數個吸引口29(參照第3圖)。各吸引口29，係通過台基底26內的流路來連接於吸引源(未圖示)，藉由吸引口29所產生的負壓而使封裝基板W被吸引保持。分割前之封裝基板W，係藉由複數個吸引口29而被全體地保持，封裝基板W之分割後的晶片C，係藉由複數個吸引口29而被個別地保持。
於基座10上，係被設置有以避開吸盤台25之移動路徑的方式而局部性開口的立壁部11。於立壁部11，係設置有使一對的切削手段40在Y軸方向及Z軸方向進行移動的分度(INDEX)進送手段30與切入進送手段35。分度進送手段30，係具有：被配置於立壁部11的前面之與Y軸方向平行的一對的導軌31、和可滑動地設置在一對的導軌31的Y軸台32。切入進送手段35，係具有：被配置於Y軸台32上之與Z軸方向平行的一對的導軌36、和可滑動地設置在一對的導軌36的Z軸台37。
於Y軸台32的背面側係形成螺帽部，於此螺帽部螺合有滾珠螺桿33。又，於Z軸台37的背面側係形成螺帽部，於此螺帽部螺合有滾珠螺桿38。於Y軸台32用的滾珠螺桿33、Z軸台37用的滾珠螺桿38之一端部，係分別連結有驅動馬達34、39。藉由此等驅動馬達34、39，各個滾珠螺桿33、38會被旋轉驅動，藉由此，被固定於Z軸台37處的一對的切削手段40，係沿著導軌31、36在Y軸方向進行分度進送，並在Z軸方向進行切入進 送。
一對的切削手段40，係構成為將切削刃42可旋轉地安裝於從殼體41突出的心軸(未圖示)之前端處。切削刃42，例如，係將金剛石研磨粒以樹脂黏合劑固定而形成為圓板狀。又，於各切削手段40之殼體41處，係設置有對封裝基板W的上面進行攝像的攝像手段43，根據攝像手段43的攝像影像，使切削刃42對於封裝基板W而作對位。於這種切削裝置1中，係藉由使吸盤台25相對於切削刃42而進行切削進送，來沿著分割預定線，而將封裝基板W分割成各個晶片C(參照第3圖)。
另外，於本實施形態之切削裝置1中，係為了使來自封裝基板W之晶片C的拾取數目增加，而使用有與對角線450mm、600mm等之大尺寸之封裝基板W相對應的吸盤台25。封裝基板W之分割後的晶片C，雖從吸盤台25移到收容托盤50(參照第4圖)而送出到後續的處理裝置，但在如一般的處置方法般地以拾取器等來將晶片1個個逐一拾取的情況時，對於收容托盤50之晶片C的***需要的時間係會變長。因此，係有著就算是晶片C之拾取數目增加生產效率也仍有所降低的問題。
於此情況中，雖亦可考慮如第2圖所示般，使用大型的搬送墊70來將封裝基板W之分割後的晶片C整批收容於收容托盤的構造，但必須與封裝基板W之大型化相配合來準備比規格尺寸(處置裝置規格尺寸)更大的收容托盤71。同樣地，後續的檢查裝置或卸載機，也必 須配合封裝基板W之大型化而從既有的裝置構造作變更。如此般，在由晶片C之整批搬送所致之收容時間的短縮化與利用既有之構造來使成本減低之間，係存在有取捨(TRADEOFF)關係。
因此，於本實施形態之處置方法中，係僅從封裝基板W之分割後的全部晶片C取出可收容於收容托盤50的個數，並整批收容於收容托盤50(參照第4圖)。亦即，由於係每次以可收容於收容托盤50的個數之單位來整批收容複數個晶片C，因此，可縮短對於收容托盤50之晶片C的收容時間。又，由於係可持續使用規格尺寸之收容托盤50，因此無須將後續的處理裝置從既有的裝置構造作變更，設備成本亦不會增加。因而，無需增加設備成本，而可提昇生產性。
以下，參照第3圖至第5圖，針對封裝基板之處置方法進行說明。第3圖係展示本實施形態之分割步驟的一例，第4圖係展示本實施形態之整批接著步驟的一例，第5圖係展示本實施形態之搬送步驟的一例。另外，第4圖A係展示整批接著步驟之拾取動作的一例，第4圖B係展示整批接著步驟之收容動作的一例。另外，雖於吸盤台設定有與收容托盤之外形尺寸相配合的複數個區域，但於第3圖及第4圖中僅圖示有複數區域中之排列在X軸方向上的3個區域。
如第3圖所示般，首先實施分割步驟。在分割步驟中，於切削裝置1(參照第1圖)之吸盤台25上載置 封裝基板W，經由保持治具27，大片的封裝基板W被吸引保持在吸盤台25上。封裝基板W，係被形成為相較於收容托盤50(參照第4圖)之規定外形而更大的尺寸，例如，被形成為可從1片的封裝基板W而取出收容托盤50之收容個數的數倍之晶片C的尺寸。因此，吸盤台25及保持治具27，係與封裝基板W的尺寸相配合而形成為大型。
若一對的切削刃42被對位於封裝基板W之分割預定線L(參照第1圖)，則切削刃42被降至可切斷封裝基板W的高度，吸盤台25係相對於此切削刃42而進行切削進送。藉由反覆進行切削進送，而將吸盤台25上的封裝基板W沿著各分割預定線L作切削並分割成各個晶片C。此時，由於在保持治具27處係對應於各個晶片C來形成有吸引口29，因此在切削中從封裝基板W分離後的晶片C會個別地被吸引保持於吸引口29，晶片C不會從保持治具27而脫落。
又，吸盤台25上，係依據收容托盤50(參照第4圖)的外形尺寸，而被區分成複數個區域A1-An(於第3圖中係僅圖示區域A1-A3)。亦即，封裝基板W之分割後的晶片C，係以收容托盤50之收容個數的單位，而在吸盤台25上被分成複數個區域A1-An來被保持。由於封裝基板W之全部晶片C係以收容托盤50之外形尺寸為基準來劃分區域，因此成為可將全部晶片C分成複數個收容托盤50來進行搬送。因而，成為可利用以收容托盤50作 為1個處理單位之後續的處理裝置65(參照第5圖)，於每個收容托盤50對晶片C進行處理。
如第4圖A及第4圖B所示般，在實施分割步驟之後，係實施整批接著步驟。如第4圖A所示般，在整批接著步驟前半段之拾取動作中，係使用與收容托盤50之晶片收容部51相對應的尺寸之晶片移送墊45，來實施晶片C的拾取。晶片移送墊45的保持面，係為與吸盤台25上之1個區域相對應的大小，在與區域內之各晶片C相對應的位置處形成有吸引口46。各吸引口46，係經由開閉閥47而連接於吸引源48，藉由開閉閥47的開閉來切換吸引力的供給及阻斷。
此晶片移動墊45係被移動到吸盤台25的上方，而定位於吸盤台25上的區域A1處。若晶片移送墊45之各吸引口46被定位於各晶片C之各者的正上方，則晶片移送墊45會朝向吸盤台25來下降。藉由使晶片移送墊45靠近各晶片C，封裝基板W之全部晶片C中之可收容於晶片收容部51中的個數之晶片C會被吸引保持。此時，以吸盤台25所致之晶片C的吸引係停止，而不會阻礙由晶片移送墊45所致之晶片C的拾取。
如第4圖B所示般，在整批接著步驟前半段之收容動作中，複數個晶片C係藉由晶片移送墊45而被收容在具備有規定外形的晶片收容部51之收容托盤50中。於收容托盤50中，規定外形之晶片收容部51係被形成為凹狀，晶片收容部51，係以可供晶片移送墊45進入 的大小而作開口。又，於晶片收容部51的底面，係配設有薄片狀的黏著材52，於黏著材52的黏著面53處載置晶片C，藉此而防止由收容托盤50所致之搬送中的晶片C之位置偏移。黏著材52，係以例如UMI股份有限公司製之Flex carrier(註冊商標)所構成，藉由雙面膠帶等被貼附於晶片收容部51的底面。另外，黏著材52，亦可取代Flex carrier等之黏著板，而以外線硬化樹脂或熱硬化樹脂等之樹脂薄片或接著劑所構成。
晶片移送墊45被移動到此收容托盤50的上方，以晶片移送墊45所吸引保持的複數個晶片C被定位在晶片收容部51的正上方。晶片移送墊45係以保持著複數個晶片C的狀態朝向收容托盤50來下降，複數個晶片C被按壓於晶片收容部51之黏著材52的黏著面53，而整批被接著於黏著面53。如此這般，吸盤台25上之全部晶片C中之區域A1之複數個晶片C係整批被移到收容托盤50。藉由反覆進行此整批接著步驟，吸盤台25上之全部晶片C係被區分並收容於複數個收容托盤50中。
如第5圖所示般，在實施整批接著步驟之後，係實施搬送步驟。在搬送步驟中，於晶片收容部51內接著有複數個晶片C的收容托盤50，係藉由輸送帶等之搬送機構60而朝向後續的處理裝置65被搬送。在後續的處理裝置65中，由於係在每個規格尺寸之收容托盤50對晶片C進行處理，因此成為可無須改變既有的裝置構造，而對於複數個晶片C實施後續的處理。因而，針對後 續的裝置，無關於封裝基板W之大型化，而可藉由挪用既有的裝置來減低成本。
如上述般，於本實施形態之封裝基板W之處置方法中，藉由晶片移送墊45，封裝基板W之全部晶片C中之可收容於晶片收容部51中的個數之晶片C係被吸引保持，而複數個晶片C係整批被接著於晶片收容部51的黏著面53。由於是將封裝基板W之全部晶片C分成複數次來整批收容於收容托盤50中，因此相較於將晶片1個個地收容於收容托盤50中的構造，可大幅地縮短收容時間。又，即使在封裝基板W為大片基板的情況，亦由於封裝基板W之全部晶片C係被分在複數個收容托盤50中而被搬送至後續的處理裝置65，因此沒有必要使後續的處理裝置65配合封裝基板W的尺寸而大型化。如此般，封裝基板W之分割前係可藉由將基板尺寸加大而增加晶片C的拾取數目，封裝基板W之分割後係可藉由分成規定外形之搬送托盤50來進行搬送而抑制對於既有的生產線之影響。
另外，本發明並不限定於上述實施形態，亦可進行各種變更來實施。於上述實施形態中，針對添附圖式所圖示的大小或形狀等，並不限定於此，可在發揮本發明之效果的範圍內進行適當變更。其他，只要在不脫離本發明之目的的範圍內，可進行適當變更來實施。
例如，於上述之實施形態中，雖設為在分割步驟中，藉由切削裝置1，封裝基板W被分割成各個晶片 C的構造，但並不限定於此構造。在分割步驟中，只要封裝基板W沿著分割預定線被分割成各個晶片C即可，例如，亦可藉由雷射加工將封裝基板W分割成各個晶片C。
又，於上述之實施形態中，雖設為在搬送步驟中，藉由輸送帶等之搬送裝置60，將收容托盤50朝向後續的處理裝置65作搬送的構造，但並不限定於此構造。搬送機構60，係只要可將收容托盤50進行搬送的構造即可，例如，亦可為利用線性馬達所構成。又，在搬送步驟中，並不限於藉由搬送機構60來搬送收容托盤50的構造，亦可由操作員來搬送收容托盤50。進而，在搬送步驟中，將收容托盤50以搬送墊搬送至後續的裝置等亦可。
[產業上之可利用性]
如以上說明般地，本發明係具有可縮短複數個晶片的對於收容托盤之收容時間，並且抑制後續的處理裝置之大型化的效果，尤其是，可用於對角線超過450mm、600mm的封裝基板之處置方法。
25‧‧‧吸盤
27‧‧‧保持治具
45‧‧‧晶片移送墊
46‧‧‧吸引口
47‧‧‧開閉閥
48‧‧‧吸引源
50‧‧‧收容托盤
51‧‧‧晶片收容部
52‧‧‧黏著材
53‧‧‧黏著面

Claims (1)

  1. 一種封裝基板之處置方法，其係將形成有複數之分割預定線之封裝基板分割成複數個晶片，並將晶片收容於具備有具有規定外形的晶片收容部及被配設於該晶片收容部的黏著材之收容托盤中，其特徵為，具備有：保持步驟，係將較該收容托盤之規定外形而更大型尺寸的該封裝基板藉由吸盤台來作吸引保持；和分割步驟，係在藉由該吸盤台而將該封裝基板作了吸引保持的狀態下，沿著該分割預定線來將該封裝基板分割成複數個晶片；和拾取步驟，係在實施該分割步驟之後，將該封裝基板之全部晶片中之可收容於該晶片收容部中的個數之晶片藉由與該晶片收容部相對應之尺寸的晶片移送墊來作拾取；和整批接著步驟，係在實施該拾取步驟之後，使該晶片移送墊移動至該收容托盤之上方，並將所拾取了的該複數之晶片朝該晶片收容部之該黏著材的黏著面作按壓，而使該複數之晶片整批接著於該黏著面；以及搬送步驟，係在實施該整批接著步驟之後，將於該晶片收容部內接著有該複數之晶片的該收容托盤進行搬送，從該封裝基板所被分割之各個的晶片，係以該收容托盤之該晶片收容部之收容個數的單位，而在該吸盤台上被區分成複數之區域地被作保持，針對該各個的區域之每一者，而反覆進行複數次之該 拾取步驟、該整批接著步驟以及該搬送步驟。
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