TWI714764B - 晶圓生成方法 - Google Patents

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西野曜子
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明之課題為提供一種能夠謀求生產性之提升的晶圓生成方法。解決手段是一種從單晶SiC晶錠生成SiC晶圓的晶圓生成方法，其包含剝離面形成步驟與晶圓剝離步驟，該剝離面形成步驟是形成由改質層、裂隙、連結層所構成之剝離面，該晶圓剝離步驟是以剝離面作為界面來將晶錠的一部分剝離以生成晶圓。剝離面形成步驟包含改質層形成步驟與連結層形成步驟，該改質層形成步驟是形成改質層與從該改質層沿c面延伸之裂隙，該連結層形成步驟是將於晶錠厚度方向上相鄰的裂隙連結。

Description

晶圓生成方法
發明領域
本發明是有關於一種由單晶SiC晶錠中生成SiC晶圓之晶圓生成方法。
發明背景
IC、或LSI、LED等之器件是在以Si(矽)或Al2O3(藍寶石)等作為素材之晶圓的正面積層機能層並藉由分割預定線區劃而形成。又，功率器件或LED等是在以單晶SiC(碳化矽)為素材之晶圓的正面積層機能層並藉由分割預定線區劃而形成。形成有器件之晶圓，是藉由切削裝置和雷射加工裝置對分割預定線施行加工而分割成一個個的器件晶片。已分割之器件晶片是利用在行動電話或個人電腦等電氣機器上。
形成有器件的晶圓一般是藉由將圓柱形狀的晶錠以線鋸薄薄地切斷而生成。已切斷之晶圓的正面及背面會藉由研磨來加工成鏡面(參照專利文獻1)。但，當將晶錠以線鋸切斷，並研磨已切斷之晶圓的正面及背面時，變得要將晶錠的大部分(70~80%)捨棄，而有不符經濟效益的問題。尤其在單晶SiC晶錠中，在下述情形中具有課題：由於硬度高以線鋸進行的切斷較困難而需要相當的時 間所以生產性差，並且晶錠的單價高而要有效率地生成晶圓。
於是，已有下述的技術被提出：藉由將聚光點定位在SiC晶錠的內部，並將對於SiC具有穿透性之波長的雷射光線照射到SiC晶錠以在切斷預定面形成改質層，而將已形成有改質層的切斷預定面切斷並從SiC晶錠生成SiC晶圓(參照專利文獻2)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2000-94221號公報
專利文獻2：日本專利特開2013-49161號公報
發明概要
然而，用專利文獻2所揭示之以往的技術來從SiC晶錠中生成SiC晶圓時，必須間隔10μm左右的間隔來緊密地形成改質層，而有生產性差的問題。
據此，本發明之目的在於提供一種能夠謀求生產性的提升之晶圓生成方法。
根據本發明，可提供一種晶圓生成方法，其是由單晶SiC晶錠中生成SiC晶圓，該單晶SiC晶錠具有第1面、位於該第1面的相反側之第2面、從該第1面到該第2 面的c軸、及與該c軸正交之c面，該c軸相對於該第1面之垂直線傾斜而於該c面與該第1面之間形成有偏角，該晶圓生成方法具備：剝離面形成步驟，形成由複數個改質層、裂隙與複數個連結層所構成的剝離面，該等改質層是在相當於用來從該第1面生成之晶圓的厚度的深度上，於與形成有該偏角之方向正交的方向上直線狀地延伸，該裂隙是從該複數個改質層的每一個沿該c面朝兩側延伸，該等連結層是在用來生成之晶圓的厚度方向上延伸且將從相鄰之該改質層延伸的該裂隙彼此連結；及晶圓剝離步驟，以該剝離面作為界面，將該單晶SiC晶錠的一部分剝離以生成SiC晶圓，該剝離面形成步驟包含：改質層形成步驟，藉由交互進行改質層形成加工與分度進給，以形成該等複數個改質層以及該裂隙，該改質層形成加工是將聚光點定位在相當於用來從該第1面生成之晶圓的厚度之深度的位置上，來一邊使該單晶SiC晶錠與聚光點在與形成有該偏角的方向正交的方向上相對地移動，一邊將對SiC具有穿透性之波長的雷射光線朝該單晶SiC晶錠照射成使相鄰之聚光點互相重疊，該分度進給是將該單晶SiC晶錠與聚光點在形成有該偏角的方向上相對地分度進給成：在厚度方向上觀看使從相鄰的該改質層延伸的該裂隙彼此重疊；及連結層形成步驟，藉由交互進行連結層形成加工與分 度進給，以形成該等複數個連結層，該連結層形成加工是將聚光點定位在相當於用來從該第1面生成之晶圓的厚度之深度的位置、且在厚度方向上觀看從相鄰之該改質層延伸之該裂隙彼此重疊的位置上，來一邊將該單晶SiC晶錠與聚光點在與形成有該偏角的方向正交的方向上相對地移動，一邊將對SiC具有穿透性之波長的雷射光線朝該單晶SiC晶錠照射成使相鄰的聚光點互相不重疊，該分度進給是將該單晶SiC晶錠與聚光點在形成有該偏角的方向上相對地分度進給。
較理想的是，該連結層形成步驟是在該改質層形成步驟之前實施。
根據本發明之晶圓生成方法，由於在剝離面形成步驟中所形成之剝離面，是藉由連結層來將從相鄰之改質層延伸的裂隙彼此連結，因此以剝離面作為界面之晶錠的一部分的剝離是容易的。因此，在本發明之晶圓生成方法中，能夠從單晶SiC晶錠中有效率地生成SiC晶圓，並且能夠減少被捨棄的素材量，而可謀求生產性的提升。
2:雷射加工裝置
4:基台
4a、18a:導軌
6、22:工作夾台
8:移動機構
10:雷射光線照射機構
12:攝像機構
14:顯示機構
16:剝離機構
18:X方向可動板
20:Y方向可動板
24:X方向移動機構
26:Y方向移動機構
28、32:滾珠螺桿
30、34、44:馬達
36:框體
38:聚光器
40:罩殼
42:支臂
46:吸附片
50:單晶SiC晶錠
52:第1面
54:第2面
56:周面
58:垂直線
60:第1定向平面
62:第2定向平面
64:連結層
66:改質層
68:裂隙
70:剝離面
72:晶圓
α:偏角
A:形成有偏角的方向
FP1:連結層形成步驟中的聚光點
FP2:改質層形成步驟中的聚光點
LB：脈衝雷射光線
Lc:裂隙的長度
Li:分度量
S:光斑
Z、Zs:深度
X、Y:箭頭
圖1是雷射加工裝置之立體圖。
圖2是單晶SiC晶錠的平面圖(a)及正面圖(b)。
圖3是顯示正在實施連結層形成步驟之狀態的正面圖(a)以及立體圖(b)。
圖4是顯示形成有連結層之單晶SiC晶錠的平面圖 (a)、線B-B之截面圖(b)以及線C-C之截面圖(c)。
圖5是顯示形成有連結層、改質層以及裂隙之單晶SiC晶錠的平面圖(a)、線D-D之截面圖(b)以及線E-E之截面圖(c)。
圖6是顯示改質層形成步驟中的雷射光線之示意圖(a)、線F-F之截面圖(b)。
圖7是顯示正在實施晶圓剝離步驟之狀態的立體圖。
用以實施發明之形態
以下參照圖式並且說明本發明之晶圓生成方法的實施形態。
圖1所示之雷射加工裝置2具備基台4、工作夾台6、使工作夾台6移動之移動機構8、雷射光線照射機構10、攝像機構12、顯示機構14、剝離機構16、及控制機構(圖未示)。
工作夾台6包含可在X方向上移動自如地搭載於基台4上之矩形形狀的X方向可動板18、可在Y方向上移動自如地搭載於X方向可動板18上之矩形形狀的Y方向可動板20、及可旋轉自如地搭載於Y方向可動板20的上表面之圓筒形狀的工作夾台22。再者，X方向是圖1中以箭頭X所示的方向，Y方向是圖1中以箭頭Y所示的方向且為與X方向正交的方向。X方向及Y方向所規定的XY平面實質上是水平的。
移動機構8包含X方向移動機構24、Y方向移 動機構26、及旋轉機構(圖未示)。X方向移動機構24具有在基台4上於X方向上延伸的滾珠螺桿28、及連結於滾珠螺桿28之一端部的馬達30。滾珠螺桿28的螺帽部(圖未示)是固定於X方向可動板18的下表面。並且，X方向移動機構24是藉由滾珠螺桿28將馬達30的旋轉運動轉換成直線運動並傳達至X方向可動板18，以沿基台4上的導軌4a使X方向可動板18在X方向上進退。Y方向移動機構26具有在X方向可動板18上於Y方向上延伸的滾珠螺桿32、及連結於滾珠螺桿32之一端部的馬達34。滾珠螺桿32的螺帽部(圖未示)是固定於Y方向可動板20的下表面。並且，Y方向移動機構26是藉由滾珠螺桿32將馬達34的旋轉運動轉換成直線運動並傳達至Y方向可動板20，以沿X方向可動板18上的導軌18a使Y方向可動板20在Y方向上進退。旋轉機構具有內置於工作夾台22的馬達(圖未示)，以使工作夾台22相對於Y方向可動板20旋轉。
雷射光線照射機構10包含從基台4的上表面朝上方延伸然後實質上水平地延伸的框體36、內置於框體36中之振盪機構(圖未示)、配置於框體36的前端下表面之聚光器38、及聚光點位置調整機構(圖未示)。振盪機構具有振盪產生脈衝雷射光線LB的振盪器、設定振盪器所振盪產生之脈衝雷射光線LB的重覆頻率F的設定器、及調整振盪器所振盪產生之脈衝雷射光線LB的輸出的調整器(均未圖示)。聚光器38具有將振盪器所振盪產生之脈衝雷射光線LB聚光的聚光透鏡(圖未示)。
攝像機構12是與聚光器38在X方向上隔著間隔而附設在框體36的前端下表面。攝像機構12包含藉由可見光拍攝之通常的攝像元件(CCD)、對被加工物照射紅外線的紅外線照射機構、捕捉藉由紅外線照射機構所照射之紅外線的光學系統、及將對應於光學系統所捕捉到的紅外線的電氣訊號輸出的撮像元件(紅外線CCD)(皆為未圖示)。顯示藉由攝像機構12所拍攝到的圖像的顯示機構14是搭載於框體36的前端上表面。
剝離機構16包含有從基台4上之導軌4a的末端部朝上方延伸的長方體狀的罩殼40、被罩殼40升降自如地支撐之從基端朝X方向延伸的支臂42。罩殼40中內置有使支臂42升降的升降機構(圖未示)。支臂42的前端附設有馬達44。在馬達44的下表面，以在上下方向上延伸的軸線為中心而旋轉自如地連結著圓盤狀的吸附片46。於下表面形成有複數個吸引孔(圖未示)的吸附片46是藉由流路而連接到吸引機構(圖未示)。又，在吸附片46中，內置有相對於吸附片46的下表面賦與超音波振動的超音波振動賦與機構(圖未示)。
由電腦所構成之控制機構包含依照控制程式進行運算處理的中央處理裝置(CPU)、保存控制程式等之唯讀記憶體(ROM)、保存運算結果等之可讀寫的隨機存取記憶體(RAM)(皆未圖示)。並且，控制機構是電連接於移動機構8、雷射光線照射機構10、攝像機構12、顯示機構14以及剝離機構16，來控制移動機構8、雷射光線照射 機構10、攝像機構12、顯示機構14以及剝離機構16的作動。
圖2所示之作為整體為圓柱形的六方晶單晶SiC晶錠50(以下稱為「晶錠50」)具有圓形的第1面52、位於第1面52的相反側之圓形的第2面54、位於第1面52與第2面54之間的圓筒形狀的周面56、從第1面52到第2面54的c軸(<0001>方向)、以及與c軸正交的c面({0001}面)。在晶錠50中，c軸相對於第1面52之垂直線58傾斜偏角α，而在c面與第1面52之間形成有偏角α(例如α=4度)(形成偏角α的方向於圖2中以箭頭A表示)。又，在晶錠50的在周面56上，形成有表示結晶方位之矩形形狀的第1定向平面60及第2定向平面62。第1定向平面60是與形成有偏角α之方向A平行，第2定向平面62是與形成有偏角α之方向A正交。如圖2之(a)所示，從垂直線58的方向來看，第2定向平面62之長度L2，比第1定向平面60的長度L1更短(L2<L1)。
以下說明使用了雷射加工裝置2之晶圓生成方法。首先，使接著劑(例如環氧樹脂系接著劑)介在晶錠50之第2面54與工作夾台22之上表面間，以如圖1所示地將晶錠50固定於工作夾台22。然後，藉由移動機構8使工作夾台22移動到攝像機構12的下方，以攝像機構12拍攝晶錠50。
接下來，實施剝離面形成步驟。剝離面形成步驟包含連結層形成步驟以及改質層形成步驟。在本實施形態中，連結層形成步驟是在改質層形成步驟之前實施。 在連結層形成步驟中，首先，是根據攝像機構12所拍攝的晶錠50的圖像，以移動機構8使工作夾台22移動及旋轉，藉此將晶錠50的方向調整成預定的方向，並且調整晶錠50與聚光器38的XY平面中的位置。在將晶錠50之方向調整成預定之方向之時，是如圖3之(b)所示，使第1定向平面60與Y方向一致，並且使第2定向平面62與X方向一致，藉此使形成有偏角α之方向A與Y方向一致，而讓正交於形成有偏角α之方向A的方向與X方向一致。又，在調整晶錠50與聚光器38的XY平面中的位置之時，在後述之改質層形成步驟中所形成之改質層66以及裂隙68的位置之關係上，從晶錠50厚度方向來看，是將聚光點FP1定位在使從相鄰的改質層66延伸出之裂隙68彼此重疊的位置上。接著，以聚光點位置調整機構使聚光器38升降，而將聚光點FP1定位在相當於用來從第1面52生成之晶圓的厚度之深度的位置上。接著，進行連結層形成加工，該連結層形成加工是如圖3所示，一邊藉由X方向移動機構24讓工作夾台22相對於聚光點FP1以預定的加工進給速度V朝X方向(亦即與形成有偏角α之方向A正交的方向)移動，一邊將對SiC具有穿透性之波長的脈衝雷射光線LB從聚光器38朝晶錠50照射成使相鄰的聚光點FP1不互相重疊。藉此，如圖4之(b)所示，於用來生成之晶圓的厚度方向上延伸的連結層64，會在X方向上隔著間隔而形成複數個。呈現非晶質之形態的連結層64，是如圖4之(c)所示，在用來生成之晶圓的厚度方向上，從聚光點FP1朝兩側延伸。連結層64 在用來生成之晶圓的厚度方向中的尺寸H為例如18~20μm左右。在連結層形成步驟中，是交互地進行連結層形成加工與分度進給。在分度進給時，是藉由Y方向移動機構26將工作夾台22相對於聚光點FP1朝Y方向(亦即形成有偏角α之方向A)分度進給預定分度量Li。這樣的連結層形成步驟可以用例如以下的加工條件來實施。
脈衝雷射光線LB之波長：1064nm
重複頻率F：35kHz
平均輸出P：0.7W
聚光點FP1之直徑D：3μm
聚光點FP1之深度Z：距第1面70μm
功率密度W：2.83J/mm2
分度量Li：250μm
加工進給進度V：300mm/秒
相鄰之聚光點FP1的重疊率：0%
在連結層形成步驟中，為了讓相鄰的聚光點FP1不互相重疊，而必須使以重覆頻率F(kHz)、加工進給速度V(mm/s)、聚光點FP1的直徑D(μm)所規定的G=(V/F)-D為G>0時，在上述加工條件下為：G={300(mm/s)/35(kHz)}-3(μm)={300×103(μm/s)/35×103(Hz)}-3(μm)=+5.6((μm)>0，而為相鄰之聚光點FP1不互相重疊。再者，G>0時，G為聚光點FP1的相互的間隔(μm)。再者，功率密度 W(J/mm2)是以平均輸出P(W)、聚光點FP1的面積π D2/4(μm2)、及重覆頻率F(kHz)來規定(W=4P/π D2F)。
在剝離面形成步驟中，已實施連結層形成步驟之後，實施改質層形成步驟。在改質層形成步驟中，首先，是根據攝像機構12所拍攝之晶錠50的圖像，以移動機構8使工作夾台22移動及旋轉，藉此將晶錠50的方向調整成預定的方向，並且調整晶錠50與聚光器38的XY平面中的位置。在將晶錠50之方向調整成預定之方向之時，與連結層形成步驟中的情形一樣，是使第1定向平面60與Y方向一致，並且使第2定向平面62與X方向一致，藉此讓形成有偏角α之方向A與Y方向一致，而使正交於形成有偏角α之方向A的方向與X方向一致。又，在調整晶錠50與聚光器38的XY平面中的位置之時，是將聚光點FP2定位在形成有偏角α之方向A上相鄰的連結層64之間。接著，以聚光點位置調整機構使聚光器38升降，而將聚光點FP2定位在相當於用來從第1面52生成之晶圓的厚度之深度的位置上。接著，進行改質層形成加工，該改質層形成加工是一邊藉由X方向移動機構24讓工作夾台22相對於聚光點FP2以預定的加工進給速度V朝X方向(亦即與形成有偏角α之方向A正交的方向)移動，一邊將對SiC具有穿透性之波長的脈衝雷射光線LB從聚光器38朝晶錠50照射成使相鄰的聚光點FP2互相重疊。藉此，如圖5之(b)所示，形成朝與形成有偏角α之方向A正交的方向直線狀地延伸的改質層66。如圖5之(c)所示，改質層66是位於實質上相同的c面 上而沿著c面扁平地形成，且具有空隙。又，在形成改質層66之時，會沿著c面朝改質層66的兩側傳播裂隙68。沿著c面而朝改質層66的單側延伸之裂隙68的長度Lc為250μm左右。
若詳述改質層66形成過程，首先，是藉由最初之脈衝雷射光線LB的照射，在聚光點FP2以及聚光點FP2周圍，形成使SiC分離成Si(矽)與C(碳)之最初的改質層66。在改質層形成加工中，因為一邊使工作夾台22相對於聚光點FP2朝X方向移動一邊將脈衝雷射光線LB朝晶錠50照射成使相鄰之聚光點FP2互相重疊，所以會對已分離成Si(矽)與C(碳)之改質層66再次照射脈衝雷射光線LB。如此一來，由於脈衝雷射光線LB被C(碳)所吸收，所以會在比聚光點FP2稍淺的位置上形成下一個改質層66。如此進行，改質層66會從最初形成的部分，朝向與形成有偏角α之方向A正交的方向來朝雷射光線之照射面側形成少許傾斜並延伸下去。亦即改質層66是在晶錠50的內部從脈衝雷射光線LB之功率密度W高的聚光點FP2最初被定位的部分，朝向與形成有偏角α之方向A正交的方向來朝脈衝雷射光線LB之功率密度W較低之側形成少許傾斜並延伸下去。並且，當改質層66在晶錠50的內部到達脈衝雷射光線LB之功率密度W成為預定值Ws的光斑S的深度Zs(參照圖6)時，會在不往照射面側延伸的情形下僅朝與形成有偏角α之方向A正交的方向延伸。由於在改質層形成加工中，是使工作夾台22相對於聚光點FP2朝X方向移動成使 相鄰的聚光點FP2互相重疊，所以即使是比聚光點FP2更淺的位置的光斑S，仍會使相鄰的光斑S互相重疊。並且，在光斑S之深度Zs上，將改質層66連續地形成下去。再者，以第1面52為基準，聚光點FP2之深度Z與光斑S之深度Zs之差為10μm左右，產生傾斜的區域為20μm左右。
在改質層形成步驟中，是交互地進行改質層形成加工與分度進給。在分度進給中，是藉由Y方向移動機構26將工作夾台22相對於聚光點FP2朝Y方向(亦即形成有偏角α之方向A)分度進給成在厚度方向上觀看可使從相鄰的改質層66延伸的裂隙68彼此重疊。如上述，由於沿c面朝改質層66的單側延伸之裂隙68的長度Lc為是250μm左右，所以只要分度量Li小於500μm或為500μm左右，在厚度方向上觀看即可使從相鄰之改質層66延伸的裂隙68彼此雖存在些微的間隙，但仍成為重疊。並且，藉由交互地進行改質層形成加工與分度進給，如圖5之(a)所示，可在形成有偏角α之方向A上隔著間隔而形成複數個改質層66。這樣的改質層形成步驟，能夠以例如以下的加工條件來實施。再者，下述的光斑S中的功率密度Ws(J/mm2)是以平均輸出P(W)、光斑S的面積π(Ds)2/4(μm2)、及重複頻率F(kHz)來規定(Ws=4P/π(Ds)2F)。
脈衝雷射光線LB之波長：1064nm
重複頻率F：60kHz
平均輸出P：1.5W
聚光點FP2之直徑D：3μm
聚光點FP2之深度Z：距第1面80μm
光斑S之直徑Ds：5.3μm
光斑S之深度Zs：距第1面70μm
光斑S中的功率密度Ws：1.13J/mm2
分度量Li：250μm
加工進給進度V：60mm/秒
相鄰之聚光點FP2之重疊率：67%
相鄰之光斑S之重疊率：81%
在改質層形成步驟中，為了讓相鄰的聚光點FP2相互重疊，而必須使以重複頻率F(kHz)、加工進給速度V(mm/s)、聚光點FP2的直徑D(μm)所規定之G=(V/F)-D為G<0時，在上述加工條件下為：G={60(mm/s)/60(kHz)}-3(μm)={60×103(μm/s)/60×103(Hz)}-3(μm)=-2<0，相鄰之聚光點FP2會互相重疊。G<0時，相鄰之聚光點FP2的重疊率是以|G|/D來規定。又，要使相鄰之光斑S互相重疊，而必須使以重複頻率F(kHz)、加工進給速度V(mm/s)、光斑S的直徑Ds(μm)所規定之Gs=(V/F)-Ds為Gs<0時，在上述加工條件下為：Gs={60(mm/s)/60(kHz)}-5.3(μm)={60×103(μm/s)/60×103(Hz)}-5.3(μm)=-4.3<0， 而為相鄰之光斑S互相重疊。Gs<0時，相鄰之光斑S的重覆率是以|Gs|/Ds來規定。圖6之(b)中，將相鄰之光斑S互相重疊的部分以陰影線來表示。
如上所述，在剝離面形成步驟中，是藉由實施連結層形成步驟與改質層形成步驟，以如圖5之(c)所示，在相當於用來從第1面52生成之晶圓的厚度的深度上，形成由複數個改質層66、裂隙68以及複數個連結層64所構成之剝離面70。偏角α為4度，改質層形成步驟中的分度量Li如本實施形態為250μm的情況下，在用來生成之晶圓的厚度方向上，從相鄰之改質層66延伸的裂隙68彼此間的距離為17~18μm左右時，只要用來生成之晶圓的厚度方向中的連結層64的尺寸H比17~18μm左右更大，就可如圖5之(c)所示，將從相鄰之改質層66延伸的裂隙68彼此連結。
在實施剝離面形成步驟後，實施晶圓剝離步驟。在晶圓剝離步驟中，首先，是藉由移動機構8使工作夾台22移動至吸附片46的下方。接著，藉由升降機構使支臂42下降，以如圖7所示，使吸附片46的下表面密合於晶錠50的第1面52。接著，作動吸引機構，使吸附片46的下表面吸附於晶錠50的第1面52。接著，作動超音波振動賦與機構，對吸附片46的下表面賦與超音波振動，並且作動馬達44使吸附片46旋轉。藉此，能夠以剝離面70為界面將晶錠50的一部分剝離，並能夠有效率地生成所期望之厚度的晶圓72。由於在剝離面形成步驟中所形成之剝離面70會 使從相鄰的改質層66延伸的裂隙68彼此藉由連結層64來連結，所以以剝離面70作為界面之晶錠50的一部分的剝離是容易的。藉由依序實施生成晶圓72後以設於基台4上之研磨機構(圖未示)研磨晶錠50的剝離面70、剝離面形成步驟以及晶圓剝離步驟，即可以自晶錠50生成複數個晶圓，因而可以減少被捨棄的素材料量，並謀求生產性的提升。
再者，在上述之實施形態中，雖然所說明的是在剝離面形成步驟中，於改質層形成步驟之前實施連結層形成步驟的例子，但也可以在連結層形成步驟之前實施改質層形成步驟。
50‧‧‧晶錠
52‧‧‧第1面
60‧‧‧第1定向平面
62‧‧‧第2定向平面
64‧‧‧連結層
66‧‧‧改質層
68‧‧‧裂隙
70‧‧‧剝離面
FP2‧‧‧改質層形成步驟中的聚光點
LB‧‧‧脈衝雷射光線
Lc‧‧‧裂隙的長度
Li‧‧‧分度量
Z、Zs‧‧‧深度
X、Y‧‧‧箭頭

Claims (2)

  1. 一種晶圓生成方法，是由單晶SiC晶錠生成SiC晶圓，該單晶SiC晶錠具有第1面、位於該第1面的相反側之第2面、從該第1面到該第2面的c軸、及與該c軸正交之c面，該c軸相對於該第1面之垂直線傾斜而於該c面與該第1面之間形成有偏角，該晶圓生成方法具備：剝離面形成步驟，在從該第1面起算相當於要生成之晶圓的厚度的深度上，形成由複數個改質層、裂隙與複數個連結層所構成的剝離面，該等複數個改質層是在與形成有該偏角之方向正交的方向上直線狀地延伸，該裂隙是從該等複數個改質層的每一個沿該c面朝兩側延伸，該等連結層是在要生成之晶圓的厚度方向上延伸且將從相鄰之該改質層延伸的該裂隙彼此連結；及晶圓剝離步驟，以該剝離面作為界面來將該單晶SiC晶錠的一部分剝離以生成SiC晶圓，該剝離面形成步驟包含：改質層形成步驟，藉由交互進行改質層形成加工與分度進給，以形成該等複數個改質層以及該裂隙，該改質層形成加工是將聚光點定位在從該第1面起算相當於要生成之晶圓的厚度之深度的位置上，並且一邊使該單晶SiC晶錠與聚光點在與形成有該偏角的方向正交的方向上相對地移動，一邊將雷射光線朝該單晶SiC晶錠照射成使相鄰之聚光點相互重疊，該分度進給是將該單晶SiC晶錠與聚光點在形成有該偏角的方向上相對地分度進給成在厚度方向 上觀看使從相鄰的該改質層延伸的該裂隙彼此重疊；及連結層形成步驟，藉由交互進行連結層形成加工與分度進給，以形成該等複數個連結層，該連結層形成加工是將聚光點定位在從該第1面起算相當於要生成之晶圓的厚度之深度的位置，且是在厚度方向上觀看從相鄰之該改質層延伸之該裂隙彼此重疊的位置上，一邊將該單晶SiC晶錠與聚光點在與形成有該偏角的方向正交的方向上相對地移動，一邊將前述雷射光線朝該單晶SiC晶錠照射成使相鄰的聚光點互相不重疊，該分度進給是將該單晶SiC晶錠與聚光點在形成有該偏角的方向上相對地分度進給，該連結層形成步驟是在該改質層形成步驟之後實施。
  2. 一種晶圓生成方法，是由單晶SiC晶錠生成SiC晶圓，該單晶SiC晶錠具有第1面、位於該第1面的相反側之第2面、從該第1面到該第2面的c軸、及與該c軸正交之c面，該c軸相對於該第1面之垂直線傾斜而於該c面與該第1面之間形成有偏角，該晶圓生成方法具備：剝離面形成步驟，在從該第1面起算相當於要生成之晶圓的厚度的深度上，形成由複數個改質層、裂隙與複數個連結層所構成的剝離面，該等複數個改質層是在與形成有該偏角之方向正交的方向上直線狀地延伸，該裂隙是從該等複數個改質層的每一個沿該c面朝兩側延伸，該等連結層是在要生成之晶圓的厚度方向上延伸且將從相鄰之該改質層延伸的該裂隙彼此連結；及晶圓剝離步驟，以該剝離面作為界面來將該單晶SiC 晶錠的一部分剝離以生成SiC晶圓，該剝離面形成步驟包含：連結層形成步驟，藉由交互進行連結層形成加工與分度進給，以形成該等複數個連結層，該連結層形成加工是將聚光點定位在從該第1面起算相當於要生成之晶圓的厚度之深度的位置，一邊將該單晶SiC晶錠與聚光點在與形成有該偏角的方向正交的方向上相對地移動，一邊將雷射光線朝該單晶SiC晶錠照射成使相鄰的聚光點互相不重疊，該分度進給是將該單晶SiC晶錠與聚光點在形成有該偏角的方向上相對地分度進給；及改質層形成步驟，藉由交互進行改質層形成加工與分度進給，以形成該等複數個改質層以及該裂隙，該改質層形成加工是將聚光點定位在從該第1面起算相當於要生成之晶圓的厚度之深度的位置上，一邊使該單晶SiC晶錠與聚光點在與形成有該偏角的方向正交的方向上相對地移動，一邊將前述雷射光線朝該單晶SiC晶錠照射成使相鄰之聚光點相互重疊，該分度進給是將該單晶SiC晶錠與聚光點在形成有該偏角的方向上相對地分度進給成在厚度方向上觀看，從相鄰的該改質層延伸的該裂隙彼此重疊，該連結層形成步驟是在該改質層形成步驟之前實施，藉由該連結層形成步驟和該改質層形成步驟而形成的前述剝離面包含有用以連結從相鄰的前述改質層延伸而重疊的前述裂隙之前述連結層。
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