JP7210292B2 - ウエーハの生成方法 - Google Patents
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Description
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :2W
パルス幅 :10ns
スポット径 :3μm
集光レンズの開口率(NA) :0.43
インデックス量 :250μm~400μm
加工送り速度 :120mm/秒~260mm/秒
集光点の位置 :インゴット2の端面(上面4)から300μm
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :2W
パルス幅 :10ns
スポット径 :100μm
焦点距離 :150mm
集光レンズの開口率(NA) :0.3
集光点の位置 :インゴット2の第一の端面4から100μm
2A:ウエーハ
4:第一の端面
6:第二の端面
8:周面
10:垂線
12:第一のオリエンテーションフラット
14:第二のオリエンテーションフラット
20:レーザー加工装置
21:支持テーブル
22:集光器
24:分離帯
26:剥離帯
28:剥離層
30:製造履歴
50:押圧機構
52:ヘッド
54:押圧部材
Claims (4)
- インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
インゴットの端面からインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置付けて照射して剥離層を形成する剥離層形成工程と、
ウエーハの表面に形成される複数のデバイスに対応する位置の内部にウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置付けて製造履歴を形成する製造履歴形成工程と、
インゴットからウエーハを剥離するウエーハ剥離工程と、
から少なくとも構成され、
該製造履歴形成工程は、ウエーハ剥離工程を実施する前に実施するウエーハの生成方法。 - 該製造履歴には、少なくとも該インゴット固有の記号、該インゴットから生成されるウエーハの固有のナンバーのいずれかを含む請求項1に記載のウエーハの生成方法。
- 該インゴットはSiCインゴットであり、
該剥離層形成工程において、レーザー光線の集光点をインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置付けると共に、インゴットの端面の垂線に対してC軸が傾き該端面とC面とでオフ角が形成される方向と直交する方向に相対的に移動して、SiCがSiとCとに分離した分離帯と、該分離帯からC面に形成されるクラックが形成された剥離帯とをオフ角が形成される方向にインデックス送りして複数形成して剥離層を形成する請求項1又は2に記載のウエーハの生成方法。 - 該製造履歴は、ASCIIコード、2次元バーコード、文字、モールス符号のいずれかで形成される請求項1から3のいずれかに記載のウエーハの生成方法。
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