TWI712702B - 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題] 　　使形成於基板上的相變化膜的膜質提升。 [解決手段] 　　具有：第1處理程序，其係一面加熱基板，一面對基板供應還原性的第1氣體，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；和第2處理程序，其係在第1處理程序後，對複數個溝內供應第2氣體、第3氣體及第4氣體，在溝內形成相變化膜。

Description

半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
本揭示涉及半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體。
作為半導體裝置之製造方法的程序之一，進行在基板上形成相變化膜的成膜處理(例如專利文獻1參照)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-63091號公報
[發明所欲解決之問題]
尋求使形成於基板上的相變化膜的膜質提升。
於是在本揭示提供一種技術，可使形成於基板上的相變化膜的膜質提升。 [解決問題之技術手段]
依一態樣時，提供一種技術，具有： 　第1處理程序，其係一面加熱基板，一面對基板供應還原性的第1氣體，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；和第2處理程序，其係在第1處理程序後，對複數個溝內供應第2氣體、第3氣體及第4氣體，在溝內形成相變化膜。 [對照先前技術之功效]
依本揭示相關的技術時，可使形成於基板上的相變化膜的膜質提升。
以下就本揭示的實施方式進行說明。
＜一實施方式＞ 　　以下，結合圖式說明本揭示的一實施方式。
[1]基板處理裝置的構成 　　首先，就一實施方式相關的基板處理裝置進行說明。
就本實施方式相關之基板處理裝置100進行說明。基板處理裝置100係如示於圖1，以單片式基板處理裝置的形式而構成。
如示於圖1，基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202被構成為例如水平剖面為圓形且扁平的密閉容器。此外，處理容器202由例如鋁(Al)、不銹鋼(SUS)等的金屬材料或石英構成。於處理容器202內，形成就作為基板的矽晶圓等的基板300進行處理的處理空間(處理室)201與移載空間(移載室)203。處理容器202以上部容器202a與下部容器202b而構成。在上部容器202a與下部容器202b之間設置分隔部204。處理室201至少以上部處理容器202a與後述的載置面211構成。此外，移載室203至少以下部容器202b與後述的基板載台212的下表面而構成。
於下部容器202b之側面，設置鄰接於閘閥1490的基板搬入搬出口1480，基板300經由基板搬入搬出口1480在未圖示的搬送室與移載室203之間移動。於下部容器202b之底部設置複數個升降銷207。再者，下部容器202b係接地。
於處理室201內，設置對基板300進行支撐的基板支撐部210。基板支撐部210主要具有：載置基板300的載置面211、在表面具有載置面211的基板載台212、作為加熱部的加熱器213。於基板載台212係升降銷207貫通的貫通孔214分別設於與升降銷207對應之位置。此外，加熱器213連接於溫度控制部258，被構成為可進行溫度控制。此外，於基板載台212，可設置對基板300、處理室201施加偏壓的第2電極256。第2電極256連接於偏壓控制部257，被構成為可透過偏壓控制部257調整偏壓。此外，對第2電極256，亦可連接第2高頻電源352與第2整合器351。
基板載台212被透過軸217而支撐。軸217貫穿處理容器202之底部，進一步在處理容器202之外部連接於升降部218。使升降部218動作而使軸217及基板載台212升降，使得可使載置於基板載置面211上的基板300升降。另外，軸217下端部之周圍由伸縮管219包覆，處理室201內係保持成氣密。
基板載台212在基板300的搬送時，移動至晶圓移載位置，在基板300的處理時移動至處理位置(晶圓處理位置)。另外，晶圓移載位置係升降銷207之上端從基板載置面211之上表面突出的位置。
具體而言，在使基板載台212下降至晶圓移載位置時，升降銷207之上端部從基板載置面211之上表面突出，升降銷207下方支撐基板300。此外，使基板載台212上升至晶圓處理位置時，升降銷207從基板載置面211之上表面而埋藏，基板載置面211從下方支撐基板300。另外，升降銷207係與基板300直接接觸，故例如以石英、礬土等之材質而形成為理想。
[排氣部] 　　在處理室201(上部容器202a)的內壁，設置作為就處理室201的環境氣體進行排氣的第1排氣部的第1排氣口221。於第1排氣口221連接排氣管224，於排氣管224，依序串聯連接將處理室201內控制為既定的壓力的APC(Auto Pressure Controller)等的壓力調整器227與真空泵浦223。主要由第1排氣口221、排氣管224、壓力調整器227構成第一排氣部(排氣線路)。另外，真空泵浦223亦可作成為第一排氣部的構成。此外，在移載室203的內壁側面，設置就移載室203的環境氣體進行排氣的第2排氣口1481。此外，於第2排氣口1481設置排氣管1482。於排氣管1482，設置壓力調整器228，構成為可將移載室203內的壓力排氣為既定的壓力。此外，亦可經由移載室203就處理室201內的環境氣體進行排氣。
[氣體導入口] 　　在設於處理室201的上部的噴灑頭234的上表面(上頂壁)，設置供於對處理室201內供應各種氣體用的氣體導入口241。連接於作為氣體供應部的氣體導入口241的各氣體供應單元的構成方面後述。
[氣體分散單元] 　　作為氣體分散單元的噴灑頭234具有：緩衝室232、作為活性化部的第1電極244。於第1電極244，設置複數個將氣體分散供應至基板300旳孔234a。噴灑頭234設於氣體導入口241與處理室201之間。從氣體導入口241導入的氣體係供應至噴灑頭234的緩衝室232(亦稱為分散部)，經由孔234a供應至處理室201。
另外，第1電極244以導電性的金屬而構成，被構成為供於將氣體活性化用的活性化部(激發部)的一部分。構成為可對第1電極244供應電磁波(高頻電力、微波)。另外，在以導電性構材構成蓋體231之際，在蓋體231與第1電極244之間設置絕緣塊233，成為將蓋體231與第1電極部244之間絕緣的構成。
[第1活性化部(第1電漿生成部)] 　　對作為第1活性化部的第1電極244，連接整合器251與高頻電源部252，構成為可供應電磁波(高頻電力、微波)。藉此，可使供應至處理室201內的氣體活性化。此外，第1電極244構成為可生成電容耦合型的電漿。具體而言，第1電極244形成為導電性的板狀，構成為被上部容器202a支撐。第1活性化部至少以電極部244、整合器251、高頻電源部252構成。
[第2活性化部(第2電漿生成部)] 　　於作為第2活性化部的第2電極256，經由開關274連接第2整合器351與第2高頻電源部352，構成為可供應電磁波(高頻電力、微波)。另外，從第2高頻電源352，供應與第1高頻電源252係不同的頻率的電磁波。具體而言，輸出比第1高頻電源252輸出的頻率低的頻率。藉此，可使供應至處理室201內的氣體活性化。另外，亦可構成為可在不設置開關274之下，設置整合器351與高頻電源部352而從高頻電源部352對第2電極256供應電力。
[氣體供應系統] 　　對氣體導入口241，連接氣體供應管150。構成為從氣體供應管150供應後述的第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體、第5氣體、第6氣體、第7氣體、第8氣體中的至少任一者。
於圖2示出第1氣體供應部、第2氣體供應部、第3氣體供應部、第4氣體供應部、第5氣體供應部、第6氣體供應部、第7氣體供應部、第8氣體供應部等的氣體供應系統的示意構成圖。
如示於圖2，於氣體供應管150連接第1氣體供應管113a、第2氣體供應管123a、第3氣體供應管133a、第4氣體供應管143a、第5氣體供應管153a、第6氣體供應管163a、第7氣體供應管173a、第8氣體供應管183a。
[第1氣體供應部] 　　於第1氣體供應部設置第1氣體供應管113a、質流控制器(MFC)115、閥116。另外，亦可構成為使連接於第1氣體供應管113a的第1氣體供應源113包含於第1氣體供應部。從第1氣體供應源113，供應還原性的氣體。還原性的氣體係將氧還原的氣體，例如為氫(H)含有氣體。具體而言，供應氫(H2 )氣。含氫氣體優選上只要為不含氧(O)元素的氣體即可，可為包含氫與氮(N)的合成氣體。 　　另外，亦可構成為設置遠程電漿單元(RPU)114而使第1氣體活性化。
[第2氣體供應部] 　　於第2氣體供應部設置第2氣體供應管123a、MFC125、閥126。另外，亦可構成為使連接於第2氣體供應管123a的第2氣體供應源123包含於第2氣體供應部。從第2氣體供應源123，供應包含第14族元素(IVA族)的氣體。具體而言，供應包含鍺(Ge)的氣體。例如，供應異丁基鍺烷(Isobutylgermane：IBGe)氣體，四二甲胺基鍺(Tetrakis(dimethylamino)Germanium：TDMAGe)氣體、二甲基胺基三氯化鍺(Dimethylamino-Germanium-Chloride：DMAGeC)、GeH4 、GeCl2 、GeF2 、GeBr2 等中的至少一者。
[第3氣體供應部] 　　於第3氣體供應部設置第3氣體供應管133a、MFC135、閥136。另外，亦可構成為使連接於第3氣體供應管133a的第3氣體供應源133包含於第3氣體供應部。從第3氣體供應源133，供應包含第15族元素(VA族)的氣體。具體而言，供應包含銻(Sb)的氣體。例如，供應三甲基胺基銻(Tris(DiMethylAmido)Antimony：TDMASb)、三異丙基銻(TIPSb)氣體、三乙基銻(TriEthylAntimony：TESb)氣體、叔丁基二甲基銻(tertButylDiMethylAntimony：TBDMSb)氣體等中的至少任一者。
[第4氣體供應部] 　　於第4氣體供應部設置第4氣體供應管143a、MFC145、閥146。另外，亦可構成為使連接於第4氣體供應管143a的第4氣體供應源143包含於第4氣體供應部。從第4氣體供應部143，供應包含第16族元素(VIA族)的氣體。具體而言，供應包含碲(Te)的氣體。例如，供應二異丙基碲(DiIsoPropylTelluride：DIPTe)、二甲基碲(DiMethylTelluride：DMTe)、二乙基碲(DiEthylTelluride：DETe)、二叔丁基碲(DitertButyltellurium：DtBTe)等中的至少任一者。
[第5氣體供應部] 　　於第5氣體供應部設置第5氣體供應管153a、MFC155、閥156。另外，亦可構成為使連接於第5氣體供應管153a的第5氣體供應源153包含於第5氣體供應部。從第5氣體供應部153，供應作為惰性氣體的氮(N2 )氣、氬(Ar)氣、氦(He)氣、氖(Ne)氣、氙(Xe)氣的內至少任一者。
[第6氣體供應部] 　　於第6氣體供應部設置第6氣體供應管163a、MFC165、閥166。另外，亦可構成為使連接於第6氣體供應管163a的第6氣體供應源163包含於第6氣體供應部。從第6氣體供應部163，供應鈦(Ti)含有氣體。例如，供應TiCl4 氣體。
[第7氣體供應部] 　　於第7氣體供應部設置第7氣體供應管173a、MFC175、閥176。另外，亦可構成為使連接於第7氣體供應管173a的第7氣體供應源173包含於第7氣體供應部。從第7氣體供應部173，供應矽(Si)含有氣體。例如，供應甲矽烷(SiH4 )氣體。
[第8氣體供應部] 　　於第8氣體供應部設置第8氣體供應管183a、MFC185、閥186。另外，亦可構成為使連接於第8氣體供應管183a的第8氣體供應源183包含於第8氣體供應部。從第8氣體供應部183，供應氮(N)含有氣體。例如，供應氨(NH3 )氣。另外，亦可構成為設置RPU184而使第8氣體活性化。
接著就本實施方式相關的基板處理系統2000利用圖15進行說明。本實施方式相關的基板處理係如後述，包括第1處理程序S101、第2處理程序S201、第3處理程序S301。個別的處理可在相同的基板處理裝置100予以進行，惟為了分別使用的氣體所致的污染的防止、各處理溫度不同的情況下的基板溫度的調整時間的縮短，在分別不同的基板處理裝置100予以進行為優選。例如，構成示於圖15的基板處理系統2000。基板處理系統2000係處理基板300者，主要以IO載台2100、大氣搬送室2200、載鎖(L／L)2300、真空搬送室2400、基板處理裝置100(100a、100b、100c、100d)構成。接著就各構成具體進行說明。於圖15的說明，前後左右，係使X1方向為右、X2方向為左、Y1方向為前、Y2方向為後。基板處理裝置100a～100d的構成如同上述的基板處理裝置100的構成故省略說明。
[大氣搬送室、IO載台] 　　在基板處理系統2000的眼前側，設置IO載台(裝載埠)2100。在IO載台2100上搭載複數個傳送盒2001。傳送盒2001用作為搬送基板300的載體，被構成為在傳送盒2001內分別以水平姿勢儲存複數個未處理的基板300、處理完畢的基板300。此處，未處理的基板300係以示於圖5～圖7的基板狀態(B)表示的基板。
傳送盒2001係透過搬送傳送盒的搬送機器人(未圖示)搬送至IO載台2100。
IO載台2100鄰接於大氣搬送室2200。大氣搬送室2200在與IO載台2100不同之面，連結後述的載鎖(load lock)室2300。
在大氣搬送室2200內設置移載基板300的作為第1搬送機器人的大氣搬送機器人2220。
[載鎖(L／L)室] 　　載鎖(load lock)室2300鄰接於大氣搬送室2200。L／L室2300內的壓力係依大氣搬送室2200的壓力與真空搬送室2400的壓力而變動，故構成為可耐負壓的構造。
[真空搬送室] 　　基板處理系統2000具備作為搬送室的真空搬送室(傳輸模塊：TM)2400，該搬送室成為在負壓下搬送基板300的搬送空間。構成TM2400的框體2410係形成為俯視下五角形，於五角形的各邊，連結L／L室2300及處理基板300的基板處理裝置100。在TM2400的大致中央部，設置在負壓下移載(搬送)基板300的作為第2搬送機器人的真空搬送機器人2700。另外，此處，真空搬送室2400雖示出五角形之例，惟可為四角形、六角形等的多角形。
設置於TM2400內的真空搬送機器人2700具有可獨立而動作的兩個臂件2800與2900。真空搬送機器人2700由上述的控制器260控制。
閘閥(GV)1490如示於圖15，按基板處理裝置設置。具體而言，在基板處理裝置100a與TM2400之間設置閘閥1490a，在與基板處理裝置100b之間設置GV1490b。在與基板處理裝置100c之間設置GV1490c，在與基板處理裝置100d之間設置GV1490d。
透過各GV1490進行解放、關閉，從而可經由設於各基板處理裝置100的基板搬入搬出口1480使基板300出入。
在後述就下例進行說明：在第1處理裝置100a執行第1處理程序S101，在第2基板處理裝置100b執行第2處理程序S201，在第3基板處理裝置100c執行第3處理程序S301。另外，於第1基板處理裝置100a的氣體供應管150，連接上述的第1氣體供應部、第5氣體供應部。於第2基板處理裝置100b的氣體供應管150，連接上述的第2氣體供應部、第3氣體供應部、第4氣體供應部、第5氣體供應部。於第3基板處理裝置100c的氣體供應管150，連接第5氣體供應部、第6氣體供應部、第8氣體供應部，亦可連接第7氣體供應部。
另外，示於圖15的第4基板處理裝置100d可構成為予以進行各處理之中最耗時間的第2處理程序S201，亦可不設置。此外，此處雖示出設置4個基板處理裝置100的構成，惟非限定於此者。
[控制部] 　　如示於圖1般基板處理裝置100具有就基板處理裝置100之各部分之動作進行控制的控制器260。
將控制器260的概略示於圖3。作為控制部(控制手段)之控制器260被構成為具備CPU(Central Processing Unit)260a、RAM(Random Access Memory) 260b、記憶裝置260c、I／O埠260d的電腦。RAM260b、記憶裝置260c、I／O埠260d係構成為可經由內部匯流排260e，與CPU260a進行資料交換。構成為對控制器260可連接例如以觸控面板等的形式而構成的輸出入裝置261、外部記憶裝置262、接收部285等。
記憶裝置260c以例如快閃記憶體、HDD (Hard Disk Drive)等而構成。於記憶裝置260c內可讀取地儲存：就基板處理裝置的動作進行控制的控制程式、記載後述的基板處理的順序、條件等的處理配方、在至設定用於對於基板300的處理的處理配方為止的過程產生的演算資料、處理資料等。另外，處理配方係被組合成使控制器260執行後述的基板處理程序中的各程序而可獲得既定的結果者，作用為程式。以下，亦將此處理配方、控制程式等僅統稱為程式。另外，於本說明書中使用程式如此之詞語的情況下包括：僅包含處理配方單體的情況、僅包含控制程式單體的情況、或包含該雙方的情況。此外，RAM260b被構成為暫時保存由CPU260a讀出的程式、演算資料、處理資料等的資料的記憶體區域(工作區)。
I／O埠260d連接於閘閥1490、升降部218、溫度控制部258、壓力調整器227、真空泵浦223、第1整合器251(第2整合器351)、第1高頻電源252(第2高頻電源352)、MFC115、125、135、145、155、165、175、185、閥116、126、136、146、156、166、176、186、(RPU114、184)偏壓控制部257等。此外，亦可連接於開關274。
作為演算部的CPU260a被構成為，讀出來自記憶裝置260c的控制程式而執行，同時依來自輸出入裝置261的操作指令的輸入等而從記憶裝置260c讀出處理配方。此外，被構成為，就從接收部285輸入的設定值、和記憶於記憶裝置260c的處理配方、控制資料進行比較、演算而可算出演算資料。此外，被構成為，可從演算資料執行對應的處理資料(處理配方)的決定處理等。然後，CPU260a被構成為，以按照讀出的處理配方的內容的方式，控制閘閥1490的開閉動作、升降部218的升降動作、經由溫度控制部258往加熱器213的電力供應動作、壓力調整器227的壓力調整動作、真空泵浦223的導通關斷控制、以MFC115、125、135、145、155、165、175、185的氣體流量控制動作、RPU114、184的氣體的活性化動作、以閥116、126、136、146、156、166、176、186的氣體的導通關斷控制、整合器251的電力的整合動作、高頻電源部252的電力控制、偏壓控制部257的控制動作、高頻電源252(352)的電力控制動作、開關274的ON／OFF動作等。進行各構成的控制之際，CPU260a內的收發部發送/接收按照處理配方的內容下的控制資訊從而進行控制。
另外，控制器260不限於構成為專用的電腦的情況，亦可構成為通用的電腦。例如，可準備儲存上述的程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、撓性碟、硬碟等的磁碟、CD、DVD等的光碟、MO等的磁光碟、USB記憶體、記憶卡等的半導體記憶體)262，透過利用該外部記憶裝置262將程式安裝於通用的電腦等，從而構成本實施方式相關之控制器260。另外，供於對於電腦供應程式用的手段不限於經由外部記憶裝置262而供應的情況。例如，亦可作成利用接收部285、網路263(網際網路、專用線路)等的通訊手段，在不經由外部記憶裝置262之下供應程式。另外，記憶裝置260c、外部記憶裝置262等被構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，亦將此等僅統稱為記錄媒體。另外，本說明書中，使用記錄媒體如此的詞語的情況下，包含僅包含記憶裝置260c單體的情況、僅包含外部記憶裝置262單體的情況、或該等雙方的情況。
[2]基板處理程序 　　使用上述的基板處理裝置，作為半導體裝置之製造方法的程序之一，就在作為基板的基板300上形成作為相變化膜的GeSbTe(鍺銻碲)膜的基板處理序列之例，利用圖4～圖14進行說明。另外，在本揭示的相變化膜指電氣特性因電壓、電流等而變化的膜，例如為電阻值、結晶構造產生變化的膜。
於以下之說明，各機器的動作程序係透過處理配方(程式)而設定。控制器260依程式控制構成基板處理裝置的各部分的動作。圖4係就半導體裝置的製程的一部分進行繪示的流程圖。圖5～圖7係就按製造程序的基板的狀態進行繪示的圖。圖8～圖14，係就示於圖4的各程序的細節進行說明的流程圖。
如示於圖4，在本揭示，具有第1處理程序S101與第2處理程序S201。優選上構成為，在第1處理程序S101與第2處理程序S201之間，進行以虛線表示的第3處理程序S301。更優選上構成為，在第2處理程序S201之後進行化學機械研磨程序S501。以下就各處理程序進行說明。
首先，就進行第1處理程序S101的基板300進行說明。在基板300上，如示於基板狀態(A)，形成作為第1金屬含有膜的導電膜301與絕緣膜302。於此，導電膜301係金屬含有膜，例如鎢(W)膜、鎢氮化(WN)膜、或SeAsGe膜、SeAsGeSi膜。此外，絕緣膜302係例如含有矽(Si)元素與氧(O)元素的膜，為矽氧化(SiO)膜。此外，絕緣膜302能以電容率低的low-k膜構成。對於如此之基板300，進行圖案化程序(未圖示)，形成被形成複數個示於基板狀態(B)的溝303的基板300。溝303的底面303b成為導電膜301曝露的狀態。在本揭示，對如此的基板300，形成相變化膜304，使得可形成相變化膜304與鄰接於相變化膜304的絕緣膜302互相支撐的構造。藉此，可抑制在相變化膜304的形成後進行的化學機械研磨(CMP)程序中的相變化膜304的圖案崩塌。另外，如歷來的半導體裝置的製程，在不具有絕緣膜302、溝303的導電膜301上，直接形成相變化膜304，於相變化膜304作成溝後，於該溝形成絕緣膜302的歷來的情況下，恐產生絕緣膜302的絕緣特性降低如此的課題。原因在於，在相變化膜304、相變化膜304形成後形成的其他膜的形成後，基板300可耐的溫度(容許溫度)降低，變得難以實現可形成良質的特性的相變化膜304的成膜溫度。
另一方面，如本揭示，在絕緣膜302的圖案化程序之間、在圖案化程序後的搬送程序，成為氧吸附在曝露於溝303的底面303b的導電膜301上的狀態。此係因存在於搬送程序中的環境的氧(O2 )氣、在圖案化程序使用的水分(H2 O、OH)吸附而發生。在吸附此氧之下，以後述的下個第2處理程序S201，在溝303內形成相變化膜304的情況下，產生恐使相變化膜304、導電膜301的特性降低的課題。具體而言，恐使導電膜301、相變化膜304與導電膜301的界面的電阻值上升。此外，在第2處理程序S201，採用基板狀態(B)的情況下，可在底面303b上與絕緣膜302之上表面302a使成膜速率不同，在溝303內優先使相變化膜304形成。亦即，可選擇性選擇性使相變化膜304堆積於溝303的底面303b上。然而，氧吸附於底面303b的情況下，此功效小，往底面303b上的成膜速率恐降低。藉此，產生第2處理程序S201的處理時間的增加、在第2處理程序S201之後進行的化學機械研磨(CMP)程序的處理的調整變困難如此的課題。第2處理程序S201的處理時間的增加例如指埋住溝303所耗的時間。
接著，就在基板處理裝置100a進行包含第1處理程序S101的基板處理程序的方法進行說明。此處，利用圖5～圖7的基板狀態(B)與圖8進行說明。
[基板搬入程序S102] 　　首先，使基板狀態(B)的基板300搬入至基板處理裝置100a的處理室201。具體而言，透過升降部218使基板支撐部210下降，設成升降銷207從貫通孔214予以突出於基板支撐部210的上表面側的狀態。此外，將處理室201內、移載室203調壓為既定的壓力後，將閘閥1490開放，使基板300從閘閥205載置於升降銷1490上。使基板300載置於升降銷207上後，關閉閘閥1490，透過升降部218使基板支撐部210上升至既定的位置，使得基板300被從升降銷207往基板支撐部210載置。
[減壓升溫程序S103] 　　接著，以處理室201內成為既定壓力(真空度)的方式，經由排氣管224將處理室201內排氣。此情況下，基於壓力感測器(未圖示)計測的壓力值，就作為壓力調整器227的APC閥的閥的開度進行回授控制。此外，基於溫度感測器(不圖示)檢測出的溫度値，以基板300成為既定的溫度的方式就往加熱器213的通電量進行回授控制。具體而言，透過加熱器213預先加熱基板支撐部210，基板300或基板支撐部210的溫度變動消失後放置一定時間。此期間，存在殘留於處理室201內的水分或來自構材的脫氣等的情況下，可透過利用真空排氣、N2 氣體的供應下的淨化從而除去。藉此成膜程序前的準備結束。另外，在將處理室201內排氣成既定的壓力時，亦可一次真空排氣到可到達的真空度。
此時的加熱器213之溫度係以成為100～700℃、優選上200～400℃的範圍內的一定的溫度的方式進行設定。
[第1處理程序S101] 　　接著，作為第1處理，就除去吸附於底面303b之氧的還原程序之例進行說明。
[第1氣體供應程序S104] 　　對基板300，從第1氣體供應部供應作為第1氣體的H2 氣體至處理室201內。具體而言，就從第1氣體供應源113供應的H2 氣體以MFC115進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的H2 氣體通過緩衝室232，從噴灑頭234的氣體供應孔234a，供應至減壓狀態下的處理室201內。此外，繼續利用排氣部所為的處理室201內的環境的排氣，將處理室201內的壓力控制為成為既定的壓力範圍。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。H2 氣體供應至基板300，使得吸附於底面303b的氧被除去(還原)。
[電漿生成程序S105] 　　如以圖8的虛線所示，可予以進行電漿生成程序S105。在電漿生成程序S105，利用第1高頻電源252，第2高頻電源352、RPU114中的至少任一者，使供應至處理室201的H2 氣體活性化從而進行。利用第1高頻電源252的情況下，透過從第1高頻電源252對第1電極244供應高頻電力，使得供應至處理室201內的H2 氣體成為電漿狀態。利用第2高頻電源352的情況下，透過從第2高頻電源352對第2電極256供應高頻電力，使得供應至處理室201內的H2 氣體成為電漿狀態。另外，組合第1高頻電源252與第2高頻電源352而使用的情況下，使從第2高頻電源352供應的高頻電力的頻率比從第1高頻電源252供應的高頻電力的頻率低為優選，將低的頻率的電力，供應至基板支撐部210側，使得可使引入至基板300的活性的氫的量增加。亦即，即使隨著今後的微細化技術的發展，溝303的縱橫比變大，仍可除去吸附於底面303b之氧。此外，利用RPU114的情況下，RPU114使第1氣體供應管113a內的H2 氣體活性化。此情況下，在噴灑頭234，活性的氫的一部分鈍化，故比起在處理室201直接予以活性化的情況，變得可進行軟性的處理。
另外，高頻電力的供應係在第1氣體的供應後開始，惟亦可構成為，從第1氣體的供應開始前供應高頻電力，因第1氣體的供應使得生成電漿。
[第1淨化程序S106] 　　溝303的底面303b的氧被除去後，將第1氣體供應管113a的氣閥116關閉，停止H2 氣體的供應。停止第1氣體，使得將存在於處理室201中的第1氣體、存在於緩衝室232之中的第1氣體從排氣部排氣從而進行第1淨化程序S106。
此外，在第1淨化程序S106，除僅將氣體排氣(抽真空)而排出氣體以外，亦可構成為從第5氣體供應部供應惰性氣體，進行透過將殘留氣體擠出所為的排出處理。此情況下，將閥156打開，以MFC155進行惰性氣體的流量調整。此外，亦可組合抽真空與惰性氣體的供應而進行。此外，亦可構成為交互進行抽真空與惰性氣體的供應。
既定之時間經過後，將閥156關閉，停止惰性氣體的供應。另外，亦可在將閥156打開下繼續惰性氣體的供應。
從第5氣體供應部供應的作為惰性氣體的N2 氣體的供應流量分別設成例如100～20000sccm的範圍內的流量。
淨化程序S106的結束後，如示於圖8，可予以進行搬送壓力調整程序S107與基板搬出程序S108，亦可接著予以進行示於圖9的第2處理程序S201、示於圖14的第3處理程序S301。
[搬送壓力調整程序S107] 　　淨化程序S106後，在搬送壓力調整程序S107，以處理室201內、移載室203成為既定的壓力(真空度)的方式，經由第1排氣口221進行排氣。另外，亦可構成為，在此搬送壓力調整程序S107之間、前、後，以基板300的溫度被冷卻至既定的溫度的方式利用升降銷207進行保持。
[基板搬出程序S108] 　　在搬送壓力調整程序S107基板處理裝置100a的處理室201內成為既定壓力後，將閘閥1490打開，從移載室203將基板300搬出至真空搬送室2400。
接著，說明有關以基板處理裝置100b進行包含在基板狀態(B)的基板300的溝303內形成相變化膜304 (Phase Change Memory：PCM)的第2處理程序S201的基板處理程序的方法。此處，就第2處理程序S201，利用圖9進行說明。
[基板搬入程序S202] 　　首先，使實施第1處理程序S101的基板300搬入至基板處理裝置100b的處理室201。具體的程序方面，如同上述的基板搬入程序S102故省略說明。
[減壓升溫程序S203] 　　接著，如同減壓升溫程序S103，以真空度201內成為既定壓力(真空度)的方式，經由排氣管224將處理室201內排氣。
[第2處理程序S201] 　　接著，作為第2處理，就在基板300的溝303內形成相變化膜304的程序之例進行說明。
[第2氣體供應程序S204] 　　首先，對基板300從第2氣體供應部供應作為第2氣體的TDMAGe氣體至處理室201內。具體而言，以MFC125就從第2氣體供應源123供應的TDMAGe氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的TDMAGe氣體通過緩衝室232，從噴灑頭234的氣體供應孔234a，供應至減壓狀態下的處理室201內。此外，繼續利用排氣部所為的處理室201內的環境的排氣，將處理室201內的壓力控制為成為既定的壓力範圍。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。TDMAGe氣體供應至基板300，使得在溝303內堆積包含Ge之層。
[第2淨化程序S205] 　　接著，進行第2淨化程序S205。將第2氣體供應管123a的氣閥126關閉，停止TDMAGe氣體的供應。停止第2氣體使得將存在於處理室201中的第2氣體、存在於緩衝室232之中的第2氣體從排氣部排氣從而進行第2淨化程序S205。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[第3氣體供應程序S206] 　　接著，從第3氣體供應部供應作為第3氣體的TDMASb氣體至處理室201內。具體而言，以MFC135就從第3氣體供應源133供應的TDMASb氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的TDMASb氣體係如同上述的第2氣體供應程序S204，供應排氣至處理室201。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。TDMASb氣體供應至基板300，使得在溝303內的包含Ge的層之上，堆積包含Sb之層。
[第3淨化程序S207] 　　接著，進行第3淨化程序S207。將閥136關閉，停止TDMASb氣體的供應。停止第3氣體，將存在於處理室201中的第3氣體、存在於緩衝室232之中的第3氣體從排氣部排氣從而進行第3淨化程序S207。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[第4氣體供應程序S208] 　　接著，從第4氣體供應部供應作為第4氣體的DtBTe氣體至處理室201內。具體而言，以MFC145就從第4氣體供應源144供應的DtBTe氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的DtBTe氣體係如同上述的第2氣體供應程序S204，供應排氣至處理室201。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。DtBTe氣體供應至基板300，使得在溝303內的包含Sb之層之上，堆積包含Te之層。藉此，在溝303內堆積包含Ge、Sb、及Te之層。
[第4淨化程序S209] 　　接著，進行第4淨化程序S209。將閥146關閉，停止DtBTe氣體的供應。停止第4氣體的供應，將存在於處理室201內的第4氣體、存在於緩衝室232之中的第4氣體從排氣部排氣從而進行第4淨化程序S209。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[判定程序S210] 　　第4淨化程序S209的結束後，控制器260判定是否執行上述的第2處理程序S201(S204～S209)既定的次數n。亦即，判定是否形成填滿基板300的溝303的期望的厚度的作為相變化膜304的GeSbTe含有膜。以上述的步驟S204～S209為1循環，進行此循環至少一次以上，使得可在基板300的溝303內形成既定膜厚的相變化膜304。另外，上述的循環係反復複數次為優選。藉此，形成既定膜厚的相變化膜304。另外，在此處的循環，雖記載有關最先供應第2氣體的情況，惟不限於此，亦可構成為從第3氣體開始供應。透過以此方式構成，使得可使與導電膜301的密接性提升。因此，在相變化膜304形成後進行的CMP程序，可予以抑制相變化膜304受損。
在判定程序S210，未實施第2處理程序S201既定次數時(No判定時)，重復第2處理程序S201的循環，實施既定次數時(Yes判定時)，結束第2處理程序S201，執行搬送壓力調整程序S211與基板搬出程序S212。
另外，在圖9，雖示出依序供應第2氣體、第3氣體、第4氣體的流程，惟非限定於此者。例如，如示於圖6、圖10，能以層積包含Sb與Te的膜304a、304b、和包含Ge與Te的膜304c的積層膜構成相變化膜304。形成包含Sb與Te的膜304a、304b的程序S201a的流程示於圖10，形成包含Ge與Te的膜304c的程序S201c的流程示於圖11。
如示於圖10，包含Sb與Te的膜304a、304b的形成方面，具有第3氣體供應程序S206a、第3淨化程序S207a、第4氣體供應程序S208a、第4淨化程序S209a及判定程序S210a。各程序的內容係如同圖9的程序故省略。包含Sb與Te的膜304a、304b係例如組成不同的膜，構成為，304a為Sb2 Te，304b為Sb2 Te3 。如此之組成控制係透過在各氣體供應程序的氣體供應流量、氣體供應時間進行控制。具體而言，增加Sb的比率的情況下，就第3氣體的供應流量與供應時間中的一方或雙方，以成為比第4氣體的供應流量與供應時間中的一方或雙方多的方式控制各部分。膜304a的膜厚304aH係形成為比膜304b的膜厚304bH大。例如，形成為，膜厚304aH成為10nm，膜厚304bH成為4nm。如此般形成，使得可使相變化膜304的特性提升，同時使往溝303內的成膜的選擇性提升。此外，可使相變化膜304與其下方的導電膜301的密接性提升。因此，在相變化膜304形成後進行的CMP程序，可予以抑制相變化膜304受損。藉此等，使得可使半導體裝置的特性提升。
接著，包含Ge與Te的膜304c的形成程序S201c如示於圖11，具有第2氣體供應程序S204c、第2淨化程序S205c、第4氣體供應程序S208c、第4淨化程序S209c及判定程序S210c。各程序的內容係如同圖9的程序故省略。如此般交替供應第2氣體與第4氣體，從而形成GeTe膜使得形成示於圖6的基板狀態(C1)的相變化膜304。另外，此處形成的膜304c的膜厚304cH形成為比膜厚304bH的膜厚小。
另外，在上述，雖記載有關層積Ge層、Sb層、Te層、SbTe層、GeTe層的個別的層，從而形成作為相變化膜304的GeSbTe膜的處理程序，惟非限定於此者，亦可將處理程序構成為，最先形成GeSbTe的化合物層後形成相變化膜304。就實現此的第4處理程序S401，利用圖12、圖13進行說明。圖12係第4處理程序S401的處理流程圖，圖13係第4處理程序S401的氣體供應序列圖。
如示於圖12，在第4處理程序S401的前後，如同示於圖9的第2處理程序，具有基板搬入程序S402、減壓升溫程序S403、判定程序S410、搬送壓力調整程序S411、基板搬出程序S412等。個別的程序的內容係如同上述的第2處理程序故省略說明。
接著，就第4處理程序S401的細節進行說明。
[第4處理程序S401] 　　在第4處理程序S401，具有第2氣體供應程序S404、第3氣體供應程序S406及第4氣體供應程序S408。此等氣體供應程序如示於圖13構成為，僅既定時間同時供應。可構成為，在此等氣體供應程序之後，予以進行淨化程序S405。
接著，就圖13進行說明。在圖13的(a)的情況下，構成為，同時供應並同時停止第2氣體供應、第3氣體供應及第4氣體供應的各者。此外，在圖13的(b)的情況下，亦可構成為，同時供應個別的氣體，供應既定時間後，停止第2氣體與第3氣體的供應，供應第4氣體既定時間。透過以此方式構成，使得可一次性使GeSbTe的化合物膜形成。另外，GeSbTe膜的組成比的調整係如示於圖13(a)，以個別的氣體供應流量進行調整。各氣體的供應流量的比率係例如作成第2氣體(Ge)：第3氣體(Sb)：第4氣體(Te)=1～3：1～3：4～6，使得可予以形成良好的特性的相變化膜304。優選上，使各氣體的供應流量比率為Ge：Sb：Te=2：2：5。良好的特性的相變化膜304的組成比係如同氣體供應流量，Ge：Sb：Te=1～3：1～3：4～6，優選上Ge：Sb：Te=2：2：5。另外，在圖13(a)，雖示出以氣體供應流量進行調整之例，惟不限於此，亦可如示於圖13(b)般構成為以氣體供應時間進行調整。例如，使各氣體的流量略相同，以氣體供應時間成為上述的比率的方式進行調整。
另外，將第2氣體、第3氣體、第4氣體分別以一次性的供應，從而形成相變化膜304，使得可使成膜速率提升，可使半導體裝置的製造處理量提升。
此外，溝303成為深溝的情況下，優選上，如示於圖12、圖13，予以進行間歇性進行第2氣體供應程序S404、第3氣體供應程序S406、第4氣體供應程序S408的循環處理。亦即，交替予以進行第2氣體供應程序S404、第3氣體供應程序S406、第4氣體供應程序S408的氣體供應程序及淨化程序S405。如此構成處理程序，使得可一面抑制往成為深溝的溝303內的成膜速率的降低，一面在溝303內予以均勻地形成相變化膜304。
接著，就在第1處理程序S101與第2處理程序S201之間進行的第3處理程序S301，利用圖7與圖14進行說明。此處，說明有關以基板處理裝置100c進行包含第3處理程序S301的基板處理程序的方法。在第3處理程序S301，在導電膜301上形成作為第2金屬含有膜的鈦含有膜。例如，鈦氮化(TiN)膜、鈦矽氮化(TiSiN)膜。另外，第2金屬含有膜係於半導體裝置，作用為加熱相變化膜304的加熱膜。加熱相變化膜304，使得可提高相變化膜304的特性變化速度。亦即，可使半導體裝置的特性提升。
[基板搬入程序S302] 　　首先，使進行第1處理程序S101後的基板300搬入至基板處理裝置100c的處理室201。具體的程序方面，如同上述的基板搬入程序S102故省略說明。
[減壓升溫程序S303] 　　接著，如同減壓升溫程序S103，以處理室201內成為既定壓力(真空度)的方式，經由排氣管224將處理室201內排氣。
此時的加熱器213之溫度設定為，成為100～600℃、優選上100～500℃、更優選上200～400℃的範圍內的一定的溫度。
[第3處理程序S301] 　　接著，第3處理方面，說明有關在底面303b形成鈦(Ti)含有膜的處理。
[第6氣體供應程序S304] 　　對基板300，從第6氣體供應部供應作為第6氣體的TiCl4 氣體至處理室201內。具體而言，以MFC165就從第6氣體供應源163供應的TiCl4 氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的TiCl4 氣體通過緩衝室232，從噴灑頭234的氣體供應孔234a，供應至減壓狀態下的處理室201內。此外，繼續利用排氣部所為的處理室201內的環境的排氣，將處理室201內的壓力控制為成為既定的壓力範圍。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。TiCl4 氣體供應至基板300，使得在溝303的底面303b形成Ti含有層。
[第6淨化程序S305] 　　接著，進行第6淨化程序S405。將第6氣體供應管163a的氣閥166關閉，停止TiCl4 氣體之供應。停止第6氣體，將存在於處理室201中的第6氣體、存在於緩衝室232之中的第6氣體從排氣部排氣從而進行第6淨化程序S305。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[第7氣體供應程序S306] 　　接著，從第7氣體供應部供應作為第7氣體的SiH4 氣體至處理室201內。具體而言，以MFC175就從第7氣體供應源174供應的SiH4 氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的SiH4 氣體係如同上述的第6氣體供應程序S304，供應排氣至處理室201。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。SiH4 氣體供應至基板300，使得在溝303內的Ti含有層之上，堆積包含Si之層。
[第7淨化程序S307] 　　接著，進行第7淨化程序S307。將閥176關閉，停止SiH4 氣體的供應。停止第7氣體，將存在於處理室201中的第7氣體、存在於緩衝室232之中的第7氣體從排氣部排氣從而進行第7淨化程序S307。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[第8氣體供應程序S308] 　　接著，從第8氣體供應部供應作為第8氣體的NH3 氣體至處理室201內。具體而言，以MFC185就從第8氣體供應源183供應的NH3 氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的NH3 氣體係如同上述的第6氣體供應程序S304，供應排氣至處理室201。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。NH3 氣體供應至基板300，使得一面除去在溝303內的Ti含有層與Si含有層中所含的氯(Cl)一面供應氮(N)，形成TiSiN膜。
[第8淨化程序S309] 　　接著，進行第8淨化程序S309。將閥186關閉，停止NH3 氣體之供應。停止第8氣體的供應，將存在於處理室201內的第8氣體、存在於緩衝室232之中的第8氣體從排氣部排氣從而進行第8淨化程序S309。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[判定程序S310] 　　第8淨化程序S309的結束後，控制器260判定是否執行上述的第3處理程序S301(S304～S309)既定的次數n。亦即，判定是否在基板300的溝303內形成所期望的厚度的TiSiN膜。以上述的步驟S304～S309為1循環，進行此循環至少一次以上，使得可在基板300的溝303內形成既定膜厚的TiSiN膜305。另外，上述的循環係反復複數次為優選。藉此，形成既定膜厚的TiSiN膜305。
在判定程序S310，未實施第3處理程序S301既定次數時(No判定時)，重復第3處理程序S301的循環，實施既定次數時(Yes判定時)，結束第3處理程序S301，執行搬送壓力調整程序S311與基板搬出程序S312。
[搬送壓力調整程序S311] 　　在搬送壓力調整程序S311，透過與上述的搬送壓力調整程序S107同樣的順序進行壓力調整。
[基板搬出程序S312] 　　在搬送壓力調整程序S312，透過與上述的基板搬出程序S109同樣的順序搬出基板。
[研磨程序S501] 　　接著，就在第2處理程序S201後進行的研磨程序S501利用圖4、圖5、圖16進行說明。進行第2處理程序S201後的基板300的狀態係如示於基板狀態(C1a)的虛線部分的放大圖、圖5的(E)，有時成為在絕緣膜302之上表面302a形成薄的多餘的相變化膜304d的狀態。如此之情況下，在研磨程序S501，除去相變化膜304d。研磨程序S501係以示於圖16的研磨裝置400進行。於圖16中，401係研磨盤，402係研磨基板300的研磨布。研磨盤401係連接於未圖示的旋轉機構，研磨基板300之際，旋轉於箭頭406方向。此相變化膜304d的膜厚係進行上述的第1處理程序S101的情況下，可比起不進行第1處理程序S101的情況減小。藉此，可使在研磨程序S501的研磨時間縮短。此外，變得可予以抑制在研磨程序S501使未形成相變化膜304d的部分的相變化膜304損傷。
403係研磨頭，在研磨頭403之上表面，連接軸404。軸404連接於未圖示的旋轉機構兼上下驅動機構。研磨基板300的期間，旋轉於箭頭407方向。
405係供應漿料(研磨劑)的供應管。研磨基板300的期間，從供應管405朝研磨布402供應漿料。另外，此處，供應鹼性的研磨劑。使用鹼性的研磨劑，使得可在不使相變化膜304與絕緣膜302損傷(氧化)之下，除去多餘的相變化膜304b。使用酸性的研磨劑的情況下，相變化膜304的表面恐氧化，產生相變化膜304的電氣特性的不良化、恐使相變化膜304與形成於其上的膜的接觸特性變化之課題。另一方面，如本揭示，使用鹼性的研磨劑，使得可在不使相變化膜304的表面氧化之下進行研磨。
以上，雖具體說明本揭示的一實施方式，惟本揭示非限定於上述的實施方式者，在不脫離其要旨之範圍下可進行各種變更。
此外，在上述，雖記載有關交替供應複數個氣體而成膜的方法，惟亦可應用於其他方法。例如，如複數個氣體的供應時點重疊的方法。具體而言，使用採用CVD(Chemical Vapor Deposition)法、循環CVD法、Sb-Te靶材、Ge-Te靶材下的濺鍍法，使得可使各膜的成膜速率提升，可使半導體裝置的製造處理量短縮化。
此外，在上述，雖示出在一個處理室處理一個基板的裝置構成，惟不限於此，亦可為將複數個基板排列於水平方向或垂直方向的裝置。
100‧‧‧基板處理裝置300‧‧‧基板201‧‧‧處理室
[圖1]一實施方式相關之基板處理裝置的示意構成圖。 　　[圖2]一實施方式相關的氣體供應系統的示意構成圖。 　　[圖3]一實施方式相關的基板處理裝置的控制器的示意構成圖。 　　[圖4]就一實施方式相關之基板處理程序作繪示的流程圖。 　　[圖5]就一實施方式相關的基板狀態進行繪示的圖。 　　[圖6]就一實施方式相關的基板狀態進行繪示的圖。 　　[圖7]就一實施方式相關的進行第3處理程序的情況下的基板狀態進行繪示的圖。 　　[圖8]一實施方式相關的第1處理程序的流程圖。 　　[圖9]一實施方式相關的第2處理程序的流程圖。 　　[圖10]一實施方式相關的第2處理程序的流程圖。 　　[圖11]一實施方式相關的第2處理程序的流程圖。 　　[圖12]一實施方式相關的第4處理程序的流程圖。 　　[圖13]一實施方式相關的第4處理程序的氣體供應序列例。 　　[圖14]一實施方式相關的第3處理程序的流程圖。 　　[圖15]一實施方式相關之基板處理系統的示意構成圖。 　　[圖16]就一實施方式相關的研磨裝置進行說明的說明圖。
100‧‧‧基板處理裝置
150‧‧‧連接氣體供應管
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧移載室
204‧‧‧分隔部
207‧‧‧升降銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降部
219‧‧‧伸縮管
221‧‧‧第1排氣口
223‧‧‧真空泵浦
224‧‧‧排氣管
227‧‧‧壓力調整器
228‧‧‧壓力調整器
231‧‧‧蓋體
232‧‧‧緩衝室
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧噴灑頭
234a‧‧‧氣體供應孔
241‧‧‧對氣體導入口
244‧‧‧第1電極
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源部
256‧‧‧第2電極
257‧‧‧偏壓控制部
258‧‧‧溫度控制部
260‧‧‧控制器
274‧‧‧開關
300‧‧‧基板
351‧‧‧第2整合器
352‧‧‧第2高頻電源
1480‧‧‧基板搬入搬出口
1481‧‧‧第2排氣口
1482‧‧‧排氣管
1490‧‧‧閘閥

Claims (17)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，具有：第1處理程序，其係一面加熱基板，一面對前述基板供應還原性的氣體，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；和第2處理程序，其係在前述第1處理程序後，將Sb含有氣體與Te含有氣體對前述複數個溝內供應，在前述溝內形成含有Sb與Te的第1膜，將Ge含有氣體與前述Te含有氣體對前述複數個溝內供應，在前述溝內形成含有Ge與Te的第2膜，形成包含前述第1膜與前述第2膜的相變化膜；在前述第2處理程序，以將前述第1膜以前述Sb與前述Te的組成比不同的兩層而形成的方式使前述Sb含有氣體與前述Te含有氣體的供應比率變化。
  2. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第1處理程序與前述第2處理程序之間，具有在前述第1金屬含有膜之上形成第2金屬含有膜的第3處理程序。
  3. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第1處理程序，具有使前述還原性的氣體以二個頻率的電力活性化的電漿生成程序。
  4. 如申請專利範圍第2項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第1處理程序，具有使前述還原性的氣體以二個頻率的電力活性化的電漿生成程序。
  5. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第2處理程序後，具有對前述基板供應鹼性的研磨劑而進行研磨的研磨程序。
  6. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第2處理程序，以形成前述第1膜的兩層之中第2層的膜厚比第1層的膜厚大的方式供應前述Sb含有氣體與前述Te含有氣體。
  7. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第2處理程序，以形成前述第1膜的兩層之中第1層形成Sb2Te膜且第2層形成Sb2Te3膜的方式供應前述Sb含有氣體與前述Te含有氣體。
  8. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第2處理程序，以前述第1膜的膜厚比前述第2膜厚大的方式分別形成前述第1膜與前述第2膜。
  9. 如申請專利範圍第2項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第3處理程序，供應Ti含有氣體與氮含有氣 體。
  10. 一種基板處理裝置，具有：處理室，其處理基板，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；基板載台，其載置前述基板；加熱部，其加熱前述基板；第1氣體供應部，其對前述基板供應還原性的氣體；第2氣體供應部，其對前述基板供應Ge含有氣體；第3氣體供應部，其對前述基板供應Sb含有氣體；第4氣體供應部，其對前述基板供應Te含有氣體；和控制部，其將前述加熱部、前述第1氣體供應部、前述第2氣體供應部、前述第3氣體供應部及前述第4氣體供應部控制為：予以進行第1處理程序及第2處理程序，該第1處理程序係一面加熱前述基板，一面對前述基板供應前述還原性的氣體者，該第2處理程序係在前述第1處理程序後，將前述Sb含有氣體與前述Te含有氣體對前述複數個溝內供應，在前述溝內形成含有Sb與Te的第1膜，將前述Ge含有氣體與前述Te含有氣體對前述複數個溝內供應，在前述溝內形成含有Ge與Te的第2膜，形成包含前述第1膜與前述第2膜的相變化膜；且在前述第2處理程序，以將前述第1膜以前述Sb與前述Te的組成比不同的兩層而形成的方式使前述Sb含有氣體與前述Te含有氣體的供應比率變化。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其具有：第5氣體供應部，其對前述基板供應第5氣體；和第6氣體供應部，其對前述基板供應第6氣體；前述控制部構成為將前述第5氣體供應部與前述第6氣體供應部控制為，在前述第1處理程序與前述第2處理程序之間，予以進行在前述第1金屬含有膜之上形成第2金屬含有膜的程序。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其具有：第1高頻電源，其對前述處理室供應第1頻率的高頻；和第2高頻電源，其對前述處理室供應第2頻率的高頻；前述控制部構成為將前述第1高頻電源與前述第2高頻電源控制為，在前述第1處理程序，將前述還原性氣體以前述第1頻率的高頻與前述第2頻率的高頻予以活性化。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其具有：第1高頻電源，其對前述處理室供應第1頻率的高頻；和第2高頻電源，其對前述處理室供應第2頻率的高頻；前述控制部構成為將前述第1高頻電源與前述第2高頻電源控制為，在前述第1處理程序，將前述還原性氣體以前述第1頻率的高頻與前述第2頻率的高頻予以活性化。
  14. 一種記錄媒體，其係記錄透過電腦使基板處理裝置執行以下程序的程式者：第1處理程序，其係一面加熱基板，一面對前述基板予以供應還原性的氣體，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；和第2處理程序，其係在前述第1處理程序後，將Sb含有氣體與Te含有氣體對前述複數個溝內供應，在前述溝內形成含有Sb與Te的第1膜，將Ge含有氣體與前述Te含有氣體對前述複數個溝內供應，在前述溝內形成含有Ge與Te的第2膜，形成包含前述第1膜與前述第2膜的相變化膜；在前述第2處理程序，以將前述第1膜以前述Sb與前述Te的組成比不同的兩層而形成的方式使前述Sb含有氣體與前述Te含有氣體的供應比率變化。
  15. 如申請專利範圍第14項的記錄媒體，其中，在前述第1處理程序與前述第2處理程序之間，具有在前述第1金屬含有膜之上予以形成第2金屬含有膜的第3處理程序。
  16. 如申請專利範圍第14項的記錄媒體，其中，在前述第1處理程序，具有使前述還原性的氣體以二個頻率的電力活性化的電漿生成程序。
  17. 如申請專利範圍第15項的記錄媒體，其中，在前述第1處理程序，具有使前述還原性的氣體以二個頻率的電力 活性化的電漿生成程序。
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