TWI712217B - 單天線系統 - Google Patents

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Abstract

本案提供一種單天線系統，包含一接地件、一饋入金屬部、至少一短路金屬部、一輻射金屬部、一去耦合電路、一第一饋入源以及一第二饋入源。饋入金屬部間隔設置於接地件之側邊，饋入金屬部包含一第一饋入金屬部連接第二饋入金屬部。短路金屬部連接饋入金屬部及接地件，且位於第一饋入金屬部及第二饋入金屬部之間。輻射金屬部位於饋入金屬部外側。去耦合電路連接於饋入金屬部及輻射金屬部之間。第一饋入源位於第一饋入金屬部與接地件之間，以及第二饋入源位於第二饋入金屬部與接地件之間。此單天線系統係具有同頻雙饋入及高天線隔離度之特性。

Description

單天線系統
本案係有關一種具有同頻雙饋入之單天線系統。
現有應用在筆記型電腦的多天線設計，單饋入之平面天線尺寸通常為8毫米*40毫米或是10毫米*30毫米；而雙饋入之雙天線系統，天線單元與天線單元之間的距離也通常保持在天線最低操作頻率之0.6倍波長，以確保天線單元之間具有良好的隔離度。
而為了縮短天線單元之間距及提升兩天線單元的隔離度，通常會在天線單元與天線單元之間增設有電感、電容及電阻等去耦合元件，或是加入天線操作頻率之四分之一波長共振結構，以增加雙天線單元之間的隔離度。由於一般雙天線系統都為二個獨立天線單元，無共用之天線結構，且在天線單元之間增設去耦合元件，所以在降低天線耦合的設計上，去耦合元件或共振結構仍然獨立在天線單元主要輻射部之外，除了與天線單元整合度低之外，天線單元與天線單元之間的距離也因需保留增設去耦合元件或共振結構之空間，因而增加天線系統的整體尺寸。
本案揭示一種單天線系統，包含一接地件、一饋入金屬部、至少一短路金屬部、一輻射金屬部、一去耦合電路、一第一饋入源以及一第二饋入源。饋入金屬部間隔設置於接地件之側邊，此饋入金屬部包含一第一饋入金屬部及一第二饋入金屬部，第一饋入金屬部具有第一端及第二端且第一端鄰近接地件，第二饋入金屬部具有第三端及第四端且第三端鄰近接地件，第四端連接第二端。短路金屬部連接饋入金屬部及接地件，且位於第一饋入金屬部及第二饋入金屬部之間。輻射金屬部位於遠離接地件之饋入金屬部一側且鄰近饋入金屬部。去耦合電路係連接於饋入金屬部及輻射金屬部之間。第一饋入源位於第一饋入金屬部之第一端與接地件之間，第二饋入源位於第二饋入金屬部之第三端與接地件之間。
綜上所述，本案之單天線系統係為一種同頻雙饋入之單天線結構設計，除了可以有效縮小單天線系統的整體尺寸之外，亦可達到高天線隔離度之要求，並同時滿足窄邊框需求以及未來縮小化的天線系統。
當筆記型電腦螢幕走向全面屏趨勢的外觀設計，螢幕周圍的窄邊框條件（大約為4至6毫米）將大幅減少天線系統可以使用的淨空區，導致原本適用於傳統筆記型電腦之天線尺寸將無法使用，有鑑於此，本案設計出的單天線系統可以同時滿足窄邊框需求與未來縮小化天線系統之訴求，並可同時具備良好的天線隔離度。
本案為一種具有同頻雙饋入之單天線系統。圖1為根據本案第一實施例之單天線系統的示意圖，請參閱圖1所示，一種單天線系統10包含有一接地件12、一饋入金屬部14、一短路金屬部16、一輻射金屬部18、一去耦合電路20、一第一饋入源22以及一第二饋入源24。
接地件12係具有相對二側邊121、122。饋入金屬部14係設置於接地件12之側邊121，此饋入金屬部14包含一第一饋入金屬部141及一第二饋入金屬部144，第一饋入金屬部141具有一第一端142及一第二端143，第一饋入金屬部141之第一端142鄰近接地件12之側邊121，第二饋入金屬部144具有一第三端145及一第四端146，第二饋入金屬部144之第三端145鄰近接地件12之側邊121，且第一饋入金屬部141之第二端143連接第二饋入金屬部144之第四端146，以組成饋入金屬部14。在一實施例中，饋入金屬部14係為一ㄇ字形的金屬結構設計，並且，第一饋入金屬部141及第二饋入金屬部144係為互相對稱之金屬結構，以藉由相連接的第二端143及第四端146組成前述之ㄇ字形饋入金屬部14。
短路金屬部16係連接饋入金屬部14及接地件12，亦即短路金屬部16位於第一饋入金屬部141及第二饋入金屬部144之間，且短路金屬部16之一端連接至相連接的第二端143及第四端146，短路金屬部16之另一端則連接至接地件12。輻射金屬部18係位於遠離接地件12之方向的饋入金屬部14外側且鄰近饋入金屬部14，使輻射金屬部18與饋入金屬部14相隔一間距，輻射金屬部18之長度方向亦平行饋入金屬部14之長度方向。
去耦合電路20係連接於饋入金屬部14及輻射金屬部18之間，較佳者，去耦合電路20之一端係連接至第一饋入金屬部141之第二端143與第二饋入金屬部144之第四端146的相連接處，以位於第一饋入金屬部141與第二饋入金屬部144之間的中央位置，去耦合電路20之另一端則連接於輻射金屬部18之中央位置。第一饋入源22係位於第一饋入金屬部141之第一端142與接地件12之間，第二饋入源24位於第二饋入金屬部144之第三端145與接地件12之間，第一饋入源22及第二饋入源24係接收相同頻率之訊號源，以提供同頻雙饋入之單天線系統10。
接地件12之側邊122係連接一系統接地面30，且位於系統接地面30的一側邊。在一實施例中，系統接地面30可為獨立之一金屬片，或是貼附於一電子裝置之金屬平面，例如，系統接地面30可以是但不限於電子裝置的金屬機殼接地部或是電子裝置的塑膠機殼內部的金屬部。例如，電子裝置為筆記型電腦時，系統接地面30可以為筆記型電腦螢幕的系統接地面或筆記型電腦螢幕機殼內的EMI鋁箔或濺鍍之金屬區域等金屬部。其中，系統接地面30的尺寸僅為示意，系統接地面30的尺寸可隨著單天線系統10之應用而具有不同的尺寸設計。
在一實施例中，接地件12、饋入金屬部14（第一饋入金屬部141及第二饋入金屬部144）、短路金屬部16、輻射金屬部18等元件可以是導電性材料製成，例如銀、銅、鋁、鐵或是其合金等，但不限於此。
在單天線系統10接收或發射射頻訊號時，當第一饋入源22與第二饋入源24分別饋入一低頻之射頻訊號時，例如2.4 GHz，第一饋入金屬部141與第二饋入金屬部144分別耦合激發輻射金屬部18，使其同時於低頻頻段產生一基頻模態，於高頻產生一倍頻模態。而為使第一饋入源22與第二饋入源24達到良好的隔離度，藉由去耦合電路20及短路金屬部16之作用，調整此倍頻模態與其基頻模態相合，以抵銷流至相鄰訊號源之表面電流，在極有限的天線空間內，增加第一饋入源22與第二饋入源24之間的隔離度。
在一實施例中，圖2為根據本案第二實施例之單天線系統的示意圖，請參閱圖2所示，在此單天線系統10中，饋入金屬部14及接地件12之間係設置有二短路金屬部16、16’，短路金屬部16之一端連接至第一饋入金屬部141的第二端143，短路金屬部16之另一端則連接至接地件12。短路金屬部16’之一端連接至第二饋入金屬部144的第四端146，短路金屬部16’之另一端則連接至接地件12。二個短路金屬部16、16’之作用等同於圖2之短路金屬部16，亦可以達到增加天線匹配之作用，其餘之結構與作動皆與前述之第一實施例相同，故於此不再贅述。在此實施例中係以二個短路金屬部16、16’為例，但本案不限於此數量，可依實際需求而有不同數量之設計。
在一實施例中，圖3為根據本案第三實施例之單天線系統的示意圖，請參閱圖3所示，在此單天線系統10中，輻射金屬部18係具有不同之實施態樣。輻射金屬部18長度方向之二端係分別向內延伸而形成一彎折部181、182，且彎折部181、182係為互相對稱之結構設計，以便於延伸輻射部共振長度，有效縮小天線整體尺寸。當然，彎折部181、182之彎折形狀可依實際需求而有不同形狀之設計，並不限於圖3所示之彎折部181、182。
在一實施例中，圖4至圖8為根據本案單天線系統使用之去耦合電路的各實施例示意圖，請參閱圖1及圖4至圖8所示，去耦合電路20係為至少一被動元件或被動元件的任意組合，以藉此提高訊號源（第一饋入源22及第二饋入源24）之間的隔離度。如圖4所示，去耦合電路20係為單獨的一第一電容元件C1，第一電容元件C1連接於饋入金屬部14與輻射金屬部18之間。如圖5所示，去耦合電路20係為串聯之第二電容元件C2及第一電感元件L1，第二電容元件C2連接至輻射金屬部18，且第一電感元件L1連接至饋入金屬部14。如圖6所示，去耦合電路20係為並聯之第三電容元件C3及第二電感元件L2，第三電容元件C3及第二電感元件L2並聯且連接於輻射金屬部18與饋入金屬部14之間。如圖7所示，去耦合電路20係為串聯之第四電容元件C4及第一電阻元件R1，第四電容元件C4連接至輻射金屬部18，且第一電阻元件R1連接至饋入金屬部14。如圖8所示，去耦合電路20係為並聯之第五電容元件C5及第二電阻元件R2，第五電容元件C5及第二電阻元件R2並聯且連接於輻射金屬部18與饋入金屬部14之間。
圖9為根據本案一實施例之單天線系統之實際尺寸的示意圖，請參閱圖1及圖9所示，單天線系統10的實際總長度為40毫米，寬度僅為5毫米，實為一小尺寸的單天線系統之結構設計。具體言之，單天線系統10位於系統接地面30之上方邊緣，在單天線系統10中，接地件12的高度為1毫米、長度為40毫米，面積40平方毫米（mm 2），饋入金屬部14之形狀為ㄇ字形，包含第一饋入金屬部141及第二饋入金屬部144。位在第一饋入金屬部141與第二饋入金屬部144之間的短路金屬部16的寬度為0.5毫米、高度為2.7毫米。位在饋入金屬部14上方的輻射金屬部18的形狀亦為ㄇ字形，輻射金屬部18的寬度為0.5毫米、長度為46 毫米。連接在饋入金屬部14以及輻射金屬部18之間的去耦合電路20係使用第一電容元件C1（如圖4所示），第一電容元件C1之電容值為3.5 pF。第一饋入源22與二饋入源24之間距係距離8毫米。
為證明本案提出之天線裝置確實具有良好的隔離效果，請同時參閱圖9、圖10及圖11所示，以圖9之此單天線系統10於射頻訊號傳輸時，進行S參數的模擬。單天線系統10在低頻操作頻帶（2.4 GHz）時，其S參數模擬結果如圖10所示，於圖式下方的隔離度曲線（S21）於操作頻帶內顯示隔離度均大於15 dB(S21>-15 dB)，且天線共振頻帶返回損失（S11、S22）大於10 dB(S11及S22>-10 dB)，證明在低頻操作頻帶有良好返回損失，同時具有良好的隔離度。而不具有去耦合電路之單天線系統在同樣頻段之低頻操作頻帶（2.4 GHz）時，其S參數模擬結果如圖11所示，天線共振頻帶返回損失小於7 dB，且隔離度只有5 dB，隔離效果並不好。因此，本案之單天線系統10在同頻雙饋入的操作頻帶下係具有良好的隔離度。
綜上所述，本案之單天線系統係為一種同頻雙饋入之單天線結構設計，除了可以有效縮小單天線系統的整體尺寸之外，無天線單元整合問題，且可藉由去耦合電路達到高天線隔離度之要求，並同時滿足窄邊框需求以及未來縮小化的天線系統。
以上所述之實施例僅係為說明本案之技術思想及特點，其目的在使熟悉此項技術者能夠瞭解本案之內容並據以實施，當不能以之限定本案之專利範圍，即大凡依本案所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本案之申請專利範圍內。
10:單天線系統
12:接地件
121、122:側邊
14:饋入金屬部
141:第一饋入金屬部
142:第一端
143:第二端
144:第二饋入金屬部
145:第三端
146:第四端
16、16’:短路金屬部
18:輻射金屬部
181、182:彎折部
20:去耦合電路
22:第一饋入源
24:第二饋入源
30:系統接地面
C1:第一電容元件
C2:第二電容元件
C3:第三電容元件
C4:第四電容元件
C5:第五電容元件
L1:第一電感元件
L2:第二電感元件
R1:第一電阻元件
R2:第二電阻元件
圖1為根據本案第一實施例之單天線系統的示意圖。 圖2為根據本案第二實施例之單天線系統的示意圖。 圖3為根據本案第三實施例之單天線系統的示意圖。 圖4為根據本案單天線系統使用之去耦合電路的一實施例示意圖。 圖5為根據本案單天線系統使用之去耦合電路的另一實施例示意圖。 圖6為根據本案單天線系統使用之去耦合電路的再一實施例示意圖。 圖7為根據本案單天線系統使用之去耦合電路的又一實施例示意圖。 圖8為根據本案單天線系統使用之去耦合電路的又一實施例示意圖。 圖9為根據本案一實施例之單天線系統之實際尺寸的示意圖。 圖10為根據本案之單天線系統產生的S參數模擬示意圖。 圖11為不具有去耦合電路之單天線系統產生的S參數模擬示意圖。
10:單天線系統
12:接地件
121、122:側邊
14:饋入金屬部
141:第一饋入金屬部
142:第一端
143:第二端
144:第二饋入金屬部
145:第三端
146:第四端
16:短路金屬部
18:輻射金屬部
20:去耦合電路
22:第一饋入源
24:第二饋入源
30:系統接地面

Claims (9)

  1. 一種單天線系統，包含：一接地件，具有一側邊；一饋入金屬部，間隔設置於該接地件之該側邊，該饋入金屬部包含：一第一饋入金屬部，具有一第一端及一第二端，該第一端鄰近該接地件；及一第二饋入金屬部，具有一第三端及一第四端，該第三端鄰近該接地件，且該第四端連接該第二端；至少一短路金屬部，連接該饋入金屬部及該接地件，且位於該第一饋入金屬部及該第二饋入金屬部之間；一輻射金屬部，位於遠離該接地件之該饋入金屬部的外側且鄰近該饋入金屬部；一去耦合電路，連接於該饋入金屬部及該輻射金屬部之間；一第一饋入源，位於該第一饋入金屬部之該第一端與該接地件之間；以及一第二饋入源，位於該第二饋入金屬部之該第三端與該接地件之間；其中，該去耦合電路之一端位於該第一饋入金屬部及該第二饋入金屬部之間，另一端連接於該輻射金屬部之中央位置。
  2. 如請求項1所述之單天線系統，其中該接地件更連接至一系統接地面。
  3. 如請求項1所述之單天線系統，其中該第一饋入金屬部及該第二饋入金屬部係為互相對稱之金屬結構。
  4. 如請求項3所述之單天線系統，其中該饋入金屬部係為ㄇ字形。
  5. 如請求項1所述之單天線系統，其中該輻射金屬部之長度方向平行該饋入金屬部之長度方向。
  6. 如請求項1所述之單天線系統，其中該輻射金屬部之二端更分別向內延伸一彎折部。
  7. 如請求項1所述之單天線系統，其中該去耦合電路係為至少一被動元件或其組合。
  8. 如請求項7所述之單天線系統，其中該去耦合電路係為一第一電容元件、串聯之第二電容元件及第一電感元件、並聯之第三電容元件及第二電感元件、串聯之第四電容元件及第一電阻元件或是並聯之第五電容元件及第二電阻元件。
  9. 如請求項1所述之單天線系統，其中該第一饋入源及該第二饋入源係接收相同頻率之訊號源。
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