TWI711192B - 發光二極體封裝結構及其製作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 275
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 claims description 31
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種發光二極體封裝結構的製作方法，包括以下步驟。提供一載板。形成一重配置線路層於載板上。形成多個主動元件於載板上。轉移多個發光二極體於重配置線路層上。發光二極體與主動元件分別與重配置線路層電性連接。主動元件適於分別驅動發光二極體。形成一封裝膠體於重配置線路層上，以包覆發光二極體。移除載板，以暴露出重配置線路層的一底面。
Description
本發明是有關於一種封裝結構及其製作方法，且特別是有關於一種發光二極體封裝結構及其製作方法。
目前大型微型發光二極體顯示屏（Micro LED Display）主要是使用被動式驅動 (PM Driving) 的印刷電路板（PCB）背板，其缺點為需要大量的驅動晶片，因此價格較為昂貴。然而，主動式驅動 (AM Driving) 的薄膜電晶體（TFT）背板整合了驅動晶片線路於玻璃基板上，價格雖然較便宜，但因為玻璃基板無法在背面焊接電子元件，因而不易製成大型的顯示屏。
本發明提供一種發光二極體封裝結構，其解決的習知無法在玻璃基板的背面上銲接電子元件的問題，且具有低成本的優勢。
本發明還提供一種發光二極體封裝結構的製作方法，用以製作上述的封裝結構，具有較低的製作成本。
本發明的發光二極體封裝結構的製作方法，其包括以下步驟。提供一載板。形成一重配置線路層於載板上。形成多個主動元件於載板上。轉移多個發光二極體於重配置線路層上。發光二極體與主動元件分別與重配置線路層電性連接。主動元件適於分別驅動發光二極體。形成一封裝膠體於重配置線路層上，以包覆發光二極體。移除載板，以暴露出重配置線路層的一底面。
在本發明的一實施例中，上述於形成主動元件於載板上之前，先形成重配置線路層於載板上。
在本發明的一實施例中，上述的載板上具有一離型膜，重配置線路層位在離型膜上。移除載板時，剝離離型膜，以分離重配置線路層與載板。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件與發光二極體位於重配置線路層相對遠離載板的一側上。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而主動面位於背面與重配置線路層之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構的製作方法，還包括：於轉移發光二極體於重配置線路層上之前，形成一介電層於重配置線路層上，介電層覆蓋主動元件，且介電層具有多個開口以暴露出部分重配置線路層。形成一表面處理層於開口內且直接接觸重配置線路層。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而背面位於主動面與重配置線路層之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構的製作方法，還包括：於形成封裝膠體於重配置線路層上之前，形成一介電層於重配置線路層上。介電層覆蓋主動元件與發光二極體。每一發光二極體的主動面切齊於介電層的一表面。介電層具有多個開口以暴露出部分重配置線路層。形成多條線路於開口內且延伸至介電層的表面以連接每一發光二極體的主動面。
在本發明的一實施例中，上述於形成重配置線路層於載板上之前，先形成主動元件於載板上。
在本發明的一實施例中，上述的載板上具有一離型膜，而主動元件與重配置線路層位在離型膜上。
在本發明的一實施例中，上述移除載板時，剝離離型膜，以暴露出重配置線路層的底面以及主動元件的一表面。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而主動面位於背面與重配置線路層之間。
在本發明的一實施例中，上述的於轉移發光二極體於重配置線路層上之前，形成一介電層於重配置線路層上，介電層具有多個開口以暴露出部分重配置線路層。形成一表面處理層於開口內且直接接觸重配置線路層。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而背面位於主動面與重配置線路層之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構的製作方法，還包括：於形成封裝膠體於重配置線路層上之前，形成一介電層於重配置線路層上。介電層覆蓋發光二極體。每一發光二極體的主動面切齊於介電層的一表面。介電層具有多個開口以暴露出部分重配置線路層。形成多條線路於開口內且延伸至介電層的表面以連接每一發光二極體的主動面。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構的製作方法，更包括：形成封裝膠體於重配置線路層上之後，且於移除載板之前，提供一光學基材於封裝膠體的一頂面上。
在本發明的一實施例中，上述發光二極體封裝結構的製作方法還包括：移除載板以暴露出重配置線路層的底面之後，形成一表面處理層於重配置線路層的底面上。。
本發明的發光二極體封裝結構，其包括一重配置線路層、多個主動元件、多個發光二極體以及一封裝膠體。主動元件配置於重配置線路層上，且與重配置線路層電性連接。發光二極體配置於重配置線路層上，且與重配置線路層電性連接。主動元件適於分別驅動發光二極體。封裝膠體配置於重配置線路層上，且包覆發光二極體。
在本發明的一實施例中，上述的重配置線路層具有彼此相對的一頂面與底面，且包括鄰近於頂面的一第一線路結構以及鄰近於底面的一第二線路結構。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件與發光二極體位於第一線路結構上。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而主動面位於背面與重配置線路層之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構，還包括：一介電層以及一表面處理層。介電層配置於重配置線路層上。介電層覆蓋主動元件，且介電層具有多個開口以暴露出部分重配置線路層。表面處理層配置於介電層的開口內，且直接接觸重配置線路層。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而背面位於主動面與重配置線路層之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構，還包括一介電層以及多條線路。介電層配置於重配置線路層上，且介電層覆蓋主動元件與發光二極體。每一發光二極體的主動面切齊於介電層的一表面。介電層具有多個開口以暴露出部分重配置線路層。線路配置於開口內且延伸至介電層的表面以連接每一發光二極體的主動面。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體位於第一線路結構上，而主動元件與第二線路結構位於同一平面上。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而主動面位於背面與重配置線路層之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構，更包括：一介電層以及一表面處理層。介電層配置於重配置線路層上，其中介電層具有多個開口以暴露出部分重配置線路層。表面處理層配置於介電層的開口內，且直接接觸重配置線路層。
在本發明的一實施例中，上述的每一發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而背面位於主動面與重配置線路層之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構，還包括一介電層以及多條線路。介電層配置於重配置線路層上，且介電層覆蓋發光二極體。每一發光二極體的主動面切齊於介電層的一表面。介電層具有多個開口以暴露出部分重配置線路層。線路配置於開口內且延伸至介電層的表面以連接每一發光二極體的主動面。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體封裝結構，更包括：一光學基材，配置於封裝膠體的一頂面上。
基於上述，在本發明的發光二極體封裝結構及其製作方法中，發光二極體轉移至與主動元件電性連接的重配置線路層上，且主動元件適於驅動發光二極體。藉此，解決的習知無法在玻璃基板的背面上焊接電子元件的問題。此外，由於本發明是採用主動元件來驅動發光二極體，因此相較於習知以被動元件來驅動而言，本發明的發光二極體封裝結構及其製作方法具有低成本的優勢。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1I是依照本發明的一實施例的一種發光二極體封裝結構的製作方法的剖面示意圖。關於本實施例的發光二極體封裝結構的製作方法，首先，請先參考圖1A，提供一載板10。此處，載板10例如是一玻璃基板，但並不以此為限。
接著，請參考圖1B，形成一離型膜12於載板10上，其中形成離型膜12的方式例如是旋轉塗佈，但並不以此為限。
接著，請參考圖1C，形成一重配置線路層110a於載板10上，其中重配置線路層110a位在離型膜12上。重配置線路層110a具有彼此相對的一頂面111a與底面113a，且包括鄰近於頂面111a的一第一線路結構112a以及鄰近於底面113a的一第二線路結構114a。底面113a貼合至載板10上的離型膜12，而頂面111a為相對遠離載板10的一側。此處，第一線路結構112a例如是一圖案化線路層或多個接墊，而第二線路結構114a則為多個導電通孔或多條線路，於此並不加以限制。
接著，請參考圖1D，形成多個主動元件120a於載板10上。具體來說，主動元件120a例如是薄膜電晶體，但並不以此為限。主動元件120a形成在重配置線路層110a相對遠離載板10的一側上，且位於第一線路結構112a上，其中主動元件120a與第一線路結構112a電性連接。也就是說，本實施例是於重配置線路層110a上製作主動元件120a。
接著，請參考圖1E，形成一介電層115於重配置線路層110a上，其中介電層115覆蓋主動元件120a，且介電層115具有多個開口115a以暴露出部分重配置線路層110a。此處，開口115a暴露出重配置線路層110a的部分第一線路結構112a。緊接著，形成一表面處理層125於介電層115的開口115a內且直接接觸重配置線路層110a，其中表面處理層125是形成在介電層115的開口115a所暴露出的第一線路結構112a上，以保護第一線路結構112a，避免產生氧化。此處，表面處理層125例如是鎳層、金層、銀層或鎳鈀金層，但並不以此為限。
接著，請參考圖1F，轉移多個發光二極體130a於重配置線路層110a上，其中發光二極體130a與主動元件120a皆位於重配置線路層110a的同一側上。更具體來說，發光二極體130a具有彼此相對的一背面132a與一主動面134a，而主動面134a位於背面132a與重配置線路層110a之間。意即，發光二極體130a是以主動面134a朝下（face down）的方式配置於重配置線路層110a上。發光二極體130a位於設置有表面處理層125的第一線路結構112a上，其中表面處理層125位於發光二極體130a與第一線路結構112a之間。發光二極體130a與主動元件120a分別與重配置線路層110a電性連接，且主動元件120a適於分別驅動發光二極體130a。特別是，發光二極體130a於載板10上的正投影不重疊於主動元件120a於載板10上的正投影。此處，發光二極體130a示意地繪示三個，其分別為一紅色發光二極體、一藍色發光二極體以及一綠色發光二極體，但並不以此為限。較佳地，發光二極體130為微型發光二極體。
之後，請參考圖1G，形成一封裝膠體140於重配置線路層110a上，以包覆發光二極體130a。此處，封裝膠體140覆蓋發光二極體130a的背面132a，且與背面132a具有一間距G，以提供平坦化的效果。較佳地，封裝膠體140例如是矽膠，用以固定發光二極體130a。
接著，請再參考圖1G，提供一光學基材150於封裝膠體140的一頂面142上。此處，光學基材150可使發光二極體130a所發出的光具有較佳的光學效能，其中光學基材150例如是一光學板或一光學膜。舉例來說，光學板例如是導光板，而光學膜例如是擴散片、稜鏡片或增亮膜、抗反射或抗眩膜，但不以此為限。
最後，請同時參考圖1H與圖1I，移除載板10，以暴露出重配置線路層110a的底面113a。於移除載板10時，剝離離型膜12，以分離重配置線路層110a與載板10。可選擇性地，對重配置線路層110a的第二線路結構114a進行表面處理程序，而在重配置線路層110a的底面113a上形成表面處理層127，以保護第二線路結構114a。至此，已完成發光二極體封裝結構100a的製作。
在結構上，請再參考圖1I，本實施例的發光二極體封裝結構100a包括重配置線路層110a、主動元件120a、發光二極體130a以及封裝膠體140。重配置線路層110a具有彼此相對的頂面111a與底面113a，且包括鄰近於頂面111a的第一線路結構112a以及鄰近於底面113a的第二線路結構114a。主動元件120a與發光二極體130a皆配置於重配置線路層110a上，且皆與重配置線路層110a電性連接，其中主動元件120a適於分別驅動發光二極體130a。更進一步來說，主動元件120a與發光二極體130a位於第一線路結構112a上。封裝膠體140配置於重配置線路層110a上以包覆發光二極體130a，且具有平坦化的效果。
再者，本實施例的發光二極體封裝結構100a還包括表面處理層125、127，其中表面處理層125配置於發光二極體130a與第一線路結構112a之間，用以保護第一線路結構112a，而表面處理層127配置於重配置線路層110a的底面113a上，用以保護第二線路結構114a。此外，本實施例的發光二極體封裝結構100a還更包括光學基材150，其中光學基材150配置於封裝膠體140的頂面142上。光學基材150例如是光學板或光學膜，用以提升發光二極體130a的光學效能。
簡言之，在本實施例中，是於重配置線路層110a上先製作主動元件120a之後，將發光二極體130a轉移至重配置線路層110a上，其中發光二極體130a以主動面132a朝下的方式配置於重配置線路層110a的第一線路層112a上，且主動元件120a適於驅動發光二極體130a。意即，本實施例的發光二極體封裝結構100a具體化為主動式發光二極體封裝結構。藉此，可解決的習知無法在玻璃基板的背面上焊接電子元件的問題。此外，由於本實施例是採用主動元件120a來驅動發光二極體130a，因此相較於習知以被動元件來驅動而言，本實施例的發光二極體封裝結構100a及其製作方法具有低成本的優勢。
在應用上，請參考圖2，可將本實施例的發光二極體封裝結構100a接合一外部電路20，使重配置線路層110a的第二線路結構114a與外部電路20的接墊22電性連接。此處，外部電路20例如是一印刷電路板，但並不以此為限。須說明的是，此處，僅示意地繪示一個發光二極體封裝結構100a接合至外部電路20上。若將多個發光二極體封裝結構100a以拼接的方式接合至外部電路20上，則可形成一大尺寸的顯示屏。
須說明的是，於上述的發光二極體封裝結構100a的製作方法中，在形成主動元件120a於載板10上之前，先形成重配置線路層110a於載板10上，但並不以此為限。於其他實施例中，亦可在形成重配置線路層110a於載板10上之前，先形成主動元件120a於載板10上。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖3A至圖3G是依照本發明的另一實施例的一種發光二極體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。本實施例的發光二極體封裝結構的製作方法與上述的發光二極體封裝結構的製作方法相似，兩者的差異在於：於圖1B的步驟之後，即形成離型膜12於載板10上之後，請參考圖3A，形成主動元件120b於載板10上，其中主動元件120b位於離型膜12上。
接著，請參考圖3B，形成重配置線路層110b於載板10上，其中重配置線路層110b位於在離型膜12上。此處，主動元件120b與重配置線路層110b的第二線路結構114b位於同一平面上。
接著，請再參考圖3B，形成一介電層117於重配置線路層110b上，其中介電層117具有暴露出第一線路結構112b的多個開口117a。
緊接著，請參考圖3C，形成表面處理層125於介電層117的開口117a內且直接接觸重配置線路層110的第一線路結構112b上，以保護第一線路結構112b，避免產生氧化。
接著，請參考圖3D，轉移發光二極體130a於重配置線路層110b上，其中發光二極體130a以主動面134a朝下的方式位於重配置線路層110b的第一線路結構112b上，且表面處理層125位於發光二極體130a與第一線路結構112b之間。
之後，請參考圖3E，形成封裝膠體140於重配置線路層110b上，以包覆發光二極體130a。緊接著，提供光學基材150於封裝膠體140的頂面142上，其中光學基材150例如是光學板或光學膜。
最後，請參考圖3F與圖3G，移除載板10，剝離離型膜12，以暴露出重配置線路層110b的底面113b以及主動元件120b的一表面122b。可選擇性地，對重配置線路層110b的第二線路結構114b進行表面處理程序，以形成表面處理層127於重配置線路層110b的底面113b上，以保護第二線路結構114b。至此，已完成發光二極體封裝結構100b的製作。
在結構上，請再參考圖3G，本實施例的發光二極體封裝結構100b包括重配置線路層110b、主動元件120b、發光二極體130a以及封裝膠體140。重配置線路層110b具有彼此相對的頂面111b與底面113b，且包括鄰近於頂面111b的第一線路結構112b以及鄰近於底面113b的第二線路結構114b。主動元件120b與第二線路結構114b位於同一平面上，而發光二極體130a位於第一線路結構112b上。主動元件120b與發光二極體130a分別與重配置線路層110b電性連接，其中主動元件120b適於分別驅動發光二極體130a。封裝膠體140配置於重配置線路層110b上以包覆發光二極體130a，且具有平坦化的效果。
再者，本實施例的發光二極體封裝結構100b還包括表面處理層125、127，其中表面處理層125配置於發光二極體130a與第一線路結構112b之間，用以保護第一線路結構112b，而表面處理層127配置於重配置線路層110b的底面113b上，用以保護第二線路結構114b。此外，本實施例的發光二極體封裝結構100b還更包括光學基材150，其中光學基材150配置於封裝膠體140的頂面142上。光學基材150例如是光學板或光學膜，用以提升發光二極體130a的光學效能。
簡言之，在本實施例中，是先製作主動元件120b之後，再製作與主動元件120b電性連接的重配置線路層110b，且將發光二極體130a轉移至重配置線路層110b上，其中主動元件120b適於驅動發光二極體130a。意即，本實施例的發光二極體封裝結構100b具體化為主動式發光二極體封裝結構。藉此，可解決的習知無法在玻璃基板的背面上焊接電子元件的問題。此外，由於本實施例是採用主動元件120b來驅動發光二極體130a，因此相較於習知以被動元件來驅動而言，本實施例的發光二極體封裝結構100b及其製作方法具有低成本的優勢。
在應用上，請參考圖4，可將本實施例的發光二極體封裝結構100b接合外部電路20，使重配置線路層110b的第二線路結構114b與外部電路20的接墊22電性連接。須說明的是，此處，僅示意地繪示一個發光二極體封裝結構100b接合至外部電路20上。若將多個發光二極體封裝結構100b以拼接的方式接合至外部電路20上，則可形成一大尺寸的顯示屏。
圖5A至圖5E是依照本發明的另一實施例的一種發光二極體封裝結構的製作方法及其應用的剖面示意圖。本實施例的發光二極體封裝結構的製作方法與上述的發光二極體封裝結構100a的製作方法相似，兩者的差異在於：於圖1D的步驟之後，即形成多個主動元件120c於載板110c上之後，請參考圖5A，轉移多個發光二極體130b於重配置線路層110c上，其中發光二極體130b與主動元件120c皆位於重配置線路層110c的同一側上。發光二極體130b具有彼此相對的一背面132b與一主動面134b，而背面132b位於主動面134b與重配置線路層110c之間。此處，發光二極體130b是以主動面134b朝上（face-up）且透過黏著層160黏附在重配置線路層110c上。
接著，請參考圖5B，形成一介電層118於重配置線路層110c上，其中介電層118覆蓋主動元件120c與發光二極體130b。此處，每一發光二極體130b的主動面134b切齊於介電層118的一表面118b，而介電層118具有多個開口118a以暴露出重配置線路層110c的部分第一線路結構112c。
接著，請參考圖5C，形成多條線路170於開口118a內且延伸至介電層118的表面118b以連接每一發光二極體130b的主動面134b。緊接著，形成一封裝膠體140於重配置線路層110c上，以包覆發光二極體130c以及線路170。此處，封裝膠體140覆蓋發光二極體130b的主動面134b，且與主動面134b具有一間距G’，以提供平坦化的效果。
之後，請再參考圖5C，提供一光學基材150於封裝膠體140的一頂面142上。此處，光學基材150可使發光二極體130b所發出的光具有較佳的光學效能，其中光學基材150例如是一光學板或一光學膜。
最後，請同時參考圖5D與圖5E，移除載板10，以暴露出重配置線路層110c的底面113c。於移除載板10時，剝離離型膜12，以分離重配置線路層110a與載板10。可選擇性地，對重配置線路層110c的第二線路結構114c進行表面處理程序，而在重配置線路層110c的底面113c上形成表面處理層127，以保護第二線路結構114c。至此，已完成發光二極體封裝結構100c的製作。
在應用上，請再參考圖5E，可將本實施例的發光二極體封裝結構100c接合一外部電路20，使重配置線路層110c的第二線路結構114c與外部電路20的接墊22電性連接。此處，外部電路20例如是一印刷電路板，但並不以此為限。須說明的是，此處，僅示意地繪示一個發光二極體封裝結構100c接合至外部電路20上。若將多個發光二極體封裝結構100c以拼接的方式接合至外部電路20上，則可形成一大尺寸的顯示屏。
圖6A至圖6E是依照本發明的另一實施例的一種發光二極體封裝結構的製作方法及其應用的剖面示意圖。本實施例的發光二極體封裝結構的製作方法與上述的發光二極體封裝結構100b的製作方法相似，兩者的差異在於：於圖3B的步驟之後，即形成重配置線路層110d於載板10上之後，請參考圖6A，轉移發光二極體130b於重配置線路層110d上，其中發光二極體130b以主動面134b朝上的方式位於重配置線路層110d上。
接著，請參考圖6B，形成一介電層119於重配置線路層110d上，其中介電層119具有暴露出第一線路結構112d的多個開口119a。緊接著，形成多條線路170於開口119a內且延伸至介電層119的表面119b以連接每一發光二極體130b的主動面134b。
接著，請參考圖6C，形成一封裝膠體140於重配置線路層110d上，以包覆發光二極體130d以及線路170。此處，封裝膠體140覆蓋發光二極體130b的主動面134b。
之後，請再參考圖6C，提供一光學基材150於封裝膠體140的一頂面142上。此處，光學基材150可使發光二極體130b所發出的光具有較佳的光學效能，其中光學基材150例如是一光學板或一光學膜。
最後，請同時參考圖6D與圖6E，移除載板10，剝離離型膜12，以暴露出重配置線路層110d的底面113d以及主動元件120d的一表面122d。可選擇性地，對重配置線路層110d的第二線路結構114d進行表面處理程序，而在重配置線路層110d的底面113d上形成表面處理層127，以保護第二線路結構114d。至此，已完成發光二極體封裝結構100d的製作。
在應用上，請參考圖6E，可將本實施例的發光二極體封裝結構100d接合外部電路20，使重配置線路層110d的第二線路結構114d與外部電路20的接墊22電性連接。須說明的是，此處，僅示意地繪示一個發光二極體封裝結構100d接合至外部電路20上。若將多個發光二極體封裝結構100d以拼接的方式接合至外部電路20上，則可形成一大尺寸的顯示屏。
綜上所述，在本發明的發光二極體封裝結構及其製作方法中，發光二極體轉移至與主動元件電性連接的重配置線路層上，且主動元件適於驅動發光二極體。藉此，解決的習知無法在玻璃基板的背面上焊接電子元件的問題。此外，由於本發明是採用主動元件來驅動發光二極體，因此相較於習知以被動元件來驅動而言，本發明的發光二極體封裝結構及其製作方法具有低成本的優勢。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:載板
12:離型膜
20:外部電路
22:接墊
100a、100b、100c、100d:發光二極體封裝結構
110a、110b、110c、110d:重配置線路層
111a、111b:頂面
112a、112b、112c、112d:第一線路結構
113a、113b、113c、113d:底面
114a、114b、114c、114d:第二線路結構
115、117、118、119:介電層
115a、117a、118a、119a:開口
118b、119b:表面
120a、120b、120c、120d:主動元件
122b、122d:表面
125、127:表面處理層
130a、130b:發光二極體
132a、132b:背面
134a、134b:主動面
140:封裝膠體
142:頂面
150:光學基材
160:黏著層
170:線路
G、G’:間距
圖1A至圖1I是依照本發明的一實施例的一種發光二極體封裝結構的製作方法的剖面示意圖。
圖2是將圖1I的發光二極體封裝結構接合至一電路板的剖面示意圖。
圖3A至圖3G是依照本發明的另一實施例的一種發光二極體封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
圖4是將圖3G的發光二極體封裝結構接合至一電路板的剖面示意圖。
圖5A至圖5E是依照本發明的另一實施例的一種發光二極體封裝結構的製作方法及其應用的剖面示意圖。
圖6A至圖6E是依照本發明的另一實施例的一種發光二極體封裝結構的製作方法及其應用的剖面示意圖。
100a:發光二極體封裝結構
110a:重配置線路層
111a:頂面
112a:第一線路結構
113a:底面
114a:第二線路結構
120a:主動元件
125、127:表面處理層
130a:發光二極體
134a:主動面
140:封裝膠體
142:頂面
150:光學基材
Claims (30)
- 一種發光二極體封裝結構的製作方法，包括： 提供一載板； 形成一重配置線路層於該載板上； 形成多個主動元件於該載板上； 轉移多個發光二極體於該重配置線路層上，其中該些發光二極體與該些主動元件分別與該重配置線路層電性連接，且該些主動元件適於分別驅動該些發光二極體； 形成一封裝膠體於該重配置線路層上，以包覆該些發光二極體； 移除該載板，以暴露出該重配置線路層的一底面。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中於形成該些主動元件於該載板上之前，先形成該重配置線路層於該載板上。
- 如請求項2所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中該載板上具有一離型膜，該重配置線路層位在該離型膜上，而移除該載板時，剝離該離型膜，以分離該重配置線路層與該載板。
- 如請求項3所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中該些主動元件與該些發光二極體位於該重配置線路層相對遠離該載板的一側上。
- 如請求項4所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中各該發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而該主動面位於該背面與該重配置線路層之間。
- 如請求項5所述的發光二極體封裝結構的製作方法，還包括： 於轉移該些發光二極體於該重配置線路層上之前，形成一介電層於該重配置線路層上，該介電層覆蓋該些主動元件，且該介電層具有多個開口以暴露出部分該重配置線路層；以及 形成一表面處理層於該些開口內且直接接觸該重配置線路層。
- 如請求項4所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中各該發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而該背面位於該主動面與該重配置線路層之間。
- 如請求項7所述的發光二極體封裝結構的製作方法，還包括： 於形成該封裝膠體於該重配置線路層上之前，形成一介電層於該重配置線路層上，該介電層覆蓋該些主動元件與該些發光二極體，且各該發光二極體的該主動面切齊於該介電層的一表面，而該介電層具有多個開口以暴露出部分該重配置線路層；以及 形成多條線路於該些開口內且延伸至該介電層的該表面以連接各該發光二極體的該主動面。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中於形成該重配置線路層於該載板上之前，先形成該些主動元件於該載板上。
- 如請求項9所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中該載板上具有一離型膜，而該些主動元件與該重配置線路層位在該離型膜上。
- 如請求項10所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中移除該載板時，剝離該離型膜，以暴露出該重配置線路層的該底面以及該些主動元件的一表面。
- 如請求項9所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中各該發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而該主動面位於該背面與該重配置線路層之間。
- 如請求項12所述的發光二極體封裝結構的製作方法，更包括： 於轉移該些發光二極體於該重配置線路層上之前，形成一介電層於該重配置線路層上，該介電層具有多個開口以暴露出部分該重配置線路層；以及 形成一表面處理層於該些開口內且直接接觸該重配置線路層。
- 如請求項9所述的發光二極體封裝結構的製作方法，其中各該發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而該背面位於該主動面與該重配置線路層之間。
- 如請求項14所述的發光二極體封裝結構的製作方法，還包括： 於形成該封裝膠體於該重配置線路層上之前，形成一介電層於該重配置線路層上，該介電層覆蓋該些發光二極體，且各該發光二極體的該主動面切齊於該介電層的一表面，而該介電層具有多個開口以暴露出部分該重配置線路層；以及 形成多條線路於該些開口內且延伸至該介電層的該表面以連接各該發光二極體的該主動面。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構的製作方法，更包括： 形成該封裝膠體於該重配置線路層上之後，且於移除該載板之前，提供一光學基材於該封裝膠體的一頂面上。
- 如請求項1所述的發光二極體封裝結構的製作方法，更包括： 移除該載板以暴露出該重配置線路層的該底面之後，形成一表面處理層於該重配置線路層的該底面上。
- 一種發光二極體封裝結構，包括： 一重配置線路層； 多個主動元件，配置於該重配置線路層上，且與該重配置線路層電性連接； 多個發光二極體，配置於該重配置線路層上，且與該重配置線路層電性連接，其中該些主動元件適於分別驅動該些發光二極體；以及 一封裝膠體，配置於該重配置線路層上，且包覆該些發光二極體。
- 如請求項18所述的發光二極體封裝結構，其中該重配置線路層具有彼此相對的一頂面與該底面，且包括鄰近於該頂面的一第一線路結構以及鄰近於該底面的一第二線路結構。
- 如請求項19所述的發光二極體封裝結構，其中該些主動元件與該些發光二極體位於該第一線路結構上。
- 如請求項20所述的發光二極體封裝結構，其中各該發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而該主動面位於該背面與該重配置線路層之間。
- 如請求項20所述的發光二極體封裝結構，還包括： 一介電層，配置於該重配置線路層上，該介電層覆蓋該些主動元件，且該介電層具有多個開口以暴露出部分該重配置線路層；以及 一表面處理層，配置於該介電層的該些開口內，且直接接觸該重配置線路層。
- 如請求項20所述的發光二極體封裝結構，其中各該發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而該背面位於該主動面與該重配置線路層之間。
- 如請求項23所述的發光二極體封裝結構，還包括： 一介電層，配置於該重配置線路層上，該介電層覆蓋該些主動元件與該些發光二極體，且各該發光二極體的該主動面切齊於該介電層的一表面，而該介電層具有多個開口以暴露出部分該重配置線路層；以及 多條線路，配置於該些開口內且延伸至該介電層的該表面以連接各該發光二極體的該主動面。
- 如請求項19所述的發光二極體封裝結構，其中該些發光二極體位於該第一線路結構上，而該些主動元件與該第二線路結構位於同一平面上。
- 如請求項25所述的發光二極體封裝結構，其中各該發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而該主動面位於該背面與該重配置線路層之間。
- 如請求項26所述的發光二極體封裝結構，更包括： 一介電層，配置於該重配置線路層上，其中該介電層具有多個開口以暴露出部分該重配置線路層；以及 一表面處理層，配置於該介電層的該些開口內，且直接接觸該重配置線路層。
- 如請求項25所述的發光二極體封裝結構，其中各該發光二極體具有彼此相對的一主動面與一背面，而該背面位於該主動面與該重配置線路層之間。
- 如請求項28所述的發光二極體封裝結構，還包括： 一介電層，配置於該重配置線路層上，該介電層覆蓋該些發光二極體，且各該發光二極體的該主動面切齊於該介電層的一表面，而該介電層具有多個開口以暴露出部分該重配置線路層；以及 多條線路，配置於該些開口內且延伸至該介電層的該表面以連接各該發光二極體的該主動面。
- 如請求項18所述的發光二極體封裝結構，更包括： 一光學基材，配置於該封裝膠體的一頂面上。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109113363A TWI711192B (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 發光二極體封裝結構及其製作方法 |
| US16/907,183 US11335670B2 (en) | 2020-04-21 | 2020-06-20 | Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof |
| US17/714,121 US11837591B2 (en) | 2020-04-21 | 2022-04-05 | Manufacturing method of light emitting diode package structure |
| US18/079,884 US11923350B2 (en) | 2020-04-21 | 2022-12-13 | Light emitting diode package structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109113363A TWI711192B (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 發光二極體封裝結構及其製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI711192B true TWI711192B (zh) | 2020-11-21 |
| TW202141813A TW202141813A (zh) | 2021-11-01 |
Family
ID=74202161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109113363A TWI711192B (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 發光二極體封裝結構及其製作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11335670B2 (zh) |
| TW (1) | TWI711192B (zh) |
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