TWI710129B - 發光二極體晶片封裝結構及其製作方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種發光二極體晶片封裝結構及其製作方法。發光二極體晶片封裝結構的製作方法包括:提供一螢光粉薄膜,其包括一螢光粉層以及包覆螢光粉層的外包覆層,螢光粉層包括多個螢光粉顆粒;接著,移除外包覆層,而裸露出螢光粉層;然後,讓螢光粉層覆蓋於一發光二極體晶片上。另外,發光二極體晶片封裝結構包括:一發光二極體晶片以及一螢光粉層。螢光粉層覆蓋於發光二極體晶片上。螢光粉層包括彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒,並且螢光粉層不包含非螢光粉膠材。藉此,不被外包覆層所包覆的螢光粉層能直接覆蓋於發光二極體晶片上,並且螢光粉顆粒能直接接觸發光二極體晶片。
Description
本發明涉及一種晶片封裝結構及其製作方法,特別是涉及一種發光二極體晶片封裝結構及其製作方法。
現有技術的多個螢光粉顆粒會先混在一封裝材料內而形成一具有多個螢光粉顆粒的螢光膠體,然後具有多個螢光粉顆粒與封裝材料的螢光膠體會被塗佈在發光二極體晶片上。
本發明所要解決的技術問題在於,針對現有技術的不足提供一種發光二極體晶片封裝結構及其製作方法。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的其中一技術方案是,提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其包括:首先,提供一螢光粉薄膜,其包括一螢光粉層以及包覆所述螢光粉層的外包覆層,所述螢光粉層包括彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒;然後,將所述螢光粉薄膜放置在一液體槽內的一液體的液面上;接著,使用一溶劑以溶解所述外包覆層,以使得所述外包覆層完全脫離所述螢光粉層,並使得所述螢光粉層裸露而出;接下來,執行步驟(A)或者步驟(B);其中,所述步驟(A)為:將所述液體漸漸從所述液體槽內洩除,而使得所述螢光粉層漸漸接近預先放置在所述液體槽內的底面上的一發光二極體晶片,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面;其中,所述步驟(B)為:預先放置在所述液體槽內的一發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述螢光粉層,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的另外一技術方案是,提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其包括:提供一螢光粉薄膜,其包括一螢光粉層以及包覆所述螢光粉層的外包覆層,所述螢光粉層包括多個螢光粉顆粒;接著,移除所述外包覆層,而裸露出所述螢光粉層;然後,讓所述螢光粉層覆蓋於一發光二極體晶片上。
更進一步來說,在移除所述外包覆層的步驟中,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:將所述螢光粉薄膜放置在一第一位置上,所述第一位置為位於一第一液體槽內的一第一種液體的液面上;以及,使用一溶劑以溶解所述外包覆層,以使得所述外包覆層完全脫離所述螢光粉層。
更進一步來說,在讓所述螢光粉層覆蓋於所述發光二極體晶片上的步驟中,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:將所述螢光粉層移至一第二位置上,所述第二位置為位於一第二液體槽內的一第二種液體的液面上;以及,執行步驟(A)或者步驟(B);其中,所述步驟(A)為:將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內洩除,而使得所述螢光粉層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的所述發光二極體晶片,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面;其中,所述步驟(B)為:預先放置在所述第二液體槽內的所述發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述螢光粉層,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面。
更進一步來說,在讓所述螢光粉層覆蓋於所述發光二極體晶片上的步驟中,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:執行步驟(A)或者步驟(B);其中,所述步驟(A)為:將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內洩除,而使得所述螢光粉層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的所述發光二極體晶片,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面;其中,所述步驟(B)為:預先放置在所述第一液體槽內的所述發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述螢光粉層,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面。
更進一步來說,在讓所述螢光粉層覆蓋於所述發光二極體晶片上的步驟後,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:形成一螢光粉保護材料於所述螢光粉層上,所述螢光粉保護材料覆蓋所述螢光粉層的頂面與周圍面;以及,透過光照或者加熱以固化所述螢光粉保護材料,以形成覆蓋所述螢光粉層的頂面與周圍面的一螢光粉保護層。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的另外再一技術方案是,提供一種發光二極體晶片封裝結構,其包括:一發光二極體晶片以及一螢光粉層。所述螢光粉層覆蓋於所述發光二極體晶片上。其中,所述螢光粉層包括彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒,且所述螢光粉層不包含非螢光粉膠材,以使得所述螢光粉顆粒直接接觸所述發光二極體晶片。
更進一步來說,所述發光二極體晶片封裝結構還進一步包括:一螢光粉保護層,其覆蓋於所述螢光粉層上,所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面,所述螢光粉保護層覆蓋所述螢光粉層的頂面與周圍面。
本發明的其中一有益效果在於,本發明所提供的發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其能通過“提供一螢光粉薄膜,其包括一螢光粉層以及包覆所述螢光粉層的外包覆層,所述螢光粉層包括多個螢光粉顆粒”、“移除所述外包覆層,而裸露出所述螢光粉層”以及“讓所述螢光粉層覆蓋於一發光二極體晶片上”的技術方案,以使得不被所述外包覆層所包覆的所述螢光粉層能直接覆蓋於所述發光二極體晶片上,並且使得所述螢光粉顆粒能直接接觸所述發光二極體晶片。
本發明的另外一有益效果在於,本發明所提供的發光二極體晶片封裝結構,其能通過“所述螢光粉層覆蓋於所述發光二極體晶片上”、“所述螢光粉層包括彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒”以及“所述螢光粉層不包含非螢光粉膠材”的技術方案,以使得不包含非螢光粉膠材的所述螢光粉層能直接覆蓋於所述發光二極體晶片上。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明,並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光二極體晶片封裝結構及其製作方法”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是,雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”等術語來描述各種元件,但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖11所示,本發明第一實施例提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其包括:首先,配合圖1、圖2與圖3所示,提供一螢光粉薄膜1,其包括一螢光粉層11以及包覆螢光粉層11的外包覆層12,螢光粉層11包括多個螢光粉顆粒110(步驟S100);接著,配合圖1、圖4與圖5所示,移除外包覆層12,而裸露出螢光粉層11(步驟S102);然後,配合圖1與圖9所示,讓螢光粉層11覆蓋於一發光二極體晶片2上(步驟S104)。
舉例來說,配合圖1與圖11所示,在讓螢光粉層11覆蓋於發光二極體晶片2上的步驟後,發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:形成一螢光粉保護層3於螢光粉層11上(步驟S106),螢光粉保護層3覆蓋螢光粉層11的頂面1101與周圍面1102。然而,本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例,而並不以此段落所舉的例子為限。也就是說,本發明的發光二極體晶片封裝結構的製作方法也可以省略螢光粉保護層3的製作。
舉例來說,配合圖1、圖4與圖5所示,在移除外包覆層12的步驟S102中,發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:首先,配合圖1與圖4所示,將螢光粉薄膜1放置在一第一位置P1上,第一位置P1為位於一第一液體槽T1內的一第一種液體L1的液面上(步驟S1022);然後,配合圖1、圖4與圖5所示,使用一溶劑S以溶解外包覆層12,以使得外包覆層12完全脫離螢光粉層11(步驟S1024)。更進一步來說,第一種液體L1可為水或者其它與水的性質類似的液體,所以外包覆層12也可以被第一種液體L1所溶解。另外,外包覆層12可為任何種類的水溶性材料或者非水溶性材料,並且外包覆層12除了會包覆螢光粉層11外,也會混入螢光粉層11內,以與多個螢光粉顆粒110相互混合。水溶性材料可為任何一種水溶性高分子聚合物,例如聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol,PVA)。聚乙烯醇是一種固體,可呈白色粉末狀、片狀或絮狀。聚乙烯醇含有許多醇基,具有極性,且可與水形成氫鍵,故能溶於極性的水。聚乙烯醇也可溶於熱的含羥基溶劑如甘油、苯酚等(也就是溶劑S可以採用的材料),但不溶於甲醇、苯、丙酮、汽油等一般有機溶劑(不是溶劑S可以採用的材料)。然而,本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例,而並不以此段落所舉的例子為限。
舉例來說,配合圖1以及圖5至圖9所示,在讓螢光粉層11覆蓋於發光二極體晶片2上的步驟S104中,發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:首先,配合圖1、圖6與圖7所示,將螢光粉層11移至一第二位置P2上,第二位置P2為位於一第二液體槽T2內的一第二種液體L2的液面上(步驟S1042);接著,配合圖1、圖8與圖9,將第二種液體L2漸漸從第二液體槽T2內洩除(或排除),而使得螢光粉層11漸漸接近預先放置在第二液體槽T2內的底面T200上的發光二極體晶片2,直到螢光粉層11覆蓋發光二極體晶片2的頂面2001與周圍面2002(步驟S1044(A))。值得一提的是,當第二種液體L2漸漸從第二液體槽T2內洩除時,可以利用影像擷取裝置(例如CCD)的對位能,讓螢光粉層11可以正確對位於發光二極體晶片2。此外,當螢光粉層11移至第二位置P2上之後,從螢光粉層11所脫離的外包覆層12會被保留在第一液體槽T1內,而不會流道第二液體槽T2,或者從螢光粉層11所脫離的外包覆層12會從第一液體槽T1完全移除。另外,第二種液體L2與第一種液體L1一樣,可為水或者其它與水的性質類似的液體,並且第一種液體L1與第二種液體L2可為相同或者不同的液體。然而,本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例,而並不以此段落所舉的例子為限。
舉例來說,配合圖1、圖10與圖11所示,在形成螢光粉保護層3於螢光粉層11上的步驟S106中,發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:首先,配合圖1與圖10所示,形成一螢光粉保護材料M於螢光粉層11上,螢光粉保護材料M覆蓋螢光粉層11的頂面1101與周圍面1102(步驟S1062);然後,配合圖1與圖11所示,透過光照或者加熱以固化螢光粉保護材料M,以形成覆蓋螢光粉層11的頂面1101與周圍面1102的一螢光粉保護層3(步驟S1064)。然而,本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例,而並不以此段落所舉的例子為限。
藉此,參閱圖9所示,本發明第一實施例提供一種發光二極體(LED)晶片封裝結構Z,其包括:一發光二極體晶片2以及覆蓋於發光二極體晶片2上的一螢光粉層11。更進一步來說,螢光粉層11包括彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒110,並且螢光粉層11不包含非螢光粉膠材,以使得螢光粉顆粒110能直接接觸發光二極體晶片2。舉例來說,螢光粉層11可由彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒110所組成,所以螢光粉層11不需要被額外的承載材料(例如silicon或者epoxy)所承載,而是能夠以全由多個螢光粉顆粒110所組成的螢光粉層11來接觸發光二極體晶片2,也就是說發光二極體晶片2所接觸到的都是螢光粉顆粒110,而不是silicon或者epoxy。
舉例來說,如圖11所示,發光二極體晶片封裝結構Z還進一步包括:一螢光粉保護層3,其覆蓋於螢光粉層11上。更進一步來說,螢光粉層11能覆蓋發光二極體晶片2的頂面2001與周圍面2002,並且螢光粉保護層3能覆蓋螢光粉層11的頂面1101與周圍面1102。然而,本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例,而並不以此段落所舉的例子為限。
[第二實施例]
參閱圖12與圖13所示,本發明第二實施例提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法。由圖12與圖8的比較,以及圖13與圖9的比較可知,本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於:在第二實施例中,發光二極體晶片封裝結構的製作方法包括:預先放置在第二液體槽T2內的發光二極體晶片2透過一抬升設備D的抬升而漸漸接近螢光粉層11,直到螢光粉層11覆蓋發光二極體晶片2的頂面2001與周圍面2002(步驟S1044(B))。也就是說,依據不同的使用需求,第一實施例的步驟S1044(A)可以替換成第二實施例的步驟S1044(B)。因此,本發明可以利用“將第二種液體L2漸漸從第二液體槽T2內洩除”或者“發光二極體晶片2透過抬升設備D的抬升而漸漸接近螢光粉層11”的方式,以將螢光粉層11覆蓋發光二極體晶片2的頂面2001與周圍面2002。然而,本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例,而並不以此段落所舉的例子為限。
值得一提的是,當發光二極體晶片2透過抬升設備D的抬升而漸漸接近螢光粉層11時,可以利用影像擷取裝置(例如CCD)的對位能,讓螢光粉層11可以正確對位於發光二極體晶片2。
[第三實施例]
參閱圖14至圖16所示,本發明第三實施例提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其包括:首先,如圖14所示,提供一螢光粉薄膜1,其包括一螢光粉層11以及包覆螢光粉層11的外包覆層12,螢光粉層11包括彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒110;接著,如圖14所示,將螢光粉薄膜1放置在一液體槽(如第一液體槽T1)內的一液體(如第一種液體L1)的液面上;然後,配合圖14與圖15所示,使用一溶劑S以溶解外包覆層12,以使得外包覆層12完全脫離螢光粉層11,並使得螢光粉層11裸露而出。由圖16與圖9的比較可知,本發明第三實施例與第一實施例最大的差別在於:在第三實施例中,發光二極體晶片封裝結構的製作方法包括:將液體(如第一種液體L1)漸漸從液體槽(如第一液體槽T1)內洩除,而使得螢光粉層11漸漸接近預先放置在液體槽(如第一液體槽T1)內的底面T100上的一發光二極體晶片2,直到螢光粉層11覆蓋發光二極體晶片2的頂面2001與周圍面2002(步驟S1040(A))。因此,發光二極體晶片封裝結構的製作方法可以應用於單一液體槽(如第一液體槽T1)或者雙液體槽(如第一液體槽T1與第二液體槽T2)。然而,本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例,而並不以此段落所舉的例子為限。
[第四實施例]
參閱圖17所示,本發明第四實施例提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法。由圖17與圖16的比較可知,本發明第四實施例與第三實施例最大的差別在於:在第四實施例中,發光二極體晶片封裝結構的製作方法包括:預先放置在液體槽(如第一液體槽T1)內的一發光二極體晶片2透過一抬升設備D的抬升而漸漸接近螢光粉層11,直到螢光粉層11覆蓋發光二極體晶片2的頂面2001與周圍面2002(步驟S1040(B))。因此,本發明可以利用“將第一種液體L1漸漸從第一液體槽T1內洩除”或者“發光二極體晶片2透過抬升設備D的抬升而漸漸接近螢光粉層11”的方式,以將螢光粉層11覆蓋發光二極體晶片2的頂面2001與周圍面2002。然而,本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例,而並不以此段落所舉的例子為限。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於,本發明所提供的發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其能通過“提供一螢光粉薄膜1,其包括一螢光粉層11以及包覆螢光粉層11的外包覆層12,螢光粉層11包括多個螢光粉顆粒110”、“移除外包覆層12,而裸露出螢光粉層11”以及“讓螢光粉層11覆蓋於一發光二極體晶片2上”的技術方案,以使得不被外包覆層12所包覆的螢光粉層11能直接覆蓋於發光二極體晶片2上,並且使得螢光粉顆粒110能直接接觸發光二極體晶片2。
本發明的另外一有益效果在於,本發明所提供的發光二極體晶片封裝結構Z,其能通過“螢光粉層11覆蓋於發光二極體晶片2上”、“螢光粉層11包括彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒110”以及“螢光粉層11不包含非螢光粉膠材”的技術方案,以使得不包含非螢光粉膠材的螢光粉層11能直接覆蓋於發光二極體晶片2上。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例,並非因此侷限本發明的申請專利範圍,所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z:LED晶片封裝結構
1:螢光粉薄膜
11:螢光粉層
110:螢光粉顆粒
1101:頂面
1102:周圍面
12:外包覆層
2:發光二極體晶片
2001:頂面
2002:周圍面
3:螢光粉保護層
M:螢光粉保護材料
T1:第一液體槽
P1:第一位置
L1:第一種液體
T100:底面
T2:第二液體槽
P2:第二位置
L2:第二種液體
T200:底面
D:抬升設備
S:溶劑
圖1為本發明發光二極體晶片封裝結構的製作方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例的螢光粉薄膜的示意圖,也是本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S100的示意圖。
圖3為圖2的III部分的放大示意圖。
圖4為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1022的示意圖。
圖5為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S102與步驟S1024的示意圖。
圖6為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1042的示意圖。
圖7為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S104的示意圖。
圖8為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1044(A)執行時的示意圖。
圖9為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1044(A)執行完成後的示意圖。
圖10為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1062的示意圖。
圖11為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的示意圖,也是本發明發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1064的示意圖。
圖12為本發明第二實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1044(B)執行時的示意圖。
圖13為本發明第二實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1044(B)執行完成後的示意圖。
圖14為本發明第三實施例中將螢光粉薄膜放置在一第一液體槽內的一第一種液體的液面上的示意圖。
圖15為本發明第三實施例中使用一溶劑以溶解外包覆層,以使得外包覆層完全脫離螢光粉層,並使得螢光粉層裸露而出的示意圖。
圖16為本發明第三實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1040(A)的示意圖。
圖17為本發明第四實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1040(B)的示意圖。
Z:LED晶片封裝結構
11:螢光粉層
110:螢光粉顆粒
1101:頂面
1102:周圍面
2:發光二極體晶片
2001:頂面
2002:周圍面
3:螢光粉保護層
Claims (6)
- 一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其包括:提供一螢光粉薄膜,其包括一螢光粉層以及包覆所述螢光粉層的外包覆層,所述螢光粉層包括彼此相互緊密連接的多個螢光粉顆粒;將所述螢光粉薄膜放置在一液體槽內的一液體的液面上;使用一溶劑以溶解所述外包覆層,以使得所述外包覆層完全脫離所述螢光粉層,並使得所述螢光粉層裸露而出;以及執行步驟(A)或者步驟(B);其中,所述步驟(A)為:將所述液體漸漸從所述液體槽內洩除,而使得所述螢光粉層漸漸接近預先放置在所述液體槽內的底面上的一發光二極體晶片,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面;其中,所述步驟(B)為:預先放置在所述液體槽內的一發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述螢光粉層,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面。
- 如請求項1所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其中,在所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的步驟後,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:形成一螢光粉保護材料於所述螢光粉層上,所述螢光粉保護材料覆蓋所述螢光粉層的頂面與周圍面;以及透過光照或者加熱以固化所述螢光粉保護材料,以形成覆蓋所述螢光粉層的頂面與周圍面的一螢光粉保護層。
- 一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其包括:提供一螢光粉薄膜,其包括一螢光粉層以及包覆所述螢光粉層的外包覆層,所述螢光粉層包括多個螢光粉顆粒; 移除所述外包覆層,而裸露出所述螢光粉層;以及讓所述螢光粉層覆蓋於一發光二極體晶片上;其中,在移除所述外包覆層的步驟中,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:將所述螢光粉薄膜放置在一第一位置上,所述第一位置為位於一第一液體槽內的一第一種液體的液面上;以及使用一溶劑以溶解所述外包覆層,以使得所述外包覆層完全脫離所述螢光粉層。
- 如請求項3所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其中,在讓所述螢光粉層覆蓋於所述發光二極體晶片上的步驟中,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:將所述螢光粉層移至一第二位置上,所述第二位置為位於一第二液體槽內的一第二種液體的液面上;以及執行步驟(A)或者步驟(B);其中,所述步驟(A)為:將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內洩除,而使得所述螢光粉層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的所述發光二極體晶片,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面;其中,所述步驟(B)為:預先放置在所述第二液體槽內的所述發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述螢光粉層,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面。
- 如請求項3所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其中,在讓所述螢光粉層覆蓋於所述發光二極體晶片上的步驟中,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:執行步驟(A)或者步驟(B); 其中,所述步驟(A)為:將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內洩除,而使得所述螢光粉層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的所述發光二極體晶片,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面;其中,所述步驟(B)為:預先放置在所述第一液體槽內的所述發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述螢光粉層,直到所述螢光粉層覆蓋所述發光二極體晶片的頂面與周圍面。
- 如請求項3所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法,其中,在讓所述螢光粉層覆蓋於所述發光二極體晶片上的步驟後,所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括:形成一螢光粉保護材料於所述螢光粉層上,所述螢光粉保護材料覆蓋所述螢光粉層的頂面與周圍面;以及透過光照或者加熱以固化所述螢光粉保護材料,以形成覆蓋所述螢光粉層的頂面與周圍面的一螢光粉保護層。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI810518B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-08-01 | 歆熾電氣技術股份有限公司 | 膜層塗覆方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157635A (zh) * | 2004-09-21 | 2011-08-17 | 美商克立股份有限公司 | 从悬浮液中蒸发溶剂而涂布半导体发光元件的方法 |
TWI385818B (zh) * | 2006-06-07 | 2013-02-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 在基板上配置粉末層之方法及在基板上具有至少一粉末層之層狀架構 |
TWI398306B (zh) * | 2009-12-24 | 2013-06-11 | Wei Han Lee | 螢光材料塗佈方法 |
US8766298B2 (en) * | 2006-09-01 | 2014-07-01 | Cree, Inc. | Encapsulant profile for light emitting diodes |
TW201709566A (zh) * | 2015-08-26 | 2017-03-01 | 廣科精密股份有限公司 | 發光裝置及其製備方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101749653B (zh) * | 2008-12-11 | 2012-03-14 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 荧光粉涂布方法 |
CN102107178B (zh) * | 2009-12-28 | 2013-06-05 | 李威汉 | 荧光材料涂布方法及其所制备的基板 |
US8795817B2 (en) * | 2010-08-25 | 2014-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phosphor film, method of manufacturing the same, coating method of phosphor layer, method of manufacturing LED package, and LED package manufactured thereby |
WO2012131532A1 (en) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Patterned uv sensitive silicone-phosphor layer over leds |
TWI780041B (zh) * | 2016-02-04 | 2022-10-11 | 晶元光電股份有限公司 | 一種發光元件及其製造方法 |
TWI613011B (zh) * | 2016-09-30 | 2018-02-01 | 漢邦普淨節能科技有限公司 | 螢光粉塗佈裝置及塗佈方法 |
CN110034221A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-07-19 | 吴裕朝 | 发光装置封装制程 |
-
2020
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157635A (zh) * | 2004-09-21 | 2011-08-17 | 美商克立股份有限公司 | 从悬浮液中蒸发溶剂而涂布半导体发光元件的方法 |
TWI385818B (zh) * | 2006-06-07 | 2013-02-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 在基板上配置粉末層之方法及在基板上具有至少一粉末層之層狀架構 |
US8766298B2 (en) * | 2006-09-01 | 2014-07-01 | Cree, Inc. | Encapsulant profile for light emitting diodes |
TWI398306B (zh) * | 2009-12-24 | 2013-06-11 | Wei Han Lee | 螢光材料塗佈方法 |
TW201709566A (zh) * | 2015-08-26 | 2017-03-01 | 廣科精密股份有限公司 | 發光裝置及其製備方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI810518B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-08-01 | 歆熾電氣技術股份有限公司 | 膜層塗覆方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113257976B (zh) | 2022-06-24 |
CN113257976A (zh) | 2021-08-13 |
US11456398B2 (en) | 2022-09-27 |
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US20210249557A1 (en) | 2021-08-12 |
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