TWI708292B - 半導體封裝結構 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體封裝結構。半導體封裝結構包括半導體晶粒；第一再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的非主動表面上；第二再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的主動表面上並且電耦合到半導體晶粒的主動表面；接地層，形成在該第一再分佈層結構中；第一模塑料層，形成在該第一再分佈層結構上；第一天線，包括：第一天線元件，形成在該第二再分佈層結構中；以及第二天線元件，形成在該第一模塑料層上；其中，該第一天線元件和該第二天線元件中的每一個均具有與該半導體晶粒重疊的第一部分。

Description

半導體封裝結構
本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體封裝結構。
為了確保電子產品和通訊設備的持續小型化和多功能性，半導體封裝必須尺寸小，支持多引腳連接，高速運行並具有高功能性。另外，在諸如射頻（RF，radio frequency）系統級封裝（SiP，system-in-package）元件的高頻應用中，天線通常用於實現無線通訊。
當構造具有天線的無線通訊封裝時，封裝設計需要提供良好的天線特性（例如高效率，寬頻寬等），同時需要提供可靠且低成本的封裝解決方案。在這種傳統的SiP結構中，分立的天線元件被單獨封裝或安裝在印刷電路板（PCB，printed circuit board）或封裝上。由於PCB需要為安裝在PCB上的天線部件提供額外的區域，因此難以減小器件尺寸。另外，由於安裝在封裝上的天線不能與下面的半導體晶粒重疊，從俯視角度來看，難以進一步減小半導體封裝的尺寸。
因此，期望一種新穎的半導體封裝結構。
有鑑於此，本發明提供一種半導體封裝結構，可以進一步減小半導體封裝的尺寸，以解決上述問題。
根據本發明的第一方面，公開一種半導體封裝結構，包括： 半導體晶粒； 第一再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的非主動表面上； 第二再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的主動表面上並且電耦合到半導體晶粒的主動表面； 接地層，形成在該第一再分佈層結構中； 第一模塑料層，形成在該第一再分佈層結構上； 第一天線，包括： 第一天線元件，形成在該第二再分佈層結構中；以及 第二天線元件，形成在該第一模塑料層上； 其中，該第一天線元件和該第二天線元件中的每一個均具有與該半導體晶粒重疊的第一部分。
根據本發明的第二方面，公開一種半導體封裝結構，包括： 半導體晶粒； 第一再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的非主動表面上； 第二再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的主動表面上並且電耦合到半導體晶粒的主動表面； 接地層，形成在該第一再分佈層結構中； 第一模塑料層，形成在該第一再分佈層結構上； 複數個貼片天線，其中該複數個貼片天線中的每一個包括： 第一天線元件，形成在該第二再分佈層結構中；以及 第二天線元件，形成在該第一模塑料層上，其中該第一天線元件具有與半導體晶片重疊的第一部分； 金屬隔離層，形成在該第一模塑料層上的以將該第二天線元件彼此隔離；以及 第一通孔結構，形成在該第一模塑料層中，並電連接在該接地層和該金屬隔離層之間。
根據本發明的第三方面，公開一種半導體封裝結構，包括： 半導體晶粒； 第一再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的非主動表面上； 接地層，形成在該第一再分佈層結構中； 第二再分佈層結構，形成在該第一再分佈層結構上； 第一模塑料層，形成在該第二再分佈層結構上；以及 第一天線，包括： 第一天線元件，形成在該第二再分佈層結構中；以及 第二天線元件，形成在該第一模塑料層上； 其中，該第一天線元件和該第二天線元件中的每一個具有與半導體晶粒重疊的第一部分。
本發明提供的半導體封裝由於第一天線元件和第二天線元件中的每一個均具有與半導體晶粒重疊的第一部分。本發明中允許第一天線元件和第二天線元件與半導體晶粒重疊，使得第一天線元件和第二天線元件的位置更加向內靠攏，從而減小了半導體封裝的尺寸，特別是減小了半導體封裝的橫向尺寸。
以下描述為本發明實施的較佳實施例。以下實施例僅用來例舉闡釋本發明的技術特徵，並非用來限制本發明的範疇。本發明的範圍應當參考後附的申請專利範圍來確定。
下面將參考特定實施例並且參考某些附圖來描述本發明，但是本發明不限於此，並且僅由申請專利範圍限制。所描述的附圖僅是示意性的而並非限制性的。在附圖中，為了說明的目的，一些元件的尺寸可能被誇大，而不是按比例繪製。在本發明的實踐中，尺寸和相對尺寸不對應於實際尺寸。
第1圖是根據一些實施例的示例性半導體封裝結構10的截面圖。在一些實施例中，半導體封裝結構10是晶圓級（wafer-level）半導體封裝結構，並且是倒裝晶片（flip-chip）半導體封裝結構。如第1圖所示，根據一些實施例，半導體封裝結構10安裝在基底（圖未示）上。例如，半導體封裝結構可以是系統單晶片（SOC，system-on-chip）封裝結構。此外，基底可以包括印刷電路板（PCB，printed circuit board）並且可以由聚丙烯（PP，polypropylene）形成。
或者，基底（base）是封裝基板。半導體封裝結構10透過接合（bonding）製程安裝到基底上。例如，半導體封裝結構10包括導電結構150，導電結構150透過接合製程安裝在基底上並且電連接到基底。在一些實施例中，如第1圖所示，每個導電結構150包括導電凸塊結構，例如銅凸塊或焊料凸塊結構。或者，每個導電結構150包括導電柱結構，導電線結構或導電膏結構。
在一些實施例中，半導體封裝結構10還包括半導體晶粒（die）100，例如系統單晶片（SOC，system-on-chip）晶粒。例如，SOC晶粒可以包括微控制器（MCU，microcontroller），微處理器（MPU，microprocessor），電源管理積體電路（PMIC，power management integrated circuit），全球定位系統（GPS，global positioning system）設備或射頻（RF，radio frequency）設備或上述這些的任何組合。應注意，整合在半導體封裝結構10中的半導體晶粒的數量不限於實施例中公開的數量。
在一些實施例中，半導體晶粒100具有兩個相對的側面。更具體地，半導體晶粒100具有非主動表面100a（或被動表面）和與非主動表面100a相對的主動表面100b。非主動表面100a也可以稱為後表面（rear surface），主動表面100b也可以稱為前表面，前表面與後表面相對設置。在一些實施例中，半導體晶粒100包括設置在主動表面100b上並且電連接到半導體晶粒100的電路（圖未示）的焊盤101。在一些實施例中，半導體晶粒100的焊盤101屬於半導體晶粒100的互連（interconnection）結構（圖未示）的最上面的金屬層。半導體晶粒100與複數個導電結構150中的至少一個重疊（上下位置的重疊，或俯視角度的重疊），這樣可以節省空間，佈置更多的導電結構150，以方便透過導電結構150電性連接到外部電路（例如電路板等），並且方便封裝的佈線，增加設計靈活性。
應當注意，整合在半導體封裝結構10中的半導體晶粒的數量不限於本實施例中所公開的數量，例如可以設置為1個，2個，3個或更多。
在一些實施例中，半導體封裝結構10還包括圍繞半導體晶粒100的模塑料（molding compound）層110。在一些實施例中，模塑料層110可由環氧樹脂，樹脂，可模塑聚合物或類似的材料形成。模塑料層110可以在基本上為液體時施加，然後可以透過化學反應固化，例如在環氧樹脂或樹脂中固化。在一些其他實施例中，模塑料層110可以是作為能夠圍繞半導體晶粒100設置的凝膠或可延展固體施加的紫外（UV，ultraviolet）或熱固化聚合物，然後可以透過UV或熱固化製程固化。模塑料層110可以用模具（圖未示）固化。模塑料層110圍繞半導體晶粒100可以讓半導體晶粒100嵌入在封裝的內部，從而減小封裝的厚度，同時便於調整下述天線之間距離（例如第一天線元件與第二天線元件的距離），以適應不同的天線性能需求。
在一些實施例中，半導體封裝結構10還包括形成在半導體晶粒100和模塑料層110下方的再分佈層（RDL，redistribution layer）結構106。RDL結構106也稱為扇出（fan-out）結構。 RDL結構106設置在半導體晶粒100的主動表面100b上並透過焊盤101電連接到半導體晶粒100。此外，導電結構150安裝在RDL結構106上並且電耦合到RDL結構106，使得導電結構150透過RDL結構106與模塑料層110和半導體晶粒100分隔開。換句話說，導電結構150不與模塑料層110和半導體晶粒100（直接）接觸。
在一些實施例中，RDL結構106包括設置在金屬間電介質（IMD，inter-metal dielectric）層102中的一個或複數個導電跡線（例如導電跡線103等）。其中，導電跡線103設置在IMD層102的第一層級並且至少一個導電跡線103的電耦合到半導體晶粒100。此外，導電跡線105設置在與IMD層102的第一層級不同的第二層級。此外，導電跡線105中的至少一個導電跡線105電耦合到一個或複數個導電結構150，使得導電結構150經由RDL結構106電耦合到半導體晶粒100。
例如，IMD層102包括從半導體晶粒100的主動表面100b連續堆疊的第一子介電層102a和第二子介電層102b，使得導電跡線103形成在半導體晶粒100中。第一子介電層102a和導電跡線105形成在第二子介電層102b中。
在一些實施例中，IMD層102由有機材料形成，該有機材料包括聚合物基底材料，非有機材料，其包括氮化矽（SiNX ），氧化矽（SiOX ），石墨烯等 。例如，第一子電介質層102a和第二子電介質層102b由聚合物基材製成。在一些其他實施例中，IMD層102是高k介電層（k是介電層的介電常數）。在一些其他實施例中，IMD層102可以由光敏材料形成，光敏材料包括干膜光致抗蝕劑或膠帶膜。
應當注意，第1圖中所示的RDL結構106的導電跡線的數量和子介電層的數量僅是示例，並不是對本發明的限制。本實施例中導電跡線的數量和子介電層的數量可以根據需要設置。
在一些實施例中，半導體封裝結構10還包括形成在模塑料層110中並穿過模塑料層110的一個或複數個通孔結構112。通孔結構112電耦合到RDL結構106的導電跡線103。通孔結構112可以稱為穿過絕緣通孔（TIV，through insulator via）並且由銅形成。因此通孔結構112也可稱為導電通孔。
在一些實施例中，半導體封裝結構10還包括形成在半導體晶粒100的非主動表面100a和模塑料層110上方的RDL結構120。RDL結構120可以具有與RDL結構106類似的結構，並且也稱為扇出結構。在一些實施例中，半導體晶粒100的非主動表面100a經由粘附層116粘附到RDL結構120，使得半導體晶粒100和模塑料層110***在RDL結構106和RDL結構120之間。
在一些實施例中，RDL結構120設置在模塑料層110的頂部和半導體晶粒100的非主動表面100a上，並且RDL結構120包括IMD層121和IMD層121中的導電跡線（圖未示）。IMD層121可以是單層或多層結構。用於形成IMD層121的方法和材料可以與用於形成IMD層102的方法和材料相同或相似。類似地，用於形成RDL結構120的導電跡線的方法和材料可以與用於RDL結構106的導電跡線103和105的方法和材料相同或相似。換句話說，用於形成RDL結構106的製程可以用於形成RDL結構120。
在一些實施例中，半導體封裝結構10還包括在半導體晶粒100的非主動表面100a和模塑料層110上方的RDL結構120上形成的模塑料層128。因此，RDL結構120將半導體晶粒100與模塑料層128分隔開。在一些實施例中，用於形成模塑料層128的方法和材料可以與用於形成模塑料層110的方法和材料相同或相似。
在一些實施例中，半導體封裝結構10還包括在半導體封裝結構100中的一個或複數個天線114和一個或複數個天線140，並且一個或複數個天線114和一個或複數個天線140均電耦合到半導體晶粒100。更具體地，在一些實施例中，天線114形成在模塑料層110中，位於模塑料層110中的通孔結構112設置在半導體晶粒100和天線114之間。天線114經由RDL結構106的導電跡線103中的至少一個電連接到半導體晶粒100。天線114還經由RDL結構106的導電跡線103中的至少一個和模塑料層110中的通孔結構112電耦合到RDL結構120。在一些實施例中，天線114是偶極（dipole）天線。在一些實施例中，用於形成天線114的方法和材料可以與用於形成通孔結構112的方法和材料相同或相似。
在一些實施例中，與天線114（例如偶極天線）不同，天線140包括第一天線元件140a和與第一天線元件140a分隔開的第二天線元件140b。更具體地，在一些實施例中，第一天線元件140a嵌入在RDL結構106的IMD層102中（例如在第一子介電層102a中），使得第一天線元件140a形成在模塑料層110和主動表面100b的下方。第二天線元件140b形成在模塑料層128上並與模塑料層128直接接觸，使得第一天線元件140a透過模塑料層110和模塑料層128與第二天線元件140b分隔開。在一些實施例中，第一天線元件140a具有第一部分141，第二天線元件140b具有第一部分141'。 當從俯視（或仰視）圖觀察時，第一部分141和第一部分141'與半導體晶粒100重疊。 在這種情況下，第一天線元件140a具有鄰接第一部分141的第二部分143，第二天線元件140b具有鄰接第一部分141'的第二部分143'。 從俯視角度看，第二部分143和第二部分143'不覆蓋半導體晶粒100，或者說第二部分143和第二部分143'與半導體晶粒100不重疊（例如在豎直方向上的投影不重疊，當然可以僅有邊緣的線條相接）。從俯視角度來看，天線114與第一天線元件140a和第二天線元件140b並不重疊，天線114位於第一天線元件140a和第二天線元件140b的外圍區域。
在一些實施例中，天線140是使用模塑料層128和模塑料層110作為諧振器（resonator）的貼片（patch）天線，也即第一天線元件140a和第二天線元件140b之間使用模塑料層1108和模塑料層128間隔開，並且使用模塑料層128作為諧振器或共振腔體。因此，模塑料層128和模塑料層110的厚度取決於天線140（例如貼片天線）的所需的介電常數（Dk，dielectric constant）和所需的耗散因數（Df，dissipation factor，也稱為損耗角正切（loss tangent））。在一些實施例中，第一天線元件140a由RDL結構106中的至少一個導電跡線103形成。在這種情況下，用於形成第一天線元件140a的方法和材料可以與用於形成RDL結構106的IMD層102中的導電跡線103和105相同或類似。此外，第一天線元件140a電耦合到半導體晶粒100（例如透過跡線或導電通孔等與半導體晶粒100電連接，例如與焊盤101電連接），使得天線140（第一天線元件140a）電耦合到半導體晶粒100。此外第二天線元件140b可以未電耦合到半導體晶粒100。此外，本實施例中，也可以在第二天線元件140b（或模塑料層128）上形成覆蓋第二天線元件140b的保護層，以保護第二天線元件140b，並且加強第二天線元件140b與模塑料層128的連接，防止脫落等。此外保護層與模塑料層128（或模塑料層128及模塑料層110）可以具有不同的Dk和Df，因此可以根據天線的需求，調整保護層的厚度，使保護層達到期望的厚度，從而增加設計的靈活性。本實施例中第一天線元件140a和第二天線元件140b的上下位置可以相對應，或者上下位置可以相重合，或者第一天線元件140a在第二天線元件140b的正上方（第二天線元件140b在第一天線元件140a的正下方）或上方，並且兩者大小形狀可以一樣。其中本實施例中正上方或正下方的意思可以理解為，在俯視角度（透視）去看，兩者的投影（例如水平投影）至少有部分重疊，並且優選的兩者的大部分區域重疊，或更具體的至少兩者的中心位置重疊；或者也可以理解為，正上方或正下方就是排除了兩者的投影完全不重疊（或俯視角度去看兩者完全不重疊）的情況；當然優選地兩者可以是完全重合的（在俯視或仰視角度看）。此外，本發明中所說的（兩個或以上部件）重疊一般是指俯視角度或仰視角度觀察，並且可以透視觀察；或者是上下位置相對應，或者沿上下位置的方向延伸時重合。重疊可以是兩個或以上部件的投影（例如水平投影）至少有一部分重合。
在一些實施例中，半導體封裝結構10還包括形成在RDL結構120的IMD層121中的接地層124。在一些實施例中，接地層124覆蓋半導體晶粒100整個的非主動表面100a（例如俯視角度看，接地層124大於半導體晶粒100）。在這種情況下，接地層124還可以用作半導體晶粒100的遮罩層，例如俯視角度看接地層124可以完全地覆蓋半導體晶粒100，以避免天線訊號干擾半導體晶粒100，或天線訊號被干擾。因此，從俯視（或仰視）角度看，半導體封裝可以允許天線140的第一天線元件140a和第二天線元件140b與下面的半導體晶粒100（也即半導體晶粒100在第一天線元件140a和第二天線元件140b之間）部分重疊（具體來說，第一天線元件140a具有與半導體晶粒100的一部分重疊的第一部分141，第二天線元件140b具有與半導體晶粒100的一部分重疊的第一部分141'）。因此，可以減小半導體封裝結構10的尺寸。也即，由於第一天線元件140a和第二天線元件140b與半導體晶粒100可以部分重疊，因此第一天線元件140a和第二天線元件140b可以向裡靠攏（其他元件例如天線114等也可以向裡靠攏），半導體封裝結構的平面上的尺寸可以減小（或稱之為半導體封裝結構的橫向尺寸可以減小）。如第1圖所示的示例中，第一天線元件140a和第二天線元件140b與半導體晶粒100僅部分重疊（也即不完全的重疊），以留出第二部分143與143'可以（例如透過下述間隙或通孔126）相互耦合。在這種情況下，從俯視角度看，接地層124具有與對應的第一天線元件140a的第二部分143和對應的第二天線元件140b的第二部分143'重疊的通孔126（或稱為間隙126）。因此，第一天線元件140a可以透過相應的通孔126耦合到相應的第二天線元件140b（例如相互之間透過通孔126傳輸無線訊號等）。換句話說，通孔126防止第一天線元件140a和第二天線元件140b被接地層124遮蔽（shield），此外通孔126可以為圓形，矩形或其他多邊形等，或者與第二部分143或143'的形狀相似，通孔126的大小可以小於、等於或大於第二部分143或143'。此外，第一部分141和141'的大小形狀可以是一致的（或者大小或/和形狀等也可以不同），並且完全重疊（或者雖然大小形狀一致但是位置不完全重疊，例如部分重疊），第二部分143和143'可以是一致的（或者大小或/和形狀等也可以不同），並且完全重疊（或者雖然大小形狀一致但是位置不完全重疊，例如部分重疊）。本實施例中，第一天線元件140a具有與半導體晶粒100的一部分重疊的第一部分141，第二天線元件140b具有與半導體晶粒100的一部分重疊的第一部分141'，也就是說第一天線元件140a和第二天線元件140b中的每一個都具有與半導體晶粒100重疊的一部分（當然也均都具有不重疊的一部分）。這樣可以使第一天線元件140a和第二天線元件140b同步的移動，減小封裝的尺寸（如果第一天線元件140a和第二天線元件140b中只有一個具有與半導體晶粒100重疊的部分而另一個不與半導體晶粒100重疊，那麼就無法減小封裝的尺寸，對於本發明來說是無意義的）；並且這樣可以使天線耦合的更加均勻，訊號更加穩定。此外接地層124與頂部的天線元件（例如第一天線元件140a）之間的距離需要遵循設計規範（例如距離在300um-1.5mm之間）。接地層124與天線元件（例如第一天線元件140a，第一天線元件140b）之間需要有至少部分重疊以耦合。因此在先前的具有天線的封裝中，往往將接地層設置在更底層的位置（例如在RDL結構106之下），此時天線元件（例如第一天線元件140a，第一天線元件140b）若與半導體晶粒100俯視方向上有重疊，半導體晶粒100就會影響天線元件（例如第一天線元件140a，第一天線元件140b）與接地層之間的耦合，影響接地層的反射效應等。本發明中將接地層設置在半導體晶粒100的上方，並且將第二天線元件140b設置到半導體晶粒100的下方；從而保證了天線元件（例如第一天線元件140a，第一天線元件140b）與接地層之間的耦合，同時透過接地層（接地層的遮蔽功能）避免了半導體晶粒干擾第一天線元件與第一天線元件之間的耦合或天線訊號被半導體晶粒干擾的情況。因此，本發明不僅使得第一天線元件和第二天線元件均可以與半導體晶粒重疊（部分重疊），以減少半導體封裝的橫向尺寸，並且還可以保證第一天線元件和第二天線元件之間的耦合不受影響，保證天線的性能；也可以保證第一天線元件和第二天線元件與接地層之間的耦合不受影響，保證天線的正常工作；同時還可以保證半導體晶粒的運行不受影響，保證半導體封裝的性能。所以本發明在保證封裝及天線性能均良好的情況下減小了封裝的橫向尺寸。並且本發明還可以透過將接地層整合在RDL結構中來減小封裝的厚度，減少了封裝的厚度，因此本發明不僅減小了封裝的橫向尺寸，還減小了封裝的厚度，極大地提高了封裝設計的靈活性，減小了封裝的體積。此外，本實施例中間隙或通孔126也可以省略，例如接地層124僅包括位於半導體晶粒100上方的一片或一塊，這樣（下方的）第二部分143與（上方的）第二部分143'的全部或一部分可以相互耦合。
在一些實施例中，接地層124透過相應的通孔結構112和RDL結構106電耦合到在模塑料層110中形成的天線114。例如，在模塑料層110中形成的通孔結構112電耦合在接地層124與RDL結構106的導電跡線103中的至少一個之間。此外接地層124可以透過通孔結構112接地。
在一些實施例中，接地層124由RDL結構120中的至少一個導電跡線形成。在這種情況下，用於形成接地層124的方法和材料可以與用於形成RDL結構106的IMD層102中的導電跡線103和105相同或相似。接地層124可以與RDL結構120中的導電跡線或佈線同時形成，或在同一製程中形成，或者與至少一個導電跡線或佈線是一體成形或連續成形的。
第2A圖是根據本發明的一些實施例的示例性半導體封裝結構20的截面圖。為簡潔起見，可以省略下文中與先前參考第1圖描述的那些相同或相似的實施例的元件的描述。在該實施例中，半導體封裝結構20類似於第1圖所示的半導體封裝結構10，除了半導體封裝結構20還包括形成在模塑料層110中的虛設金屬通孔結構115。虛設金屬通孔結構115可以接地，例如與RDL結構106連接來接地，或者與接地層124連接來接地。
第2B圖是根據一些實施例的第2A圖的半導體封裝結構20中的虛設金屬通孔結構115的示例性配置的平面圖。如第2B圖所示，虛設金屬通孔結構115圍繞半導體晶粒100（例如圍繞一周），以用作半導體晶粒100（的側壁）的附加遮蔽結構。在一些實施例中，虛設金屬通孔結構115與RDL結構106和RDL結構120電極隔離。在一些實施例中，從俯視角度來看，（複數個）虛設金屬通孔結構115中的至少一個與第一天線元件140a的第二部分143和第二天線元件140b的第二部分143'重疊（例如部分重疊），或者虛設金屬通孔結構115可以設置的更加靠外，例如設置到第一天線元件140a和第二天線元件140b外圍，不與第一天線元件140a和第二天線元件140b重疊。模塑料層110中的虛設金屬通孔結構115可以設置在半導體晶粒100和天線114和/或通孔結構112之間，例如虛設金屬通孔結構115位於半導體晶粒100和通孔結構112之間。虛設金屬通孔結構115可以進一步為半導體晶粒100提供遮蔽，例如防止天線114干擾半導體晶粒100等。
在一些實施例中，用於形成虛設金屬通孔結構115的方法和材料可以與用於形成通孔結構112的方法和材料相同或相似。虛設金屬通孔結構115可以與通孔結構112在同一個製程中形成，因此在製程上會更加方便製造和形成，節省製造步驟。
應當注意，第2B圖中所示的虛設金屬通孔結構115的數量，以及虛設金屬通孔結構115的形狀和尺寸僅是示例，並不限於在第2B圖中公開的實施例所示。還應注意，第2B圖中所示的第二天線元件140b的數量和佈置以及第二天線元件140b的形狀和尺寸僅是示例，並不限於實施例中所公開的。
第3A圖是根據本發明的一些實施例的示例性半導體封裝結構30的截面圖。為簡潔起見，可以省略下文中與先前參考第1圖描述的那些相同或相似的實施例的元件的描述。在該實施例中，半導體封裝結構30類似於第1圖中所示的半導體封裝結構10，除了半導體封裝結構30還包括形成在模塑料層110中的金屬擋板115a。金屬擋板115a可以接地，例如與RDL結構106連接來接地，或者與接地層124連接來接地。
第3B圖是根據一些實施例的第3A圖的半導體封裝結構30中的金屬擋板115a的示例性配置的平面圖。類似於第2A圖和2B中所示的虛設金屬通孔結構115，金屬擋板115a圍繞半導體晶粒100（例如圍繞一周），以用作半導體晶粒100的側壁的附加遮蔽結構。在一些實施例中，金屬擋板115a與RDL結構106和RDL結構120電極隔離。在一些實施例中，從俯視角度來看，金屬擋板115a與第一天線元件140a的第二部分143和第二天線元件140b的第二部分143'重疊（例如部分重疊）。模塑料層110中的金屬擋板115a可以設置在半導體晶粒100和天線114和/或通孔結構112之間。例如金屬擋板115a位於半導體晶粒100和通孔結構112之間。金屬擋板115a可以是連續地、不間斷的框體形狀，例如矩形筒壯，或圓筒狀等，或者環狀（矩形環狀，圓環狀等）。金屬擋板115a可以進一步為半導體晶粒100提供遮蔽，例如防止天線114干擾半導體晶粒100等。金屬擋板115a的遮蔽效果更好，能夠提升遮蔽效果，更好的防止干擾。
在一些實施例中，用於形成金屬擋板115a的方法和材料可以與用於形成通孔結構112的方法和材料相同或相似。
應注意，第3B圖中所示的金屬擋板115a的形狀和尺寸僅是示例，並不是對實施例中公開的限制。還應注意，第3B圖中所示的第二天線元件140b的數量和佈置以及第二天線元件140b的形狀和尺寸僅是示例，並不限於實施例中所公開的。
第4A圖是根據本發明的一些實施例的示例性半導體封裝結構40的截面圖。為簡潔起見，可以省略下文中與先前參考第1圖描述的那些相同或相似的實施例的元件的描述。在該實施例中，半導體封裝結構40類似於第1圖中所示的半導體封裝結構10，除了半導體封裝結構40還包括形成在模塑料層128上的金屬隔離層142，以及通孔結構144。在一些實施例中，在模塑料層128中形成的通孔結構144電耦合在接地層124和金屬隔離層142之間。用於形成通孔結構144的方法和材料可以與用於形成在模塑料層128中的通孔結構112的方法和材料相同或相似。金屬隔離層142可以遮蔽第二天線元件140b相互之間的干擾，保證天線訊號的穩定可靠，以及避免干擾天線訊號的傳輸。
第4B圖是根據一些實施例的第4A圖的半導體封裝結構40中的金屬隔離層的示例性配置的平面圖。如第4B圖所示，金屬隔離層142用作用於將天線140的第二天線元件140b（例如貼片天線）彼此隔離的附加遮蔽結構。用於形成金屬隔離層142的方法和材料可以與用於形成天線140的第二天線元件140b的方法和材料相同或相似。
應注意，第4B圖中所示的通孔結構144的數量，以及通孔結構144的形狀和尺寸以及金屬隔離層142的形狀和尺寸僅是示例，並不限於在實施例中公開的內容。還應注意，第4B圖中所示的第二天線元件140b的數量和佈置以及第二天線元件140b的形狀和尺寸僅是示例，並不限於實施例中所公開的。
在一些其它實施例中，半導體封裝結構40還包括形成在模塑料層110中並圍繞半導體晶粒100的虛設金屬通孔結構（圖未示）。這些虛設金屬通孔結構的結構和配置可以與第2A圖和2B中所示的虛設金屬通孔結構115的那些相同或相似。
或者，虛設金屬通孔結構可以用金屬擋板（圖未示）代替。金屬擋板的結構和配置可以與第3A圖和3B中所示的金屬擋板115a的結構和配置相同或相似。
第5圖是根據本發明的一些實施例的示例性半導體封裝結構50的截面圖。為簡潔起見，可以省略下文中與先前參考第1圖描述的那些相同或相似的實施例的元件的描述。在該實施例中，半導體封裝結構50類似於第1圖中所示的半導體封裝結構10。與半導體封裝結構10不同的是，根據一些實施例，半導體封裝結構50還包括根據一些形成在RDL結構120上的RDL結構123。在這種情況下，RDL結構123設置在RDL結構120和模塑料層128之間。此外，一個或複數個第一天線元件140a形成在RDL結構123中。RDL結構123可以具有類似於RDL結構106或120的結構。
在一些實施例中，RDL結構123包括IMD層125和形成在IMD層125中的導電跡線（圖未示）。IMD層125可以是單層或多層結構。用於形成IMD層125的方法和材料可以與用於形成IMD層102或121的方法和材料相同或相似。類似地，用於形成RDL結構123的導電跡線的方法和材料可以與用於形成RDL結構106的導電跡線103和105的方法和材料相同或相似。換句話說，用於形成RDL結構106可以用於形成RDL結構123。在一些實施例中，RDL結構123包括設置在IMD層125中的一個或複數個通孔結構127。通孔結構127電耦合在相應的第一天線元件140a和RDL結構123之間。在這種情況下，在模塑料層110中形成一個或複數個通孔結構113。通孔結構113電耦合到RDL結構106，並且形成在RDL結構123中的通孔結構127電耦合在相應的第一天線元件140a與相應的通孔結構113之間。通孔結構127與通孔結構113之間可以透過RDL結構120中的導電跡線或佈線129電性連接。其中導電跡線或佈線129可以與接地層124位於同一層，與接地層124在同時形成（或在同一製程中一起形成），但是導電跡線或佈線129並沒有接地（導電跡線或佈線129沒有與接地層124連接，也沒有接地），而是用於連接通孔結構127與通孔結構113。導電跡線或佈線129也可以是RDL結構120中的導電跡線或佈線。導電跡線或佈線129與接地層124存在間隙或通孔126。另外，可以在模塑料層110中形成通孔結構117（數量可以是2個或更多），與接地層124連接，通孔結構117可以接地，例如通孔結構117電連接在接地層124與RDL結構106（例如連接到導電跡線103），從而將接地層124接地。此外，上述中所說的虛設金屬通孔結構115（如第3B圖所示）或金屬擋板115a（如第4B圖所示）也可以設置在半導體晶粒100與通孔結構117之間（或通孔結構117與通孔結構113之間等）；或者，可以不設置虛設金屬通孔結構或金屬擋板，僅設置有通孔結構117（例如將通孔結構117的數量設置的更多，如第2B圖中所示的虛設金屬通孔結構115的數量，當然也可以較少或較多），通孔結構117也可以起到遮蔽的作用，保護半導體晶粒100免受干擾。類似地，用於形成通孔結構113，117和通孔結構127的方法和材料可以與用於形成通孔結構112的方法和材料相同或相似。
在一些實施例中，模塑料層128經由可選的介電層131（或粘附層）粘附到RDL結構123。在一些實施例中，介電層131由聚醯亞胺，氮化矽，氮氧化矽或其他合適的有機材料製成。類似的，上述中所說的虛設金屬通孔或金屬擋板等結構也可以在第5圖所示的實施例中進行應用，本發明中實施例之間的部件或結構均可相互引入使用。
根據前述實施例，半導體封裝結構設計為製造整合到半導體封裝結構中的貼片天線。在半導體封裝結構中，透過在每個貼片天線的頂部天線元件和半導體晶粒之間使用遮蔽層（即接地層），允許貼片天線與下面的半導體晶粒部分重疊。因此，可以減小半導體封裝結構的尺寸（特別是橫向尺寸），從而降低半導體封裝的製造成本。
此外，在每個貼片天線的頂部的天線元件和半導體晶粒之間使用接地層可以減小在半導體晶粒的主動表面上形成的RDL結構的厚度（接地層整合到RDL結構中，無需另設金屬層來形成接地層，以減小了厚度）。 因此，較小的厚度可以減小半導體封裝結構的形狀因數（form factor），從而進一步減小半導體封裝結構的尺寸。而且，可以獲得扇出結構（即RDL結構）中的金屬密度的靈活設計和增加的封裝翹曲控制，也即透過RDL結構中佈線的寬度較小可以是佈線更加靈活，並且方便控制翹曲，避免翹曲。
另外，由於半導體晶粒的側壁可以透過使用虛設金屬通孔結構或金屬擋板來遮罩，減少半導體晶粒的干擾，因此可以提高天線效率。 類似地，由於貼片天線的頂部的天線元件可以透過使用電耦合到接地層的金屬隔離層來隔離，因此可以進一步提高天線效率。
儘管已經對本發明實施例及其優點進行了詳細說明，但應當理解的是，在不脫離本發明的精神以及申請專利範圍所定義的範圍內，可以對本發明進行各種改變、替換和變更。所描述的實施例在所有方面僅用於說明的目的而並非用於限制本發明。本發明的保護範圍當視所附的申請專利範圍所界定者為准。本領域技術人員皆在不脫離本發明之精神以及範圍內做些許更動與潤飾。
10、20、30、40、50、60‧‧‧半導體封裝結構； 100‧‧‧半導體晶粒； 100a‧‧‧非主動表面； 100b‧‧‧主動表面； 101‧‧‧焊盤； 102、121‧‧‧金屬間電介質層； 102a‧‧‧第一子介電層； 102b‧‧‧第二子介電層； 103、105‧‧‧導電跡線； 106、120、123‧‧‧再分佈層結構； 110、128‧‧‧模塑料層； 112、144、127、117‧‧‧通孔結構； 114、140‧‧‧天線； 115‧‧‧虛設金屬通孔結構； 115a‧‧‧金屬擋板； 116‧‧‧粘附層； 124‧‧‧接地層； 126‧‧‧通孔； 127‧‧‧佈線； 140a‧‧‧第一天線元件； 140b‧‧‧第二天線元件； 141、141'‧‧‧第一部分； 143、143'‧‧‧第二部分； 142‧‧‧金屬隔離層； 150‧‧‧導電結構。
透過閱讀後續的詳細描述和實施例可以更全面地理解本發明，本實施例參照附圖給出，其中： 第1圖是根據一些實施例的示例性半導體封裝結構的截面圖。 第2A圖是根據一些實施例的示例性半導體封裝結構的截面圖。 第2B圖是根據一些實施例的第2A圖的半導體封裝結構中的虛設金屬通孔結構的示例性配置的平面圖。 第3A圖是根據一些實施例的示例性半導體封裝結構的截面圖。 第3B圖是根據一些實施例的第3A圖的半導體封裝結構中的金屬壩的示例性配置的平面圖。 第4A圖是根據一些實施例的示例性半導體封裝結構的截面圖。 第4B圖是根據一些實施例的第4A圖的半導體封裝結構中的金屬隔離層的示例性配置的平面圖。 第5圖是根據一些實施例的示例性半導體封裝結構的截面圖。
10‧‧‧半導體封裝結構
100‧‧‧半導體晶粒
100a‧‧‧非主動表面
100b‧‧‧主動表面
101‧‧‧焊盤
102、121‧‧‧金屬間電介質層
102a‧‧‧第一子介電層
102b‧‧‧第二子介電層
103、105‧‧‧導電跡線
106、120‧‧‧再分佈層結構
110、128‧‧‧模塑料層
112‧‧‧通孔結構
114、140‧‧‧天線
116‧‧‧粘附層
124‧‧‧接地層
126‧‧‧通孔
140a‧‧‧第一天線元件
140b‧‧‧第二天線元件
141、141'‧‧‧第一部分
143、143'‧‧‧第二部分
150‧‧‧導電結構

Claims (10)

  1. 一種半導體封裝結構，包括：半導體晶粒；第一再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的非主動表面上；第二再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的主動表面上並且電耦合到半導體晶粒的主動表面；接地層，形成在該第一再分佈層結構中；第一模塑料層，形成在該第一再分佈層結構上；第一天線，包括：第一天線元件，形成在該第二再分佈層結構中；以及第二天線元件，形成在該第一模塑料層上；第二模塑料層，圍繞該半導體晶粒；虛設金屬通孔結構或金屬擋板，形成在該第二模塑料層中並圍繞該半導體晶粒；其中，該第一天線元件和該第二天線元件中的每一個均具有與該半導體晶粒重疊的第一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，其中該第一天線元件和該第二天線元件中的每一個均具有鄰接該第一部分的第二部分，並且其中該接地層具有與該第二部分重疊的通孔。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，還包括：通孔結構，形成在該第二模塑料層中並電連接在該接地層與該第二再分佈層結構之間；以及第二天線，形成在該第二模塑料層中並透過該第二再分佈層結構和該通孔 結構電連接到該接地層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的半導體封裝結構，其中該第一天線是貼片天線，該第二天線是偶極天線。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，還包括導電結構，該導電結構經由該第二再分佈層結構電耦合到該半導體晶粒。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝結構，其中該第一天線元件和該第二天線元件中的每一個具有鄰接該第一部分的第二部分，並且其中該虛設通孔中的至少一個或該金屬擋板與該第二部分重疊。
  7. 一種半導體封裝結構，包括：半導體晶粒；第一再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的非主動表面上；第二再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的主動表面上並且電耦合到半導體晶粒的主動表面；接地層，形成在該第一再分佈層結構中；第一模塑料層，形成在該第一再分佈層結構上；複數個貼片天線，其中該複數個貼片天線中的每一個包括：第一天線元件，形成在該第二再分佈層結構中；以及第二天線元件，形成在該第一模塑料層上，其中該第一天線元件具有與半導體晶片重疊的第一部分；金屬隔離層，形成在該第一模塑料層上的以將該第二天線元件彼此隔離；以及第一通孔結構，形成在該第一模塑料層中，並電連接在該接地層和該金屬隔離層之間。
  8. 一種半導體封裝結構，包括：半導體晶粒；第一再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的非主動表面上；接地層，形成在該第一再分佈層結構中；第二再分佈層結構，形成在該第一再分佈層結構上；第一模塑料層，形成在該第二再分佈層結構上；以及第一天線，包括：第一天線元件，形成在該第二再分佈層結構中；以及第二天線元件，形成在該第一模塑料層上；其中，該第一天線元件和該第二天線元件中的每一個具有與半導體晶粒重疊的第一部分。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的半導體封裝結構，還包括：第三再分佈層結構，形成在該半導體晶粒的主動表面上並且電耦合到該半導體晶粒的主動表面；第二模塑料層，圍繞該半導體晶粒；以及第二天線，形成在該第二模塑料層中並電耦合到該第二再分佈層結構。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的半導體封裝結構，還包括：第一通孔結構，形成在該第二模塑料層中並電連接在該接地層與該第三再分佈層結構之間；第二通孔結構，形成在該第二模塑料層中並電耦合到第三再分佈層結構；以及第三通孔結構，形成在該第二再分佈層結構中並且電耦合在該第一天線元件和該第二通孔結構之間。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110401008B (zh) * 2018-04-25 2022-02-25 华为技术有限公司 带有封装天线的封装架构及通信设备
US11081453B2 (en) * 2018-07-03 2021-08-03 Mediatek Inc. Semiconductor package structure with antenna
US10840197B2 (en) * 2018-10-30 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and manufacturing method thereof
US11532867B2 (en) * 2018-12-28 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heterogeneous antenna in fan-out package
DE102019124237A1 (de) * 2018-12-28 2020-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Heterogene antenne im fan-out-package
US11101214B2 (en) * 2019-01-02 2021-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure with dam structure and method for forming the same
GB2584106B (en) * 2019-05-21 2024-03-27 Pragmatic Printing Ltd Flexible electronic structure
US11018083B2 (en) * 2019-07-17 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US11264316B2 (en) * 2019-07-17 2022-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and method of manufacturing the same
US11004796B2 (en) * 2019-07-17 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated fan-out package
US11158572B2 (en) * 2019-08-30 2021-10-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package structure including a first electronic device, a second electronic device and a plurality of dummy pillars
US11694984B2 (en) 2019-08-30 2023-07-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package structure including pillars and method for manufacturing the same
US11430764B2 (en) * 2019-12-20 2022-08-30 Intel Corporation Overhang bridge interconnect
KR102283081B1 (ko) * 2020-01-30 2021-07-30 삼성전기주식회사 안테나 장치
US11502710B2 (en) * 2020-02-05 2022-11-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Front-end module
CN111446175A (zh) * 2020-04-07 2020-07-24 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 射频芯片集成封装结构及其制备方法
KR20220004449A (ko) * 2020-07-03 2022-01-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법
KR20220021755A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 삼성전자주식회사 안테나를 포함하는 반도체 패키지
US20220224021A1 (en) * 2021-01-12 2022-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Antenna and electronic device including the same
TWI778608B (zh) * 2021-05-04 2022-09-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其天線結構
US11735830B2 (en) * 2021-08-06 2023-08-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Antenna device and method for manufacturing the same
US20230369274A1 (en) * 2022-05-10 2023-11-16 Taiwan Semiconduction Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit package and method of forming same
CN116885444B (zh) * 2023-09-06 2023-12-22 成都恪赛科技有限公司 一种片式相控阵天线结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3091571A2 (en) * 2015-05-05 2016-11-09 MediaTek, Inc Fan-out package structure including an antenna or a conductive shielding layer
CN107093598A (zh) * 2016-02-17 2017-08-25 英飞凌科技股份有限公司 包括天线的半导体装置
TW201742310A (zh) * 2016-05-27 2017-12-01 台灣積體電路製造股份有限公司 天線裝置

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8269671B2 (en) * 2009-01-27 2012-09-18 International Business Machines Corporation Simple radio frequency integrated circuit (RFIC) packages with integrated antennas
KR20120035394A (ko) * 2010-10-05 2012-04-16 삼성전자주식회사 수직구조의 전송선로 트랜지션 및 랜드 그리드 어레이 접합를 이용한 단일 칩 패키지를 위한 장치
US8816906B2 (en) * 2011-05-05 2014-08-26 Intel Corporation Chip packages including through-silicon via dice with vertically inegrated phased-array antennas and low-frequency and power delivery substrates
US8786060B2 (en) * 2012-05-04 2014-07-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
US9711465B2 (en) * 2012-05-29 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Antenna cavity structure for integrated patch antenna in integrated fan-out packaging
US9196958B2 (en) * 2012-07-26 2015-11-24 Apple Inc. Antenna structures and shield layers on packaged wireless circuits
JP5945326B2 (ja) * 2012-07-30 2016-07-05 パナソニック株式会社 放熱構造を備えた半導体装置
US9478474B2 (en) * 2012-12-28 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for forming package-on-packages
US9129954B2 (en) * 2013-03-07 2015-09-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package including antenna layer and manufacturing method thereof
US8779564B1 (en) * 2013-03-14 2014-07-15 Intel IP Corporation Semiconductor device with capacitive coupling structure
US9819098B2 (en) * 2013-09-11 2017-11-14 International Business Machines Corporation Antenna-in-package structures with broadside and end-fire radiations
US9773742B2 (en) * 2013-12-18 2017-09-26 Intel Corporation Embedded millimeter-wave phased array module
US9472859B2 (en) * 2014-05-20 2016-10-18 International Business Machines Corporation Integration of area efficient antennas for phased array or wafer scale array antenna applications
US9444135B2 (en) * 2014-09-19 2016-09-13 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit package
WO2016056387A1 (ja) * 2014-10-07 2016-04-14 株式会社村田製作所 高周波通信モジュール及び高周波通信装置
US9806040B2 (en) * 2015-07-29 2017-10-31 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Antenna in embedded wafer-level ball-grid array package
US10784206B2 (en) * 2015-09-21 2020-09-22 Mediatek Inc. Semiconductor package
US10546835B2 (en) * 2015-12-22 2020-01-28 Intel Corporation Microelectronic devices designed with efficient partitioning of high frequency communication devices integrated on a package fabric
TW201724648A (zh) * 2015-12-22 2017-07-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件
US10157807B2 (en) * 2016-05-26 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Sensor packages and manufacturing mehtods thereof
EP3465751B1 (en) * 2016-06-03 2021-08-18 Intel Corporation Wireless module with antenna package and cap package
US10269732B2 (en) * 2016-07-20 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Info package with integrated antennas or inductors
US10186756B2 (en) * 2016-08-01 2019-01-22 Intel IP Corporation Antennas in electronic devices
JP6500859B2 (ja) * 2016-08-22 2019-04-17 株式会社村田製作所 無線モジュール
US11309619B2 (en) * 2016-09-23 2022-04-19 Intel Corporation Waveguide coupling systems and methods
US10163824B2 (en) * 2016-12-02 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated fan-out package and method of fabricating the same
US10594019B2 (en) * 2016-12-03 2020-03-17 International Business Machines Corporation Wireless communications package with integrated antenna array
US10312203B2 (en) * 2016-12-13 2019-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of chip package with antenna element
EP3560111A4 (en) * 2016-12-21 2020-12-02 Intel Capital Corporation WIRELESS COMMUNICATION TECHNOLOGY, DEVICES, AND METHODS
CN110062956B (zh) * 2016-12-30 2023-10-10 英特尔公司 用于高频通信的利用三维堆叠超薄封装模块设计的微电子器件
DE102017200127A1 (de) * 2017-01-05 2018-07-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Modulanordnung mit eingebetteten Komponenten und einer integrierten Antenne, Vorrichtung mit Modulanordnungen und Verfahren zur Herstellung
US10354964B2 (en) * 2017-02-24 2019-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated devices in semiconductor packages and methods of forming same
KR102334710B1 (ko) * 2017-03-28 2021-12-02 삼성전기주식회사 전자부품 내장 기판
WO2018182653A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 Intel Corporation Rfic having coaxial interconnect and molded layer
US10910329B2 (en) * 2017-05-23 2021-02-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US10490880B2 (en) * 2017-05-26 2019-11-26 Qualcomm Incorporation Glass-based antenna array package
US10847869B2 (en) * 2017-06-07 2020-11-24 Mediatek Inc. Semiconductor package having discrete antenna device
US11081787B2 (en) * 2017-06-20 2021-08-03 Viasat, Inc. Antenna array radiation shielding
US10186492B1 (en) * 2017-07-18 2019-01-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure and manufacturing method thereof
US10461034B2 (en) * 2017-07-26 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure and manufacturing method thereof
US10957679B2 (en) * 2017-08-08 2021-03-23 iCometrue Company Ltd. Logic drive based on standardized commodity programmable logic semiconductor IC chips
US11095037B2 (en) * 2017-08-11 2021-08-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna module
US10511080B2 (en) * 2017-08-18 2019-12-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package
US10879197B2 (en) * 2017-08-30 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and method of fabricating package structure
US10157834B1 (en) * 2017-09-18 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electronic apparatus
US10867938B2 (en) * 2017-09-25 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure
US10276920B2 (en) * 2017-09-28 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure, electronic device and method of fabricating package structure
US10483617B2 (en) * 2017-09-29 2019-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure
US10777515B2 (en) * 2017-10-25 2020-09-15 Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation Fan-out antenna packaging structure and preparation method thereof
CN107706520A (zh) * 2017-10-25 2018-02-16 中芯长电半导体（江阴）有限公司 扇出型天线封装结构及其制备方法
US10381309B2 (en) * 2017-11-21 2019-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package structure having connecting module
KR102513750B1 (ko) * 2017-11-28 2023-03-24 삼성전자 주식회사 도전성 패턴을 포함하는 인쇄회로기판 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 전자 장치
US10468355B2 (en) * 2017-12-08 2019-11-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EMI Shielding structure in InFO package
US10424550B2 (en) * 2017-12-19 2019-09-24 National Chung Shan Institute Of Science And Technology Multi-band antenna package structure, manufacturing method thereof and communication device
US11346936B2 (en) * 2018-01-16 2022-05-31 Infineon Technologies Ag System and method for vital signal sensing using a millimeter-wave radar sensor
KR102022353B1 (ko) * 2018-01-18 2019-09-18 삼성전기주식회사 안테나 모듈
KR102003840B1 (ko) * 2018-03-12 2019-07-25 삼성전자주식회사 안테나 모듈
KR102017159B1 (ko) * 2018-03-12 2019-09-02 삼성전자주식회사 안테나 모듈
US11228087B2 (en) * 2018-03-16 2022-01-18 Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation Antenna package structure and antenna packaging method
US10811763B2 (en) * 2018-04-11 2020-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
US10276511B1 (en) * 2018-04-27 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package and manufacturing method thereof
US11011827B2 (en) * 2018-05-11 2021-05-18 Intel IP Corporation Antenna boards and communication devices
US20190348747A1 (en) 2018-05-14 2019-11-14 Mediatek Inc. Innovative air gap for antenna fan out package
US11043730B2 (en) 2018-05-14 2021-06-22 Mediatek Inc. Fan-out package structure with integrated antenna
US11024954B2 (en) 2018-05-14 2021-06-01 Mediatek Inc. Semiconductor package with antenna and fabrication method thereof
US10366966B1 (en) * 2018-05-17 2019-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing integrated fan-out package
US11063007B2 (en) * 2018-05-21 2021-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of manufacture
CN108900216B (zh) * 2018-06-01 2021-01-29 华为技术有限公司 一种无线传输模组及制造方法
KR102510374B1 (ko) * 2018-06-29 2023-03-14 삼성전기주식회사 고주파 필터 및 고주파 모듈
KR102576638B1 (ko) * 2018-07-02 2023-09-11 삼성전자주식회사 유전 손실이 다른 복수의 유전체들을 갖는 절연층을 포함하는 회로 기판, 및 이를 포함하는 전자 장치
US11081453B2 (en) * 2018-07-03 2021-08-03 Mediatek Inc. Semiconductor package structure with antenna
US11424197B2 (en) * 2018-07-27 2022-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package, package structure with redistributing circuits and antenna elements and method of manufacturing the same
CN110828962B (zh) * 2018-08-09 2021-08-03 财团法人工业技术研究院 天线阵列模块及其制造方法
US10971461B2 (en) * 2018-08-16 2021-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of manufacture
US10868353B2 (en) * 2018-09-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electronic device and manufacturing method thereof
US11264316B2 (en) * 2019-07-17 2022-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and method of manufacturing the same
US11004796B2 (en) * 2019-07-17 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated fan-out package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3091571A2 (en) * 2015-05-05 2016-11-09 MediaTek, Inc Fan-out package structure including an antenna or a conductive shielding layer
CN107093598A (zh) * 2016-02-17 2017-08-25 英飞凌科技股份有限公司 包括天线的半导体装置
TW201742310A (zh) * 2016-05-27 2017-12-01 台灣積體電路製造股份有限公司 天線裝置

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